JP2010131806A - METHOD FOR DIVIDING AlTiC SUBSTRATE - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、アルチック基板をブロック、バー、又はチップに分割するアルチック基板の分割方法に関する。 The present invention relates to an artic substrate dividing method for dividing an artic substrate into blocks, bars, or chips.
アルミナと炭化チタンの焼成材であるアルチック(アルミナ・チタン・カーバイト複合セラミックス/ALTiC)は記録媒体(ハードディスク)用のヘッドスライダとして使用される。一般的には、ウエーハ形状に形成されたアルチック基板を切削ブレード等の切削手段を用いて所定寸法に切削して分割することで記憶媒体用のヘッドスライダを作成している。 Altic (alumina / titanium / carbite composite ceramics / ALTiC), which is a fired material of alumina and titanium carbide, is used as a head slider for a recording medium (hard disk). In general, a head slider for a storage medium is created by cutting an aluminum substrate formed in a wafer shape into a predetermined size using a cutting means such as a cutting blade and dividing it.
ところが、アルチックはその硬度がビッカース硬度で約2000と非常に硬質であるため、ダイヤモンド砥粒やCBN砥粒等の超砥粒を含む切削ブレードを使用しても切削には非常に時間がかかる。 However, since Altic has a very hard Vickers hardness of about 2000, even if a cutting blade containing superabrasive grains such as diamond abrasive grains or CBN abrasive grains is used, cutting takes a very long time.
また、アルチック基板を分割したチップを記憶媒体用ヘッドスライダとして使用するためには、切断面の面粗さを高精度に、例えば20nm以下の面精度に仕上げる必要があるため、通常、アルチック基板をチップへ分割するには非常に煩雑な工程を有する。 In addition, in order to use a chip obtained by dividing an Altic substrate as a head slider for a storage medium, it is necessary to finish the surface roughness of the cut surface with high accuracy, for example, surface accuracy of 20 nm or less. Dividing into chips has a very complicated process.
具体的には、アルチック基板を一度複数のブロックへと分割した後、各ブロックを適当なサイズの短冊状へと切り出し、この短冊側面を研磨した後、更に1チップ幅のバー形状に切り出し、その後チップへと分割する。1チップ幅のバーが切り出された残りの短冊は、切り出された切断面が研磨され、順次、1チップ幅のバーが切り出される。 Specifically, after the artic substrate is once divided into a plurality of blocks, each block is cut into a strip of an appropriate size, and after the side of this strip is polished, it is further cut into a bar shape of 1 chip width, Divide into chips. The remaining strip from which the 1-chip width bar is cut out is polished on the cut surface, and the 1-chip width bar is cut out sequentially.
このような加工を行う装置として、特開2001−277110号公報は、一台で切削手段による切削と、研磨手段による研磨とを行う加工装置を開示している。
しかし、特許文献1に開示されたような加工装置を以っても、切削ブレードでの切削では加工時間がかかり、更に、一度切削した後には十分な研磨が必要であるため、作業が非常に煩雑な上、作業工数がかかり、その結果記憶媒体用ヘッドスライダの生産コストが増大する要因となっている。
However, even with the processing device as disclosed in
一方、焼成材であるアルチックは結晶体と同じく、優れた劈開性を有するという特徴を持つ。 On the other hand, Altic, which is a calcined material, has a characteristic of having excellent cleaving properties, similar to a crystal.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、切断面の研磨工程を削減し、生産性を向上することのできるアルチック基板の分割方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such points, and the object of the present invention is to provide a method for dividing an Altic substrate that can reduce the polishing process of the cut surface and improve the productivity. is there.
本発明によると、分割予定ラインを有するアルチック基板の分割方法であって、該分割予定ラインに沿ってアルチック基板に対して吸収性を有するレーザビームを照射してレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成工程と、該レーザ加工溝に沿って該アルチック基板を劈開する劈開工程と、を具備したことを特徴とするアルチック基板の分割方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a method for dividing an Altic substrate having a planned dividing line, wherein the laser processed groove is formed by irradiating the Altic substrate with an absorptive laser beam along the planned divided line. There is provided a method for dividing an Altic substrate comprising a forming step and a cleavage step of cleaving the Altic substrate along the laser processing groove.
好ましくは、分割予定ラインは、アルチック基板を複数のバーに分割するバー形状分割予定ラインと、各バーを複数のチップに分割するチップ分割予定ラインとを含んでいる。好ましくは、レーザビームはアルチック基板の裏面側から入射され、レーザ加工溝はアルチック基板の裏面に開口して形成される。 Preferably, the division line includes a bar-shaped division line that divides the Altic substrate into a plurality of bars and a chip division line that divides each bar into a plurality of chips. Preferably, the laser beam is incident from the back surface side of the Altic substrate, and the laser processing groove is formed to open on the back surface of the Altic substrate.
好ましくは、アルチック基板の分割方法は、劈開工程実施後、アルチック基板のレーザビーム照射面からレーザ加工溝の深さに相当する厚みを除去するレーザ加工溝除去工程を更に含んでいる。レーザ加工溝除去工程は、研削、研磨、又はエッチングの何れかにより実施される。好ましくは、レーザ加工溝の深さはアルチック基板の厚みに対して5〜10%である。 Preferably, the method for dividing the Altic substrate further includes a laser processing groove removing step of removing a thickness corresponding to the depth of the laser processing groove from the laser beam irradiation surface of the Altic substrate after performing the cleavage step. The laser processing groove removing step is performed by any one of grinding, polishing, and etching. Preferably, the depth of the laser processing groove is 5 to 10% with respect to the thickness of the AlTiC substrate.
本発明のアルチック基板の分割方法によれば、アルチック基板に対して吸収性を有するレーザビームを分割予定ラインに沿って照射して分割予定ラインに沿ったレーザ加工溝を形成した後、レーザ加工溝に沿ってアルチック基板を劈開して個々のチップへと分割する。 According to the method for dividing an Altic substrate according to the present invention, after the laser beam having the absorptivity to the Altic substrate is irradiated along the planned dividing line to form the laser processed groove along the planned dividing line, Then, the Altic substrate is cleaved along and divided into individual chips.
レーザビームを用いることで切削ブレードを使用した加工に比べて加工時間の短縮が可能となる。また、アルチックの劈開面は高精度な面精度を有するため、研磨工程を必要とせず、生産性の向上を図ることができる。 By using a laser beam, processing time can be shortened compared to processing using a cutting blade. Further, the cleavage surface of Altic has high surface accuracy, so that a polishing step is not required and productivity can be improved.
請求項3記載の発明によると、アルチック基板の裏面側からレーザビームを入射することにより、アルチック基板に形成されたパターンやデバイスのレーザ照射による損傷を防止することができる。 According to the third aspect of the present invention, it is possible to prevent damage caused by laser irradiation of the pattern or device formed on the Altic substrate by making the laser beam incident from the back side of the Altic substrate.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明のアルチック基板の分割方法を実施するのに適したレーザ加工装置2の概略構成図を示している。まず、本発明のアルチック基板の分割方法を説明する前に、レーザ加工装置2の構成について説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of a
レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパスルモータ10から構成されるX軸送り手段12より一対のガイドレール14に沿ってX軸方向に移動される。
The
第1スライドブロック6上には支持ボックス16がY軸方向に移動可能に搭載されている。支持ボックス16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成されるY軸送り手段(割り出し送り手段)22により一対のガイドレール24に沿ってY軸方向に移動される。
A
支持ボックス16上にはチャックテーブル28が回転可能に搭載されている。図2に最もよく示されるように、支持ボックス16は概略U形状に形成されており、上板16aと、ガイドレール24上に搭載される下板16bと、上板16a及び下板16bを連結する連結板16cを含んでいる。上板16aにはチャックテーブル28の後述する嵌合凸部が回転可能に装着される円形開口17が形成されている。
A chuck table 28 is rotatably mounted on the
チャックテーブル28は環状支持部材62と、保持パッド74とを含んでいる。環状支持部材62は、嵌合凸部64と、嵌合凸部64より大径のベルト巻回部66と、嵌合凸部64と概略同一径の環状収容部68を含んでいる。
The chuck table 28 includes an
環状収容部68は保持パッド74の外形と概略同一の内径68a(図4参照)を有しており、環状収容部68の内側底部には保持パッド74を支持する環状支持部70が形成されている。
The
保持パッド74は、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、サファイア、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム等の透明物質から形成されており、その表面(保持面)74aに開口する多数の細孔76を有している。
The
図4を参照すると明らかなように、各細孔76は吸引溝78に連通しており、環状支持部材62の環状支持部70には保持パッド74の吸引溝78に連通する連通路72が形成されている。連通路72は真空吸引源80に接続されている。
As apparent from FIG. 4, each of the
保持パッド74を環状支持部材62の環状支持部70上に搭載し、環状支持部材62の嵌合凸部64を支持ボックス16の円形開口17中に嵌合すると、図3に示すようにチャックテーブル28が支持ボックス16に回転可能に搭載された状態となる。
When the
支持ボックス16の連結板16cにはモータ26が取り付けられており、モータ26の出力軸に連結されたプーリー27と環状支持部材62のベルト巻回部66とに渡りベルト30が巻回されている。モータ26を駆動すると、ベルト30を介してチャックテーブル28が回転される。
A
モータ26は例えばパルスモータから構成され、アライメント遂行時にモータ26を所定パルスで駆動すると、チャックテーブル28が所定量回転(θ回転)されて、図6に示したアルチック基板1の分割予定ライン(ストリート)3a,3b,3cのアライメントを行うことができる。
The
支持ボックス16の上板16aには、複数(本実施形態では4個)のフレーム支持台29が形成されており、これらのフレーム支持台29で後で説明する環状フレームを支持する。
A plurality of (four in this embodiment)
再び図1を参照すると、X軸送り手段12及びY軸送り手段22により加工送り手段23を構成する。よって、チャックテーブル28は、加工送り手段23によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。 Referring to FIG. 1 again, the machining feed means 23 is constituted by the X-axis feed means 12 and the Y-axis feed means 22. Therefore, the chuck table 28 can be moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the processing feed means 23.
静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にはレーザビーム発振手段34を収容したケーシング35が取り付けられている。レーザビーム発振手段34から発振されたレーザビームは、ケーシング35の先端に取り付けられた集光器(レーザ照射ヘッド)36の対物レンズによって集光されて、チャックテーブル28に保持されているアルチック基板に照射される。
A
ケーシング35の先端部には、集光器36とX軸方向に整列してレーザビームによりレーザ加工すべき加工領域を検出する第2撮像手段38が配設されている。第2撮像手段38は、可視光によって撮像する通常のCCD等の撮像素子の他に、ワークに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像はコントローラ40に送信される。
At the tip of the
コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムによって演算処理をする中央処理装置(CPU)42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ(ROM)44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)46と、カウンタ48と、入力インタフェース50と、出力インタフェース52とを備えている。
The
56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力インタフェース50に入力される。
60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と、第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インタフェース50に入力される。
第2撮像手段38で撮像した画像信号はコントローラ40の入力インタフェース50に入力される。一方、コントローラ50の出力インタフェース52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム発振手段34等に制御信号が出力される。
The image signal picked up by the second image pickup means 38 is input to the
レーザ加工装置2のベース4の所定箇所には、チャックテーブル28に保持されたアルチック基板を透明保持パッド74の下側から撮像する撮像手段(第1撮像手段)82が取り付けられている。
An image pickup means (first image pickup means) 82 for picking up an image of the AlTiC substrate held by the chuck table 28 from below the
図5に示すように、撮像手段82は低倍率カメラ86及び高倍率カメラ88を有するカメラユニット84を含んでいる。カメラユニット84の側面にはカメラユニット84での撮像時に撮像箇所を照明するための2個の照明装置90,92が取り付けられている。
As shown in FIG. 5, the imaging means 82 includes a
カメラユニット84は支持プレート94により支持され、支持プレート94の基端部はZ軸移動ブロック98に固定されている。レーザ加工装置2のベース4にはコラム96が立設されており、ボール螺子100及びパルスモータ102から構成されるZ軸移動手段104により、撮像手段82を構成するカメラユニット84は一対のガイドレール106に沿ってZ軸方向(上下方向)に移動される。
The
図6(A)を参照すると、レーザ加工装置2による加工対象であるアルチック基板1の表面側斜視図が示されている。アルチック基板1の表面1aにはアルチック基板1をブロック状に分割するブロック分割予定ライン3a、分割されたブロックをバー形状に分割するバー形状分割予定ライン3b、各バーをチップに分割するチップ分割予定ライン3cが形成されている。各バーをチップ分割予定ライン3cで分割すると、チップ5が得られる。
Referring to FIG. 6 (A), a perspective view of the surface side of the
図6(B)はブロック分割予定ライン3aのパターンが図6(A)と相違するアルチック基板1Aの表面側斜視図を示している。アルチック基板1Aも、ブロック分割予定ライン3a、バー形状分割予定ライン3b、チップ分割予定ライン3cを有している。
FIG. 6B shows a front perspective view of the
図1に示したレーザ加工装置2による加工では、アルチック基板1,1Aはその表面1a側を下にしてダイシングテープ(粘着テープ)Tに貼着され、ダイシングテープTの外周部は図7に示すように環状フレームFに貼着される。よって、アルチック基板1はその裏面1bを上にして図7の状態でチャックテーブル28上に搭載される。
In the processing by the
図8を参照すると、支持ボックス及びチャックテーブル部分の一部断面側面図が示されている。支持ボックス16は概略U形状をしているため、上板16aと下板16bを連結する連結板16cの反対側に撮像手段進入開口部19が画成されている。この図では、加工送り手段23は概略的に示されている。
Referring to FIG. 8, a partial cross-sectional side view of the support box and chuck table portion is shown. Since the
図9は図8のA部分の拡大一部断面図であり、アルチック基板1はその表面1aを下側にしてダイシングテープTに貼着され、環状フレームFがフレーム載置台29上に載置されている。
FIG. 9 is an enlarged partial cross-sectional view of a portion A in FIG. 8. The
上述したように、チャックテーブル28の保持パッド74はガラス等の透明物質から形成されており、複数の吸引溝78を有している。吸引溝78は環状支持部材62に形成された連通路72を介して真空吸引源80に接続されている(図4参照)。
As described above, the holding
図10に示すように、保持パッド74は、細孔又は吸引溝等の複数の吸引路が形成された吸引路形成領域74aと、吸引路の形成されていない十字形状の吸引路非形成領域74bと、吸引路の形成されていない外周領域74cとを有している。第1撮像手段82によるアルチック基板1の撮像は、ターゲットパターンをクリアに捕らえるために、吸引路非形成領域74bを通して行うのが好ましい。
As shown in FIG. 10, the holding
以下、第1撮像手段82を利用したアライメント作業について説明する。図8に示すように、フレーム載置台29上に環状フレームFを載置し、真空吸引源80を作動してチャックテーブル28の保持パッド74によりアルチック基板1を吸引保持する。
Hereinafter, an alignment operation using the
この状態で、X軸送り手段12及びY軸送り手段22を駆動して、図8に示すように第1撮像手段82を撮像手段進入開口部19を通して支持ボックス16内に進入させ、第1撮像手段82をアルチック基板1の直下に位置付ける。
In this state, the X-axis feeding means 12 and the Y-axis feeding means 22 are driven to cause the first imaging means 82 to enter the
第1撮像手段82がアルチック基板1の直下に位置付けられると、照明装置90又は92が点灯されてアルチック基板1を下から照明し、低倍率カメラ86又は高倍率カメラ88で透明パッド74を通してアルチック基板1の表面を撮像し、撮像した画像を図示しないLCD等のディスプレイに表示させる。
When the first imaging means 82 is positioned directly below the
撮像した画像に基づいて、ブロック分割予定ライン3a、バー形状分割予定ライン3b、チップ分割予定ライン3cを検出し、これらの値をコントローラ40のRAM46に記憶させておく。
Based on the captured image, the block division planned
アルチック基板1のブロック分割予定ライン3aに沿ったレーザ加工の際には、記憶させた画像と実際に第1撮像手段82により撮像されて取得した画像とのパターンマッチングを実施して、レーザ加工しようとするブロック分割予定ライン3aと集光器(レーザ照射ヘッド)36との位置合わせを行い、ブロック分割時のアライメントが完了する。
When performing laser processing along the block division scheduled
バー形状分割予定ライン3b及びチップ分割予定ライン3cについてもレーザ加工しようとするバー形状分割予定ライン3bとレーザ照射ヘッド36との位置合わせ、又はチップ分割予定ライン3cとレーザ照射ヘッド36との位置合わせを行い、バー分割時及びチップ分割時のアライメントが完了する。
Regarding the bar shape division planned
アライメントが完了すると、図11に示すようにレーザ照射ヘッド36でアルチック基板1を裏面1b側から照射し、アルチック基板1の内部に集光点37を形成する。集光点37はアルチック基板1の裏面1bからその厚さの5〜10%の深さに設定する。
When the alignment is completed, as shown in FIG. 11, the
本実施形態のレーザ加工溝形成工程の加工条件は、例えば以下の通りである。 The processing conditions of the laser processing groove forming step of the present embodiment are as follows, for example.
光源:YAG
波長:355nm
平均出力:6.2W
繰り返し周波数:15kHz
送り速度:50mm/s
集光スポット径:φ20μm
ここで、波長355nmのレーザビームはYAGレーザの第3高調波(THG)であり、アルチック基板1に対して吸収性を有している。レーザ照射ヘッド36で上述した条件のレーザビームを照射しながら、チャックテーブル28を図11でX1方向に50mm/sの送り速度で移動させると、図12に示すようにアルチック基板1の裏面1bにレーザ加工溝39が形成される。
Light source: YAG
Wavelength: 355nm
Average output: 6.2W
Repeat frequency: 15 kHz
Feeding speed: 50mm / s
Condensing spot diameter: φ20μm
Here, the laser beam having a wavelength of 355 nm is the third harmonic (THG) of the YAG laser, and has an absorptivity with respect to the
尚、レーザ加工溝39はブロックをバーに分割する際の加工溝に相当するが、ブロック加工溝又はチップ加工溝も同様に形成することができる。レーザ加工溝39の深さは、アルチック基板1の厚さの5〜10%であるのが好ましい。
The
このように本実施形態では、アルチック基板1の裏面側からレーザビームを入射させてレーザ加工溝39を形成するので、アルチック基板1に形成されたパターンやデバイスのレーザ照射による損傷を防止することができる。
As described above, in the present embodiment, since the
レーザ加工溝形成工程が終了すると、焼成材であるアルチック基板1は結晶体と同じく優れた劈開性を有しているので、図13に示した劈開工程を実施する。即ち、ダイシングテープTを介して環状フレームFで支持されたアルチック基板1の裏面1b側を開口112を有する支持テーブル110上に載置する。
When the laser-processed groove forming step is completed, since the
具体的には、アルチック基板1のレーザ加工溝39が開口112内に位置するようにアルチック基板1を支持テーブル110上に載置し、ブレーカ114を矢印A方向に急速に移動させてダイシングテープTを介してアルチック基板1に衝撃を加えると、アルチック基板1はレーザ加工溝39を起点として綺麗に劈開する。
Specifically, the
全てのレーザ加工溝39に対して劈開工程を実施すると、複数のバー43(図15参照)が得られる。図15で符号41は劈開部分である。劈開工程が終了すると、図14にその要部を示すような研削装置116を使用して、レーザ加工溝39に相当する深さのアルチック基板1の厚みを研削により除去する。
When the cleaving process is performed on all the laser processed
図14で118はチャックテーブル、120は研削ユニットである。研削ユニット120は、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル122の先端に形成されたマウンタ124に、複数の研削砥石128が環状に配列された研削ホイール126をボルト留めして構成されている。
In FIG. 14, 118 is a chuck table, and 120 is a grinding unit. The grinding
チャックテーブル118で環状フレームFに支持されたアルチック基板1を吸引保持し、チャックテーブル118を矢印A方向に例えば300rpmで回転させながら、研削ホイール126を矢印B方向に例えば6000rpmで回転させてアルチック基板1の裏面1bの研削を行い、レーザ加工溝39に相当する厚みを除去する。
The
これにより、レーザ加工による損傷部を除去し、抗折強度の低下等、チップの品質劣化を防止することができる。レーザ加工溝深さに相当する厚み領域はレーザ加工による損傷を受けているため、短時間で研削による除去が可能である。尚、レーザ加工溝深さに相当する厚みの除去は、図14に示した研削に代えて、研磨、又はエッチングの何れかによって実施してもよい。 Thereby, the damaged part by laser processing can be removed, and deterioration of chip quality, such as reduction in bending strength, can be prevented. Since the thickness region corresponding to the laser processing groove depth is damaged by laser processing, it can be removed by grinding in a short time. The removal of the thickness corresponding to the laser processing groove depth may be performed by either polishing or etching instead of the grinding shown in FIG.
レーザ加工溝深さに相当する厚みを除去した状態が図15に示されている。アルチック基板1が劈開部41で複数のバー43に分割されている。アルチック基板1はダイシングテープTに貼着されているため、劈開部41で複数のバー43に分割後も全体としてアルチック基板1の元の形状を維持している。尚、アルチック基板1の劈開面は非常に綺麗な鏡面となるため、従来必要であった研磨工程の時間を減少させることができるか、或いは完全に研磨工程を省略することができる。
FIG. 15 shows a state where the thickness corresponding to the laser processing groove depth is removed. The
本発明は以下のような2つのプロセスを含んでいる。第1のプロセスは、(1a)バー形状分割予定ライン3bのアライメント、(1b)バー形状分割予定ライン3bに沿ったレーザ加工溝39の形成、(1c)複数のバーに劈開、(1d)劈開されたバーを一本又は複数本環状フレームFに支持されたダイシングテープTに貼着、(1e)チップ分割予定ライン3cのアライメント、(1f)チップ分割予定ライン3cに沿ったレーザ加工溝39の形成、(1g)劈開により各チップへ個変化する各工程を含んでいる。
The present invention includes the following two processes. The first process consists of (1a) alignment of the bar-shaped division planned
第2のプロセスは、以下の工程を含んでいる。この第2のプロセスは図6(B)に示すようなパターンを有するアルチック基板1Aに適用される。
The second process includes the following steps. This second process is applied to an
(2a)ブロック分割予定ライン3aのアライメント、(2b)ブロック分割予定ライン3aに沿ったレーザ加工溝39の形成、(2c)ブロックに劈開、(2d)ブロックを一個乃至複数個環状フレームFに支持されたダイシングテープTに貼着、(2e)バー形状分割予定ライン3bのアライメント、(2f)バー形状分割予定ライン3bに沿ったレーザ加工溝39の形成、(2g)ブロックを複数のバーに劈開、(2h)バーを一個乃至複数個環状フレームFに支持されたダイシングテープTに貼着、(2i)チップ分割予定ライン3cのアライメント、(2j)チップ分割予定ライン3cに沿ったレーザ加工溝39の形成、(2k)劈開により各チップへ個変化。
(2a) Alignment of the block division planned
1,1A アルチック基板
2 レーザ加工装置
3a ブロック分割予定ライン
3b バー形状分割予定ライン
3c チップ分割予定ライン
5 チップ
28 チャックテーブル
36 集光器(レーザ照射ヘッド)
39 レーザ加工溝
41 劈開部
43 バー
74 保持パッド
82 第1撮像手段
110 支持テーブル
114 ブレーカ
1,
39
Claims (6)
該分割予定ラインに沿ってアルチック基板に対して吸収性を有するレーザビームを照射してレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成工程と、
該レーザ加工溝に沿って該アルチック基板を劈開する劈開工程と、
を具備したことを特徴とするアルチック基板の分割方法。 A method for dividing an Altic substrate having lines to be divided,
A laser processing groove forming step of forming a laser processing groove by irradiating the laser beam having an absorptivity with respect to the Altic substrate along the division line;
A cleavage step of cleaving the Altic substrate along the laser processed groove;
A method for dividing an Altic substrate, comprising:
該各バーを複数のチップに分割するチップ分割予定ラインとを含んでいる請求項1記載のアルチック基板の分割方法。 The division line is a bar-shaped division line that divides the Altic substrate into a plurality of bars;
2. A method for dividing an Altic substrate according to claim 1, further comprising a chip division scheduled line for dividing each bar into a plurality of chips.
前記レーザ加工溝はアルチック基板の裏面に開口して形成される請求項1又は2記載のアルチック基板の分割方法。 The laser beam is incident from the back side of the Altic substrate,
The method for dividing an artic substrate according to claim 1 or 2, wherein the laser processed groove is formed to be opened on a back surface of the artic substrate.
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07100672A (en) * | 1993-10-04 | 1995-04-18 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Working method for ceramics by laser beam |
JPH10223613A (en) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Mitsubishi Materials Corp | Formation of narrow through hole of silicon electrode plate for plasma etching |
JPH10305420A (en) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | Method for fabricating matrix made up of oxide single crystal and method for manufacturing functional device |
JP2000103667A (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Kyocera Corp | Al2O3-TiC-BASED SINTERED PRODUCT AND SUBSTRATE FOR THIN FILM MAGNETIC HEAD USING THE SAME ii |
JP2002178174A (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-25 | Daido Steel Co Ltd | Bat marking method and bat marking device |
JP2004160618A (en) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Seiko Epson Corp | Micro machine and method for manufacturing the same |
JP2007165625A (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting element and its manufacturing method |
-
2008
- 2008-12-03 JP JP2008308342A patent/JP2010131806A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07100672A (en) * | 1993-10-04 | 1995-04-18 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Working method for ceramics by laser beam |
JPH10223613A (en) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Mitsubishi Materials Corp | Formation of narrow through hole of silicon electrode plate for plasma etching |
JPH10305420A (en) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | Method for fabricating matrix made up of oxide single crystal and method for manufacturing functional device |
JP2000103667A (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Kyocera Corp | Al2O3-TiC-BASED SINTERED PRODUCT AND SUBSTRATE FOR THIN FILM MAGNETIC HEAD USING THE SAME ii |
JP2002178174A (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-25 | Daido Steel Co Ltd | Bat marking method and bat marking device |
JP2004160618A (en) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Seiko Epson Corp | Micro machine and method for manufacturing the same |
JP2007165625A (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting element and its manufacturing method |
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