JP2010114290A - Semiconductor device and semiconductor unit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress occurrence of a shift in mounting position due to variance in solder amount when an LCC type semiconductor package having an electrode on a side surface is mounted on a printed wiring board. <P>SOLUTION: The electrode 3 of the semiconductor package 1 has a pair of conductors 3a partially in a recessed groove 2 formed on the side surface of the semiconductor package 1, which are perpendicular to the side surface and bottom of the semiconductor package 1 and symmetrically about a plane passing the center of the recessed groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1. Solder 4 charged in the recessed groove 2 is shaped symmetrically to balance wetting force of the solder 4 for the conductors 3a. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、プリント配線板にはんだ接合するための電極をパッケージの側面に備えるリードレスチップキャリア(LCC)型の半導体装置及び半導体ユニットに関するものである。   The present invention relates to a leadless chip carrier (LCC) type semiconductor device and a semiconductor unit which are provided on the side surface of a package with an electrode for soldering to a printed wiring board.

半導体パッケージとしては、パッケージ側面からリード端子が伸びているSOP(Single Outline Package)やQFP(Quad Flat Package)などがあり、また、リード端子を有しない半導体パッケージも使用される。   Examples of the semiconductor package include SOP (Single Outline Package) and QFP (Quad Flat Package) in which lead terminals extend from the side of the package, and semiconductor packages having no lead terminals are also used.

このリード端子を有しない半導体パッケージの一形態として、図7に示すように、スルーホールを半分に切断した形状の電極103を側面に有するLCC型の半導体パッケージ101が知られている(特許文献1参照)。   As one form of the semiconductor package having no lead terminal, as shown in FIG. 7, an LCC type semiconductor package 101 having an electrode 103 with a through hole cut in half on the side surface is known (Patent Document 1). reference).

LCC型の半導体パッケージは、CCDやCMOSを代表とする固体撮像素子、又はLDやPDを代表とする光学素子など、高い実装位置精度が求められる素子のパッケージとして用いられている(特許文献2参照)。このような半導体パッケージをプリント配線板に実装する表面実装構造(SMT)においては、リフローはんだ付けの際に、溶融はんだの表面張力により電子部品(半導体パッケージ)が引っ張られる現象が知られている(非特許文献1参照)。また、この現象を利用して電子部品の位置合わせを行う方法が、セルフアライメント効果による位置合わせ方法として知られている(特許文献3参照)。   The LCC type semiconductor package is used as a package of an element that requires high mounting position accuracy, such as a solid-state imaging element typified by CCD or CMOS, or an optical element typified by LD or PD (see Patent Document 2). ). In a surface mounting structure (SMT) in which such a semiconductor package is mounted on a printed wiring board, a phenomenon is known in which an electronic component (semiconductor package) is pulled by the surface tension of molten solder during reflow soldering ( Non-patent document 1). In addition, a method of aligning electronic components using this phenomenon is known as an alignment method using a self-alignment effect (see Patent Document 3).

特開平5−335437号公報JP-A-5-335437 特開2006−332472号公報JP 2006-332472 A 特開平6−252326号公報JP-A-6-252326 (社)日本溶接協会 マイクロソルダリング教育委員会 編、標準 マイクロソルダリング技術、日刊工業新聞社 2002年8月30日 第2版Japan Welding Association Micro Soldering Board of Education, Standard Micro Soldering Technology, Nikkan Kogyo Shimbun August 30, 2002 2nd Edition

従来のLCC型の半導体パッケージでは、半導体パッケージとプリント配線板をはんだで接合するリフロー工程において、はんだのぬれ力により半導体パッケージが所定の位置からずれてしまう問題があった。   In the conventional LCC type semiconductor package, there is a problem that the semiconductor package is displaced from a predetermined position due to the wetting force of the solder in a reflow process in which the semiconductor package and the printed wiring board are joined by solder.

これは、はんだ印刷工程において、プリント配線板のランドに転写されたはんだ量がばらついた場合、はんだのぬれ力により半導体パッケージの受ける力はバランスせず、偏ってしまうためである。   This is because, in the solder printing process, when the amount of solder transferred to the land of the printed wiring board varies, the force received by the semiconductor package due to the wetting force of the solder is not balanced and biased.

半導体パッケージの受ける力が偏ってしまうのは、はんだのぬれ力により半導体パッケージの各電極やプリント配線板の各ランドの受ける力が、はんだの量に応じて変化するからである。   The reason why the force received by the semiconductor package is biased is that the force received by each electrode of the semiconductor package and each land of the printed wiring board changes according to the amount of solder due to the wetting force of the solder.

具体的に説明すると、図7に示すように、半導体パッケージ101の側面のはんだ104によるはんだ接合部は、半導体パッケージ101の側面の凹状の溝102の中心を通り、半導体パッケージ101の側面に平行及び底面に垂直である面に関して非対称な形状である。   Specifically, as shown in FIG. 7, the solder joint portion by the solder 104 on the side surface of the semiconductor package 101 passes through the center of the concave groove 102 on the side surface of the semiconductor package 101 and is parallel to the side surface of the semiconductor package 101. The shape is asymmetric with respect to a surface perpendicular to the bottom surface.

そのために、はんだ104のぬれ力によって半導体パッケージ101の電極103に及ぼす力には、半導体パッケージ101を実装するプリント配線板111の面に沿い、半導体パッケージ101の側面に垂直な方向に作用する成分が存在している。   Therefore, the force exerted on the electrode 103 of the semiconductor package 101 by the wetting force of the solder 104 includes a component acting along the surface of the printed wiring board 111 on which the semiconductor package 101 is mounted and in a direction perpendicular to the side surface of the semiconductor package 101. Existing.

図8(a)、(b)に示すように、各電極103に転写されるはんだ104の量が異なっていると、はんだ104と半導体パッケージ101の電極103が接触する面の外周長さは同図(c)、(d)に示すように変化する。このため、半導体パッケージ101の各電極103にはんだ104が及ぼす力も変化する。   As shown in FIGS. 8A and 8B, when the amount of solder 104 transferred to each electrode 103 is different, the outer peripheral length of the surface where the solder 104 and the electrode 103 of the semiconductor package 101 contact is the same. It changes as shown in FIGS. For this reason, the force exerted by the solder 104 on each electrode 103 of the semiconductor package 101 also changes.

これは、はんだのぬれ力により電極が受ける力は、電極とはんだが接触する面の外周長さとはんだの表面張力の積で表されるためである。   This is because the force that the electrode receives due to the wetting force of the solder is expressed by the product of the outer peripheral length of the surface where the electrode and the solder come into contact with the surface tension of the solder.

その結果、半導体パッケージが受けるはんだのぬれ力の釣り合いは、各電極とランドに転写されたはんだ量のばらつきの程度に依存して、全てのぬれ力が釣り合う位置まで半導体パッケージが移動することになる。   As a result, the balance of the solder wetting force received by the semiconductor package depends on the degree of variation in the amount of solder transferred to each electrode and land, and the semiconductor package moves to a position where all the wetting forces are balanced. .

このため、マウンタ−により正確な位置に半導体パッケージが搭載されても、リフロー工程を経た後、搭載位置からずれた位置に固定されてしまう事態が起こる。   For this reason, even if the semiconductor package is mounted at an accurate position by the mounter, after the reflow process, the semiconductor package is fixed at a position shifted from the mounting position.

本発明は、パッケージの側面に電極を有する半導体装置とプリント配線板をはんだ接合する半導体ユニットにおいて、はんだのぬれ力による実装位置ずれを抑制することができる半導体装置及び半導体ユニットを提供することを目的とするものである。   An object of the present invention is to provide a semiconductor device and a semiconductor unit capable of suppressing a mounting position shift due to a wetting force of solder in a semiconductor unit in which a semiconductor device having an electrode on a side surface of a package and a printed wiring board are soldered. It is what.

上記の課題を解決するため、本発明の半導体装置は、半導体素子を搭載するパッケージであって、前記パッケージの2つの対向する側面に、底面に対して垂直に形成された凹状の溝と、前記凹状の溝に配置され、お互いが対向して配置された一対の導電体からなる電極と、を有し、前記一対の導電体は、前記パッケージの前記底面及び前記側面に対して垂直であり、前記凹状の溝の中心を通る面に対して対称に配置されていることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a semiconductor device according to the present invention is a package on which a semiconductor element is mounted, and a concave groove formed perpendicularly to a bottom surface on two opposing side surfaces of the package, An electrode comprising a pair of conductors disposed in a concave groove and facing each other, the pair of conductors being perpendicular to the bottom surface and the side surface of the package, It is arranged symmetrically with respect to a plane passing through the center of the concave groove.

本発明の半導体ユニットは、半導体素子を搭載するパッケージであって、前記パッケージの側面に形成された凹状の溝と、前記凹状の溝に配置された一対の導電体からなる電極とを有する半導体装置と、前記半導体装置を搭載し、はんだによって前記電極に接続するランドを備えたプリント配線板と、を有し、前記一対の導電体は、前記パッケージの底面及び前記側面に対して垂直であり、前記凹状の溝の中心を通る面に対して対称に配置され、前記プリント配線板の前記ランドの形状は、前記半導体装置の前記パッケージの前記側面に対して垂直な方向の電極幅の中心を通る面に対して対称であることを特徴とする。   A semiconductor unit according to the present invention is a package on which a semiconductor element is mounted, and includes a concave groove formed on a side surface of the package and an electrode made of a pair of conductors arranged in the concave groove. And a printed wiring board having a land on which the semiconductor device is mounted and connected to the electrode by solder, and the pair of conductors is perpendicular to the bottom surface and the side surface of the package, The land of the printed wiring board is arranged symmetrically with respect to a plane passing through the center of the concave groove, and the shape of the land passes through the center of the electrode width in a direction perpendicular to the side surface of the package of the semiconductor device. It is symmetric with respect to the surface.

半導体装置の電極をプリント配線板のランドに接合するはんだ接合部が対称形状であれば、はんだのぬれ力によって半導体装置に作用する力は打ち消しあう。その結果、はんだ量にばらつきがあっても、リフロー工程における実装位置ずれを抑制することができる。   If the solder joint that joins the electrode of the semiconductor device to the land of the printed wiring board is symmetrical, the forces acting on the semiconductor device due to the wetting force of the solder cancel each other. As a result, even if there is a variation in the amount of solder, it is possible to suppress mounting position deviation in the reflow process.

本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

図1(a)は、実施例1による半導体装置である半導体素子を搭載する半導体パッケージ1を示す斜視図である。図示しない半導体素子を搭載するパッケージである半導体パッケージ1は、2つの対向する側面に凹状の溝2を有し、凹状の溝2に電極3が配置される。電極3は、図1(b)に示すように、凹状の溝2に配置されたお互いが対向して配置された一対の導電体3aを備え、はんだ4によってプリント配線板11のランド12に接続される。   FIG. 1A is a perspective view showing a semiconductor package 1 on which a semiconductor element which is a semiconductor device according to the first embodiment is mounted. A semiconductor package 1, which is a package on which a semiconductor element (not shown) is mounted, has a concave groove 2 on two opposing side surfaces, and an electrode 3 is disposed in the concave groove 2. As shown in FIG. 1B, the electrode 3 includes a pair of conductors 3 a disposed in the concave groove 2 and facing each other, and is connected to the land 12 of the printed wiring board 11 by the solder 4. Is done.

図2は、図1の装置の一部分を拡大して示すもので、(a)は半導体パッケージ1のみを示す部分拡大斜視図、(b)はプリント配線板11のランド12を含む部分拡大斜視図である。図2(a)に示す面P1は、半導体パッケージ1の側面及び底面に対して垂直で、かつ半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2の中心を通る面である。また、軸A1は、半導体パッケージ1の側面に対して垂直な方向の各導電体3aの幅(電極幅)の中心を通り、半導体パッケージ1の底面に垂直な軸である。   FIG. 2 is an enlarged view of a part of the apparatus of FIG. 1, (a) is a partially enlarged perspective view showing only the semiconductor package 1, and (b) is a partially enlarged perspective view including a land 12 of the printed wiring board 11. It is. A plane P1 shown in FIG. 2A is a plane that is perpendicular to the side surface and the bottom surface of the semiconductor package 1 and passes through the center of the concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1. The axis A1 is an axis that passes through the center of the width (electrode width) of each conductor 3a in the direction perpendicular to the side surface of the semiconductor package 1 and is perpendicular to the bottom surface of the semiconductor package 1.

図2(b)に示す面P2は、半導体パッケージ1の側面に垂直な方向の電極幅の中心を通り、半導体パッケージ1の側面に対して平行で、半導体パッケージ1の底面に対して垂直な面である。   A plane P2 shown in FIG. 2B passes through the center of the electrode width in the direction perpendicular to the side surface of the semiconductor package 1, is parallel to the side surface of the semiconductor package 1, and is perpendicular to the bottom surface of the semiconductor package 1. It is.

図3は、半導体パッケージ1の複数の電極3を、プリント配線板11にはんだ4によって接合した半導体ユニットの一部分を示す部分斜視図である。   FIG. 3 is a partial perspective view showing a part of a semiconductor unit in which a plurality of electrodes 3 of the semiconductor package 1 are joined to a printed wiring board 11 by solder 4.

図4は、電極3ごとにはんだ量が変化した場合を示すもので、(a)、(c)は、はんだ量が比較的少ないはんだ接合部を示す斜視図及び断面図、(b)、(d)は、はんだ量が比較的多いはんだ接合部を示す斜視図及び断面図である。   FIG. 4 shows a case where the amount of solder changes for each electrode 3. FIGS. 4A and 4C are a perspective view and a cross-sectional view showing a solder joint with a relatively small amount of solder, and FIGS. d) A perspective view and a cross-sectional view showing a solder joint portion having a relatively large amount of solder.

本実施例による半導体パッケージ1及び半導体ユニットを具体的に説明する。   The semiconductor package 1 and the semiconductor unit according to this embodiment will be specifically described.

図1に示すように、側面の凹状の溝2に電極3を有するLCC型の半導体パッケージ1は、はんだ4を介してプリント配線板11のランド12に接続される。   As shown in FIG. 1, an LCC type semiconductor package 1 having an electrode 3 in a concave groove 2 on a side surface is connected to a land 12 of a printed wiring board 11 via a solder 4.

半導体パッケージ1の大きさは、縦11.49mm、横14.03mm、高さ2.16mmである。   The semiconductor package 1 has a length of 11.49 mm, a width of 14.03 mm, and a height of 2.16 mm.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2は、縦0.63mm、横0.64mm、高さ2.16mm、ピッチは1.27mmである。   The concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 has a length of 0.63 mm, a width of 0.64 mm, a height of 2.16 mm, and a pitch of 1.27 mm.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2は、半導体パッケージ1の底面に垂直な方向に形成されたスルーホールを分割して得られたものである。   The concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 is obtained by dividing a through hole formed in a direction perpendicular to the bottom surface of the semiconductor package 1.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2の断面は、縦0.4mm、横0.64mmの直方体と、直方体の長辺の中央に中心を持ち半径0.23mmの半円を、お互いが重ならないように合わせた形状である。半円と接していない側の断面の直方体部の長辺は、半導体パッケージ1の側面上にある。   The cross section of the concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 is a rectangular parallelepiped having a length of 0.4 mm and a width of 0.64 mm and a semicircle having a center at the center of the long side of the rectangular parallelepiped and a radius of 0.23 mm. It is the shape which matched so. The long side of the rectangular parallelepiped portion in the cross section on the side not in contact with the semicircle is on the side surface of the semiconductor package 1.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2に形成された電極3は、一対の導電体3aからなり、各導電体3aの幅(電極幅)は0.4mm、高さは2.16mmであり、表面のメッキは金である。   The electrode 3 formed in the concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 includes a pair of conductors 3a, and each conductor 3a has a width (electrode width) of 0.4 mm and a height of 2.16 mm. The surface plating is gold.

図2に示すように、半導体パッケージ1の側面及び底面に垂直で、かつ、半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2の中心を通る面P1に対称な一対の導電体3aが、半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2の一部に配置される。   As shown in FIG. 2, a pair of conductors 3 a that are perpendicular to the side surface and the bottom surface of the semiconductor package 1 and symmetrical with respect to the plane P <b> 1 that passes through the center of the concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 It is arranged in a part of the concave groove 2 on the side surface.

各導電体3aの形状は、半導体パッケージ1の側面に垂直な方向の電極幅の中心を通り、半導体パッケージ1の底面に垂直な軸A1に対称となる。   The shape of each conductor 3 a passes through the center of the electrode width in the direction perpendicular to the side surface of the semiconductor package 1 and is symmetric with respect to the axis A 1 perpendicular to the bottom surface of the semiconductor package 1.

プリント配線板11のランド12は、半導体パッケージ1の底面に平行で、側面に対しては垂直になるように配置される。ランド12の形状は、半導体パッケージ1の側面に垂直な方向の電極幅の中心を通り、半導体パッケージ1の底面に垂直な面P2に対称となるように形成される。   The land 12 of the printed wiring board 11 is arranged so as to be parallel to the bottom surface of the semiconductor package 1 and perpendicular to the side surface. The shape of the land 12 is formed so as to be symmetric with respect to a plane P2 that passes through the center of the electrode width in the direction perpendicular to the side surface of the semiconductor package 1 and is perpendicular to the bottom surface of the semiconductor package 1.

さらに、プリント配線板11のランド12の形状と配置は、半導体パッケージ1の側面及び底面に垂直で、かつ、半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2の中心を通る面P1に対称となる。   Further, the shape and arrangement of the lands 12 of the printed wiring board 11 are symmetrical to a plane P1 that is perpendicular to the side surface and the bottom surface of the semiconductor package 1 and passes through the center of the concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1.

その結果、図3に示すように、半導体パッケージ1の電極3とプリント配線板11のランド12を接合するはんだ4の形状は、半導体パッケージ1の側面及び底面に垂直で、かつ、半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2の中心を通る面P1に対称となる。   As a result, as shown in FIG. 3, the shape of the solder 4 that joins the electrode 3 of the semiconductor package 1 and the land 12 of the printed wiring board 11 is perpendicular to the side surface and the bottom surface of the semiconductor package 1, and It becomes symmetrical with respect to a plane P1 passing through the center of the concave groove 2 on the side surface.

さらに、図4(c)、(d)に示すように、はんだ4の形状は、半導体パッケージ1の側面に垂直な方向の電極幅の中心を通り、半導体パッケージ1の側面に平行で半導体パッケージ1の底面に垂直な面P2に対称となる。   Further, as shown in FIGS. 4C and 4D, the shape of the solder 4 passes through the center of the electrode width in the direction perpendicular to the side surface of the semiconductor package 1 and is parallel to the side surface of the semiconductor package 1. It becomes symmetrical with respect to a plane P2 perpendicular to the bottom surface.

これにより、はんだ4のぬれ力が半導体パッケージ1の電極3に及ぼす力のうちで、半導体パッケージ1が接合するプリント配線板11の面に沿い、半導体パッケージ1の側面に垂直な方向に作用する成分と、前記側面に平行な方向に作用する成分は相殺される。   As a result, among the forces that the wetting force of the solder 4 exerts on the electrodes 3 of the semiconductor package 1, the component that acts along the surface of the printed wiring board 11 to which the semiconductor package 1 is joined and is perpendicular to the side surface of the semiconductor package 1 Then, the component acting in the direction parallel to the side surface is canceled out.

図4(a)、(b)に示したように、各電極3に転写されるはんだ4の量が異なっていた場合でも、はんだ接合部の形状が対称であるために、はんだ4のぬれ力によって半導体パッケージ1に作用する力は打ち消しあう。   As shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), even when the amount of solder 4 transferred to each electrode 3 is different, the shape of the solder joint is symmetrical, so the wetting force of the solder 4 Accordingly, the forces acting on the semiconductor package 1 cancel each other.

各電極3に転写されるはんだ4の量にばらつきがある場合でも、半導体パッケージ1が受けるはんだ4による力は各電極3において釣り合うため、リフロー工程において半導体パッケージ1の実装位置がはんだ量のばらつきに影響されてずれることはない。   Even when there is a variation in the amount of solder 4 transferred to each electrode 3, the force due to the solder 4 received by the semiconductor package 1 balances with each electrode 3, so that the mounting position of the semiconductor package 1 varies in the amount of solder in the reflow process. It will not be shifted by being affected.

図5は、実施例2による半導体パッケージ1の一部分を示す部分斜視図である。本実施例は、実施例1の電極3の代わりに、円柱状のスルーホールの一部を、円柱の中心軸に平行かつ半導体パッケージ側面に平行な向きに切断したときに得られる面に形成された一対の円弧状の断面を有する導電体23aからなる電極23を備える。その他の点は実施例1と同様である。   FIG. 5 is a partial perspective view showing a part of the semiconductor package 1 according to the second embodiment. In this example, instead of the electrode 3 of Example 1, a part of a cylindrical through hole is formed on a surface obtained by cutting in a direction parallel to the central axis of the cylinder and parallel to the side surface of the semiconductor package. An electrode 23 made of a conductor 23a having a pair of arcuate cross sections is provided. Other points are the same as in the first embodiment.

以下、本実施例の半導体パッケージ1を具体的に説明する。   Hereinafter, the semiconductor package 1 of the present embodiment will be specifically described.

半導体パッケージ1の大きさは、縦11.49mm、横14.03mm、高さ2.16mmである。   The semiconductor package 1 has a length of 11.49 mm, a width of 14.03 mm, and a height of 2.16 mm.

半導体パッケージ1側面の凹状の溝2は、半導体パッケージ1の底面に垂直で、半導体パッケージ1の側面から0.1mmの位置にある軸に沿って形成された、φ0.4mmのスルーホールを分割して得られたものである。   The concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 divides a through hole of φ0.4 mm formed along an axis perpendicular to the bottom surface of the semiconductor package 1 and 0.1 mm from the side surface of the semiconductor package 1. It was obtained.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2は、高さ2.16mm、ピッチは1.27mmである。   The concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 has a height of 2.16 mm and a pitch of 1.27 mm.

半導体パッケージ1の電極23を構成する一対の導電体23aは、半導体パッケージ1の側面からの距離が0.3mmまでの領域に形成されており、高さは2.16mmである。各導電体23aの表面のメッキは金である。   The pair of conductors 23a constituting the electrode 23 of the semiconductor package 1 is formed in a region where the distance from the side surface of the semiconductor package 1 is up to 0.3 mm, and the height is 2.16 mm. The plating on the surface of each conductor 23a is gold.

半導体パッケージ1とプリント配線板を接合するはんだは、Sn−Ag−Cu系の組成であるが、他の組成、例えばSn−Bi系であってもよい。   The solder that joins the semiconductor package 1 and the printed wiring board has a Sn—Ag—Cu-based composition, but may have another composition, such as a Sn—Bi-based composition.

図6は、実施例3による半導体パッケージ1の一部分を示す部分斜視図である。半導体パッケージ1の電極3は、一対の導電体3aの上端を被蓋するように配置された蓋部材5に形成された導電部3bを有する。これにより、半導体パッケージ1のはんだ接合面積が増え、接合強度が高まる効果が期待できる。   FIG. 6 is a partial perspective view showing a part of the semiconductor package 1 according to the third embodiment. The electrode 3 of the semiconductor package 1 has a conductive portion 3b formed on a lid member 5 disposed so as to cover the upper ends of the pair of conductors 3a. Thereby, the solder joint area of the semiconductor package 1 increases, and the effect that joint strength increases can be expected.

以下、本実施例による半導体パッケージ1を具体的に説明する。   Hereinafter, the semiconductor package 1 according to the present embodiment will be described in detail.

半導体パッケージ1の大きさは、縦11.49mm、横14.03mm、高さ2.16mmである。   The semiconductor package 1 has a length of 11.49 mm, a width of 14.03 mm, and a height of 2.16 mm.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2は、縦0.63mm、横0.64mm、高さ1.2mm、ピッチは1.27mmである。   The concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 has a length of 0.63 mm, a width of 0.64 mm, a height of 1.2 mm, and a pitch of 1.27 mm.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2は、半導体パッケージ1の底面に垂直な方向に、半導体パッケージ1の底面から1.2mmの高さまで形成されたスルーホールを分割して得られたものである。   The concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 is obtained by dividing a through hole formed to a height of 1.2 mm from the bottom surface of the semiconductor package 1 in a direction perpendicular to the bottom surface of the semiconductor package 1. .

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2の断面は、縦0.4mm、横0.64mmの直方体と、直方体の長辺の中央に中心を持ち半径0.23mmの半円を、お互いが重ならないように合わせた形状である。半円と接していない側の断面の直方体の長辺は、半導体パッケージ1の側面上にある。   The cross section of the concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 is a rectangular parallelepiped having a length of 0.4 mm and a width of 0.64 mm and a semicircle having a center at the center of the long side of the rectangular parallelepiped and a radius of 0.23 mm. It is the shape which matched so. The long side of the rectangular parallelepiped on the side not in contact with the semicircle is on the side surface of the semiconductor package 1.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2に形成された一対の導電体3aの幅は0.4mm、高さは1.2mmである。   The pair of conductors 3a formed in the concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 has a width of 0.4 mm and a height of 1.2 mm.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2において、一対の導電体3aの上端を被蓋するように形成された導電部3bは、縦0.4mm、横0.64mmである。   In the concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1, the conductive portion 3b formed to cover the upper ends of the pair of conductors 3a is 0.4 mm long and 0.64 mm wide.

半導体パッケージ1の側面の凹状の溝2に形成された一対の導電体3a及び上端の導電部3bの表面のメッキは金である。   The plating of the surfaces of the pair of conductors 3a formed in the concave groove 2 on the side surface of the semiconductor package 1 and the upper conductive portion 3b is gold.

半導体パッケージ1の凹状の溝2の上端に形成された導電部3bの表面は、接合強度確保の観点からメッキが施されていることが望ましいが、メッキが施されていなくとも位置ずれ抑制の課題は解決できる。   The surface of the conductive portion 3b formed at the upper end of the concave groove 2 of the semiconductor package 1 is preferably plated from the viewpoint of securing the bonding strength. Can be solved.

半導体パッケージとプリント配線板を接合するはんだは、Sn−Ag−Cu系の組成であるが、他の組成、例えばSn−Bi系であってもよい。   The solder for joining the semiconductor package and the printed wiring board has a Sn-Ag-Cu composition, but may have another composition, for example, a Sn-Bi composition.

実施例1を示すもので、(a)は半導体パッケージを示す斜視図、(b)は半導体ユニットの一部分を拡大して示す部分拡大斜視図である。FIGS. 1A and 1B show a first embodiment, in which FIG. 1A is a perspective view showing a semiconductor package, and FIG. 2B is a partially enlarged perspective view showing an enlarged part of a semiconductor unit. 半導体パッケージの電極構造とプリント配線板のランドの配置を示すもので、(a)は半導体パッケージの電極構造を示す部分斜視図、(b)は半導体パッケージの電極とプリント配線板のランドの配置を説明する部分斜視図である。FIG. 2A shows a layout of an electrode structure of a semiconductor package and a land of a printed wiring board. FIG. 2A is a partial perspective view showing an electrode structure of the semiconductor package, and FIG. It is a fragmentary perspective view to explain. はんだ接合された半導体パッケージとプリント配線板からなる半導体ユニットの一部分を示す部分斜視図である。It is a fragmentary perspective view which shows a part of semiconductor unit which consists of the semiconductor package and printed wiring board which were soldered. はんだ量が電極ごとに異なる場合を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the case where the amount of solder differs for every electrode. 実施例2による半導体パッケージの一部分を示す部分斜視図である。6 is a partial perspective view showing a part of a semiconductor package according to Example 2. FIG. 実施例3による半導体パッケージの一部分を示す部分斜視図である。12 is a partial perspective view showing a part of a semiconductor package according to Example 3. FIG. 一従来例を説明する図である。It is a figure explaining a prior art example. 図7の従来例において電極ごとにはんだ量が異なる場合を説明する説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining a case where the amount of solder differs for each electrode in the conventional example of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体パッケージ
2 凹状の溝
3 電極
3a、23a 導電体
4 はんだ
5 蓋部材
11 プリント配線板
12 ランド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor package 2 Concave groove 3 Electrode 3a, 23a Conductor 4 Solder 5 Lid member 11 Printed wiring board 12 Land

Claims (7)

半導体素子を搭載するパッケージであって、
前記パッケージの2つの対向する側面に、底面に対して垂直に形成された凹状の溝と、
前記凹状の溝に配置され、お互いが対向して配置された一対の導電体からなる電極と、を有し、
前記一対の導電体は、前記パッケージの前記底面及び前記側面に対して垂直であり、前記凹状の溝の中心を通る面に対して対称に配置されていることを特徴とする半導体装置。
A package for mounting a semiconductor element,
A concave groove formed perpendicular to the bottom surface on two opposite side surfaces of the package;
An electrode made of a pair of conductors arranged in the concave groove and arranged to face each other,
The pair of conductors is perpendicular to the bottom surface and the side surface of the package, and is disposed symmetrically with respect to a surface passing through the center of the concave groove.
各導電体の形状は、前記パッケージの前記側面に対して垂直な方向の電極幅の中心に対して対称であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。   2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the shape of each conductor is symmetric with respect to the center of the electrode width in a direction perpendicular to the side surface of the package. 前記電極は、前記一対の導電体の上端を被蓋する導電部を備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the electrode includes a conductive portion that covers an upper end of the pair of conductors. 半導体素子を搭載するパッケージであって、前記パッケージの側面に形成された凹状の溝と、前記凹状の溝に配置された一対の導電体からなる電極とを有する半導体装置と、
前記半導体装置を搭載し、はんだによって前記電極に接続するランドを備えたプリント配線板と、を有し、
前記一対の導電体は、前記パッケージの底面及び前記側面に対して垂直であり、前記凹状の溝の中心を通る面に対して対称に配置され、
前記プリント配線板の前記ランドの形状は、前記半導体装置の前記パッケージの前記側面に対して垂直な方向の電極幅の中心を通る面に対して対称であることを特徴とする半導体ユニット。
A semiconductor device mounting package, a semiconductor device having a concave groove formed on a side surface of the package and an electrode made of a pair of conductors arranged in the concave groove;
A printed wiring board having a land on which the semiconductor device is mounted and connected to the electrode by solder;
The pair of conductors is perpendicular to the bottom surface and the side surface of the package, and is disposed symmetrically with respect to a surface passing through the center of the concave groove,
The shape of the land of the printed wiring board is symmetric with respect to a plane passing through the center of the electrode width in a direction perpendicular to the side surface of the package of the semiconductor device.
前記半導体装置の各導電体の形状は、前記パッケージの前記側面に対して垂直な方向の電極幅の中心に対して対称であることを特徴とする請求項4に記載の半導体ユニット。   5. The semiconductor unit according to claim 4, wherein the shape of each conductor of the semiconductor device is symmetric with respect to the center of the electrode width in a direction perpendicular to the side surface of the package. 前記プリント配線板の前記ランドの形状は、前記半導体装置の前記パッケージの前記凹状の溝の中心を通る面に対して対称であることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体ユニット。   6. The semiconductor unit according to claim 4, wherein a shape of the land of the printed wiring board is symmetric with respect to a plane passing through a center of the concave groove of the package of the semiconductor device. 前記半導体装置の前記電極は、前記一対の導電体の上端を被蓋する導電部を備えたことを特徴とする請求項4ないし6のいずれかに記載の半導体ユニット。   The semiconductor unit according to claim 4, wherein the electrode of the semiconductor device includes a conductive portion that covers an upper end of the pair of conductors.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015211096A (en) * 2014-04-25 2015-11-24 京セラ株式会社 Element mounting board and mounting structure

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