JP2010182866A - Electrostatic attraction holding device, aligner, exposure method, and method of manufacturing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板やマスクなどの被吸着物を静電吸着力にて保持する静電吸着保持装置、該静電吸着保持装置を備える露光装置、基板にパターンを形成させる露光方法及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to an electrostatic adsorption holding device that holds an object to be adsorbed such as a substrate and a mask with an electrostatic adsorption force, an exposure apparatus including the electrostatic adsorption holding device, an exposure method for forming a pattern on a substrate, and the exposure apparatus The present invention relates to a method of manufacturing a device using
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクに露光光を照射する照明光学系と、露光光が照射されたマスクのパターンの像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影する投影光学系とを備えている。このような露光装置では、半導体集積回路の高集積化及び該高集積化に伴うパターンの像の微細化を図るために、投影光学系の更なる高解像度化が要望されている。そのため、露光装置に用いる露光光の短波長化が進み、近年では、EUV(Extreme Ultraviolet )光やEB(Electron Beam )を露光光として用いる露光装置の開発が行われている。 In general, an exposure apparatus for manufacturing a microdevice such as a semiconductor integrated circuit includes an illumination optical system that irradiates exposure light onto a mask such as a reticle on which a predetermined pattern is formed, and a pattern of the mask irradiated with the exposure light. A projection optical system for projecting an image onto a substrate such as a wafer or a glass plate coated with a photosensitive material. In such an exposure apparatus, a higher resolution of the projection optical system is demanded in order to achieve higher integration of the semiconductor integrated circuit and finer pattern images associated with the higher integration. For this reason, the wavelength of exposure light used in the exposure apparatus has been shortened, and in recent years, an exposure apparatus that uses EUV (Extreme Ultraviolet) light or EB (Electron Beam) as exposure light has been developed.
EUV光を用いた露光装置は、内部が真空雰囲気に設定されるチャンバを備え、該チャンバ内に、各種光学系、マスクを保持する保持装置及び基板を保持する保持装置などが配置されている。こうした各保持装置には、セラミックなどの誘電材料から構成される基体と、複数の電極部とを有する静電吸着保持装置がそれぞれ設けられている。そして、マスクや基板などの被吸着物は、静電吸着保持装置が発生するクーロン力によって、該静電吸着保持装置の基体の吸着面に静電吸着されるようになっていた(例えば、特許文献1)。 An exposure apparatus using EUV light includes a chamber whose interior is set to a vacuum atmosphere, and various optical systems, a holding device for holding a mask, a holding device for holding a substrate, and the like are arranged in the chamber. Each of these holding devices is provided with an electrostatic chuck holding device having a base made of a dielectric material such as ceramic and a plurality of electrode portions. Then, an object to be adsorbed such as a mask or a substrate is electrostatically adsorbed on the adsorption surface of the substrate of the electrostatic adsorption holding device by the Coulomb force generated by the electrostatic adsorption holding device (for example, patent Reference 1).
ところで、パターンの像が投影される基板の被照射面は、パターンの形成不良などの不具合の発生を抑制する目的を達成するためには、その平面度が高い方が望ましい。こうした基板の被照射面における平面度は、静電吸着保持装置の基体や基板の加工精度に依存している。ところが、近時では、基板及び該基板を保持する基体の大型化が進み、基体の吸着面や基板の被照射面の平面度を高くするように加工することが、非常に難しくなってきた。そして、もし仮に基体や基板の平面度が低かったとすると、基体の吸着面に静電吸着された基板の被照射面の平面度がさらに低下し、結果として、基板にパターンを好適に形成させることが困難になるおそれがあった。なお、こうした問題は、基板を保持する保持装置に限らず、レチクルを保持する保持装置であっても発生するおそれがあった。 By the way, it is desirable that the irradiated surface of the substrate on which the pattern image is projected has a higher flatness in order to achieve the purpose of suppressing the occurrence of defects such as defective pattern formation. The flatness of the irradiated surface of the substrate depends on the processing accuracy of the substrate and the substrate of the electrostatic chucking holding device. However, in recent years, the size of the substrate and the substrate holding the substrate has increased, and it has become very difficult to process the substrate so that the flatness of the suction surface of the substrate and the irradiated surface of the substrate is increased. If the flatness of the substrate or the substrate is low, the flatness of the irradiated surface of the substrate electrostatically attracted to the attracting surface of the substrate further decreases, and as a result, a pattern is suitably formed on the substrate. Could become difficult. Such a problem may occur not only in the holding device that holds the substrate but also in the holding device that holds the reticle.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、吸着面に静電吸着される被吸着物の平面度を高くできる静電吸着保持装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an electrostatic adsorption holding device, an exposure apparatus, an exposure method, and an electrostatic adsorption holding device capable of increasing the flatness of an object to be adsorbed electrostatically on the adsorption surface. It is to provide a device manufacturing method.
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図9に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の静電吸着保持装置は、被吸着物(R、W)を吸着する静電吸着保持装置(25、34)であって、可撓性を有する誘電性材料で形成され、且つ前記被吸着物(R、W)を吸着する吸着面(25a、34a)が形成された一方の面(42b)を有する基体(42)と、該基体(42)に設けられる電極部(45,46)と、前記基体(42)の前記一方の面(42b)とは反対側の他方の面(42a)に駆動力を付与し、前記基体(42)の前記吸着面(25a、34a)の形状を変形させる駆動装置(41、41A、41B)と、を備えることを要旨とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention adopts the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 9 shown in the embodiment.
The electrostatic adsorption holding device of the present invention is an electrostatic adsorption holding device (25, 34) for adsorbing an object to be adsorbed (R, W), formed of a flexible dielectric material, and A substrate (42) having one surface (42b) on which adsorption surfaces (25a, 34a) for adsorbing adsorbed material (R, W) are formed, and electrode portions (45, 46) provided on the substrate (42) Then, a driving force is applied to the other surface (42a) opposite to the one surface (42b) of the base body (42), and the shape of the suction surface (25a, 34a) of the base body (42) is changed. And a driving device (41, 41A, 41B) to be deformed.
上記構成によれば、被吸着物(R、W)が静電吸着される吸着面(25a、34a)を有する基体(42)は、可撓性を有している。こうした基体(42)の吸着面(25a、34a)は、駆動装置(41、41A、41B)から基体(42)に駆動力が付与されることにより、付与される駆動力に応じた形状に変形する。そのため、吸着面(25a、34a)に静電吸着される被吸着物(R、W)の形状を所望する形状に変形させることができる。 According to the said structure, the base | substrate (42) which has the adsorption | suction surface (25a, 34a) to which an adsorbate (R, W) is electrostatically adsorbed has flexibility. The suction surface (25a, 34a) of the base body (42) is deformed into a shape corresponding to the applied driving force by applying a driving force to the base body (42) from the driving device (41, 41A, 41B). To do. Therefore, the shape of the object to be attracted (R, W) that is electrostatically attracted to the attracting surfaces (25a, 34a) can be changed to a desired shape.
また、本発明の露光方法は、マスク(R)に形成された所定のパターンを介して基板(W)を露光する露光方法において、可撓性を有する誘電性材料から形成される基体(42)の吸着面(25a、34a)に、被吸着物(R、W)を静電吸着させる吸着ステップ(S10)と、前記吸着面(25a、34a)に静電吸着される前記被吸着物(R、W)において放射ビーム(EL)が照射される被照射面(Ra、Wa)の平面度を計測させる計測ステップ(S11)と、該計測ステップ(S11)での計測結果に基づき、前記被照射面(Ra、Wa)の平面度を高くすべく前記基体(42)の前記吸着面(25a、34a)の形状を変形させる変形ステップ(S13)と、を有することを要旨とする。 In addition, the exposure method of the present invention is a substrate (42) formed of a flexible dielectric material in the exposure method of exposing the substrate (W) through a predetermined pattern formed on the mask (R). An adsorption step (S10) for electrostatically adsorbing the object to be adsorbed (R, W) to the adsorption surface (25a, 34a), and the object to be adsorbed (R) electrostatically adsorbed to the adsorption surface (25a, 34a) , W), the measurement step (S11) for measuring the flatness of the irradiated surface (Ra, Wa) irradiated with the radiation beam (EL), and the irradiation target based on the measurement result in the measuring step (S11). The present invention includes a deformation step (S13) for deforming the shape of the adsorption surface (25a, 34a) of the base (42) so as to increase the flatness of the surfaces (Ra, Wa).
上記構成によれば、可撓性を有する基体(42)の吸着面(25a、34a)に被吸着物(R、W)が静電吸着された後、該被吸着物(R、W)の被照射面(Ra、Wa)の平面度が計測される。そして、この計測結果に基づき、被吸着物(R、W)の被照射面(Ra、Wa)の平面度が高くなるように基体(42)の形状が変形され、その後、基体(42)の被照射面(Ra、Wa)に対して放射ビーム(EL)が照射される。その結果、基板(W)には、適切な形状のパターンが形成される。 According to the above configuration, after the object to be adsorbed (R, W) is electrostatically adsorbed on the adsorption surface (25a, 34a) of the flexible base body (42), the object to be adsorbed (R, W) The flatness of the irradiated surface (Ra, Wa) is measured. And based on this measurement result, the shape of the base body (42) is deformed so that the flatness of the irradiated surface (Ra, Wa) of the object to be adsorbed (R, W) is increased. The irradiated surface (Ra, Wa) is irradiated with a radiation beam (EL). As a result, an appropriately shaped pattern is formed on the substrate (W).
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。 In order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, it has been described in association with the reference numerals of the drawings showing the embodiments, but it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments.
本発明によれば、吸着面に静電吸着される被吸着物の平面度を高くできる。 According to the present invention, it is possible to increase the flatness of an object to be attracted electrostatically to the attracting surface.
以下に、本発明を具体化した一実施形態について図1〜図4に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、光源装置12から射出される、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置である。こうした露光装置11は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ13(図1では二点鎖線で囲まれた部分)を備えており、該チャンバ13内には、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRと、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWとが設置される。なお、本実施形態の光源装置12としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源装置12は、波長が5〜20nm(例えば13.5nm)となるEUV光を露光光ELとして射出するようになっている。
Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, the
チャンバ13内には、該チャンバ13外に配置される光源装置12から射出された露光光ELが入射するようになっている。そして、チャンバ13内に入射した露光光ELは、照明光学系14を介してレチクルステージ15にて保持されるレチクルRを照明し、該レチクルRで反射した露光光ELは、投影光学系16を介してウエハステージ17に保持されるウエハWを照射するようになっている。また、本実施形態の露光装置11には、ウエハステージ17で保持されるウエハWの被照射面Wa(+Z方向側の面であって、図1では上面)の平面度を計測するための平面度計測装置35が設けられている。そのため、実際には、ウエハステージ17で保持されるウエハWの被照射面Waの平面度が高い状態で維持されていることを平面度計測装置35によって確認してから、ウエハWに対する露光処理が開始される。
The exposure light EL emitted from the
照明光学系14は、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体18(図1で一点鎖線で囲まれた部分)を備えている。この筐体18内には、光源装置12から射出された露光光ELを集光するコリメート用ミラー19が設けられており、該コリメート用ミラー19は、入射した露光光ELを略平行に変換して射出するようになっている。そして、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELは、オプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系20(図1では破線で囲まれた部分)に入射するようになっている。このフライアイ光学系20は、一対のフライアイミラー21,22を備えており、該各フライアイミラー21,22のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー21は、レチクルRの被照射面Ra(即ち、図1における下面であって、パターン形成面)とは光学的に共役な位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー21で反射された露光光ELは、射出側に配置される射出側フライアイミラー22に入射するようになっている。
The illumination
また、照明光学系14には、射出側フライアイミラー22から射出された露光光ELを筐体18外に射出するコンデンサミラー23が設けられている。そして、コンデンサミラー23から射出された露光光ELは、後述する鏡筒27内に設置された折り返し用の反射ミラー24により、レチクルステージ15に保持されるレチクルRに導かれる。なお、照明光学系14を構成する各ミラー19,21〜24の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成されている。
Further, the illumination
レチクルステージ15は、投影光学系16の物体面側に配置されており、レチクルRを静電吸着するための第1静電吸着保持装置25を備えている。この第1静電吸着保持装置25は、ステンレスなどの誘電性材料から構成され且つ吸着面25aを有する図示しない基体と、該基体内に配置される図示しない複数の電極とから構成されている。そして、図示しない電流供給部から電流が各電極にそれぞれ供給された場合、基体から発生されるクーロン力により、吸着面25aにレチクルRが静電吸着される。
The
また、レチクルステージ15には、レチクルRをY軸方向(図1における左右方向)に所定ストロークで移動させる図示しないレチクルステージ駆動部と、第1静電吸着保持装置25を支持する支持ステージ26とが設けられている。レチクルステージ駆動部は、レチクルRをX軸方向(図1において紙面と直交する方向)及びθz方向(Z軸周りの回転方向)にも移動可能に構成されている。なお、レチクルRの被照射面Raに露光光ELが照明される場合、該被照射面Raの一部には、X軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。なお、Y軸方向を走査方向とした場合、X軸方向を非走査方向とする。
The
投影光学系16は、露光光ELでレチクルRの被照射面Raを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率(例えば1/4倍)に縮小させる光学系であって、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒27を備えている。この鏡筒27内には、複数枚(本実施形態では6枚)の反射型のミラー28,29,30,31,32,33が収容されている。これら各ミラー28〜33は、図示しないミラー保持装置を介して鏡筒27にそれぞれ保持されている。そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、第1ミラー28、第2ミラー29、第3ミラー30、第4ミラー31、第5ミラー32、第6ミラー33の順に反射され、ウエハステージ17に保持されるウエハWの被照射面Waに導かれる。こうした各ミラー28〜33の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成されている。
The projection
ウエハステージ17は、ウエハWを静電吸着するための第2静電吸着保持装置34と、ウエハWをY軸方向に所定ストロークで移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハWをX軸方向にも移動可能に構成されている。また、ウエハステージ17には、第2静電吸着保持装置34を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのZ軸方向(図1における上下方向)における位置及びX軸周り、Y軸周りの傾斜角を調整する図示しないZレベリング機構とが組み込まれている。
The
さらに、投影光学系16の像面側には、斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ(図示略)が設けられている。このオートフォーカスセンサは、ウエハWの被照射面Waを含む計測領域に複数の計測光を照射し、計測領域で反射した複数の計測光を受光することによって、投影光学系16の像面に対するウエハWの計測領域の平均的な高さ情報(即ち、Z軸方向における位置情報)を求めている。ウエハステージ駆動部は、求められた高さ情報に基づいて、投影光学系16の像面に対するZ方向へのデフォーカス量、及びθx方向(X軸周りの回転方向)、θy方向(Y軸周りの回転方向)の傾斜角を調整するようにウエハステージ17を駆動する。
Further, an oblique incidence type multi-point autofocus sensor (not shown) is provided on the image plane side of the projection
そして、ウエハW上の一つのショット領域にレチクルRのパターンを露光する場合、照明光学系14による照明領域をレチクルRに照射した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルRをY軸方向に所定ストローク毎に移動させるとともに、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハWをレチクルRのY軸方向に沿った移動に対して投影光学系16の縮小倍率に応じた速度比で−Y方向側から+Y方向側(図1では左側から右側)に同期して移動する。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハWの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
When the pattern of the reticle R is exposed to one shot area on the wafer W, the reticle R is driven in the Y-axis direction by driving the reticle stage driving unit while irradiating the reticle R with the illumination area by the illumination
次に、平面度計測装置35について図1に基づき説明する。
図1に示すように、平面度計測装置35は、投影光学系16の+Y方向側に配置され、且つ−Z方向側(図1では下側)に向けて計測光MLを発光可能な複数(図1では1つのみ図示)の発光器36(例えばハロゲンランプやレーザ)を備え、該各発光器36は、X軸方向に沿ってそれぞれ配置されている。また、各発光器36の−Z方向側には、該各発光器36から出力された各計測光MLをウエハWの被照射面Wa側に反射させる反射面37aを有する第1反射部材37が設けられている。この第1反射部材37の反射面37aで反射された各計測光MLは、ウエハWの被照射面Waに入射するようになっている。この際、各発光器36から出力された各計測光MLは、ウエハWの被照射面Wa上において互いに異なる位置にそれぞれ入射するようになっている。
Next, the
As shown in FIG. 1, the
また、平面度計測装置35には、投影光学系16の−Y方向側に配置され、且つ各発光器36に個別対応する複数(本実施形態では3つ)の受光器38(例えばCCD)が設けられている。これら各受光器38の−Z方向側には、ウエハWの被照射面Waの各位置で反射された各計測光MLを各受光器38側に反射させる反射面39aを有する第2反射部材39が設けられている。そして、各受光器38は、ウエハWの被照射面Waにて反射した各計測光MLを受光した際の受光位置、即ち被照射面Waの平面度に応じた平面度信号を制御装置50(図2参照)にそれぞれ出力するようになっている。その後、制御装置50は、各受光器38からの検出信号に基づき、ウエハWの被照射面Waの計測位置における平面度を算出するようになっている。
The
なお、平面度計測装置35は、上記オートフォーカスセンサによって、投影光学系16の像面に対するウエハWの被照射面WaのZ軸方向における位置を調整した状態で、被照射面Waの平面度を計測している。
The
次に、第2静電吸着保持装置34について図2及び図3に基づき説明する。
図2に示すように、第2静電吸着保持装置34は、略直方体状をなすベース部材40と、該ベース部材40上に配置される駆動装置41と、該駆動装置41によって支持される基体42とを備えている。ベース部材40の+Z方向側(図1及び図2では上側)の面40aは、研磨加工などの平坦化処理が施されている。
Next, the second electrostatic
As shown in FIG. 2, the second electrostatic
駆動装置41は、ベース部材40の+Z方向側の面40a上に配列される複数個(図2では11個のみ図示)の圧電素子43(ピエゾ素子ともいう。)を備え、該各圧電素子43は、所定間隔毎にそれぞれ配置されている。また、各圧電素子43は、後述する第1電流供給部51から電流が個別に供給された場合、ベース部材40の+Z方向側の面40aを基準にしてZ軸方向に沿ってそれぞれ伸縮動作するようになっている。こうした各圧電素子43の+Z方向側には、該各圧電素子43の+Z方向側の端部によって支持される支持部材44が設けられており、該支持部材44において各圧電素子43に対向する第2支持面44a(−Z方向側の面であって、図2では下面)には、各圧電素子43の+Z軸方向側の端部がそれぞれ固着されている。
The
支持部材44は、その厚み(即ち、Z軸方向における幅)が20mm以下となる金属製の板材(例えば厚みが10mmのステンレス板)から構成されている。また、支持部材44において第2支持面44aの反対側には、基体42を支持する第1支持面44b(+Z方向側の面であって、図2では上面)が形成されており、該第1支持面44bは、基体42に密着している。そして、図3に示すように、各圧電素子43が個別に伸縮動作した場合、支持部材44において伸張動作した圧電素子43に対応する位置は、+Z方向側に変位する一方、支持部材44において収縮動作した圧電素子43に対応する位置は、−Z方向側に変位する。すなわち、支持部材44は、各圧電素子43の伸縮動作に応じ、Z軸方向、即ち支持部材44の厚み方向における形状が変形するようになっている。なお、全ての圧電素子43が同一量だけ伸張したり、収縮したりした場合、支持部材44は、その第1支持面44bの形状が変形することなくZ軸方向に沿って移動するようになっている。
The support member 44 is made of a metal plate (for example, a stainless plate having a thickness of 10 mm) having a thickness (that is, a width in the Z-axis direction) of 20 mm or less. Further, on the opposite side of the support member 44 to the
基体42は、図2及び図3に示すように、可撓性を有する誘電性材料(本実施形態ではポリイミド樹脂)から構成されている。こうした基体42は、支持部材44の第1支持面44bに対向し且つ該第1支持面44bに密着する他方の面42a(−Z方向側の面であって、図2では下面)と、Z軸方向において他方の面42aの反対側に位置する一方の面42b(+Z方向側の面であって、図2では上面)とを有している。この一方の面42bの少なくとも一部は、ウエハWが静電吸着される吸着面34aとして機能するようになっている(図1参照)。また、基体42は、各圧電素子43の個別の伸縮動作によって支持部材44が変形した場合、該支持部材44の第1支持面44bの変形具合に応じて変形するようになっている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
また、基体42内には、図2に示すように、後述する第2電流供給部52から正の電荷が供給される複数(本実施形態では3つ)の第1電極部45と、第2電流供給部52から負の電荷が供給される複数(本実施形態では3つ)の第2電極部46とが設けられている。これら各第1電極部45及び各第2電極部46は、可撓性を有する導電性材料(例えば、銅から構成される薄板)からそれぞれ形成されている。また、各第1電極部45及び各第2電極部46は、X軸方向に延びるようにそれぞれ形成されている。また、各第1電極部45は、Y軸方向に沿ってそれぞれ配置されており、Y軸方向において互いに隣り合う第1電極部45同士の間となる各位置、及び各第1電極部45のうち最も+Y方向側に位置する第1電極部45の+Y方向側となる位置には、第2電極部46がそれぞれ配置されている。すなわち、本実施形態では、第1電極部45及び第2電極部46は、Y軸方向に沿って交互に配置されている。そして、各第1電極部45及び各第2電極部46に正の電荷及び負の電荷が第2電流供給部52からそれぞれ供給された場合、基体42からはクーロン力が発揮され、基体42の吸着面34aには、ウエハWの被吸着面Wb(図1では下面)が静電吸着される。
In addition, as shown in FIG. 2, a plurality of (three in the present embodiment)
次に、本実施形態の露光装置11を制御する制御装置50について図2に基づき説明する。
図2に示すように、制御装置50のインターフェースには、平面度計測装置35が電気的に接続されており、制御装置50からは、ウエハWの被照射面Waの平面度を計測させるための制御指令が平面度計測装置35に出力される。また、制御装置50には、ウエハWの被照射面Waの平面度に応じた平面度情報が平面度計測装置35の各受光器38から入力される。また、制御装置50のインターフェースには、各圧電素子43に対して個別に電流を供給するための第1電流供給部51と、各第1電極部45及び各第2電極部46に電流をそれぞれ供給するための第2電流供給部52とが電気的に接続されている。そして、第1電流供給部51は、制御装置50からの制御指令に応じて、各圧電素子43に対する電流の供給量を個別に調整するようになっている。また、第2電流供給部52は、制御装置50からの制御指令に応じて、各第1電極部45に正の電荷をそれぞれ供給すると共に、各第2電極部46に負の電荷をそれぞれ供給するようになっている。
Next, the
As shown in FIG. 2, the
また、制御装置50には、図示しないCPU、ROM及びRAMなどから構成されるデジタルコンピュータが設けられている。ROMには、露光装置11を制御するための各種制御処理(例えば、図4に示す平面度向上処理)及び各種閾値などが予め記憶されている。また、RAMには、露光装置11の駆動中に適宜書き換えられる各種パラメータ(例えば、被照射面Waの平面度)が適宜記憶される。
The
なお、第1電流供給部51は、図示しない電源からの交流電流を直流電流に変換する図示しないA/D変換器と、各圧電素子43に供給する電流量を個別に調整するための図示しない調整回路とを備えている。また、第2電流供給部52は、図示しない電源からの交流電流を直流電流に変換する図示しないA/D変換器と、各第1電極部45に供給する正の電荷の電荷量を調整する図示しない第1調整回路と、各第2電極部46に供給する負の電荷の電荷量を調整する図示しない第2調整回路とを備えている。
The first
次に、本実施形態の制御装置50が実行する制御処理のうち、第2静電吸着保持装置34に静電吸着されたウエハWの被照射面Waの平面度を向上させるための平面度向上処理ルーチンを図4に示すフローチャート及び図5(a)(b)に示す作用図に基づき説明する。なお、この平面度向上処理ルーチンは、露光処理を実行させるウエハWがチャンバ13内に搬入されたことを契機に実行される。また、図5(a)(b)では、ウエハWの被照射面Waの変形態様が誇張して描かれている。
Next, in the control process executed by the
さて、平面度向上処理ルーチンにおいて、制御装置50は、各第1電極部45及び各第2電極部46に正の電荷及び負の電荷をそれぞれ供給させるための制御指令を第2電流供給部52に出力する(ステップS10)。すなわち、制御装置50は、ウエハWを第2静電吸着保持装置34における基体42の吸着面34aに静電吸着させる。続いて、制御装置50は、平面度計測装置35を用いてウエハWの被照射面Waの平面度を計測させる(ステップS11)。具体的には、制御装置50は、上記ウエハステージ駆動部を駆動させてウエハWを−Y方向側から+Y方向側にステップ移動させる。そして、各発光器36からは、ウエハWのステップ移動の間に随時、計測光MLをそれぞれ出力させる。その結果、平面度計測装置35では、ウエハWの被照射面Waの位置毎の平面度が計測される。そして、各受光器38からは、ウエハWの被照射面Waの平面度に関する平面度情報が出力される。すると、制御装置50は、平面度計測装置35側からの平面度情報に基づき、ウエハWの被照射面Waの位置毎の平面度を算出し、該算出結果をRAMに一時記憶させる。
Now, in the flatness improvement processing routine, the
続いて、制御装置50は、上記RAMに一時記憶された現時点におけるウエハWの被照射面Waの位置毎の平面度が許容範囲内であるか否かを判定する(ステップS12)。具体的には、ステップS12では、被照射面Waの各位置のうち、投影光学系16の像面53(図5では一点鎖線で示す。)からZ軸方向におけるずれ量が許容範囲外となる位置がないか否かが判定される。そして、ステップS12の判定結果が肯定判定である場合、制御装置50は、現時点におけるウエハWの被照射面Waの各位置の平面度が十分に高いと判断し、その処理を後述するステップS14に移行する。
Subsequently, the
一方、ステップS12の判定結果が否定判定である場合、制御装置50は、現時点におけるウエハWの被照射面Waにおいて平面度の低い位置が存在すると判断し、平面度修正処理を実行する(ステップS13)。具体的には、制御装置50は、図5(a)(b)に示すように、ウエハWの被照射面Waの各位置のうち、像面53よりも+Z方向側に位置する位置を−Z方向側に変位させるように、当該位置に対応する各圧電素子43をZ軸方向に沿って収縮させる。また、制御装置50は、ウエハWの被照射面Waの各位置のうち、像面53よりも−Z方向側に位置する位置を+Z方向側に変位させるように、当該位置に対応する各圧電素子43をZ軸方向に沿って伸張させる。その後、制御装置50は、その処理を前述したステップS11に移行する。すなわち、本実施形態では、ウエハWの被照射面Waの各位置が全て許容範囲内になるまで、平面度修正処理が繰り返し実行される。
On the other hand, if the determination result of step S12 is negative, the
ステップS14において、制御装置50は、ウエハWに対して露光処理を実行させ、ウエハWの被照射面Waにおける各ショット領域にパターンが順番に形成される。そして、ウエハWへのパターンの形成が終了すると、制御装置50は、平面度向上処理ルーチンを終了する。本実施形態では、図5(a)(b)に示すように、平面度修正処理が実行される前におけるウエハWの被照射面Waの平面度が低い場合であっても、平面度修正処理が少なくとも一回実行されることによりウエハWの被照射面Waの平面度は、非常に高くなっている。そして、こうしたウエハWに対して露光処理が実行されると、ウエハWの平面度が低いことに起因したパターンの歪みの発生が抑制される。
In step S <b> 14, the
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(1)ウエハWが静電吸着される吸着面34aを有する基体42は、可撓性を有している。こうした基体42の吸着面34aは、各圧電素子43から基体42に駆動力が付与されることにより、付与される駆動力に応じた形状に変形する。そのため、吸着面25aに静電吸着されるウエハWの形状を所望する形状に変形させることができる。
Therefore, in this embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The
(2)本実施形態では、複数の圧電素子43を個別に伸縮動作させることにより、吸着面34aに静電吸着されるウエハWの被照射面Waの形状を所望する平面度を有する形状に変形させることができる。そのため、ウエハWに対して所望する形状のパターンを確実に形成させることができる。
(2) In the present embodiment, by individually expanding and contracting the plurality of
(3)また、平面度修正処理は、平面度計測装置35からの平面度情報に基づき実行される。そして、平面度修正処理の終了後、平面度計測装置35を用いて被照射面Waの平面度が再計測され、被照射面Waの平面度が許容範囲外である場合には、平面度修正処理が再び実行される。そのため、ウエハWへの露光処理が実行される際には、ウエハWの被照射面Waの平面度が確実に許容範囲内になっている。したがって、ウエハWにパターンを正確に形成させることができる。
(3) The flatness correction process is executed based on the flatness information from the
(4)基体42は、支持部材44によって支持されている。そのため、各圧電素子43が個別に伸縮動作しても、基体42において互いに隣り合う位置同士の間でZ軸方向における位置ずれを抑制できる。
(4) The
(5)また、基体42内に配置される各第1電極部45及び各第2電極部46は、可撓性を有する導電性材料で構成されている。そのため、支持部材44の変形に応じて各第1電極部45及び各第2電極部46もそれぞれ変形する。したがって、基体42の吸着面34aを所望する形状に確実に変形させることができる。
(5) Moreover, each
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を図6に従って説明する。なお、第2の実施形態は、支持部材の形状が第1の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the shape of the support member is different from that of the first embodiment. Therefore, in the following description, parts different from those of the first embodiment will be mainly described, and the same or corresponding member configurations as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. Shall.
図6に示すように、本実施形態の第2静電吸着保持装置34は、ベース部材40と、該ベース部材40の+Z方向側の面40a上に配置される駆動装置41Aと、該駆動装置41Aによって支持される基体42とを備え、該基体42内には、複数の第1電極部45及び第2電極部46が配置されている。
As shown in FIG. 6, the second electrostatic
駆動装置41Aは、ベース部材40の+Z方向側の面40a上に配列される複数個(図2では9個のみ図示)の圧電素子43と、該各圧電素子43の+Z方向側の端部によって支持される支持部材60とを備えている。この支持部材60は、所定の厚み(20mm程度の厚み)を有する金属製の複数の肉厚部61を有し、該各肉厚部61は、互いに離間してそれぞれ配置されている。また、各肉厚部61の−Z方向側には、圧電素子43の+Z方向側の端部に固着される第2支持面61aがそれぞれ形成されると共に、各肉厚部61の+Z方向側には、基体42の他方の面42aに密着する第1支持面61bがそれぞれ形成されている。
The
また、支持部材60は、互いに隣り合う肉厚部61同士を連結し、且つ該各肉厚部61よりもZ軸方向における幅、即ち厚みが薄い薄肉部62をさらに有している。一例として、薄肉部62は、5mm程度の厚みを有する金属板から構成されている。こうした薄肉部62の−Z方向側には、圧電素子43の+Z方向側の端部に対向しない非支持面62aが形成されると共に、薄肉部62の+Z方向側には、基体42の他方の面42aに密着する第1支持面62bが形成されている。すなわち、本実施形態の支持部材60は、該支持部材60の−Z方向側において各圧電素子43に対向していない部位を削ることにより、各肉厚部61及び各薄肉部62を有している。
Further, the
そのため、各圧電素子43のZ軸方向における長さを個別に調整することにより、支持部材60における各位置のうち、伸張動作する圧電素子43に対応する位置は、+Z方向側に変位する。また、支持部材60における各位置のうち、収縮動作する圧電素子43に対応する位置は、−Z方向側に変位する。
For this reason, by individually adjusting the length of each
したがって、本実施形態では、上記第1の実施形態の効果(1)〜(5)に加えて以下に示す効果を得ることができる。
(6)本実施形態では、支持部材60において圧電素子43から駆動力が付与される部分だけ肉厚部61に形成され、圧電素子43から駆動力が付与されない部分は薄肉部62に形成される。そのため、支持部材60全体が肉厚部61に形成される場合に比して、支持部材60全体としての可撓性が高くなり、結果として、吸着面34aに静電吸着されるウエハWの被照射面Waの平面度の向上に貢献できる。
Therefore, in this embodiment, in addition to the effects (1) to (5) of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(6) In the present embodiment, only the portion to which the driving force is applied from the
(7)薄肉部62において基体42に対向する側の面は、該基体42の他方の面42aに密接する第1支持面62bである。そのため、薄肉部62の第1支持面62bが基体42に接触しない構成の場合とは異なり、基体42の他方の面42a全体が支持部材60に密着することから、基体42の一方の面42bにおいて互いに隣り合う位置同士の間でZ軸方向における位置ずれが大きく発生することが抑制される。したがって、吸着面34aに静電吸着されるウエハWの被照射面Waの平面度を確実に向上させることができる。
(7) The surface of the
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態を図7に従って説明する。なお、第3の実施形態は、支持部材の形状が第1及び第2の各実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1及び第2の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1及び第2の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the third embodiment, the shape of the support member is different from the first and second embodiments. Therefore, in the following description, parts different from the first and second embodiments will be mainly described, and the same reference numerals are given to the same or corresponding member configurations as those of the first and second embodiments. A duplicate description will be omitted.
図7に示すように、本実施形態の第2静電吸着保持装置34は、ベース部材40と、該ベース部材40の+Z方向側の面40a上に配置される駆動装置41Bと、該駆動装置41Bによって支持される基体42とを備え、該基体42内には、複数の第1電極部45及び第2電極部46が配置されている。
As shown in FIG. 7, the second electrostatic
駆動装置41Bは、ベース部材40の+Z方向側の面40a上に配列される複数個(図2では9個のみ図示)の圧電素子43と、該各圧電素子43の+Z方向側の端部によって支持される支持部材63とを備えている。この支持部材63は、20mm以下の厚みを有する複数の支持部64から構成されており、該各支持部64は、圧電素子43の+Z方向側の端部が固着される第2支持面64aと、基体42の他方の面42aに密着する第1支持面64bとをそれぞれ有している。すなわち、各圧電素子43は、支持部64を介してそれぞれ基体42を支持している。また、各支持部64は、基体42の他方の面42aに離散的にそれぞれ配置されている。換言すると、各支持部64は、互いに離間した状態でそれぞれ配置されている。
The
そして、各圧電素子43のZ軸方向における長さが個別に調整されると、各支持部64のうち伸張動作する圧電素子43に対応する支持部64は、+Z方向側に変位する。また、各支持部64のうち収縮動作する圧電素子43に対応する支持部64は、−Z方向側に移動する。すると、各支持部64によって支持される基体42の一方の面42bは、各圧電素子43の個別の伸縮動作に応じた形状に変形される。その結果、吸着面34aに静電吸着されるウエハWの被照射面Waの形状が所望する形状に変形される。したがって、本実施形態では、上記第1及び第2の各実施形態の効果(1)〜(5)と同等の効果を得ることができる。
And if the length in the Z-axis direction of each
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・各実施形態において、平面度計測装置35による計測結果を図示しないディスプレイなどに表示させ、該ディスプレイを見る作業者が、各圧電素子43への電流の供給態様を個別に調整するようにしてもよい。
In addition, you may change each said embodiment into another embodiment as follows.
In each embodiment, the measurement result obtained by the
・各実施形態において、各電極部45,46は、可撓性を有する導電材料であれば他の任意の金属材料(例えば銅)から構成されるものであってもよい。また、各電極部45,46は、ITO(酸化インジウム・スズ)やZnO(酸化亜鉛)などであってもよい。
-In each embodiment, each
・各実施形態において、支持部材44,60,63に駆動力を付与する駆動源として、Z軸方向に伸縮動作可能なものであれば圧電素子以外の他の駆動源(例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical System))であってもよい。
In each embodiment, as a driving source for applying a driving force to the
・各実施形態において、駆動装置41,41A,41Bは、支持部材44,60,63を備えない構成であってもよい。この場合、基体42は、各圧電素子43に直接支持されることになる。
In each embodiment, the
・各実施形態において、支持部材44,60,63は、各圧電素子43の伸縮動作によって変形可能な板材であれば、ステンレス板以外の他の任意の板材(例えば、インバーからなる板材、アルミニウムからなる板材)で構成されるものであってもよい。
In each embodiment, the
・第2の実施形態において、支持部材60は、一枚の板材から構成されるものではなく、複数枚の板材(例えばステンレス板)から構成される肉厚部61と、互いに隣り合う肉厚部61同士を連結させ且つ可撓性を有する任意の材料(例えば合成樹脂)から構成される薄肉部62とを有する構成であってもよい。
-In 2nd Embodiment, the supporting
・本発明を、第1静電吸着保持装置25に具体化してもよい。この場合、レチクルRの被照射面Raの平面度が高くなるため、ウエハWに形成されるパターンの歪みの発生をより効果的に抑制できる。
The present invention may be embodied in the first electrostatic adsorption / holding
・各実施形態において、平面度向上処理ルーチンは、ウエハW毎ではなく、ウエハWを複数の計測領域に分割し、計測領域毎に行なうようにしてもよい。すなわち、各計測領域のうち一の計測領域の平面度が許容範囲内になったら、該一の計測領域に含まれる各ショット領域に対してパターンを形成させる。そして、一の計測領域に含まれる全てのショット領域へのパターン形成が終了したら、他の計測領域に対して平面度向上処理ルーチンを実行することになる。ここでいう計測領域とは、少なくとも一つのショット領域を含むように区画された領域のことである。 In each embodiment, the flatness improving process routine may be performed not for each wafer W but for each measurement region by dividing the wafer W into a plurality of measurement regions. That is, when the flatness of one of the measurement areas is within the allowable range, a pattern is formed for each shot area included in the one measurement area. When pattern formation on all shot areas included in one measurement area is completed, the flatness improvement processing routine is executed for the other measurement areas. The measurement area here is an area partitioned so as to include at least one shot area.
・各実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
In each embodiment, the
・各実施形態において、露光装置11を、レチクルRとウエハWとが相対移動した状態でレチクルRのパターンをウエハWへ転写し、ウエハWを順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパに搭載してもよい。
In each embodiment, the
・各実施形態において、露光装置11は、EB(Electron Beam )を露光光ELとして用いる露光装置であってもよい。
・各実施形態において、EUV光を出力可能な光源装置12として、放電型プラズマ光源を有する光源装置であってもよい。
In each embodiment, the
In each embodiment, the
・各実施形態において、光源装置12は、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置12は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
In each embodiment, the
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図8は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
Next, an embodiment of a microdevice manufacturing method using the device manufacturing method by the
まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。 First, in step S101 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S102 (mask manufacturing step), a mask (reticle R or the like) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S103 (substrate manufacturing step), a substrate (a wafer W when a silicon material is used) is manufactured using a material such as silicon, glass, or ceramics.
次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。 Next, in step S104 (substrate processing step), using the mask and substrate prepared in steps S101 to S104, an actual circuit or the like is formed on the substrate by lithography or the like, as will be described later. Next, in step S105 (device assembly step), device assembly is performed using the substrate processed in step S104. Step S105 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S106 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S105 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.
図9は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S104 in the case of a semiconductor device.
In step S111 (oxidation step), the surface of the substrate is oxidized. In step S112 (CVD step), an insulating film is formed on the substrate surface. In step S113 (electrode formation step), an electrode is formed on the substrate by vapor deposition. In step S114 (ion implantation step), ions are implanted into the substrate. Each of the above steps S111 to S114 constitutes a pretreatment process at each stage of the substrate processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。 When the above-mentioned pretreatment process is completed in each stage of the substrate process, the posttreatment process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S115 (resist formation step), a photosensitive material is applied to the substrate. Subsequently, in step S116 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the substrate by the lithography system (exposure apparatus 11) described above. Next, in step S117 (development step), the substrate exposed in step S116 is developed to form a mask layer made of a circuit pattern on the surface of the substrate. Subsequently, in step S118 (etching step), the exposed member other than the portion where the resist remains is removed by etching. In step S119 (resist removal step), the photosensitive material that has become unnecessary after the etching is removed. That is, in step S118 and step S119, the surface of the substrate is processed through the mask layer. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the substrate.
11…露光装置、14…照明光学系、16…投影光学系、25,34…静電吸着保持装置、25a,34a…吸着面、35…平面度計測装置、41,41A,41B…駆動装置、42…基体、42a…他方の面、42b…一方の面、44,60,63…支持部材、44a,61a,64a…第2支持面、44b,61b,62b,64b…第1支持面、43…駆動源、伸縮部としての圧電素子、45…第1電極部、46…第2電極部、50…制御装置、61…肉厚部、62…薄肉部、64…支持部、EL…放射ビームとしての露光光、R…被吸着物、マスクとしてのレチクル、Ra…被照射面、W…被吸着物、基板としてのウエハ、Wa…第2面としての被照射面、Wb…第1面としての被吸着面。
DESCRIPTION OF
Claims (16)
可撓性を有する誘電性材料で形成され、且つ前記被吸着物を吸着する吸着面が形成された一方の面を有する基体と、
該基体に設けられる電極部と、
前記基体の前記一方の面とは反対側の他方の面に駆動力を付与し、前記基体の前記吸着面の形状を変形させる駆動装置と、を備えることを特徴とする静電吸着保持装置。 An electrostatic adsorption holding device that adsorbs an object to be adsorbed,
A base having one surface formed of a dielectric material having flexibility and formed with an adsorption surface for adsorbing the object to be adsorbed;
An electrode portion provided on the substrate;
An electrostatic chucking holding device comprising: a driving device that applies a driving force to the other surface of the substrate opposite to the one surface and deforms the shape of the chucking surface of the substrate.
前記基体の他方の面を支持する第1支持面及び該第1支持面とは反対側に位置する第2支持面を有する支持部材と、
該支持部材の前記第2支持面側に設けられ、前記駆動力を前記基体に前記支持部材を介して付与する複数の駆動源と、を有することを特徴とする請求項1に記載の静電吸着保持装置。 The driving device includes:
A support member having a first support surface for supporting the other surface of the base and a second support surface located on the opposite side of the first support surface;
2. The electrostatic device according to claim 1, further comprising: a plurality of driving sources that are provided on the second supporting surface side of the supporting member and apply the driving force to the base via the supporting member. Adsorption holding device.
前記第1支持面は、前記肉厚部と前記薄肉部とに形成され、前記第2支持面は、前記肉厚部に形成されていることを特徴とする請求項2〜請求項4のうち何れか一項に記載の静電吸着保持装置。 The support member includes a plurality of thick portions having a predetermined thickness, and a thin portion that connects the thick portions adjacent to each other and is thinner than the thick portion,
The first support surface is formed in the thick portion and the thin portion, and the second support surface is formed in the thick portion. The electrostatic attraction holding device according to any one of the above.
前記マスクを介した放射ビームを感光性材料が塗布された基板に照射する投影光学系と、
前記マスク及び前記基板のうち少なくとも一方を前記被吸着物として保持する、請求項1〜請求項10のうち何れか一項に記載の静電吸着保持装置と、を備えることを特徴とする露光装置。 An illumination optical system for directing a radiation beam to a mask on which a predetermined pattern is formed;
A projection optical system for irradiating a substrate coated with a photosensitive material with a radiation beam through the mask;
An electrostatic chuck holding device according to any one of claims 1 to 10, wherein at least one of the mask and the substrate is held as the chucked object. .
前記吸着面に静電吸着される前記被吸着物において前記吸着面に当接する第1面とは反対側に位置し、且つ前記放射ビームが入射する第2面の平面度を計測する平面度計測装置と、
該平面度計測装置による計測結果に基づき、前記被吸着物の前記第2面の平面度が高くなるように前記駆動装置を制御する制御装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の露光装置。 When an electric current is supplied to the electrode portion, a plate-shaped object to be adsorbed is adsorbed on the adsorption surface of the base body,
Flatness measurement for measuring the flatness of the second surface on the opposite side of the first surface that comes into contact with the suction surface in the object to be attracted electrostatically to the suction surface and on which the radiation beam is incident Equipment,
The control apparatus which controls the said drive device so that the flatness of the said 2nd surface of the said to-be-adsorbed object may become high based on the measurement result by this flatness measuring apparatus further, It is characterized by the above-mentioned. The exposure apparatus described.
可撓性を有する誘電性材料から形成される基体の吸着面に、被吸着物を静電吸着させる吸着ステップと、
前記吸着面に静電吸着される前記被吸着物において放射ビームが照射される被照射面の平面度を計測させる計測ステップと、
該計測ステップでの計測結果に基づき、前記被照射面の平面度を高くすべく前記基体の前記吸着面の形状を変形させる変形ステップと、を有することを特徴とする露光方法。 In an exposure method for exposing a substrate through a predetermined pattern formed on a mask,
An adsorption step for electrostatically adsorbing an object to be adsorbed on an adsorption surface of a substrate formed of a dielectric material having flexibility;
A measuring step for measuring the flatness of the irradiated surface irradiated with a radiation beam in the object to be attracted electrostatically to the attracting surface;
An exposure method comprising: a deforming step of deforming the shape of the suction surface of the substrate to increase the flatness of the irradiated surface based on a measurement result in the measuring step.
前記リソグラフィ工程は、請求項11又は請求項12に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。 In a device manufacturing method including a lithography process,
13. A device manufacturing method using the exposure apparatus according to claim 11 or 12 in the lithography process.
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