JP2010171239A - Electronic device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device in which an element component is sealed hermetically, and to provide a manufacturing method for suppressing the production cost of the electronic device. <P>SOLUTION: A base having an element component mounted thereon is bonded to a lid for sealing the element component by ultraviolet-ray curing resin. The method for manufacturing the electronic device includes an element component mounting step of mounting an element component on a portion, as a base of a base wafer where the plurality of bases are provided; an applying step of applying ultraviolet-ray curing resin on one main surface of the base wafer or on one main surface of the lid wafer where the plurality of lids are provided; a superimposing step of superimposing the base wafer and the lid wafer with the ultraviolet-ray curing resin sandwiched to surround the element component by the base and the lid; a bonding step of emitting an ultraviolet-ray from the surrounding of the superimposed wafers to bond the base wafer to the lid wafer; and a singulation step of singulating the bonded base wafer and lid wafer for each base where the element component is mounted and for each lid. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、電子機器に用いられる電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic device used in an electronic apparatus and a method for manufacturing the electronic device.

近年、電子機器の小型化に伴い、電子機器に広く用いられる電子デバイスも小型化・薄型化の要求が高くなってきている。
電子デバイスには、例えば、圧電振動子などがある。
ここで、従来の圧電振動子として水晶振動子について説明をする。
In recent years, with the downsizing of electronic equipment, there is an increasing demand for downsizing and thinning of electronic devices widely used in electronic equipment.
Examples of the electronic device include a piezoelectric vibrator.
Here, a crystal resonator will be described as a conventional piezoelectric resonator.

近年、水晶振動子の小型化に対して、この水晶振動子に塔載されている水晶振動素子を個片に加工した後で扱うには困難な状態となってきたため、ウエハ状態で水晶振動素子を加工し扱って水晶振動子の製造が可能となるように、例えば、特許文献1に示すような水晶振動子とこの水晶振動子の製造方法とが提案されている。   In recent years, in response to the miniaturization of crystal resonators, it has become difficult to handle the crystal resonator element mounted on the crystal resonator after being processed into individual pieces. For example, a crystal resonator as shown in Patent Document 1 and a method for manufacturing the crystal resonator have been proposed.

まず、前記のような水晶振動子の構造の一例について説明する。
この水晶振動子は、素子部品である水晶振動素子と凹部を有した蓋体とベース体とから主に構成されている。この水晶振動子の振動素子は、ベース体の一方の主面に塔載され、ベース体と蓋体とで封止されている。ここで、ベース体と蓋体とは直接接合により接合されている。
First, an example of the structure of the crystal unit as described above will be described.
This crystal resonator is mainly composed of a crystal resonator element which is an element part, a lid body having a recess, and a base body. The vibration element of the crystal resonator is mounted on one main surface of the base body and sealed with the base body and the lid body. Here, the base body and the lid body are joined by direct joining.

次に、この従来の水晶振動子の製造方法について説明する。
従来の水晶振動子の製造方法の一例として、ウエハ状態で製造する方法がある。
この水晶振動子の製造方法は、例えば、素子部品搭載工程、接合工程、個片化工程から主に構成されている。
Next, a method for manufacturing this conventional crystal resonator will be described.
As an example of a conventional method of manufacturing a crystal resonator, there is a method of manufacturing in a wafer state.
This method of manufacturing a crystal resonator mainly includes, for example, an element component mounting process, a bonding process, and an individualization process.

素子部品塔載工程は、複数のベース体となる部分が設けられたベースウエハにおいて、ベース体となる部分の一方の主面に素子部品を塔載する工程である。
この複数のベース体となる部分が設けられたベースウエハの一方の主面は、鏡面研磨等の方法により鏡面状態となっており、このベースウエハの一方の主面の平坦度は数ナノメートル以下となっている。
The element component mounting step is a step of mounting an element component on one main surface of a portion that becomes a base body in a base wafer provided with a portion that becomes a plurality of base bodies.
One main surface of the base wafer provided with a plurality of base body portions is in a mirror state by a method such as mirror polishing, and the flatness of one main surface of the base wafer is several nanometers or less. It has become.

接合工程は、鏡面状態であって平坦となっているベースウエハの一方の主面と、鏡面状態であって平坦となっている蓋ウエハの一方の主面とを直接接合により接合する接合する工程である。
複数の蓋体となる部分が設けられている蓋ウエハの一方の主面には、複数の凹部が設けられている。また、蓋ウエハのその一方の主面は、鏡面研磨等の方法によって、鏡面状態となっており、その蓋ウエハの一方の主面の平坦度は数ナノメートル以下となっている。
蓋ウエハとベースウエハとが直接接合により接合される場合、蓋ウエハとベースウエハとは一般的に200℃から500℃の温度雰囲気中で所定の時間、熱処理されることでベースウエハと蓋ウエハとが接合される。
また、接合される面の平坦度が数ナノメートル以下となっているので直接接合による接合することができる。
The bonding step is a step of bonding one main surface of the base wafer that is in a mirror state and flat and one main surface of the lid wafer that is in a mirror surface state and flat by direct bonding. It is.
A plurality of recesses are provided on one main surface of the lid wafer on which portions to be a plurality of lids are provided. Further, the one principal surface of the lid wafer is in a mirror surface state by a method such as mirror polishing, and the flatness of the one principal surface of the lid wafer is several nanometers or less.
When the lid wafer and the base wafer are bonded by direct bonding, the lid wafer and the base wafer are generally heat-treated in a temperature atmosphere of 200 ° C. to 500 ° C. for a predetermined time, whereby the base wafer and the lid wafer are Are joined.
Moreover, since the flatness of the surfaces to be joined is several nanometers or less, it is possible to join by direct joining.

個片化工程は、ベースウエハと蓋ウエハとが接合されて複数の水晶振動子が設けられている状態において、隣合う蓋体となる部分、隣合うベース体となる部分の間を切断する工程である。   The singulation step is a step of cutting between a portion that becomes an adjacent lid body and a portion that becomes an adjacent base body in a state in which the base wafer and the lid wafer are bonded and a plurality of crystal resonators are provided. It is.

なお、ベースウエハと蓋ウエハの接合方法として、例えば、特許文献2に示すような陽極接合を用いる接合方法も知られている。
ベース体と蓋体とが陽極接合により接合されている電子デバイスは、ベース体と蓋体との間に金属からなる接合層が設けられている。
ベースウエハと蓋ウエハとを陽極接合により接合する場合、まず、ベースウエハの一方の主面に第一の接合用金属層と蓋ウエハの一方の主面に第二の接合用金属層とが設けられる。次に、一般的に200℃から400℃の温度雰囲気中で、重ね合わされた第一の接合用金属層と第二の接合用金属層とに500Vから1000Vの電圧を印加する。これにより、ベースウエハの一方の主面に設けられている第一の接合用金属層と蓋ウエハの一方の主面に設けられている第二の接合用金属層とが接合層となり、ベースウエハと蓋ウエハとが接合される。
As a method for bonding the base wafer and the lid wafer, for example, a bonding method using anodic bonding as shown in Patent Document 2 is also known.
In an electronic device in which a base body and a lid are bonded by anodic bonding, a bonding layer made of metal is provided between the base and the lid.
When bonding the base wafer and the lid wafer by anodic bonding, first, a first bonding metal layer is provided on one main surface of the base wafer, and a second bonding metal layer is provided on one main surface of the lid wafer. It is done. Next, generally, a voltage of 500 V to 1000 V is applied to the first bonding metal layer and the second bonding metal layer which are superimposed in a temperature atmosphere of 200 ° C. to 400 ° C. As a result, the first bonding metal layer provided on one main surface of the base wafer and the second bonding metal layer provided on one main surface of the lid wafer serve as a bonding layer. And the lid wafer are bonded together.

また、ウエハ状態で扱い製造される水晶振動子について説明したが、個片化された状態でベース体と蓋体を接合する方法としては、一般的に、ガラスフリット、シーム溶接、熱融着等の方法が知られている。これらの方法は、ベース体と蓋体とを接合させるために熱が利用されている。   In addition, the quartz resonator manufactured and manufactured in the wafer state has been described. As a method of joining the base body and the lid body in the state of being separated into pieces, generally, glass frit, seam welding, heat fusion, etc. The method is known. In these methods, heat is used to join the base body and the lid.

特開2006−339896号公報JP 2006-339896 A 特開2007−13608号公報JP 2007-13608 A

しかしながら、直接接合を用いて製造される従来の電子デバイスは、接合面の平坦度が数ナノメートルよりも大きい場合に接合が不完全な状態となってしまう場合がある。このような従来の電子デバイスは、素子部品が気密状態で封止されていないため、素子部品が電子デバイスの外部の温度や湿度の影響を受けてしまう恐れがある。   However, a conventional electronic device manufactured using direct bonding may be incompletely bonded when the flatness of the bonding surface is larger than several nanometers. In such a conventional electronic device, since the element component is not sealed in an airtight state, the element component may be affected by the temperature and humidity outside the electronic device.

また、直接接合を用いて製造される従来の電子デバイスは、ベース体と蓋体とが200℃から500℃といった高い温度雰囲気中で接合された状態となるため、ベース体と蓋体に用いられている主な材料の熱膨張係数が異なる場合、接合後に冷却されたベース体と蓋体にクラック等の破損が生じてしまう恐れがある。このため、従来の電子デバイスは、ベース体と蓋体とに用いられる主な材料は、限定される。
つまり、従来の電子デバイスは、ベース体と蓋体とに用いられる材料によっては、クラック等の破損により素子部品が気密状態で封止されない恐れがある。
In addition, a conventional electronic device manufactured using direct bonding is used for the base body and the lid body because the base body and the lid body are joined in a high temperature atmosphere of 200 ° C. to 500 ° C. When the main materials having different thermal expansion coefficients are different from each other, there is a risk that breakage such as cracks may occur in the base body and the lid body cooled after joining. For this reason, in the conventional electronic device, main materials used for the base body and the lid are limited.
That is, in the conventional electronic device, depending on the materials used for the base body and the lid body, there is a possibility that the element parts are not sealed in an airtight state due to breakage such as cracks.

また、直接接合を用いた従来の電子デバイスの製造方法は、接合面を鏡面状態でかつ平坦度が数ナノメートル以下となるように鏡面研磨等の加工工程が必要となるため、時間と手間がかかる問題がある。つまり、従来の製造方法は、時間と手間がかかるため電子デバイスの製造コストが増大してしまう恐れがある。   In addition, the conventional method of manufacturing an electronic device using direct bonding requires a processing step such as mirror polishing so that the bonding surface is in a mirror state and the flatness is several nanometers or less, and thus time and labor are required. There is such a problem. In other words, the conventional manufacturing method takes time and labor, and thus the manufacturing cost of the electronic device may increase.

また、直接接合を用いた従来の電子デバイスの製造方法では、ベース体と蓋体の熱膨張係数が異なる場合、接合の際の温度差によりベース体と蓋体とにクラック等の破損が生じる恐れがある。従って、従来の電子デバイスの製造方法は、クラック等の破損による不良が発生し歩留まりが低下するために、電子デバイスの製造コストが増大してしまう恐れがある。   Further, in the conventional method of manufacturing an electronic device using direct bonding, when the base body and the lid have different thermal expansion coefficients, the base body and the lid may be damaged due to a temperature difference during bonding. There is. Therefore, in the conventional method for manufacturing an electronic device, a defect due to breakage such as a crack occurs and the yield decreases, which may increase the manufacturing cost of the electronic device.

また、陽極接合を用いた従来の電子デバイスの製造方法は、接合面に接合用の金属層を蒸着法等によって形成する工程を有しているので、時間と手間とがかかり、電子デバイスの製造コストが増大してしまう恐れがある。   In addition, the conventional method for manufacturing an electronic device using anodic bonding has a step of forming a metal layer for bonding on the bonding surface by vapor deposition or the like, which takes time and labor, and manufacturing the electronic device. Costs may increase.

そこで、本発明では、容易に素子部品を気密状態で封止することができる電子デバイス及びその電子デバイスの製造コストを軽減する製造方法を提供することを課題とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide an electronic device that can easily seal element components in an airtight state and a manufacturing method that reduces the manufacturing cost of the electronic device.

前記課題を解決するため、本発明は、素子部品を塔載したベース体と、前記素子部品を封止する蓋体と、前記ベース体と前記蓋体との間に介在している透明の紫外線硬化樹脂と、を備え、前記ベース体と前記蓋体とが前記紫外線硬化樹脂とで接合されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, the present invention provides a base body on which element parts are mounted, a lid body for sealing the element parts, and a transparent ultraviolet ray interposed between the base body and the lid body. The base body and the lid body are joined with the ultraviolet curable resin.

また、前記課題を解決するため、複数のベース体が設けられたベースウエハの前記ベース体となる部分の一方の主面に、素子部品を塔載する素子部品塔載工程と、前記ベース体となる部分の縁部であって前記素子部品が塔載されている主面又は/及び複数の蓋体が設けられた蓋ウエハの一方の主面に紫外線硬化樹脂を塗布する塗布工程と、前記ベースウエハの一方の主面と前記蓋ウエハの一方の主面とを前記紫外線硬化樹脂を挟んで重ね合わせて素子部品をベース体と蓋体とで囲う重ね合わせ工程と、重ね合わされた前記ベースウエハと前記蓋ウエハの周囲から前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射し、前記ベースウエハと前記蓋ウエハとを接合する接合工程と前記ベースウエハと前記蓋ウエハとが接合された状態で個々の電子デバイスに個片化する個片化工程と、からなることを特徴とする。   Moreover, in order to solve the said subject, the element component mounting process which mounts an element component on one main surface of the part used as the said base body of the base wafer provided with the several base body, The said base body, An application step of applying an ultraviolet curable resin to a main surface on which the element parts are mounted and / or one main surface of a lid wafer provided with a plurality of lids, An overlapping step of overlapping one main surface of the wafer and one main surface of the lid wafer with the ultraviolet curable resin sandwiched therebetween to surround the element component with the base body and the lid body, and the overlapping base wafer An ultraviolet ray is irradiated on the ultraviolet curable resin from the periphery of the lid wafer to bond the base wafer and the lid wafer, and the individual electronic devices are bonded to the base wafer and the lid wafer. Fragment A singulation step of, characterized in that it consists.

このような電子デバイスは、透明な紫外線硬化樹脂がベース体と蓋体との間に介在しており、紫外線が照射されることで紫外線硬化樹脂が硬化してベース体と蓋体とを接合した状態となっているため、素子部品をベース体と蓋体とで気密封止することができる。
従って、このような電子デバイスは、接合面の平坦度によらず、容易に素子部品を気密封止することができる。
In such an electronic device, a transparent ultraviolet curable resin is interposed between the base body and the lid, and the ultraviolet curable resin is cured by irradiating the ultraviolet rays, thereby joining the base body and the lid. Since it is in the state, the element component can be hermetically sealed with the base body and the lid body.
Therefore, such an electronic device can easily hermetically seal element components regardless of the flatness of the joint surface.

また、このような電子デバイスは、透明な紫外線硬化樹脂がベース体と蓋体との間に介在しており、周囲から紫外線が照射された状態であっても奥の紫外線硬化樹脂が硬化された状態となっているため、ベース体と蓋体とに用いられる主な材料を限定しなくても接合された状態とすることができる。つまり、ベース体と蓋体とに用いられる主な材料が限定されないので、ベース体と蓋体とに用いられる主な材料の熱膨張係数の違いによるクラック等の破損による不良を防ぐことができる。
従って、このような電子デバイスは、ベース体と蓋体とに用いられる主な材料が限定されることなく、素子部品を気密封止することができる。
Further, in such an electronic device, a transparent ultraviolet curable resin is interposed between the base body and the lid body, and the ultraviolet curable resin in the back is cured even when ultraviolet rays are irradiated from the surroundings. Since it is in a state, it can be in a joined state without limiting the main materials used for the base body and the lid. That is, since the main materials used for the base body and the lid are not limited, defects due to breakage such as cracks due to differences in the thermal expansion coefficients of the main materials used for the base body and the lid can be prevented.
Therefore, such an electronic device can hermetically seal element components without limiting the main materials used for the base body and the lid.

また、このような電子デバイスの製造方法は、紫外線硬化樹脂が透明なので重ね合わされたベース体と蓋体との周囲から紫外線を照射して、奥の紫外線硬化樹脂を硬化させることができる。
また、このような電子デバイスの製造方法は、紫外線硬化樹脂でベース体と蓋体とを接合することができるので、直接接合による接合のような接合面を鏡面状態にする手間や陽極接合による接合のような接合用金属層を設ける手間が不要となる。つまり、このような電子デバイスの製造方法は、ベース体と蓋体とを容易に接合することができるので、電子デバイスの製造コストを軽減することができる。
In addition, since the ultraviolet curable resin is transparent in such a method for manufacturing an electronic device, the ultraviolet curable resin in the back can be cured by irradiating ultraviolet rays from the periphery of the base body and the lid that are overlaid.
In addition, since such a method for manufacturing an electronic device can join the base body and the lid body with an ultraviolet curable resin, it is troublesome to make the joint surface into a mirror surface state such as joining by direct joining or joining by anodic joining. The trouble of providing such a joining metal layer becomes unnecessary. That is, in such a method for manufacturing an electronic device, the base body and the lid can be easily joined, so that the manufacturing cost of the electronic device can be reduced.

本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the electronic device which concerns on 1st embodiment of this invention. ベースウエハの状態を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the state of a base wafer. ベースウエハに素子部品を塔載した状態を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the state which mounted the element components on the base wafer. 素子部品が実装されたベースウエハに紫外線硬化樹脂が塗布された状態を示す概念図の一例である。It is an example of the conceptual diagram which shows the state by which the ultraviolet curable resin was apply | coated to the base wafer in which the element component was mounted. 蓋ウエハの状態を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the state of a cover wafer. ベースウエハと蓋ウエハとを重ね合わせる前の状態を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the state before superimposing a base wafer and a cover wafer. ベースウエハと蓋ウエハとを接合させる状態の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the state which joins a base wafer and a cover wafer. 電子デバイスごとに個片化した状態を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the state separated into pieces for every electronic device. 本発明の第二の実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the electronic device which concerns on 2nd embodiment of this invention. 本発明の第三の実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the electronic device which concerns on 3rd embodiment of this invention. 本発明の第四の実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the electronic device which concerns on 4th embodiment of this invention. 素子部品が実装されたベースウエハに紫外線硬化樹脂が塗布された状態を示す概念図の一例である。It is an example of the conceptual diagram which shows the state by which the ultraviolet curable resin was apply | coated to the base wafer in which the element component was mounted.

次に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、各図面において、各構成要素の状態をわかりやすくするために誇張して図示している。   Next, the best mode for carrying out the present invention will be described. In each drawing, the state of each component is exaggerated for easy understanding.

(第一の実施形態
本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスについて説明する。なお、電子デバイスを水晶振動子として説明する。
図1は、本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。
図1に示すように、本発明の第一の実施形態に係る電子デバイス100は、ベース体10aと蓋体30aと素子部品20aと紫外線硬化樹脂40とから主に構成されている。
(First Embodiment) An electronic device according to a first embodiment of the present invention will be described. The electronic device will be described as a crystal resonator.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an electronic device according to the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the electronic device 100 according to the first embodiment of the present invention mainly includes a base body 10a, a lid body 30a, an element component 20a, and an ultraviolet curable resin 40.

ここで、蓋体30aは、例えば、金属またはセラミックからなり、一方の主面に素子部品20aを囲う素子部品用凹部31aが設けられ、残された一方の主面が接合面となっている。   Here, the lid 30a is made of, for example, metal or ceramic, and is provided with an element component recess 31a surrounding the element component 20a on one main surface, and the remaining one main surface is a bonding surface.

ここで、素子部品20aを水晶振動素子として説明する。
素子部品20aは、例えば、圧電材料である水晶板に第一の電極21aと第二の電極22aと複数の引き出しパターンとを設けた水晶振動素子として構成されている。
この水晶板の一方の主面に第一の電極21aが設けられ、この第一の電極21aと対向するように他方の主面に第二の電極22aが設けられている。
引き出しパターンは、2つ一対で設けられる。所定の一つの引き出しパターンが第一の電極21aと接続され、所定の他の一つの引き出しパターンが第二の電極22aと接続されている。なお、この2つ一対の引き出しパターンの一方の端部は、短辺側に並んで設けられている。また、この引出しパターンの一方の端部は、それぞれ反対側の主面まで引き回されていても良い。
Here, the element component 20a is described as a crystal resonator element.
The element component 20a is configured, for example, as a crystal resonator element in which a first electrode 21a, a second electrode 22a, and a plurality of lead patterns are provided on a quartz plate that is a piezoelectric material.
A first electrode 21a is provided on one main surface of the quartz plate, and a second electrode 22a is provided on the other main surface so as to face the first electrode 21a.
Two drawer patterns are provided as a pair. One predetermined lead pattern is connected to the first electrode 21a, and one other predetermined lead pattern is connected to the second electrode 22a. One end of the two pairs of lead patterns is provided side by side on the short side. Further, one end portion of the drawing pattern may be routed to the opposite main surface.

ベース体10aは、例えば、セラミックが主に用いられ、平板状に形成されており、一方の主面に複数の塔載用端子Pが設けられ、他方の主面に複数の外部接続端子Gが設けられている。各搭載用端子Pは所定の外部接続端子Gと貫通孔(図示せず)および内部配線Nを介して電気的に接続されている。このようなベース体10aには、塔載用端子Pに導電接着剤等の塔載材料Dを用いて、所定の引き出しパターンと所定の塔載用端子Pとが電気的に接続されるように素子部品20aが塔載される。なお、この塔載用端子Pの数は、素子部品20aによって異なる。ここでは、塔載用端子Pは、例えば、ベース体の一方の短辺側に2つ一対で並べて設けられている。外部接続端子Gは、例えば、ベース体10aの4隅に設けられている。
後述する紫外線硬化樹脂40が塗布される位置は、素子部品20aと接触しない位置であって蓋体30aの素子部品用凹部31aが設けられている一方の主面と対向する位置となっている。つまり、紫外線硬化樹脂40は、素子部品20aの周囲に環状に塗布される。
For example, the base body 10a is mainly made of ceramic and is formed in a flat plate shape. A plurality of tower terminals P are provided on one main surface, and a plurality of external connection terminals G are provided on the other main surface. Is provided. Each mounting terminal P is electrically connected to a predetermined external connection terminal G through a through hole (not shown) and an internal wiring N. In such a base body 10a, a predetermined drawing pattern and a predetermined tower terminal P are electrically connected to the tower terminal P using a tower material D such as a conductive adhesive. The element component 20a is mounted. The number of tower terminals P varies depending on the element component 20a. Here, for example, two tower terminals P are arranged side by side on one short side of the base body. The external connection terminals G are provided, for example, at the four corners of the base body 10a.
The position where the ultraviolet curable resin 40 described later is applied is a position that does not contact the element component 20a and is opposed to one main surface where the element component recess 31a of the lid 30a is provided. That is, the ultraviolet curable resin 40 is annularly applied around the element component 20a.

紫外線硬化樹脂40は、ベース体10aと蓋体30aの間に介在しており、紫外線の照射で硬化することでベース体10aと蓋体30aとを接合する役割を果たす。
紫外線硬化樹脂40は、紫外線が照射され透明な状態で硬化するので、硬化後であっても紫外線を透過する。つまり、紫外線が紫外線硬化樹脂を透過して照射された場合、例えば、紫外線硬化樹脂40の内部を硬化させることがき、また、同様に紫外線が紫外線硬化樹脂を透過して照射された場合、素子部品20aの周囲に網目状に塗布されている紫外線硬化樹脂40を硬化させることができる。
ここで、この紫外線硬化樹脂40は、例えば、耐熱性を有しており、主にエポキシ系の樹脂からなる。紫外線硬化樹脂40の耐熱性は、例えば、電子デバイス100の製造後、マザーボードなどの配線基板(図示せず)に実装する際に行われるリフロー等による加熱に耐えられる程度の耐熱性を備えていればよい。
The ultraviolet curable resin 40 is interposed between the base body 10a and the lid body 30a, and serves to join the base body 10a and the lid body 30a by being cured by irradiation with ultraviolet rays.
Since the ultraviolet curable resin 40 is cured in a transparent state when irradiated with ultraviolet rays, it transmits ultraviolet rays even after being cured. That is, when ultraviolet rays are irradiated through the ultraviolet curable resin, for example, the inside of the ultraviolet curable resin 40 can be cured. Similarly, when ultraviolet rays are irradiated through the ultraviolet curable resin and irradiated, The ultraviolet curable resin 40 applied in a mesh shape around 20a can be cured.
Here, the ultraviolet curable resin 40 has, for example, heat resistance and is mainly made of an epoxy resin. The heat resistance of the ultraviolet curable resin 40 should be high enough to withstand heating by reflow or the like performed when the electronic device 100 is manufactured and mounted on a wiring board (not shown) such as a mother board. That's fine.

このような電子デバイス100は、蓋体30aの素子部品用凹部31aを素子部品20a側に向けた状態で紫外線硬化樹脂40が塗布されたベース体10aと蓋体30aとが重ね合わされており、紫外線の照射された紫外線硬化樹脂40が硬化することよってベース体10aと蓋体30aとが接合されている。   In such an electronic device 100, the base body 10a coated with the ultraviolet curable resin 40 and the lid body 30a are overlapped with the element part recess 31a of the lid body 30a facing the element part 20a side. The base body 10a and the lid body 30a are joined by curing the irradiated ultraviolet curable resin 40.

また、このような電子デバイス100は、ベース体10aと蓋体30aとの間に紫外線硬化樹脂40が介在している状態となっているので、ベース体10aと蓋体30aとの接合面の平坦度によらず容易に接合することができる。つまり、このような電子デバイス100を構成することによって、容易に素子部品20aを気密封止することができる。   Further, in such an electronic device 100, since the ultraviolet curable resin 40 is interposed between the base body 10a and the lid body 30a, the joining surface between the base body 10a and the lid body 30a is flat. It can be easily joined regardless of the degree. That is, by configuring such an electronic device 100, the element component 20a can be easily hermetically sealed.

また、このような電子デバイスは、透明な紫外線硬化樹脂40がベース体10aと蓋体30aとの間に介在しており、周囲から紫外線が照射された状態であっても奥の紫外線硬化樹脂40が硬化された状態となっているため、ベース体10aと蓋体30aとに用いられる主な材料が従来のように熱膨張係数を考慮する必要がなくなる。つまり、ベース体10aと蓋体30aとに用いられる主な材料の熱膨張係数の違いによるクラック等の破損が発生せず、またクラック等による気密不良を防ぐことができる。   Further, in such an electronic device, a transparent ultraviolet curable resin 40 is interposed between the base body 10a and the lid body 30a, and the ultraviolet curable resin 40 in the back is provided even when ultraviolet rays are irradiated from the surroundings. Therefore, the main material used for the base body 10a and the lid body 30a does not need to consider the thermal expansion coefficient as in the prior art. That is, breakage such as cracks due to differences in thermal expansion coefficients of main materials used for the base body 10a and the lid body 30a does not occur, and airtight defects due to cracks and the like can be prevented.

次に、第一の実施形態に係る電子デバイスの製造方法について説明する。
本発明の第一の実施形態に係る電子デバイスの製造方法は、素子部品搭載工程、塗布工程、重ね合わせ工程、接合工程、個片化工程から主に構成されている。
Next, a method for manufacturing an electronic device according to the first embodiment will be described.
The electronic device manufacturing method according to the first embodiment of the present invention mainly includes an element component mounting process, a coating process, an overlaying process, a bonding process, and a singulation process.

素子部品塔載工程は、図2及び図3に示すように、複数のベース体10aが設けられたベースウエハW1のベース体10aとなる部分の一方の主面に素子部品20aを塔載する工程である。
このベースウエハW1において、ベース体10aとなる部分には、一方の主面に複数の2つ一対となる塔載用端子Pと、他方の主面に4つ一組となる外部接続端子Gとが設けられている。一方の主面に設けられている所定の一つの塔載用端子Pは、所定の一つの内部配線(図示せず)を介して所定の一つの外部接続端子Gと電気的に接続されている。また、同様に、所定の他の一つの塔載用端子Pは、所定の他の一つの内部配線Nを介して所定の他の一つの外部接続端子Gと接続されるように接続されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the element component mounting step is a step of mounting the element component 20a on one main surface of the portion that becomes the base body 10a of the base wafer W1 provided with the plurality of base bodies 10a. It is.
In the base wafer W1, the base body 10a includes a pair of two tower terminals P on one main surface, and four external connection terminals G on the other main surface. Is provided. One predetermined tower terminal P provided on one main surface is electrically connected to one predetermined external connection terminal G through one predetermined internal wiring (not shown). . Similarly, one other predetermined tower terminal P is connected to be connected to one other predetermined external connection terminal G via one other predetermined internal wiring N. .

素子部品20aは、例えば、水晶振動素子であって、圧電材料である水晶板に第一の電極21aと第二の電極22aと複数の引き出しパターンとを設けた水晶振動素子として構成されている。
この水晶板の一方の主面に第一の電極21aが設けられ、この第一の電極21aと対向するように他方の主面に第二の電極22aが設けられている。
引き出しパターンは、2つ一対で設けられる。所定の一つの引き出しパターンが第一の電極21aと接続され、所定の他の一つの引き出しパターンが第二の電極22aと接続されている。なお、この2つ一対の引き出しパターンの一方の端部は、短辺側に並んで設けられている。また、この引出しパターンの一方の端部は、それぞれ反対側の主面まで引き回されていても良い。
The element component 20a is, for example, a crystal resonator element, and is configured as a crystal resonator element in which a first electrode 21a, a second electrode 22a, and a plurality of lead patterns are provided on a crystal plate that is a piezoelectric material.
A first electrode 21a is provided on one main surface of the quartz plate, and a second electrode 22a is provided on the other main surface so as to face the first electrode 21a.
Two drawer patterns are provided as a pair. One predetermined lead pattern is connected to the first electrode 21a, and one other predetermined lead pattern is connected to the second electrode 22a. One end of the two pairs of lead patterns is provided side by side on the short side. Further, one end portion of the drawing pattern may be routed to the opposite main surface.

この素子部品20aの一方の主面に設けられている所定の一つの引き出しパターンは、導電接着剤等の塔載材料Dを介して、ベース体10aに設けられた所定の一つの塔載用端子Pと電気的に接続される。また、所定の他の一つの引き出しパターンは、導電接着剤等の塔載材料Dを介して所定の他の一つの塔載用端子Pと電気的に接続されている。
このようにして素子部品20aがベース体10aの一方の主面に設けられた塔載用端子Pに塔載される。
これにより、素子部品塔載工程後のベースウエハW1は、図3に示すように、マトリックス状に配列されたベース体10aとなる部分に、素子部品20aがそれぞれ塔載された状態となる。
A predetermined one lead-out pattern provided on one main surface of the element component 20a is connected to a predetermined one mounting terminal provided on the base body 10a via a mounting material D such as a conductive adhesive. P is electrically connected. Further, the predetermined other one drawing pattern is electrically connected to a predetermined other one mounting terminal P via a mounting material D such as a conductive adhesive.
In this way, the element component 20a is mounted on the tower terminal P provided on one main surface of the base body 10a.
Thereby, as shown in FIG. 3, the base wafer W <b> 1 after the element component mounting step is in a state where the element components 20 a are respectively mounted on the portions that become the base bodies 10 a arranged in a matrix.

塗布工程は、図4に示すようにベース体10aとなる部分の縁部であって素子部品20を塔載した側の主面または図5に示すような複数の蓋体30aが設けられた蓋ウエハW2の一方の主面に紫外線硬化樹脂40を塗布する工程である。
ここで、例えば、紫外線硬化樹脂40がベース体10aに塗布される場合について説明する。
紫外外線硬化樹脂40は、ベース体10aの素子部品20aを塔載した側の主面に、素子部品20aの周囲に環状に塗布される。その紫外線硬化樹脂40の塗布位置は、素子部品20aと接触しない位置で蓋体30aの素子部品用凹部31aの設けられている一方の主面と対向する位置となっている。
As shown in FIG. 4, the coating process is performed at the edge of the portion that becomes the base body 10a, the main surface on which the element component 20 is mounted, or a lid provided with a plurality of lids 30a as shown in FIG. In this process, the ultraviolet curable resin 40 is applied to one main surface of the wafer W2.
Here, for example, a case where the ultraviolet curable resin 40 is applied to the base body 10a will be described.
The ultraviolet curable resin 40 is circularly applied around the element component 20a on the main surface of the base body 10a on the side where the element component 20a is mounted. The application position of the ultraviolet curable resin 40 is a position opposed to one main surface of the lid 30a where the element component recess 31a is provided at a position not in contact with the element component 20a.

重ね合わせ工程は、図6及び図7に示すように、ベースウエハW1の一方の主面と蓋ウエハW2の一方の主面とを紫外線硬化樹脂40と挟んで重ね合わせて、素子部品20aをベース体10aと蓋体30aとで囲う工程である。
ここで、素子部品20aが囲まれた状態とは、素子部品20aが、複数のベース体10aの一方の主面と蓋体30aの一方の主面に設けられた素子部品用凹部31aの側面とで形成される空間に閉じ込められている状態をいう。
まず、蓋ウエハW2について説明する。

蓋ウエハW2は、例えば、金属またはセラミックからなり、複数の蓋体30aとなる部分がマトリックス状に配列されている。なお、蓋ウエハW2の複数の蓋体30aの配列位置は、ベースウエハW1のベース体10aの配列位置と対応している。蓋体30aの一方の主面には、部品素子用凹部31aが設けられており、その残された一方の主面が接合面となる。
図6に示すように、この蓋ウエハW2の一方の主面に設けられている素子部品用凹部31aをベースウエハW1に塔載されている素子部品20a側に向け、紫外線硬化樹脂40が塗布されたベースウエハW1と蓋ウエハW2とを重ね合わせる。
As shown in FIGS. 6 and 7, the superimposing process superimposes one main surface of the base wafer W1 and one main surface of the lid wafer W2 with the ultraviolet curable resin 40 interposed therebetween, and the element component 20a is used as a base. This is a process of enclosing the body 10a and the lid 30a.
Here, the state in which the element component 20a is surrounded means that the element component 20a includes a side surface of the element component recess 31a provided on one main surface of the plurality of base bodies 10a and one main surface of the lid body 30a. The state confined in the space formed by.
First, the lid wafer W2 will be described.

The lid wafer W2 is made of, for example, metal or ceramic, and the portions to be the plurality of lid bodies 30a are arranged in a matrix. The arrangement position of the plurality of lid bodies 30a of the lid wafer W2 corresponds to the arrangement position of the base bodies 10a of the base wafer W1. One main surface of the lid 30a is provided with a component element recess 31a, and the remaining one main surface serves as a bonding surface.
As shown in FIG. 6, the ultraviolet curable resin 40 is applied so that the element component recess 31a provided on one main surface of the lid wafer W2 faces the element component 20a mounted on the base wafer W1. The base wafer W1 and the lid wafer W2 are overlapped.

接合工程は、図7に示すように、重ね合わされたベースウエハW1と蓋ウエハW2の周囲から紫外線硬化樹脂40に紫外線を照射してベースウエハW1と蓋ウエハW2とを接合する工程である。
この紫外線硬化樹脂40は、透明であって、硬化前後においても紫外線を透過する透明な状態となっている。つまり、重ね合わされたベースウエハW1と蓋ウエハW2の中央付近の間に介在している紫外線硬化樹脂40は、ベースウエハW1と蓋ウエハW2の縁部付近に介在している紫外線硬化樹脂40を透過するので、硬化することができる。つまり、ベースウエハW1と蓋ウエハW2の間に介在している紫外線硬化樹脂40は、ベースウエハW1の周囲から紫外線が照射されることで硬化する。
図7に示すように、重ね合わされたベースウエハW1と蓋ウエハW2の周囲から紫外線を紫外線硬化樹脂40に照射することで、ベースウエハW1と蓋ウエハW2とは接合される。ここで、紫外線硬化樹脂40は、例えば、5℃から35℃といった常温の雰囲気中で硬化される。
As shown in FIG. 7, the bonding step is a step of bonding the base wafer W1 and the lid wafer W2 by irradiating the ultraviolet curable resin 40 with ultraviolet rays from around the overlapped base wafer W1 and lid wafer W2.
The ultraviolet curable resin 40 is transparent and is in a transparent state that transmits ultraviolet rays before and after curing. In other words, the ultraviolet curable resin 40 interposed between the overlapped base wafer W1 and the vicinity of the center of the lid wafer W2 passes through the ultraviolet curable resin 40 interposed near the edge of the base wafer W1 and the lid wafer W2. It can be cured. That is, the ultraviolet curable resin 40 interposed between the base wafer W1 and the lid wafer W2 is cured by being irradiated with ultraviolet rays from around the base wafer W1.
As shown in FIG. 7, the base wafer W <b> 1 and the lid wafer W <b> 2 are joined by irradiating the ultraviolet curable resin 40 with ultraviolet rays from around the overlapped base wafer W <b> 1 and lid wafer W <b> 2. Here, the ultraviolet curable resin 40 is cured in a normal temperature atmosphere such as 5 ° C. to 35 ° C., for example.

個片化工程は、ベースウエハW1と蓋ウエハW2とが接合された状態で個々の電子デバイスに個片化する工程である。この個片化工程では、ベースウエハW1と蓋ウエハW2とが接合された状態であって、蓋ウエハW2に設けられている複数の凹部31aの間をダイシングやレーザー等を用いて電子デバイスごとに切断される。個片化工程後は、図8に示したように、複数の電子デバイス100が設けられる。   The singulation process is a process of dividing into individual electronic devices in a state where the base wafer W1 and the lid wafer W2 are bonded. In this singulation process, the base wafer W1 and the lid wafer W2 are joined, and a plurality of recesses 31a provided in the lid wafer W2 are separated for each electronic device using dicing, laser, or the like. Disconnected. After the singulation step, a plurality of electronic devices 100 are provided as shown in FIG.

このような電子デバイスの製造方法は、ベース体10aと蓋体30aとを紫外線硬化樹脂40を硬化させることで接合しているので、接合面の平坦度や形状の制約が少なくなる。つまり、このような電子デバイス100の製造方法は、接合される面を鏡面状態でかつ平坦にする工程や接合用金属層を形成する工程に時間と手間が不要となるため、電子デバイス100の製造コストを軽減することができる。   In such an electronic device manufacturing method, since the base body 10a and the lid body 30a are bonded by curing the ultraviolet curable resin 40, the flatness and shape of the bonding surface are less restricted. That is, in such a manufacturing method of the electronic device 100, time and labor are not required in the step of flattening the surfaces to be bonded and the step of forming the bonding metal layer. Cost can be reduced.

また、このような電子デバイスの製造方法は、紫外線硬化樹脂40によりベース体10aと蓋体30aとを加熱せずに接合することができるため、従来のような電子デバイスの製造方法のような素子部品20aへの接合時の加熱による影響を防ぐことができる。   Moreover, since the manufacturing method of such an electronic device can join the base body 10a and the cover body 30a by the ultraviolet curable resin 40 without heating, an element like the conventional manufacturing method of an electronic device. The influence by the heating at the time of joining to the component 20a can be prevented.

また、このような電子デバイスの製造方法は、紫外線硬化樹脂40が透明なので、重ね合わされたベースウエハW1と蓋ウエハW2の周囲から紫外線を照射してもウエハ内部の紫外線硬化樹脂40を硬化することができる。これにより、ベース体10aと蓋体30aとの熱膨張係数の違いにより発生するクラック等の気密不良をなくすことができるので、電子デバイスの製造コストを軽減することができる。   In addition, since the ultraviolet curable resin 40 is transparent in such a method for manufacturing an electronic device, the ultraviolet curable resin 40 inside the wafer is cured even when the ultraviolet rays are irradiated from around the base wafer W1 and the lid wafer W2 that are overlaid. Can do. Thereby, since airtight defects such as cracks caused by the difference in thermal expansion coefficient between the base body 10a and the lid body 30a can be eliminated, the manufacturing cost of the electronic device can be reduced.

また、このような電子デバイスの製造方法は、ウエハ状態となっているベースウエハW1と蓋ウエハW2とを透明な紫外線硬化樹脂を用いて接合しているので、素子部品20aが気密封止された電子デバイスを容易に製造することができる。このような電子デバイスの製造方法は、例えば、長辺の長さが2mm以下のような小型の電子デバイスであっても容易に製造することができる。   In addition, since the electronic device manufacturing method joins the base wafer W1 in the wafer state and the lid wafer W2 using a transparent ultraviolet curable resin, the element component 20a is hermetically sealed. An electronic device can be easily manufactured. Such an electronic device manufacturing method can be easily manufactured even for a small electronic device having a long side length of 2 mm or less, for example.

(第二の実施形態)

次に本発明の第二の実施形態に係る電子デバイスについて説明する。なお、電子デバイスを水晶発振器として説明する。
図9は、第二の実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。
本発明の第二の実施形態に係る電子デバイス110は、ベース体10bが素子部品用凹部11bと塔載部品用凹部12bとを有し、その塔載部品凹部12bに塔載部品50bが塔載されている点で第一の実施形態と異なる。
図9に示すように、本発明の第二の実施形態に係る電子デバイス110は、ベース体10bと蓋体30bと素子部品20bと紫外線硬化樹脂40と塔載部品50bとから主に構成されている。
(Second embodiment)

Next, an electronic device according to a second embodiment of the present invention will be described. The electronic device is described as a crystal oscillator.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of an electronic device according to the second embodiment.
In the electronic device 110 according to the second embodiment of the present invention, the base body 10b has an element component recess 11b and a tower mounting recess 12b, and the tower mounting component 50b is mounted on the tower mounting recess 12b. This is different from the first embodiment.
As shown in FIG. 9, the electronic device 110 according to the second embodiment of the present invention is mainly composed of a base body 10b, a lid body 30b, an element part 20b, an ultraviolet curable resin 40, and a tower part 50b. Yes.

ここで、塔載部品50bを集積回路素子とする。この集積回路素子50bには、素子部部品20bの振動に基づいて発振出力を制御する発振回路が組み込まれている。
ベース体10bは、一方の主面に素子部品用凹部11b、他方の主面に塔載部品用凹部12bと複数の外部接続端子Gとが主に設けられている。また、一方の主面に設けられた素子部品用凹部11bの底面には複数の搭載用端子Pが設けられている。同様に他方の主面に設けられた塔載部品用凹部12bの底面には複数の配線パターンHが設けられている。この配線パターンHには、塔載材料Dを用いて搭載部品50bが塔載される。つまり、塔載部品50bは、塔載部品用凹部12b内に塔載されている状態となっている。
配線パターンHは、塔載部品50bに合わせて設けられる数が異なる。ここで、配線パターンHが、例えば、塔載部品50bに合わせて6個設けられているとする。このとき、この配線パターンHは、例えば、一方の長辺側に沿って3個、他方の長辺側に沿って3個配置されている。この配線パターンHには、塔載材料Dにより搭載部品50bが塔載されている。
Here, the tower component 50b is an integrated circuit element. The integrated circuit element 50b incorporates an oscillation circuit that controls the oscillation output based on the vibration of the element part component 20b.
The base body 10b is mainly provided with an element component recess 11b on one main surface, and a tower component recess 12b and a plurality of external connection terminals G on the other main surface. A plurality of mounting terminals P are provided on the bottom surface of the element component recess 11b provided on one main surface. Similarly, a plurality of wiring patterns H are provided on the bottom surface of the tower-mounted component recess 12b provided on the other main surface. The wiring component H is mounted on the wiring pattern H using the mounting material D. That is, the tower component 50b is in a state of being tower mounted in the tower component recess 12b.
The number of wiring patterns H provided according to the tower component 50b is different. Here, it is assumed that, for example, six wiring patterns H are provided in accordance with the tower component 50b. At this time, for example, three wiring patterns H are arranged along one long side and three are arranged along the other long side. The wiring component H is mounted on the wiring pattern H by the mounting material D.

塔載用端子Pは、2つ一対で一方の短辺側に並んで設けられる。塔載用端子Pには、塔載材料Dを用いて素子部品20bが塔載される。つまり、素子部品20bは、素子部品用凹部11b内に塔載されている状態となっている。所定の塔載用端子Pは、塔載部品50bの所定の端子と接続されている。   Two tower terminals P are provided side by side on one short side. The device component 20b is mounted on the tower terminal P using the tower material D. That is, the element component 20b is placed in the element component recess 11b. The predetermined tower terminal P is connected to a predetermined terminal of the tower component 50b.

外部接続端子Gは、ベース体10bの塔載部品用凹部12bが設けられている他方の主面の4隅に4個設けられているとする。所定の外部接続端子Gは、塔載部品50bの所定の端子と接続されている。   Assume that four external connection terminals G are provided at the four corners of the other main surface of the base body 10b where the tower mounting recesses 12b are provided. The predetermined external connection terminal G is connected to a predetermined terminal of the tower component 50b.

紫外線硬化樹脂40は、素子部品用凹部11bが設けられている一方の主面に環状に塗布されている。
このような電子デバイス110は、素子部品用凹部11b内に搭載されている素子部品20bを囲うように、紫外線硬化樹脂40の塗布されたベース体10bと蓋体30bとが重ね合わされており、紫外線の照射された紫外線硬化樹脂40が硬化することによってベース体10aと蓋体30aとが接合されている。
The ultraviolet curable resin 40 is annularly applied to one main surface where the element component recess 11b is provided.
In such an electronic device 110, the base body 10b coated with the ultraviolet curable resin 40 and the lid body 30b are overlapped so as to surround the element component 20b mounted in the element component recess 11b. The base body 10a and the lid body 30a are joined by curing the irradiated ultraviolet curable resin 40.

このような本発明の第二の実施形態に係る電子デバイス110は、ベース体10bに搭載されている素子部品20bがベース体10bと蓋体30bとで、紫外線硬化樹脂40により封止されている。従って、第一の実施形態と同様の効果を奏する。   In such an electronic device 110 according to the second embodiment of the present invention, the element component 20b mounted on the base body 10b is sealed with the ultraviolet curable resin 40 between the base body 10b and the lid body 30b. . Therefore, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(第三の実施形態)

次に本発明の第三の実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
図10は、第三の実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。
本発明の第三の実施形態に係る電子デバイス120は、塔載部品用凹部12cが素子部品用凹部11c内に設けられている点で第二の実施形態と異なる。
(Third embodiment)

Next, an electronic device according to a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an example of an electronic device according to the third embodiment.
The electronic device 120 according to the third embodiment of the present invention is different from the second embodiment in that the tower component recess 12c is provided in the element component recess 11c.

ベース体10cは、一方の主面に素子部品用凹部11cが設けられており、他方の主面に複数の外部接続端子Gが設けられている。また、素子部品用凹部11cの底面には塔載用端子Pと塔載部品用凹部12cとが設けられている。さらに、塔載部品用凹部12cの底面には複数の配線パターンHが設けられている。
塔載用端子Pは2つ一対となっており、塔載用端子Pには素子部品20cが導電接着剤等の塔載材料Dにより搭載されている。また、所定の塔載用端子Pは、素子部品20cの所定の端子と電気的に接続されている。
塔載部品用凹部12cは素子部品用凹部11cの底面に塔載用端子Pと重ならない位置に設けられている。また、この塔載部品用凹部12cの底面に設けられている配線パターンHには、塔載部品50cが塔載材料Dにより塔載されている。なお、塔載部品用凹部12cの深さは、塔載用部品用凹部12c内に塔載部品50cが塔載されているとき、塔載部品50cと塔載用端子Pに塔載されている素子部品20cとが接触しない深さとなっている。
The base body 10c is provided with an element component recess 11c on one main surface, and a plurality of external connection terminals G on the other main surface. Further, the tower terminal P and the tower component recess 12c are provided on the bottom surface of the element component recess 11c. Furthermore, a plurality of wiring patterns H are provided on the bottom surface of the recessed part 12c for tower components.
Two tower terminals P are paired, and the element component 20c is mounted on the tower terminal P by a tower material D such as a conductive adhesive. The predetermined tower terminal P is electrically connected to a predetermined terminal of the element component 20c.
The recessed part 12c for tower components is provided in the position which does not overlap with the tower terminal P on the bottom face of the recessed part 11c for element components. In addition, the tower component 50 c is mounted on the wiring material H provided on the bottom surface of the tower component recess 12 c with the tower material D. The depth of the recessed part 12c for tower parts is mounted on the tower part 50c and the tower terminal P when the tower part 50c is mounted in the recessed part 12c for tower parts. The depth is such that it does not come into contact with the element component 20c.

紫外線硬化樹脂40は、素子部品用凹部11cの設けられている一方の主面に環状に塗布されている。
このような電子デバイス120は、素子部品用凹部11c内に塔載されている素子部品20cと塔載部品用凹部12c内に塔載されている塔載部品50cとを囲うように、紫外線硬化樹脂40の塗布されたているベース体10cと蓋体30cとが重ね合わされており、紫外線の照射された紫外線硬化樹脂40が硬化することによってベース体10cと蓋体30cとが接合されている。
The ultraviolet curable resin 40 is annularly applied to one main surface provided with the element component recess 11c.
Such an electronic device 120 includes an ultraviolet curable resin so as to surround the element component 20c mounted in the element component recess 11c and the tower component 50c mounted in the tower component recess 12c. The base body 10c applied with 40 and the lid body 30c are overlapped, and the base body 10c and the lid body 30c are joined by curing the ultraviolet curable resin 40 irradiated with ultraviolet rays.

このような本発明の第三の実施形態係る電子デバイス120は、ベース体10cに搭載されている素子部品20cがベース体10cと蓋体30cとで、紫外線硬化樹脂40により封止されている。従って、第一の実施形態と同様の効果を奏する。   In such an electronic device 120 according to the third embodiment of the present invention, the element component 20c mounted on the base body 10c is sealed with the ultraviolet curable resin 40 between the base body 10c and the lid body 30c. Therefore, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

(第四の実施形態)
次に本発明の第四の実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
図11は、第四の実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。
本発明の第四の実施形態で示した電子デバイス121は、ベース体10dの一方の主面に素子部品用凹部11dと塔載部品用凹部12dとが設けられている点で第三の実施形態と異なる。
(Fourth embodiment)
Next, an electronic device according to a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of an electronic device according to the fourth embodiment.
The electronic device 121 shown in the fourth embodiment of the present invention is the third embodiment in that an element component recess 11d and a tower mount recess 12d are provided on one main surface of the base body 10d. And different.

ベース体10dは、一方の主面に素子部品用凹部11dと塔載部品用凹部12dとが設けられており、他方の主面に複数の外部接続端子12cとが設けられている。素子部品用凹部11d内には、塔載用端子Pに塔載材料Dにより素子部品20dが塔載されている。また塔載部品用12d内には、配線パターンHに塔載材料Dにより塔載部品50dが塔載されている。   The base body 10d has an element component recess 11d and a tower mount recess 12d on one main surface, and a plurality of external connection terminals 12c on the other main surface. In the element component recess 11d, the element component 20d is mounted on the tower terminal P by the tower material D. In addition, the tower component 50d is mounted on the wiring pattern H by the tower material D in the tower component 12d.

紫外線硬化樹脂40は、素子部品用凹部11dと塔載部品用凹部12dの設けられている一方の主面に環状に塗布されている。
ここで、図11に示すように、素子部品用凹部11dと塔載部品用凹部12dとが合わさっている場合について図示しているが、素子部品用凹部11dと塔載部品用凹部12dとが合わさっていなくてもよい。このとき紫外線硬化樹脂40は、素子部品用凹部11dの設けられた一方の主面であって素子部品20dの周囲に環状に塗布され、また塔載部品用凹部12dの設けられた一方の主面であって塔載部品50dの周囲に環状に塗布されている。
The ultraviolet curable resin 40 is annularly applied to one main surface provided with the element component recess 11d and the tower mount recess 12d.
Here, as shown in FIG. 11, the element component recess 11d and the tower mounting recess 12d are illustrated together, but the element component recess 11d and the tower mounting recess 12d are combined. It does not have to be. At this time, the ultraviolet curable resin 40 is applied on the one main surface provided with the element component recess 11d in a ring shape around the element component 20d, and is provided on the one main surface provided with the tower component recess 12d. However, it is applied in a ring around the tower component 50d.

このような電子デバイス121は、素子部品用凹部11d内に塔載されている素子部品20dと塔載部品用凹部12d内に塔載されている塔載部品50dとがベース体10dと蓋体30dとで囲まれるように、紫外線硬化樹脂40の塗布されているベース体10dと蓋体30dとが重ね合わされており、紫外線の照射された紫外線硬化樹脂40が硬化することによってベース体10dと蓋体30dとが接合されている。   In such an electronic device 121, an element component 20d mounted in the element component recess 11d and a tower component 50d mounted in the tower component recess 12d include a base body 10d and a lid 30d. The base body 10d coated with the ultraviolet curable resin 40 and the lid body 30d are overlapped with each other, and the base body 10d and the lid body are cured by curing the ultraviolet curable resin 40 irradiated with ultraviolet rays. 30d is joined.

このような本発明の第四の実施形態に係る電子デバイス121では、ベース体10dに搭載されている素子部品20dがベース体10dと蓋体30dとで、紫外線硬化樹脂40により封止されている。従って、第一の実施形態と同様の効果を奏する。   In such an electronic device 121 according to the fourth embodiment of the present invention, the element component 20d mounted on the base body 10d is sealed with the ultraviolet curable resin 40 between the base body 10d and the lid body 30d. . Therefore, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態には限定されない。例えば、素子部品が圧電材料からなる場合について主に説明してきたが、集積回路素子、チップコンデンサ等であってもよい。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment. For example, although the case where the element component is made of a piezoelectric material has been mainly described, an integrated circuit element, a chip capacitor, or the like may be used.

また、素子部品用凹部がベース体または蓋体のいずれか一方に設けられ、素子部品がベース体と蓋体と封止される形状となっていれば、ベース体と蓋体の形状は問わない。   In addition, the shape of the base body and the lid body is not limited as long as the element component recess is provided in either the base body or the lid body and the element component is sealed with the base body and the lid body. .

また、ベースウエハに紫外線硬化樹脂を塗布する場合について説明しているが、蓋ウエハに紫外線硬化樹脂を塗布、あるいは、ベースウエハ及び蓋ウエハに紫外線硬化樹脂を塗布してもよい。
ここで、蓋ウエハに紫外線硬化樹脂が塗布される場合、紫外線硬化樹脂は複数の素子部品用凹部の設けられている蓋ウエハの一方の主面に塗布される。なお、このとき、素子部品の周囲であって、紫外線硬化樹脂の素子部品用凹部側の縁が蓋体の縁より素子部品用凹部側となるように環状塗布されていれば、その塗布形状は問わない。
Further, although the case where the ultraviolet curable resin is applied to the base wafer is described, the ultraviolet curable resin may be applied to the lid wafer, or the ultraviolet curable resin may be applied to the base wafer and the lid wafer.
Here, when the ultraviolet curable resin is applied to the lid wafer, the ultraviolet curable resin is applied to one main surface of the lid wafer provided with a plurality of recesses for element parts. At this time, if the periphery of the element component is annularly applied so that the edge of the UV curable resin on the element component recess side is closer to the element component recess side than the edge of the lid, the application shape is It doesn't matter.

また、塗布工程において、紫外線硬化樹脂はベース体ごとに塗布されている場合について説明しているが、図12に示すように、素子部品の周囲であって、紫外線硬化樹脂の素子部品側の縁がベース体の縁より素子部品側となるように塗布されていれば、その塗布形状は問わない。   Further, in the coating process, the case where the ultraviolet curable resin is applied to each base body has been described. However, as shown in FIG. 12, the edge of the ultraviolet curable resin on the element component side is around the element component. If it is applied so as to be closer to the element component side than the edge of the base body, the applied shape is not limited.

さらに、接合工程において、重ね合わされたベースウエハと蓋ウエハの4方向から紫外線を照射している場合について説明しているが、1方向または1方向以上の向きから紫外線を照射してもよい。   Furthermore, in the bonding process, the case where ultraviolet rays are irradiated from four directions of the base wafer and the lid wafer that are overlapped is described. However, ultraviolet rays may be irradiated from one direction or more than one direction.

100,110,120,121 電子デバイス

10a,10b,10c,10d ベース体
20a,20b,20c,20d 素子部品

30a,30b,30c,30d 蓋体
40 紫外線硬化樹脂
50b,50c,50d 塔載部品
W1 ベースウエハ
W2 蓋ウエハ
21 第一の電極
22 第二の電極

31a 蓋体の凹部
11b,11c,11d ベース体の素子部品用凹部

12b,12c,12d ベース体の搭載部品用凹部

P 塔載用端子
G 外部接続端子

D 塔載材料
100, 110, 120, 121 Electronic device

10a, 10b, 10c, 10d Base body 20a, 20b, 20c, 20d Element parts

30a, 30b, 30c, 30d Lid 40 UV curable resin 50b, 50c, 50d Tower component W1 Base wafer W2 Lid wafer 21 First electrode 22 Second electrode

31a Concave part 11b, 11c, 11d of cover body Concave part for element parts of base body

12b, 12c, 12d Recesses for mounting parts of base body

P Tower terminal G External connection terminal

D Tower material

Claims (2)

素子部品を塔載したベース体と、
前記素子部品を封止する蓋体と、
前記ベース体と前記蓋体との間に介在している透明の紫外線硬化樹脂と、
を備え、
前記ベース体と前記蓋体とが前記紫外線硬化樹脂とで接合されていることを特徴とする電子デバイス。
A base body on which element parts are mounted;
A lid for sealing the element component;
A transparent ultraviolet curable resin interposed between the base body and the lid;
With
The electronic device, wherein the base body and the lid body are joined with the ultraviolet curable resin.

複数のベース体が設けられたベースウエハの前記ベース体となる部分の一方の主面に、素子部品を塔載する素子部品塔載工程と、
前記ベース体となる部分の縁部であって前記素子部品が塔載されている主面又は/及び複数の蓋体が設けられた蓋ウエハの一方の主面に紫外線硬化樹脂を塗布する塗布工程と、
前記ベースウエハの一方の主面と前記蓋ウエハの一方の主面とを前記紫外線硬化樹脂を挟んで重ね合わせて素子部品をベース体と蓋体とで囲う重ね合わせ工程と、
重ね合わされた前記ベースウエハと前記蓋ウエハの周囲から前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射し、前記ベースウエハと前記蓋ウエハとを接合する接合工程と、
前記ベースウエハと前記蓋ウエハとが接合された状態で個々の電子デバイスに個片化する個片化工程と、
からなることを特徴とする電子デバイスの製造方法。

An element component mounting step for mounting an element component on one main surface of a portion of the base wafer provided with a plurality of base bodies, which becomes the base body;
Application step of applying an ultraviolet curable resin to an edge portion of the portion to be the base body and the main surface on which the element parts are mounted and / or one main surface of a lid wafer provided with a plurality of lid bodies When,
An overlapping step in which one main surface of the base wafer and one main surface of the lid wafer are overlapped with the ultraviolet curable resin interposed therebetween to surround the element component with the base body and the lid;
A process of joining the base wafer and the lid wafer by irradiating the ultraviolet curable resin with ultraviolet rays from around the base wafer and the lid wafer,
A singulation process for singulating into individual electronic devices in a state where the base wafer and the lid wafer are bonded,
An electronic device manufacturing method comprising:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012186709A (en) * 2011-03-07 2012-09-27 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device
JP2017098530A (en) * 2015-09-22 2017-06-01 アナログ デバイスィズ インコーポレイテッドAnalog Devices, Inc. Wafer-capped rechargeable power source

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093398A (en) * 2004-09-24 2006-04-06 Kyocera Corp Optical semiconductor device
JP2006165180A (en) * 2004-12-06 2006-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of applying photosensitive curable resin and adhesion method
JP2007035779A (en) * 2005-07-25 2007-02-08 Canon Inc Leadless hollow package and its manufacturing method
JP2008016693A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Fujifilm Corp Method of sealing solid-state imaging device
JP2008270650A (en) * 2007-04-24 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical device, and manufacturing method thereof
WO2009008106A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Light receiving device and method of manufacturing light receiving device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093398A (en) * 2004-09-24 2006-04-06 Kyocera Corp Optical semiconductor device
JP2006165180A (en) * 2004-12-06 2006-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of applying photosensitive curable resin and adhesion method
JP2007035779A (en) * 2005-07-25 2007-02-08 Canon Inc Leadless hollow package and its manufacturing method
JP2008016693A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Fujifilm Corp Method of sealing solid-state imaging device
JP2008270650A (en) * 2007-04-24 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical device, and manufacturing method thereof
WO2009008106A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Light receiving device and method of manufacturing light receiving device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012186709A (en) * 2011-03-07 2012-09-27 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device
JP2017098530A (en) * 2015-09-22 2017-06-01 アナログ デバイスィズ インコーポレイテッドAnalog Devices, Inc. Wafer-capped rechargeable power source
JP2018195585A (en) * 2015-09-22 2018-12-06 アナログ ディヴァイスィズ インク Wafer-capped rechargeable power source

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