JP2010128367A - Method for creating reticle layout data and device for creating reticle layout data - Google Patents
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Abstract
Description
レチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置に関するものである。 The present invention relates to a reticle layout data creation method and a reticle layout data creation apparatus.
従来、半導体チップは、一枚の半導体基板(ウェハ)上に複数形成される。このため、半導体チップを製造するプロセス工程では、ステッパー(露光装置)を使用したステップアンドリピートの方法でウェハへの露光処理が行われている。ステップアンドリピートの方法は、図6に示すように、レチクル60を図示しないステッパーに装着し、所定のショット位置に順次移動してウェハ上に露光処理が行われ、ウェハ上に露光パターン61a〜61dが順次露光される。 Conventionally, a plurality of semiconductor chips are formed on a single semiconductor substrate (wafer). For this reason, in the process step of manufacturing a semiconductor chip, the wafer is exposed by a step-and-repeat method using a stepper (exposure apparatus). As shown in FIG. 6, the step-and-repeat method includes mounting a reticle 60 on a stepper (not shown), sequentially moving to a predetermined shot position, and performing exposure processing on the wafer, and exposing patterns 61a to 61d on the wafer. Are sequentially exposed.
露光パターン61a〜61dは、半導体チップに搭載する回路のレイアウトデータに基づいたものである。露光パターン61a〜61dはプロセス工程毎に異なるため、レチクル60が複数必要になる。そして、ウェハ上に露光された露光パターン61a〜61dに基づいてプロセス処理を行い、半導体チップに搭載される回路を構成する半導体素子、配線及び電極などがウェハ上に形成される。そして、ウェハ上に形成された複数の半導体チップは、ダイシングブレードにて切断されることにより個々の半導体チップに分けられる。 The exposure patterns 61a to 61d are based on layout data of circuits mounted on the semiconductor chip. Since the exposure patterns 61a to 61d are different for each process step, a plurality of reticles 60 are required. Then, process processing is performed based on the exposure patterns 61a to 61d exposed on the wafer, and semiconductor elements, wirings, electrodes, and the like constituting a circuit mounted on the semiconductor chip are formed on the wafer. A plurality of semiconductor chips formed on the wafer are divided into individual semiconductor chips by cutting with a dicing blade.
ところで、近年の半導体チップの微細化に伴い、レチクルの製造コストが増大している。このため、従来、半導体チップの製造コストを削減するために、ダイシングブレードにてウェハを切断するため領域(スクライブ領域)の幅(スクライブ幅)を狭くして、1つのウェハから取得できる半導体チップの数を多くしている(特許文献1参照)。 Incidentally, with the recent miniaturization of semiconductor chips, the manufacturing cost of reticles has increased. For this reason, conventionally, in order to reduce the manufacturing cost of a semiconductor chip, the width (scribe width) of a region (scribe region) for cutting a wafer with a dicing blade is narrowed to obtain a semiconductor chip that can be obtained from one wafer. The number is increased (see Patent Document 1).
詳述すると、図7に示すように、1枚のレチクル(図示せず)による1回の露光にて露光される領域(レチクル領域)70a〜70dにおいて、第1スクライブ幅71は、ダイシングブレードにて切断できる最小な距離にしている。また、隣接する異なるレチクル領域70a〜70dの半導体チップ間の第2スクライブ幅72は、位置決めのためのアライメントマークなどを形成することのできる幅を持っている。なお、第2スクライブ幅72は、第1スクライブ幅71より広くなっている。
More specifically, as shown in FIG. 7, in the regions (reticle regions) 70 a to 70 d exposed by one exposure with a single reticle (not shown), the
従って、レチクル領域70a〜70dの第1スクライブ幅71が狭くなる分、1枚のウェハから取得できる半導体チップの数が多くなる。これにより、半導体チップ1個当たりの製造コストを削減している。
ところで、半導体チップの試作段階では、一般に特性評価に必要な個数のみを製造するため、製造する半導体チップの数が少ない。このため、半導体チップの試作段階では、1つのウェハに複数の種類の半導体チップを同時に形成し、半導体チップの製造コストのうち、レチクル及びウェハの製造コストを削減している。 By the way, in the trial production stage of a semiconductor chip, since only the number necessary for characteristic evaluation is generally manufactured, the number of semiconductor chips to be manufactured is small. For this reason, in the trial production stage of a semiconductor chip, a plurality of types of semiconductor chips are simultaneously formed on one wafer, and the manufacturing cost of the reticle and the wafer is reduced among the manufacturing costs of the semiconductor chip.
しかしながら、1つのウェハに複数の種類の半導体チップを同時に形成する場合、各半導体チップのスクライブ幅が異なる場合がある。スクライブ幅が異なる場合、そのスクライブ幅の作成方法は、従来では、同じ行方向又は列方向のスクライブ幅において、第1スクライブ幅71及び第2スクライブ幅72をそれぞれ一定にしている。そのため、同じ行方向又は列方向のスクライブ幅において、第1スクライブ幅71及び第2スクライブ幅72をそれぞれ一定にする必要性から、スクライブ幅が広い半導体チップは、スクライブ幅が狭い半導体チップのスクライブ幅に合せるようにしている。
However, when a plurality of types of semiconductor chips are simultaneously formed on one wafer, the scribe width of each semiconductor chip may be different. In the case where the scribe widths are different, conventionally, the scribe width is created by making the
しかしながら、1つのウェハに複数のスクライブ幅が異なる半導体チップを、上記のように、スクライブ幅が狭い半導体チップのスクライブ幅に合せて同時に形成した場合、ダイシングブレードにてウェハを切断するコスト(ダイシングコスト)が高くなる。 However, when a plurality of semiconductor chips having different scribe widths are simultaneously formed on one wafer according to the scribe width of a semiconductor chip having a narrow scribe width as described above, the cost of cutting the wafer with a dicing blade (dicing cost) ) Becomes higher.
つまり、スクライブ幅が異なると、使用するダイシングブレードが異なり、スクライブ幅が狭いほど、薄くて高精度の高価なダイシングブレードを使用しなければならなかった。しかも、スクライブ幅が狭くなると、最初にレーザーにてウェハに溝を掘ってからダイシングブレードにて切断しなくてはいけない場合があった。 That is, when the scribe width is different, the dicing blade to be used is different, and as the scribe width is narrow, an expensive dicing blade that is thin and highly accurate has to be used. In addition, when the scribe width is narrowed, it is sometimes necessary to first dig a groove in the wafer with a laser and then cut with a dicing blade.
このレチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置は、半導体チップに応じて異なるスクライブ幅を備えるレチクルレイアウトデータを作成することができることを目的とする。 An object of the reticle layout data creation method and reticle layout data creation apparatus is to be able to create reticle layout data having different scribe widths according to semiconductor chips.
このレチクルレイアウトデータ作成方法は、複数種類の半導体チップを半導体基板に形成する露光処理の工程において使用されるレチクルにおいて、前記各半導体チップのレチクルレイアウトデータが格子状に区画配置されるチップ領域と、前記チップ領域の外周に配置される外周スクライブ領域とを有するレチクルのレチクルレイアウトデータを作成するレチクルレイアウトデータ作成方法であって、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、実際にダイシングにて必要なスクライブ幅をそれぞれ設定する工程と、前記設定した実際にダイシングにおいて必要なスクライブ幅の二分の一の幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する工程とを有するようにした。 In this reticle layout data creation method, in a reticle used in an exposure process for forming a plurality of types of semiconductor chips on a semiconductor substrate, a chip region in which the reticle layout data of each semiconductor chip is partitioned and arranged in a grid pattern; A reticle layout data creation method for creating a reticle layout data of a reticle having an outer periphery scribe area arranged on an outer periphery of the chip area, and for actually dicing the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips. Each of the necessary scribe widths and a half width of the scribe width actually required for dicing are arranged on the outer periphery of the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips. Chip scribe area It was to have a process to create, respectively.
このレチクルレイアウトデータ作成方法によれば、チップスクライブ領域のスクライブ幅を異なる幅にすることができる。これにより、1つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載することができる。そして、1つのウェハに搭載される半導体チップのダイシング条件に応じて、ウェハを切断して半導体チップを取得することができる。 According to this reticle layout data creation method, the scribe width of the chip scribe area can be made different. Thereby, a plurality of semiconductor chips having different scribe widths can be mounted on one wafer. And according to the dicing conditions of the semiconductor chip mounted on one wafer, a wafer can be cut | disconnected and a semiconductor chip can be acquired.
開示されたレチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置は、半導体チップに応じて異なるスクライブ幅を備えるレチクルレイアウトデータを作成することができる。 The disclosed reticle layout data creation method and reticle layout data creation apparatus can create reticle layout data having different scribe widths according to semiconductor chips.
(第1実施形態)
以下、本発明を具体化した第1実施形態を図1〜図3に従って説明する。
図1は、レチクルレイアウトデータ作成装置10を示す。レチクルレイアウトデータ作成装置10は、入力装置11、処理装置12、表示装置13、第1及び第2記憶装置14a,14bを備えている。入力装置11は、処理装置12に後述する処理動作を指示するために使用される。表示装置13は、処理装置12で作成されたレチクルレイアウトデータを図形として表示する。処理装置12は、第1及び第2記憶装置14a,14bと接続されている。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
FIG. 1 shows a reticle layout
第1記憶装置14aには、半導体チップに搭載される回路のレイアウトデータ、処理プログラム、レチクル設計情報が格納されている。処理プログラムは、レチクルレイアウトデータを作成するためのプログラムである。レチクル設計情報は、スクライブ領域に配置する半導体チップを切断する際のマーク(ダイシングターゲットマーク)などのマークの配置制約条件、ウェハを切断する際に使用するダイシングブレード(ダイシング条件)毎のスクライブ幅(スクライブ作成条件)などを含む。
The
本実施形態では、スクライブ作成条件は、テクノロジ「1」〜「4」の4条件を備えている。因みに、テクノロジ「1」はスクライブ幅100um、テクノロジ「2」はスクライブ幅200um、テクノロジ「3」は300um、テクノロジ「4」は400umである。 In the present embodiment, the scribe creation conditions include four conditions of technologies “1” to “4”. Incidentally, the technology “1” has a scribe width of 100 μm, the technology “2” has a scribe width of 200 μm, the technology “3” has a 300 μm, and the technology “4” has a 400 μm.
また、第1記憶装置14aには、ライブラリデータが格納されている。このライブラリデータは、ダイシングターゲットマークのレイアウトデータを含む。そして、処理装置12は、第1記憶装置14aから各種データを必要に応じて読み込む。
The
第2記憶装置14bには、レチクルレイアウトデータを作成する処理中で作成したデータが一時的に格納される。また、第2記憶装置14bは仕様データテーブルを備え、レチクルに搭載される半導体チップの仕様データが格納されている。仕様データはチップの名前、中心座標、ダイシング条件を含む。そして、処理装置12は、第2記憶装置14bから格納されている各種データを必要に応じて格納又は読み込む。
The
次に、レチクルレイアウトデータ作成装置10が作成するレチクルレイアウトデータの概略構造について説明する。
図2は、レチクルレイアウトデータを説明するための概略構成図である。
Next, a schematic structure of reticle layout data created by the reticle layout
FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining reticle layout data.
図2に示すように、全体レチクルレイアウトデータ20は、チップ領域データ21、外周スクライブ領域データ22、遮光帯データ23にて構成されている。
チップ領域データ21は、半導体チップのレチクルレイアウトデータである第1〜第9チップデータA〜Iをそれぞれ配置するための、一点鎖線(チップサイズ枠)24にて囲まれる配置領域Za〜Ziを区画する領域(チップ領域Z1)のデータである。配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)は格子上に横3列、縦3列にて区画されている。第1〜第9チップデータA〜Iは、その配置領域Za〜Ziが全て同じサイズになっている。
As shown in FIG. 2, the entire
The
配置領域Za〜Ziは、それぞれ第1〜第9素子領域Za1〜Zi1と第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2からなる。第1〜第9素子領域Za1〜Zi1は、対応する配置領域Za〜Ziにおいて、半導体チップに搭載される回路を構成するための半導体素子、配線、ビア等のレチクルレイアウトデータが配置される領域である。第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2は、対応する配置領域Za〜Ziにおいて、ダイシングブレードにて切断される領域である。 The arrangement regions Za to Zi include first to ninth element regions Za1 to Zi1 and first to ninth chip scribe regions Za2 to Zi2, respectively. The first to ninth element regions Za1 to Zi1 are regions in which reticle layout data such as semiconductor elements, wirings, and vias for constituting a circuit mounted on a semiconductor chip are arranged in the corresponding arrangement regions Za to Zi. is there. The first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 are areas that are cut by a dicing blade in the corresponding arrangement areas Za to Zi.
従って、対応する配置領域Za〜Ziに配置される第1〜第9チップデータA〜Iは、第1〜第9素子領域Za1〜Zi1を指定する第1〜第9素子領域データ25a〜25iと第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2を指定する第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26iにてそれぞれ構成されている。
Accordingly, the first to ninth chip data A to I arranged in the corresponding arrangement regions Za to Zi are the first to ninth
対応する配置領域Za〜Ziに配置される第1〜第9チップデータA〜Iは、ダイシング条件が予め設定されて仕様データテーブルに格納されている。つまり、第1、第3、第5〜第8チップデータA,C,E〜Hは、テクノロジ「1」に設定されている。第2チップデータBは、テクノロジ「3」に設定されている。第4チップデータDは、テクノロジ「2」に設定されている。第9チップデータIは、テクノロジ「4」に設定されている。 The first to ninth chip data A to I arranged in the corresponding arrangement areas Za to Zi are stored in the specification data table with dicing conditions set in advance. That is, the first, third, fifth to eighth chip data A, C, E to H are set to the technology “1”. The second chip data B is set to technology “3”. The fourth chip data D is set to technology “2”. The ninth chip data I is set to technology “4”.
そして、本実施形態では、ウェハにおいて、隣接する第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2間の一点鎖線(チップサイズ枠)24に沿ってダイシングブレードにて切断される。このとき、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)のスクライブ幅は、それぞれ設定されたダイシング条件に基づいた例えばスクライブ幅の二分の一になっている。
In the present embodiment, the wafer is cut by a dicing blade along the alternate long and short dash line (chip size frame) 24 between the adjacent first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2. At this time, the scribe width of the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip
つまり、第1、第3、第5〜第8チップスクライブ領域Za2,Zc2,Ze2〜Zh2(第1、第3、第5〜第8チップスクライブ領域データ26a,26c,26e〜26h)のスクライブ幅は、50umである。また、第2チップスクライブ領域Zb2(第2チップスクライブ領域データ26b)のスクライブ幅は、150umである。さらに、第4チップスクライブ領域Zd2(第4チップスクライブ領域データ26d)のスクライブ幅は、100umである。第9チップスクライブ領域Zi2(第9チップスクライブ領域データ26i)のスクライブ幅は、200umである。
That is, the scribe width of the first, third, and fifth to eighth chip scribe areas Za2, Zc2, and Ze2 to Zh2 (first, third, and fifth to eighth chip
外周スクライブ領域データ22は、チップ領域Z1の外周においてダイシングブレードにて切断される外周スクライブ領域Z2を指定するデータである。外周スクライブ領域Z2は、ウェハにおいて、第1〜4及び第6〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zd2,Zf2〜Zi2との間の一点鎖線(チップサイズ枠)24に沿ってダイシングブレードにて切断される。
The outer periphery
外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)のスクライブ幅は、仕様データテーブルに格納されている第1〜第9チップデータA〜Iのダイシング条件のうち、最小のスクライブ幅のダイシング条件を選択され、その最小のスクライブ幅の二分の一になっている。本実施形態では、外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)のスクライブ幅は、テクノロジ「1」のスクライブ幅(100um)が最小なのでそのスクライブ幅(100um)の二分の一(50um)になっている。 The scribe width of the outer periphery scribe area Z2 (outer periphery scribe area data 22) is selected from the dicing conditions of the smallest scribe width among the dicing conditions of the first to ninth chip data A to I stored in the specification data table. , Has become half of its smallest scribe width. In the present embodiment, the scribe width of the outer scribe area Z2 (outer scribe area data 22) is ½ (50 um) of the scribe width (100 um) since the scribe width (100 um) of the technology “1” is the smallest. Yes.
遮光帯データ23は、ステッパーなどのウェハ露光装置でレチクルに形成された半導体チップに搭載される回路のレチクルレイアウトパターンをステップアンドリピート法によってウェハに転写する際に、隣接ショット間で光のもれによる二重露光を防ぐための遮光帯領域Z3を指定するデータである。遮光帯領域Z3(遮光帯データ23)の幅は、ステッパーの仕様により決まり、本実施形態の遮光帯領域Z3(遮光帯データ23)の幅は、400umになっている。
The
次に、本実施形態の全体レチクルレイアウトデータ20の作成処理について説明する。
第1〜第9素子領域Za1〜Zi1に配置される第1〜第9素子領域データ25a〜25iは、処理装置12によって、第1記憶装置14aに格納された半導体チップに搭載される回路のレイアウトデータに基づいて作成される。
Next, a process for creating the entire
The first to ninth
そして、処理装置12は、第1〜第9素子領域データ25a〜25i以外の全体レチクルレイアウトデータ20を構成する第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2の第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i、外周スクライブ領域Z2の外周スクライブ領域データ22及び遮光帯領域Z3の遮光帯データ23とを(フレームデータ)、処理装置12は、図3に示すステップ30〜39の処理を実行することで作成する。
Then, the
まず、ステップ30(パラメータ入力)において、処理装置12は、ユーザーが操作する入力装置11からの全体レチクルレイアウトデータ20に搭載される第1〜第9チップデータA〜Iの仕様データを第2記憶装置14bが備える仕様データテーブルに格納する。仕様データテーブルには、第1〜第9チップデータA〜Iの各仕様データが格納される。
First, in step 30 (parameter input), the
つぎに、ステップ31(チップ数カウント)において、処理装置12は、ステップ30において仕様データテーブルに格納した第1〜第9チップデータA〜Iの各仕様データを読み込む。そして、処理装置12は、読み込んだ第1〜第9チップデータA〜Iの各仕様データの数をカウントする。つまり、処理装置12は、全体レチクルレイアウトデータ20に搭載される第1〜第9チップデータA〜Iの数をカウントし、9チップとカウントする。
Next, in step 31 (chip count), the
ステップ32(スクライブ作成条件読み込み)において、処理装置12は、第1記憶装置14aに格納されているスクライブ作成条件を読み込む。
そして、ステップ33(チップスクライブデータ作成)において、処理装置12は、仕様データテーブルに格納されている仕様データのうち、最も早く格納され、且つステップ33以降の処理が未処理の仕様データを読み込む。
In step 32 (read scribe creation conditions), the
In step 33 (chip scribe data creation), the
本実施形態では、仕様データテーブルに第1チップデータAの仕様データから第9チップデータIの仕様データの順で格納されたため、処理装置12は、配置領域Zaに配置される第1チップデータAの仕様データを読み込む。そして、処理装置12は、第1チップデータAの仕様データのダイシング条件に対応した第1チップスクライブ領域Za2のスクライブ幅を、ステップ32において読み込んだスクライブ作成条件から選択する。そして、処理装置12は、選択した第1チップスクライブ領域Za2のスクライブ幅の第1チップスクライブ領域データ26aを作成する。
In this embodiment, since the specification data of the first chip data A to the specification data of the ninth chip data I are stored in the specification data table in the order, the
つまり、配置領域Zaに配置される第1チップデータAのダイシング条件であるテクノロジ「1」に対応したスクライブ幅100umに基づいて、第1チップデータAが配置されるチップサイズ枠24から選択したスクライブ幅(100um)の二分の一(50um)内側に第1チップスクライブ領域データ26aが作成される。
That is, the scribe selected from the
ステップ34(未処理のチップがあるか?)において、処理装置12は、ステップ32,33の処理を行っていない第1〜第9チップデータA〜Iがあるか否かを判定する。つまり、処理装置12は、ステップ31においてカウントしたチップデータ数の第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26iが作成されているか否かを判定する。そして、ステップ32,33の処理を行っていないチップがある場合(ステップ34でYES)には、ステップ32に移行する。
In step 34 (whether there is an unprocessed chip?), The
つまり、処理装置12は、ステップ31においてカウントしたチップデータ数の第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i(第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2)が全体レチクルレイアウトデータ20に配置されるまで、ステップ32〜34を繰り返し処理する。
That is, in the
そして、ステップ32,33の処理を行っていないチップがない場合(ステップ34でNO)には、処理装置12はステップ35に移行する。
ステップ35(最小スクライブ幅選択)において、処理装置12は、第2記憶装置14bに格納されている仕様データテーブルから第1〜第9チップデータA〜Iのダイシング条件を読み込む。そして、処理装置12は、読み込んだ第1〜第9チップデータA〜Iのダイシング条件のうち、最小のスクライブ幅のダイシング条件を選択する。つまり、処理装置12は、最小のスクライブ幅である第1、第3、第5〜第8チップデータA,C,E〜Hのスクライブ幅(100um)のテクノロジ「1」を選択する。
If there is no chip that has not performed the processing of steps 32 and 33 (NO in step 34), the
In step 35 (minimum scribe width selection), the
そして、ステップ36(外周スクライブデータ作成)において、処理装置12は、ステップ35において選択したテクノロジ「1」のスクライブ幅(100um)に基づいて、外周スクライブ領域データ22を作成する。つまり、処理装置12は、チップ領域Z1(チップ領域データ21)の外周に、ステップ35において選択したテクノロジ「1」のスクライブ幅(100um)の二分の一(50um)の外周スクライブ領域データ22を作成する。
In step 36 (peripheral scribe data creation), the
処理装置12は、作成した第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2の第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域Z2の外周スクライブ領域データ22を第2記憶装置14bに一時格納する。
The
ステップ37(遮光帯データ作成)において、処理装置12は、外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)の外周に、予め設定された幅400umの遮光帯領域Z3の遮光帯データ23を作成する。
In step 37 (shading zone data creation), the
ステップ38(データ合成)において、処理装置12は、ステップ36において第2記憶装置14bに格納した第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域データ22を読み込む。そして、処理装置12は、読み込んだ第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域データ22と、ステップ37において作成した遮光帯データ23とを合成して、フレームデータを作成する。
In step 38 (data synthesis), the
ステップ39(レイアウトデータ出力)において、処理装置12は、ステップ38において作成したフレームデータを出力して処理動作を終了する。
上記のようなレチクルレイアウトデータ作成装置10にて作成したレチクルを使用して作成されたウェハでは、以下に示す作用効果を得ることができる。
(1)第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)のスクライブ幅を異なる幅にすることができる。これにより、1つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載することができる。そして、1つのウェハに搭載される半導体チップのダイシング条件に応じて、ウェハを切断して半導体チップを取得することができる。
In step 39 (layout data output), the
The following effects can be obtained with a wafer created using the reticle created by the reticle layout
(1) The scribe widths of the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip
即ち、ダイシングブレードにてウェハを切断するダイシング装置は、第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域データ22に基づいて、ウェハを切断して半導体チップを取得する。従来では、列方向又は行方向のスクライブ幅を一定にしているため、1種類のダイシング条件に限られてしまう。本実施形態では、スクライブ幅を半導体チップのダイシング条件に応じた幅にしている。これにより、取得する半導体チップの最小のスクライブ幅のダイシング条件にてウェハを切断している。
That is, a dicing apparatus that cuts a wafer with a dicing blade cuts the wafer and acquires semiconductor chips based on the first to ninth chip
従って、スクライブ幅の広いダイシング条件の半導体チップだけを取得する場合、スクライブ幅の狭いダイシング条件の半導体チップに合せなくて良く、安価にウェハを切断することができる。 Therefore, when acquiring only semiconductor chips with dicing conditions with a wide scribe width, it is not necessary to match the semiconductor chips with dicing conditions with a narrow scribe width, and the wafer can be cut at low cost.
つまり、図2に示す第9チップデータI(テクノロジ「4」 スクライブ幅400um)に基づいて作成される半導体チップを取得する場合において、その他の第1〜第8チップデータA〜Hに基づいて作成される半導体チップを取得しないとき、テクノロジ「4」のダイシング条件にてウェハを切断すれば良く、安価にウェハを切断することができる。 That is, when acquiring a semiconductor chip created based on the ninth chip data I (technology “4” scribe width 400 μm) shown in FIG. 2, created based on the other first to eighth chip data A to H. When the obtained semiconductor chip is not acquired, the wafer may be cut under the dicing condition of technology “4”, and the wafer can be cut at low cost.
(第2実施形態)
以下、本発明を具体化した第2実施形態を図4及び図5に従って説明する。第1実施形態では、処理装置12は、フレームデータを作成していた。第2実施形態では、第1実施形態において作成したフレームデータに対して、ダイシングターゲットマークを備えている。そのため、その相違点のみを説明の便宜上説明する。
(Second Embodiment)
A second embodiment embodying the present invention will be described below with reference to FIGS. In the first embodiment, the
図4は、全体レチクルレイアウトデータ20aを説明するための概略構成図である。
ターゲットマークの配置方法の説明のため、第4チップデータはテクノロジ「1」の設定とする。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining the entire
For the description of the target mark arrangement method, the fourth chip data is set to technology “1”.
図4に示すように、全体レチクルレイアウトデータ20aは、第1及び第2ダイシングターゲットマーク41,42を備えている。第1ダイシングターゲットマーク41は、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅が異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)の隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)においては、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所に配置される。例えば第7チップスクライブ領域Zg2(第7チップスクライブ領域データ26g)とステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域の第9チップスクライブ領域Zi2(第9チップスクライブ領域データ26i)でスクライブ幅が異なる箇所に配置され、ウェハを切断する際にマークとなるものである。そして、第1ダイシングターゲットマーク41は、隣接する第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅が異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)の隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所における、チップサイズ枠24の1辺の両端に配置されている。
As shown in FIG. 4, the entire
なお、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i))の隣接するスクライブ幅が同じ箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所には、第1ダイシングターゲットマーク41が無くてもウェハを切断可能なため、全体レチクルレイアウトデータ20aは、第1ダイシングターゲットマーク41を備えない。
The adjacent scribe widths of the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip
第2ダイシングターゲットマーク42は、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内において、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が配置されていない箇所に配置され、ウェハを切断する際にマークとなるものである。本実施形態では、配置領域Ze,Zh(第5及び第8チップデータE,H)のチップサイズが小さいため、配置領域Ze,Zh(第5及び第8チップデータE,H)の右隣に配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置になっている。このため、未配置の領域50の四つ角に第2ダイシングターゲットマーク42が配置されている。なお、未配置の領域50の四つ角に第1ダイシングターゲットマーク41が配置されている場合、第1ダイシングターゲットマーク41が優先され、第2ダイシングターゲットマーク42は配置されない。
The second
次に、本実施形態の全体レチクルレイアウトデータ20aの作成処理について説明する。
処理装置12は、第1実施形態と同様に、ステップ30〜ステップ38における処理を行うことで第1及び第2ダイシングターゲットマーク41,42を備えたフレームデータを作成する。
Next, a process for creating the entire
As in the first embodiment, the
そして、ステップ51(スクライブ幅の異なるスクライブデータが隣接する箇所があるか?)において、処理装置12は、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅の異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所があるか否か判定する。第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅の異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe〜Zi2(第1〜第4及び第6〜台9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所がある場合(ステップ51でYES)には、ステップ52に移行する。
In step 51 (is there a place where scribe data having different scribe widths are adjacent to each other), the
ステップ52(第1ダイシングターゲットマーク配置)において、処理装置12は、ステップ51において第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅が異なると外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所に対して、その異なる箇所に配置されているチップサイズ枠24の一辺の両端に、第1ダイシングターゲットマーク41を配置した後に、ステップ53に移行する。
In step 52 (first dicing target mark arrangement), the
一方、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅の異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所がない場合(ステップ51でNO)には、ステップ53に移行する。
On the other hand, the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip
そして、ステップ53(チップデータが未配置の領域があるか?)において、処理装置12は、チップ領域Z1(チップ領域データ21)において、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域があるか否かを判定する。そして、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内に、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域がある場合(ステップ53でYES)には、ステップ54に移行する。
In step 53 (is there an area in which chip data is not arranged?), The
ステップ54(第2ダイシングターゲットマーク配置)において、処理装置12は、チップ領域Z1(チップ領域データ21)において、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域50の四つ角に第2ダイシングターゲットマーク42を配置した後、ステップ55に移行する。
In step 54 (second dicing target mark arrangement), the
一方、チップ領域Z1(チップ領域データ21)において、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域がない場合(ステップ53でNO)には、ステップ55に移行する。 On the other hand, in the chip area Z1 (chip area data 21), if there is no area where the arrangement areas Za to Zi (first to ninth chip data A to I) are not arranged (NO in step 53), the process proceeds to step 55. Transition.
ステップ55(レチクルレイアウトデータ出力)において、処理装置12は、フレームデータを出力する。
上記のようなレチクルレイアウトデータ作成装置10にて作成したレチクルを使用して作成されたウェハでは、以下に示す作用効果を得ることができる。
In step 55 (reticle layout data output), the
The following effects can be obtained with a wafer created using the reticle created by the reticle layout
(1)全体レチクルレイアウトデータ20aに第1ダイシングターゲットマーク41を配置することができる。これにより、1つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載する場合、隣接する半導体チップのスクライブ幅が異なる箇所を精度良くウェハを切断することができる。
(1) The first
つまり、ダイシング装置は、第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域データ22に基づいて、スクライブ幅の中心に沿ってウェハを切断している。隣接する半導体チップのスクライブ幅が異なる場合、スクライブ幅の中心に沿ってウェハを切断すると、ダイシングブレードにてウェハを切断する領域(スクライブ領域)が第1〜第9素子領域Za1〜Zi1(第1〜第9素子領域データ25a〜25i)にかかってしまい、第1〜第9素子領域Za1〜Zi1(第1〜第9素子領域データ25a〜25i)を切断してしまう可能性がある。この場合には、チップサイズ枠上に第1ダイシングターゲットマーク41を配置することで、隣接する半導体チップ間のチップサイズ枠に沿ってウェハを切断している。
(2)全体レチクルレイアウトデータ20aに第2ダイシングターゲットマーク42を配置することができる。これにより、1つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載する場合、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内の配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域50を精度良くウェハを切断することができる。
That is, the dicing apparatus cuts the wafer along the center of the scribe width based on the first to ninth chip
(2) The second
つまり、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内の配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域50には、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)及び外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)がないため、ダイシング装置は、その未配置の領域50を切断しない。このため、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内の配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域50に第2ダイシングターゲットマーク42を配置することで、その未配置の領域50を切断している。
That is, in the
尚、上記実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)は、仕様データテーブルに格納されている第1〜第9チップデータA〜Iのダイシング条件のうち、最小のスクライブ幅のダイシング条件を選択し、その最小のスクライブ幅の二分の一になっている。これに限らず、その他のスクライブ幅のダイシング条件を選択し、そのスクライブ幅の二分の一にしてもよい。
In addition, you may implement the said embodiment in the following aspects.
In the above embodiment, the outer periphery scribe area Z2 (outer periphery scribe area data 22) is the dicing condition of the smallest scribe width among the dicing conditions of the first to ninth chip data A to I stored in the specification data table. Select and have become half of its minimum scribe width. However, the present invention is not limited to this, and dicing conditions for other scribe widths may be selected and ½ of the scribe width.
・上記実施形態において、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)は、それぞれ設定されたダイシング条件に基づいたスクライブ幅の二分の一になっている。これに限らず、設定されたダイシング条件に基づいたスクライブ幅の二分の一より狭いスクライブ幅にしてもよい。
In the above embodiment, the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip
20,20a レチクルレイアウトデータ
Za2〜Zi2 チップスクライブ領域
Z2 外周スクライブ領域
41,42 ダイシングターゲットマーク
A〜I 半導体チップのレチクルレイアウトデータ
50 未配置領域
20, 20a Reticle layout data Za2 to Zi2 Chip scribe area Z2
Claims (6)
前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、スクライブ幅をそれぞれ設定する工程と、
前記設定したスクライブ幅よりも小さい幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。 In a reticle used in an exposure process for forming a plurality of types of semiconductor chips on a semiconductor substrate, the reticle layout data of each semiconductor chip is arranged in a grid pattern, and arranged on the outer periphery of the chip area A reticle layout data creation method for creating reticle layout data of a reticle having an outer peripheral scribe area,
A step of setting a scribe width for reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips,
A reticle layout data having a width smaller than the set scribe width, and creating a chip scribe area arranged on the outer periphery of the plurality of types of semiconductor chip reticle layout data. How to make.
前記設定したスクライブ幅のうち、最も小さい前記スクライブ幅を選択する工程と、
前記選択した最も小さいスクライブ幅の二分の一の幅で、前記外周スクライブ領域の幅を設定して前記外周スクライブ領域を作成する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。 In the reticle layout data creation method according to claim 1,
Selecting the smallest scribe width among the set scribe widths;
And a step of setting the width of the outer periphery scribe region by a width that is a half of the selected smallest scribe width and generating the outer periphery scribe region.
前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが隣接する箇所において、前記チップスクライブ領域の幅が異なる箇所があるか否かを判定する工程と、
前記判定にて、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが隣接する箇所において、前記チップスクライブ領域の幅が異なる箇所がある場合には、前記チップスクライブ領域の幅が異なる箇所に、ダイシングの際に基準となるダイシングターゲットマークを配置する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。 In the reticle layout data creation method according to claim 1,
A step of determining whether or not there is a portion where the width of the chip scribe region is different in a portion where the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips is adjacent;
In the determination, if there is a portion where the width of the chip scribe region is different in a portion where the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips are adjacent, the portion where the width of the chip scribe region is different is dicing. And a step of placing a reference dicing target mark on the reticle layout data.
前記チップ領域において、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが配置されていない領域があるか否かを判定する工程と、
前記判定にて、前記チップ領域において、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが配置されていない領域がある場合、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが配置されていない領域に、ダイシングの際に基準となるダイシングターゲットマークを配置する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。 In the reticle layout data creation method according to claim 1,
Determining whether there is an area where reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips is not arranged in the chip area;
In the determination, if there is a region where the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips is not arranged in the chip region, dicing is performed in a region where the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips is not arranged. And a step of arranging a dicing target mark serving as a reference when the reticle layout data is created.
前記チップスクライブ領域は、前記設定したスクライブ幅の二分一の幅で作成されることを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。 In the reticle layout data creation method according to claim 1,
The reticle layout data creation method, wherein the chip scribe area is created with a width that is a half of the set scribe width.
前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、スクライブ幅をそれぞれ設定する手段と、
前記設定したスクライブ幅の二分の一の幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する手段と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成装置。 In a reticle used in an exposure process for forming a plurality of types of semiconductor chips on a semiconductor substrate, the reticle layout data of each semiconductor chip is arranged in a grid pattern, and arranged on the outer periphery of the chip area A reticle layout data creation device for creating reticle layout data of a reticle having an outer peripheral scribe area,
Means for respectively setting a scribe width for reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips;
Means for creating chip scribe areas arranged on the outer periphery of the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips, each having a width that is a half of the set scribe width. Layout data creation device.
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