JP2010129577A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板11と、半導体基板11を厚み方向に貫通して設けられた貫通電極17と、半導体基板11の表面の貫通電極17が到達する部分に設けられ、貫通電極17と電気的に接続された内部電極12と、内部電極12の一部を除外して半導体基板11の表面を覆う第一の保護膜13Aと、内部電極12の第一の保護膜13Aで覆われない部分に、第一の保護膜13Aと離間して設けられた第二の保護膜13Bと、半導体基板11の裏面に設けられ、貫通電極17と電気的に接続された金属配線18とを備える。
【選択図】図1
Description
まず、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造について、図面を参照しながら説明する。
図2、図3、および図4はそれぞれ、本発明の一実施形態にかかる第二の保護膜13Bの具体的な形状の一例を示す上面図および断面図である。
上述した構造を有する半導体装置10は、例えば次のような工程により製造できる。
上記では、半導体装置10において、貫通電極17から内部電極12への応力集中に対する内部電極12の耐性を強化すべく、内部電極12に第二の保護膜13Bを第一の保護膜13Aから離間して設ける構成について説明した。
11 半導体基板
12 内部電極
13A 第一の保護膜
13B 第二の保護膜
13C 第三の保護膜
17 貫通電極
17A 貫通電極が内部電極の裏面に接する領域
18 金属配線
19 絶縁層
20 外部電極
21 接着層
22 透明基板
100 固体撮像素子
100A 固体撮像装置
101 半導体基板
102 撮像領域
103 マイクロレンズ
104A 周辺回路領域
104B 電極部
105 接着部材
106 透明基板
107 貫通電極
108 金属配線
109 絶縁樹脂層
110 開口
111 外部電極
Claims (11)
- 半導体基板と、
前記半導体基板を厚み方向に貫通して設けられた貫通電極と、
前記半導体基板の第一の主面の前記貫通電極が到達する部分に設けられ、前記貫通電極と電気的に接続された内部電極と、
前記内部電極の一部を除外して前記第一の主面を覆う第一の保護膜と、
前記内部電極の前記第一の保護膜で覆われない部分に、前記第一の保護膜と離間して設けられた第二の保護膜と、
前記半導体基板の前記第一の主面とは反対側の第二の主面に設けられ、前記貫通電極と電気的に接続された金属配線と
を備える半導体装置。 - 前記第二の保護膜の面積は、前記貫通電極が前記内部電極に接する領域の面積よりも大きい
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第二の保護膜の形状は円形である
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第二の保護膜の形状は多角形である
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第二の保護膜の形状が円環状であり、前記第二の保護膜の外径は前記貫通電極が前記内部電極に接する領域の直径よりも大きく、前記第二の保護膜の内径は前記領域の前記直径よりも小さい
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第一の保護膜および前記第二の保護膜はいずれも無機材料である
請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第一の保護膜は無機材料であり、
前記第二の保護膜は有機材料である
請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、さらに、
前記内部電極上に設けられ、前記第一の保護膜と前記第二の保護膜との隙間の一部分を埋めるように第三の保護膜を備える
請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、さらに、
前記金属配線の一部を除外して前記第二の主面を覆う絶縁層を備える
請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、さらに、
前記金属配線の前記絶縁層で覆われていない部分に設けられ、前記金属配線と電気的に接続された外部電極を備える
請求項9に記載の半導体装置。 - 請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の半導体装置の前記金属配線または前記外部電極を、配線基板の表面に設けられた配線に電気的に接続してなる電子機器。
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2008140819A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2393299A2 (en) | 2010-06-07 | 2011-12-07 | Sony Corporation | Information display device and display image control method |
JP2017157751A (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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