JP2010135678A - 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 - Google Patents

光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】部品点数及び製造の工程数を削減して製造コストを低減させるとともに生産性の向上を図ることが可能な光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の表面５ａに第１の電極５ａ１が配設され、第１の表面５ａと対向する第２の表面５ｂに第２の電極５ｂ１が配設された発光素子５と、第１の表面５ａに接続された第１の導電性部材６ａと、第２の表面５ｂに接続された第２の導電性部材６ｂと、第１の導電性部材６ａと接続される第１の外部電極２ａと、第２の導電性部材６ｂと接続される第２の外部電極２ｂと、第１の外部電極２ａ及び第２の外部電極２ｂの間において、発光素子５、第１の導電性部材６ａ及び第２の導電性部材６ｂを封止するとともに、発光素子５の光を透過させる外囲器３とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光素子を組み込んだ光半導体装置及び光半導体装置の製造方法に関する。
従来の光半導体装置の一例として、発光ダイオード（Light Emitting Diode；ＬＥＤ）を発光素子として使用するものを挙げることができる。この発光ダイオードは、例えば図１９に示すような形状を採用している。すなわち、光半導体装置１００は、発光素子である発光ダイオードが発光する側が曲面に形成され全体として砲弾型をしている。第１のリードフレーム１０１には鉢状の凹部１０２が形成されており、その凹部１０２の底部にはＬＥＤチップ１０３がダイマウントされている。ＬＥＤチップ１０３は、その電極と第１のリードフレーム１０１との間がワイヤボンディングによって金属ワイヤ１０４を介して電気的に接続されている。また、ＬＥＤチップ１０３は第２のリードフレーム１０５とも金属ワイヤ１０４を介して電気的に接続されている。
凹部１０２の内部は蛍光体を含有する透明な樹脂１０６によって封止されている。従って、ＬＥＤチップ１０３も樹脂１０６に覆われている。また、凹部１０２の側面は反射板、いわゆるリフレクタとしての役割を果たし、ＬＥＤチップ１０３が発光した場合に図１９に示す矢印の方向にその光が出射される。
ＬＥＤチップ１０３をその凹部１０２に載置する第１のリードフレーム１０１、金属ワイヤ１０４を介してＬＥＤチップ１０３と接続される第２のリードフレーム１０５は、封止樹脂でモールドされている。これらをモールドする外囲器１０７の一端部からは、第１のリードフレーム１０１と第２のリードフレーム１０５の一部が突き出ている。また、上述したように外囲器１０７の他端部は曲面に形成されＬＥＤチップ１０３からの光を出射するレンズの役割を果たす。
また、従来の光半導体装置の別形態としては、例えば、以下の特許文献１に挙げられている発光ダイオードパッケージがある。この発光ダイオードパッケージは、パッケージ基板上にＬＥＤ素子がダイマウントされ、このＬＥＤ素子とパッケージ基板とをボンディングワイヤによって結ぶことによって電気的な接続が取られている。
特開２００６−３１０７５３号公報
しかしながら、上述した特許文献１に開示された構成をもつ発光ダイオードパッケージ或いは、図１９に示す砲弾型の光半導体装置の場合、次のような問題点がある。
すなわち、これらの製造プロセスは、大まかにＬＥＤチップ（発光素子）を製造する工程と、製造されたＬＥＤチップ（発光素子）をパッケージングする工程とに分けることができる。但し、両工程が全く関連性のない別の工程であることから光半導体装置の製造においてその製造の工程数が多くなる傾向にあり、結果として製造コストの上昇、生産性の低下につながる。
また、発光ダイオードパッケージには、発光素子から出射される光を反射させる反射板（リフレクタ）として例えば、セラミックやエポキシ樹脂に蛍光体を混ぜた樹脂が利用されるものも見受けられる。但し、このようなリフレクタを採用すると、光半導体装置を構成する部品点数が増えるとともに、発光素子から出射される光による劣化も生じうる。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、部品点数及び製造の工程数を削減して製造コストを低減させるとともに生産性の向上を図ることが可能な光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、光半導体装置において、第１の表面に第１の電極が配設され、第１の表面と対向する第２の表面に第２の電極が配設された発光素子と、発光素子の第１の表面に接続された第１の導電性部材と、発光素子の第２の表面に接続された第２の導電性部材と、第１の導電性部材と接続される第１の外部電極と、第２の導電性部材と接続される第２の外部電極と、第１の外部電極及び第２の外部電極の間において、発光素子、第１の導電性部材及び第２の導電性部材を封止するとともに、発光素子の光を透過させる外囲器とを備える。
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、光半導体装置の製造方法において、支持体上の発光素子ウエハを支持体に向けて切断し個々の発光素子へと個片化する工程と、支持体を伸張させて、発光素子を再配列させる工程と、発光素子上の第１の表面に配設される第１の電極上に第１の導電性部材を形成する工程と、発光素子及び第１の導電性部材を外囲器によって封止する工程と、支持体を外し、発光素子上の第２の表面に配設される第２の電極上に第２の導電性部材を形成する工程と、第２の電極及び第２の導電性部材を外囲器によって封止する工程と、第１の導電性部材に第１の外部電極を、第２の導電性部材に第２の外部電極を接続する工程と、隣接する発光素子の間でダイシングを行い、光半導体装置を個片化する工程と、第１の外部電極と第２の外部電極にめっき処理を行い、めっき膜を形成する工程とを備える。
本発明の実施の形態に係る第３の特徴は、光半導体装置の製造方法において、支持体上の発光素子ウエハを支持体に向けて切断し個々の発光素子へと個片化する工程と、支持体を伸張させて、発光素子を再配列させる工程と、発光素子上の第１の表面に配設される第１の電極上に第１の導電性部材を形成する工程と、発光素子及び第１の導電性部材を外囲器によって封止する工程と、支持体を外し、発光素子上の第２の表面に配設される第２の電極上に第２の導電性部材を形成する工程と、第２の電極及び第２の導電性部材を外囲器によって封止する工程と、第１の導電性部材と第１の導電性部材を封止する外囲器とを、第１の表面に対して斜めとなるように研削する工程と、切削面に第１の導電性部材と接続される第１の外部電極を形成する工程と、第２の導電性部材と第２の導電性部材を封止する外囲器とを、第２の表面に対して斜めとなるように研削する工程と、切削面に第２の導電性部材と接続される第２の外部電極を形成する工程と、隣接する発光素子の間でダイシングを行い、光半導体装置を個片化する工程と、第１の外部電極と第２の外部電極にめっき処理を行い、めっき膜を形成する工程とを備える。
本発明によれば、部品点数及び製造の工程数を削減して製造コストを低減させるとともに生産性の向上を図ることが可能な光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る光半導体装置１の全体は、図１に示すような略直方体の形状をしている。光半導体装置１には一対の外部電極２，２が設けられている。光半導体装置１にはこれら一対の外部電極２，２に挟まれるように外囲器３によって封止されている領域が設けられている。この外囲器３は、光半導体装置１の内部に設けられている発光素子（図１では図示せず）を封止している。一対の外部電極２，２にはそれぞれめっき処理が施され、外部電極２が外囲器３と接する面以外の５面がめっき膜４に覆われ、５面電極を形成している。
光半導体装置１は、図１に示す向きで図示しない基板に設けられた例えば、配線パッド上に外部電極２，２が接触するように載置される。その上で、配線パッドから外部電極２，２にかけてはんだ等の接続剤が盛られ、これにより基板と光半導体装置１とが電気的に接続される。
図２は、図１に示す光半導体装置１をＡ−Ａ線で切断して表わしたＡ−Ａ線断面図である。発光素子５は光半導体装置１の長手方向略中央に位置し、導電性部材６を介して一対の外部電極２によって挟まれている。また、一対の外部電極２にはさらに外囲器３も挟まれ、その内部に発光素子５及び導電性部材６が封止されている。外部電極２の５面の表面にはめっき膜４が形成されている。
発光素子５は、略直方体形状をしており、例えばＬＥＤチップを好適に使用することができる。その大きさは、例えば、２００μｍないし３００μｍ角程度である。この発光素子５の第１の表面５ａに発光素子５の第１の電極５ａ１が配設され、第１の表面５ａと対向する第２の表面５ｂに発光素子５の第２の電極５ｂ１が配設されている。発光素子５にはｐ型電極とｎ型電極とが存在するが、ここでは、第１の電極５ａ１或いは第２の電極５ｂ１のいずれがｐ型であってもｎ型であっても良い。
この発光素子５の第１の表面５ａには第１の導電性部材６ａが接続され、第２の表面５ｂには第２の導電性部材６ｂが接続される。さらに、この第１の導電性部材６ａ及び第２の導電性部材６ｂを挟むように第１の導電性部材６ａには第１の外部電極２ａが、第２の導電性部材６ｂには第２の外部電極２ｂが接続されている。発光素子５をこのように光半導体装置１内に配置し、外部電極２から導電性部材６を介して第１の電極５ａ１、第２の電極５ｂ１に電圧を印加することによって、第１の電極５ａ１と第２の電極５ｂ１との間に電流が流れ発光素子５が発光する。
また、発光素子５の電極が設けられている第１の表面５ａ及び第２の表面５ｂの表面積及び第１の導電性部材６ａと第２の導電性部材６ｂの表面積の大きさは、導電性部材６を介して接続される第１の外部電極２ａ及び第２の外部電極２ｂの表面積よりも小さく構成されている。発光素子５及び導電性部材６をこのような寸法にすることで、これらを光半導体装置１の内部中央に配置させることができ、発光素子５及び導電性部材６の周囲を外囲器３によって覆い封止することができる。
発光素子５が発光する際には発光素子５の周囲に何もないのが理想であるが、発光素子５は導電性部材６を介して電圧を印加されるため、発光素子５が発光するには導電性部材６との接続が必要である。そのため、導電性部材６は発光素子５に発光に際して必要な電圧が印加できるだけの大きさがあれば足りる。導電性部材６の大きさ（太さ）は、発光素子５が必要とする電圧や導電性部材６の材質等を全て勘案した上で決定される。
次に、本発明の第１の実施の形態にかかる光半導体装置１の製造方法について、図３ないし図１２を用いて説明する。
まず、図３にはＬＥＤのウェハ（発光素子ウェハ）Ｗが示されている。このウェハＷの両面には、図３には示していないが、それぞれｐ型電極、或いはｎ型電極（第１の電極５ａ１或いは第２の電極５ｂ１）が形成されている。また、本発明の実施の形態においてはその両面に電極が形成されているＬＥＤのウェハＷを利用しているが、このようなウェハＷであれば、例えば、サファイア基板を利用して結晶を成長させたＬＥＤであってもＳｉＣ（炭化珪素）を利用したＬＥＤであっても良い。
このようなウェハＷを支持体Ｓに載置した上で個片化する（図４参照）。個片化するに当たっては、例えば、ウェハＷの一方の面から支持体Ｓに載置された他方の面に向かってダイシングを行う。個片化の方法については、この方法に限られず、例えば、レーザを使用して切断位置にクラックを入れて割るといった方法も採用することができる。個片化を行うと、図４に示されているように、支持体Ｓ上に個片化された複数の発光素子５が形成される。
次に、光半導体装置１を製造するために発光素子５の支持体Ｓ上の位置を個片化した位置から再度配列し直す。この再配列は、例えば図５に示すように、支持体Ｓを矢印の方向にエキスパンドして（伸張させて）、隣接する発光素子５間の距離を広げることによって行う。ここでエキスパンドさせる支持体Ｓの材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル、オリフィン系樹脂、ＰＥＴ等が好適に用いられる。
なお、ここでは図４に示す個片化の際にも用いた支持体Ｓを伸張させることによって発光素子５の再配列を行っているが、例えば、個片化の際にダイシングシートを利用した場合には、個片化した発光素子５の一方の面を別途再配列に適した、例えば上述した支持体Ｓ上に載置することによっても行うことができる。
さらには、一般的にＬＥＤのウェハは半導体チップのウェハに比べてその大きさが小さいことが多いため、ＬＥＤのウェハを個片化して得られる発光素子５の数は半導体チップに比べて少ないこともある。そこで、個片化の後発光素子５を再配列する際に複数のＬＥＤウェハから得られた発光素子５を１つの支持体上に載置することも可能である。このようにすることで一括して光半導体装置１の製造を行うことが可能となり、生産性の向上を図ることができる。
そして再配列された発光素子５の電極に導電性部材６を接続させる。まずは発光素子５の第１の表面５ａに配設された第１の電極５ａ１上に第１の導電性部材６ａを接続させる方法を説明する。従って、図６ないし図９では、支持体Ｓに接している発光素子５の表面だ第２の表面５ｂである。
図６に示すように第１の電極５ａ１に第１の導電性部材６ａを接続させるために第１の導電性部材６ａが形成される領域を除いてマスクＭが設けられる。このマスクＭは、導電性部材６ａが形成される第１の電極５ａ１上を除き、第１の表面５ａ、隣接する発光素子５の間にも設けられる。この状態で、例えば、電解めっき法を用いて第１の導電性部材６ａを形成する（図７参照）。導電性部材６としては、例えば、銅（Ｃｕ）が好適に用いられる。
第１の導電性部材６ａが第１の電極５ａ１と接続された状態を示すのが図８である。第１の導電性部材６ａは、上述したように発光素子５が発光した場合にその発光を阻害しないようにするため、第１の導電性部材６ａが発光素子５の第１の表面５ａ上に占める面積は小さくされている。
この状態で、図９に示すように外囲器３を用いて発光素子５及び第１の導電性部材６ａを封止する。外囲器３は、樹脂製でありその内部に蛍光体が含まれている。そのため、外囲器３によって封止された発光素子５が発光すると、発光素子５の光が直接外囲器３を透過して光半導体装置１外に出射するだけではなく、その光が蛍光体に吸収されその蛍光体も発光しその光も光半導体装置１外に出射する。
外囲器３によって発光素子５及び第１の導電性部材６ａとが封止された後、第１の導電性部材６ａにおける外部電極２ａと接続される面が外囲器３と面一となるように外囲器３が研削される。図９は、研削が終わり第１の導電性部材６ａの外部電極２ａとの接続面が外囲器３と面一になった状態を示している。その後、支持体Ｓを剥がし、発光素子５の第２の電極５ｂ１に第２の導電性部材６ｂを接続させる工程を進める。
なお、発光素子５の第２の電極５ｂ１に第２の導電性部材６ｂを接続させる工程は、図６ないし図９を用いて説明した第１の導電性部材６ａを第１の電極５ａ１に接続させる工程と同じであるため省略する。
図１０は、発光素子５の第１の電極５ａ１、第２の電極５ｂ１にそれぞれ第１の導電性部材６ａ、第２の導電性部材６ｂが接続され、外囲器３によって封止された状態を示している。
ここで、外囲器３と面一となるように研削された第１の導電性部材６ａに外部電極２ａを接続する。図１１はこの状態を示した図であり、外部電極２ａの形成には、例えば図６で示したようにマスクＭを利用して無電解めっき法等を用いる。外部電極２ａには、例えば銅（Ｃｕ）が好適に用いられる。
なお、この外部電極２のうち導電性部材６と接続される面は、発光素子５からの光を反射させるリフレクタとしての役割も果たす。また、外部電極２は金属製であることから、発光素子５の光によって劣化することはなく、耐久性に優れる。
さらに第２の導電性部材６ｂに外部電極２ｂが接続されたのち、図１２の破線で示すように、隣接する発光素子５，５の間を発光素子５，５の間隔より細かいブレードでダイシングすることで、図１に示すような個々の光半導体装置１が形成される。
その後、例えば、バレルめっき法或いはめっき槽に含浸させることによって第１の外部電極２ａ、第２の外部電極２ｂの５面にめっき膜４を形成することができる。めっき膜としては、例えば、ニッケル−錫（Ｎｉ−Ｓｎ）めっきやニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきが好適に使用される。このめっき処理は、第１の外部電極２ａ、第２の外部電極２ｂの表面に単層でも良く、また、銀めっき、はんだめっき等を複数積層しても良い。特にはんだめっきを最も外側に使用することにより、光半導体装置１を基板と接続する際に用いられるはんだとの濡れ性が良くなる。
このように発光素子５の周囲を外囲器３によって封止するとともに、発光素子５に設けられた電極面が導電性部材６を介して一対の外部電極２と電気的に接続される構成を採用することによって、部品点数及び製造の工程数を削減して製造コストを低減させるとともに生産性の向上を図ることが可能な光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供することができる。
また、第１の外部電極２ａの第１の導電性部材６ａと接続される面（第１の接続面２ａ１）、或いは、第２の外部電極２ｂの第２の導電性部材６ｂと接続される面（第２の接続面２ｂ１）は、図２に示されているように、それぞれ発光素子５の第１の表面５ａ、或いは第２の表面５ｂと平行に対向するように形成される。従って、その周囲を封止する外囲器３を介して四方に出射されることになる。そのため、発光素子５の指向性を弱めることになり、発光素子５からの光は特にその出射の方向が限定されない。
さらに、外囲器３を用いて発光素子５を封止するため、この外囲器３が有する柔軟さにより光半導体装置１の製造時における発光素子５の損傷を回避することが可能となる。
なお、本発明の実施の形態における半導体装置は５面電極を採用することにより、上述した効果の他に、半導体装置を基板に実装した場合にはんだの接合状態を視認することができる、外部電極と基板との間のはんだが十分なフィレットを形成することができるため衝撃等の外力による破損が少なくなる等、５面電極を採用することによる実装時における優位な効果も併せて備えている点は改めて言うまでもない。
（第２の実施の形態）
次に本発明における第２の実施の形態について説明する。なお、第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、同一の構成要素の説明は重複するので省略する。
第１の実施の形態における光半導体装置１と第２の実施の形態における光半導体装置１１との間で相違する点は、外部電極の形状である。上述したように、第１の実施の形態における光半導体装置１では、一対の外部電極２の導電性部材６と接続される面（第１の接続面２ａ１、第２の接続面２ｂ１）は、それぞれ発光素子５の表面と平行となるように形成される。一方、第２の実施の形態における光半導体装置１１では、外部電極１２が導電性部材１６と接続される面（第１の接続面１２ａ１、第２の接続面１２ｂ１）は発光素子５の表面に対して斜めに対向する。
図１３は、本発明の第２の実施の形態における光半導体装置１１の全体を示す斜視図であり、図１４は、図１３に示す光半導体装置１１をＢ−Ｂ線で切断して表わしたＢ−Ｂ線断面図である。
図１３、或いは、図１４の断面図によりわかりやすく示されているように、第１の外部電極１２ａの第１の導電性部材１６ａとの接続面（第１の接続面１２ａ１）は斜めに形成されており、発光素子５の第１の表面５ａに対して斜めに対向している。また、第２の外部電極１２ｂの第２の導電性部材１６ｂとの接続面（第２の接続面１２ｂ１）も斜めに形成されており、発光素子５の第２の表面５ｂに対して斜めに対向している。
また導電性部材１６の外部電極１２と接続する面は、外部電極１２の第１の接続面１２ａ１、第２の接続面１２ｂ１の形状（傾き）に合わせて形成されている。また、発光素子５及び導電性部材１６を封止する外囲器１３の形状も、例えば図１４に示すような向きに光半導体装置１１を表わすと、外部電極１２の第１の接続面１２ａ１、第２の接続面１２ｂ１の形状（傾き）に合わせて略台形形状となる。
第１の外部電極１２ａ、第２の外部電極１２ｂが以上のように形成されていることから、発光素子５から発光される光は、第１の接続面１２ａ１、第２の接続面１２ｂ１に反射して図１４に示す矢印の方向に出射される。なお、第１の接続面１２ａ１、第２の接続面１２ｂ１の形状（傾き）は、任意に設定することができるのは言うまでもない。また、第１の接続面１２ａ１、第２の接続面１２ｂ１が発光素子５を挟んで互いに対称となるような向きに形成されていても、或いは、これら両者の形状（傾き）がそれぞれ異なるように形成されていても良い。
このような光半導体装置１１は、以下の工程によって製造される。なお、第１の実施の形態において説明した光半導体装置１の製造方法のうち、図３ないし図１０を用いて説明した工程は、光半導体装置１１の製造方法においても採用する工程であることから、以下ではその説明を省略する。
図１０で示したように、発光素子５及び第１の導電性部材１６ａ、第２の導電性部材１６ｂを外囲器１３によって封止される。その後、図１５に示すように、第１の外部電極１２ａと接続される第１の導電性部材１６ａ及び外囲器３の領域を研削する。この研削には、例えばレーザを利用、或いは、グラインダーを利用することができる。なお、図１５に示すαの角度が、外部電極１２ａが形成された際にリフレクタの角度となる。また、研削により現われた面（領域）が、第１の外部電極１２ａが形成された際に第１の導電性部材１６ａと第１の外部電極１２ａとの接続面（第１の接続面１２ａ１）となる。
この研削の後、所定の位置にマスクＭを置き第１の外部電極１２ａを形成する。第１の外部電極１２ａは、上述した第１の実施の形態における光半導体装置１の外部電極１２と同様、例えば電解めっき法によって形成され、例えば銅（Ｃｕ）が好適に用いられる。図１６は第１の外部電極１２ａが形成された状態を示している。
この後、図１７に示すように、第１の外部電極１２ａを形成するためのマスクＭを取り、第２の導電性部材１６ｂと接続される第２の外部電極１２ｂが形成される。第２の外部電極１２ｂの形成工程は第１の外部電極１２ａの形成工程と同一である。
第２の導電性部材１６ｂに外部電極１２ｂが接続されたのち、図１８の破線で示すように、隣接する発光素子５，５の間を発光素子５，５の間隔より細かいブレードでダイシングすることで、図１３に示すような光半導体装置１１が形成される。
その後、例えば、バレルめっき法或いはめっき槽に含浸させることによって第１の外部電極１２ａ、第２の外部電極１２ｂの５面にめっき膜４を形成する。
このように発光素子５の周囲を外囲器３によって封止するとともに、発光素子５に設けられた電極面が導電性部材６を介して一対の外部電極２と電気的に接続される構成を採用することによって、部品点数及び製造の工程数を削減して製造コストを低減させるとともに生産性の向上を図ることが可能な光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供することができる。
特に、外部電極１２を上述したような形状に形成することによって、発光素子５の光を所定の方向へと出射させることが可能になるため、より指向性のある光半導体装置を供給することができる。
なお、第１の実施の形態の光半導体装置１において得られる効果は、第２の実施の形態における光半導体装置１１においても同様に得ることができる。
なお、この発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
本発明の第１の実施の形態に係る光半導体装置の全体を示す斜視図である。 図１に示す光半導体装置をＡ−Ａ線で切断して示したＡ−Ａ線断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第１の工程図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第２の工程図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第３の工程図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第４の工程図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第５の工程図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第６の工程図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第７の工程図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第８の工程図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第９の工程図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第１０の工程図である。 本発明の第２の実施の形態に係る光半導体装置の全体を示す斜視図である。 図１３に示す光半導体装置をＢ−Ｂ線で切断して示したＢ−Ｂ線断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第１の工程図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第２の工程図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第３の工程図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第４の工程図である。 従来の光半導体装置を説明する断面図である。
符号の説明
１…光半導体装置、２…外部電極、２ａ１…第１の接続面、２ｂ１…第２の接続面、３…外囲器、４…めっき膜、５…発光素子、５ａ…第１の表面、５ｂ…第２の表面、５ａ１…第１の電極、５ｂ１…第２の電極、６…導電性部材、１１…光半導体装置、１２…外部電極、１３…外囲器。

Claims (7)

  1. 第１の表面に第１の電極が配設され、前記第１の表面と対向する第２の表面に第２の電極が配設された発光素子と、
    前記発光素子の第１の表面に接続された第１の導電性部材と、
    前記発光素子の第２の表面に接続された第２の導電性部材と、
    前記第１の導電性部材と接続される第１の外部電極と、
    前記第２の導電性部材と接続される第２の外部電極と、
    前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極の間において、前記発光素子、前記第１の導電性部材及び前記第２の導電性部材を封止するとともに、前記発光素子の光を透過させる外囲器と、
    を備えることを特徴とする光半導体装置。
  2. 前記第１の外部電極が前記第１の導電性部材と接続される第１の接続面は、前記発光素子の前記第１の表面に対して斜めに対向し、前記第２の外部電極が前記第２の導電性部材と接続される第２の接続面は、前記発光素子の前記第２の表面に対して斜めに対向するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
  3. 前記第１の接続面と前記第２の接続面とは前記発光素子を挟んで互いに対称の向きとなるように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光半導体装置。
  4. 前記外囲器は、蛍光体を含有するものであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の光半導体装置。
  5. 前記第１の外部電極及び第２の外部電極には、めっき処理がされていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の光半導体装置。
  6. 支持体上の発光素子ウエハを支持体に向けて切断し個々の発光素子へと個片化する工程と、
    前記支持体を伸張させて、前記発光素子を再配列させる工程と、
    前記発光素子上の第１の表面に配設される第１の電極上に第１の導電性部材を形成する工程と、
    前記発光素子及び前記第１の導電性部材を外囲器によって封止する工程と、
    前記支持体を外し、前記発光素子上の第２の表面に配設される第２の電極上に第２の導電性部材を形成する工程と、
    前記第２の電極及び前記第２の導電性部材を前記外囲器によって封止する工程と、
    前記第１の導電性部材に第１の外部電極を、前記第２の導電性部材に第２の外部電極を接続する工程と、
    隣接する前記発光素子の間でダイシングを行い、光半導体装置を個片化する工程と、
    前記第１の外部電極と前記第２の外部電極にめっき処理を行い、めっき膜を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
  7. 支持体上の発光素子ウエハを支持体に向けて切断し個々の発光素子へと個片化する工程と、
    前記支持体を伸張させて、前記発光素子を再配列させる工程と、
    前記発光素子上の第１の表面に配設される第１の電極上に第１の導電性部材を形成する工程と、
    前記発光素子及び前記第１の導電性部材を外囲器によって封止する工程と、
    前記支持体を外し、前記発光素子上の第２の表面に配設される第２の電極上に第２の導電性部材を形成する工程と、
    前記第２の電極及び前記第２の導電性部材を前記外囲器によって封止する工程と、
    前記第１の導電性部材と前記第１の導電性部材を封止する前記外囲器とを、前記第１の表面に対して斜めとなるように研削する工程と、
    前記切削面に第１の導電性部材と接続される第１の外部電極を形成する工程と、
    前記第２の導電性部材と前記第２の導電性部材を封止する前記外囲器とを、前記第２の表面に対して斜めとなるように研削する工程と、
    前記切削面に第２の導電性部材と接続される第２の外部電極を形成する工程と、
    隣接する前記発光素子の間でダイシングを行い、光半導体装置を個片化する工程と、
    前記第１の外部電極と前記第２の外部電極にめっき処理を行い、めっき膜を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
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