JP2010189703A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板とターゲットとを対向させて、スパッタリング法により前記基板上に前記ターゲットの構成元素を含む膜を成膜する成膜方法において、
   前記基板を前記ターゲットの構成元素が付着する壁面で囲むと共に、該壁面に対して物理的な処理を行って該壁面に付着した成分を成膜雰囲気中に放出させながら、前記成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
2. 前記壁面は前記成膜が行われる真空容器の内壁面、若しくは前記基板と前記真空容器との間に設けられた壁部材の面であることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
3. 前記物理的な処理は加熱処理であることを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜方法。
4. 前記物理的な処理は１００℃以上の加熱処理であることを特徴とする請求項３に記載の成膜方法。
5. 前記物理的な処理は交流電圧印加処理であることを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜方法。
6. 前記物理的な処理はマイナス電位印加処理であることを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜方法。
7. 前記壁面の電位と前記壁面から１〜２ｃｍ離れた位置のプラズマ電位との差を２０Ｖ以上とすることを特徴とする請求項６に記載の成膜方法。
8. 前記膜は、非金属かつ非半金属の元素を除いて複数の元素を含む膜であり、かつ、該複数の元素のうち、最もスパッタ率の大きい元素のスパッタ率が、最もスパッタ率の小さい元素のスパッタ率の１．５倍以上の膜であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の成膜方法。
9. 前記膜は圧電体膜であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の成膜方法。
10. 前記膜は下記一般式（Ｐ）で表される１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物を主成分とすることを特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
    一般式ＡＢＯ_３・・・（Ｐ）
    （Ａ：Ａサイトの元素であり、Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｋ，及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含む。
    Ｂ：Ｂサイトの元素であり、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｓｃ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｈｆ，及びＡｌからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含む。
    Ｏ：酸素。
    Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素元素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。）
11. 前記膜は、前記一般式（Ｐ）で表され、かつＡサイトがＰｂ，Ｂｉ，及びＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物を含むことを特徴とする請求項１０に記載の成膜方法。
12. 前記膜は、前記一般式（Ｐ）で表され、かつＡサイトがＰｂを含む１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物を含むことを特徴とする請求項１１に記載の成膜方法。
13. 内部に互いに対向配置された基板ホルダ及びターゲットホルダが装着された真空容器と、
    前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
    前記真空容器内にプラズマ化させるガスを導入するガス導入手段とを備え、
    プラズマを用いた気相成長法により基板上にターゲットの構成元素を含む膜を成膜する成膜装置において、
    前記基板ホルダはターゲットの構成元素が付着する壁面で囲まれていると共に、該壁面には、該壁面に対して物理的な処理を行って該壁面に付着した成分を成膜雰囲気中に放出させる物理的処理手段が接続されていることを特徴とする成膜装置。
14. 前記壁面は前記真空容器の内壁面、若しくは前記基板ホルダと前記真空容器との間に設けられた壁部材の面であることを特徴とする請求項１３に記載の成膜装置。
15. 前記物理的処理手段は加熱手段であることを特徴とする請求項１３又は１４記載の成膜装置。
16. 前記物理的処理手段は交流電圧印加手段であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の成膜装置。
17. 前記物理的処理手段はマイナス電位印加手段であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の成膜装置。
18. 請求項１〜１２のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたものであることを特徴とする圧電体膜。
19. 請求項１８に記載の圧電体膜と、該圧電体膜に対して電界を印加する電極とを備えたことを特徴とする圧電素子。
20. 請求項１９に記載の圧電素子と、該圧電素子に隣接して設けられた液体吐出部材とを備え、該液体吐出部材は、液体が貯留される液体貯留室と、前記圧電体膜に対する前記電界の印加に応じて該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口とを有することを特徴とする液体吐出装置。