JP2010114196A - Reflection-type photointerrupter - Google Patents

Reflection-type photointerrupter Download PDF

Info

Publication number
JP2010114196A
JP2010114196A JP2008284255A JP2008284255A JP2010114196A JP 2010114196 A JP2010114196 A JP 2010114196A JP 2008284255 A JP2008284255 A JP 2008284255A JP 2008284255 A JP2008284255 A JP 2008284255A JP 2010114196 A JP2010114196 A JP 2010114196A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
receiving element
wavelength region
light receiving
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008284255A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoharu Horio
友春 堀尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2008284255A priority Critical patent/JP2010114196A/en
Priority to US12/611,347 priority patent/US8053800B2/en
Priority to CN200910258404XA priority patent/CN101777602B/en
Publication of JP2010114196A publication Critical patent/JP2010114196A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflection-type photointerrupter that accurately discriminates between a case wherein an light reflective object is detected and a case wherein the light reflective object is not detected. <P>SOLUTION: The reflection-type photointerrupter A includes a substrate 1, a light emitting element 2 arranged on the substrate 1 and emitting infrared light, a light receiving element 3 arranged on the substrate 1 and receiving the infrared light emitted by the light emitting element 2 and reflected by the light reflective object, and a mold resin 5 formed on the substrate 1 and covering the light emitting element 2 and light receiving element 3. The reflection-type photointerrupter further includes a reflective film 6 which is arranged on a path of the light incident on the light receiving element 3 on the side of the light reflective object 7 with respect to the mold resin 5, and has larger transmissivity to the infrared light traveling to the light receiving element 3 than to visible light traveling to the light receiving element 3. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、反射型フォトインタラプタに関する。   The present invention relates to a reflective photointerrupter.

図５は、従来の反射型フォトインタラプタを示している。同図に示されたフォトインタラプタ９Ａは、電子機器に設けられている。フォトインタラプタ９Ａは、基板９１、発光素子９２、受光素子９３、モールド樹脂９５、および遮光樹脂９４を備えている。基板９１は、長矩形状平板であり、ガラスエポキシ樹脂から構成されている基板材料および金属から構成されている配線パターンから構成されている。発光素子９２は、基板９１の表面上に配置され、赤外線を発光可能に構成されている。受光素子９３は、基板９１の表面上に配置され、受光した光量に応じた起電力を生じることが可能に構成されている。受光素子９３は、発光素子９２から出射され反射対象により反射された光を受けるために用いられる。モールド樹脂９５は、基板９１の表面上に形成され、発光素子９２や受光素子９３を覆っている。モールド樹脂９５は、赤外線をほとんど透過する。一方、モールド樹脂９５は、可視光をほとんど遮断する。遮光樹脂９４は、発光素子９２からの赤外線が、モールド樹脂９５を透過し、上記反射対象に反射することなく受光素子９３に直接入射してしまうことを防止している。   FIG. 5 shows a conventional reflective photointerrupter. The photo interrupter 9A shown in the figure is provided in an electronic device. The photo interrupter 9A includes a substrate 91, a light emitting element 92, a light receiving element 93, a mold resin 95, and a light shielding resin 94. The substrate 91 is a long rectangular flat plate, and is composed of a substrate material made of glass epoxy resin and a wiring pattern made of metal. The light emitting element 92 is disposed on the surface of the substrate 91 and configured to emit infrared light. The light receiving element 93 is arranged on the surface of the substrate 91 and is configured to be able to generate an electromotive force according to the amount of received light. The light receiving element 93 is used for receiving light emitted from the light emitting element 92 and reflected by the reflection target. The mold resin 95 is formed on the surface of the substrate 91 and covers the light emitting element 92 and the light receiving element 93. The mold resin 95 transmits almost infrared rays. On the other hand, the mold resin 95 almost blocks visible light. The light shielding resin 94 prevents infrared rays from the light emitting element 92 from passing through the mold resin 95 and directly entering the light receiving element 93 without being reflected by the reflection target.

しかしながら、このようなフォトインタラプタ９Ａにおいて、モールド樹脂９５は、可視光の透過を完全には遮断しない。そのため、フォトインタラプタ９Ａを屋外などの太陽光の照射が強い場所で用いる場合、太陽光の可視光領域におけるエネルギーの大きな光が、モールド樹脂９５を透過し、受光素子９３に入射するおそれがある。このとき、受光素子９３に発光素子９２からの赤外線が入射していないにもかかわらず、受光素子９３に起電力が生じてしまう。これは、上記反射対象を検出していない場合に上記反射対象を検出したとフォトインタラプタ９Ａが判断してしまう不具合を招くため、好ましくない。   However, in such a photo interrupter 9A, the mold resin 95 does not completely block transmission of visible light. For this reason, when the photo interrupter 9A is used in a place where sunlight irradiation is strong, such as outdoors, light having a large energy in the visible light region of sunlight may pass through the mold resin 95 and enter the light receiving element 93. At this time, an electromotive force is generated in the light receiving element 93 even though the infrared light from the light emitting element 92 is not incident on the light receiving element 93. This is not preferable because it causes a problem that the photo interrupter 9A determines that the reflection target is detected when the reflection target is not detected.

特開２００７−１３０５０号公報JP 2007-13050 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、反射対象を検出している場合と上記反射対象を検出していない場合とをより的確に判断できる反射型フォトインタラプタを提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and a reflection type photointerrupter that can more accurately determine when a reflection target is detected and when the reflection target is not detected. The issue is to provide.

本発明によって提供される反射型フォトインタラプタは、基板と、上記基板上に配置されているとともに、第１波長領域を含む波長領域の光を発する発光素子と、上記基板上に配置されているとともに、上記発光素子から出射され反射対象により反射された上記第１波長領域の光を受光する受光素子と、上記基板上に形成された、上記発光素子および上記受光素子を覆うモールド樹脂と、を備えている、反射型フォトインタラプタであって、上記受光素子に入射する光の経路上において、上記モールド樹脂より上記反射対象側に配置されているとともに、上記受光素子に向かう上記第１波長領域の光の透過率が、上記受光素子に向かう上記第１波長領域と重ならない第２波長領域の光の透過率より大きいフィルタをさらに備えることを特徴としている。   The reflective photointerrupter provided by the present invention is disposed on the substrate, the light emitting element that emits light in the wavelength region including the first wavelength region, and the substrate. A light receiving element that receives the light in the first wavelength region that is emitted from the light emitting element and reflected by a reflection target, and a mold resin that is formed on the substrate and covers the light emitting element and the light receiving element. A reflection type photointerrupter disposed on the reflection target side from the mold resin on a path of light incident on the light receiving element, and in the first wavelength region toward the light receiving element The filter further comprises a filter whose transmittance is greater than the transmittance of light in the second wavelength region that does not overlap the first wavelength region toward the light receiving element. To have.

このような構成によれば、上記反射対象を検出している検出状態であるときに、上記フィルタで上記発光素子からの上記第１波長領域の光の透過を遮断する割合は、上記発光素子からの光が上記反射対象に反射しておらず、上記反射対象を検出していない非検出状態であるときに、上記第２波長領域の光の透過を遮断する割合よりも小さい。そのため、上記検出状態である場合には、上記受光素子への上記第１波長領域の光の入射を確保することができる。一方、上記非検出状態である場合には、上記受光素子への上記第２波長領域の光の入射を抑制することができる。その結果、上記検出状態と上記非検出状態とをより的確に判断することが可能となる。   According to such a configuration, in the detection state in which the reflection target is detected, the ratio of blocking the transmission of light in the first wavelength region from the light emitting element by the filter is from the light emitting element. Is less than the ratio of blocking the transmission of light in the second wavelength region when the light is not reflected by the reflective object and the reflective object is not detected. Therefore, in the detection state, it is possible to ensure the incidence of light in the first wavelength region to the light receiving element. On the other hand, in the non-detection state, the incidence of light in the second wavelength region to the light receiving element can be suppressed. As a result, it is possible to more accurately determine the detection state and the non-detection state.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１波長領域は赤外線の波長領域であり、上記第２波長領域は、可視光の波長領域である。   In a preferred embodiment of the present invention, the first wavelength region is an infrared wavelength region, and the second wavelength region is a visible light wavelength region.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記フィルタは、上記受光素子に向かう上記第２波長領域の光を反射する反射フィルムである。   In a preferred embodiment of the present invention, the filter is a reflective film that reflects light in the second wavelength region toward the light receiving element.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記フィルタは、上記モールド樹脂の表面上に形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the filter is formed on the surface of the mold resin.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１は、本発明の実施形態にかかる反射型フォトインタラプタの平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。これらの図に示されたフォトインタラプタＡは、基板１、発光素子２、受光素子３、突出部４、モールド樹脂５、および、反射フィルム６を備えている。なお、理解の便宜上、図１においては、反射フィルム６を省略している。フォトインタラプタＡは、たとえば折りたたみ式の携帯電話機に組み込まれ、携帯電話機の開閉状態を検出するために用いられる。フォトインタラプタＡは、たとえば、底面が１．４ｍｍ×１．３ｍｍ、厚さが０．１〜０．２ｍｍの薄板形状である。   FIG. 1 is a plan view of a reflective photointerrupter according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. The photo interrupter A shown in these drawings includes a substrate 1, a light emitting element 2, a light receiving element 3, a protruding portion 4, a mold resin 5, and a reflective film 6. For convenience of understanding, the reflective film 6 is omitted in FIG. The photo interrupter A is incorporated in, for example, a foldable mobile phone and is used to detect the open / closed state of the mobile phone. The photo interrupter A has, for example, a thin plate shape with a bottom surface of 1.4 mm × 1.3 mm and a thickness of 0.1 to 0.2 mm.

基板１は、基板材料１１および配線パターン１２を備えている。基板１の表面１５側（図２における上面側）には、一対の凹部１ａ，１ｂが形成されている。基板材料１１は、たとえば、１．４ｍｍ×１．３ｍｍの矩形状平板である。基板材料１１の厚さは、たとえば、０．０５ｍｍである。基板材料１１は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。ガラスエポキシ樹脂は赤外線を透過させることができる。すなわち、基板材料１１は、光透過性の材料（本実施形態では赤外線を透過可能な材料）から構成されている。   The substrate 1 includes a substrate material 11 and a wiring pattern 12. A pair of recesses 1a and 1b is formed on the surface 15 side of the substrate 1 (upper surface side in FIG. 2). The substrate material 11 is, for example, a 1.4 mm × 1.3 mm rectangular flat plate. The thickness of the substrate material 11 is, for example, 0.05 mm. The substrate material 11 is made of, for example, a glass epoxy resin. Glass epoxy resin can transmit infrared rays. That is, the substrate material 11 is made of a light-transmitting material (a material that can transmit infrared rays in the present embodiment).

配線パターン１２は、パッド電極１２１ａ，１２１ｂ、実装電極１２２、およびボンディングパッド１２３ａ，１２３ｂを備えている。パッド電極１２１ａは、凹部１ａの表面の全体を構成している。同様に、パッド電極１２１ｂは、凹部１ｂの表面の全体を構成している。パッド電極１２１ａ，１２１ｂは、たとえば銅などの導電体から構成されている。   The wiring pattern 12 includes pad electrodes 121a and 121b, a mounting electrode 122, and bonding pads 123a and 123b. The pad electrode 121a constitutes the entire surface of the recess 1a. Similarly, the pad electrode 121b constitutes the entire surface of the recess 1b. Pad electrodes 121a and 121b are made of a conductor such as copper, for example.

実装電極１２２は、基板１の裏面１６側（図２における下面側）に形成されている。実装電極１２２は、たとえば銅などの導電体から構成されている。実装電極１２２は、フォトインタラプタＡが面実装される位置における外部電極と導通させるために用いられる。実装電極１２２の一部は、基板１の面内方向ｘ１において、パッド電極１２１ａおよびパッド電極１２１ｂと重なっている。また、実装電極１２２は、パッド電極１２１ａ，１２１ｂと接している。ボンディングパッド１２３ａ，１２３ｂも、銅などの導電体から構成されている。   The mounting electrode 122 is formed on the back surface 16 side (the lower surface side in FIG. 2) of the substrate 1. The mounting electrode 122 is made of a conductor such as copper, for example. The mounting electrode 122 is used to conduct with an external electrode at a position where the photo interrupter A is surface-mounted. Part of the mounting electrode 122 overlaps the pad electrode 121a and the pad electrode 121b in the in-plane direction x1 of the substrate 1. The mounting electrode 122 is in contact with the pad electrodes 121a and 121b. The bonding pads 123a and 123b are also made of a conductor such as copper.

発光素子２は、赤外線を出射可能なＬＥＤ素子とされている。本実施形態における赤外線の波長領域は、本発明にかかる第１波長領域に相当する。一方、本実施形態における可視光の波長領域は、本発明にかかる第２波長領域に相当する。発光素子２は、パッド電極１２１ａに銀ペーストなどを用いてダイボンディングされている。これにより、発光素子２は、パッド電極１２１ａと導通している。一方、発光素子２は、ボンディングワイヤｗａにより、ボンディングパッド１２３ａとも導通している。   The light emitting element 2 is an LED element capable of emitting infrared rays. The infrared wavelength region in the present embodiment corresponds to the first wavelength region according to the present invention. On the other hand, the wavelength region of visible light in the present embodiment corresponds to the second wavelength region according to the present invention. The light emitting element 2 is die-bonded to the pad electrode 121a using a silver paste or the like. Thereby, the light emitting element 2 is electrically connected to the pad electrode 121a. On the other hand, the light emitting element 2 is electrically connected to the bonding pad 123a by the bonding wire wa.

受光素子３は、赤外線を検出可能なフォトトランジスタなどの光電変換素子とされている。受光素子３は、発光素子２から出射され反射対象により反射された赤外線を受光するために用いられる。受光素子３は、パッド電極１２１ｂに銀ペーストなどを用いてダイボンディングされている。そのため、受光素子３は、凹部１ｂに配置されているといえる。これにより、受光素子３は、パッド電極１２１ｂと導通している。一方、受光素子３は、ボンディングワイヤｗｂにより、ボンディングパッド１２３ｂとも導通している。   The light receiving element 3 is a photoelectric conversion element such as a phototransistor capable of detecting infrared rays. The light receiving element 3 is used to receive infrared rays emitted from the light emitting element 2 and reflected by the reflection target. The light receiving element 3 is die-bonded to the pad electrode 121b using a silver paste or the like. Therefore, it can be said that the light receiving element 3 is disposed in the recess 1b. Thereby, the light receiving element 3 is electrically connected to the pad electrode 121b. On the other hand, the light receiving element 3 is also electrically connected to the bonding pad 123b by the bonding wire wb.

図１，図２によく表れているように、突出部４は、発光素子２と受光素子３との間に形成されている。突出部４は、基板１の表面１５から、図２の上方に向かって起立している。本実施形態では、突出部４は、複数の銅メッキ層などが積層された構造とされている。突出部４は、発光素子２と受光素子３を結ぶ直線に垂直な方向に沿って延びるように形成されている。   As clearly shown in FIGS. 1 and 2, the protruding portion 4 is formed between the light emitting element 2 and the light receiving element 3. The protruding portion 4 stands from the surface 15 of the substrate 1 upward in FIG. In this embodiment, the protrusion 4 has a structure in which a plurality of copper plating layers and the like are stacked. The protrusion 4 is formed so as to extend along a direction perpendicular to a straight line connecting the light emitting element 2 and the light receiving element 3.

図１，２によく表れているように、モールド樹脂５は、樹脂部５ａ，５ｂから構成されている。樹脂部５ａは、基板１および凹部１ａの表面上に形成されており、発光素子２を覆っている。樹脂部５ｂは、基板１および凹部１ｂの表面上に形成されており、受光素子３を覆っている。樹脂部５ａ，５ｂは、たとえば染料を含んだエポキシ樹脂材料により構成されている。このエポキシ樹脂材料は、赤外線をほとんど透過させる一方、可視光の透過をほとんど遮断する。   As clearly shown in FIGS. 1 and 2, the mold resin 5 includes resin portions 5 a and 5 b. The resin portion 5 a is formed on the surfaces of the substrate 1 and the recess 1 a and covers the light emitting element 2. The resin portion 5 b is formed on the surfaces of the substrate 1 and the recess 1 b and covers the light receiving element 3. The resin parts 5a and 5b are made of, for example, an epoxy resin material containing a dye. This epoxy resin material almost transmits infrared light, but blocks almost all visible light.

モールド樹脂５の表面からは、図１の上下方向にわたって、突出部４が露出している。そのためモールド樹脂５は、突出部４により、樹脂部５ａおよび樹脂部５ｂに分割させられた格好となっている。   The protrusion 4 is exposed from the surface of the mold resin 5 in the vertical direction of FIG. For this reason, the mold resin 5 is divided into a resin part 5 a and a resin part 5 b by the protruding part 4.

図２に表れているように、反射フィルム６は、受光素子３に入射する光の経路上において、モールド樹脂５よりカバー面７側に配置されている。反射フィルム６は、モールド樹脂５の表面に形成されている。   As shown in FIG. 2, the reflective film 6 is disposed on the cover surface 7 side of the mold resin 5 on the path of light incident on the light receiving element 3. The reflective film 6 is formed on the surface of the mold resin 5.

図３に、図２の上方から下方に向かってくる光の波長に対する反射フィルム６の透過特性を示している。反射フィルム６は、図２の上方から下方に向かってくる可視光のほとんどを反射する。そのため、図３に示すように、反射フィルム６の受光素子３に向かう可視光の透過率は、きわめて低いものとなっている。一方、図３に示すように、反射フィルム６は、同２の上方から下方に向かってくる赤外線のほとんどを透過する。すなわち、反射フィルム６は、受光素子３に向かう赤外線の透過率が、受光素子３に向かう可視光の透過率よりも大きい。一方、反射フィルム６は、発光素子２から、同図の上方へ光を透過させる。すなわち本実施形態では、反射フィルム６は、可視光用のコールドミラーである。   FIG. 3 shows the transmission characteristics of the reflective film 6 with respect to the wavelength of light coming from the top to the bottom of FIG. The reflective film 6 reflects most of the visible light from the top to the bottom of FIG. Therefore, as shown in FIG. 3, the visible light transmittance toward the light receiving element 3 of the reflective film 6 is extremely low. On the other hand, as shown in FIG. 3, the reflective film 6 transmits most of the infrared rays coming downward from the top of the same. That is, the reflective film 6 has a greater infrared transmittance toward the light receiving element 3 than a visible light transmittance toward the light receiving element 3. On the other hand, the reflective film 6 transmits light upward from the light emitting element 2 in FIG. That is, in this embodiment, the reflective film 6 is a cold mirror for visible light.

カバー面７は、折りたたみ式携帯電話機の一部である。上記携帯電話機が折りたたまれている場合には、図２に示すようにカバー面７が反射フィルム６の表面を覆っている。一方、上記携帯電話機が開かれている場合には、図示していないが、カバー面７は反射フィルム６を覆わない格好となる。   The cover surface 7 is a part of the folding mobile phone. When the cellular phone is folded, the cover surface 7 covers the surface of the reflective film 6 as shown in FIG. On the other hand, when the mobile phone is opened, the cover surface 7 is not covered with the reflective film 6 although not shown.

次に、フォトインタラプタＡの製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the photo interrupter A will be described.

まず、図４（ａ）に示すように、基板材料１１の表面（図４（ａ）の上面）および裏面（図４（ｂ）の下面）に、メッキにより銅などの導電膜を形成する。次に、同様の方法により、形成した銅の表面に突出部４を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、ＹＡＧレーザを照射することにより、凹部１ａ,１ｂとなるべき凹部１ａ’，１ｂ’を形成する。なお、ＣＯ2レーザを用いる場合には、基板材料１１の表面に形成された銅をエッチングした後、凹部１ａ’，１ｂ’を形成する。その後、図４（ｃ）に示すように、銅メッキを行う。これにより、凹部１ａ’，１ｂ’の表面や基板材料１１の表面に形成された導電膜上に、さらに導電膜が形成される。次に、図４（ｄ）に示すように、基板材料１１の表面や裏面に形成された導電膜をエッチングする。これにより、配線パターン１２が形成される。その後、図２に示した発光素子２や受光素子３を配置し、モールド樹脂５を形成し、反射フィルム６を配置する。これにより、フォトインタラプタＡが製造される。 First, as shown in FIG. 4A, a conductive film such as copper is formed by plating on the front surface (upper surface of FIG. 4A) and back surface (lower surface of FIG. 4B) of the substrate material 11. Next, the protrusion part 4 is formed in the formed copper surface by the same method. Next, as shown in FIG. 4B, the recesses 1a ′ and 1b ′ to be the recesses 1a and 1b are formed by irradiating YAG laser. When a CO 2 laser is used, the recesses 1a ′ and 1b ′ are formed after etching the copper formed on the surface of the substrate material 11. Thereafter, copper plating is performed as shown in FIG. As a result, a conductive film is further formed on the conductive film formed on the surfaces of the recesses 1 a ′ and 1 b ′ and the surface of the substrate material 11. Next, as shown in FIG. 4D, the conductive film formed on the front and back surfaces of the substrate material 11 is etched. Thereby, the wiring pattern 12 is formed. Thereafter, the light-emitting element 2 and the light-receiving element 3 shown in FIG. 2 are arranged, the mold resin 5 is formed, and the reflective film 6 is arranged. Thereby, the photo interrupter A is manufactured.

次に、フォトインタラプタＡの作用について説明する。   Next, the operation of the photo interrupter A will be described.

本実施形態によれば、フォトインタラプタＡが屋外などの太陽光の照射が強い状況下において用いられる場合にも、上記携帯電話機の開閉状態を的確に把握することが可能となっている。すなわち、反射フィルム６は、図２の上方から入射してくる太陽光の可視光領域における光の大半を透過させず、反射する。さらに、反射フィルム６を透過した太陽光の可視光領域における光は、モールド樹脂５により吸収され、ほとんど受光素子３に入射しない。また、太陽光の赤外線領域における光の強度はかなり小さい。そのため、上記携帯電話機が開いている状態であっても、受光素子３は、太陽光の影響を受けず、小さい出力値しか示さない。そのため、上記携帯電話機が開いている場合に上記携帯電話機が折りたたまれている状態であると判断されるといった不具合を抑制できる。一方、上記携帯電話機が折りたたまれている状態である場合、受光素子３には、発光素子２から出射しカバー面７により反射された、強度の大きい赤外線が入射する。このとき、受光素子３は大きな出力値を示す。このようにして、上記携帯電話機の開閉状態を的確に把握することが可能となっている。   According to the present embodiment, even when the photo interrupter A is used under a strong sunlight irradiation condition such as outdoors, it is possible to accurately grasp the open / closed state of the mobile phone. That is, the reflective film 6 reflects most of the light in the visible light region of sunlight that enters from above in FIG. Further, light in the visible light region of sunlight that has passed through the reflective film 6 is absorbed by the mold resin 5 and hardly enters the light receiving element 3. Moreover, the intensity of light in the infrared region of sunlight is quite small. Therefore, even when the cellular phone is open, the light receiving element 3 is not affected by sunlight and shows only a small output value. Therefore, it is possible to suppress a problem that it is determined that the mobile phone is in a folded state when the mobile phone is open. On the other hand, when the cellular phone is in a folded state, infrared light having a high intensity that is emitted from the light emitting element 2 and reflected by the cover surface 7 is incident on the light receiving element 3. At this time, the light receiving element 3 exhibits a large output value. In this way, it is possible to accurately grasp the open / close state of the mobile phone.

基板１には凹部１ａ，１ｂが形成されているため、基板１の裏面１６から、発光素子２の裏面１６から最も遠い部分までの大きさを、小さくすることが可能となる。同様に、基板１の裏面１６から、受光素子３の裏面１６から最も遠い部分までの大きさを、小さくすることが可能となる。これにより、フォトインタラプタＡの薄型化を図ることが可能となる。   Since the substrate 1 has the recesses 1a and 1b, the size from the back surface 16 of the substrate 1 to the portion farthest from the back surface 16 of the light emitting element 2 can be reduced. Similarly, the size from the back surface 16 of the substrate 1 to the portion farthest from the back surface 16 of the light receiving element 3 can be reduced. This makes it possible to reduce the thickness of the photo interrupter A.

また、ボンディングワイヤｗａ，ｗｂの基板１の表面１５からの高さを、より低くすることができる。これにより、フォトインタラプタＡの薄型化をさらに図ることが可能となる。   Further, the height of the bonding wires wa and wb from the surface 15 of the substrate 1 can be further reduced. As a result, the photo interrupter A can be further reduced in thickness.

発光素子２や受光素子３において発生した熱は、パッド電極１２１ａ，１２１ｂから実装電極１２２に熱が直接伝わる。実装電極１２２はフォトインタラプタＡの外部の上記外部電極と接続しているから、実装電極１２２における熱は上記外部電極に容易に放出される。そのため、発光素子２や受光素子３の放熱を促進させることができる。   The heat generated in the light emitting element 2 and the light receiving element 3 is directly transmitted from the pad electrodes 121 a and 121 b to the mounting electrode 122. Since the mounting electrode 122 is connected to the external electrode outside the photo interrupter A, the heat in the mounting electrode 122 is easily released to the external electrode. Therefore, heat dissipation of the light emitting element 2 and the light receiving element 3 can be promoted.

発光素子２から出射した光は、受光素子３に至るまでに、基板材料１１を透過することなく、パッド電極１２１ａに遮られる。そのため、発光素子２から出射した光が、基板材料１１を透過したのち受光素子３に入射することがない。また、モールド樹脂５内においては、突出部４により、発光素子２から受光素子３に至る光の経路が塞がれている。そのため、発光素子２からの光が、モールド樹脂５内を透過し、受光素子３に入射することもない。これにより、フォトインタラプタＡのＳ／Ｎ比の改善を図ることができる。   The light emitted from the light emitting element 2 is blocked by the pad electrode 121 a without passing through the substrate material 11 before reaching the light receiving element 3. Therefore, the light emitted from the light emitting element 2 does not enter the light receiving element 3 after passing through the substrate material 11. In the mold resin 5, the light path from the light emitting element 2 to the light receiving element 3 is blocked by the protrusion 4. Therefore, the light from the light emitting element 2 does not pass through the mold resin 5 and enter the light receiving element 3. Thereby, the S / N ratio of the photo interrupter A can be improved.

また、発光素子２および受光素子３は凹部１ａ，１ｂに配置されているから、形成するべきモールド樹脂５の基板１の表面１５からの厚みを小さくすることができる。これにより、モールド樹脂５を形成する前に、突出部４を配線パターン１２と同様に形成することができる。そのため、モールド樹脂５を形成した後に、モールド樹脂５の一部を切除し、その切除した部分に遮光性の樹脂を注入し突出部４に相当する部分を形成する、などといった煩わしい工程を経る必要がない。その結果、フォトインタラプタＡの製造工程を簡略化することができる。   Further, since the light emitting element 2 and the light receiving element 3 are disposed in the recesses 1a and 1b, the thickness of the mold resin 5 to be formed from the surface 15 of the substrate 1 can be reduced. Thus, the protrusion 4 can be formed in the same manner as the wiring pattern 12 before forming the mold resin 5. Therefore, after forming the mold resin 5, it is necessary to go through a troublesome process such as cutting a part of the mold resin 5 and injecting a light-shielding resin into the cut part to form a part corresponding to the protruding part 4. There is no. As a result, the manufacturing process of the photo interrupter A can be simplified.

本発明に係る反射型フォトインタラプタは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る反射型フォトインタラプタの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The reflective photointerrupter according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the reflective photointerrupter according to the present invention can be varied in design in various ways.

図２では、発光素子２の上方にも反射フィルム６が配置されている例を示した。だが、反射フィルム６は、受光素子３に入射する光の経路に配置されていれば十分であり、必ずしも発光素子２の上方に配置されている必要はない。   FIG. 2 shows an example in which the reflective film 6 is also disposed above the light emitting element 2. However, it is sufficient that the reflective film 6 is disposed in the path of light incident on the light receiving element 3, and does not necessarily have to be disposed above the light emitting element 2.

また、本発明にかかるフィルタは、反射フィルムに限られない。たとえば、上記第２波長領域の光を吸収するフィルタなども含まれる。本発明にかかるフィルタは、上記第１波長領域の光の透過率が上記第２波長領域の光の透過率より大きければよく、上記１波長領域の光を吸収・反射する性質を有していてもよい。   Moreover, the filter concerning this invention is not restricted to a reflective film. For example, a filter that absorbs light in the second wavelength region is also included. The filter according to the present invention has a property of absorbing and reflecting the light in the first wavelength region as long as the transmittance of the light in the first wavelength region is larger than the transmittance of the light in the second wavelength region. Also good.

上記実施形態では、本発明にかかる第１波長領域が赤外線の波長領域であって、第２波長領域が可視光の波長領域である例を示した。だが本発明の範囲は、これに限られない。たとえば、本発明にかかる第１波長領域が黄色光や赤色光の波長領域であって、第２波長領域が青色光や緑色光の波長領域であってもよい。この場合、上記フィルタとして、上記第１波長領域および上記第２波長領域に対応したバンドパスフィルタなどを用いなければならないのはもちろんである。   In the said embodiment, the 1st wavelength range concerning this invention showed the wavelength range of infrared rays, and the 2nd wavelength range showed the example which is a wavelength range of visible light. However, the scope of the present invention is not limited to this. For example, the first wavelength region according to the present invention may be a wavelength region of yellow light or red light, and the second wavelength region may be a wavelength region of blue light or green light. In this case, as a matter of course, a bandpass filter corresponding to the first wavelength region and the second wavelength region must be used as the filter.

また、上記実施形態では、反射フィルム６がモールド樹脂５の表面上に形成されている例を示した。だが、反射フィルム６とモールド樹脂５との間に透明な膜が配置されていてもよい。   Moreover, in the said embodiment, the example in which the reflective film 6 was formed on the surface of the mold resin 5 was shown. However, a transparent film may be disposed between the reflective film 6 and the mold resin 5.

また、本発明にかかるフォトインタラプタは、基板１に凹部１ａ，１ｂが形成されていないものも含む。   The photo interrupter according to the present invention includes one in which the recesses 1a and 1b are not formed in the substrate 1.

パッド電極１２１ａと実装電極１２２とが一体とされていてもよい。このような構成によれば、発光素子２の放熱を促進させることができる。同様に、パッド電極１２１ｂと実装電極１２２とが一体とされている場合には、受光素子３の放熱を促進させることができる。   The pad electrode 121a and the mounting electrode 122 may be integrated. According to such a configuration, heat dissipation of the light emitting element 2 can be promoted. Similarly, when the pad electrode 121b and the mounting electrode 122 are integrated, heat dissipation of the light receiving element 3 can be promoted.

凹部１ａ，１ｂの表面が湾曲していてもよいのは、もちろんである。このような構成によれば、発光素子２の放射強度や受光素子３の受信感度を良好にすることができる。   Of course, the surfaces of the recesses 1a and 1b may be curved. According to such a configuration, the radiation intensity of the light emitting element 2 and the reception sensitivity of the light receiving element 3 can be improved.

本発明にかかるフォトインタラプタは、携帯電話機に用いられるものに限られないのはもちろんである。また、本発明にかかる発光素子および受光素子が、赤外線を発光および受光するものに限られず、可視光を発光および受光するものであってもよい。   Of course, the photo interrupter according to the present invention is not limited to that used in a mobile phone. Further, the light emitting element and the light receiving element according to the present invention are not limited to those that emit and receive infrared rays, and may emit and receive visible light.

本発明の実施形態にかかる反射型フォトインタラプタの平面図である。It is a top view of the reflection type photointerrupter concerning embodiment of this invention. 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the II-II line of FIG. 反射フィルムの波長に対する光透過率を示したグラフである。It is the graph which showed the light transmittance with respect to the wavelength of a reflective film. 図２に示すフォトインタラプタの製造工程を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of the photo interrupter shown in FIG. 従来の反射型フォトインタラプタの要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the conventional reflection type photo interrupter.

符号の説明Explanation of symbols

Ａ （反射型）フォトインタラプタ
１ 基板
１ａ，１ｂ，１ａ’，１ｂ’ 凹部
１２１ａ，１２１ｂ パッド電極
１２２ 実装電極
１２３ａ，１２３ｂ ボンディングパッド
１１ 基板材料
１２ 配線パターン
１５ 表面
１６ 裏面
２ 発光素子
３ 受光素子
４ 突出部
５ モールド樹脂
５ａ，５ｂ 樹脂部
６ 反射フィルム
７ カバー面
ｗａ，ｗｂ ボンディングワイヤ
ｘ１ 面内方向 A (reflection type) Photo interrupter 1 Substrate 1a, 1b, 1a ', 1b' Recessed part 121a, 121b Pad electrode 122 Mounting electrode 123a, 123b Bonding pad 11 Substrate material 12 Wiring pattern 15 Front surface 16 Rear surface 2 Light emitting element 3 Light receiving element 4 Projection Part 5 Mold resin 5a, 5b Resin part 6 Reflective film 7 Cover surface wa, wb Bonding wire x1 In-plane direction

Claims (4)

基板と、
上記基板上に配置されているとともに、第１波長領域を含む波長領域の光を発する発光素子と、
上記基板上に配置されているとともに、上記発光素子から出射され反射対象により反射された上記第１波長領域の光を受光する受光素子と、
上記基板上に形成された、上記発光素子および上記受光素子を覆うモールド樹脂と、
を備えている、反射型フォトインタラプタであって、
上記受光素子に入射する光の経路上において、上記モールド樹脂より上記反射対象側に配置されているとともに、上記受光素子に向かう上記第１波長領域の光の透過率が、上記受光素子に向かう上記第１波長領域と重ならない第２波長領域の光の透過率より大きいフィルタをさらに備えることを特徴とする、反射型フォトインタラプタ。 A substrate,
A light emitting element that is disposed on the substrate and emits light in a wavelength region including a first wavelength region;
A light receiving element that is disposed on the substrate and receives light in the first wavelength region that is emitted from the light emitting element and reflected by a reflection target;
Mold resin that covers the light emitting element and the light receiving element formed on the substrate;
A reflective photointerrupter comprising:
On the path of light incident on the light receiving element, the light is disposed on the reflection target side from the mold resin, and the transmittance of the light in the first wavelength region toward the light receiving element is toward the light receiving element. A reflective photointerrupter, further comprising a filter having a transmittance larger than that of light in the second wavelength region that does not overlap with the first wavelength region. 上記第１波長領域は赤外線の波長領域であり、上記第２波長領域は、可視光の波長領域である、請求項１に記載の反射型フォトインタラプタ。   2. The reflective photointerrupter according to claim 1, wherein the first wavelength region is a wavelength region of infrared light, and the second wavelength region is a wavelength region of visible light. 上記フィルタは、上記受光素子に向かう上記第２波長領域の光を反射する反射フィルムである、請求項１または２に記載の反射型フォトインタラプタ。   3. The reflective photointerrupter according to claim 1, wherein the filter is a reflective film that reflects light in the second wavelength region toward the light receiving element. 上記フィルタは、上記モールド樹脂の表面上に形成されている、請求項１ないし３のいずれかに記載の反射型フォトインタラプタ。   4. The reflection type photo interrupter according to claim 1, wherein the filter is formed on a surface of the mold resin.
JP2008284255A 2008-11-04 2008-11-05 Reflection-type photointerrupter Pending JP2010114196A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008284255A JP2010114196A (en) 2008-11-05 2008-11-05 Reflection-type photointerrupter
US12/611,347 US8053800B2 (en) 2008-11-04 2009-11-03 Reflection-type photointerrupter
CN200910258404XA CN101777602B (en) 2008-11-04 2009-11-03 Reflection-type photointerrupter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008284255A JP2010114196A (en) 2008-11-05 2008-11-05 Reflection-type photointerrupter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010114196A true JP2010114196A (en) 2010-05-20

Family

ID=42302547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008284255A Pending JP2010114196A (en) 2008-11-04 2008-11-05 Reflection-type photointerrupter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010114196A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013190871A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-27 アオイ電子株式会社 Light source-integrated optical sensor
WO2014034755A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 京セラ株式会社 Light receiving/emitting element and sensor device using same
JP2016148657A (en) * 2015-02-13 2016-08-18 台医光電科技股▲ふん▼有限公司 Optical sensor module, optical sensor accessory, and optical sensor device
JP2017092352A (en) * 2015-11-13 2017-05-25 ローム株式会社 Light-receiving/emitting device and manufacturing method of light-receiving/emitting device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08130325A (en) * 1994-09-08 1996-05-21 Sharp Corp Reflection photointerrupter and its manufacture
JPH11284233A (en) * 1998-03-27 1999-10-15 Stanley Electric Co Ltd Flat mounting type led element
JP2000357816A (en) * 1999-06-15 2000-12-26 Sharp Corp Optical coupling device
JP2004079666A (en) * 2002-08-13 2004-03-11 Seiko Epson Corp Printed circuit board, method for manufacturing printed circuit board, and method for mounting electronic component
JP2005317878A (en) * 2004-04-30 2005-11-10 Citizen Electronics Co Ltd Photo-reflector device and its manufacturing method
JP2006005141A (en) * 2004-06-17 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd Optical semiconductor package and method of manufacturing the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08130325A (en) * 1994-09-08 1996-05-21 Sharp Corp Reflection photointerrupter and its manufacture
JPH11284233A (en) * 1998-03-27 1999-10-15 Stanley Electric Co Ltd Flat mounting type led element
JP2000357816A (en) * 1999-06-15 2000-12-26 Sharp Corp Optical coupling device
JP2004079666A (en) * 2002-08-13 2004-03-11 Seiko Epson Corp Printed circuit board, method for manufacturing printed circuit board, and method for mounting electronic component
JP2005317878A (en) * 2004-04-30 2005-11-10 Citizen Electronics Co Ltd Photo-reflector device and its manufacturing method
JP2006005141A (en) * 2004-06-17 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd Optical semiconductor package and method of manufacturing the same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013190871A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-27 アオイ電子株式会社 Light source-integrated optical sensor
WO2014034755A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 京セラ株式会社 Light receiving/emitting element and sensor device using same
US9231127B2 (en) 2012-08-30 2016-01-05 Kyocera Corporation Light receiving and emitting element and sensor device using same
JPWO2014034755A1 (en) * 2012-08-30 2016-08-08 京セラ株式会社 Light emitting / receiving element and sensor device using the same
JP2016148657A (en) * 2015-02-13 2016-08-18 台医光電科技股▲ふん▼有限公司 Optical sensor module, optical sensor accessory, and optical sensor device
US10132677B2 (en) 2015-02-13 2018-11-20 Taiwan Biophotonic Corporation Multi-site sensing accessory, multi-site sensing device, and multi-site sensing system
JP2017092352A (en) * 2015-11-13 2017-05-25 ローム株式会社 Light-receiving/emitting device and manufacturing method of light-receiving/emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8053800B2 (en) Reflection-type photointerrupter
TWI467777B (en) Package structure of optical apparatus
JP2010114114A (en) Reflection-type photointerrupter
JP2006005141A (en) Optical semiconductor package and method of manufacturing the same
JP2017120837A (en) Ultraviolet light-emitting device
JP5010203B2 (en) Light emitting device
JP2010114196A (en) Reflection-type photointerrupter
JP2002289906A5 (en)
JP5010198B2 (en) Light emitting device
JP2017098571A (en) Light source-integrated optical sensor
JP4877239B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP2007109851A (en) Photo interrupter
JP5917007B2 (en) Photo coupler
JP6236130B2 (en) Photo interrupter and mounting structure of photo interrupter
WO2017204331A1 (en) Photosensor
JP5855590B2 (en) Light source integrated light sensor
JP3926808B2 (en) Light guide and optical position detection device
JP6356746B2 (en) Optical semiconductor device
KR102486332B1 (en) A surface-emitting laser package, optical module including the same
JP2009177099A (en) Light-emitting device
JP2008226969A (en) Optical communication module
JP5938479B2 (en) SEMICONDUCTOR DEVICE, PROXIMITY SENSOR HAVING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
JP2009152447A (en) Optical coupler, and manufacturing method thereof
TWI556591B (en) Optical transceiversystem and light-sensing device thereof
JP7257288B2 (en) Optical sensor package, multi-cavity wiring board, optical sensor device and electronic module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111102

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121225

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130618

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131029