JP2010128367A - Method for creating reticle layout data and device for creating reticle layout data - Google Patents

Method for creating reticle layout data and device for creating reticle layout data Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To create reticle layout data having various scribe widths in accordance with semiconductor chips, and to provide a method for creating reticle layout data and a device for creating reticle layout data. <P>SOLUTION: Scribe widths actually necessary for dicing are set for the reticle layout data of a plurality of types of semiconductor chips. A chip scribe region to be laid around each chip is created to have a half of the set scribe width actually necessary for dicing, with respect to the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

レチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置に関するものである。   The present invention relates to a reticle layout data creation method and a reticle layout data creation apparatus.

従来、半導体チップは、一枚の半導体基板(ウェハ)上に複数形成される。このため、半導体チップを製造するプロセス工程では、ステッパー(露光装置)を使用したステップアンドリピートの方法でウェハへの露光処理が行われている。ステップアンドリピートの方法は、図6に示すように、レチクル60を図示しないステッパーに装着し、所定のショット位置に順次移動してウェハ上に露光処理が行われ、ウェハ上に露光パターン61a〜61dが順次露光される。   Conventionally, a plurality of semiconductor chips are formed on a single semiconductor substrate (wafer). For this reason, in the process step of manufacturing a semiconductor chip, the wafer is exposed by a step-and-repeat method using a stepper (exposure apparatus). As shown in FIG. 6, the step-and-repeat method includes mounting a reticle 60 on a stepper (not shown), sequentially moving to a predetermined shot position, and performing exposure processing on the wafer, and exposing patterns 61a to 61d on the wafer. Are sequentially exposed.

露光パターン61a〜61dは、半導体チップに搭載する回路のレイアウトデータに基づいたものである。露光パターン61a〜61dはプロセス工程毎に異なるため、レチクル60が複数必要になる。そして、ウェハ上に露光された露光パターン61a〜61dに基づいてプロセス処理を行い、半導体チップに搭載される回路を構成する半導体素子、配線及び電極などがウェハ上に形成される。そして、ウェハ上に形成された複数の半導体チップは、ダイシングブレードにて切断されることにより個々の半導体チップに分けられる。   The exposure patterns 61a to 61d are based on layout data of circuits mounted on the semiconductor chip. Since the exposure patterns 61a to 61d are different for each process step, a plurality of reticles 60 are required. Then, process processing is performed based on the exposure patterns 61a to 61d exposed on the wafer, and semiconductor elements, wirings, electrodes, and the like constituting a circuit mounted on the semiconductor chip are formed on the wafer. A plurality of semiconductor chips formed on the wafer are divided into individual semiconductor chips by cutting with a dicing blade.

ところで、近年の半導体チップの微細化に伴い、レチクルの製造コストが増大している。このため、従来、半導体チップの製造コストを削減するために、ダイシングブレードにてウェハを切断するため領域(スクライブ領域)の幅(スクライブ幅)を狭くして、1つのウェハから取得できる半導体チップの数を多くしている(特許文献1参照)。   Incidentally, with the recent miniaturization of semiconductor chips, the manufacturing cost of reticles has increased. For this reason, conventionally, in order to reduce the manufacturing cost of a semiconductor chip, the width (scribe width) of a region (scribe region) for cutting a wafer with a dicing blade is narrowed to obtain a semiconductor chip that can be obtained from one wafer. The number is increased (see Patent Document 1).

詳述すると、図7に示すように、1枚のレチクル(図示せず)による1回の露光にて露光される領域(レチクル領域)70a〜70dにおいて、第1スクライブ幅71は、ダイシングブレードにて切断できる最小な距離にしている。また、隣接する異なるレチクル領域70a〜70dの半導体チップ間の第2スクライブ幅72は、位置決めのためのアライメントマークなどを形成することのできる幅を持っている。なお、第2スクライブ幅72は、第1スクライブ幅71より広くなっている。   More specifically, as shown in FIG. 7, in the regions (reticle regions) 70 a to 70 d exposed by one exposure with a single reticle (not shown), the first scribe width 71 is formed on the dicing blade. The minimum distance that can be cut. Further, the second scribe width 72 between the semiconductor chips of the different adjacent reticle regions 70a to 70d has a width that can form an alignment mark for positioning. The second scribe width 72 is wider than the first scribe width 71.

従って、レチクル領域70a〜70dの第1スクライブ幅71が狭くなる分、1枚のウェハから取得できる半導体チップの数が多くなる。これにより、半導体チップ1個当たりの製造コストを削減している。
特開2006−140294号公報
Accordingly, the number of semiconductor chips that can be obtained from one wafer increases as the first scribe width 71 of the reticle regions 70a to 70d decreases. Thereby, the manufacturing cost per semiconductor chip is reduced.
JP 2006-140294 A

ところで、半導体チップの試作段階では、一般に特性評価に必要な個数のみを製造するため、製造する半導体チップの数が少ない。このため、半導体チップの試作段階では、1つのウェハに複数の種類の半導体チップを同時に形成し、半導体チップの製造コストのうち、レチクル及びウェハの製造コストを削減している。   By the way, in the trial production stage of a semiconductor chip, since only the number necessary for characteristic evaluation is generally manufactured, the number of semiconductor chips to be manufactured is small. For this reason, in the trial production stage of a semiconductor chip, a plurality of types of semiconductor chips are simultaneously formed on one wafer, and the manufacturing cost of the reticle and the wafer is reduced among the manufacturing costs of the semiconductor chip.

しかしながら、1つのウェハに複数の種類の半導体チップを同時に形成する場合、各半導体チップのスクライブ幅が異なる場合がある。スクライブ幅が異なる場合、そのスクライブ幅の作成方法は、従来では、同じ行方向又は列方向のスクライブ幅において、第1スクライブ幅71及び第2スクライブ幅72をそれぞれ一定にしている。そのため、同じ行方向又は列方向のスクライブ幅において、第1スクライブ幅71及び第2スクライブ幅72をそれぞれ一定にする必要性から、スクライブ幅が広い半導体チップは、スクライブ幅が狭い半導体チップのスクライブ幅に合せるようにしている。   However, when a plurality of types of semiconductor chips are simultaneously formed on one wafer, the scribe width of each semiconductor chip may be different. In the case where the scribe widths are different, conventionally, the scribe width is created by making the first scribe width 71 and the second scribe width 72 constant in the same row direction or column direction scribe width. Therefore, since it is necessary to make the first scribe width 71 and the second scribe width 72 constant in the same scribe width in the row direction or the column direction, a semiconductor chip with a wide scribe width is a scribe width of a semiconductor chip with a narrow scribe width. To match.

しかしながら、1つのウェハに複数のスクライブ幅が異なる半導体チップを、上記のように、スクライブ幅が狭い半導体チップのスクライブ幅に合せて同時に形成した場合、ダイシングブレードにてウェハを切断するコスト(ダイシングコスト)が高くなる。   However, when a plurality of semiconductor chips having different scribe widths are simultaneously formed on one wafer according to the scribe width of a semiconductor chip having a narrow scribe width as described above, the cost of cutting the wafer with a dicing blade (dicing cost) ) Becomes higher.

つまり、スクライブ幅が異なると、使用するダイシングブレードが異なり、スクライブ幅が狭いほど、薄くて高精度の高価なダイシングブレードを使用しなければならなかった。しかも、スクライブ幅が狭くなると、最初にレーザーにてウェハに溝を掘ってからダイシングブレードにて切断しなくてはいけない場合があった。   That is, when the scribe width is different, the dicing blade to be used is different, and as the scribe width is narrow, an expensive dicing blade that is thin and highly accurate has to be used. In addition, when the scribe width is narrowed, it is sometimes necessary to first dig a groove in the wafer with a laser and then cut with a dicing blade.

このレチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置は、半導体チップに応じて異なるスクライブ幅を備えるレチクルレイアウトデータを作成することができることを目的とする。   An object of the reticle layout data creation method and reticle layout data creation apparatus is to be able to create reticle layout data having different scribe widths according to semiconductor chips.

このレチクルレイアウトデータ作成方法は、複数種類の半導体チップを半導体基板に形成する露光処理の工程において使用されるレチクルにおいて、前記各半導体チップのレチクルレイアウトデータが格子状に区画配置されるチップ領域と、前記チップ領域の外周に配置される外周スクライブ領域とを有するレチクルのレチクルレイアウトデータを作成するレチクルレイアウトデータ作成方法であって、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、実際にダイシングにて必要なスクライブ幅をそれぞれ設定する工程と、前記設定した実際にダイシングにおいて必要なスクライブ幅の二分の一の幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する工程とを有するようにした。   In this reticle layout data creation method, in a reticle used in an exposure process for forming a plurality of types of semiconductor chips on a semiconductor substrate, a chip region in which the reticle layout data of each semiconductor chip is partitioned and arranged in a grid pattern; A reticle layout data creation method for creating a reticle layout data of a reticle having an outer periphery scribe area arranged on an outer periphery of the chip area, and for actually dicing the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips. Each of the necessary scribe widths and a half width of the scribe width actually required for dicing are arranged on the outer periphery of the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips. Chip scribe area It was to have a process to create, respectively.

このレチクルレイアウトデータ作成方法によれば、チップスクライブ領域のスクライブ幅を異なる幅にすることができる。これにより、1つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載することができる。そして、1つのウェハに搭載される半導体チップのダイシング条件に応じて、ウェハを切断して半導体チップを取得することができる。   According to this reticle layout data creation method, the scribe width of the chip scribe area can be made different. Thereby, a plurality of semiconductor chips having different scribe widths can be mounted on one wafer. And according to the dicing conditions of the semiconductor chip mounted on one wafer, a wafer can be cut | disconnected and a semiconductor chip can be acquired.

開示されたレチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置は、半導体チップに応じて異なるスクライブ幅を備えるレチクルレイアウトデータを作成することができる。   The disclosed reticle layout data creation method and reticle layout data creation apparatus can create reticle layout data having different scribe widths according to semiconductor chips.

(第1実施形態)
以下、本発明を具体化した第1実施形態を図1〜図3に従って説明する。
図1は、レチクルレイアウトデータ作成装置10を示す。レチクルレイアウトデータ作成装置10は、入力装置11、処理装置12、表示装置13、第1及び第2記憶装置14a,14bを備えている。入力装置11は、処理装置12に後述する処理動作を指示するために使用される。表示装置13は、処理装置12で作成されたレチクルレイアウトデータを図形として表示する。処理装置12は、第1及び第2記憶装置14a,14bと接続されている。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
FIG. 1 shows a reticle layout data creation device 10. The reticle layout data creation device 10 includes an input device 11, a processing device 12, a display device 13, and first and second storage devices 14a and 14b. The input device 11 is used to instruct the processing device 12 to perform processing operations described later. The display device 13 displays the reticle layout data created by the processing device 12 as a figure. The processing device 12 is connected to the first and second storage devices 14a and 14b.

第1記憶装置14aには、半導体チップに搭載される回路のレイアウトデータ、処理プログラム、レチクル設計情報が格納されている。処理プログラムは、レチクルレイアウトデータを作成するためのプログラムである。レチクル設計情報は、スクライブ領域に配置する半導体チップを切断する際のマーク(ダイシングターゲットマーク)などのマークの配置制約条件、ウェハを切断する際に使用するダイシングブレード(ダイシング条件)毎のスクライブ幅(スクライブ作成条件)などを含む。   The first storage device 14a stores circuit layout data, a processing program, and reticle design information for a circuit mounted on a semiconductor chip. The processing program is a program for creating reticle layout data. Reticle design information includes mark placement constraint conditions such as marks (dicing target marks) when cutting semiconductor chips placed in the scribe area, and scribe widths (dicing conditions) for each dicing blade (dicing conditions) used when cutting the wafer. Scribe creation conditions).

本実施形態では、スクライブ作成条件は、テクノロジ「1」〜「4」の4条件を備えている。因みに、テクノロジ「1」はスクライブ幅100um、テクノロジ「2」はスクライブ幅200um、テクノロジ「3」は300um、テクノロジ「4」は400umである。   In the present embodiment, the scribe creation conditions include four conditions of technologies “1” to “4”. Incidentally, the technology “1” has a scribe width of 100 μm, the technology “2” has a scribe width of 200 μm, the technology “3” has a 300 μm, and the technology “4” has a 400 μm.

また、第1記憶装置14aには、ライブラリデータが格納されている。このライブラリデータは、ダイシングターゲットマークのレイアウトデータを含む。そして、処理装置12は、第1記憶装置14aから各種データを必要に応じて読み込む。   The first storage device 14a stores library data. This library data includes dicing target mark layout data. Then, the processing device 12 reads various data from the first storage device 14a as necessary.

第2記憶装置14bには、レチクルレイアウトデータを作成する処理中で作成したデータが一時的に格納される。また、第2記憶装置14bは仕様データテーブルを備え、レチクルに搭載される半導体チップの仕様データが格納されている。仕様データはチップの名前、中心座標、ダイシング条件を含む。そして、処理装置12は、第2記憶装置14bから格納されている各種データを必要に応じて格納又は読み込む。   The second storage device 14b temporarily stores data created during the process of creating reticle layout data. The second storage device 14b includes a specification data table, and stores specification data of the semiconductor chip mounted on the reticle. The specification data includes the chip name, center coordinates, and dicing conditions. Then, the processing device 12 stores or reads various data stored from the second storage device 14b as necessary.

次に、レチクルレイアウトデータ作成装置10が作成するレチクルレイアウトデータの概略構造について説明する。
図2は、レチクルレイアウトデータを説明するための概略構成図である。
Next, a schematic structure of reticle layout data created by the reticle layout data creation apparatus 10 will be described.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining reticle layout data.

図2に示すように、全体レチクルレイアウトデータ20は、チップ領域データ21、外周スクライブ領域データ22、遮光帯データ23にて構成されている。
チップ領域データ21は、半導体チップのレチクルレイアウトデータである第1〜第9チップデータA〜Iをそれぞれ配置するための、一点鎖線(チップサイズ枠)24にて囲まれる配置領域Za〜Ziを区画する領域(チップ領域Z1)のデータである。配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)は格子上に横3列、縦3列にて区画されている。第1〜第9チップデータA〜Iは、その配置領域Za〜Ziが全て同じサイズになっている。
As shown in FIG. 2, the entire reticle layout data 20 is composed of chip area data 21, outer periphery scribe area data 22, and shading band data 23.
The chip area data 21 is divided into arrangement areas Za to Zi surrounded by an alternate long and short dash line (chip size frame) 24 for arranging the first to ninth chip data A to I which are reticle layout data of the semiconductor chip. This is data of a region to be performed (chip region Z1). Arrangement regions Za to Zi (first to ninth chip data A to I) are divided into three rows and three columns on the lattice. The arrangement areas Za to Zi of the first to ninth chip data A to I are all the same size.

配置領域Za〜Ziは、それぞれ第1〜第9素子領域Za1〜Zi1と第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2からなる。第1〜第9素子領域Za1〜Zi1は、対応する配置領域Za〜Ziにおいて、半導体チップに搭載される回路を構成するための半導体素子、配線、ビア等のレチクルレイアウトデータが配置される領域である。第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2は、対応する配置領域Za〜Ziにおいて、ダイシングブレードにて切断される領域である。   The arrangement regions Za to Zi include first to ninth element regions Za1 to Zi1 and first to ninth chip scribe regions Za2 to Zi2, respectively. The first to ninth element regions Za1 to Zi1 are regions in which reticle layout data such as semiconductor elements, wirings, and vias for constituting a circuit mounted on a semiconductor chip are arranged in the corresponding arrangement regions Za to Zi. is there. The first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 are areas that are cut by a dicing blade in the corresponding arrangement areas Za to Zi.

従って、対応する配置領域Za〜Ziに配置される第1〜第9チップデータA〜Iは、第1〜第9素子領域Za1〜Zi1を指定する第1〜第9素子領域データ25a〜25iと第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2を指定する第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26iにてそれぞれ構成されている。   Accordingly, the first to ninth chip data A to I arranged in the corresponding arrangement regions Za to Zi are the first to ninth element region data 25a to 25i specifying the first to ninth element regions Za1 to Zi1. The first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 specify first to ninth chip scribe areas 26a to 26i, respectively.

対応する配置領域Za〜Ziに配置される第1〜第9チップデータA〜Iは、ダイシング条件が予め設定されて仕様データテーブルに格納されている。つまり、第1、第3、第5〜第8チップデータA,C,E〜Hは、テクノロジ「1」に設定されている。第2チップデータBは、テクノロジ「3」に設定されている。第4チップデータDは、テクノロジ「2」に設定されている。第9チップデータIは、テクノロジ「4」に設定されている。   The first to ninth chip data A to I arranged in the corresponding arrangement areas Za to Zi are stored in the specification data table with dicing conditions set in advance. That is, the first, third, fifth to eighth chip data A, C, E to H are set to the technology “1”. The second chip data B is set to technology “3”. The fourth chip data D is set to technology “2”. The ninth chip data I is set to technology “4”.

そして、本実施形態では、ウェハにおいて、隣接する第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2間の一点鎖線(チップサイズ枠)24に沿ってダイシングブレードにて切断される。このとき、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)のスクライブ幅は、それぞれ設定されたダイシング条件に基づいた例えばスクライブ幅の二分の一になっている。   In the present embodiment, the wafer is cut by a dicing blade along the alternate long and short dash line (chip size frame) 24 between the adjacent first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2. At this time, the scribe width of the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i) is, for example, half of the scribe width based on the set dicing conditions. It has become.

つまり、第1、第3、第5〜第8チップスクライブ領域Za2,Zc2,Ze2〜Zh2(第1、第3、第5〜第8チップスクライブ領域データ26a,26c,26e〜26h)のスクライブ幅は、50umである。また、第2チップスクライブ領域Zb2(第2チップスクライブ領域データ26b)のスクライブ幅は、150umである。さらに、第4チップスクライブ領域Zd2(第4チップスクライブ領域データ26d)のスクライブ幅は、100umである。第9チップスクライブ領域Zi2(第9チップスクライブ領域データ26i)のスクライブ幅は、200umである。   That is, the scribe width of the first, third, and fifth to eighth chip scribe areas Za2, Zc2, and Ze2 to Zh2 (first, third, and fifth to eighth chip scribe area data 26a, 26c, and 26e to 26h). Is 50 um. The scribe width of the second chip scribe area Zb2 (second chip scribe area data 26b) is 150 μm. Furthermore, the scribe width of the fourth chip scribe area Zd2 (fourth chip scribe area data 26d) is 100 μm. The scribe width of the ninth chip scribe area Zi2 (the ninth chip scribe area data 26i) is 200 μm.

外周スクライブ領域データ22は、チップ領域Z1の外周においてダイシングブレードにて切断される外周スクライブ領域Z2を指定するデータである。外周スクライブ領域Z2は、ウェハにおいて、第1〜4及び第6〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zd2,Zf2〜Zi2との間の一点鎖線(チップサイズ枠)24に沿ってダイシングブレードにて切断される。   The outer periphery scribe area data 22 is data that designates an outer periphery scribe area Z2 cut by a dicing blade on the outer periphery of the chip area Z1. The outer peripheral scribe region Z2 is cut by a dicing blade along a one-dot chain line (chip size frame) 24 between the first to fourth and sixth to ninth chip scribe regions Za2 to Zd2 and Zf2 to Zi2 in the wafer. The

外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)のスクライブ幅は、仕様データテーブルに格納されている第1〜第9チップデータA〜Iのダイシング条件のうち、最小のスクライブ幅のダイシング条件を選択され、その最小のスクライブ幅の二分の一になっている。本実施形態では、外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)のスクライブ幅は、テクノロジ「1」のスクライブ幅(100um)が最小なのでそのスクライブ幅(100um)の二分の一(50um)になっている。   The scribe width of the outer periphery scribe area Z2 (outer periphery scribe area data 22) is selected from the dicing conditions of the smallest scribe width among the dicing conditions of the first to ninth chip data A to I stored in the specification data table. , Has become half of its smallest scribe width. In the present embodiment, the scribe width of the outer scribe area Z2 (outer scribe area data 22) is ½ (50 um) of the scribe width (100 um) since the scribe width (100 um) of the technology “1” is the smallest. Yes.

遮光帯データ23は、ステッパーなどのウェハ露光装置でレチクルに形成された半導体チップに搭載される回路のレチクルレイアウトパターンをステップアンドリピート法によってウェハに転写する際に、隣接ショット間で光のもれによる二重露光を防ぐための遮光帯領域Z3を指定するデータである。遮光帯領域Z3(遮光帯データ23)の幅は、ステッパーの仕様により決まり、本実施形態の遮光帯領域Z3(遮光帯データ23)の幅は、400umになっている。   The shading band data 23 is a light leak between adjacent shots when a reticle layout pattern of a circuit mounted on a semiconductor chip formed on a reticle by a wafer exposure apparatus such as a stepper is transferred to a wafer by a step-and-repeat method. This is data for designating a light-shielding zone Z3 for preventing double exposure due to. The width of the shading zone area Z3 (shading zone data 23) is determined by the specifications of the stepper, and the width of the shading zone area Z3 (shading zone data 23) of this embodiment is 400 μm.

次に、本実施形態の全体レチクルレイアウトデータ20の作成処理について説明する。
第1〜第9素子領域Za1〜Zi1に配置される第1〜第9素子領域データ25a〜25iは、処理装置12によって、第1記憶装置14aに格納された半導体チップに搭載される回路のレイアウトデータに基づいて作成される。
Next, a process for creating the entire reticle layout data 20 according to the present embodiment will be described.
The first to ninth element region data 25a to 25i arranged in the first to ninth element regions Za1 to Zi1 are layouts of circuits mounted on the semiconductor chip stored in the first storage device 14a by the processing device 12. Created based on data.

そして、処理装置12は、第1〜第9素子領域データ25a〜25i以外の全体レチクルレイアウトデータ20を構成する第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2の第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i、外周スクライブ領域Z2の外周スクライブ領域データ22及び遮光帯領域Z3の遮光帯データ23とを(フレームデータ)、処理装置12は、図3に示すステップ30〜39の処理を実行することで作成する。   Then, the processing device 12 includes the first to ninth chip scribe area data 26a of the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 constituting the entire reticle layout data 20 other than the first to ninth element area data 25a to 25i. ~ 26i, the outer periphery scribe area data 22 of the outer periphery scribe area Z2 and the light shielding band data 23 of the light shielding band area Z3 (frame data), the processing device 12 executes the processing of steps 30 to 39 shown in FIG. create.

まず、ステップ30(パラメータ入力)において、処理装置12は、ユーザーが操作する入力装置11からの全体レチクルレイアウトデータ20に搭載される第1〜第9チップデータA〜Iの仕様データを第2記憶装置14bが備える仕様データテーブルに格納する。仕様データテーブルには、第1〜第9チップデータA〜Iの各仕様データが格納される。   First, in step 30 (parameter input), the processing device 12 stores the specification data of the first to ninth chip data A to I mounted in the entire reticle layout data 20 from the input device 11 operated by the user in the second storage. The data is stored in a specification data table provided in the device 14b. Each specification data of the first to ninth chip data A to I is stored in the specification data table.

つぎに、ステップ31(チップ数カウント)において、処理装置12は、ステップ30において仕様データテーブルに格納した第1〜第9チップデータA〜Iの各仕様データを読み込む。そして、処理装置12は、読み込んだ第1〜第9チップデータA〜Iの各仕様データの数をカウントする。つまり、処理装置12は、全体レチクルレイアウトデータ20に搭載される第1〜第9チップデータA〜Iの数をカウントし、9チップとカウントする。   Next, in step 31 (chip count), the processing device 12 reads the specification data of the first to ninth chip data A to I stored in the specification data table in step 30. Then, the processing device 12 counts the number of each specification data of the read first to ninth chip data A to I. That is, the processing device 12 counts the number of first to ninth chip data A to I mounted on the entire reticle layout data 20 and counts it as 9 chips.

ステップ32(スクライブ作成条件読み込み)において、処理装置12は、第1記憶装置14aに格納されているスクライブ作成条件を読み込む。
そして、ステップ33(チップスクライブデータ作成)において、処理装置12は、仕様データテーブルに格納されている仕様データのうち、最も早く格納され、且つステップ33以降の処理が未処理の仕様データを読み込む。
In step 32 (read scribe creation conditions), the processing device 12 reads the scribe creation conditions stored in the first storage device 14a.
In step 33 (chip scribe data creation), the processing device 12 reads the specification data stored earliest among the specification data stored in the specification data table, and the processing after step 33 is unprocessed.

本実施形態では、仕様データテーブルに第1チップデータAの仕様データから第9チップデータIの仕様データの順で格納されたため、処理装置12は、配置領域Zaに配置される第1チップデータAの仕様データを読み込む。そして、処理装置12は、第1チップデータAの仕様データのダイシング条件に対応した第1チップスクライブ領域Za2のスクライブ幅を、ステップ32において読み込んだスクライブ作成条件から選択する。そして、処理装置12は、選択した第1チップスクライブ領域Za2のスクライブ幅の第1チップスクライブ領域データ26aを作成する。   In this embodiment, since the specification data of the first chip data A to the specification data of the ninth chip data I are stored in the specification data table in the order, the processing device 12 has the first chip data A arranged in the arrangement area Za. Read the specification data. Then, the processing device 12 selects the scribe width of the first chip scribe area Za2 corresponding to the dicing condition of the specification data of the first chip data A from the scribe creation conditions read in step 32. Then, the processing device 12 creates the first chip scribe area data 26a having the scribe width of the selected first chip scribe area Za2.

つまり、配置領域Zaに配置される第1チップデータAのダイシング条件であるテクノロジ「1」に対応したスクライブ幅100umに基づいて、第1チップデータAが配置されるチップサイズ枠24から選択したスクライブ幅(100um)の二分の一(50um)内側に第1チップスクライブ領域データ26aが作成される。   That is, the scribe selected from the chip size frame 24 in which the first chip data A is arranged based on the scribe width 100 um corresponding to the technology “1” that is the dicing condition of the first chip data A arranged in the arrangement area Za. The first chip scribe area data 26a is created inside one half (50 um) of the width (100 um).

ステップ34(未処理のチップがあるか?)において、処理装置12は、ステップ32,33の処理を行っていない第1〜第9チップデータA〜Iがあるか否かを判定する。つまり、処理装置12は、ステップ31においてカウントしたチップデータ数の第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26iが作成されているか否かを判定する。そして、ステップ32,33の処理を行っていないチップがある場合(ステップ34でYES)には、ステップ32に移行する。   In step 34 (whether there is an unprocessed chip?), The processing device 12 determines whether or not there are first to ninth chip data A to I for which the processing of steps 32 and 33 is not performed. That is, the processing device 12 determines whether or not the first to ninth chip scribe area data 26a to 26i corresponding to the number of chip data counted in step 31 have been created. If there is a chip that has not been subjected to the processing in steps 32 and 33 (YES in step 34), the process proceeds to step 32.

つまり、処理装置12は、ステップ31においてカウントしたチップデータ数の第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i(第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2)が全体レチクルレイアウトデータ20に配置されるまで、ステップ32〜34を繰り返し処理する。   That is, in the processing device 12, the first to ninth chip scribe area data 26a to 26i (first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2) corresponding to the number of chip data counted in step 31 are arranged in the entire reticle layout data 20. Steps 32-34 are repeated until

そして、ステップ32,33の処理を行っていないチップがない場合(ステップ34でNO)には、処理装置12はステップ35に移行する。
ステップ35(最小スクライブ幅選択)において、処理装置12は、第2記憶装置14bに格納されている仕様データテーブルから第1〜第9チップデータA〜Iのダイシング条件を読み込む。そして、処理装置12は、読み込んだ第1〜第9チップデータA〜Iのダイシング条件のうち、最小のスクライブ幅のダイシング条件を選択する。つまり、処理装置12は、最小のスクライブ幅である第1、第3、第5〜第8チップデータA,C,E〜Hのスクライブ幅(100um)のテクノロジ「1」を選択する。
If there is no chip that has not performed the processing of steps 32 and 33 (NO in step 34), the processing device 12 proceeds to step 35.
In step 35 (minimum scribe width selection), the processing device 12 reads the dicing conditions of the first to ninth chip data A to I from the specification data table stored in the second storage device 14b. Then, the processing device 12 selects a dicing condition having the smallest scribe width among the dicing conditions of the read first to ninth chip data A to I. That is, the processing device 12 selects the technology “1” of the scribe width (100 μm) of the first, third, fifth to eighth chip data A, C, E to H, which is the minimum scribe width.

そして、ステップ36(外周スクライブデータ作成)において、処理装置12は、ステップ35において選択したテクノロジ「1」のスクライブ幅(100um)に基づいて、外周スクライブ領域データ22を作成する。つまり、処理装置12は、チップ領域Z1(チップ領域データ21)の外周に、ステップ35において選択したテクノロジ「1」のスクライブ幅(100um)の二分の一(50um)の外周スクライブ領域データ22を作成する。   In step 36 (peripheral scribe data creation), the processing device 12 creates the outer scribe area data 22 based on the scribe width (100 μm) of the technology “1” selected in step 35. In other words, the processing device 12 creates outer peripheral scribe area data 22 that is one half (50 um) of the scribe width (100 um) of the technology “1” selected in step 35 on the outer periphery of the chip area Z1 (chip area data 21). To do.

処理装置12は、作成した第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2の第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域Z2の外周スクライブ領域データ22を第2記憶装置14bに一時格納する。   The processing apparatus 12 temporarily stores the created first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 in the first to ninth chip scribe area data 26a to 26i and the outer peripheral scribe area data 22 of the outer scribe area Z2 in the second storage device 14b. Store.

ステップ37(遮光帯データ作成)において、処理装置12は、外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)の外周に、予め設定された幅400umの遮光帯領域Z3の遮光帯データ23を作成する。   In step 37 (shading zone data creation), the processing device 12 creates shading zone data 23 for the shading zone region Z3 having a preset width of 400 μm on the outer circumference of the outer circumference scribe region Z2 (outer circumference scribe region data 22).

ステップ38(データ合成)において、処理装置12は、ステップ36において第2記憶装置14bに格納した第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域データ22を読み込む。そして、処理装置12は、読み込んだ第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域データ22と、ステップ37において作成した遮光帯データ23とを合成して、フレームデータを作成する。   In step 38 (data synthesis), the processing device 12 reads the first to ninth chip scribe area data 26a to 26i and the outer periphery scribe area data 22 stored in the second storage device 14b in step 36. Then, the processing device 12 synthesizes the read first to ninth chip scribe area data 26a to 26i and the outer periphery scribe area data 22 with the shading band data 23 created in step 37 to create frame data.

ステップ39(レイアウトデータ出力)において、処理装置12は、ステップ38において作成したフレームデータを出力して処理動作を終了する。
上記のようなレチクルレイアウトデータ作成装置10にて作成したレチクルを使用して作成されたウェハでは、以下に示す作用効果を得ることができる。
(1)第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)のスクライブ幅を異なる幅にすることができる。これにより、1つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載することができる。そして、1つのウェハに搭載される半導体チップのダイシング条件に応じて、ウェハを切断して半導体チップを取得することができる。
In step 39 (layout data output), the processing device 12 outputs the frame data created in step 38 and ends the processing operation.
The following effects can be obtained with a wafer created using the reticle created by the reticle layout data creation apparatus 10 as described above.
(1) The scribe widths of the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i) can be set to different widths. Thereby, a plurality of semiconductor chips having different scribe widths can be mounted on one wafer. And according to the dicing conditions of the semiconductor chip mounted on one wafer, a wafer can be cut | disconnected and a semiconductor chip can be acquired.

即ち、ダイシングブレードにてウェハを切断するダイシング装置は、第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域データ22に基づいて、ウェハを切断して半導体チップを取得する。従来では、列方向又は行方向のスクライブ幅を一定にしているため、1種類のダイシング条件に限られてしまう。本実施形態では、スクライブ幅を半導体チップのダイシング条件に応じた幅にしている。これにより、取得する半導体チップの最小のスクライブ幅のダイシング条件にてウェハを切断している。   That is, a dicing apparatus that cuts a wafer with a dicing blade cuts the wafer and acquires semiconductor chips based on the first to ninth chip scribe area data 26a to 26i and the outer peripheral scribe area data 22. Conventionally, since the scribe width in the column direction or the row direction is constant, the dicing condition is limited to one type. In the present embodiment, the scribe width is set to a width according to the dicing conditions of the semiconductor chip. Thus, the wafer is cut under the dicing condition with the minimum scribe width of the semiconductor chip to be acquired.

従って、スクライブ幅の広いダイシング条件の半導体チップだけを取得する場合、スクライブ幅の狭いダイシング条件の半導体チップに合せなくて良く、安価にウェハを切断することができる。   Therefore, when acquiring only semiconductor chips with dicing conditions with a wide scribe width, it is not necessary to match the semiconductor chips with dicing conditions with a narrow scribe width, and the wafer can be cut at low cost.

つまり、図2に示す第9チップデータI(テクノロジ「4」 スクライブ幅400um)に基づいて作成される半導体チップを取得する場合において、その他の第1〜第8チップデータA〜Hに基づいて作成される半導体チップを取得しないとき、テクノロジ「4」のダイシング条件にてウェハを切断すれば良く、安価にウェハを切断することができる。   That is, when acquiring a semiconductor chip created based on the ninth chip data I (technology “4” scribe width 400 μm) shown in FIG. 2, created based on the other first to eighth chip data A to H. When the obtained semiconductor chip is not acquired, the wafer may be cut under the dicing condition of technology “4”, and the wafer can be cut at low cost.

(第2実施形態)
以下、本発明を具体化した第2実施形態を図4及び図5に従って説明する。第1実施形態では、処理装置12は、フレームデータを作成していた。第2実施形態では、第1実施形態において作成したフレームデータに対して、ダイシングターゲットマークを備えている。そのため、その相違点のみを説明の便宜上説明する。
(Second Embodiment)
A second embodiment embodying the present invention will be described below with reference to FIGS. In the first embodiment, the processing device 12 creates frame data. In the second embodiment, a dicing target mark is provided for the frame data created in the first embodiment. Therefore, only the difference will be described for convenience of explanation.

図4は、全体レチクルレイアウトデータ20aを説明するための概略構成図である。
ターゲットマークの配置方法の説明のため、第4チップデータはテクノロジ「1」の設定とする。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining the entire reticle layout data 20a.
For the description of the target mark arrangement method, the fourth chip data is set to technology “1”.

図4に示すように、全体レチクルレイアウトデータ20aは、第1及び第2ダイシングターゲットマーク41,42を備えている。第1ダイシングターゲットマーク41は、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅が異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)の隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)においては、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所に配置される。例えば第7チップスクライブ領域Zg2(第7チップスクライブ領域データ26g)とステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域の第9チップスクライブ領域Zi2(第9チップスクライブ領域データ26i)でスクライブ幅が異なる箇所に配置され、ウェハを切断する際にマークとなるものである。そして、第1ダイシングターゲットマーク41は、隣接する第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅が異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)の隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所における、チップサイズ枠24の1辺の両端に配置されている。   As shown in FIG. 4, the entire reticle layout data 20 a includes first and second dicing target marks 41 and 42. The first dicing target mark 41 is different from the adjacent scribe width of the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i) and the outer scribe area Z2 (outer scribe area). In the adjacent scribe areas Za2 to Zd2 and Ze2 to Zi2 (first to fourth and sixth to ninth chip scribe area data 26a to 26d and 26f to 26i) of the data 22), step-and-repeat shown in FIG. The scribe areas where adjacent relations occur during the wafer exposure by the method (between scribe areas) are arranged at different scribe widths. For example, the ninth chip scribe area Zi2 (the ninth chip scribe area data 26i) of the scribe area that is adjacent to the seventh chip scribe area Zg2 (the seventh chip scribe area data 26g) during the wafer exposure by the step-and-repeat method. The scribe widths are arranged at different locations and become marks when the wafer is cut. Then, the first dicing target mark 41 has a peripheral scribe area Z2 that is different from the adjacent scribe widths of the adjacent first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i). In the case of the adjacent scribe areas Za2 to Zd2 and Ze2 to Zi2 (first to fourth and sixth to ninth chip scribe area data 26a to 26d and 26f to 26i) of the (peripheral scribe area data 22), FIG. The chip size frames 24 are arranged at both ends of one side of the scribe areas where the adjacent relations occur between the scribe areas (between the scribe areas) in the wafer exposure by the step-and-repeat method shown.

なお、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i))の隣接するスクライブ幅が同じ箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所には、第1ダイシングターゲットマーク41が無くてもウェハを切断可能なため、全体レチクルレイアウトデータ20aは、第1ダイシングターゲットマーク41を備えない。   The adjacent scribe widths of the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i) are adjacent to the peripheral scribe area Z2 (external scribe area data 22). In the case of scribe areas Za2 to Zd2 and Ze2 to Zi2 (first to fourth and sixth to ninth chip scribe area data 26a to 26d and 26f to 26i) to be performed, wafer exposure by the step-and-repeat method shown in FIG. Since the wafer can be cut even if there is no first dicing target mark 41 at a portion where the scribe width is different between the scribe regions (between the scribe regions) in which the adjacent relationship occurs, the entire reticle layout data 20a includes the first reticle layout data 20a. One dicing target mark 41 is not provided.

第2ダイシングターゲットマーク42は、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内において、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が配置されていない箇所に配置され、ウェハを切断する際にマークとなるものである。本実施形態では、配置領域Ze,Zh(第5及び第8チップデータE,H)のチップサイズが小さいため、配置領域Ze,Zh(第5及び第8チップデータE,H)の右隣に配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置になっている。このため、未配置の領域50の四つ角に第2ダイシングターゲットマーク42が配置されている。なお、未配置の領域50の四つ角に第1ダイシングターゲットマーク41が配置されている場合、第1ダイシングターゲットマーク41が優先され、第2ダイシングターゲットマーク42は配置されない。   The second dicing target mark 42 is arranged at a position where the arrangement areas Za to Zi (first to ninth chip data A to I) are not arranged in the chip area Z1 (chip area data 21), and cuts the wafer. It becomes a mark when doing. In the present embodiment, since the chip sizes of the placement areas Ze, Zh (fifth and eighth chip data E, H) are small, they are adjacent to the right of the placement areas Ze, Zh (fifth and eighth chip data E, H). Arrangement areas Za to Zi (first to ninth chip data A to I) are not arranged. For this reason, the second dicing target marks 42 are arranged at the four corners of the non-arranged region 50. When the first dicing target mark 41 is arranged at the four corners of the unarranged region 50, the first dicing target mark 41 is given priority and the second dicing target mark 42 is not arranged.

次に、本実施形態の全体レチクルレイアウトデータ20aの作成処理について説明する。
処理装置12は、第1実施形態と同様に、ステップ30〜ステップ38における処理を行うことで第1及び第2ダイシングターゲットマーク41,42を備えたフレームデータを作成する。
Next, a process for creating the entire reticle layout data 20a according to the present embodiment will be described.
As in the first embodiment, the processing device 12 performs the processing in step 30 to step 38 to create frame data including the first and second dicing target marks 41 and 42.

そして、ステップ51(スクライブ幅の異なるスクライブデータが隣接する箇所があるか?)において、処理装置12は、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅の異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所があるか否か判定する。第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅の異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe〜Zi2(第1〜第4及び第6〜台9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所がある場合(ステップ51でYES)には、ステップ52に移行する。   In step 51 (is there a place where scribe data having different scribe widths are adjacent to each other), the processing device 12 determines whether the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26a). 26i) adjacent scribe width portions and scribe areas Za2 to Zd2 and Ze2 to Zi2 (first to fourth and sixth to ninth chip scribe area data) adjacent to the outer scribe area Z2 (outer scribe area data 22). 26a to 26d and 26f to 26i), whether or not there is a portion where the scribe width is different between scribe regions (between scribe regions) in which the adjacency relationship occurs during wafer exposure by the step-and-repeat method shown in FIG. To determine. The first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i) that are adjacent to each other at different scribe widths and the outer scribe area Z2 (outer scribe area data 22) In the case of Za2 to Zd2 and Ze to Zi2 (first to fourth and sixth to nine-chip 9 chip scribe area data 26a to 26d and 26f to 26i), during the wafer exposure by the step-and-repeat method shown in FIG. If there is a portion where the scribe width differs between the scribe regions where the adjacent relationship occurs (between scribe regions) (YES in step 51), the process proceeds to step 52.

ステップ52(第1ダイシングターゲットマーク配置)において、処理装置12は、ステップ51において第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅が異なると外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所に対して、その異なる箇所に配置されているチップサイズ枠24の一辺の両端に、第1ダイシングターゲットマーク41を配置した後に、ステップ53に移行する。   In step 52 (first dicing target mark arrangement), the processing apparatus 12 determines in step 51 that the adjacent scribe widths of the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i). Are different from each other, the scribe areas Za2 to Zd2 and Ze2 to Zi2 (first to fourth and sixth to ninth chip scribe area data 26a to 26d and 26f to 26i) adjacent to the outer scribe area Z2 (outer scribe area data 22). In this case, the scribing areas that are adjacent to each other (between the scribing areas) in the wafer exposure by the step-and-repeat method shown in FIG. At both ends of one side of the chip size frame 24, a first dicing machine After placing the Ttomaku 41, the process proceeds to step 53.

一方、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)の隣接するスクライブ幅の異なる箇所と外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)に隣接するスクライブ領域Za2〜Zd2及びZe2〜Zi2(第1〜第4及び第6〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26d及び26f〜26i)の場合は、図6に示すステップアンドリピートの方法によるウェハ露光の際に隣接関係が生じるスクライブ領域同士(スクライブ領域間)で、スクライブ幅が異なる箇所がない場合(ステップ51でNO)には、ステップ53に移行する。   On the other hand, the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i) are adjacent to adjacent portions having different scribe widths and the outer periphery scribe area Z2 (outer periphery scribe area data 22). In the case of the scribe areas Za2 to Zd2 and Ze2 to Zi2 (first to fourth and sixth to ninth chip scribe area data 26a to 26d and 26f to 26i), the wafer exposure by the step-and-repeat method shown in FIG. If there is no portion where the scribe width differs between the scribe areas (between the scribe areas) in which the adjacent relationship occurs (NO in step 51), the process proceeds to step 53.

そして、ステップ53(チップデータが未配置の領域があるか?)において、処理装置12は、チップ領域Z1(チップ領域データ21)において、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域があるか否かを判定する。そして、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内に、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域がある場合(ステップ53でYES)には、ステップ54に移行する。   In step 53 (is there an area in which chip data is not arranged?), The processing device 12 in the chip area Z1 (chip area data 21), the arrangement areas Za to Zi (first to ninth chip data A to It is determined whether there is an area where I) is not yet arranged. When there is an area in which the arrangement areas Za to Zi (first to ninth chip data A to I) are not arranged in the chip area Z1 (chip area data 21) (YES in step 53), step 54 is performed. Migrate to

ステップ54(第2ダイシングターゲットマーク配置)において、処理装置12は、チップ領域Z1(チップ領域データ21)において、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域50の四つ角に第2ダイシングターゲットマーク42を配置した後、ステップ55に移行する。   In step 54 (second dicing target mark arrangement), the processing apparatus 12 is an area in which arrangement areas Za to Zi (first to ninth chip data A to I) are not arranged in the chip area Z1 (chip area data 21). After the second dicing target marks 42 are arranged at the four corners of 50, the process proceeds to step 55.

一方、チップ領域Z1(チップ領域データ21)において、配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域がない場合(ステップ53でNO)には、ステップ55に移行する。   On the other hand, in the chip area Z1 (chip area data 21), if there is no area where the arrangement areas Za to Zi (first to ninth chip data A to I) are not arranged (NO in step 53), the process proceeds to step 55. Transition.

ステップ55(レチクルレイアウトデータ出力)において、処理装置12は、フレームデータを出力する。
上記のようなレチクルレイアウトデータ作成装置10にて作成したレチクルを使用して作成されたウェハでは、以下に示す作用効果を得ることができる。
In step 55 (reticle layout data output), the processing device 12 outputs frame data.
The following effects can be obtained with a wafer created using the reticle created by the reticle layout data creation apparatus 10 as described above.

(1)全体レチクルレイアウトデータ20aに第1ダイシングターゲットマーク41を配置することができる。これにより、1つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載する場合、隣接する半導体チップのスクライブ幅が異なる箇所を精度良くウェハを切断することができる。   (1) The first dicing target mark 41 can be arranged in the entire reticle layout data 20a. As a result, when a plurality of semiconductor chips having different scribe widths are mounted on one wafer, the wafers can be cut with high precision at locations where adjacent semiconductor chips have different scribe widths.

つまり、ダイシング装置は、第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i及び外周スクライブ領域データ22に基づいて、スクライブ幅の中心に沿ってウェハを切断している。隣接する半導体チップのスクライブ幅が異なる場合、スクライブ幅の中心に沿ってウェハを切断すると、ダイシングブレードにてウェハを切断する領域(スクライブ領域)が第1〜第9素子領域Za1〜Zi1(第1〜第9素子領域データ25a〜25i)にかかってしまい、第1〜第9素子領域Za1〜Zi1(第1〜第9素子領域データ25a〜25i)を切断してしまう可能性がある。この場合には、チップサイズ枠上に第1ダイシングターゲットマーク41を配置することで、隣接する半導体チップ間のチップサイズ枠に沿ってウェハを切断している。
(2)全体レチクルレイアウトデータ20aに第2ダイシングターゲットマーク42を配置することができる。これにより、1つのウェハに複数の異なるスクライブ幅の半導体チップを搭載する場合、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内の配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域50を精度良くウェハを切断することができる。
That is, the dicing apparatus cuts the wafer along the center of the scribe width based on the first to ninth chip scribe area data 26a to 26i and the outer periphery scribe area data 22. When the scribe widths of adjacent semiconductor chips are different, when the wafer is cut along the center of the scribe width, regions (scribe regions) where the wafer is cut by a dicing blade are first to ninth element regions Za1 to Zi1 (first To the ninth element region data 25a to 25i), the first to ninth element regions Za1 to Zi1 (first to ninth element region data 25a to 25i) may be cut. In this case, by disposing the first dicing target mark 41 on the chip size frame, the wafer is cut along the chip size frame between adjacent semiconductor chips.
(2) The second dicing target mark 42 can be arranged in the entire reticle layout data 20a. As a result, when a plurality of semiconductor chips having different scribe widths are mounted on one wafer, the arrangement regions Za to Zi (first to ninth chip data A to I) in the chip region Z1 (chip region data 21) are not yet completed. It is possible to cut the wafer in the arrangement region 50 with high accuracy.

つまり、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内の配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域50には、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)及び外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)がないため、ダイシング装置は、その未配置の領域50を切断しない。このため、チップ領域Z1(チップ領域データ21)内の配置領域Za〜Zi(第1〜第9チップデータA〜I)が未配置の領域50に第2ダイシングターゲットマーク42を配置することで、その未配置の領域50を切断している。   That is, in the area 50 in which the arrangement areas Za to Zi (first to ninth chip data A to I) in the chip area Z1 (chip area data 21) are not arranged, the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 are arranged. Since there is no (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i) and outer periphery scribe area Z2 (outer periphery scribe area data 22), the dicing apparatus does not cut the unarranged area 50. For this reason, by arrange | positioning the 2nd dicing target mark 42 in the area | region 50 in which arrangement | positioning area | region Za-Zi (1st-9th chip data A-I) in chip | tip area | region Z1 (chip area | region data 21) is not arranged, The unarranged region 50 is cut.

尚、上記実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、外周スクライブ領域Z2(外周スクライブ領域データ22)は、仕様データテーブルに格納されている第1〜第9チップデータA〜Iのダイシング条件のうち、最小のスクライブ幅のダイシング条件を選択し、その最小のスクライブ幅の二分の一になっている。これに限らず、その他のスクライブ幅のダイシング条件を選択し、そのスクライブ幅の二分の一にしてもよい。
In addition, you may implement the said embodiment in the following aspects.
In the above embodiment, the outer periphery scribe area Z2 (outer periphery scribe area data 22) is the dicing condition of the smallest scribe width among the dicing conditions of the first to ninth chip data A to I stored in the specification data table. Select and have become half of its minimum scribe width. However, the present invention is not limited to this, and dicing conditions for other scribe widths may be selected and ½ of the scribe width.

・上記実施形態において、第1〜第9チップスクライブ領域Za2〜Zi2(第1〜第9チップスクライブ領域データ26a〜26i)は、それぞれ設定されたダイシング条件に基づいたスクライブ幅の二分の一になっている。これに限らず、設定されたダイシング条件に基づいたスクライブ幅の二分の一より狭いスクライブ幅にしてもよい。   In the above embodiment, the first to ninth chip scribe areas Za2 to Zi2 (first to ninth chip scribe area data 26a to 26i) are each half of the scribe width based on the set dicing conditions. ing. However, the scribe width may be narrower than a half of the scribe width based on the set dicing conditions.

レチクルレイアウトデータ作成装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a reticle layout data creation device. 第一実施形態のレチクルレイアウトデータの説明図である。It is explanatory drawing of the reticle layout data of 1st embodiment. 第一実施形態のレチクルレイアウトデータ作成処理のフローチャートである。It is a flowchart of the reticle layout data creation processing of the first embodiment. 第二実施形態のレチクルレイアウトデータの説明図である。It is explanatory drawing of the reticle layout data of 2nd embodiment. 第二実施形態のレチクルレイアウトデータ作成処理のフローチャートである。It is a flowchart of the reticle layout data creation processing of the second embodiment. ステップアンドリピート動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a step and repeat operation | movement. 従来のレチクルレイアウトデータの説明図である。It is explanatory drawing of the conventional reticle layout data.

符号の説明Explanation of symbols

20,20a レチクルレイアウトデータ
Za2〜Zi2 チップスクライブ領域
Z2 外周スクライブ領域
41,42 ダイシングターゲットマーク
A〜I 半導体チップのレチクルレイアウトデータ
50 未配置領域
20, 20a Reticle layout data Za2 to Zi2 Chip scribe area Z2 Peripheral scribe area 41, 42 Dicing target mark A to I Semiconductor chip reticle layout data 50 Unallocated area

Claims (6)

複数種類の半導体チップを半導体基板に形成する露光処理の工程にて使用されるレチクルにおいて、前記各半導体チップのレチクルレイアウトデータが格子状に区画配置されるチップ領域と、前記チップ領域の外周に配置される外周スクライブ領域とを有するレチクルのレチクルレイアウトデータを作成するレチクルレイアウトデータ作成方法であって、
前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、スクライブ幅をそれぞれ設定する工程と、
前記設定したスクライブ幅よりも小さい幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
In a reticle used in an exposure process for forming a plurality of types of semiconductor chips on a semiconductor substrate, the reticle layout data of each semiconductor chip is arranged in a grid pattern, and arranged on the outer periphery of the chip area A reticle layout data creation method for creating reticle layout data of a reticle having an outer peripheral scribe area,
A step of setting a scribe width for reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips,
A reticle layout data having a width smaller than the set scribe width, and creating a chip scribe area arranged on the outer periphery of the plurality of types of semiconductor chip reticle layout data. How to make.
請求項1に記載のレチクルレイアウトデータ作成方法において、
前記設定したスクライブ幅のうち、最も小さい前記スクライブ幅を選択する工程と、
前記選択した最も小さいスクライブ幅の二分の一の幅で、前記外周スクライブ領域の幅を設定して前記外周スクライブ領域を作成する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
In the reticle layout data creation method according to claim 1,
Selecting the smallest scribe width among the set scribe widths;
And a step of setting the width of the outer periphery scribe region by a width that is a half of the selected smallest scribe width and generating the outer periphery scribe region.
請求項1に記載のレチクルレイアウトデータ作成方法において、
前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが隣接する箇所において、前記チップスクライブ領域の幅が異なる箇所があるか否かを判定する工程と、
前記判定にて、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが隣接する箇所において、前記チップスクライブ領域の幅が異なる箇所がある場合には、前記チップスクライブ領域の幅が異なる箇所に、ダイシングの際に基準となるダイシングターゲットマークを配置する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
In the reticle layout data creation method according to claim 1,
A step of determining whether or not there is a portion where the width of the chip scribe region is different in a portion where the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips is adjacent;
In the determination, if there is a portion where the width of the chip scribe region is different in a portion where the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips are adjacent, the portion where the width of the chip scribe region is different is dicing. And a step of placing a reference dicing target mark on the reticle layout data.
請求項1に記載のレチクルレイアウトデータ作成方法において、
前記チップ領域において、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが配置されていない領域があるか否かを判定する工程と、
前記判定にて、前記チップ領域において、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが配置されていない領域がある場合、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータが配置されていない領域に、ダイシングの際に基準となるダイシングターゲットマークを配置する工程と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
In the reticle layout data creation method according to claim 1,
Determining whether there is an area where reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips is not arranged in the chip area;
In the determination, if there is a region where the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips is not arranged in the chip region, dicing is performed in a region where the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips is not arranged. And a step of arranging a dicing target mark serving as a reference when the reticle layout data is created.
請求項1に記載のレチクルレイアウトデータ作成方法において、
前記チップスクライブ領域は、前記設定したスクライブ幅の二分一の幅で作成されることを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成方法。
In the reticle layout data creation method according to claim 1,
The reticle layout data creation method, wherein the chip scribe area is created with a width that is a half of the set scribe width.
複数種類の半導体チップを半導体基板に形成する露光処理の工程にて使用されるレチクルにおいて、前記各半導体チップのレチクルレイアウトデータが格子状に区画配置されるチップ領域と、前記チップ領域の外周に配置される外周スクライブ領域とを有するレチクルのレチクルレイアウトデータを作成するレチクルレイアウトデータ作成装置であって、
前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、スクライブ幅をそれぞれ設定する手段と、
前記設定したスクライブ幅の二分の一の幅で、前記複数種類の半導体チップのレチクルレイアウトデータに対して、その外周に配置されるチップスクライブ領域をそれぞれ作成する手段と
を有することを特徴とするレチクルレイアウトデータ作成装置。
In a reticle used in an exposure process for forming a plurality of types of semiconductor chips on a semiconductor substrate, the reticle layout data of each semiconductor chip is arranged in a grid pattern, and arranged on the outer periphery of the chip area A reticle layout data creation device for creating reticle layout data of a reticle having an outer peripheral scribe area,
Means for respectively setting a scribe width for reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips;
Means for creating chip scribe areas arranged on the outer periphery of the reticle layout data of the plurality of types of semiconductor chips, each having a width that is a half of the set scribe width. Layout data creation device.
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