JP2010175986A - 画像表示装置 - Google Patents
画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010175986A JP2010175986A JP2009020326A JP2009020326A JP2010175986A JP 2010175986 A JP2010175986 A JP 2010175986A JP 2009020326 A JP2009020326 A JP 2009020326A JP 2009020326 A JP2009020326 A JP 2009020326A JP 2010175986 A JP2010175986 A JP 2010175986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- image display
- light emitting
- electrode layer
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 105
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 286
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 9-[3,5-di(carbazol-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1 DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010027336 Menstruation delayed Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- XSVXWCZFSFKRDO-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(3-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=C(C=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSVXWCZFSFKRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(4-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】電流が流れることで発光する発光素子1と、電圧を印加することで、発光素子1に流れる電流量を調整するドライバ素子と、ドライバ素子に対して印加する電圧に応じた電荷が蓄積される容量素子とを備え、容量素子は、第1誘電体層13および第2誘電体層15を第1電極層12、第2電極層14、および、第3電極層16を介して積層してなることを特徴とする。
【選択図】 図8
Description
図1は、本発明の第1実施形態にかかる画像表示装置の1画素を構成する画素回路および発光素子を示す回路図である。そして、1画素がマトリックス状に複数配列されて、画像を表示する画面を構成する。なお、図1では、発光素子の容量を明示している。
次に、図1,図7,図8に示される構成を有する画像表示装置の製造方法について説明する。図9−1〜図9−15は、本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。
上記第1実施形態に係る画像表示装置では、電気的に直列に接続される第1容量素子Cthと第2容量素子Cdataとを上下方向に積層されていた。これに対して、本発明の変形例1に係る画像表示装置は、第1容量素子Cthと第2容量素子Cdataが平面視して離間するように設けられており、該第1容量素子Cthと第2容量素子Cdataがそれぞれ上下に積層された積層容量構造である。
上記変形例1に係る画像表示装置では、電気的に直列に接続される第1容量素子Cthと第2容量素子Cdataとを上下方向に積層されていた。これに対して、本発明の変形例2に係る画像表示装置は、第1容量素子Cthと第2容量素子Cdataの両方の機能を備えた容量素子を積層容量構造としたものである。
2 画像信号線
3 グランド線GND
4 電源線VDD
5 リセット線
6 Tth制御線
7 走査線
11 基板
12、41 第1電極層
13、42 第1誘電体層
14、43 第2電極層
15、44 第2誘電体層
16、45 第3電極層
17 平坦化膜
18 第1導電層
19 有機発光層
20 第2導電層
21 コンタクトホール
22 ゲート層
23 ゲート絶縁膜
24 チャネル層
25 ソース・ドレイン層
31 第1金属層
32 第1絶縁層
33 半導体層
34、37 スルーホール
35 第2金属層
36 第2絶縁層
38 第3金属層
39 樹脂層
40 電源線VSS
Claims (6)
- 電流が流れることで発光する発光素子と、
電圧を印加することで、前記発光素子に流れる電流量を調整するドライバ素子と、
前記ドライバ素子に対して印加する前記電圧に応じた電荷が蓄積される容量素子とを備え、
前記容量素子は、複数の誘電体層を電極層を介して積層してなることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1に記載の画像表示装置において、
前記容量素子は、第1電極層と、前記第1電極層上に形成される第1誘電体層と、前記第1誘電体層上に形成される第2電極層と、前記第2電極層上に形成される第2誘電体層と、前記第2誘電体層上に形成される第3電極層とを含んで形成されており、
前記ドライバ素子及び前記容量素子は、平面視して離間するように設けられており、
前記第1電極層と前記第2電極層との一方は前記ドライバ素子のゲート層と同一材料からなり、前記第1電極層と前記第2電極層との他方は前記ドライバ素子のソース・ドレイン層と同一材料からなることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項2に記載の画像表示装置において、
前記発光素子は、平面視して前記ドライバ素子及び前記容量素子と離間するように設けられており、
前記第3電極層は前記発光素子の光透過性電極と同一材料からなることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項1に記載の画像表示装置において、
前記容量素子は、前記ドライバ素子の閾値電圧に応じた電荷が蓄積される第1容量素子と、前記第1容量素子に接続され、前記発光素子に流れる電流量に応じた電荷が蓄積される第2容量素子が含まれていることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項4に記載の画像表示装置において、
前記第1容量素子と前記第2容量素子が平面視して離間するように設けられていることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項4に記載の画像表示装置において、
前記発光素子の発光期間に前記第1容量素子及び前記第2容量素子に蓄積された電荷に基づいて前記ドライバ素子がオン状態となり前記発光素子が発光することを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009020326A JP5536349B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009020326A JP5536349B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010175986A true JP2010175986A (ja) | 2010-08-12 |
JP5536349B2 JP5536349B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=42707008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009020326A Active JP5536349B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5536349B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014006516A (ja) * | 2012-06-01 | 2014-01-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000231347A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2002299046A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネセンスユニット |
JP2005518557A (ja) * | 2002-02-22 | 2005-06-23 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP2005340772A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | キャパシタ及びこれを利用する発光表示装置 |
-
2009
- 2009-01-30 JP JP2009020326A patent/JP5536349B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000231347A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2002299046A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネセンスユニット |
JP2005518557A (ja) * | 2002-02-22 | 2005-06-23 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP2005340772A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | キャパシタ及びこれを利用する発光表示装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014006516A (ja) * | 2012-06-01 | 2014-01-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
JP2017107247A (ja) * | 2012-06-01 | 2017-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
US9721942B2 (en) | 2012-06-01 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5536349B2 (ja) | 2014-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101580719B1 (ko) | 표시 장치 | |
US8432381B2 (en) | Active matrix display | |
KR101699911B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
JP6248269B2 (ja) | 表示装置 | |
KR101222539B1 (ko) | 전계발광소자와 전계발광소자의 커패시터 | |
KR101368006B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법 | |
US20140183471A1 (en) | Organic light emitting element, organic light emitting display device, and method of manufacturing the organic light emitting display device | |
KR20040025383A (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
CN101425532B (zh) | 有机el显示装置 | |
KR102035251B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR101820166B1 (ko) | 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법 | |
JP6116186B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5443817B2 (ja) | 画像表示装置 | |
KR102089248B1 (ko) | 유기발광다이오드소자 및 그의 제조방법 | |
JP5536349B2 (ja) | 画像表示装置 | |
JP6186127B2 (ja) | 表示装置 | |
KR100627284B1 (ko) | 유기전계 발광 표시 패널 | |
KR100490536B1 (ko) | 전면 발광형 유기 전계 발광 표시 장치 | |
KR102138690B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
JP2009070621A (ja) | 表示装置 | |
JP5402481B2 (ja) | 表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法 | |
KR102485869B1 (ko) | 보조전극 구조 및 이를 갖는 유기전계발광 표시 장치 | |
KR100669316B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
JP5536365B2 (ja) | 画像表示装置 | |
KR100578794B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20111020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111125 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130418 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130718 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131018 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140327 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140424 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5536349 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |