JP2010138066A - ビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の製造方法は、ビスマスおよびビスマス化合物から選ばれる少なくとも1つのビスマス供給用材料を含む材料を用いてビスマスを含む層状構造強誘電体の結晶(A)を形成する工程と、結晶(A)を、酸素分圧が1気圧以上の雰囲気下において熱処理する熱処理工程とを含む。ビスマス供給用材料に含まれるビスマスの純度は、99.999モル%以上である。
【選択図】なし
Description
[式中、LはLi、Na、K、Ca、Sr、Ba、Y、Bi、Pbおよび希土類元素から選ばれる少なくとも1つの元素を表す。また、RはTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo、Mn、Fe、SiおよびGeから選ばれる少なくとも1つの元素を表す。mは、1〜5の整数を表す。]
元素Lとして用いることができる希土類元素としては、たとえば、La、Ce、Pr、NdおよびSmが挙げられる。なお、対環境の観点からは、結晶(A)は鉛(Pb)を含まないことが好ましい。結晶(A)を形成するための材料は、結晶(A)の組成に応じて選択される。
Claims (7)
- ビスマスおよびビスマス化合物から選ばれる少なくとも1つのビスマス供給用材料を含む材料を用いてビスマスを含む層状構造強誘電体の結晶(A)を形成する工程と、
前記結晶(A)を、酸素分圧が1気圧以上の雰囲気下において熱処理する熱処理工程とを含み、
前記少なくとも1つのビスマス供給用材料に含まれるビスマスの純度が99.999モル%以上であるビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法。 - 前記結晶(A)の組成が以下の一般式で表される請求項1に記載のビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法。
(Bi2O2)(Lm−1RmO3m+1)
[式中、LはLi、Na、K、Ca、Sr、Ba、Y、Bi、Pbおよび希土類元素から選ばれる少なくとも1つの元素を表す。また、RはTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo、Mn、Fe、SiおよびGeから選ばれる少なくとも1つの元素を表す。mは、1〜5の整数を表す。] - 前記結晶(A)が単結晶である請求項1または2に記載のビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法。
- 前記結晶(A)の基本組成がBi4Ti3O12で表される請求項1〜3のいずれか1項に記載のビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法。
- 前記熱処理の温度が、300℃以上で前記結晶(A)の融点未満である請求項1〜4のいずれか1項に記載のビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法。
- 前記熱処理工程は、前記結晶(A)を300℃よりも高い温度まで加熱したのち、−1℃/分よりも遅い降温速度で300℃まで冷却する工程を含む請求項5に記載のビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法。
- 前記酸素分圧が10気圧以上である請求項1〜6のいずれか1項に記載のビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法。
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JPH10182291A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-07 | Sharp Corp | 強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体薄膜被覆基板及びキャパシタ |
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