JP2010183153A - 圧電振動子及びその製造方法並びに発振器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、多層構造の内部に設けられる配線パターンの設計の自由度を確保しつつ、ウエーハ状態での一括処理を行うことができ、従って製造効率を向上させることができる圧電振動子及びその製造方法並びに発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】 ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成することが可能なセラミックからなる基板200上に形成された、圧電片230を搭載するための複数の搭載領域210に、圧電片230を搭載する搭載ステップを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】 ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成することが可能なセラミックからなる基板200上に形成された、圧電片230を搭載するための複数の搭載領域210に、圧電片230を搭載する搭載ステップを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、圧電振動子及びその製造方法並びに発振器に関する。
従来、圧電振動子の代表的なものとして、水晶を用いた種々の水晶振動子が開発されている。この水晶振動子は、例えば携帯電話機に搭載され、各回路が動作する際の基準となるクロック信号を生成する。
ところで、水晶振動子は、水晶片を収納し保護する容器の形状の違いによって、大きく分けて2種類のものが開発されている。図7(A)及び(B)は、かかる水晶振動子の構成の一例を示す分解斜視図である。すなわち、パッケージ20に形成された凹型形状のキャビティ30内に水晶片60を搭載する水晶振動子10(図7(A))と、平板状のベースと呼ばれる基板110上に水晶片140を搭載する水晶振動子100(図7(B))とがある。
具体的には、図7(A)に示すように、水晶振動子10は、水晶片60を保護する容器として、凹型形状のキャビティ30が形成されたパッケージ20を使用する。このパッケージ20は、例えば、1層目として、セラミックからなる平板を用意し、当該平板上に、2層目として、セラミックからなる枠を積層することにより、キャビティ30を形成する。
このようにパッケージ20に形成されたキャビティ30の内底面上には、搭載パッド40が配置され、当該搭載パッド40と、水晶片60の両面に形成された励振電極70とは、導電性接着剤(図示せず)を介して接続されている。
パッケージ20の上面には、メタライズ層(金属層)50が形成され、リッド(蓋)80の下面には、パッケージ20の上面に形成されたメタライズ層(金属層)50に対応するように、封止材90が塗布されている。水晶振動子10は、これらメタライズ層50及び封止材90を接合することにより形成されている。
一方、図7(B)に示すように、水晶振動子100は、平板状のベースと呼ばれる基板110上に配置された搭載パッド120と、水晶片140の両面に形成された励振電極150とを、導電性接着剤(図示せず)を介して接続することにより、基板110上に水晶片140が搭載された構成を有する。
水晶片140を保護するカバーとしての役割を果たすキャップ160には、凹型形状のキャビティ170が形成され、基板110及びキャップ160は、水晶片140を収納するようにして、接合材130を介して接合されている。なお、基板110及びキャップ160は、いずれも例えばセラミックからなる。
ところで、近年では、水晶振動子の製造方法として、基板に予め形成された複数のキャビティに水晶片を一括して搭載し、陽極接合を用いて基板及び蓋を接合した後に個片化する、いわゆるウエーハ状態での一括処理による製造方法が提案されている。
しかし、かかる製造方法では、セラミックからなる基板を使用する場合、基板に複数のキャビティを形成した後に焼成すると、基板が収縮する。この場合、基板の位置によって収縮の度合いが異なることにより、キャビティの寸法にばらつきが生じるため、ウエーハ状態での一括処理を行う場合には、高精度な位置決めを行う必要があった。
かかる問題を解決するため、基板及び蓋の材料として、焼成の際に収縮の度合いが小さく、かつ、陽極接合を用いてウエーハ状態で基板及び蓋を接合することを考慮すると、イオン伝導性を有するガラスを使用することが提案されている。このガラスを用いて、セラミックの基板のような多層構造の内部に配線パターンを設けると、厚みがセラミックの場合と比較して厚くなるという問題があった。
しかし、基板及び蓋の材料としてガラスを使用すると、セラミックを使用する場合と比較して、異なる層間の接着や、異なる層間の導通を確保することが困難になり、複数の層を積層する際、配線パターンを自由に設計することができなくなるという問題があった。また、異なる層毎に形状を変化させてキャビティを形成することが困難になるという問題もあった。
本発明は、多層構造の内部に設けられる配線パターンの設計の自由度を確保しつつ、ウエーハ状態での一括処理を行うことができ、従って製造効率を向上させることができる圧電振動子及びその製造方法並びに発振器を提供することを目的とする。
本発明の一態様による圧電振動子の製造方法は、ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成することが可能なセラミックからなる基板上に形成された、圧電片を搭載するための複数の搭載領域に、前記圧電片を搭載する搭載ステップと、陽極接合によって、前記基板と、前記基板に対応するように形成されたガラスからなる蓋とを、金属膜を介して接合する接合ステップと、接合された前記基板及び前記蓋を個片化することにより、圧電振動子を形成する圧電振動子形成ステップとを備える。
また、本発明の一態様による圧電振動子は、ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成されたセラミックからなり、圧電片を搭載するための搭載領域を有する基板と、前記基板が有する前記搭載領域に搭載された圧電片と、陽極接合によって、前記基板と金属膜を介して接合されたガラスからなる蓋とを備える。
また、本発明の一態様による発振器は、ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成されたセラミックからなり、圧電片を搭載するための搭載領域を有する基板と、前記基板が有する前記搭載領域に搭載された圧電片と、陽極接合によって、前記基板と金属膜を介して接合されたガラスからなる蓋と、内部に発振回路が形成され、圧電片接続用電極を介して前記圧電片と電気的に接続されると共に、外部端子接続用電極を介して前記基板に設けられた外部接続端子と電気的に接続された半導体チップとを備える。
本発明の圧電振動子及びその製造方法並びに発振器によれば、多層構造の内部に設けられる配線パターンの設計の自由度を確保しつつ、陽極接合を用いてウエーハ状態での一括処理を行うことができ、従って製造効率を向上させることができる。
また、本発明の圧電振動子及びその製造方法並びに発振器によれば、加熱の際に、歪や応力が発生することを防止することができる。
また、本発明の圧電振動子及びその製造方法並びに発振器によれば、収容部を有する多層構造を容易に形成することができ、また厚さを薄くすることができる。
また、本発明の圧電振動子及びその製造方法並びに発振器によれば、蓋に収容部を形成する必要がなく、その分、基板及び蓋を接合する際に、位置決めを行う必要がなくなり、生産効率を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1(A)〜(C)に、本発明の実施の形態による水晶振動子の製造方法を示す。まず図1(A)に示すように、1層目として、平板状のベースと呼ばれる基板を用意する。この基板は、例えば、所定の基準温度より低い900℃程度以下の低温で焼成することが可能な低温同時焼成セラミック(LTCC)からなる。この低温同時焼成セラミックは、イオン伝導性を有するガラスを含む。
次いで、この基板上に、2層目として、低温同時焼成セラミックからなり、格子状に形成された枠200Aを積層して、凹型形状のキャビティ210を形成することにより、複数のキャビティ210を有する基板200を形成する。なお、このキャビティ210は、水晶片230を搭載する搭載領域としての収容部に対応する。
このように、基板200として低温同時焼成セラミックを使用すれば、従来のセラミックを使用する場合と比較して、キャビティ210を有する多層構造を容易に形成することができ、また厚さを薄くすることができる。
そして、複数のキャビティ210が形成された基板200を低温で焼成する。この場合、基板200として低温同時焼成セラミックを使用していることから、従来のセラミックのように、例えば、所定の基準温度を1500℃程度として、この温度で焼成する場合と比較して、基板200が収縮する度合いを低減することができる。従って、キャビティ210の寸法にばらつきが生じることがなく、ウエーハ状態での一括処理が可能となる。
なお、基板200は、低温同時焼成セラミックによって形成されているため、加熱の際に、歪や応力が発生することはない。また、ガラスによって形成する場合と比較して、強度を向上させることができる。
その後、各キャビティ210の内底面上に、搭載パッド220を一括して形成する。そして、図1(B)に示すように、各キャビティ210に形成された搭載パッド220に、導電性接着剤(図示せず)を介して水晶片230を接着することにより、ウエーハ状態で複数の水晶片230を一括して搭載する。
図1(C)に示すように、スパッタ法によって、低温同時焼成セラミックからなる平板状の蓋240のうち、基板200と接合される接合面に、基板200を形成する格子状の枠200Aに対応するように、例えばアルミニウム(Al)やクロム(Cr)などからなる金属膜(図示せず)を形成する。この金属膜は、基板200を形成する枠200Aの上面に形成されても良い。
その後、真空又は窒素雰囲気下で、陽極接合によって、基板200及びガラスからなる蓋240をウエーハ状態で接合する。これら基板200及び蓋240を形成する低温同時焼成セラミックは、イオン伝導性を有するガラスを含むことから、陽極接合が可能になる。このように、陽極接合によって、基板200と、基板200に対応するように形成された蓋240とを、金属膜(図示せず)を介して接合する。
本実施の形態の場合、基板200に複数のキャビティ210を形成したことから、ガラスからなる蓋240にキャビティを形成する必要がなく、その分、基板200及び蓋240を接合する際に、位置決めを行う必要がなくなり、生産効率を向上させることができる。
そして、接合された基板200及びガラスからなる蓋240に対してダイシングを行って、個片化することにより水晶振動子を製造する。このようにして製造された水晶振動子の一例として、2層式の水晶振動子250を図2(A)に示し、3層式の水晶振動子300を図2(B)に示す。
図2(A)に示すように、2層式の水晶振動子250は、1層目として、平板260Aを用意し、2層目として、平板260A上に枠260Bを積層することにより、平板260A及び枠260Bからなる基板260とキャビティ270とを形成する。平板260Aの上面のうち、露出している領域上には、水晶片280が搭載され、枠260Bの上面には、ガラスからなる蓋290が接合されている。
一方、図2(B)に示すように、3層式の水晶振動子300は、1層目として、平板310Aを用意し、2層目として、平板310A上に枠310Bを積層し、3層目として、枠310B上に、当該枠310Bより短い幅を有する枠310Cを積層する。これにより、平板310A並びに枠310B及び310Cからなる基板310と、階段状のキャビティ320とを形成する。
そして、枠310Bの上面のうち、露出している領域上には、水晶片340が搭載され、枠310Cの上面には、ガラスからなる蓋350が接合されている。
ここで図3(A)及び(B)に、上述の製造方法によって製造された水晶振動子400の具体的な構成を示す。この水晶振動子400は、水晶片450を搭載する容器として、凹型形状のキャビティ420が形成された基板410を使用する。基板410は、低温同時焼成セラミックからなり、低温同時焼成セラミックは、イオン伝導性を有するガラスを含む。このように、基板410は、ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成されたセラミックからなり、水晶片450を搭載するための搭載領域としてのキャビティ420を有する。
基板410に形成されたキャビティ420の内底面上には、搭載パッド430が配置され、当該搭載パッド430と、水晶片450の両面に形成された励振電極460とは、導電性接着剤440を介して接続されている。このようにして、水晶片450は、基板410が有するキャビティ420に搭載される。
蓋470は、ガラスからなる。また、基板410及び蓋470は、例えばアルミニウム(Al)やクロム(Cr)などからなる金属膜480を介して、陽極接合によって接合されている。
このように本実施の形態によれば、多層構造の内部に設けられる配線パターンの設計の自由度を確保しつつ、ウエーハ状態での一括処理を行うことができ、従って製造効率を向上させることができる。
ここで図4〜図6に、上述の製造方法を用いて製造された発振器の構成例を示す。以下、順に説明する。まず図4(A)〜(C)に示すように、発振器500は、基板510のうち、表面側に凹型形状の第1のキャビティ520が形成されると共に、裏面側に凹型形状の第2のキャビティ530が形成された構成を有する。この基板510は、低温同時焼成セラミックからなり、低温同時焼成セラミックは、イオン伝導性を有するガラスを含む。
第1のキャビティ520の内底面上には、導電性接着剤540を介して水晶片550が搭載され、当該水晶片550の両面に形成された励振電極560は、導電性接着剤540に接続されている。蓋570は、ガラスからなる。また、基板510及び蓋570は、陽極接合によって接合されている。
一方、第2のキャビティ530の内底面上には、例えばはんだボールからなる接続用電極590が設けられた半導体チップ580が搭載され、当該半導体チップ580は、その内部に発振回路が形成されている。また、基板510の裏面側には、外部接続端子600が設けられている。
半導体チップ580は、接続用電極590のうち、水晶片接続用電極(すなわち圧電片接続用電極)を介して水晶片550と電気的に接続されると共に、外部端子接続用電極を介して外部接続端子600と電気的に接続されている。
続いて、図5に示すように、発振器700は、半導体チップ730及び水晶片750を搭載する容器として、凹型形状であって、かつ段部725を有するキャビティ720が形成された基板710を使用する。この基板710は、低温同時焼成セラミックからなり、低温同時焼成セラミックは、イオン伝導性を有するガラスを含む。
キャビティ720の内底面上には、接続用電極740が設けられた半導体チップ730が搭載され、当該半導体チップ730は、その内部に発振回路が形成されている。段部725の表面上には、導電性接着剤760を介して水晶片750が搭載されている。
蓋770は、ガラスからなる。また、基板710及び蓋770は、陽極接合によって接合されている。また、基板710の裏面側には、外部接続端子780が設けられている。
半導体チップ730は、接続用電極740のうち、水晶片接続用電極(すなわち圧電片接続用電極)を介して水晶片750と電気的に接続されると共に、外部端子接続用電極を介して外部接続端子780と電気的に接続されている。
続いて、図6(A)及び(B)に示すように、発振器800は、水晶片860を搭載する容器として、凹型形状のキャビティ830が形成された基板810を使用し、半導体チップ890を搭載する容器として、凹型形状のキャビティ840が形成された基板820を使用し、これら基板810及び820が積層された構成を有する。基板810及び820は、低温同時焼成セラミックからなり、低温同時焼成セラミックは、イオン伝導性を有するガラスを含む。
基板810に形成されたキャビティ830の内底面上には、導電性接着剤850を介して水晶片860が搭載され、当該水晶片860の両面に形成された励振電極865は、導電性接着剤850に接続されている。蓋870は、ガラスからなる。また、基板810及び蓋870は、陽極接合によって接合されている。また、基板810の裏面側には、外部接続端子900が設けられている。
一方、基板820に形成されたキャビティ840の内底面上には、接続用電極880が設けられた半導体チップ890が搭載され、当該半導体チップ890は、その内部に発振回路が形成されている。また、基板820の表面側には、外部接続端子910が設けられ、裏面側には、外部接続端子920が設けられている。
半導体チップ890は、接続用電極880のうちの水晶片接続用電極(すなわち圧電片接続用電極)、外部接続端子900及び910を順次介して水晶片860と電気的に接続されると共に、接続用電極880のうち、外部端子接続用電極を介して外部接続端子920と電気的に接続されている。
なお、上述の実施の形態は一例であって、本発明を限定するものではない。例えば、前記の実施の形態においては、キャビティ210が形成された基板200と、平板状の蓋240とを陽極接合する場合について述べたが、平板状の基板とキャビティが形成された蓋とを陽極接合しても良い。
また、上述の実施の形態においては、水晶片230が搭載された水晶振動子を製造したが、例えば圧電セラミックなど、他の種々の圧電片が搭載された圧電振動子を製造するようにしても良い。
また、上述の実施の形態においては、基板として、低温同時焼成セラミックからなる基板200を適用したが、ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成することが可能なセラミックからなる他の種々の基板を適用するようにしても良い。
200、410,510、710、810、820 基板
210、420、520、530、720、830、840 キャビティ
220、430 搭載パッド
230、450、550、750、860 水晶片
240、470、570、770、870 蓋
400 水晶振動子
480 金属膜
500、700、800 発振器
580、730、890 半導体チップ
590、740、880 接続用電極
600、780、900、910、920 外部接続端子
210、420、520、530、720、830、840 キャビティ
220、430 搭載パッド
230、450、550、750、860 水晶片
240、470、570、770、870 蓋
400 水晶振動子
480 金属膜
500、700、800 発振器
580、730、890 半導体チップ
590、740、880 接続用電極
600、780、900、910、920 外部接続端子
Claims (3)
- ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成することが可能なセラミックからなる基板上に形成された、圧電片を搭載するための複数の搭載領域に、前記圧電片を搭載する搭載ステップと、
陽極接合によって、前記基板と、前記基板に対応するように形成されたガラスからなる蓋とを、金属膜を介して接合する接合ステップと、
接合された前記基板及び前記蓋を個片化することにより、圧電振動子を形成する圧電振動子形成ステップと
を備えることを特徴とする圧電振動子の製造方法。 - ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成されたセラミックからなり、圧電片を搭載するための搭載領域を有する基板と、
前記基板が有する前記搭載領域に搭載された圧電片と、
陽極接合によって、前記基板と金属膜を介して接合されたガラスからなる蓋と
を備えることを特徴とする圧電振動子。 - ガラスを含み、所定の基準温度より低い温度で焼成されたセラミックからなり、圧電片を搭載するための搭載領域を有する基板と、
前記基板が有する前記搭載領域に搭載された圧電片と、
陽極接合によって、前記基板と金属膜を介して接合されたガラスからなる蓋と、
内部に発振回路が形成され、圧電片接続用電極を介して前記圧電片と電気的に接続されると共に、外部端子接続用電極を介して前記基板に設けられた外部接続端子と電気的に接続された半導体チップと
を備えることを特徴とする発振器。
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JP2009022523A JP2010183153A (ja) | 2009-02-03 | 2009-02-03 | 圧電振動子及びその製造方法並びに発振器 |
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