JP6236130B2 - Photo interrupter and mounting structure of photo interrupter - Google Patents

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Description

本発明は、フォトインタラプタおよびフォトインタラプタの実装構造に関する。   The present invention relates to a photo interrupter and a photo interrupter mounting structure.

従来から透過型のフォトインタラプタが知られている。このようなフォトインタラプタは、たとえば、特許文献1に記載されている。同文献に記載のフォトインタラプタは、絶縁基板と、発光素子と、受光素子と、2つの透明封止体と、不透明のキャップ体と、を備える。発光素子および受光素子は、絶縁基板に配置されている。2つの透明封止体の一方は発光素子を覆っており、2つの透明封止体の他方は受光素子を覆っている。不透明のキャップ体は、各透明封止体を覆っている。   Conventionally, a transmissive photo interrupter is known. Such a photo interrupter is described in Patent Document 1, for example. The photo interrupter described in the document includes an insulating substrate, a light emitting element, a light receiving element, two transparent sealing bodies, and an opaque cap body. The light emitting element and the light receiving element are disposed on an insulating substrate. One of the two transparent sealing bodies covers the light emitting element, and the other of the two transparent sealing bodies covers the light receiving element. The opaque cap body covers each transparent sealing body.

このようなフォトインタラプタにおいては、不透明のキャップ体は樹脂成形により形成される。樹脂成形により形成されるキャップ体の厚さは比較的厚いため、フォトインタラプタの小型化を妨げる要因となっている。   In such a photo interrupter, the opaque cap body is formed by resin molding. Since the cap body formed by resin molding is relatively thick, it is a factor that hinders downsizing of the photo interrupter.

特開2006−303183号公報JP 2006-303183 A

本発明は、前記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図ることができるフォトインタラプタを提供することをその主たる課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and its main object is to provide a photo interrupter that can be miniaturized.

本発明の第1の側面によると、基材と、前記基材に配置された発光素子と、前記基材に配置された受光素子と、前記受光素子を覆う、透光性の受光側樹脂部と、前記発光素子を覆う、透光性の発光側樹脂部と、前記受光側樹脂部および前記発光側樹脂部を覆う遮光膜と、を備え、前記発光側樹脂部は、前記受光側樹脂部に対し第1方向に空隙を介して離間し、前記受光側樹脂部は、前記遮光膜から露出する光入射面を有し、前記発光側樹脂部は、前記遮光膜から露出する光出射面を有し、前記光入射面および前記光出射面はいずれも、前記空隙に臨む、フォトインタラプタが提供される。   According to the first aspect of the present invention, a base material, a light emitting element arranged on the base material, a light receiving element arranged on the base material, and a translucent light receiving side resin portion covering the light receiving element A light-transmitting light-emitting side resin portion that covers the light-emitting element, and a light-shielding film that covers the light-receiving side resin portion and the light-emitting side resin portion, and the light-emitting side resin portion is the light-receiving side resin portion The light receiving side resin portion has a light incident surface exposed from the light shielding film, and the light emitting side resin portion has a light emitting surface exposed from the light shielding film. A photo interrupter is provided in which both the light incident surface and the light emitting surface face the gap.

好ましくは、前記遮光膜は、0.01〜100μmの厚さである。   Preferably, the light shielding film has a thickness of 0.01 to 100 μm.

好ましくは、前記遮光膜は、前記基材を覆い且つ前記空隙に臨む基材被覆部を有し、前記光出射面および前記光入射面は、いずれも、前記基材の厚さ方向において、前記基材被覆部に対し離間している。   Preferably, the light-shielding film has a base material covering portion that covers the base material and faces the gap, and the light emitting surface and the light incident surface are both in the thickness direction of the base material. It is spaced apart from the substrate covering portion.

好ましくは、前記受光側樹脂部は、前記受光素子を覆う受光側基部を含み、前記受光側基部は、前記基材に接する。   Preferably, the light-receiving side resin portion includes a light-receiving side base portion that covers the light-receiving element, and the light-receiving side base portion is in contact with the base material.

好ましくは、前記受光側樹脂部は、前記発光側樹脂部の位置する側に前記受光側基部から突出する受光側突出部を含み、前記受光側突出部は、前記基材に接する。   Preferably, the light receiving side resin portion includes a light receiving side protruding portion protruding from the light receiving side base portion on a side where the light emitting side resin portion is located, and the light receiving side protruding portion is in contact with the base material.

好ましくは、前記第1方向と前記基材の厚さ方向といずれの方向にも直交する第2方向において、前記受光側突出部の寸法は、前記受光素子の寸法よりも大きい。 Preferably, in the second direction orthogonal to both the first direction and the thickness direction of the base material, the dimension of the light receiving side protrusion is larger than the dimension of the light receiving element.

好ましくは、前記受光側突出部は、前記発光側樹脂部の位置する側を向く受光側突出部側面を有する。   Preferably, the light receiving side protruding portion has a light receiving side protruding portion side surface facing a side where the light emitting side resin portion is located.

好ましくは、前記受光側突出部側面は、前記基材から離れるにつれて前記発光側樹脂部の位置する側とは反対側に向かうように、前記基材の厚さ方向に対し傾斜している。   Preferably, the side surface of the light receiving side projecting portion is inclined with respect to the thickness direction of the base material so as to go to a side opposite to the side where the light emitting side resin portion is located as the distance from the base material increases.

好ましくは、前記受光側樹脂部は、前記発光側樹脂部の位置する側に前記受光側基部から隆起する受光側隆起部を含み、前記受光側隆起部は、前記光入射面を構成しており、前記受光側突出部は、前記受光側突出部側面と前記受光側基部とにつながる受光側連絡面を有し、前記受光側隆起部は、前記受光側連絡面から隆起している。   Preferably, the light receiving side resin portion includes a light receiving side raised portion that protrudes from the light receiving side base portion on a side where the light emitting side resin portion is positioned, and the light receiving side raised portion constitutes the light incident surface. The light receiving side protruding portion has a light receiving side communication surface connected to the side surface of the light receiving side protruding portion and the light receiving side base portion, and the light receiving side raised portion protrudes from the light receiving side communication surface.

好ましくは、前記受光側樹脂部は、前記発光側樹脂部の位置する側に前記受光側基部から隆起する受光側隆起部を含み、前記受光側隆起部は、前記光入射面を構成している。   Preferably, the light receiving side resin portion includes a light receiving side raised portion that protrudes from the light receiving side base portion on a side where the light emitting side resin portion is located, and the light receiving side raised portion constitutes the light incident surface. .

好ましくは、前記受光側基部は、前記発光側樹脂部の位置する側を向く受光側基部側面を有し、前記受光側基部側面の少なくとも一部は、前記光入射面よりも前記基材から離間している側に位置する。   Preferably, the light receiving side base portion has a light receiving side base side surface facing a side where the light emitting side resin portion is positioned, and at least a part of the light receiving side base portion side surface is separated from the base material more than the light incident surface. Located on the side.

好ましくは、前記光入射面は、前記発光側樹脂部の位置する側を向く第1入射部と、前記第1入射部よりも前記発光側樹脂部に近接する位置に配置された第2入射部と、を有し、前記第2入射部は、前記第1入射部の向く方向とは異なる方向を向く。   Preferably, the light incident surface has a first incident portion facing the side where the light emitting side resin portion is located, and a second incident portion disposed at a position closer to the light emitting side resin portion than the first incident portion. And the second incident portion faces a direction different from the direction of the first incident portion.

好ましくは、前記第2入射部は、前記基材の厚さ方向のうち前記基材から前記受光側樹脂部に向かう方向と同一方向を向く。   Preferably, the second incident portion faces the same direction as the direction from the base material toward the light-receiving side resin portion in the thickness direction of the base material.

好ましくは、前記第2入射部は、前記基材から離れるにつれて前記発光側樹脂部の位置する側とは反対側に向かうように、前記基材の厚さ方向に対し傾斜している。   Preferably, the second incident portion is inclined with respect to the thickness direction of the base material so as to go to a side opposite to the side where the light emitting side resin portion is located as the distance from the base material increases.

好ましくは、前記発光側樹脂部は、前記発光素子を覆う発光側基部を含み、前記発光側基部は、前記基材に接する。   Preferably, the light emitting side resin portion includes a light emitting side base portion that covers the light emitting element, and the light emitting side base portion is in contact with the base material.

好ましくは、前記発光側樹脂部は、前記受光側樹脂部の位置する側に前記発光側基部から突出する発光側突出部を含み、前記発光側突出部は、前記基材に接する。   Preferably, the light emitting side resin portion includes a light emitting side protruding portion protruding from the light emitting side base portion on a side where the light receiving side resin portion is located, and the light emitting side protruding portion is in contact with the base material.

好ましくは、前記発光側樹脂部は、前記受光側樹脂部の位置する側に前記発光側基部から隆起する発光側隆起部、を含み、前記発光側隆起部は、前記光出射面を構成している。   Preferably, the light emitting side resin portion includes a light emitting side raised portion that protrudes from the light emitting side base portion on a side where the light receiving side resin portion is located, and the light emitting side raised portion constitutes the light emitting surface. Yes.

好ましくは、前記光出射面は、前記受光側樹脂部の位置する側を向く第1出射部と、前記第1出射部よりも前記受光側樹脂部に近接する位置に配置された第2出射部と、を有し、前記第2出射部は、前記第1出射部の向く方向とは異なる方向を向く。   Preferably, the light emitting surface has a first emitting part facing the side where the light receiving side resin part is located, and a second emitting part arranged closer to the light receiving side resin part than the first emitting part. The second emission part faces in a direction different from the direction in which the first emission part faces.

好ましくは、前記遮光膜は、黒色または灰色である。   Preferably, the light shielding film is black or gray.

好ましくは、前記遮光膜は、前記受光側樹脂部および前記発光側樹脂部の少なくともいずれかに接する第1層と、前記第1層に積層された第2層と、を含み、前記第1層は、金属よりなり、前記第2層は、前記金属の酸化物よりなる。   Preferably, the light shielding film includes a first layer in contact with at least one of the light receiving side resin portion and the light emitting side resin portion, and a second layer laminated on the first layer, and the first layer Is made of metal, and the second layer is made of an oxide of the metal.

好ましくは、前記遮光膜と、前記受光側樹脂部および前記発光側樹脂部の少なくともいずれかと、の間に介在する、透光性のアンダーコート層を更に備える。 Preferably, a light-transmitting undercoat layer is further provided between the light shielding film and at least one of the light receiving side resin portion and the light emitting side resin portion.

好ましくは、前記発光側樹脂部は、前記基材に接する発光側基部を含み、前記発光側基部は、第1発光側基部外面を有する。   Preferably, the light emission side resin part includes a light emission side base part in contact with the base material, and the light emission side base part has a first light emission side base outer surface.

好ましくは、前記光出射面は、前記第1発光側基部外面と前記光入射面との間に位置し、前記アンダーコート層は、前記第1発光側基部外面を覆っている。   Preferably, the light emitting surface is positioned between the first light emitting side base outer surface and the light incident surface, and the undercoat layer covers the first light emitting side base outer surface.

好ましくは、前記アンダーコート層は、前記発光側樹脂部における、前記光出射面と前記基材に接している領域と以外の領域を全て、覆っている。   Preferably, the undercoat layer covers all regions of the light emitting side resin portion other than the light emitting surface and a region in contact with the base material.

好ましくは、前記第1発光側基部外面は、前記基材の厚さ方向に対して各々が傾斜する第1発光側傾斜部および第2発光側傾斜部を有し、前記第1発光側傾斜部は、前記第2発光側傾斜部よりも、前記基材から遠い側に位置し、且つ、前記基材の平面視において、前記第2発光側傾斜部と前記光出射面との間に位置し、前記第1発光側傾斜部および前記厚さ方向のなす角度は、前記第2発光側傾斜部および前記厚さ方向のなす角度よりも、大きい。   Preferably, the outer surface of the first light emission side base portion includes a first light emission side inclined portion and a second light emission side inclined portion that are inclined with respect to the thickness direction of the base material, and the first light emission side inclined portion. Is located on the side farther from the base material than the second light emission side inclined portion, and is located between the second light emission side inclined portion and the light emitting surface in a plan view of the base material. The angle formed between the first light emitting side inclined portion and the thickness direction is larger than the angle formed between the second light emitting side inclined portion and the thickness direction.

好ましくは、前記第1発光側基部外面は、前記第1発光側傾斜部および前記第2発光側傾斜部につながる発光側連絡部を有し、前記発光側連絡部は、前記第1発光側傾斜部および前記第2発光側傾斜部の間に位置し、前記発光側連絡部および前記厚さ方向のなす角度は、前記第2発光側傾斜部および前記厚さ方向のなす角度よりも、小さい。   Preferably, the outer surface of the first light emitting side base portion has a light emitting side connecting portion connected to the first light emitting side inclined portion and the second light emitting side inclined portion, and the light emitting side connecting portion is inclined to the first light emitting side inclined portion. The angle formed between the light emitting side connecting portion and the thickness direction is smaller than the angle formed between the second light emitting side inclined portion and the thickness direction.

好ましくは、前記発光側基部は、第2発光側基部外面を有し、前記第2発光側基部外面は、前記基材の平面視において、前記第1方向と前記基材の厚さ方向とのいずれの方向にも直交する第2方向側に位置し、前記第2発光側基部外面は、前記基材の厚さ方向に対して傾斜している。   Preferably, the light-emitting side base has a second light-emitting side base outer surface, and the second light-emitting side base outer surface has a first direction and a thickness direction of the base material in a plan view of the base material. Located on the second direction side orthogonal to any direction, the second light emitting side base outer surface is inclined with respect to the thickness direction of the substrate.

好ましくは、前記発光側基部は、第1発光側頂面と、第2発光側頂面と、発光側接続面と、を有し、前記第1発光側頂面および前記第2発光側頂面は、各々が前記基材の位置する側とは反対側を向き、前記発光側接続面は、前記第1発光側頂面および前記第2発光側頂面を接続し、前記第1発光側頂面および前記第2発光側頂面は、前記第1方向および前記厚さ方向のいずれにも直交する第2方向に離間しており、前記発光側接続面の前記第1方向における最小寸法は、前記第1発光側頂面の前記第1方向における寸法、および、前記第2発光側頂面の前記第1方向における寸法のいずれよりも小さい。   Preferably, the light emitting side base includes a first light emitting side top surface, a second light emitting side top surface, and a light emitting side connection surface, and the first light emitting side top surface and the second light emitting side top surface. Each facing the side opposite to the side where the substrate is located, and the light emitting side connecting surface connects the first light emitting side top surface and the second light emitting side top surface, and the first light emitting side top surface The surface and the second light emitting side top surface are separated in a second direction orthogonal to both the first direction and the thickness direction, and the minimum dimension of the light emitting side connection surface in the first direction is: It is smaller than both the dimension in the first direction of the first light emission side top surface and the dimension in the first direction of the second light emission side top surface.

好ましくは、前記第1発光側基部外面は、前記基材から離れるほど前記受光側樹脂部に近づくように、前記基材の厚さ方向に対し傾斜しており、前記第1発光側基部外面は、前記基材の厚さ方向視において、前記第1発光側頂面および前記第2発光側頂面の間に位置する。   Preferably, the first light emitting side base outer surface is inclined with respect to the thickness direction of the base so as to be closer to the light receiving side resin portion as the distance from the base is increased, and the first light emitting side base outer surface is The substrate is located between the first light emitting side top surface and the second light emitting side top surface when viewed in the thickness direction of the substrate.

好ましくは、前記受光側基部は、第1受光側頂面と、第2受光側頂面と、受光側接続面と、を有し、前記第1受光側頂面および前記第2受光側頂面は、各々が前記基材の位置する側とは反対側を向き、前記受光側接続面は、前記第1受光側頂面および前記第2受光側頂面を接続し、前記第1受光側頂面および前記第2受光側頂面は、前記第1方向および前記厚さ方向のいずれにも直交する第2方向に離間しており、前記受光側接続面の前記第1方向における最小寸法は、前記第1受光側頂面の前記第1方向における寸法、および、前記第2受光側頂面の前記第1方向における寸法のいずれよりも小さい。   Preferably, the light receiving side base includes a first light receiving side top surface, a second light receiving side top surface, and a light receiving side connection surface, and the first light receiving side top surface and the second light receiving side top surface. Each facing the side opposite to the side where the substrate is located, and the light receiving side connecting surface connects the first light receiving side top surface and the second light receiving side top surface, and the first light receiving side top surface The surface and the second light receiving side top surface are separated in a second direction orthogonal to both the first direction and the thickness direction, and the minimum dimension of the light receiving side connection surface in the first direction is: It is smaller than both the dimension in the first direction of the first light receiving side top surface and the dimension in the first direction of the second light receiving side top surface.

好ましくは、前記受光側樹脂部は、受光側基部を含み、前記受光側基部は、第1受光側基部外面を有し、前記第1受光側基部外面は、前記基材から離れるほど前記発光側樹脂部に近づくように、前記基材の厚さ方向に対し傾斜しており、前記第1受光側基部外面は、前記基材の厚さ方向視において、前記第1受光側頂面および前記第2受光側頂面の間に位置する。 Preferably, the light receiving side resin portion includes a light receiving side base portion, the light receiving side base portion has a first light receiving side base outer surface, and the first light receiving side base outer surface is separated from the base material as the light emitting side is separated. The first light-receiving side base outer surface is inclined with respect to the thickness direction of the base material so as to approach the resin portion, and the first light-receiving side top surface and the first light-receiving side top surface in the thickness direction view of the base material 2 Located between the light receiving side top surfaces.

好ましくは、前記第1受光側頂面、前記第2受光側頂面、前記第1発光側頂面、および前記第2発光側頂面は、いずれも同一平面上に位置する。   Preferably, the first light receiving side top surface, the second light receiving side top surface, the first light emitting side top surface, and the second light emitting side top surface are all located on the same plane.

好ましくは、前記受光側樹脂部は、前記基材に接する受光側基部を含み、前記受光側基部は、第1受光側基部外面を有する。   Preferably, the light receiving side resin portion includes a light receiving side base portion in contact with the base material, and the light receiving side base portion has a first light receiving side base outer surface.

好ましくは、前記光入射面は、前記第1受光側基部外面と前記光出射面との間に位置し、前記アンダーコート層は、前記第1受光側基部外面を覆っている。   Preferably, the light incident surface is located between the first light receiving side base outer surface and the light emitting surface, and the undercoat layer covers the first light receiving side base outer surface.

好ましくは、前記アンダーコート層は、前記受光側樹脂部における、前記光入射面と前記基材に接している領域と以外の領域を全て、覆っている。   Preferably, the undercoat layer covers all regions of the light receiving side resin portion other than the light incident surface and a region in contact with the base material.

好ましくは、前記第1受光側基部外面は、前記基材の厚さ方向に対して各々が傾斜する第1受光側傾斜部および第2受光側傾斜部を有し、前記第1受光側傾斜部は、前記第2受光側傾斜部よりも、前記基材から遠い側に位置し、且つ、前記基材の平面視において、前記第2受光側傾斜部と前記光入射面との間に位置し、前記第1受光側傾斜部および前記厚さ方向のなす角度は、前記第2受光側傾斜部および前記厚さ方向のなす角度よりも、大きい。   Preferably, the outer surface of the first light receiving side base portion includes a first light receiving side inclined portion and a second light receiving side inclined portion which are inclined with respect to the thickness direction of the base material, and the first light receiving side inclined portion is provided. Is positioned farther from the substrate than the second light-receiving side inclined portion, and is positioned between the second light-receiving side inclined portion and the light incident surface in a plan view of the substrate. The angle formed between the first light receiving side inclined portion and the thickness direction is larger than the angle formed between the second light receiving side inclined portion and the thickness direction.

好ましくは、前記第1受光側基部外面は、前記第1受光側傾斜部および前記第2受光側傾斜部につながる受光側連絡部を有し、前記受光側連絡部は、前記第1受光側傾斜部および前記第2受光側傾斜部の間に位置し、前記受光側連絡部および前記厚さ方向のなす角度は、前記第2受光側傾斜部および前記厚さ方向のなす角度よりも、小さい。   Preferably, the outer surface of the first light receiving side base portion includes a light receiving side connecting portion connected to the first light receiving side inclined portion and the second light receiving side inclined portion, and the light receiving side connecting portion is inclined to the first light receiving side inclined portion. The angle formed between the light receiving side connecting portion and the thickness direction is smaller than the angle formed between the second light receiving side inclined portion and the thickness direction.

好ましくは、前記受光側基部は、第2受光側基部外面を有し、前記第2受光側基部外面は、前記基材の平面視において、前記第1方向と前記基材の厚さ方向とのいずれの方向にも直交する第2方向側に位置し、前記第2受光側基部外面は、前記基材の厚さ方向に対して傾斜している。   Preferably, the light-receiving side base portion has a second light-receiving side base outer surface, and the second light-receiving side base outer surface is formed between the first direction and the thickness direction of the base material in a plan view of the base material. Located on the second direction side orthogonal to any direction, the second light receiving side base outer surface is inclined with respect to the thickness direction of the substrate.

好ましくは、前記基材は、主面および裏面を有する基板と、前記主面に形成された主面電極と、前記裏面に形成された裏面電極と、を含む。   Preferably, the base material includes a substrate having a main surface and a back surface, a main surface electrode formed on the main surface, and a back electrode formed on the back surface.

好ましくは、前記主面電極は、前記受光素子が配置された受光側ダイパッドを有し、前記光入射面は、前記基材の厚さ方向視において、前記受光側ダイパッドと重なる位置に配置されている。   Preferably, the main surface electrode has a light receiving side die pad on which the light receiving element is disposed, and the light incident surface is disposed at a position overlapping the light receiving side die pad in the thickness direction of the base material. Yes.

好ましくは、前記基材は、前記主面電極および前記裏面電極につながる連絡電極を含む。   Preferably, the base material includes a communication electrode connected to the main surface electrode and the back surface electrode.

好ましくは、前記連絡電極は、前記基板を貫通している。   Preferably, the connection electrode penetrates the substrate.

好ましくは、前記基板は、矩形状を呈し、前記基板には、前記基材の厚さ方向視において前記基板の角に位置するコーナー溝が形成されており、前記連絡電極は、前記コーナー溝に形成されている。   Preferably, the substrate has a rectangular shape, and the substrate is formed with a corner groove positioned at a corner of the substrate in the thickness direction of the base material, and the communication electrode is formed in the corner groove. Is formed.

本発明の第2の側面によると、本発明の第1の側面によって提供されるフォトインタラプタと、実装基板と、前記実装基板および前記フォトインタラプタとの間に介在するハンダ層と、を備える、フォトインタラプタの実装構造が提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a photo interrupter provided by the first aspect of the present invention, a mounting substrate, and a solder layer interposed between the mounting substrate and the photo interrupter. An interrupter mounting structure is provided.

本発明の第3の側面によると、基材に発光素子および受光素子を配置する工程と、前記基材に透光性の透光樹脂体を形成する工程と、表面処理技術を用いて、前記透光樹脂体を覆う遮光膜を形成する工程と、を備え、前記透光樹脂体を形成する工程においては、前記発光素子を覆う発光側樹脂部と、前記受光素子を覆い且つ前記発光側樹脂部から空隙を介して離間する受光側樹脂部と、を形成し、前記発光側樹脂部に、前記遮光膜から露出し且つ前記空隙に臨む光出射面を形成する工程と、前記受光側樹脂部に、前記遮光膜から露出し且つ前記空隙に臨む光入射面を形成する工程と、を備える、フォトインタラプタの製造方法が提供される。   According to a third aspect of the present invention, using a surface treatment technique, the step of disposing a light emitting element and a light receiving element on a base material, the step of forming a translucent translucent resin body on the base material, Forming a light-shielding film that covers the light-transmitting resin body, and in the step of forming the light-transmitting resin body, the light-emitting side resin portion that covers the light-emitting element, and the light-emitting side resin that covers the light-receiving element A light-receiving-side resin portion that is spaced apart from the portion through a gap, and forming a light-emitting surface that is exposed from the light-shielding film and faces the gap on the light-emitting-side resin portion; and the light-receiving-side resin portion And a step of forming a light incident surface exposed from the light shielding film and facing the gap.

好ましくは、前記表面処理技術として、塗装、印刷、蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング、およびメッキのいずれかを用いる。   Preferably, any one of painting, printing, vapor deposition, ion plating, sputtering, and plating is used as the surface treatment technique.

好ましくは、前記遮光膜を形成する工程においては、前記基材のうち前記発光側樹脂部および前記受光側樹脂部に挟まれた領域に、前記遮光膜を形成する。   Preferably, in the step of forming the light shielding film, the light shielding film is formed in a region sandwiched between the light emitting side resin portion and the light receiving side resin portion of the base material.

好ましくは、前記受光側樹脂部を形成する工程においては、前記基材に前記受光素子を覆う受光側基部と、前記受光側基部から隆起する受光側隆起部と、を形成し、前記光入射面を形成する工程においては、前記遮光膜を形成する工程の後に、前記遮光膜の一部および前記受光側隆起部の一部を除去する。   Preferably, in the step of forming the light receiving side resin portion, a light receiving side base portion that covers the light receiving element and a light receiving side raised portion that protrudes from the light receiving side base portion are formed on the base material, and the light incident surface In the step of forming, after the step of forming the light shielding film, a part of the light shielding film and a part of the light receiving side raised portion are removed.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第1実施形態のフォトインタラプタの実装構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the mounting structure of the photo interrupter of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態のフォトインタラプタを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the photo interrupter of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態のフォトインタラプタを示す平面図である。It is a top view which shows the photo interrupter of 1st Embodiment of this invention. 図3に示すフォトインタラプタの一部の構成を透過して示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a part of the configuration of the photo interrupter shown in FIG. 3 in a transparent manner. 図4から受光側樹脂部と発光側樹脂部と遮光膜と透光樹脂部とを省略した平面図である。FIG. 5 is a plan view in which a light receiving side resin portion, a light emitting side resin portion, a light shielding film, and a light transmitting resin portion are omitted from FIG. 4. 本発明の第1実施形態のフォトインタラプタを示す正面図である。It is a front view which shows the photo interrupter of 1st Embodiment of this invention. 図6に示すフォトインタラプタの左側面図である。FIG. 7 is a left side view of the photo interrupter shown in FIG. 6. 図6に示すフォトインタラプタの右側面図である。FIG. 7 is a right side view of the photo interrupter shown in FIG. 6. 図3、図4のIX−IX線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IX-IX line of FIG. 3, FIG. 図3、図4のX−X線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX line of FIG. 3, FIG. 図3、図4のXI−XI線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XI-XI line of FIG. 3, FIG. 図3、図4のXII−XII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XII-XII line | wire of FIG. 3, FIG. 図6に示すフォトインタラプタの底面図である。FIG. 7 is a bottom view of the photo interrupter shown in FIG. 6. 本発明の第1実施形態のフォトインタラプタの一部を拡大して示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which expands and shows a part of photo interrupter of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態のフォトインタラプタの製造工程の一工程を示す平面図である。It is a top view which shows 1 process of the manufacturing process of the photo interrupter of 1st Embodiment of this invention. 図15のXVI−XVI線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XVI-XVI line | wire of FIG. 図15に続く工程を示す平面図である。FIG. 16 is a plan view illustrating a process following the process in FIG. 15. 図17のXVIII−XVIII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XVIII-XVIII line of FIG. 図17に続く工程を示す平面図である。FIG. 18 is a plan view illustrating a process following the process in FIG. 17. 図19のXX−XX線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX-XX line of FIG. 図19に続く工程を示す平面図である。FIG. 20 is a plan view illustrating a process following the process in FIG. 19. 図21のXXII−XXII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XXII-XXII line | wire of FIG. 光出射面および光入射面の形成の方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the formation method of a light-projection surface and a light-incidence surface. 図21に続く工程を示す平面図である。FIG. 22 is a plan view illustrating a process following the process in FIG. 21. 図24のXXV−XXV線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XXV-XXV line | wire of FIG. 本発明の第1実施形態の第1変形例のフォトインタラプタを示す平面図(一部構成透視化)である。It is a top view (partial composition perspective view) which shows the photo interrupter of the 1st modification of 1st Embodiment of this invention. 図26から受光側樹脂部と発光側樹脂部と遮光膜と透光樹脂部とを省略した平面図である。FIG. 27 is a plan view in which a light receiving side resin portion, a light emitting side resin portion, a light shielding film, and a light transmitting resin portion are omitted from FIG. 26. 図26に示すフォトインタラプタの底面図である。FIG. 27 is a bottom view of the photo interrupter shown in FIG. 26. 本発明の第1実施形態の第2変形例のフォトインタラプタを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the photo interrupter of the 2nd modification of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態の第2変形例の構成と、本発明の第1実施形態の第1変形例の構成を組み合わせた場合の、一部を拡大して示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which expands and shows a part at the time of combining the structure of the 2nd modification of 1st Embodiment of this invention, and the structure of the 1st modification of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態の第3変形例のフォトインタラプタを示す平面図(一部構成透視化)である。It is a top view (partial composition see-through) which shows the photo interrupter of the 3rd modification of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態の第4変形例のフォトインタラプタを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the photo interrupter of the 4th modification of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態の第5変形例のフォトインタラプタを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the photo interrupter of the 5th modification of 1st Embodiment of this invention. 図33のXXXIV−XXXIV線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XXXIV-XXXIV line | wire of FIG. 図33のXXXV−XXXV線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XXXV-XXXV line | wire of FIG. 本発明の第2実施形態のフォトインタラプタを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the photo interrupter of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態のフォトインタラプタを示す正面図である。It is a front view which shows the photo interrupter of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態のフォトインタラプタを示す平面図である。It is a top view which shows the photo interrupter of 2nd Embodiment of this invention. 図38のXXXIX−XXXIX線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XXXIX-XXXIX line | wire of FIG. 図39の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which expands and shows a part of FIG. 本発明の第2実施形態の第1変形例のフォトインタラプタを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the photo interrupter of the 1st modification of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態の第1変形例のフォトインタラプタを示す正面図である。It is a front view which shows the photo interrupter of the 1st modification of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態の第1変形例のフォトインタラプタを示す平面図である。It is a top view which shows the photo interrupter of the 1st modification of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態のフォトインタラプタを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the photo interrupter of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態のフォトインタラプタを示す正面図である。It is a front view which shows the photo interrupter of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態のフォトインタラプタを示す平面図である。It is a top view which shows the photo interrupter of 3rd Embodiment of this invention. 図45に示したフォトインタラプタの左側面図である。FIG. 46 is a left side view of the photo interrupter shown in FIG. 45. 図45に示したフォトインタラプタの右側面図である。FIG. 46 is a right side view of the photo interrupter shown in FIG. 45. 本発明の第3実施形態のフォトインタラプタの実装状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the mounting state of the photo interrupter of 3rd Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
図1〜図25を用いて、本発明の第1実施形態について説明する。
<First Embodiment>
1st Embodiment of this invention is described using FIGS.

図1は、本実施形態のフォトインタラプタの実装構造を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a photo interrupter mounting structure of the present embodiment.

図1に示すフォトインタラプタの実装構造800は、フォトインタラプタ100と、実装基板871と、ハンダ層872と、を備える。   A photointerrupter mounting structure 800 shown in FIG. 1 includes a photointerrupter 100, a mounting substrate 871, and a solder layer 872.

実装基板871は、たとえばプリント配線基板である。実装基板871は、たとえば、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成されたパターン電極(図示略)とを含む。フォトインタラプタ100は実装基板871に搭載されている。フォトインタラプタ100と、実装基板871との間には、ハンダ層872が介在している。ハンダ層872は、フォトインタラプタ100と実装基板871とを接合している。   The mounting board 871 is, for example, a printed wiring board. The mounting substrate 871 includes, for example, an insulating substrate and a pattern electrode (not shown) formed on the insulating substrate. The photo interrupter 100 is mounted on a mounting substrate 871. A solder layer 872 is interposed between the photo interrupter 100 and the mounting substrate 871. The solder layer 872 joins the photo interrupter 100 and the mounting substrate 871.

図2は、本実施形態のフォトインタラプタを示す斜視図である。図3は、本実施形態のフォトインタラプタを示す平面図である。図4は、図3に示すフォトインタラプタの一部の構成を透過して示す平面図である。図5は、図4から受光側樹脂部と発光側樹脂部と遮光膜と透光樹脂部とを省略した平面図である。図6は、本実施形態のフォトインタラプタを示す正面図である。図7は、図6に示すフォトインタラプタの左側面図である。図8は、図6に示すフォトインタラプタの右側面図である。図9は、図3、図4のIX−IX線に沿う断面図である。図10は、図3、図4のX−X線に沿う断面図である。図11は、図3、図4のXI−XI線に沿う断面図である。図12は、図3、図4のXII−XII線に沿う断面図である。図13は、図6に示すフォトインタラプタの底面図である。なお、図1には、図3、図4のI−I線に沿うフォトインタラプタの断面を示している。   FIG. 2 is a perspective view showing the photo interrupter of the present embodiment. FIG. 3 is a plan view showing the photo interrupter of the present embodiment. FIG. 4 is a plan view showing a part of the configuration of the photo interrupter shown in FIG. FIG. 5 is a plan view in which the light receiving side resin portion, the light emitting side resin portion, the light shielding film, and the light transmitting resin portion are omitted from FIG. FIG. 6 is a front view showing the photo interrupter of the present embodiment. FIG. 7 is a left side view of the photo interrupter shown in FIG. FIG. 8 is a right side view of the photo interrupter shown in FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIGS. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIGS. 3 and 4. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIGS. 3 and 4. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIGS. 3 and 4. FIG. 13 is a bottom view of the photointerrupter shown in FIG. FIG. 1 shows a cross section of the photo interrupter along the line II in FIGS.

これらの図に示すフォトインタラプタ100は、基材1と、発光素子21と、受光素子22と、受光側樹脂部3と、発光側樹脂部4と、透光樹脂部51(図3、図4参照、図3、図4以外では適宜省略)と、遮光膜6と、複数の(2本の)ワイヤ79と、を備える。図2〜図4、図6〜図8においては、遮光膜6から露出している部分を、ハッチングを付すことにより示している。図9においては、受光側隆起部34(後述)に付したハッチングは、遮光膜6から露出していることを表しており、基材1に付したハッチングは、断面であることを示している。同様に、図10においては、発光側隆起部44(後述)に付したハッチングは、遮光膜6から露出していることを表しており、基材1に付したハッチングは、断面であることを示している。図11、図12に付したハッチングは、断面であることを示している。   The photo interrupter 100 shown in these drawings includes a base material 1, a light emitting element 21, a light receiving element 22, a light receiving side resin portion 3, a light emitting side resin portion 4, and a light transmitting resin portion 51 (FIGS. 3 and 4). The light shielding film 6 and a plurality of (two) wires 79 are provided. In FIGS. 2 to 4 and FIGS. 6 to 8, the portion exposed from the light shielding film 6 is shown by hatching. In FIG. 9, the hatching attached to the light-receiving side raised portion 34 (described later) indicates that it is exposed from the light shielding film 6, and the hatching attached to the base material 1 indicates a cross section. . Similarly, in FIG. 10, the hatching attached to the light emitting side raised portion 44 (described later) indicates that it is exposed from the light shielding film 6, and the hatching attached to the substrate 1 is a cross section. Show. The hatching attached | subjected to FIG. 11, FIG. 12 has shown that it is a cross section.

フォトインタラプタ100は透過型フォトインタラプタである。すなわちフォトインタラプタ100は、受光側樹脂部3と発光側樹脂部4との間に遮蔽部材811(図1参照)が有るか否かを検出する。   The photo interrupter 100 is a transmissive photo interrupter. That is, the photo interrupter 100 detects whether or not the shielding member 811 (see FIG. 1) exists between the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4.

図1、図3〜図5等に示すように、基材1は、基板11と、主面電極12と、裏面電極13と、連絡電極14と、を含む。   As shown in FIGS. 1, 3 to 5, and the like, the base material 1 includes a substrate 11, a main surface electrode 12, a back surface electrode 13, and a connection electrode 14.

基板11は絶縁性材料よりなる。このような絶縁性材料は、たとえば、樹脂もしくはセラミックである。前記樹脂としては、たとえば、ガラスエポキシ樹脂や、ビスマレイミドートリアジン樹脂、もしくは、ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂が挙げられる。前記セラミックとしては、たとえば、アルミナ、もしくは、窒化アルミニウムが挙げられる。基板11は、主面111と、裏面112と、4つの側面113と、を有する。主面111および裏面112は互いに反対側を向く。主面111は、基材1の厚さ方向Zのうちの一方である方向Z1を向く。裏面112は、方向Z1とは反対方向の方向Z2を向く。各側面113は、方向Zに直交するいずれかの方向(本実施形態では、方向Xもしくは方向Y)を向く。4つの側面113は互いに異なる方向を向く。各側面113は、主面111、裏面112につながる。4つの側面113のうちの隣接する2つは、互いにつながる。主面111、裏面112、および4つの側面113はいずれも平坦である。方向X,Y,Zは互いに直交する。   The substrate 11 is made of an insulating material. Such an insulating material is, for example, resin or ceramic. Examples of the resin include glass epoxy resin, bismaleimide-triazine resin, and polyphenylene ether (PPE) resin. Examples of the ceramic include alumina or aluminum nitride. The substrate 11 has a main surface 111, a back surface 112, and four side surfaces 113. The main surface 111 and the back surface 112 face opposite to each other. The main surface 111 faces the direction Z1 which is one of the thickness directions Z of the substrate 1. The back surface 112 faces the direction Z2 opposite to the direction Z1. Each side surface 113 faces one of the directions orthogonal to the direction Z (in this embodiment, the direction X or the direction Y). The four side surfaces 113 face different directions. Each side surface 113 is connected to the main surface 111 and the back surface 112. Two adjacent ones of the four side surfaces 113 are connected to each other. The main surface 111, the back surface 112, and the four side surfaces 113 are all flat. The directions X, Y, and Z are orthogonal to each other.

主面電極12は主面111に形成されている。図5に示すように、主面電極12は、受光側ダイパッド121と、受光側ワイヤボンディングパッド122と、発光側ダイパッド124と、発光側ワイヤボンディングパッド125と、を有する。   Main surface electrode 12 is formed on main surface 111. As shown in FIG. 5, the main surface electrode 12 includes a light receiving side die pad 121, a light receiving side wire bonding pad 122, a light emitting side die pad 124, and a light emitting side wire bonding pad 125.

受光側ダイパッド121および受光側ワイヤボンディングパッド122は、主面111のうちの方向X2側に位置している。受光側ダイパッド121の平面視の面積は、受光側ワイヤボンディングパッド122の平面視の面積よりも大きい。受光側ダイパッド121および受光側ワイヤボンディングパッド122は、方向Yに互いに離間している。   The light receiving side die pad 121 and the light receiving side wire bonding pad 122 are located on the direction X2 side of the main surface 111. The area of the light receiving side die pad 121 in plan view is larger than the area of the light receiving side wire bonding pad 122 in plan view. The light receiving side die pad 121 and the light receiving side wire bonding pad 122 are separated from each other in the direction Y.

発光側ダイパッド124および発光側ワイヤボンディングパッド125は、主面111のうちの方向X1側に位置している。発光側ダイパッド124の平面視の面積は、発光側ワイヤボンディングパッド125の平面視の面積よりも大きい。発光側ダイパッド124および発光側ワイヤボンディングパッド125は、方向Yに互いに離間している。   The light emitting side die pad 124 and the light emitting side wire bonding pad 125 are located on the direction X1 side of the main surface 111. The area of the light emitting side die pad 124 in plan view is larger than the area of the light emitting side wire bonding pad 125 in plan view. The light emitting side die pad 124 and the light emitting side wire bonding pad 125 are separated from each other in the direction Y.

なお、基材1が、主面電極12上に形成されたレジスト層(図示略)を含んでいてもよい。   The substrate 1 may include a resist layer (not shown) formed on the main surface electrode 12.

図13に示すように、裏面電極13は裏面112に形成されている。裏面電極13は、複数の(本実施形態においては4つの)実装パッド131を有する。本実施形態では、各実装パッド131は矩形状である。図1に示すように、フォトインタラプタ100が実装基板871に実装された状態において、実装パッド131と実装基板871との間には、ハンダ層872が介在している。実装パッド131と実装基板871とに、ハンダ層872が直接接している。   As shown in FIG. 13, the back electrode 13 is formed on the back surface 112. The back electrode 13 has a plurality of (four in the present embodiment) mounting pads 131. In the present embodiment, each mounting pad 131 has a rectangular shape. As shown in FIG. 1, a solder layer 872 is interposed between the mounting pad 131 and the mounting substrate 871 in a state where the photo interrupter 100 is mounted on the mounting substrate 871. The solder layer 872 is in direct contact with the mounting pad 131 and the mounting substrate 871.

図4〜図6、図13に示す各連絡電極14は、主面電極12および裏面電極13のいずれにもつながっている。各連絡電極14は主面電極12および裏面電極13を導通させている。具体的には、各連絡電極14は、主面電極12のうちの4つのパッド(受光側ダイパッド121、受光側ワイヤボンディングパッド122、発光側ダイパッド124、および発光側ワイヤボンディングパッド125)のいずれか一つと、4つの実装パッド131のいずれか一つと、を導通させている。本実施形態においては、各連絡電極14は、基板11を主面111から裏面112に貫通している。図5、図13に示すように、各連絡電極14は、XY平面視において、主面電極12および裏面電極13のいずれにも重なっている。   Each of the connection electrodes 14 shown in FIGS. 4 to 6 and 13 is connected to both the main surface electrode 12 and the back surface electrode 13. Each connection electrode 14 makes the main surface electrode 12 and the back surface electrode 13 conductive. Specifically, each connection electrode 14 is one of four pads (light-receiving side die pad 121, light-receiving side wire bonding pad 122, light-emitting side die pad 124, and light-emitting side wire bonding pad 125) of the main surface electrode 12. One and any one of the four mounting pads 131 are electrically connected. In the present embodiment, each connection electrode 14 penetrates the substrate 11 from the main surface 111 to the back surface 112. As shown in FIGS. 5 and 13, each connection electrode 14 overlaps both the main surface electrode 12 and the back surface electrode 13 in the XY plan view.

図1、図4〜図6、図8、図10、図12に示す発光素子21は、LEDチップである。発光素子21はたとえば赤外光を発する。発光素子21は基材1に配置されている。図5に示すように、具体的には、発光素子21は、発光側ダイパッド124に配置されている。発光素子21は、導電性の接着層(図示略)を経由して、発光側ダイパッド124に導通している。発光素子21と発光側ワイヤボンディングパッド125とには、2つのワイヤ79のうちの一つがボンディングされている。これにより、発光素子21と発光側ワイヤボンディングパッド125とが導通している。   The light emitting element 21 shown in FIGS. 1, 4 to 6, 8, 10, and 12 is an LED chip. The light emitting element 21 emits infrared light, for example. The light emitting element 21 is disposed on the substrate 1. As shown in FIG. 5, specifically, the light emitting element 21 is disposed on the light emitting side die pad 124. The light emitting element 21 is electrically connected to the light emitting side die pad 124 via a conductive adhesive layer (not shown). One of the two wires 79 is bonded to the light emitting element 21 and the light emitting side wire bonding pad 125. Thereby, the light emitting element 21 and the light emitting side wire bonding pad 125 are electrically connected.

図1、図4〜図7、図9、図11に示す受光素子22は、受光した光を、当該光の量に応じた電気信号に変換する。本実施形態においては、受光素子22は、受光した赤外光を、当該赤外光の量に応じた電気信号に変換する。受光素子22は、フォトトランジスタやフォトダイオードである。受光素子22は、基材1に配置されている。図5に示すように、具体的には、受光素子22は、受光側ダイパッド121に配置されている。受光素子22は、導電性の接着層(図示略)を経由して、受光側ダイパッド121に導通している。受光素子22のXY平面視の面積は、発光素子21の平面視の面積よりも大きい場合が多い。図5に示すように、受光素子22は受光面221を有する。本実施形態において、受光面221は、矩形状である。受光面221は矩形状に限られず、矩形の一つの角が欠落した形状であってもよい。受光素子22と受光側ワイヤボンディングパッド122とには、2つのワイヤ79のうちの一つがボンディングされている。これにより、受光素子22と受光側ワイヤボンディングパッド122とが導通している。   The light receiving element 22 shown in FIGS. 1, 4 to 7, 9, and 11 converts the received light into an electrical signal corresponding to the amount of the light. In the present embodiment, the light receiving element 22 converts the received infrared light into an electrical signal corresponding to the amount of the infrared light. The light receiving element 22 is a phototransistor or a photodiode. The light receiving element 22 is disposed on the substrate 1. As shown in FIG. 5, specifically, the light receiving element 22 is disposed on the light receiving side die pad 121. The light receiving element 22 is electrically connected to the light receiving side die pad 121 via a conductive adhesive layer (not shown). The area of the light receiving element 22 in the XY plan view is often larger than the area of the light emitting element 21 in the plan view. As shown in FIG. 5, the light receiving element 22 has a light receiving surface 221. In the present embodiment, the light receiving surface 221 has a rectangular shape. The light receiving surface 221 is not limited to a rectangular shape, and may have a shape in which one corner of the rectangle is missing. One of the two wires 79 is bonded to the light receiving element 22 and the light receiving side wire bonding pad 122. Thereby, the light receiving element 22 and the light receiving side wire bonding pad 122 are electrically connected.

図1に示すように、受光側樹脂部3は受光素子22を覆っている。受光側樹脂部3は基材1に直接接する。具体的には、受光側樹脂部3は、基板11の主面111に配置されている。受光側樹脂部3は、透明であり、透光性を有する。本実施形態において受光側樹脂部3は、可視光から赤外光までの波長域の光を透過させる。受光側樹脂部3は、たとえば、エポキシ系の樹脂、もしくは、アクリル系の樹脂よりなる。受光側樹脂部3は光入射面38を有する。   As shown in FIG. 1, the light receiving side resin portion 3 covers the light receiving element 22. The light-receiving side resin part 3 is in direct contact with the substrate 1. Specifically, the light-receiving side resin portion 3 is disposed on the main surface 111 of the substrate 11. The light-receiving side resin part 3 is transparent and has translucency. In the present embodiment, the light receiving side resin portion 3 transmits light in a wavelength region from visible light to infrared light. The light-receiving side resin portion 3 is made of, for example, an epoxy resin or an acrylic resin. The light receiving side resin portion 3 has a light incident surface 38.

図1に示すように、発光側樹脂部4は発光素子21を覆っている。発光側樹脂部4は基材1に直接接する。具体的には、発光側樹脂部4は、基板11の主面111に配置されている。発光側樹脂部4は、透明であり、透光性を有する。本実施形態において発光側樹脂部4は、可視光から赤外光までの波長域の光を透過させる。発光側樹脂部4はたとえばエポキシ系の樹脂よりなる。発光側樹脂部4は光出射面48を有する。   As shown in FIG. 1, the light emitting side resin portion 4 covers the light emitting element 21. The light emitting side resin part 4 is in direct contact with the substrate 1. Specifically, the light emitting side resin portion 4 is disposed on the main surface 111 of the substrate 11. The light emission side resin part 4 is transparent and has translucency. In the present embodiment, the light emitting side resin portion 4 transmits light in a wavelength region from visible light to infrared light. The light emitting side resin portion 4 is made of, for example, an epoxy resin. The light emitting side resin portion 4 has a light emitting surface 48.

図1に示すように、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4は、空隙59を介して互いに離間している。すなわち、空隙59は受光側樹脂部3および発光側樹脂部4に挟まれている。受光側樹脂部3および発光側樹脂部4が離間している方向は、基材1の広がる平面に含まれる方向(本実施形態では方向X)に一致している。以下、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4について詳細に説明する。   As shown in FIG. 1, the light-receiving side resin portion 3 and the light-emitting side resin portion 4 are separated from each other through a gap 59. That is, the gap 59 is sandwiched between the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4. The direction in which the light-receiving side resin part 3 and the light-emitting side resin part 4 are separated from each other coincides with the direction (in the present embodiment, the direction X) included in the plane in which the substrate 1 spreads. Hereinafter, the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4 will be described in detail.

まず、受光側樹脂部3について説明する。受光側樹脂部3は、受光側基部31(図1〜図4、図6、図7、図9、図11参照)と、受光側突出部32(図1〜図4、図6、図9参照)と、受光側隆起部34(図1〜4、図6、図9参照)と、を含む。   First, the light receiving side resin portion 3 will be described. The light-receiving side resin part 3 includes a light-receiving side base 31 (see FIGS. 1 to 4, 6, 7, 9, and 11) and a light-receiving side protrusion 32 (FIGS. 1 to 4, 6, and 9). Reference) and a light receiving side raised portion 34 (see FIGS. 1 to 4, 6, and 9).

受光側基部31は、基材1に接し且つ受光素子22を覆っている。受光側基部31の一部は、XY平面視において受光素子22に重なっている。図2、図3によく表れているように、受光側基部31は、受光側基部側面311と、受光側基部外面313,314,315,316,317と、を有する。受光側基部側面311、および、受光側基部外面313,314,315,316,317はいずれも、平坦である。   The light receiving side base 31 is in contact with the base material 1 and covers the light receiving element 22. A part of the light receiving side base 31 overlaps the light receiving element 22 in the XY plan view. As shown well in FIGS. 2 and 3, the light receiving side base 31 has a light receiving side base side surface 311 and light receiving side base outer surfaces 313, 314, 315, 316 and 317. The light receiving side base side surface 311 and the light receiving side base outer surface 313, 314, 315, 316, 317 are all flat.

受光側基部側面311は、発光側樹脂部4の位置する側(方向X1側)を向く。受光側基部外面313は、発光側樹脂部4の位置するのとは反対側(方向X2側)を向く。各受光側基部外面314は、方向Yのいずれか一方側を向く。各受光側基部外面315は、受光側基部外面313と受光側基部外面314とにつながる。受光側基部外面313,314,315はいずれも、基材1に接している。各受光側基部外面313,314,315は、基材1に対しほぼ直立している。すなわち、各受光側基部外面313,314,315は、方向Zに対しわずかに傾斜しているものの、方向Zに対しほとんど傾斜していない。各受光側基部外面313,314,315が方向Zに対しわずかに傾斜しているのは、受光側樹脂部3’(後述)を形成するための金型を受光側樹脂部3’から抜けやすくするためである。   The light receiving side base side surface 311 faces the side where the light emitting side resin portion 4 is located (direction X1 side). The light receiving side base outer surface 313 faces the side opposite to the position of the light emitting side resin portion 4 (direction X2 side). Each light-receiving side base outer surface 314 faces one side in the direction Y. Each light receiving side base outer surface 315 is connected to the light receiving side base outer surface 313 and the light receiving side base outer surface 314. The light receiving side base outer surfaces 313, 314, and 315 are all in contact with the substrate 1. Each light receiving side base outer surface 313, 314, 315 is substantially upright with respect to the substrate 1. In other words, each light receiving side base outer surface 313, 314, 315 is slightly inclined with respect to the direction Z, but hardly inclined with respect to the direction Z. Each light receiving side base outer surface 313, 314, 315 is slightly inclined with respect to the direction Z because the mold for forming the light receiving side resin portion 3 ′ (described later) can be easily removed from the light receiving side resin portion 3 ′. It is to do.

受光側基部外面316は、受光側基部外面313につながっている。受光側基部外面316は、基材1から離れるにつれて発光側樹脂部4に近づくように、受光側基部外面313に対し傾斜している。受光側基部外面316が受光側基部外面313に対しこのように傾斜していることにより、光入射面38から受光側樹脂部3に入射した光は、受光側基部外面316にて反射したのち、受光素子22に向かって進みやすくなる。図4によく表れているように、受光側基部外面316は、XY平面視において、受光素子22と重なる。各受光側基部外面317は、受光側基部外面314,315,316のいずれにもつながる。   The light receiving side base outer surface 316 is connected to the light receiving side base outer surface 313. The light-receiving-side base outer surface 316 is inclined with respect to the light-receiving-side base outer surface 313 so as to approach the light-emitting side resin portion 4 as the distance from the base material 1 increases. Since the light receiving side base outer surface 316 is inclined with respect to the light receiving side base outer surface 313 in this manner, the light incident on the light receiving side resin portion 3 from the light incident surface 38 is reflected by the light receiving side base outer surface 316. It becomes easy to proceed toward the light receiving element 22. As clearly shown in FIG. 4, the light receiving side base outer surface 316 overlaps the light receiving element 22 in the XY plan view. Each light receiving side base outer surface 317 is connected to any of the light receiving side base outer surfaces 314, 315, and 316.

受光側突出部32は、発光側樹脂部4の位置する側(方向X1側)に、受光側基部31から突出している。受光側突出部32は基材1に接している。本実施形態では、方向Yにおいて、受光側突出部32の寸法は、受光素子22の寸法より大きい。更に、図9に示すように、方向X視(YZ平面視)において、受光側突出部32は、受光素子22の全体に重なっている。   The light receiving side protruding portion 32 protrudes from the light receiving side base portion 31 on the side where the light emitting side resin portion 4 is located (direction X1 side). The light receiving side protrusion 32 is in contact with the substrate 1. In the present embodiment, in the direction Y, the size of the light receiving side protrusion 32 is larger than the size of the light receiving element 22. Furthermore, as shown in FIG. 9, the light receiving side protrusion 32 overlaps the entire light receiving element 22 in the direction X (YZ plan view).

図3、図6、図9によく表れているように、受光側突出部32は、受光側突出部側面321と、2つの受光側突出部外面322と、受光側連絡面326と、を有する。受光側突出部側面321、2つの受光側突出部外面322、および、受光側連絡面326はいずれも、平坦である。   As shown in FIGS. 3, 6, and 9, the light receiving side protrusion 32 includes a light receiving side protrusion side surface 321, two light receiving side protrusion outer surfaces 322, and a light receiving side communication surface 326. . The light receiving side protruding portion side surface 321, the two light receiving side protruding portion outer surfaces 322, and the light receiving side connecting surface 326 are all flat.

図6に示すように、受光側突出部側面321は、発光側樹脂部4の位置する側(方向X1側)を向く。受光側突出部側面321は基材1に接する。受光側突出部側面321は、基材1から離れるにつれて、発光側樹脂部4の位置する側とは反対側(方向X2側)に向かうように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。厚さ方向Zに対する受光側突出部側面321の傾斜角は、厚さ方向Zに対する受光側基部外面313の傾斜角より大きいことが好ましい。厚さ方向Zに対する受光側突出部側面321の傾斜角は、0度より大きく且つ30度以下であることが好ましい。   As shown in FIG. 6, the light receiving side protruding portion side surface 321 faces the side where the light emitting side resin portion 4 is located (direction X1 side). The light receiving side protruding portion side surface 321 contacts the base material 1. The light receiving side protruding portion side surface 321 is inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 so as to go to the side opposite to the side where the light emitting side resin portion 4 is located (direction X2 side) as it is away from the base material 1. ing. The inclination angle of the light receiving side protrusion side surface 321 with respect to the thickness direction Z is preferably larger than the inclination angle of the light receiving side base outer surface 313 with respect to the thickness direction Z. The inclination angle of the light receiving side protruding portion side surface 321 with respect to the thickness direction Z is preferably larger than 0 degree and not larger than 30 degrees.

図3、図9に示すように、各受光側突出部外面322は、方向Y1もしくは方向Y2を向く。本実施形態において各受光側突出部外面322は、受光側基部外面314と面一となっている。受光側突出部外面322は受光側基部外面314と面一になっている必要は必ずしもない。受光側突出部外面322は、XY平面視において、受光側基部外面314よりも基材1の中心側に位置していてもよい。   As shown in FIGS. 3 and 9, each light receiving side protrusion outer surface 322 faces in the direction Y1 or the direction Y2. In this embodiment, each light receiving side protrusion outer surface 322 is flush with the light receiving side base outer surface 314. The light receiving side protrusion outer surface 322 is not necessarily flush with the light receiving side base outer surface 314. The light receiving side protrusion outer surface 322 may be located closer to the center of the base material 1 than the light receiving side base outer surface 314 in the XY plan view.

図3、図6、図9に示す受光側連絡面326は方向Z1を向く。受光側連絡面326は、受光側突出部側面321と受光側基部31とにつながっている。具体的には、受光側連絡面326は、受光側突出部側面321と、受光側突出部外面322と、受光側基部側面311と、につながっている。   The light receiving side communication surface 326 shown in FIGS. 3, 6, and 9 faces the direction Z1. The light receiving side communication surface 326 is connected to the light receiving side protrusion side surface 321 and the light receiving side base 31. Specifically, the light receiving side connecting surface 326 is connected to the light receiving side protruding portion side surface 321, the light receiving side protruding portion outer surface 322, and the light receiving side base portion side surface 311.

図1、図3、図6、図9に示す受光側隆起部34は、発光側樹脂部4の位置する側(方向X1側)に、受光側基部31から隆起している。本実施形態においては、受光側隆起部34は、基材1から離間した位置に配置されている。本実施形態においては更に、受光側隆起部34は、受光側連絡面326から隆起している。   The light receiving side raised portion 34 shown in FIGS. 1, 3, 6, and 9 protrudes from the light receiving side base portion 31 on the side where the light emitting side resin portion 4 is located (direction X1 side). In the present embodiment, the light receiving side raised portion 34 is disposed at a position separated from the base material 1. In the present embodiment, the light receiving side raised portion 34 further protrudes from the light receiving side communication surface 326.

図1、図6、図9に示すように、受光側隆起部34は、上述の光入射面38を構成している。本実施形態においては、光入射面38は、第1入射部381と第2入射部382とを有する。第1入射部381および第2入射部382は平坦であることが好ましい。ただし、第1入射部381および第2入射部382が平坦でなく、わずかな凹凸面であってもよい。第1入射部381は発光側樹脂部4の位置する側(方向X1側)を向く。第2入射部382は、第1入射部381の向く方向とは異なる方向を向く。本実施形態においては、第2入射部382は、基材1の厚さ方向Zのうち基材1から受光側樹脂部3に向かう方向(方向Z1)を向く。   As shown in FIGS. 1, 6, and 9, the light receiving side raised portion 34 constitutes the above-described light incident surface 38. In the present embodiment, the light incident surface 38 includes a first incident portion 381 and a second incident portion 382. The first incident portion 381 and the second incident portion 382 are preferably flat. However, the first incident portion 381 and the second incident portion 382 are not flat and may have a slight uneven surface. The first incident part 381 faces the side where the light emitting side resin part 4 is located (direction X1 side). The second incident part 382 faces in a direction different from the direction in which the first incident part 381 faces. In the present embodiment, the second incident portion 382 faces the direction (direction Z1) from the base material 1 toward the light-receiving side resin portion 3 in the thickness direction Z of the base material 1.

次に、発光側樹脂部4について説明する。本実施形態では、発光側樹脂部4は、YZ平面に対して、受光側樹脂部3について対称な形状である。ただし、発光側樹脂部4は、YZ平面に対して、受光側樹脂部3について対称な形状でなくてもよい。   Next, the light emission side resin part 4 will be described. In this embodiment, the light emission side resin part 4 is a shape symmetrical about the light reception side resin part 3 with respect to the YZ plane. However, the light emitting side resin portion 4 may not have a symmetrical shape with respect to the light receiving side resin portion 3 with respect to the YZ plane.

発光側樹脂部4は、発光側基部41(図1〜図4、図6、図8、図10、図12参照)と、発光側突出部42(図1〜図4、図6、図10参照)と、発光側隆起部44(図1〜図4、図6、図10参照)と、を含む。   The light emitting side resin portion 4 includes a light emitting side base portion 41 (see FIGS. 1 to 4, 6, 8, 10, and 12) and a light emitting side protrusion 42 (FIGS. 1 to 4, 6, and 10). Reference) and a light emitting side raised portion 44 (see FIGS. 1 to 4, 6, and 10).

発光側基部41は、基材1に接し且つ発光素子21を覆っている。発光側基部41の一部は、XY平面視において発光素子21に重なっている。図2、図3によく表れているように、発光側基部41は、発光側基部側面411と、発光側基部外面413,414,415,416,417と、を有する。発光側基部側面411、および、発光側基部外面413,414,415,416,417はいずれも、平坦である。   The light emitting side base 41 is in contact with the base material 1 and covers the light emitting element 21. A part of the light emission side base 41 overlaps the light emitting element 21 in the XY plan view. 2 and 3, the light emission side base 41 includes a light emission side base side surface 411 and light emission side base outer surfaces 413, 414, 415, 416 and 417. The light emission side base side surface 411 and the light emission side base outer surface 413, 414, 415, 416, 417 are all flat.

発光側基部側面411は、受光側樹脂部3の位置する側(方向X2側)を向く。そして、発光側基部側面411は、空隙59および後述の遮光膜6を挟んで、受光側基部側面311と対向している。発光側基部外面413は、受光側樹脂部3の位置するのとは反対側(方向X1側)を向く。各発光側基部外面414は、方向Yのいずれか一方側を向く。各発光側基部外面415は、発光側基部外面413と発光側基部外面414とにつながる。発光側基部外面413,414,415はいずれも、基材1に接している。各発光側基部外面413,414,415は、基材1に対しほぼ直立している。すなわち、各発光側基部外面413,414,415は、方向Zに対しわずかに傾斜しているものの、方向Zに対しほとんど傾斜していない。各発光側基部外面413,414,415が方向Zに対しわずかに傾斜しているのは、発光側樹脂部4’(後述)を形成するための金型を発光側樹脂部4’から抜けやすくするためである。   The light emitting side base portion side surface 411 faces the side where the light receiving side resin portion 3 is located (direction X2 side). The light emitting side base side surface 411 is opposed to the light receiving side base side surface 311 with the gap 59 and a light shielding film 6 described later interposed therebetween. The light emitting side base outer surface 413 faces the side opposite to the position of the light receiving side resin portion 3 (direction X1 side). Each light emitting side base outer surface 414 faces one side in the direction Y. Each light emitting side base outer surface 415 is connected to the light emitting side base outer surface 413 and the light emitting side base outer surface 414. The light emitting side base outer surfaces 413, 414, and 415 are all in contact with the substrate 1. Each light emitting side base outer surface 413, 414, 415 is substantially upright with respect to the substrate 1. That is, each light emitting side base outer surface 413, 414, 415 is slightly inclined with respect to the direction Z, but hardly inclined with respect to the direction Z. The reason why each light emitting side base outer surface 413, 414, 415 is slightly inclined with respect to the direction Z is that the mold for forming the light emitting side resin portion 4 ′ (described later) can be easily removed from the light emitting side resin portion 4 ′. It is to do.

発光側基部外面416は、発光側基部外面413につながっている。発光側基部外面416は、基材1から離れるにつれて受光側樹脂部3に近づくように、発光側基部外面413に対し傾斜している。発光側基部外面416が発光側基部外面413に対しこのように傾斜していることにより、発光素子21から放たれた光は、発光側基部外面416にて反射したのち、光出射面48に向かって進みやすくなる。図4によく表れているように、発光側基部外面416は、XY平面視において、発光素子21と重なる。各発光側基部外面417は、発光側基部外面414,415,416のいずれにもつながる。   The light emission side base outer surface 416 is connected to the light emission side base outer surface 413. The light emitting side base outer surface 416 is inclined with respect to the light emitting side base outer surface 413 so as to approach the light receiving side resin portion 3 as the distance from the base material 1 increases. Since the light emitting side base outer surface 416 is inclined with respect to the light emitting side base outer surface 413 in this manner, the light emitted from the light emitting element 21 is reflected by the light emitting side base outer surface 416 and then travels toward the light emitting surface 48. Easier to proceed. As clearly shown in FIG. 4, the light emitting side base outer surface 416 overlaps the light emitting element 21 in the XY plan view. Each light emitting side base outer surface 417 is connected to any of the light emitting side base outer surfaces 414, 415, 416.

発光側突出部42は、受光側樹脂部3の位置する側(方向X2側)に、発光側基部41から突出している。発光側突出部42は基材1に接している。本実施形態では、方向X視(YZ平面視)において、発光側突出部42は、発光素子21の全体に重なっている。   The light emitting side protruding portion 42 protrudes from the light emitting side base portion 41 on the side where the light receiving side resin portion 3 is located (direction X2 side). The light emitting side protrusion 42 is in contact with the base material 1. In the present embodiment, the light emitting side protrusion 42 overlaps the entire light emitting element 21 in the direction X (YZ plan view).

図3、図6、図10によく表れているように、発光側突出部42は、発光側突出部側面421と、2つの発光側突出部外面422と、発光側連絡面426と、を有する。発光側突出部側面421、2つの発光側突出部外面422、および、発光側連絡面426はいずれも、平坦である。   As shown well in FIGS. 3, 6, and 10, the light emission side protrusion 42 has a light emission side protrusion side surface 421, two light emission side protrusion outer surfaces 422, and a light emission side communication surface 426. . The light emitting side protruding portion side 421, the two light emitting side protruding portion outer surfaces 422, and the light emitting side connecting surface 426 are all flat.

図6に示すように、発光側突出部側面421は、受光側樹脂部3の位置する側(方向X2側)を向く。そして、発光側突出部側面421は、空隙59および後述の遮光膜6を挟んで、受光側突出部側面321と対向している。発光側突出部側面421は基材1に接する。発光側突出部側面421は、基材1から離れるにつれて、受光側樹脂部3の位置する側とは反対側(方向X1側)に向かうように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。厚さ方向Zに対する発光側突出部側面421の傾斜角は、厚さ方向Zに対する発光側基部外面413の傾斜角より大きいことが好ましい。厚さ方向Zに対する発光側突出部側面421の傾斜角は、0度より大きく且つ30度以下であることが好ましい。   As shown in FIG. 6, the light emitting side protruding portion side surface 421 faces the side where the light receiving side resin portion 3 is located (direction X2 side). The light emitting side protruding portion side surface 421 faces the light receiving side protruding portion side surface 321 with the gap 59 and a light shielding film 6 described later interposed therebetween. The light emitting side protruding portion side surface 421 contacts the substrate 1. The light emitting side protruding portion side surface 421 is inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 so as to go to the side opposite to the side where the light receiving side resin portion 3 is located (direction X1 side) as it is away from the base material 1. ing. The inclination angle of the light emission side protrusion side surface 421 with respect to the thickness direction Z is preferably larger than the inclination angle of the light emission side base outer surface 413 with respect to the thickness direction Z. The inclination angle of the light emitting side protruding portion side surface 421 with respect to the thickness direction Z is preferably larger than 0 degree and not larger than 30 degrees.

図3、図10に示すように、各発光側突出部外面422は、方向Y1もしくは方向Y2を向く。本実施形態において各発光側突出部外面422は、発光側基部外面414と面一となっている。発光側突出部外面422は発光側基部外面414と面一になっている必要は必ずしもない。発光側突出部外面422は、XY平面視において、発光側基部外面414よりも基材1の中心側に位置していてもよい。   As shown in FIGS. 3 and 10, each light emitting side protrusion outer surface 422 faces in the direction Y1 or the direction Y2. In the present embodiment, each light emitting side protrusion outer surface 422 is flush with the light emitting side base outer surface 414. The light emitting side protruding portion outer surface 422 is not necessarily flush with the light emitting side base outer surface 414. The light emitting side protrusion outer surface 422 may be located closer to the center of the base material 1 than the light emitting side base outer surface 414 in the XY plan view.

図3、図6、図10に示す発光側連絡面426は方向Z1を向く。発光側連絡面426は、発光側突出部側面421と発光側基部41とにつながっている。具体的には、発光側連絡面426は、発光側突出部側面421と、発光側突出部外面422と、発光側基部側面411と、につながっている。   The light emitting side communication surface 426 shown in FIGS. 3, 6, and 10 faces the direction Z1. The light emitting side communication surface 426 is connected to the light emitting side protruding portion side surface 421 and the light emitting side base portion 41. Specifically, the light emitting side communication surface 426 is connected to the light emitting side protruding portion side surface 421, the light emitting side protruding portion outer surface 422, and the light emitting side base portion side surface 411.

図1,図3、図6、図10に示す発光側隆起部44は、受光側樹脂部3の位置する側(方向X2側)に、発光側基部41から隆起している。本実施形態においては、発光側隆起部44は、基材1から離間した位置に配置されている。本実施形態においては更に、発光側隆起部44は、発光側連絡面426から隆起している。   The light emitting side raised portion 44 shown in FIGS. 1, 3, 6, and 10 protrudes from the light emitting side base portion 41 on the side where the light receiving side resin portion 3 is located (direction X <b> 2 side). In the present embodiment, the light emitting side raised portion 44 is disposed at a position separated from the base material 1. In the present embodiment, the light emitting side raised portion 44 further protrudes from the light emitting side communication surface 426.

図1に示すように、発光側隆起部44は、上述の光出射面48を構成している。光出射面48は空隙59を挟んで光入射面38に対向している。光出射面48と光入射面38とは対向していることが好ましいが、これに限定されず、方向X視において、光出射面48と光入射面38とが重なっていなくてもよい。本実施形態においては、光出射面48は、第1出射部481と第2出射部482とを有する。第1出射部481および第2出射部482は平坦であることが好ましい。ただし、第1出射部481および第2出射部482が平坦でなく、わずかな凹凸面であってもよい。第1出射部481は受光側樹脂部3の位置する側(方向X2側)を向く。第2出射部482は、第1出射部481の向く方向とは異なる方向を向く。本実施形態においては、第2出射部482は、基材1の厚さ方向Zのうち基材1から発光側樹脂部4に向かう方向(方向Z1)を向く。   As shown in FIG. 1, the light emitting side raised portion 44 constitutes the light emitting surface 48 described above. The light emitting surface 48 faces the light incident surface 38 with a gap 59 therebetween. The light emitting surface 48 and the light incident surface 38 are preferably opposed to each other, but the present invention is not limited to this, and the light emitting surface 48 and the light incident surface 38 do not have to overlap each other in the direction X. In the present embodiment, the light emission surface 48 includes a first emission part 481 and a second emission part 482. The first emission part 481 and the second emission part 482 are preferably flat. However, the first emission part 481 and the second emission part 482 are not flat and may have a slight uneven surface. The first emitting portion 481 faces the side where the light receiving side resin portion 3 is located (direction X2 side). The second emission part 482 faces in a direction different from the direction in which the first emission part 481 faces. In the present embodiment, the second emitting portion 482 faces the direction (direction Z1) from the base material 1 toward the light emitting side resin portion 4 in the thickness direction Z of the base material 1.

図3、図4に示す各透光樹脂部51は、受光側樹脂部3もしくは発光側樹脂部4につながっている。図14に示すように、各透光樹脂部51は、側面113と面一の端面511を有する。   Each translucent resin portion 51 shown in FIGS. 3 and 4 is connected to the light-receiving side resin portion 3 or the light-emitting side resin portion 4. As shown in FIG. 14, each translucent resin portion 51 has an end surface 511 that is flush with the side surface 113.

図1によく表れているように、遮光膜6は、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4を覆っている。本実施形態においては更に、遮光膜6は基材1および透光樹脂部51を覆っている(図14参照)。図1、図11、図12に示すように、遮光膜6は、基板11の主面111の端縁(主面111と側面113との境界)まで至っている。遮光膜6は可視光および赤外光のいずれをも透過させない。このような遮光膜6は、たとえば、黒色または灰色である。遮光膜6は、たとえば、ブラックレジスト、エポキシ樹脂、金属酸化物(Fe23,Cr23)、もしくは、金属(AlとTiとの合金,Ag,Au,Pd,Ni)よりなる。その他に、遮光膜6は、CやSiO2よりなっていてもよい。遮光膜6からは、
光出射面48および光入射面38のいずれもが露出している。本実施形態において、遮光膜6は、0.01〜100μmの厚さである。本実施形態においては更に、遮光膜6は全て、0.01〜100μmの厚さである。
As clearly shown in FIG. 1, the light shielding film 6 covers the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4. In the present embodiment, the light shielding film 6 further covers the base material 1 and the translucent resin portion 51 (see FIG. 14). As shown in FIGS. 1, 11, and 12, the light shielding film 6 reaches the edge of the main surface 111 of the substrate 11 (the boundary between the main surface 111 and the side surface 113). The light shielding film 6 transmits neither visible light nor infrared light. Such a light shielding film 6 is, for example, black or gray. The light shielding film 6 is made of, for example, a black resist, an epoxy resin, a metal oxide (Fe 2 O 3 , Cr 2 O 3 ), or a metal (an alloy of Al and Ti, Ag, Au, Pd, Ni). In addition, the light shielding film 6 may be made of C or SiO 2 . From the light shielding film 6,
Both the light emitting surface 48 and the light incident surface 38 are exposed. In the present embodiment, the light shielding film 6 has a thickness of 0.01 to 100 μm. Further, in the present embodiment, all the light shielding films 6 have a thickness of 0.01 to 100 μm.

図1〜図4、図6〜図12に示すように、遮光膜6は、受光側被覆部61と、発光側被覆部62と、基材被覆部63とを含む。   As shown in FIGS. 1 to 4 and FIGS. 6 to 12, the light shielding film 6 includes a light receiving side covering portion 61, a light emitting side covering portion 62, and a base material covering portion 63.

受光側被覆部61は、受光側樹脂部3を覆っている。具体的には、受光側被覆部61は、受光側基部31と、受光側突出部32と、受光側隆起部34(の一部)と、を覆っている。受光側被覆部61からは光入射面38が露出している。更に具体的には、受光側被覆部61は、受光側基部側面311と、受光側基部外面313〜317と、受光側突出部側面321と、受光側突出部外面322と、受光側連絡面326と、を覆っている。本実施形態においては、受光側被覆部61は全て、0.01〜100μmの厚さである。   The light receiving side covering portion 61 covers the light receiving side resin portion 3. Specifically, the light-receiving side covering 61 covers the light-receiving-side base 31, the light-receiving-side protruding portion 32, and (a part of) the light-receiving-side raised portion 34. The light incident surface 38 is exposed from the light receiving side covering portion 61. More specifically, the light receiving side covering 61 includes a light receiving side base side surface 311, a light receiving side base outer surface 313 to 317, a light receiving side protruding portion side surface 321, a light receiving side protruding portion outer surface 322, and a light receiving side communication surface 326. And covering. In the present embodiment, all of the light-receiving side covering portions 61 have a thickness of 0.01 to 100 μm.

発光側被覆部62は、発光側樹脂部4を覆っている。具体的には、発光側被覆部62は、発光側基部41と、発光側突出部42と、発光側隆起部44(の一部)と、を覆っている。発光側被覆部62からは光出射面48が露出している。更に具体的には、発光側被覆部62は、発光側基部側面411と、発光側基部外面413〜417と、発光側突出部側面421と、発光側突出部外面422と、発光側連絡面426と、を覆っている。本実施形態においては、発光側被覆部62は全て、0.01〜100μmの厚さである。   The light emitting side covering portion 62 covers the light emitting side resin portion 4. Specifically, the light emitting side covering portion 62 covers the light emitting side base portion 41, the light emitting side protruding portion 42, and the light emitting side raised portion 44 (a part thereof). The light emitting surface 48 is exposed from the light emitting side covering portion 62. More specifically, the light emitting side covering portion 62 includes a light emitting side base side surface 411, a light emitting side base outer surface 413 to 417, a light emitting side protruding portion side surface 421, a light emitting side protruding portion outer surface 422, and a light emitting side connecting surface 426. And covering. In this embodiment, all the light emission side coating | coated parts 62 are 0.01-100 micrometers in thickness.

発光側被覆部62のうち、発光側突出部側面421を覆う部位は、受光側被覆部61のうち、受光側突出部側面321に対向している。上述のように、発光側突出部側面421は、空隙59および遮光膜6を挟んで、受光側突出部側面321と対向している。そのため、発光側突出部側面421を覆う部位は、空隙59を挟んで、受光側被覆部61のうち、受光側突出部側面321に対向している。   A portion of the light emitting side covering portion 62 that covers the light emitting side protruding portion side surface 421 faces the light receiving side protruding portion side surface 321 of the light receiving side covering portion 61. As described above, the light emitting side protruding portion side surface 421 faces the light receiving side protruding portion side surface 321 with the gap 59 and the light shielding film 6 interposed therebetween. Therefore, the portion covering the light emitting side protruding portion side surface 421 faces the light receiving side protruding portion side surface 321 of the light receiving side covering portion 61 with the gap 59 interposed therebetween.

基材被覆部63は、基材1を覆い且つ空隙59に臨む部位を有する。図1に示すように、基材被覆部63に対して、光出射面48および光入射面38はいずれも、基材1の厚さ方向Zにおいて離間している。光出射面48と基材被覆部63とがある程度離間している方が、遮蔽部材811を光出射面48と光入射面38との間により確実に位置させることができるため、好ましい。同様に、光入射面38と基材被覆部63とがある程度離間している方が、遮蔽部材811を光出射面48と光入射面38との間により確実に位置させることができるため、好ましい。本実施形態においては、基材被覆部63は全て、0.01〜100μmの厚さである。基材被覆部63は、基板11の主面111が向く方向と同一方向を向く表面を有する。発光素子21は、基板11の主面111が向く方向と同一方向を向く頂面を有する。基材被覆部63の前記表面は、発光素子21の前記頂面よりも、基板11の主面111に近接している。   The substrate covering portion 63 has a portion that covers the substrate 1 and faces the gap 59. As shown in FIG. 1, the light emitting surface 48 and the light incident surface 38 are both separated from the substrate covering portion 63 in the thickness direction Z of the substrate 1. It is preferable that the light emitting surface 48 and the base material covering portion 63 are spaced apart to some extent because the shielding member 811 can be positioned more reliably between the light emitting surface 48 and the light incident surface 38. Similarly, it is preferable that the light incident surface 38 and the base material covering portion 63 are separated to some extent, because the shielding member 811 can be positioned more reliably between the light emitting surface 48 and the light incident surface 38. . In this embodiment, all the base material coating | coated parts 63 are 0.01-100 micrometers in thickness. The base material covering portion 63 has a surface facing in the same direction as the direction in which the main surface 111 of the substrate 11 faces. The light emitting element 21 has a top surface that faces the same direction as the main surface 111 of the substrate 11 faces. The surface of the base material covering portion 63 is closer to the main surface 111 of the substrate 11 than the top surface of the light emitting element 21.

次に、フォトインタラプタ100の使用方法について説明する。   Next, a method for using the photo interrupter 100 will be described.

図1に示すように、フォトインタラプタ100の稼働時には、発光素子21から赤外光L11が放たれる。発光素子21から放たれた赤外光L11は、発光側樹脂部4内において発光側基部外面413〜417にて反射するなどしたのちに、光出射面48に向かう。そして、赤外光L11は、光出射面48から空隙59に出射される。光出射面48と光入射面38との間に遮蔽部材811が無い場合、光出射面48から出射した赤外光L11は、空隙59を通過して光入射面38に至る。光入射面38から受光側樹脂部3に入射した赤外光L11は、受光側樹脂部3内において受光側基部外面313〜317にて反射するなどしたのちに、受光素子22に受光される。受光素子22は受光量に応じて、起電力を生じて信号を出力する。そして、この出力値があるしきい値を上回ることにより、フォトインタラプタ100外の検出回路(図示略)によって、光出射面48と光入射面38との間に遮蔽部材811が無い、と判断される。一方、光出射面48と光入射面38との間に遮蔽部材811がある場合、光出射面48から出射した赤外光L11の光入射面38への進行が、遮蔽部材811に遮られる。そのためこの場合、赤外光L11は光入射面38に至らない。このとき、受光素子22は、発光素子21由来の赤外光L11を受光せず、受光素子22の出力値は、前記のしきい値を上回らない。この場合、前記の検出回路によって、光出射面48と光入射面38との間に遮蔽部材811がある、と判断される。フォトインタラプタ100はこのようにして使用され、光出射面48と光入射面38との間に遮蔽部材811がある否かの情報を得ることができる。   As shown in FIG. 1, when the photo interrupter 100 is in operation, infrared light L <b> 11 is emitted from the light emitting element 21. The infrared light L <b> 11 emitted from the light emitting element 21 is reflected by the light emitting side base outer surfaces 413 to 417 in the light emitting side resin portion 4 and then travels to the light emitting surface 48. The infrared light L11 is emitted from the light emitting surface 48 to the gap 59. When there is no shielding member 811 between the light emitting surface 48 and the light incident surface 38, the infrared light L 11 emitted from the light emitting surface 48 passes through the gap 59 and reaches the light incident surface 38. The infrared light L11 incident on the light receiving side resin portion 3 from the light incident surface 38 is reflected by the light receiving side base outer surfaces 313 to 317 in the light receiving side resin portion 3, and then received by the light receiving element 22. The light receiving element 22 generates an electromotive force according to the amount of received light and outputs a signal. When the output value exceeds a certain threshold value, a detection circuit (not shown) outside the photo interrupter 100 determines that there is no shielding member 811 between the light emitting surface 48 and the light incident surface 38. The On the other hand, when the shielding member 811 is between the light emitting surface 48 and the light incident surface 38, the shielding member 811 blocks the progress of the infrared light L <b> 11 emitted from the light emitting surface 48 to the light incident surface 38. Therefore, in this case, the infrared light L11 does not reach the light incident surface 38. At this time, the light receiving element 22 does not receive the infrared light L11 derived from the light emitting element 21, and the output value of the light receiving element 22 does not exceed the threshold value. In this case, the detection circuit determines that there is a shielding member 811 between the light emitting surface 48 and the light incident surface 38. The photo interrupter 100 is used in this way, and information on whether or not there is a shielding member 811 between the light emitting surface 48 and the light incident surface 38 can be obtained.

次に、フォトインタラプタ100の製造方法について説明する。なお、以下の説明では、前記と同一もしくは類似の構成については前記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。   Next, a method for manufacturing the photo interrupter 100 will be described. In the following description, the same or similar components as those described above are denoted by the same reference numerals as those described above, and description thereof will be omitted as appropriate.

まず、図15、図16に示すように、基材1’を用意する。基材1’は、基板と、主面電極と、複数の連絡電極と、裏面電極と、を含む。基材1’はのちに、上述の基材1となるものである。次に、同図に示すように、基材1’に複数の発光素子21および複数の受光素子22を配置する。次に、同図に示すように、複数の発光素子21のいずれか一つと、基材1’における主面電極とに、ワイヤ79をそれぞれボンディングする。同様に、複数の受光素子22のいずれか一つと、基材1’における主面電極とに、ワイヤ79をそれぞれボンディングする。   First, as shown in FIGS. 15 and 16, a substrate 1 'is prepared. The base material 1 ′ includes a substrate, a main surface electrode, a plurality of connecting electrodes, and a back surface electrode. Substrate 1 'will later become substrate 1 described above. Next, as shown in the figure, a plurality of light emitting elements 21 and a plurality of light receiving elements 22 are arranged on the substrate 1 ′. Next, as shown in the figure, wires 79 are bonded to any one of the plurality of light emitting elements 21 and the main surface electrode of the substrate 1 ′. Similarly, a wire 79 is bonded to any one of the plurality of light receiving elements 22 and the main surface electrode of the substrate 1 ′.

次に、図17、図18に示すように、透光樹脂体89を形成する。透光樹脂体89は、金型を用いたモールド工程を経ることにより形成される。具体的には、透光樹脂体89を形成する工程においては、受光側樹脂部3’および発光側樹脂部4’を形成する。受光側樹脂部3’は受光素子22を覆っている。受光側樹脂部3’を形成する工程においては、上述の受光側基部31と、受光側基部31から隆起する受光側隆起部34’を形成する。同様に、発光側樹脂部4’を形成する工程においては、上述の発光側基部41と、発光側基部41から隆起する発光側隆起部44’を形成する。受光側樹脂部3’および発光側樹脂部4’は同時に形成されることが好ましい。   Next, as shown in FIGS. 17 and 18, a translucent resin body 89 is formed. The translucent resin body 89 is formed through a molding process using a mold. Specifically, in the step of forming the translucent resin body 89, the light receiving side resin portion 3 'and the light emitting side resin portion 4' are formed. The light receiving side resin portion 3 ′ covers the light receiving element 22. In the step of forming the light receiving side resin portion 3 ′, the above-described light receiving side base portion 31 and the light receiving side raised portion 34 ′ protruding from the light receiving side base portion 31 are formed. Similarly, in the step of forming the light emitting side resin portion 4 ′, the light emitting side base portion 41 and the light emitting side raised portion 44 ′ that protrudes from the light emitting side base portion 41 are formed. The light receiving side resin portion 3 ′ and the light emitting side resin portion 4 ′ are preferably formed at the same time.

透光樹脂体89を形成するための金型(図示略)と、基材1’との間には、樹脂材が流れる流路が形成されている。この流路を樹脂材が流れることにより、受光側樹脂部3’や発光側樹脂部4’に、樹脂材が充填される。なお、当該流路に充填された樹脂材が硬化したものが、透光樹脂部51’(図17参照)となる。   A flow path through which the resin material flows is formed between a mold (not shown) for forming the translucent resin body 89 and the base material 1 ′. As the resin material flows through the flow path, the light-receiving side resin portion 3 ′ and the light-emitting side resin portion 4 ′ are filled with the resin material. In addition, what the resin material with which the said flow path was filled hardened | cured becomes the translucent resin part 51 '(refer FIG. 17).

次に、図19、図20に示すように、遮光膜6’を形成する。遮光膜6’を形成する工程においては、表面処理技術を用いる。表面処理技術としては、たとえば、塗装、印刷、蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング、およびメッキが挙げられる。遮光膜6’を形成するための塗料を透光樹脂体89に塗布した後に、スピンコートを行ってもよい。遮光膜6’によって、基材1’および透光樹脂体89(すなわち受光側樹脂部3’および発光側樹脂部4’)が覆われる。更に、遮光膜6’は、基材1’のうち、受光側樹脂部3’および発光側樹脂部4’に挟まれた領域にも形成される。基材1’のうち、受光側樹脂部3’および発光側樹脂部4’に挟まれた領域に形成された遮光膜6’は、のちに基材被覆部63となる。   Next, as shown in FIGS. 19 and 20, a light shielding film 6 'is formed. In the step of forming the light shielding film 6 ', a surface treatment technique is used. Examples of the surface treatment technique include painting, printing, vapor deposition, ion plating, sputtering, and plating. Spin coating may be performed after applying a coating material for forming the light shielding film 6 ′ to the translucent resin body 89. The base material 1 ′ and the translucent resin body 89 (that is, the light receiving side resin portion 3 ′ and the light emitting side resin portion 4 ′) are covered with the light shielding film 6 ′. Further, the light shielding film 6 ′ is also formed in a region of the substrate 1 ′ sandwiched between the light receiving side resin portion 3 ′ and the light emitting side resin portion 4 ′. The light shielding film 6 ′ formed in the region between the light receiving side resin portion 3 ′ and the light emitting side resin portion 4 ′ of the base material 1 ′ later becomes the base material covering portion 63.

次に、図21、図22に示すように、光入射面38および光出射面48を形成する。光入射面38および光出射面48を形成するには、たとえば、透光樹脂体89の一部と遮光膜6’の一部とを一括して除去する。具体的には、遮光膜6’の一部と、受光側隆起部34’の一部と、を一括して除去する。これにより、受光側樹脂部3の一部が遮光膜6’から露出する。受光側樹脂部3の遮光膜6’から露出している部分は、上述の光入射面38である。同様に、遮光膜6’の一部と、発光側隆起部44’の一部と、を一括して除去する。これにより、発光側樹脂部4の一部が遮光膜6’から露出する。発光側樹脂部4の遮光膜6’から露出している部分は、上述の光出射面48である。   Next, as shown in FIGS. 21 and 22, a light incident surface 38 and a light emitting surface 48 are formed. In order to form the light incident surface 38 and the light emitting surface 48, for example, a part of the translucent resin body 89 and a part of the light shielding film 6 'are removed together. Specifically, a part of the light shielding film 6 ′ and a part of the light receiving side raised portion 34 ′ are removed in a lump. Thereby, a part of the light-receiving side resin portion 3 is exposed from the light shielding film 6 ′. The portion exposed from the light shielding film 6 ′ of the light receiving side resin portion 3 is the light incident surface 38 described above. Similarly, a part of the light shielding film 6 ′ and a part of the light emitting side raised portion 44 ′ are removed together. Thereby, a part of the light emitting side resin portion 4 is exposed from the light shielding film 6 ′. The portion exposed from the light shielding film 6 ′ of the light emitting side resin portion 4 is the light emitting surface 48 described above.

透光樹脂体89の一部と遮光膜6’の一部とを一括して除去するには、たとえば、ダイシングブレード886を用いる。本実施形態においては、図22の受光側隆起部34’における上側の部位から、下側の部位まで、受光側隆起部34’を徐々に削ることにより、受光側隆起部34’の一部と遮光膜6’の一部とを一括して除去する。同様に、図22の発光側隆起部44’における上側の部位から、下側の部位まで、発光側隆起部44’を徐々に削ることにより、発光側隆起部44’の一部と遮光膜6’の一部とを一括して除去する。透光樹脂体89の一部と遮光膜6’の一部とを一括して除去するには、レーザを用いてもよい。   For example, a dicing blade 886 is used to remove a part of the translucent resin body 89 and a part of the light shielding film 6 ′ at a time. In the present embodiment, by gradually scraping the light receiving side raised portion 34 ′ from the upper portion to the lower portion of the light receiving side raised portion 34 ′ in FIG. A part of the light shielding film 6 ′ is removed at once. Similarly, by gradually scraping the light emitting side raised portion 44 ′ from the upper portion to the lower portion in the light emitting side raised portion 44 ′ of FIG. Remove part of 'and all at once. In order to remove a part of the translucent resin body 89 and a part of the light shielding film 6 ′ at once, a laser may be used.

図22に示した方法とは異なり、遮光膜6’の形成、および、光入射面38および光出射面48の形成は、次のように行ってもよい。図23に示すように、遮光膜6’を形成する際に、透光樹脂体89のうち、光出射面48となるべき部位および光入射面38となるべき部位に、治具887を当接させる。透光樹脂体89のうち、遮光膜6’を形成する際に治具887が当接していた部位には、遮光膜6’が形成されない。このようにして、遮光膜6’を形成するのと同時に、光入射面38および光出射面48を形成することができる。   Unlike the method shown in FIG. 22, the light shielding film 6 ′ and the light incident surface 38 and the light emitting surface 48 may be formed as follows. As shown in FIG. 23, when forming the light shielding film 6 ′, the jig 887 is brought into contact with the portion that should become the light emitting surface 48 and the portion that should become the light incident surface 38 in the translucent resin body 89. Let In the translucent resin body 89, the light shielding film 6 'is not formed in the portion where the jig 887 is in contact with the light shielding film 6'. In this manner, the light incident surface 38 and the light emitting surface 48 can be formed simultaneously with the formation of the light shielding film 6 '.

図22や図23に示した方法とは異なり、遮光膜6’の形成、および、光入射面38および光出射面48の形成は、フォトマスクを用いた印刷により行ってもよい。   Unlike the methods shown in FIGS. 22 and 23, the light shielding film 6 'and the light incident surface 38 and the light emitting surface 48 may be formed by printing using a photomask.

次に、図24、図25に示すように、切断面791に沿って、基材1’と、透光樹脂部51’と、遮光膜6’と、を一括して、ダイシングブレード(図示略)を用いて切断する。これにより、図1等に示したフォトインタラプタ100が複数製造される。基材1’が切断面791に沿って切断されることにより、基板11に、上述の側面113が形成される。透光樹脂部51’が切断面791に沿って切断されることにより、上述の端面511が形成される。   Next, as shown in FIGS. 24 and 25, the substrate 1 ′, the translucent resin portion 51 ′, and the light shielding film 6 ′ are collectively collected along the cut surface 791 and a dicing blade (not shown). ). Thereby, a plurality of photo interrupters 100 shown in FIG. 1 and the like are manufactured. The substrate 1 ′ is cut along the cut surface 791, whereby the above-described side surface 113 is formed on the substrate 11. The translucent resin portion 51 ′ is cut along the cut surface 791, thereby forming the end surface 511 described above.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。   Next, the effect of this embodiment is demonstrated.

本実施形態においては、表面処理技術を用いて、遮光膜6’を形成している。これにより、フォトインタラプタ100には、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4を覆う遮光膜6が形成される。遮光膜6は、表面処理技術を用いて形成されたものであるから、従来技術の説明にて述べた、樹脂成形された不透明のキャップ体と比べて、相当薄く形成される。遮光膜6が0.01〜100μmの厚さであるのは、遮光膜6’が表面処理技術を用いて形成された所以である。遮光膜6を薄く形成できると、遮光膜6の占める体積を小さくできる。遮光膜6の占める体積を小さくできることにより、フォトインタラプタ100の小型化を図ることができる。   In the present embodiment, the light shielding film 6 ′ is formed using a surface treatment technique. As a result, a light shielding film 6 that covers the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4 is formed in the photo interrupter 100. Since the light shielding film 6 is formed by using a surface treatment technique, the light shielding film 6 is formed considerably thinner than the opaque cap body formed by resin molding described in the description of the prior art. The reason why the light shielding film 6 has a thickness of 0.01 to 100 μm is that the light shielding film 6 ′ is formed by using a surface treatment technique. If the light shielding film 6 can be formed thin, the volume occupied by the light shielding film 6 can be reduced. Since the volume occupied by the light shielding film 6 can be reduced, the photo interrupter 100 can be reduced in size.

基板に透明樹脂(一次モールド樹脂)をモールドによって形成し、透明樹脂の上に遮光樹脂(二次モールド樹脂)をモールドによって形成する従来の構成では、基板と二次モールド樹脂との接着力が弱いので、二次モールド樹脂が基板ないし一次モールド樹脂から脱落するおそれがある。一方、本実施形態では、透明樹脂(受光側樹脂部3’および発光側樹脂部4’)に対して遮光膜6’を表面処理により形成しているため、従来の二次モールド樹脂に対応する部分(遮光膜6)が脱落することを抑制できる。そのため、歩留まりを向上させることができる。従来の構成において、基板はたとえばガラスエポキシ樹脂よりなり、一次モールド樹脂はエポキシ樹脂よりなり、二次モールド樹脂はPPS(ポリフェニレンスルファイド)またはLCP(液晶ポリマー)よりなる。   In a conventional configuration in which a transparent resin (primary mold resin) is formed on a substrate by molding and a light shielding resin (secondary mold resin) is formed on the transparent resin by molding, the adhesive force between the substrate and the secondary mold resin is weak. Therefore, the secondary mold resin may fall off from the substrate or the primary mold resin. On the other hand, in this embodiment, since the light shielding film 6 ′ is formed by surface treatment on the transparent resin (the light receiving side resin portion 3 ′ and the light emitting side resin portion 4 ′), it corresponds to the conventional secondary mold resin. It can suppress that a part (light shielding film 6) falls off. Therefore, the yield can be improved. In the conventional configuration, the substrate is made of, for example, glass epoxy resin, the primary mold resin is made of epoxy resin, and the secondary mold resin is made of PPS (polyphenylene sulfide) or LCP (liquid crystal polymer).

本実施形態においては、遮光膜6は、基材1を覆い且つ空隙59に臨む基材被覆部63を有する。光出射面48および光入射面38は、いずれも、基材1の厚さ方向Zにおいて、基材被覆部63に対し離間している。上述のように遮光膜6は薄いから、基材被覆部63も薄い。そのため、本実施形態の構成によると、光入射面38と基材被覆部63との方向Zにおける距離を大きく確保しつつ、光入射面38と基材1との方向Zにおける距離を小さくすることができる。すなわち、遮蔽部材811の挿入代を確保しつつ、方向Zにおけるフォトインタラプタ100の寸法を小さくすることができる。同様に、光出射面48と基材被覆部63との方向Zにおける距離を大きく確保しつつ、光出射面48と基材1との方向Zにおける距離を小さくすることができる。すなわち、遮蔽部材811の挿入代を確保しつつ、方向Zにおけるフォトインタラプタ100の寸法を小さくすることができる。   In the present embodiment, the light shielding film 6 includes a base material covering portion 63 that covers the base material 1 and faces the gap 59. The light emitting surface 48 and the light incident surface 38 are both separated from the substrate covering portion 63 in the thickness direction Z of the substrate 1. Since the light shielding film 6 is thin as described above, the substrate covering portion 63 is also thin. Therefore, according to the configuration of the present embodiment, the distance in the direction Z between the light incident surface 38 and the substrate 1 is reduced while ensuring a large distance in the direction Z between the light incident surface 38 and the substrate covering portion 63. Can do. That is, the dimension of the photo interrupter 100 in the direction Z can be reduced while securing the insertion allowance of the shielding member 811. Similarly, the distance in the direction Z between the light emitting surface 48 and the substrate 1 can be reduced while ensuring a large distance in the direction Z between the light emitting surface 48 and the substrate covering portion 63. That is, the dimension of the photo interrupter 100 in the direction Z can be reduced while securing the insertion allowance of the shielding member 811.

遮蔽部材811の挿入代を確保できると、遮蔽部材811によって、光出射面48から出射した赤外光L11が光入射面38に入射することを、より確実に防止できる。これにより、光出射面48と光入射面38との間に遮蔽部材811がある場合に、光入射面38を経由して受光素子22に不要な赤外光L11が入射することを抑制できる。これにより、フォトインタラプタ100による検出精度の向上が可能となる。   If the insertion allowance of the shielding member 811 can be secured, the shielding member 811 can more reliably prevent the infrared light L11 emitted from the light emitting surface 48 from entering the light incident surface 38. Thereby, when there is the shielding member 811 between the light emitting surface 48 and the light incident surface 38, it is possible to suppress unnecessary infrared light L11 from entering the light receiving element 22 via the light incident surface 38. Thereby, the detection accuracy by the photo interrupter 100 can be improved.

本実施形態においては、受光側樹脂部3は、発光側樹脂部4の位置する側に受光側基部31から突出する受光側突出部32を含む。受光側突出部32は、基材1に接する。このような構成によると、受光素子22を受光側基部31もしくは受光側突出部32によって覆うことができる。そのため、受光素子22を発光側樹脂部4に対しより近接した位置に配置することができる。よって、基材1の方向X2側における、受光素子22を配置すべきスペースを削減できる。これにより、基材1の方向X2側の端部を、発光側樹脂部4に、より近づけることができる。このことにより、基材1の方向Xの寸法を小さくすることができるため、フォトインタラプタ100の小型化を図ることができる。   In the present embodiment, the light receiving side resin portion 3 includes a light receiving side protruding portion 32 protruding from the light receiving side base portion 31 on the side where the light emitting side resin portion 4 is located. The light receiving side protrusion 32 is in contact with the substrate 1. According to such a configuration, the light receiving element 22 can be covered with the light receiving side base 31 or the light receiving side protrusion 32. Therefore, the light receiving element 22 can be disposed at a position closer to the light emitting side resin portion 4. Therefore, the space where the light receiving element 22 should be arranged on the direction X2 side of the substrate 1 can be reduced. Thereby, the edge part by the side of the direction X2 of the base material 1 can be brought closer to the light emission side resin part 4. FIG. As a result, the dimension of the substrate 1 in the direction X can be reduced, and the photo interrupter 100 can be downsized.

本実施形態においては、受光側突出部側面321は、基材1から離れるにつれて発光側樹脂部4の位置する側とは反対側に向かうように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。このような構成によると、受光素子22を受光側基部31もしくは受光側突出部32によって覆う構成を採用することにより受光側突出部32の根元部分が内側に突出して受光側突出部32と発光側突出部42との間が狭くなったとしても、受光側突出部側面321における方向Z1側の部位と発光側樹脂部4との距離を確保することができる。受光側突出部側面321と発光側樹脂部4との距離を確保できることは、方向Xにおける寸法の比較的大きい遮蔽部材811の有無をフォトインタラプタ100が検出することが可能となる点において好ましい。   In the present embodiment, the light-receiving side protruding portion side surface 321 is inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 so as to go to the side opposite to the side where the light-emitting side resin portion 4 is positioned as it is away from the base material 1. ing. According to such a configuration, by adopting a configuration in which the light receiving element 22 is covered with the light receiving side base portion 31 or the light receiving side protruding portion 32, the base portion of the light receiving side protruding portion 32 protrudes inward, and the light receiving side protruding portion 32 and the light emitting side are projected. Even if the space between the protrusions 42 is narrowed, the distance between the light emitting side resin part 4 and the portion on the light receiving side protrusion side surface 321 on the direction Z1 side can be ensured. It is preferable that the distance between the light receiving side protruding portion side surface 321 and the light emitting side resin portion 4 can be ensured in that the photo interrupter 100 can detect the presence or absence of the shielding member 811 having a relatively large dimension in the direction X.

本実施形態においては、光入射面38を形成する工程にて、遮光膜6’の一部および受光側隆起部34’の一部を除去している。このような方法は、遮光膜6’のみを除去するのではないため、行うことが容易である。同様に、光出射面48を形成する工程にて、遮光膜6’の一部および発光側隆起部44’の一部を除去している。このような方法は、遮光膜6’のみを除去するのではないため、行うことが容易である。   In the present embodiment, in the step of forming the light incident surface 38, a part of the light shielding film 6 'and a part of the light receiving side raised portion 34' are removed. Such a method is easy to perform because it does not remove only the light-shielding film 6 '. Similarly, in the step of forming the light emitting surface 48, a part of the light shielding film 6 'and a part of the light emitting side raised portion 44' are removed. Such a method is easy to perform because it does not remove only the light-shielding film 6 '.

<第1変形例>
次に、図26〜図28を用いて、本実施形態の第1変形例について説明する。
<First Modification>
Next, a first modification of the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図26は、本実施形態の第1変形例のフォトインタラプタを示す平面図(一部構成透視化)である。図27は、図26から受光側樹脂部と発光側樹脂部と遮光膜と透光樹脂部とを省略した平面図である。図28は、図26に示すフォトインタラプタの底面図である。   FIG. 26 is a plan view (partially see through) showing a photo interrupter of a first modification of the present embodiment. FIG. 27 is a plan view in which the light receiving side resin portion, the light emitting side resin portion, the light shielding film, and the light transmitting resin portion are omitted from FIG. FIG. 28 is a bottom view of the photo interrupter shown in FIG.

これらの図に示すフォトインタラプタ101は、基材1と、発光素子21と、受光素子22と、受光側樹脂部3と、発光側樹脂部4と、透光樹脂部51と、遮光膜6と、複数のワイヤ79と、を備える。基材1および透光樹脂部51を除き、フォトインタラプタ101における、発光素子21、受光素子22、受光側樹脂部3、発光側樹脂部4、遮光膜6、および複数のワイヤ79の各構成は、上述のフォトインタラプタ100と同様であるから、説明を省略する。   The photo interrupter 101 shown in these drawings includes a base material 1, a light emitting element 21, a light receiving element 22, a light receiving side resin part 3, a light emitting side resin part 4, a light transmitting resin part 51, and a light shielding film 6. And a plurality of wires 79. Except for the base material 1 and the translucent resin portion 51, each configuration of the light emitting element 21, the light receiving element 22, the light receiving side resin portion 3, the light emitting side resin portion 4, the light shielding film 6, and the plurality of wires 79 in the photo interrupter 101 is as follows. Since it is the same as that of the above-mentioned photo interrupter 100, description is abbreviate | omitted.

基材1は、基板11と、主面電極12と、裏面電極13と、連絡電極14と、を含む。   The base material 1 includes a substrate 11, a main surface electrode 12, a back surface electrode 13, and a connection electrode 14.

基板11には複数のコーナー溝118が形成されている。各コーナー溝118は、XY平面視において基板11の角に位置している。コーナー溝118は、2つの側面113の間に位置している。   A plurality of corner grooves 118 are formed in the substrate 11. Each corner groove 118 is located at a corner of the substrate 11 in the XY plan view. The corner groove 118 is located between the two side surfaces 113.

図26、図27に示すように、主面電極12は、複数の連絡配線部126および複数の四半環状部127を更に有する。各四半環状部127は、主面111のうちコーナー溝118とつながる部分の近傍に形成されている。各連絡配線部126は、帯状であり、複数の四半環状部127のいずれか一つと、主面電極12のうちの4つのパッド(受光側ダイパッド121、受光側ワイヤボンディングパッド122、発光側ダイパッド124、発光側ワイヤボンディングパッド125)のいずれか一つとに、つながっている。各連絡配線部126は、XY平面視において、受光側樹脂部3もしくは発光側樹脂部4から延び出ている。   As shown in FIGS. 26 and 27, the main surface electrode 12 further includes a plurality of connection wiring portions 126 and a plurality of quarter-annular portions 127. Each quarter ring portion 127 is formed in the vicinity of a portion of main surface 111 that is connected to corner groove 118. Each connection wiring portion 126 has a belt-like shape, and includes one of a plurality of quarter-annular portions 127 and four pads of the main surface electrode 12 (light-receiving side die pad 121, light-receiving side wire bonding pad 122, light-emitting side die pad 124). , And one of the light emitting side wire bonding pads 125). Each connection wiring portion 126 extends from the light-receiving side resin portion 3 or the light-emitting side resin portion 4 in the XY plan view.

図28に示すように、裏面電極13は、複数の連絡配線部136および複数の四半環状部137を更に有する。各四半環状部137は、裏面112のうちコーナー溝118とつながる部分の近傍に形成されている。各連絡配線部136は、帯状であり、複数の四半環状部137のいずれか一つと、4つの実装パッド131のいずれか一つとに、つながっている。   As shown in FIG. 28, the back electrode 13 further includes a plurality of connection wiring portions 136 and a plurality of quarter-annular portions 137. Each quarter-annular portion 137 is formed in the vicinity of the portion of the back surface 112 that is connected to the corner groove 118. Each connection wiring part 136 has a strip shape and is connected to one of the plurality of quarter-annular parts 137 and one of the four mounting pads 131.

本変形例において各連絡電極14は、基板11を貫通していない。各連絡電極14は、複数のコーナー溝118のいずれか一つに形成されている。各連絡電極14は、複数の四半環状部127のいずれか一つと、複数の四半環状部137のいずれか一つと、につながっている。   In this modification, each connection electrode 14 does not penetrate the substrate 11. Each connection electrode 14 is formed in any one of the plurality of corner grooves 118. Each connecting electrode 14 is connected to one of the plurality of quarter-annular portions 127 and one of the plurality of quarter-annular portions 137.

各透光樹脂部51は、連絡配線部126および四半環状部127を覆っている。本変形例においても、各透光樹脂部51は遮光膜6に覆われている。   Each translucent resin portion 51 covers the connection wiring portion 126 and the quarter-annular portion 127. Also in this modification, each translucent resin part 51 is covered with the light shielding film 6.

本変形例によると、フォトインタラプタ100に関して述べたのと同様の理由により、フォトインタラプタ101の小型化を図ることができる。   According to this modification, the photo interrupter 101 can be downsized for the same reason as described for the photo interrupter 100.

本変形例においては、遮光膜6は、基材1を覆い且つ空隙59に臨む基材被覆部63を有する。光出射面48および光入射面38は、いずれも、基材1の厚さ方向Zにおいて、基材被覆部63に対し離間している。このような構成によると、フォトインタラプタ100に関して述べたのと同様の理由により、方向Zにおけるフォトインタラプタ101の寸法を小さくすることができる。   In this modification, the light shielding film 6 includes a base material covering portion 63 that covers the base material 1 and faces the gap 59. The light emitting surface 48 and the light incident surface 38 are both separated from the substrate covering portion 63 in the thickness direction Z of the substrate 1. According to such a configuration, the size of the photo interrupter 101 in the direction Z can be reduced for the same reason as described for the photo interrupter 100.

本変形例においては、受光側樹脂部3は、発光側樹脂部4の位置する側に受光側基部31から突出する受光側突出部32を含む。受光側突出部32は、基材1に接する。このような構成によると、フォトインタラプタ100に関して述べたのと同様の理由により、フォトインタラプタ101の小型化を図ることができる。   In the present modification, the light receiving side resin portion 3 includes a light receiving side protruding portion 32 protruding from the light receiving side base portion 31 on the side where the light emitting side resin portion 4 is located. The light receiving side protrusion 32 is in contact with the substrate 1. According to such a configuration, the photo interrupter 101 can be reduced in size for the same reason as described for the photo interrupter 100.

本変形例においては、受光側突出部側面321は、基材1から離れるにつれて発光側樹脂部4の位置する側とは反対側に向かうように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。このような構成によると、受光素子22を受光側基部31もしくは受光側突出部32によって覆う構成を採用することにより受光側突出部32の根元部分が内側に突出して受光側突出部32と発光側突出部42との間が狭くなったとしても、受光側突出部側面321における方向Z1側の部位と発光側樹脂部4との距離を確保することができる。受光側突出部側面321と発光側樹脂部4との距離を確保できることは、方向Xにおける寸法の比較的大きい遮蔽部材811の有無をフォトインタラプタ101が検出することが可能となる点において好ましい。   In the present modification, the light-receiving side protruding portion side surface 321 is inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 so as to go to the side opposite to the side where the light-emitting side resin portion 4 is located as the distance from the base material 1 increases. ing. According to such a configuration, by adopting a configuration in which the light receiving element 22 is covered with the light receiving side base portion 31 or the light receiving side protruding portion 32, the base portion of the light receiving side protruding portion 32 protrudes inward, and the light receiving side protruding portion 32 and the light emitting side are projected. Even if the space between the protrusions 42 is narrowed, the distance between the light emitting side resin part 4 and the portion on the light receiving side protrusion side surface 321 on the direction Z1 side can be ensured. It is preferable that the distance between the light-receiving side protruding portion side surface 321 and the light-emitting side resin portion 4 can be secured in that the photointerrupter 101 can detect the presence or absence of the shielding member 811 having a relatively large dimension in the direction X.

本変形例においては、光入射面38を形成する工程にて、遮光膜6’の一部および受光側隆起部34’の一部を除去する。このような方法は、遮光膜6’のみを除去するのではないため、行うことが容易である。同様に、光出射面48を形成する工程にて、遮光膜6’の一部および発光側隆起部44’の一部を除去している。このような方法は、遮光膜6’のみを除去するのではないため、行うことが容易である。   In this modification, in the step of forming the light incident surface 38, a part of the light shielding film 6 'and a part of the light receiving side raised portion 34' are removed. Such a method is easy to perform because it does not remove only the light-shielding film 6 '. Similarly, in the step of forming the light emitting surface 48, a part of the light shielding film 6 'and a part of the light emitting side raised portion 44' are removed. Such a method is easy to perform because it does not remove only the light-shielding film 6 '.

<第2変形例>
次に、図29を用いて、本実施形態の第2変形例について説明する。
<Second Modification>
Next, a second modification of the present embodiment will be described using FIG.

図29は、本実施形態の第2変形例のフォトインタラプタを示す断面図である。   FIG. 29 is a cross-sectional view showing a photo interrupter of a second modified example of the present embodiment.

同図に示すフォトインタラプタ102は、基材1と、発光素子21と、受光素子22と、受光側樹脂部3と、発光側樹脂部4と、透光樹脂部51と、遮光膜6と、複数のワイヤ79と、を備える。遮光膜6を除き、フォトインタラプタ102における、基材1、発光素子21、受光素子22、受光側樹脂部3、発光側樹脂部4、透光樹脂部51、および複数のワイヤ79の各構成は、上述のフォトインタラプタ100と同様であるから、説明を省略する。   The photo interrupter 102 shown in the figure includes a base material 1, a light emitting element 21, a light receiving element 22, a light receiving side resin part 3, a light emitting side resin part 4, a light transmitting resin part 51, a light shielding film 6, A plurality of wires 79. Except for the light shielding film 6, each configuration of the substrate 1, the light emitting element 21, the light receiving element 22, the light receiving side resin part 3, the light emitting side resin part 4, the light transmitting resin part 51, and the plurality of wires 79 in the photo interrupter 102 is Since it is the same as that of the above-mentioned photo interrupter 100, description is abbreviate | omitted.

本変形例における遮光膜6は、フォトインタラプタ100とは異なり、2層構造である。遮光膜6は2層構造であることを除き、フォトインタラプタ100と同様である。   Unlike the photo interrupter 100, the light shielding film 6 in this modification has a two-layer structure. The light shielding film 6 is the same as the photo interrupter 100 except that it has a two-layer structure.

遮光膜6は、第1層68および第2層69を含む。第1層68は、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4に直接接する。第1層68は金属よりなる。このような金属としては、たとえば、アルミニウム、銀、金、銅、クロム、もしくは、スズが挙げられる。本実施形態では、第1層68は、アルミニウムである。第2層69は第1層68に積層されている。第2層69と、受光側樹脂部3ないし発光側樹脂部4との間に、第1層68が介在している。第2層69は、第1層68を構成する金属の酸化物よりなる。このような遮光膜6を形成するには、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4上に、たとえば蒸着を用いて、金属層を形成する。次に、当該金属層の表面を酸化する。このようにして第1層68および第2層69を有する遮光膜6を形成することができる。第2層69は、第1層68を構成する金属の酸化物よりなるのではなく、たとえば、絶縁性の樹脂よりなっていてもよい。   The light shielding film 6 includes a first layer 68 and a second layer 69. The first layer 68 is in direct contact with the light receiving side resin part 3 and the light emitting side resin part 4. The first layer 68 is made of metal. Examples of such a metal include aluminum, silver, gold, copper, chromium, and tin. In the present embodiment, the first layer 68 is aluminum. The second layer 69 is laminated on the first layer 68. A first layer 68 is interposed between the second layer 69 and the light-receiving side resin part 3 or the light-emitting side resin part 4. The second layer 69 is made of an oxide of the metal constituting the first layer 68. In order to form such a light-shielding film 6, a metal layer is formed on the light-receiving side resin portion 3 and the light-emitting side resin portion 4 by using, for example, vapor deposition. Next, the surface of the metal layer is oxidized. In this way, the light shielding film 6 having the first layer 68 and the second layer 69 can be formed. The second layer 69 is not made of an oxide of the metal constituting the first layer 68 but may be made of, for example, an insulating resin.

このような構成によると、発光素子21から放たれた光が、発光側基部側面411、発光側基部外面413,414,415,416,417などを通過して発光側樹脂部4から遮光膜6に至ったとしても、遮光膜6に至った光は金属よりなる第1層68にて反射する。そして、第1層68にて反射した光を、発光側樹脂部4に進行させることができる。したがって、遮光膜6に至った光を遮光膜6にあまり吸収させることなく、発光素子21から放たれた光をより多く光出射面48に至らせることができる。発光素子21から放たれた光をより多く光出射面48に至らせることができると、フォトインタラプタ102の誤作動の抑制を図ることができる。   According to such a configuration, the light emitted from the light emitting element 21 passes through the light emitting side base side surface 411, the light emitting side base outer surface 413, 414, 415, 416, 417, etc. Even when the light reaches the light shielding film 6, the light reaching the light shielding film 6 is reflected by the first layer 68 made of metal. And the light reflected in the 1st layer 68 can be advanced to the light emission side resin part 4. FIG. Therefore, more light emitted from the light emitting element 21 can reach the light emitting surface 48 without causing the light reaching the light shielding film 6 to be absorbed much by the light shielding film 6. If more light emitted from the light emitting element 21 can reach the light emitting surface 48, malfunction of the photo interrupter 102 can be suppressed.

同様に、光入射面38から受光側樹脂部3に入射した光が、受光側基部側面311、受光側基部外面313,314,315,316,317などを通過して受光側樹脂部3から遮光膜6に至ったとしても、遮光膜6に至った光は金属よりなる第1層68にて反射する。そして、第1層68にて反射した光を、受光側樹脂部3に進行させることができる。したがって、遮光膜6に至った光を遮光膜6にあまり吸収させることなく、光入射面38に入射した光をより多く受光素子22に至らせることができる。光入射面38に入射した光をより多く受光素子22に至らせることができると、フォトインタラプタ102の誤作動の抑制を図ることができる。   Similarly, light incident on the light receiving side resin portion 3 from the light incident surface 38 passes through the light receiving side base side surface 311, the light receiving side base outer surface 313, 314, 315, 316, 317, etc. and is shielded from the light receiving side resin portion 3. Even when the light reaches the film 6, the light reaching the light shielding film 6 is reflected by the first layer 68 made of metal. Then, the light reflected by the first layer 68 can be advanced to the light receiving side resin portion 3. Therefore, more light incident on the light incident surface 38 can reach the light receiving element 22 without causing the light reaching the light shielding film 6 to be absorbed much by the light shielding film 6. If more light incident on the light incident surface 38 can reach the light receiving element 22, malfunction of the photo interrupter 102 can be suppressed.

なお、本変形例の構成を、第1変形例にかかるフォトインタラプタ101に適用してもよい。   Note that the configuration of this modification may be applied to the photo interrupter 101 according to the first modification.

図30は、本実施形態の第2変形例の構成と、本実施形態の第1変形例の構成を組み合わせた場合の、一部を拡大して示す部分拡大断面図である。同図に示すように、四半環状部127は、透光樹脂部51に覆われている。遮光膜6は透光樹脂部51を覆っている。透光樹脂部51は、第1層68と四半環状部127との間に介在している。このような構成においては、金属よりなる第1層68と四半環状部127との間に、絶縁性の透光樹脂部51が介在しているため、第1層68と四半環状部127とが導通しない。したがって、ある四半環状部127と、この四半環状部127以外の四半環状部127とが、第1層68を経由して導通することが防止される。   FIG. 30 is a partially enlarged cross-sectional view showing a part of the second modified example of the present embodiment in combination with the structure of the first modified example of the present embodiment. As shown in the figure, the quarter-annular part 127 is covered with a translucent resin part 51. The light shielding film 6 covers the translucent resin portion 51. The translucent resin portion 51 is interposed between the first layer 68 and the quarter-annular portion 127. In such a configuration, since the insulating translucent resin portion 51 is interposed between the first layer 68 made of metal and the quarter-annular portion 127, the first layer 68 and the quarter-annular portion 127 are Not conducting. Accordingly, a certain quarter-annular portion 127 and a quarter-annular portion 127 other than the quarter-annular portion 127 are prevented from conducting via the first layer 68.

<第3変形例>
次に、図31を用いて、本実施形態の第3変形例について説明する。
<Third Modification>
Next, a third modification of the present embodiment will be described using FIG.

図31は、本実施形態の第3変形例のフォトインタラプタを示す平面図(一部構成透視化)である。   FIG. 31 is a plan view (partially see through) showing a photo interrupter of a third modified example of the present embodiment.

同図に示すフォトインタラプタ103は、受光素子22の受光面221の中心C1が、光出射面48と光入射面38とを結ぶ線分861から、ずれた位置に位置する点において、上述のフォトインタラプタ100と異なる。このような構成によっても、上述と同様の作用効果を奏する。   The photo interrupter 103 shown in the figure has the above-mentioned photo interrupter in that the center C1 of the light receiving surface 221 of the light receiving element 22 is located at a position shifted from the line segment 861 connecting the light emitting surface 48 and the light incident surface 38. Different from the interrupter 100. Even with such a configuration, the same effects as described above can be obtained.

なお、本変形例の構成を、上述のフォトインタラプタ101やフォトインタラプタ102に適用してもよい。   Note that the configuration of this modification may be applied to the above-described photointerrupter 101 and photointerrupter 102.

<第4変形例>
次に、図32を用いて、本実施形態の第4変形例について説明する。
<Fourth Modification>
Next, a fourth modification of the present embodiment will be described using FIG.

図32は、本実施形態の第4変形例のフォトインタラプタを示す断面図である。   FIG. 32 is a cross-sectional view showing a photo interrupter of a fourth modified example of the present embodiment.

同図に示すフォトインタラプタ104は、第2入射部382の向く方向がフォトインタラプタ100の場合と異なる。本変形例においては、第2入射部382は、基材1から離れるにつれて発光側樹脂部4の位置する側とは反対側(方向X2側)に向かうように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。同様に、第2出射部482は、基材1から離れるにつれて受光側樹脂部3の位置する側とは反対側(方向X1側)に向かうように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。このような構成によっても、上述と同様の作用効果を奏する。   The photo interrupter 104 shown in the figure is different from the photo interrupter 100 in the direction in which the second incident portion 382 faces. In the present modification, the thickness direction Z of the base material 1 is such that the second incident portion 382 is directed to the opposite side (direction X2 side) to the side where the light-emitting side resin portion 4 is located as the distance from the base material 1 increases. It is inclined with respect to. Similarly, the second emitting portion 482 is inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 so as to go to the opposite side (direction X1 side) to the side where the light receiving side resin portion 3 is located as it is away from the base material 1. doing. Even with such a configuration, the same effects as described above can be obtained.

なお、本変形例の構成を、上述のフォトインタラプタ101やフォトインタラプタ102やフォトインタラプタ103に適用してもよい。   The configuration of this modification may be applied to the above-described photo interrupter 101, photo interrupter 102, or photo interrupter 103.

<第5変形例>
次に、図33〜図35を用いて、本実施形態の第5変形例について説明する。
<Fifth Modification>
Next, a fifth modification of the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図33は、本実施形態の第5変形例のフォトインタラプタを示す断面図である。図34は、図33のXXXIV−XXXIV線に沿う断面図である。図35は、図33のXXXV−XXXV線に沿う断面図である。 FIG. 33 is a cross-sectional view showing a photo interrupter of a fifth modification example of the present embodiment. 34 is a cross-sectional view taken along line XXXIV-XXXIV in FIG. FIG. 35 is a sectional view taken along line XXXV-XXXV in FIG.

同図に示すフォトインタラプタ105は、基材1と、発光素子21と、受光素子22と、受光側樹脂部3と、発光側樹脂部4と、透光樹脂部51と、遮光膜6と、複数のワイヤ79と、を備える。受光側樹脂部3および発光側樹脂部4を除き、フォトインタラプタ105における、基材1、発光素子21、受光素子22、透光樹脂部51、遮光膜6、および複数のワイヤ79の各構成は、上述のフォトインタラプタ100と同様であるから、説明を省略する。   The photo interrupter 105 shown in the figure includes a base material 1, a light emitting element 21, a light receiving element 22, a light receiving side resin part 3, a light emitting side resin part 4, a light transmitting resin part 51, a light shielding film 6, A plurality of wires 79. Except for the light-receiving side resin part 3 and the light-emitting side resin part 4, each configuration of the substrate 1, the light-emitting element 21, the light-receiving element 22, the light-transmitting resin part 51, the light-shielding film 6, and the plurality of wires 79 in the photo interrupter 105 is as follows. Since it is the same as that of the above-mentioned photo interrupter 100, description is abbreviate | omitted.

受光側樹脂部3においては、受光側基部側面311の少なくとも一部が、光入射面38よりも基材1から離間している側に位置する部位を有する点を除き、フォトインタラプタ100における構成と同様である。このような構成によると、光入射面38を形成するために受光側隆起部34’の一部および遮光膜6’の一部を除去する際、受光側隆起部34’を除去すべき部位を少なくすることができる。これにより、受光側隆起部34’を除去するのに要する時間を短縮できる。   In the light-receiving-side resin portion 3, the configuration of the photo-interrupter 100 except that at least a part of the light-receiving-side base side surface 311 has a portion located on the side farther from the base material 1 than the light incident surface 38. It is the same. According to such a configuration, when removing a part of the light receiving side raised portion 34 ′ and a part of the light shielding film 6 ′ to form the light incident surface 38, a portion where the light receiving side raised portion 34 ′ should be removed is determined. Can be reduced. Thereby, the time required to remove the light receiving side raised portion 34 'can be shortened.

同様に、発光側樹脂部4においては、発光側基部側面411の少なくとも一部が、光出射面48よりも基材1から離間している側に位置する部位を有する点を除き、フォトインタラプタ100における構成と同様である。このような構成によると、光出射面48を形成するために発光側隆起部44’の一部および遮光膜6’の一部を除去する際、発光側隆起部44’を除去すべき部位を少なくすることができる。これにより、発光側隆起部44’を除去するのに要する時間を短縮できる。   Similarly, in the light emitting side resin portion 4, except that at least a part of the light emitting side base side surface 411 has a portion located on the side farther from the base material 1 than the light emitting surface 48, the photointerrupter 100. The configuration is the same as in FIG. According to such a configuration, when removing a part of the light emitting side raised portion 44 ′ and a part of the light shielding film 6 ′ to form the light emitting surface 48, a portion where the light emitting side raised portion 44 ′ should be removed is formed. Can be reduced. Thereby, the time required for removing the light emitting side raised portion 44 ′ can be shortened.

<第2実施形態>
次に、図36〜図40を用いて、本発明の第2実施形態について説明する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図36は、本発明の第2実施形態のフォトインタラプタを示す斜視図である。図37は、本発明の第2実施形態のフォトインタラプタを示す正面図である。図38は、本発明の第2実施形態のフォトインタラプタを示す平面図である。図39は、図38のXXXIX−XXXIX線に沿う断面図である。図36〜図38においては、遮光膜6から露出している部分を、ハッチングを付すことにより示している。図39に付したハッチングは、断面であることを示している。   FIG. 36 is a perspective view showing a photo interrupter according to the second embodiment of the present invention. FIG. 37 is a front view showing a photo interrupter according to the second embodiment of the present invention. FIG. 38 is a plan view showing a photo interrupter according to the second embodiment of the present invention. FIG. 39 is a sectional view taken along line XXXIX-XXXIX in FIG. 36 to 38, the portion exposed from the light shielding film 6 is shown by hatching. The hatching attached | subjected to FIG. 39 has shown that it is a cross section.

これらの図に示すフォトインタラプタ200は、基材1と、発光素子21と、受光素子22と、受光側樹脂部3と、発光側樹脂部4と、透光樹脂部51(本実施形態では図示略、図26参照)と、遮光膜6と、アンダーコート層76と、複数のワイヤ79(本実施形態では図示略、図5等参照)と、を備える。フォトインタラプタ200は、アンダーコート層76を備える点において、フォトインタラプタ101と異なる。また、フォトインタラプタ200は、受光側樹脂部3における受光側基部外面316の構成、および、発光側樹脂部4における発光側基部外面416の構成が、フォトインタラプタ101と異なる。受光側樹脂部3、発光側樹脂部4、およびアンダーコート層76を除き、フォトインタラプタ200における基材1、発光素子21、受光素子22、透光樹脂部51、および複数のワイヤ79の各構成は、上述のフォトインタラプタ101と同様であるから、説明を省略する。なお、遮光膜6としては、フォトインタラプタ102で説明したものを用いている。すなわち、フォトインタラプタ200における遮光膜6は、第1層68および第2層69を含む。   The photo interrupter 200 shown in these drawings includes a base material 1, a light emitting element 21, a light receiving element 22, a light receiving side resin part 3, a light emitting side resin part 4, and a light transmitting resin part 51 (illustrated in the present embodiment). 26), a light shielding film 6, an undercoat layer 76, and a plurality of wires 79 (not shown in this embodiment, see FIG. 5 and the like). The photo interrupter 200 is different from the photo interrupter 101 in that it includes an undercoat layer 76. The photo interrupter 200 is different from the photo interrupter 101 in the configuration of the light receiving side base outer surface 316 in the light receiving side resin portion 3 and the configuration of the light emitting side base outer surface 416 in the light emitting side resin portion 4. Except for the light-receiving side resin portion 3, the light-emitting side resin portion 4, and the undercoat layer 76, each configuration of the base material 1, the light-emitting element 21, the light-receiving element 22, the light-transmitting resin portion 51, and the plurality of wires 79 in the photointerrupter 200. Since this is the same as the above-described photointerrupter 101, description thereof is omitted. In addition, as the light shielding film 6, what was demonstrated in the photo interrupter 102 is used. That is, the light shielding film 6 in the photo interrupter 200 includes the first layer 68 and the second layer 69.

受光側樹脂部3は、受光側基部31と、受光側突出部32と、受光側隆起部34と、を含む。受光側突出部32と、受光側隆起部34とは、フォトインタラプタ100に関して説明したのと同様であるから、説明を省略する。   The light receiving side resin portion 3 includes a light receiving side base portion 31, a light receiving side protruding portion 32, and a light receiving side raised portion 34. The light receiving side protruding portion 32 and the light receiving side raised portion 34 are the same as those described with respect to the photo interrupter 100, and thus description thereof is omitted.

本実施形態においても、受光側基部31は、受光側基部側面311と、受光側基部外面313,314,315,316,317と、を有する。受光側基部外面316を除き、受光側基部側面311および受光側基部外面313,314,315,317の各構成は、フォトインタラプタ101(すなわちフォトインタラプタ100)に関して説明したのと同様であるから、説明を省略する。   Also in the present embodiment, the light receiving side base 31 has a light receiving side base side surface 311 and light receiving side base outer surfaces 313, 314, 315, 316, 317. Except for the light receiving side base outer surface 316, each configuration of the light receiving side base side surface 311 and the light receiving side base outer surface 313, 314, 315, 317 is the same as that described for the photo interrupter 101 (that is, the photo interrupter 100). Is omitted.

図38、図39に示す受光側基部外面316は、第1受光側基部外面である。図39に示すように、受光側基部外面316と光出射面48との間に、光入射面38が位置している。受光側基部外面316は、第1受光側傾斜部351と、第2受光側傾斜部352と、受光側連絡部353と、を有する。   The light receiving side base outer surface 316 shown in FIGS. 38 and 39 is the first light receiving side base outer surface. As shown in FIG. 39, the light incident surface 38 is located between the light receiving side base outer surface 316 and the light emitting surface 48. The light receiving side base outer surface 316 includes a first light receiving side inclined portion 351, a second light receiving side inclined portion 352, and a light receiving side connecting portion 353.

第1受光側傾斜部351および第2受光側傾斜部352は各々、基材1の厚さ方向Zに対して傾斜している。第1受光側傾斜部351は、第2受光側傾斜部352よりも、基材1から遠い側に位置している。すなわち、基材1の厚さ方向Zにおいて、第1受光側傾斜部351と基材1との間に、第2受光側傾斜部352が位置している。図38に示すように、第1受光側傾斜部351は、基材1の平面視において、第2受光側傾斜部352と光入射面38との間に位置している。第1受光側傾斜部351および厚さ方向Zのなす角度θ11は、第2受光側傾斜部352および厚さ方向Zのなす角度θ12よりも、大きい。好ましくは、第1受光側傾斜部351および厚さ方向Zのなす角度θ11の角度は、40度以上であり、50度以下である。好ましくは、第2受光側傾斜部352および厚さ方向Zのなす角度θ12は、35度以上であり、45度以下である。角度θ11,θ12の大きさは、フォトインタラプタ200を製造する前にシミュレーションを行うことにより、決定される。   Each of the first light receiving side inclined portion 351 and the second light receiving side inclined portion 352 is inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1. The first light receiving side inclined portion 351 is located on the side farther from the base material 1 than the second light receiving side inclined portion 352. That is, in the thickness direction Z of the substrate 1, the second light receiving side inclined portion 352 is located between the first light receiving side inclined portion 351 and the substrate 1. As shown in FIG. 38, the first light receiving side inclined portion 351 is located between the second light receiving side inclined portion 352 and the light incident surface 38 in a plan view of the substrate 1. An angle θ11 formed by the first light receiving side inclined portion 351 and the thickness direction Z is larger than an angle θ12 formed by the second light receiving side inclined portion 352 and the thickness direction Z. Preferably, the angle θ11 formed by the first light receiving side inclined portion 351 and the thickness direction Z is 40 degrees or more and 50 degrees or less. Preferably, the angle θ12 formed by the second light receiving side inclined portion 352 and the thickness direction Z is not less than 35 degrees and not more than 45 degrees. The magnitudes of the angles θ11 and θ12 are determined by performing a simulation before manufacturing the photo interrupter 200.

受光側連絡部353は、第1受光側傾斜部351および第2受光側傾斜部352の間に位置する。受光側連絡部353は、第1受光側傾斜部351および第2受光側傾斜部352につながっている。受光側連絡部353および基材1の厚さ方向Zのなす角度θ13は、第2受光側傾斜部352および厚さ方向Zのなす角度θ12よりも、小さい。好ましくは、受光側連絡部353および基材1の厚さ方向Zのなす角度θ13は、0度より大きく、10度以下である。すなわち、受光側連絡部353は、基材1の厚さ方向Zに対しわずかに傾斜しているものの、厚さ方向Zに対しほとんど傾斜していない。基材1の厚さ方向Zに対しわずかに受光側連絡部353が傾斜しているのは、前記の受光側樹脂部3’を形成するための金型を受光側樹脂部3’から抜けやすくするためである。   The light receiving side connecting portion 353 is located between the first light receiving side inclined portion 351 and the second light receiving side inclined portion 352. The light receiving side connecting portion 353 is connected to the first light receiving side inclined portion 351 and the second light receiving side inclined portion 352. The angle θ13 formed by the light receiving side connecting portion 353 and the base material 1 in the thickness direction Z is smaller than the angle θ12 formed by the second light receiving side inclined portion 352 and the thickness direction Z. Preferably, the angle θ13 formed by the light receiving side connecting portion 353 and the thickness direction Z of the base material 1 is greater than 0 degree and equal to or less than 10 degrees. That is, the light-receiving side connecting portion 353 is slightly inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1, but is hardly inclined with respect to the thickness direction Z. The light receiving side connecting portion 353 is slightly inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1 because the mold for forming the light receiving side resin portion 3 ′ can be easily removed from the light receiving side resin portion 3 ′. It is to do.

発光側樹脂部4は、発光側基部41と、発光側突出部42と、発光側隆起部44と、を含む。発光側突出部42と、発光側隆起部44とは、フォトインタラプタ101(すなわちフォトインタラプタ100)に関して説明したのと同様であるから、説明を省略する。   The light emitting side resin portion 4 includes a light emitting side base portion 41, a light emitting side protruding portion 42, and a light emitting side raised portion 44. The light emitting side protruding portion 42 and the light emitting side raised portion 44 are the same as those described with respect to the photo interrupter 101 (that is, the photo interrupter 100), and thus description thereof is omitted.

本実施形態においても、発光側基部41は、発光側基部側面411と、発光側基部外面413,414,415,416,417と、を有する。発光側基部外面416を除き、発光側基部側面411および発光側基部外面413,414,415,417の各構成は、フォトインタラプタ101(すなわちフォトインタラプタ100)に関して説明したのと同様であるから、説明を省略する。   Also in the present embodiment, the light emission side base 41 includes a light emission side base side surface 411 and light emission side base outer surfaces 413, 414, 415, 416, and 417. Except for the light emitting side base outer surface 416, each configuration of the light emitting side base side surface 411 and the light emitting side base outer surface 413, 414, 415, 417 is the same as that described for the photo interrupter 101 (that is, the photo interrupter 100). Is omitted.

図38、図39に示す発光側基部外面416は、第1発光側基部外面である。発光側基部外面416と光入射面38との間に、光出射面48が位置している。発光側基部外面416は、第1発光側傾斜部451と、第2発光側傾斜部452と、発光側連絡部453と、を有する。   The light emission side base outer surface 416 shown in FIGS. 38 and 39 is a first light emission side base outer surface. A light exit surface 48 is located between the light emitting side base outer surface 416 and the light incident surface 38. The light emitting side base outer surface 416 includes a first light emitting side inclined portion 451, a second light emitting side inclined portion 452, and a light emitting side connecting portion 453.

第1発光側傾斜部451および第2発光側傾斜部452は各々、基材1の厚さ方向Zに対して傾斜している。第1発光側傾斜部451は、第2発光側傾斜部452よりも、基材1から遠い側に位置している。すなわち、基材1の厚さ方向Zにおいて、第1発光側傾斜部451と基材1との間に、第2発光側傾斜部452が位置している。第1発光側傾斜部451は、基材1の平面視において、第2発光側傾斜部452と光出射面48との間に位置している。第1発光側傾斜部451および厚さ方向Zのなす角度θ21は、第2発光側傾斜部452および厚さ方向Zのなす角度θ22よりも、大きい。好ましくは、第1発光側傾斜部451および厚さ方向Zのなす角度θ21の角度は、40度以上であり、50度以下である。好ましくは、第2発光側傾斜部452および厚さ方向Zのなす角度θ22は、35度以上であり、45度以下である。角度θ21,θ22の大きさは、フォトインタラプタ200を製造する前にシミュレーションを行うことにより、決定される。   The first light emission side inclined portion 451 and the second light emission side inclined portion 452 are each inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1. The first light emission side inclined portion 451 is located on the side farther from the base material 1 than the second light emission side inclined portion 452. That is, in the thickness direction Z of the base material 1, the second light emitting side inclined portion 452 is located between the first light emitting side inclined portion 451 and the base material 1. The first light emission side inclined portion 451 is located between the second light emission side inclined portion 452 and the light emitting surface 48 in a plan view of the substrate 1. The angle θ21 formed by the first light emitting side inclined portion 451 and the thickness direction Z is larger than the angle θ22 formed by the second light emitting side inclined portion 452 and the thickness direction Z. Preferably, the angle θ21 formed by the first light emitting side inclined portion 451 and the thickness direction Z is 40 degrees or more and 50 degrees or less. Preferably, the angle θ22 formed by the second light emitting side inclined portion 452 and the thickness direction Z is not less than 35 degrees and not more than 45 degrees. The magnitudes of the angles θ21 and θ22 are determined by performing a simulation before manufacturing the photo interrupter 200.

発光側連絡部453は、第1発光側傾斜部451および第2発光側傾斜部452の間に位置する。発光側連絡部453は、第1発光側傾斜部451および第2発光側傾斜部452につながっている。発光側連絡部453および基材1の厚さ方向Zのなす角度θ23は、第2発光側傾斜部452および厚さ方向Zのなす角度θ22よりも、小さい。好ましくは、発光側連絡部453および基材1の厚さ方向Zのなす角度θ23は、0度より大きく、10度以下である。すなわち、発光側連絡部453は、基材1の厚さ方向Zに対しわずかに傾斜しているものの、方向Zに対しほとんど傾斜していない。基材1の厚さ方向Zに対しわずかに発光側連絡部453が傾斜しているのは、前記の発光側樹脂部4’を形成するための金型を発光側樹脂部4’から抜けやすくするためである。   The light emitting side communication part 453 is located between the first light emitting side inclined part 451 and the second light emitting side inclined part 452. The light emission side communication part 453 is connected to the first light emission side inclined part 451 and the second light emission side inclined part 452. The angle θ23 formed by the light emitting side connecting portion 453 and the thickness direction Z of the substrate 1 is smaller than the angle θ22 formed by the second light emitting side inclined portion 452 and the thickness direction Z. Preferably, the angle θ23 formed by the light emitting side connecting portion 453 and the thickness direction Z of the substrate 1 is greater than 0 degree and equal to or less than 10 degrees. That is, the light-emitting side connecting portion 453 is slightly inclined with respect to the direction Z although it is slightly inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1. The light emitting side connecting portion 453 is slightly inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 because the mold for forming the light emitting side resin portion 4 ′ can be easily removed from the light emitting side resin portion 4 ′. It is to do.

アンダーコート層76は、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4の少なくともいずれかと、遮光膜6と、の間に介在する。アンダーコート層76は、受光側樹脂部3と遮光膜6との間、および、発光側樹脂部4と遮光膜6との間、のいずれかのみに介在していてもよい。本実施形態においては、アンダーコート層76は、受光側樹脂部3と遮光膜6との間、および、発光側樹脂部4と遮光膜6との間、のいずれもの間に介在している。具体的には、アンダーコート層76は、受光側基部外面316と遮光膜6との間に介在している。また、アンダーコート層76は、受光側基部外面316と遮光膜6とに接している。本実施形態においては、アンダーコート層76は、受光側基部外面316を覆っている。本実施形態においては更に、アンダーコート層76は、受光側樹脂部3における、光入射面38と、基材1に接している領域と以外の領域を全て、覆っている。一方、アンダーコート層76は、発光側基部外面416と遮光膜6との間に介在している。また、アンダーコート層76は、発光側基部外面416と遮光膜6とに接している。本実施形態においては、アンダーコート層76は、発光側基部外面416を覆っている。本実施形態においては更に、アンダーコート層76は、発光側樹脂部4における、光出射面48と、基材1に接している領域と以外の領域を全て、覆っている。アンダーコート層76は基材1を覆っている。アンダーコート層76の厚さは、たとえば、3μm〜30μmである。   The undercoat layer 76 is interposed between at least one of the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4 and the light shielding film 6. The undercoat layer 76 may be interposed only between either the light receiving side resin portion 3 and the light shielding film 6 and between the light emitting side resin portion 4 and the light shielding film 6. In the present embodiment, the undercoat layer 76 is interposed between any of the light receiving side resin portion 3 and the light shielding film 6 and between the light emitting side resin portion 4 and the light shielding film 6. Specifically, the undercoat layer 76 is interposed between the light receiving side base outer surface 316 and the light shielding film 6. The undercoat layer 76 is in contact with the light receiving side base outer surface 316 and the light shielding film 6. In the present embodiment, the undercoat layer 76 covers the light receiving side base outer surface 316. In the present embodiment, the undercoat layer 76 further covers all regions of the light receiving side resin portion 3 other than the light incident surface 38 and the region in contact with the base material 1. On the other hand, the undercoat layer 76 is interposed between the light emitting side base outer surface 416 and the light shielding film 6. The undercoat layer 76 is in contact with the light emitting side base outer surface 416 and the light shielding film 6. In the present embodiment, the undercoat layer 76 covers the light emitting side base outer surface 416. In the present embodiment, the undercoat layer 76 further covers all regions of the light emitting side resin portion 4 other than the light emitting surface 48 and the region in contact with the substrate 1. The undercoat layer 76 covers the substrate 1. The thickness of the undercoat layer 76 is, for example, 3 μm to 30 μm.

アンダーコート層76は透光性である。すなわち、アンダーコート層76は光を透過させる材料よりなる。好ましくは、アンダーコート層76は透明な樹脂よりなる。アンダーコート層76を構成する透明な樹脂としては、たとえば、シリコン系の樹脂や、ポリエステルや、アクリルウレタンが挙げられる。アンダーコート層76を形成するには、遮光膜6’を形成する前に、表面処理技術を用いることにより行う。アンダーコート層76を形成するために用いる表面処理技術としては、たとえば、ディップコーティングやスピンコーティングやアンダーコート層76を構成する材料の噴霧が挙げられる。   The undercoat layer 76 is translucent. That is, the undercoat layer 76 is made of a material that transmits light. Preferably, the undercoat layer 76 is made of a transparent resin. Examples of the transparent resin constituting the undercoat layer 76 include silicon-based resin, polyester, and acrylic urethane. The undercoat layer 76 is formed by using a surface treatment technique before forming the light shielding film 6 '. Examples of the surface treatment technique used for forming the undercoat layer 76 include dip coating, spin coating, and spraying of the material constituting the undercoat layer 76.

遮光膜6における第1層68および第2層69は、それぞれ、フォトインタラプタ102に関して述べた材料よりなる。そして、アンダーコート層76は、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4の少なくともいずれかと、第1層68と、の間に介在している。アンダーコート層76は、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4の少なくともいずれかと、第1層68と、に直接接している。   The first layer 68 and the second layer 69 in the light shielding film 6 are each made of the material described with respect to the photo interrupter 102. The undercoat layer 76 is interposed between at least one of the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4 and the first layer 68. The undercoat layer 76 is in direct contact with at least one of the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4 and the first layer 68.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。   Next, the effect of this embodiment is demonstrated.

図40は、図39の一部を拡大して模式的に示す部分拡大断面図である。発光側樹脂部4の表面(本実施形態では、発光側樹脂部4とアンダーコート層76との境界)は、凹凸面であることが多い。一方、アンダーコート層76は表面処理技術により形成される。そのため、アンダーコート層76の表面(本実施形態ではアンダーコート層76と遮光膜6との境界)は、発光側樹脂部4の表面よりも平坦であることが多い。   40 is a partial enlarged cross-sectional view schematically showing a part of FIG. 39 in an enlarged manner. The surface of the light emitting side resin portion 4 (in this embodiment, the boundary between the light emitting side resin portion 4 and the undercoat layer 76) is often an uneven surface. On the other hand, the undercoat layer 76 is formed by a surface treatment technique. Therefore, the surface of the undercoat layer 76 (in this embodiment, the boundary between the undercoat layer 76 and the light shielding film 6) is often flatter than the surface of the light emitting side resin portion 4.

本実施形態においては、フォトインタラプタ200は、透光性のアンダーコート層76を備える。アンダーコート層76は、遮光膜6と、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4の少なくともいずれかと、の間に介在する。ここで、アンダーコート層76が、遮光膜6と発光側樹脂部4との間に介在する場合を考える。アンダーコート層76が、遮光膜6と発光側樹脂部4との間に介在する場合、アンダーコート層76は透光性であるから、赤外光L11は、発光側樹脂部4とアンダーコート層76との境界を通過しアンダーコート層76に入射する。よって、フォトインタラプタ200によると、凹凸面となっている、発光側樹脂部4の表面にて、赤外光L11が反射することを抑制できる。   In the present embodiment, the photo interrupter 200 includes a translucent undercoat layer 76. The undercoat layer 76 is interposed between the light shielding film 6 and at least one of the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4. Here, a case where the undercoat layer 76 is interposed between the light shielding film 6 and the light emitting side resin portion 4 is considered. When the undercoat layer 76 is interposed between the light shielding film 6 and the light emitting side resin portion 4, since the undercoat layer 76 is translucent, the infrared light L 11 is emitted from the light emitting side resin portion 4 and the undercoat layer. Then, the light passes through the boundary with 76 and enters the undercoat layer 76. Therefore, according to the photo interrupter 200, it can suppress that the infrared light L11 reflects in the surface of the light emission side resin part 4 which is an uneven surface.

アンダーコート層76に入射した赤外光L11は、アンダーコート層76と遮光膜6との境界にて反射する。アンダーコート層76と遮光膜6との境界にて反射した赤外光L11は、アンダーコート層76と発光側樹脂部4との境界を通過し、再び、発光側樹脂部4内に入射する。このように、フォトインタラプタ200によると、より平坦な、アンダーコート層76の表面にて、赤外光L11を反射させることができる。   The infrared light L11 incident on the undercoat layer 76 is reflected at the boundary between the undercoat layer 76 and the light shielding film 6. The infrared light L11 reflected at the boundary between the undercoat layer 76 and the light shielding film 6 passes through the boundary between the undercoat layer 76 and the light emitting side resin portion 4 and enters the light emitting side resin portion 4 again. Thus, according to the photo interrupter 200, the infrared light L11 can be reflected on the surface of the undercoat layer 76 that is flatter.

以上より、フォトインタラプタ200によると、より平坦な面にて赤外光L11を反射させることができるため、赤外光L11が乱反射することを抑制できる。これにより、赤外光L11を所望の方向に進行させることができる。   As described above, according to the photo interrupter 200, since the infrared light L11 can be reflected on a flatter surface, the irregular reflection of the infrared light L11 can be suppressed. Thereby, the infrared light L11 can be advanced in a desired direction.

前記の説明では、遮光膜6と発光側樹脂部4との間にアンダーコート層76が介在する場合について説明したが、遮光膜6と受光側樹脂部3との間にアンダーコート層76が介在する場合においても、同様の効果が期待できる。   In the above description, the case where the undercoat layer 76 is interposed between the light shielding film 6 and the light emitting side resin portion 4 has been described. However, the undercoat layer 76 is interposed between the light shielding film 6 and the light receiving side resin portion 3. Even in this case, the same effect can be expected.

本実施形態においては、発光側樹脂部4は、基材1に接する発光側基部41を含む。発光側基部41は、発光側基部外面416を有する。光反射面48は、発光側基部外面416と光入射面38との間に位置する。アンダーコート層76は、発光側基部外面416を覆っている。このような構成によると、発光側基部外面416の表面にて発光素子21から放たれた赤外光L11が乱反射することを抑制しつつ、遮光膜6と、発光側基部外面416を覆うアンダーコート層76と、の境界にて赤外光L11を反射させることができる。これにより、発光素子21から放たれた赤外光L11を、光出射面48へと、より確実に進行させることができる。その結果、受光素子22が、発光素子21からの赤外光L11を、より多く受けることができる。これにより、遮蔽部材811の有無をより的確に判断することができる。   In the present embodiment, the light emitting side resin portion 4 includes a light emitting side base portion 41 that is in contact with the base material 1. The light emission side base 41 has a light emission side base outer surface 416. The light reflecting surface 48 is located between the light emitting side base outer surface 416 and the light incident surface 38. The undercoat layer 76 covers the light emitting side base outer surface 416. According to such a configuration, the undercoat that covers the light shielding film 6 and the light emitting side base outer surface 416 while suppressing the irregular reflection of the infrared light L11 emitted from the light emitting element 21 on the surface of the light emitting side base outer surface 416. The infrared light L11 can be reflected at the boundary with the layer 76. Thereby, the infrared light L <b> 11 emitted from the light emitting element 21 can be more reliably advanced to the light emitting surface 48. As a result, the light receiving element 22 can receive more infrared light L11 from the light emitting element 21. Thereby, the presence or absence of the shielding member 811 can be determined more accurately.

本実施形態においては、受光側樹脂部3は、基材1に接する受光側基部31を含む。受光側基部31は、受光側基部外面316を有する。光入射面38は、受光側基部外面316と光出射面48との間に位置する。アンダーコート層76は、受光側基部外面316を覆っている。このような構成によると、受光側基部外面316の表面にて赤外光L11が乱反射することを抑制しつつ、遮光膜6と、受光側基部外面316を覆うアンダーコート層76と、の境界にて赤外光L11を反射させることができる。これにより、発光素子21から放たれた後に光入射面38に入射した赤外光L11を、受光素子22へと、より確実に進行させることができる。その結果、受光素子22が、発光素子21からの赤外光L11を、より多く受けることができる。これにより、遮蔽部材811の有無をより的確に判断することができる。   In the present embodiment, the light receiving side resin portion 3 includes a light receiving side base portion 31 in contact with the base material 1. The light receiving side base 31 has a light receiving side base outer surface 316. The light incident surface 38 is located between the light receiving side base outer surface 316 and the light emitting surface 48. The undercoat layer 76 covers the light receiving side base outer surface 316. According to such a configuration, at the boundary between the light shielding film 6 and the undercoat layer 76 covering the light receiving side base outer surface 316 while suppressing the irregular reflection of the infrared light L11 on the surface of the light receiving side base outer surface 316. Infrared light L11 can be reflected. Thereby, the infrared light L <b> 11 incident on the light incident surface 38 after being emitted from the light emitting element 21 can be more reliably advanced to the light receiving element 22. As a result, the light receiving element 22 can receive more infrared light L11 from the light emitting element 21. Thereby, the presence or absence of the shielding member 811 can be determined more accurately.

本実施形態においては、発光側基部外面416は、基材1の厚さ方向Zに対して各々が傾斜する第1発光側傾斜部451および第2発光側傾斜部452を有する。第1発光側傾斜部451は、第2発光側傾斜部452よりも、基材1から遠い側に位置し、且つ、基材1の平面視において、第2発光側傾斜部452と光出射面48との間に位置する。第1発光側傾斜部451および厚さ方向Zのなす角度θ21は、第2発光側傾斜部452および厚さ方向Zのなす角度θ22よりも、大きい。このような構成によれば、発光側基部外面416の各領域の厚さ方向Zに対する傾斜角度を、発光素子21から発光側基部外面416に向かう赤外光L11を光入射面38により多く進行させるための角度とすることができる。その結果、受光素子22が、発光素子21からの赤外光L11を、より多く受けることができる。これにより、遮蔽部材811の有無をより的確に判断することができる。   In the present embodiment, the light emitting side base outer surface 416 includes a first light emitting side inclined portion 451 and a second light emitting side inclined portion 452 that are each inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1. The first light emitting side inclined portion 451 is located on the side farther from the base material 1 than the second light emitting side inclined portion 452, and in the plan view of the base material 1, the second light emitting side inclined portion 452 and the light emitting surface. 48. The angle θ21 formed by the first light emitting side inclined portion 451 and the thickness direction Z is larger than the angle θ22 formed by the second light emitting side inclined portion 452 and the thickness direction Z. According to such a configuration, the inclination angle with respect to the thickness direction Z of each region of the light emitting side base outer surface 416 is caused to travel more infrared light L11 from the light emitting element 21 toward the light emitting side base outer surface 416 to the light incident surface 38. For the angle. As a result, the light receiving element 22 can receive more infrared light L11 from the light emitting element 21. Thereby, the presence or absence of the shielding member 811 can be determined more accurately.

本実施形態においては、発光側基部外面416は、第1発光側傾斜部451および第2発光側傾斜部452につながる発光側連絡部453を有する。発光側連絡部453は、第1発光側傾斜部451および第2発光側傾斜部452の間に位置する。発光側連絡部453および厚さ方向Zのなす角度θ23は、第2発光側傾斜部452および厚さ方向Zのなす角度θ22よりも、小さい。このような構成によれば、発光側基部外面416の方向Xにおける寸法を小さくすることができる。   In the present embodiment, the light emitting side base outer surface 416 includes a light emitting side connecting portion 453 connected to the first light emitting side inclined portion 451 and the second light emitting side inclined portion 452. The light emitting side communication part 453 is located between the first light emitting side inclined part 451 and the second light emitting side inclined part 452. The angle θ23 formed by the light emitting side connecting portion 453 and the thickness direction Z is smaller than the angle θ22 formed by the second light emitting side inclined portion 452 and the thickness direction Z. According to such a configuration, the dimension of the light emitting side base outer surface 416 in the direction X can be reduced.

本実施形態においては、受光側基部外面316は、基材1の厚さ方向Zに対して各々が傾斜する第1受光側傾斜部351および第2受光側傾斜部352を有する。第1受光側傾斜部351は、第2受光側傾斜部352よりも、基材1から遠い側に位置し、且つ、基材1の平面視において、第2受光側傾斜部352と光入射面38との間に位置する。第1受光側傾斜部351および厚さ方向Zのなす角度θ11は、第2受光側傾斜部352および厚さ方向Zのなす角度θ12よりも、大きい。このような構成によれば、受光側基部外面316の各領域の厚さ方向Zに対する傾斜角度を、光入射面38から受光側樹脂部3に入射し、受光側基部外面316に向かう赤外光L11をより多く受光素子22に進行させるための角度とすることができる。その結果、受光素子22が、発光素子21からの赤外光L11を、より多く受けることができる。これにより、遮蔽部材811の有無をより的確に判断することができる。   In the present embodiment, the light receiving side base outer surface 316 includes a first light receiving side inclined portion 351 and a second light receiving side inclined portion 352 that are inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1. The first light receiving side inclined portion 351 is located farther from the base material 1 than the second light receiving side inclined portion 352, and the second light receiving side inclined portion 352 and the light incident surface in a plan view of the base material 1. 38. An angle θ11 formed by the first light receiving side inclined portion 351 and the thickness direction Z is larger than an angle θ12 formed by the second light receiving side inclined portion 352 and the thickness direction Z. With such a configuration, the inclination angle of each region of the light receiving side base outer surface 316 with respect to the thickness direction Z is incident on the light receiving side resin portion 3 from the light incident surface 38, and the infrared light travels toward the light receiving side base outer surface 316. L11 can be set to an angle for causing the light receiving element 22 to advance more. As a result, the light receiving element 22 can receive more infrared light L11 from the light emitting element 21. Thereby, the presence or absence of the shielding member 811 can be determined more accurately.

本実施形態においては、受光側基部外面316は、第1受光側傾斜部351および第2受光側傾斜部352につながる受光側連絡部353を有する。受光側連絡部353は、第1受光側傾斜部351および第2受光側傾斜部352の間に位置する。受光側連絡部353および厚さ方向Zのなす角度θ13は、第2受光側傾斜部352および厚さ方向Zのなす角度θ12よりも、小さい。このような構成によれば、発光側基部外面316の方向Xにおける寸法を小さくすることができる。   In the present embodiment, the light receiving side base outer surface 316 has a light receiving side connecting portion 353 connected to the first light receiving side inclined portion 351 and the second light receiving side inclined portion 352. The light receiving side connecting portion 353 is located between the first light receiving side inclined portion 351 and the second light receiving side inclined portion 352. The angle θ13 formed by the light receiving side connecting portion 353 and the thickness direction Z is smaller than the angle θ12 formed by the second light receiving side inclined portion 352 and the thickness direction Z. According to such a structure, the dimension in the direction X of the light emission side base outer surface 316 can be made small.

本実施形態によると、フォトインタラプタ100,101,102に関して述べたのと同様の利点を有する。   According to the present embodiment, the same advantages as described with respect to the photo interrupters 100, 101, 102 are obtained.

<第1変形例>
次に、図41〜図43を用いて、本発明の第2実施形態の第1変形例について説明する。
<First Modification>
Next, a first modification of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図41は、本発明の第2実施形態の第1変形例のフォトインタラプタを示す斜視図である。図42は、本発明の第2実施形態の第1変形例のフォトインタラプタを示す正面図である。図43は、本発明の第2実施形態の第1変形例のフォトインタラプタを示す平面図である。   FIG. 41 is a perspective view showing a photo interrupter of a first modification of the second embodiment of the present invention. FIG. 42 is a front view showing a photo interrupter of a first modification example of the second embodiment of the present invention. FIG. 43 is a plan view showing a photointerrupter according to a first modification of the second embodiment of the present invention.

本変形例において、受光側基部外面314は、傾斜面314aを有する。傾斜面314aは、基材1の平面視において、受光素子22に対し、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4が離間する方向である方向Xと、基材1の厚さ方向Zとのいずれの方向にも直交する方向Y側に、位置している。傾斜面314aは、基材1の厚さ方向Zに対して傾斜している。具体的には、傾斜面314aは、基材1から離れるほど、基材1の平面視において、光入射面38に近づくように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。   In the present modification, the light receiving side base outer surface 314 has an inclined surface 314a. The inclined surface 314a has a direction X that is a direction in which the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4 are separated from the light receiving element 22 in a plan view of the base material 1, and a thickness direction Z of the base material 1. It is located on the direction Y side orthogonal to any direction. The inclined surface 314 a is inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1. Specifically, the inclined surface 314a is inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 so as to approach the light incident surface 38 in plan view of the base material 1 as the distance from the base material 1 increases.

本変形例において、発光側基部外面414は、傾斜面414aを有する。傾斜面414aは、基材1の平面視において、発光素子21に対し、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4が離間する方向である方向Xと、基材1の厚さ方向Zとのいずれの方向にも直交する方向Y側に、位置している。傾斜面414aは、基材1の厚さ方向Zに対して傾斜している。具体的には、傾斜面414aは、基材1から離れるほど、基材1の平面視において、光出射面48に近づくように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。   In the present modification, the light emitting side base outer surface 414 has an inclined surface 414a. The inclined surface 414a is formed between a direction X in which the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4 are separated from the light emitting element 21 in a plan view of the base material 1, and a thickness direction Z of the base material 1. It is located on the direction Y side orthogonal to any direction. The inclined surface 414 a is inclined with respect to the thickness direction Z of the substrate 1. Specifically, the inclined surface 414a is inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 so as to approach the light emitting surface 48 in plan view of the base material 1 as the distance from the base material 1 increases.

以上の点を除き、フォトインタラプタ201は、フォトインタラプタ200と同様である。   Except for the above points, the photo interrupter 201 is the same as the photo interrupter 200.

本変形例によると、傾斜面414aによって、発光素子21からの赤外光L11をより多く、光出射面48から光入射面38に向かわせることができる。また、傾斜面314aによって、光入射面38に入射した赤外光L11をより多く、受光素子22に向かわせることができる。これらによって、遮蔽部材811の有無をより的確に判断することができる。   According to this modified example, the inclined surface 414a allows more infrared light L11 from the light emitting element 21 to be directed from the light emitting surface 48 to the light incident surface 38. Further, the inclined surface 314a can cause more infrared light L11 incident on the light incident surface 38 to be directed toward the light receiving element 22. By these, the presence or absence of the shielding member 811 can be determined more accurately.

<第3実施形態>
次に、図44〜図49を用いて、本発明の第3実施形態について説明する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図44は、本発明の第3実施形態のフォトインタラプタを示す斜視図である。図45は、本発明の第3実施形態のフォトインタラプタを示す正面図である。図46は、本発明の第3実施形態のフォトインタラプタを示す平面図である。図47は、図45に示したフォトインタラプタの左側面図である。図48は、図45に示したフォトインタラプタの右側面図である。図44〜図48においては、遮光膜6から露出している部分を、ハッチングを付すことにより示している。   FIG. 44 is a perspective view showing a photointerrupter according to the third embodiment of the present invention. FIG. 45 is a front view showing a photointerrupter according to the third embodiment of the present invention. FIG. 46 is a plan view showing a photo interrupter according to the third embodiment of the present invention. FIG. 47 is a left side view of the photointerrupter shown in FIG. FIG. 48 is a right side view of the photo interrupter shown in FIG. 44 to 48, the portions exposed from the light shielding film 6 are shown by hatching.

これらの図に示すフォトインタラプタ300は、基材1と、発光素子21と、受光素子22と、受光側樹脂部3と、発光側樹脂部4と、透光樹脂部51(本実施形態では図示略、図26参照)と、遮光膜6と、アンダーコート層76と、複数のワイヤ79(本実施形態では図示略、図5等参照)と、を備える。フォトインタラプタ300は、フォトインタラプタ200に対し、受光側樹脂部3および発光側樹脂部4の形状が異なる。受光側樹脂部3および発光側樹脂部4を除き、フォトインタラプタ300における、基材1、発光素子21、受光素子22、透光樹脂部51、遮光膜6、アンダーコート層76、および複数のワイヤ79の各構成は、フォトインタラプタ200におけるものと同様であるから、説明を省略する。   The photo interrupter 300 shown in these drawings includes a base material 1, a light emitting element 21, a light receiving element 22, a light receiving side resin portion 3, a light emitting side resin portion 4, and a light transmitting resin portion 51 (illustrated in the present embodiment). 26), a light shielding film 6, an undercoat layer 76, and a plurality of wires 79 (not shown in this embodiment, see FIG. 5 and the like). The photo interrupter 300 differs from the photo interrupter 200 in the shapes of the light receiving side resin portion 3 and the light emitting side resin portion 4. Except for the light-receiving side resin part 3 and the light-emitting side resin part 4, in the photo interrupter 300, the substrate 1, the light-emitting element 21, the light-receiving element 22, the light-transmitting resin part 51, the light-shielding film 6, the undercoat layer 76, and a plurality of wires Since the respective components 79 are the same as those in the photo interrupter 200, description thereof is omitted.

受光側樹脂部3は、受光側基部31と、受光側突出部32と、受光側隆起部34と、を含む。受光側突出部32と、受光側隆起部34とは、フォトインタラプタ200と同様であるから、説明を省略する。 The light receiving side resin portion 3 includes a light receiving side base portion 31, a light receiving side protruding portion 32, and a light receiving side raised portion 34. The light receiving side protruding portion 32 and the light receiving side raised portion 34 are the same as those of the photo interrupter 200, and thus description thereof is omitted.

本実施形態においても、受光側基部31は、受光側基部側面311と、受光側基部外面313,314,315,316と、第1受光側頂面318aと、第2受光側頂面318bと、受光側接続面318cと、を有する。受光側基部31における、受光側基部側面311と、受光側基部外面313,314,315,316は、フォトインタラプタ200における構成とほぼ同様であるから、説明を省略する。   Also in the present embodiment, the light receiving side base 31 includes a light receiving side base side surface 311, a light receiving side base outer surface 313, 314, 315, 316, a first light receiving side top surface 318a, a second light receiving side top surface 318b, And a light receiving side connection surface 318c. Since the light receiving side base side surface 311 and the light receiving side base outer surface 313, 314, 315, 316 in the light receiving side base 31 are substantially the same as the configuration in the photo interrupter 200, the description thereof is omitted.

第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bは、基材1の位置する側とは反対側(方向Z1)を向いている。第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bは、受光側樹脂部3にて、基材1から最も遠い側に位置している。第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bは、方向Yに離間している。図46に示すように、基材1の厚さ方向Z視(基材1の平面視)において、第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bの間に、受光側基部外面316(第1受光側基部外面)が位置している。第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bは平坦である。第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bは、同一平面上に位置している。   The first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b face the side opposite to the side on which the substrate 1 is located (direction Z1). The first light receiving side top surface 318 a and the second light receiving side top surface 318 b are located on the side farthest from the substrate 1 in the light receiving side resin portion 3. The first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b are separated in the direction Y. As shown in FIG. 46, the light receiving side base outer surface 316 is interposed between the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b in the thickness direction Z view of the base material 1 (plan view of the base material 1). (The first light receiving side base outer surface) is located. The first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b are flat. The first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b are located on the same plane.

第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bは、それぞれ、受光側基部外面311,313,314につながっている。   The first light receiving side top surface 318 a and the second light receiving side top surface 318 b are connected to the light receiving side base outer surfaces 311, 313, and 314, respectively.

受光側接続面318cは、第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bを接続している。受光側接続面318cは、受光側基部外面316につながっている。受光側接続面318cは、方向Z視において、受光側基部外面316と、光入射面38との間に位置している。受光側接続面318cは平坦である。本実施形態では、受光側接続面318cは、第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bと、同一平面上に位置している。   The light receiving side connection surface 318c connects the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b. The light receiving side connection surface 318 c is connected to the light receiving side base outer surface 316. The light receiving side connection surface 318 c is located between the light receiving side base outer surface 316 and the light incident surface 38 in the direction Z. The light receiving side connection surface 318c is flat. In the present embodiment, the light receiving side connection surface 318c is located on the same plane as the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b.

受光側接続面318cの方向Xにおける最小寸法L33は、第1受光側頂面318aの方向Xにおける寸法L31、および、第2受光側頂面318bの方向Xにおける寸法L32のいずれよりも小さい。   The minimum dimension L33 in the direction X of the light receiving side connection surface 318c is smaller than both the dimension L31 in the direction X of the first light receiving side top surface 318a and the dimension L32 in the direction X of the second light receiving side top surface 318b.

本実施形態においても、発光側基部41は、発光側基部側面411と、発光側基部外面413,414,415,416と、第1発光側頂面418aと、第2発光側頂面418bと、発光側接続面418cと、を有する。発光側基部41における、発光側基部側面411と、発光側基部外面413,414,415,416は、フォトインタラプタ200における構成とほぼ同様であるから、説明を省略する。   Also in the present embodiment, the light emitting side base 41 includes a light emitting side base side 411, a light emitting side base outer surface 413, 414, 415, 416, a first light emitting side top surface 418a, a second light emitting side top surface 418b, And a light emitting side connection surface 418c. Since the light emission side base side surface 411 and the light emission side base outer surface 413, 414, 415, 416 in the light emission side base 41 are substantially the same as the configuration in the photo interrupter 200, description thereof is omitted.

第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bは、基材1の位置する側とは反対側(方向Z1)を向いている。第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bは、発光側樹脂部4にて、基材1から最も遠い側に位置している。第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bは、方向Yに離間している。図46に示すように、基材1の厚さ方向Z視(基材1の平面視)において、第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bの間に、発光側基部外面416(第1発光側基部外面)が位置している。第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bは平坦である。第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bは、同一平面上に位置している。また、第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bは、第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bと同一平面上に位置している。   The 1st light emission side top surface 418a and the 2nd light emission side top surface 418b have faced the opposite side (direction Z1) to the side where the base material 1 is located. The first light-emitting side top surface 418 a and the second light-emitting side top surface 418 b are located on the side farthest from the substrate 1 in the light-emitting side resin portion 4. The first light emitting side top surface 418a and the second light emitting side top surface 418b are separated in the direction Y. As shown in FIG. 46, the light emitting side base outer surface 416 between the first light emitting side top surface 418a and the second light emitting side top surface 418b in the thickness direction Z view of the base material 1 (planar view of the base material 1). (First light emission side base outer surface) is located. The first light emission side top surface 418a and the second light emission side top surface 418b are flat. The first light emission side top surface 418a and the second light emission side top surface 418b are located on the same plane. The first light emitting side top surface 418a and the second light emitting side top surface 418b are located on the same plane as the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b.

第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bは、それぞれ、発光側基部外面411,413,414につながっている。 The first light emitting side top surface 418a and the second light emitting side top surface 418b are connected to the light emitting side base outer surfaces 411, 413, and 414, respectively.

発光側接続面418cは、第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bを接続している。発光側接続面418cは、発光側基部外面416につながっている。発光側接続面418cは、方向Z視において、発光側基部外面416と、光出射面48との間に位置している。発光側接続面418cは平坦である。本実施形態では、発光側接続面418cは、第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bと、同一平面上に位置している。   The light emission side connection surface 418c connects the first light emission side top surface 418a and the second light emission side top surface 418b. The light emission side connection surface 418c is connected to the light emission side base outer surface 416. The light emitting side connection surface 418c is located between the light emitting side base outer surface 416 and the light emitting surface 48 as viewed in the direction Z. The light emitting side connection surface 418c is flat. In the present embodiment, the light emission side connection surface 418c is located on the same plane as the first light emission side top surface 418a and the second light emission side top surface 418b.

発光側接続面418cの方向Xにおける最小寸法L43は、第1発光側頂面418aの方向Xにおける寸法L41、および、第2発光側頂面418bの方向Xにおける寸法L42のいずれよりも小さい。   The minimum dimension L43 in the direction X of the light emitting side connection surface 418c is smaller than both the dimension L41 in the direction X of the first light emitting side top surface 418a and the dimension L42 in the direction X of the second light emitting side top surface 418b.

図49に示すように、フォトインタラプタ300は、実装基板871に配置されたのち、部品875の凹部に配置される。なお、本実施形態では、実装基板871はフレキシブル基板である。部品875の凹部にフォトインタラプタ300が配置される際、上述の第1受光側頂面318a、第2受光側頂面318b、第1発光側頂面418a、および第2発光側頂面418bは、部品875の面876に押し付けられる。これにより、フォトインタラプタ300は、部品875に対し固定される。   As shown in FIG. 49, the photo interrupter 300 is arranged on the mounting substrate 871 and then arranged in the recess of the component 875. In the present embodiment, the mounting substrate 871 is a flexible substrate. When the photo interrupter 300 is disposed in the recess of the component 875, the first light receiving side top surface 318a, the second light receiving side top surface 318b, the first light emitting side top surface 418a, and the second light emitting side top surface 418b are Pressed against face 876 of part 875. Thereby, the photo interrupter 300 is fixed to the component 875.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。   Next, the effect of this embodiment is demonstrated.

本実施形態によると、フォトインタラプタ200と同様の作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。   According to the present embodiment, in addition to the same functions and effects as those of the photo interrupter 200, the following functions and effects are achieved.

本実施形態においては、第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bは、各々が基材1の位置する側とは反対側を向く。受光側接続面318cは、第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bを接続している。第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bは、方向Yに離間している。受光側接続面318cの方向Xにおける最小寸法L33は、第1受光側頂面318aの方向Xにおける寸法L31、および、第2受光側頂面318bの方向Xにおける寸法L32のいずれよりも小さい。このような構成によると、受光側樹脂部3のうち方向Z1側の部分の強度を向上させることができる。これにより、第1受光側頂面318aや第2受光側頂面318bが面876に押し付けられた際に、受光側樹脂部3のうち、第1受光側頂面318aや第2受光側頂面318bを構成する部分が破損することを防止できる。   In the present embodiment, the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b each face the side opposite to the side on which the substrate 1 is located. The light receiving side connection surface 318c connects the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b. The first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b are separated in the direction Y. The minimum dimension L33 in the direction X of the light receiving side connection surface 318c is smaller than both the dimension L31 in the direction X of the first light receiving side top surface 318a and the dimension L32 in the direction X of the second light receiving side top surface 318b. According to such a structure, the intensity | strength of the part by the side of direction Z1 among the light reception side resin parts 3 can be improved. Thus, when the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b are pressed against the surface 876, the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface of the light receiving side resin portion 3 are pressed. It can prevent that the part which comprises 318b is damaged.

本実施形態においては、受光側基部外面316は、基材1から離れるほど発光側樹脂部4に近づくように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。受光側基部外面316は、基材1の厚さ方向Z視において、第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bの間に位置する。このような構成によると、発光素子21からの赤外光L11をより多く受光素子22に至らせつつ、受光側樹脂部3のうち、第1受光側頂面318aおよび第2受光側頂面318bを構成する部分が破損することを防止できる。   In the present embodiment, the light receiving side base outer surface 316 is inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 so as to approach the light emitting side resin part 4 as the distance from the base material 1 increases. The light receiving side base outer surface 316 is located between the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b in the thickness direction Z view of the substrate 1. According to such a configuration, the first light receiving side top surface 318a and the second light receiving side top surface 318b of the light receiving side resin portion 3 are made while more infrared light L11 from the light emitting element 21 reaches the light receiving element 22. Can be prevented from being damaged.

本実施形態においては、第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bは、各々が基材1の位置する側とは反対側を向く。発光側接続面418cは、第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bを接続している。第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bは、方向Yに離間している。発光側接続面418cの方向Xにおける最小寸法L43は、第1発光側頂面418aの方向Xにおける寸法L41、および、第2発光側頂面418bの方向Xにおける寸法L42のいずれよりも小さい。このような構成によると、発光側樹脂部4のうち方向Z1側の部分の強度を向上させることができる。これにより、第1発光側頂面418aや第2発光側頂面418bが面876に押し付けられた際に、発光樹脂部4のうち、第1発光側頂面418a、および第2発光側頂面418bを構成する部分が破損することを防止できる。   In the present embodiment, each of the first light emission side top surface 418a and the second light emission side top surface 418b faces the side opposite to the side where the substrate 1 is located. The light emission side connection surface 418c connects the first light emission side top surface 418a and the second light emission side top surface 418b. The first light emitting side top surface 418a and the second light emitting side top surface 418b are separated in the direction Y. The minimum dimension L43 in the direction X of the light emitting side connection surface 418c is smaller than both the dimension L41 in the direction X of the first light emitting side top surface 418a and the dimension L42 in the direction X of the second light emitting side top surface 418b. According to such a structure, the intensity | strength of the part by the side of direction Z1 among the light emission side resin parts 4 can be improved. Thereby, when the 1st light emission side top surface 418a and the 2nd light emission side top surface 418b are pressed on the surface 876, among the light emitting resin parts 4, the 1st light emission side top surface 418a and the 2nd light emission side top surface It can prevent that the part which comprises 418b breaks.

本実施形態においては、発光側基部外面416は、基材1から離れるほど受光側樹脂部3に近づくように、基材1の厚さ方向Zに対し傾斜している。発光側基部外面416は、基材1の厚さ方向Z視において、第1発光側頂面418aおよび第2発光側頂面418bの間に位置する。このような構成によると、発光素子21からの赤外光L11をより多く受光素子22に至らせつつ、発光側樹脂部4のうち、第1発光側頂面418aや第2発光側頂面418bを構成する部分が破損することを防止できる。   In the present embodiment, the light-emitting side base outer surface 416 is inclined with respect to the thickness direction Z of the base material 1 so as to approach the light-receiving side resin part 3 as the distance from the base material 1 increases. The light emitting side base outer surface 416 is located between the first light emitting side top surface 418a and the second light emitting side top surface 418b in the thickness direction Z view of the substrate 1. According to such a configuration, the first light emitting side top surface 418a and the second light emitting side top surface 418b of the light emitting side resin portion 4 are made while more infrared light L11 from the light emitting element 21 reaches the light receiving element 22. Can be prevented from being damaged.

本実施形態においては、第1受光側頂面318a、第2受光側頂面318b、第1発光側頂面418a、および第2発光側頂面418bは、いずれも同一平面上に位置する。このような構成によると、部品875の面876が平坦である場合に、第1受光側頂面318a、第2受光側頂面318b、第1発光側頂面418a、および第2発光側頂面418bいずれもを、面875に当接させやすい。これにより、確実にフォトインタラプタ300を部品375に固定できる。   In the present embodiment, the first light receiving side top surface 318a, the second light receiving side top surface 318b, the first light emitting side top surface 418a, and the second light emitting side top surface 418b are all located on the same plane. According to such a configuration, when the surface 876 of the component 875 is flat, the first light receiving side top surface 318a, the second light receiving side top surface 318b, the first light emitting side top surface 418a, and the second light emitting side top surface. Any of 418b can be easily brought into contact with the surface 875. Thereby, the photo interrupter 300 can be reliably fixed to the component 375.

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、受光側樹脂部3は、受光側隆起部34を含んでいなくてもよい。この場合、受光側基部側面311が光入射面を構成する。発光側樹脂部4は、発光側隆起部44を含んでいなくてもよい。この場合、発光側基部側面411が光出射面を構成する。なお、受光側樹脂部3が受光側隆起部34を含んでいない構成や、発光側樹脂部4が発光側隆起部44を含んでいない構成は、たとえば、光出射面48を形成するために治具887(図23参照)を用いる場合などに採用するとよい。   The present invention is not limited to the embodiment described above. The specific configuration of each part of the present invention can be changed in various ways. For example, the light-receiving side resin portion 3 may not include the light-receiving side raised portion 34. In this case, the light receiving side base side surface 311 constitutes a light incident surface. The light emitting side resin portion 4 may not include the light emitting side raised portion 44. In this case, the light emission side base side surface 411 constitutes a light emission surface. The configuration in which the light-receiving side resin portion 3 does not include the light-receiving side raised portion 34 and the configuration in which the light-emitting side resin portion 4 does not include the light-emitting side raised portion 44 are cured to form the light emitting surface 48, for example. It may be adopted when the tool 887 (see FIG. 23) is used.

800 実装構造
100,101,102,103,104,105,200,201,300 フォトインタラプタ
1,1’ 基材
11 基板
111 主面
112 裏面
113 側面
118 コーナー溝
12 主面電極
121 受光側ダイパッド
122 受光側ワイヤボンディングパッド
124 発光側ダイパッド
125 発光側ワイヤボンディングパッド
126 連絡配線部
127 四半環状部
13 裏面電極
131 実装パッド
136 連絡配線部
137 四半環状部
14 連絡電極
21 発光素子22 受光素子
221 受光面
3,3’ 受光側樹脂部
31 受光側基部
311 受光側基部側面
313,314,315,316,317 受光側基部外面
318a 第1受光側頂面
318b 第2受光側頂面
318c 受光側接続面
32 受光側突出部
321 受光側突出部側面
322 受光側突出部外面
326 受光側連絡面
34,34’ 受光側隆起部
351 第1受光側傾斜部
352 第2受光側傾斜部
353 受光側連絡部
38 光入射面
381 第1入射部
382 第2入射部
4,4’ 発光側樹脂部
41 発光側基部
411 発光側基部側面
413,414,415,416,417 発光側基部外面
418a 第1発光側頂面
418b 第2発光側頂面
418c 発光側接続面
42 発光側突出部
421 発光側突出部側面
422 発光側突出部外面
426 発光側連絡面
44,44’ 発光側隆起部
451 第1発光側傾斜部
452 第2発光側傾斜部
453 発光側連絡部
48 光出射面
481 第1出射部
482 第2出射部
51,51’ 透光樹脂部
511 端面
59 空隙
6,6’ 遮光膜
61 受光側被覆部
62 発光側被覆部
63 基材被覆部
68 第1層
69 第2層
76 アンダーコート層
79 ワイヤ
791 切断面811 遮蔽部材
861 線分
871 実装基板
872 ハンダ層
875 部品
876 面
886 ダイシングブレード
887 治具
89 透光樹脂体
C1 中心
L11 赤外光
X,X1,X2,Y,Y1,Y2,Z,Z1,Z2 方向
θ11,θ12,θ13,θ21,θ22,θ23 角度
800 Mounting structure 100, 101, 102, 103, 104, 105, 200, 201, 300 Photo interrupter 1, 1 'Base material 11 Substrate 111 Main surface 112 Back surface 113 Side surface 118 Corner groove 12 Main surface electrode 121 Light receiving side die pad 122 Light receiving Side wire bonding pad 124 Light emitting side die pad 125 Light emitting side wire bonding pad 126 Connection wiring portion 127 Quadrant ring portion 13 Back electrode 131 Mounting pad 136 Connection wiring portion 137 Quad ring shape portion 14 Contact electrode 21 Light emitting element 22 Light receiving element 221 Light receiving surface 3 3 'light receiving side resin part 31 light receiving side base part 311 light receiving side base part side face 313, 314, 315, 316, 317 light receiving side base outer surface 318a first light receiving side top face 318b second light receiving side top face 318c light receiving side connection face 32 light receiving side Protruding part 321 Light receiving side protruding part side surface 32 2 Light-receiving-side protruding portion outer surface 326 Light-receiving-side connecting surfaces 34, 34 'Light-receiving-side raised portion 351 First light-receiving-side inclined portion 352 Second light-receiving-side inclined portion 353 Light-receiving-side connecting portion 38 Light incident surface 381 First incident portion 382 Second Incident portion 4, 4 'Light emitting side resin portion 41 Light emitting side base portion 411 Light emitting side base side surface 413, 414, 415, 416, 417 Light emitting side base outer surface 418a First light emitting side top surface 418b Second light emitting side top surface 418c Light emitting side connection Surface 42 Light-emitting side protruding portion 421 Light-emitting side protruding portion side surface 422 Light-emitting side protruding portion outer surface 426 Light-emitting side connecting surface 44, 44 ′ Light-emitting side raised portion 451 First light-emitting side inclined portion 452 Second light-emitting side inclined portion 453 Light-emitting side connecting portion 48 Light exit surface 481 First exit portion 482 Second exit portion 51, 51 ′ Translucent resin portion 511 End surface 59 Cavity 6, 6 ′ Light shielding film 61 Light receiving side covering portion 62 Light emitting side covering portion 63 Base material covering portion 68 First 1st layer 69 2nd layer 76 Undercoat layer 79 Wire 791 Cut surface 811 Shield member 861 Line segment 871 Mounting substrate 872 Solder layer 875 Component 876 Surface 886 Dicing blade 887 Jig 89 Translucent resin body C1 Center L11 Infrared light X, X1, X2, Y, Y1, Y2, Z, Z1, Z2 Direction θ11, θ12, θ13, θ21, θ22, θ23 Angle

Claims (31)

基材と、
前記基材に配置された発光素子と、
前記基材に配置された受光素子と、
前記受光素子を覆う、透光性の受光側樹脂部と、
前記発光素子を覆う、透光性の発光側樹脂部と、
前記受光側樹脂部および前記発光側樹脂部を少なくとも前記受光素子と前記発光素子との対向を妨げつつ覆う遮光膜と、を備え、
前記発光素子と前記受光素子とは、前記基材の厚さ方向において重なっており、
前記発光側樹脂部は、前記受光側樹脂部に対し第1方向であり且つ前記受光素子と前記発光素子とが重なる平面に空隙を介して離間し、
前記遮光膜は、前記受光側樹脂部に密着形成された部分と、前記発光側樹脂部に密着形成された部分とが、前記第1方向において前記空隙を介して離間しており、
前記受光側樹脂部は、前記遮光膜から露出する光入射面を有し、前記発光側樹脂部は、前記遮光膜から露出するとともに前記基材の厚さ方向において前記発光素子よりも前記基材から遠い位置に配置された光出射面を有し、前記光入射面および前記光出射面はいずれも、前記空隙に臨み、
前記発光素子から出射された光は、前記光出射面から前記受光側樹脂部に向けて出射され
前記光入射面は、前記発光側樹脂部の位置する側を向く第1入射部と、前記第1入射部よりも前記発光側樹脂部に近接する位置に配置された第2入射部と、を有し、前記第2入射部は、前記第1入射部の向く方向とは異なる方向を向く、フォトインタラプタ。
A substrate;
A light emitting device disposed on the substrate;
A light receiving element disposed on the substrate;
A light-transmitting light-receiving side resin portion covering the light-receiving element;
A light-transmitting light-emitting side resin portion covering the light-emitting element;
A light shielding film that covers at least the light receiving element and the light emitting element while preventing the light receiving element and the light emitting element from facing each other.
The light emitting element and the light receiving element overlap in the thickness direction of the base material,
The light emitting side resin portion is in a first direction with respect to the light receiving side resin portion, and is spaced apart from the plane where the light receiving element and the light emitting element overlap through a gap,
In the light shielding film, a portion formed in close contact with the light receiving side resin portion and a portion formed in close contact with the light emitting side resin portion are separated from each other through the gap in the first direction.
The light-receiving side resin portion has a light incident surface exposed from the light-shielding film, and the light-emitting side resin portion is exposed from the light-shielding film and has a thickness greater than that of the light-emitting element in the base material. A light exit surface arranged at a position far from the light entrance surface and the light exit surface both face the gap,
The light emitted from the light emitting element is emitted from the light emitting surface toward the light receiving side resin portion ,
The light incident surface includes a first incident part facing the side where the light emitting side resin part is located, and a second incident part disposed closer to the light emitting side resin part than the first incident part. And the second incident part faces a direction different from a direction of the first incident part .
前記第2入射部は、前記基材の厚さ方向のうち前記基材から前記受光側樹脂部に向かう方向と同一方向を向く、請求項に記載のフォトインタラプタ。 2. The photointerrupter according to claim 1 , wherein the second incident portion faces the same direction as a direction from the base material toward the light receiving side resin portion in a thickness direction of the base material. 前記第2入射部は、前記基材から離れるにつれて前記発光側樹脂部の位置する側とは反対側に向かうように、前記基材の厚さ方向に対し傾斜している、請求項に記載のフォトインタラプタ。 The second incident portion, to face the side opposite to the side on which the position of the light emitting side resin section with increasing distance from the substrate is inclined with respect to the thickness direction of the substrate, according to claim 1 Photo interrupter. 前記遮光膜は、0.01〜100μmの厚さである、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のフォトインタラプタ。 The photo interrupter according to claim 1, wherein the light shielding film has a thickness of 0.01 to 100 μm. 前記遮光膜は、前記基材を覆い且つ前記空隙に臨む基材被覆部を有し、
前記光出射面および前記光入射面は、いずれも、前記基材の厚さ方向において、前記基材被覆部に対し離間している、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のフォトインタラプタ。
The light-shielding film has a substrate covering portion that covers the substrate and faces the gap,
5. The photointerrupter according to claim 1 , wherein each of the light emitting surface and the light incident surface is separated from the base material covering portion in the thickness direction of the base material. .
前記受光側樹脂部は、前記受光素子を覆う受光側基部を含み、前記受光側基部は、前記基材に接する、請求項1ないし請求項のいずれかに記載のフォトインタラプタ。 The light receiving side resin section includes a light-receiving side base covering the light receiving element, the light receiving side base is in contact with the substrate, the photo-interrupter according to any one of claims 1 to 5. 前記受光側樹脂部は、前記発光側樹脂部の位置する側に前記受光側基部から突出する受光側突出部を含み、前記受光側突出部は、前記基材に接する、請求項に記載のフォトインタラプタ。 The light receiving side resin section includes a light-receiving-side protrusion protruding from the light-receiving side base on the side position of the light emitting side resin section, the light receiving side projection is in contact with the substrate, according to claim 6 Photo-interrupter. 前記第1方向と前記基材の厚さ方向といずれの方向にも直交する第2方向において、前記受光側突出部の寸法は、前記受光素子の寸法よりも大きい、請求項に記載のフォトインタラプタ。 8. The photo according to claim 7 , wherein a dimension of the light receiving side protruding portion is larger than a dimension of the light receiving element in a second direction orthogonal to both the first direction and the thickness direction of the base material. Interruptor. 前記受光側突出部は、前記発光側樹脂部の位置する側を向く受光側突出部側面を有する、請求項に記載のフォトインタラプタ。 The photo interrupter according to claim 8 , wherein the light receiving side protruding portion has a light receiving side protruding portion side surface facing a side where the light emitting side resin portion is located. 前記受光側突出部側面は、前記基材から離れるにつれて前記発光側樹脂部の位置する側とは反対側に向かうように、前記基材の厚さ方向に対し傾斜している、請求項に記載のフォトインタラプタ。 The light receiving side projection side surface, said to face the side opposite to the side on which the position of the light emitting side resin section with increasing distance from the substrate is inclined with respect to the thickness direction of the substrate, to claim 9 The described photo interrupter. 前記受光側樹脂部は、前記発光側樹脂部の位置する側に前記受光側基部から隆起する受光側隆起部を含み、
前記受光側隆起部は、前記光入射面を構成しており、
前記受光側突出部は、前記受光側突出部側面と前記受光側基部とにつながる受光側連絡面を有し、
前記受光側隆起部は、前記受光側連絡面から隆起している、請求項または請求項10に記載のフォトインタラプタ。
The light receiving side resin portion includes a light receiving side raised portion that protrudes from the light receiving side base portion on the side where the light emitting side resin portion is located,
The light-receiving side raised portion constitutes the light incident surface,
The light receiving side protruding portion has a light receiving side connecting surface connected to the light receiving side protruding portion side surface and the light receiving side base portion,
The photo interrupter according to claim 9 or 10 , wherein the light receiving side raised portion is raised from the light receiving side communication surface.
前記受光側樹脂部は、前記発光側樹脂部の位置する側に前記受光側基部から隆起する受光側隆起部を含み、
前記受光側隆起部は、前記光入射面を構成している、請求項ないし請求項10のいずれかに記載のフォトインタラプタ。
The light receiving side resin portion includes a light receiving side raised portion that protrudes from the light receiving side base portion on the side where the light emitting side resin portion is located,
The photo interrupter according to any one of claims 6 to 10 , wherein the light receiving side raised portion constitutes the light incident surface.
前記受光側基部は、前記発光側樹脂部の位置する側を向く受光側基部側面を有し、
前記受光側基部側面の少なくとも一部は、前記光入射面よりも前記基材から離間している側に位置する、請求項ないし請求項12のいずれかに記載のフォトインタラプタ。
The light receiving side base has a light receiving side base side facing the side where the light emitting side resin part is located,
The photo interrupter according to any one of claims 6 to 12 , wherein at least a part of the side surface of the light receiving side base portion is located on a side farther from the base material than the light incident surface.
前記発光側樹脂部は、前記発光素子を覆う発光側基部を含み、前記発光側基部は、前記基材に接する、請求項1ないし請求項13のいずれかに記載のフォトインタラプタ。 The photointerrupter according to any one of claims 1 to 13 , wherein the light emitting side resin portion includes a light emitting side base portion that covers the light emitting element, and the light emitting side base portion is in contact with the base material. 前記発光側樹脂部は、前記受光側樹脂部の位置する側に前記発光側基部から突出する発光側突出部を含み、前記発光側突出部は、前記基材に接する、請求項14に記載のフォトインタラプタ。 The light emitting side resin part includes a light-emitting-side protrusion protruding from the light-emitting side base on the side position of the light receiving side resin section, the light-emitting-side protruding portion is in contact with the substrate, according to claim 14 Photo-interrupter. 前記発光側樹脂部は、前記受光側樹脂部の位置する側に前記発光側基部から隆起する発光側隆起部、を含み、
前記発光側隆起部は、前記光出射面を構成している、請求項14または請求項15に記載のフォトインタラプタ。
The light emitting side resin portion includes a light emitting side raised portion that protrudes from the light emitting side base portion on the side where the light receiving side resin portion is located,
The photo interrupter according to claim 14 or 15 , wherein the light emitting side raised portion constitutes the light emitting surface.
前記光出射面は、前記受光側樹脂部の位置する側を向く第1出射部と、前記第1出射部よりも前記受光側樹脂部に近接する位置に配置された第2出射部と、を有し、前記第2出射部は、前記第1出射部の向く方向とは異なる方向を向く、請求項1ないし請求項16のいずれかに記載のフォトインタラプタ。 The light emitting surface includes a first emitting portion facing the side where the light receiving side resin portion is located, and a second emitting portion disposed closer to the light receiving side resin portion than the first emitting portion. The photo interrupter according to any one of claims 1 to 16 , wherein the second emission part faces in a direction different from a direction in which the first emission part faces. 前記遮光膜は、黒色または灰色である、請求項1ないし請求項17のいずれかに記載のフォトインタラプタ。 The light shielding film is a black or gray, photo interrupter as claimed in any one of claims 1 to 17. 前記遮光膜は、前記受光側樹脂部および前記発光側樹脂部の少なくともいずれかに接する第1層と、前記第1層に積層された第2層と、を含み、前記第1層は、金属よりなり、前記第2層は、前記金属の酸化物よりなる、請求項1ないし請求項17のいずれかに記載のフォトインタラプタ。 The light shielding film includes a first layer in contact with at least one of the light receiving side resin portion and the light emitting side resin portion, and a second layer laminated on the first layer, wherein the first layer is a metal more it becomes, and the second layer consists of an oxide of the metal, the photo-interrupter according to any one of claims 1 to 17. 基材と、A substrate;
前記基材に配置された発光素子と、A light emitting device disposed on the substrate;
前記基材に配置された受光素子と、A light receiving element disposed on the substrate;
前記受光素子を覆う、透光性の受光側樹脂部と、A light-transmitting light-receiving side resin portion covering the light-receiving element;
前記発光素子を覆う、透光性の発光側樹脂部と、A light-transmitting light-emitting side resin portion covering the light-emitting element;
前記受光側樹脂部および前記発光側樹脂部を少なくとも前記受光素子と前記発光素子との対向を妨げつつ覆う遮光膜と、を備え、A light shielding film that covers at least the light receiving element and the light emitting element while preventing the light receiving element and the light emitting element from facing each other.
前記発光素子と前記受光素子とは、前記基材の厚さ方向において重なっており、The light emitting element and the light receiving element overlap in the thickness direction of the base material,
前記発光側樹脂部は、前記受光側樹脂部に対し第1方向であり且つ前記受光素子と前記発光素子とが重なる平面に空隙を介して離間し、The light emitting side resin portion is in a first direction with respect to the light receiving side resin portion, and is spaced apart from the plane where the light receiving element and the light emitting element overlap through a gap,
前記遮光膜は、前記受光側樹脂部に密着形成された部分と、前記発光側樹脂部に密着形成された部分とが、前記第1方向において前記空隙を介して離間しており、In the light shielding film, a portion formed in close contact with the light receiving side resin portion and a portion formed in close contact with the light emitting side resin portion are separated from each other through the gap in the first direction.
前記受光側樹脂部は、前記遮光膜から露出する光入射面を有し、前記発光側樹脂部は、前記遮光膜から露出するとともに前記基材の厚さ方向において前記発光素子よりも前記基材から遠い位置に配置された光出射面を有し、前記光入射面および前記光出射面はいずれも、前記空隙に臨み、The light-receiving side resin portion has a light incident surface exposed from the light-shielding film, and the light-emitting side resin portion is exposed from the light-shielding film and has a thickness greater than that of the light-emitting element in the base material. A light exit surface arranged at a position far from the light entrance surface and the light exit surface both face the gap,
前記発光素子から出射された光は、前記光出射面から前記受光側樹脂部に向けて出射され、The light emitted from the light emitting element is emitted from the light emitting surface toward the light receiving side resin portion,
前記遮光膜と、前記受光側樹脂部および前記発光側樹脂部の少なくともいずれかと、の間に介在する、透光性のアンダーコート層を更に備え、A light-transmitting undercoat layer interposed between the light-shielding film and at least one of the light-receiving side resin portion and the light-emitting side resin portion;
前記発光側樹脂部は、前記基材に接する発光側基部を含み、The light emitting side resin part includes a light emitting side base part in contact with the base material,
前記発光側基部は、第1発光側基部外面を有し、The light emitting side base has a first light emitting side base outer surface,
前記発光側基部は、第1発光側頂面と、第2発光側頂面と、発光側接続面と、を有し、The light emitting side base has a first light emitting side top surface, a second light emitting side top surface, and a light emitting side connection surface,
前記第1発光側頂面および前記第2発光側頂面は、各々が前記基材の位置する側とは反対側を向き、Each of the first light emission side top surface and the second light emission side top surface faces the side opposite to the side where the substrate is located,
前記発光側接続面は、前記第1発光側頂面および前記第2発光側頂面を接続し、The light emitting side connection surface connects the first light emitting side top surface and the second light emitting side top surface,
前記第1発光側頂面および前記第2発光側頂面は、前記第1方向および前記厚さ方向のいずれにも直交する第2方向に離間しており、The first light emitting side top surface and the second light emitting side top surface are separated in a second direction orthogonal to both the first direction and the thickness direction,
前記発光側接続面の前記第1方向における最小寸法は、前記第1発光側頂面の前記第1方向における寸法、および、前記第2発光側頂面の前記第1方向における寸法のいずれよりも小さい、フォトインタラプタ。  The minimum dimension of the light emitting side connection surface in the first direction is greater than both the dimension of the first light emitting side top surface in the first direction and the dimension of the second light emitting side top surface in the first direction. Small photo interrupter.
前記第1発光側基部外面は、前記基材から離れるほど前記受光側樹脂部に近づくように、前記基材の厚さ方向に対し傾斜しており、
前記第1発光側基部外面は、前記基材の厚さ方向視において、前記第1発光側頂面および前記第2発光側頂面の間に位置する、請求項20に記載のフォトインタラプタ。
The first light emission side base outer surface is inclined with respect to the thickness direction of the base material so as to approach the light receiving side resin part as the distance from the base material increases.
21. The photointerrupter according to claim 20 , wherein the outer surface of the first light emitting side base portion is located between the first light emitting side top surface and the second light emitting side top surface when viewed in the thickness direction of the base material.
前記受光側樹脂部は、前記受光素子を覆う受光側基部を含み、前記受光側基部は、第1受光側頂面と、第2受光側頂面と、受光側接続面と、を有し、
前記第1受光側頂面および前記第2受光側頂面は、各々が前記基材の位置する側とは反対側を向き、
前記受光側接続面は、前記第1受光側頂面および前記第2受光側頂面を接続し、
前記第1受光側頂面および前記第2受光側頂面は、前記第1方向および前記厚さ方向のいずれにも直交する第2方向に離間しており、
前記受光側接続面の前記第1方向における最小寸法は、前記第1受光側頂面の前記第1方向における寸法、および、前記第2受光側頂面の前記第1方向における寸法のいずれよりも小さい、請求項20または請求項21に記載のフォトインタラプタ。
The light receiving side resin portion includes a light receiving side base portion that covers the light receiving element, and the light receiving side base portion includes a first light receiving side top surface, a second light receiving side top surface, and a light receiving side connection surface,
Each of the first light receiving side top surface and the second light receiving side top surface faces the side opposite to the side on which the substrate is located,
The light receiving side connection surface connects the first light receiving side top surface and the second light receiving side top surface,
The first light receiving side top surface and the second light receiving side top surface are spaced apart in a second direction orthogonal to both the first direction and the thickness direction,
The minimum dimension of the light receiving side connection surface in the first direction is greater than both the dimension of the first light receiving side top surface in the first direction and the dimension of the second light receiving side top surface in the first direction. The photointerrupter according to claim 20 or 21, which is small.
記受光側基部は、第1受光側基部外面を有し、
前記第1受光側基部外面は、前記基材から離れるほど前記発光側樹脂部に近づくように、前記基材の厚さ方向に対し傾斜しており、
前記第1受光側基部外面は、前記基材の厚さ方向視において、前記第1受光側頂面および前記第2受光側頂面の間に位置する、請求項22に記載のフォトインタラプタ。
Before Symbol receiving side base includes a first light-receiving side base outer surface,
The outer surface of the first light receiving side base portion is inclined with respect to the thickness direction of the base material so as to approach the light emitting side resin portion as the distance from the base material increases.
23. The photointerrupter according to claim 22 , wherein the first light receiving side base outer surface is located between the first light receiving side top surface and the second light receiving side top surface when viewed in the thickness direction of the base material.
前記第1受光側頂面、前記第2受光側頂面、前記第1発光側頂面、および前記第2発光側頂面は、いずれも同一平面上に位置する、請求項22または請求項23に記載のフォトインタラプタ。 The first light receiving side top surface, the second light-receiving-side top surface, the first light emitting side top surface, and the second light emitting side top surface are all positioned on the same plane, according to claim 22 or claim 23 The photo interrupter described in 1. 基材と、A substrate;
前記基材に配置された発光素子と、A light emitting device disposed on the substrate;
前記基材に配置された受光素子と、A light receiving element disposed on the substrate;
前記受光素子を覆う、透光性の受光側樹脂部と、A light-transmitting light-receiving side resin portion covering the light-receiving element;
前記発光素子を覆う、透光性の発光側樹脂部と、A light-transmitting light-emitting side resin portion covering the light-emitting element;
前記受光側樹脂部および前記発光側樹脂部を少なくとも前記受光素子と前記発光素子との対向を妨げつつ覆う遮光膜と、を備え、A light shielding film that covers at least the light receiving element and the light emitting element while preventing the light receiving element and the light emitting element from facing each other.
前記発光素子と前記受光素子とは、前記基材の厚さ方向において重なっており、The light emitting element and the light receiving element overlap in the thickness direction of the base material,
前記発光側樹脂部は、前記受光側樹脂部に対し第1方向であり且つ前記受光素子と前記発光素子とが重なる平面に空隙を介して離間し、The light emitting side resin portion is in a first direction with respect to the light receiving side resin portion, and is spaced apart from the plane where the light receiving element and the light emitting element overlap through a gap,
前記遮光膜は、前記受光側樹脂部に密着形成された部分と、前記発光側樹脂部に密着形成された部分とが、前記第1方向において前記空隙を介して離間しており、In the light shielding film, a portion formed in close contact with the light receiving side resin portion and a portion formed in close contact with the light emitting side resin portion are separated from each other through the gap in the first direction.
前記受光側樹脂部は、前記遮光膜から露出する光入射面を有し、前記発光側樹脂部は、前記遮光膜から露出するとともに前記基材の厚さ方向において前記発光素子よりも前記基材から遠い位置に配置された光出射面を有し、前記光入射面および前記光出射面はいずれも、前記空隙に臨み、The light-receiving side resin portion has a light incident surface exposed from the light-shielding film, and the light-emitting side resin portion is exposed from the light-shielding film and has a thickness greater than that of the light-emitting element in the base material. A light exit surface arranged at a position far from the light entrance surface and the light exit surface both face the gap,
前記発光素子から出射された光は、前記光出射面から前記受光側樹脂部に向けて出射され、The light emitted from the light emitting element is emitted from the light emitting surface toward the light receiving side resin portion,
前記光出射面は、前記受光側樹脂部の位置する側を向く第1出射部と、前記第1出射部よりも前記受光側樹脂部に近接する位置に配置された第2出射部と、を有し、前記第2出射部は、前記第1出射部の向く方向とは異なる方向を向く、フォトインタラプタ。The light emitting surface includes a first emitting portion facing the side where the light receiving side resin portion is located, and a second emitting portion disposed closer to the light receiving side resin portion than the first emitting portion. And the second emission part faces a direction different from a direction of the first emission part.
前記基材は、主面および裏面を有する基板と、前記主面に形成された主面電極と、前記裏面に形成された裏面電極と、を含む、請求項1ないし請求項25のいずれかに記載のフォトインタラプタ。 The substrate is a substrate having a main surface and a back surface, the principal surface electrode formed on the main surface, including a backside electrode formed on the back surface, to any one of claims 1 to 25 The described photo interrupter. 前記主面電極は、前記受光素子が配置された受光側ダイパッドを有し、前記光入射面は、前記基材の厚さ方向視において、前記受光側ダイパッドと重なる位置に配置されている、請求項26に記載のフォトインタラプタ。 The main surface electrode has a light receiving side die pad on which the light receiving element is disposed, and the light incident surface is disposed at a position overlapping the light receiving side die pad in the thickness direction of the base material. Item 27. The photo interrupter according to Item 26 . 前記基材は、前記主面電極および前記裏面電極につながる連絡電極を含む、請求項26または請求項27に記載のフォトインタラプタ。 28. The photointerrupter according to claim 26 or claim 27 , wherein the base material includes a connection electrode connected to the main surface electrode and the back surface electrode. 前記連絡電極は、前記基板を貫通している、請求項28に記載のフォトインタラプタ。 The photointerrupter according to claim 28 , wherein the communication electrode penetrates the substrate. 前記基板は、矩形状を呈し、前記基板には、前記基材の厚さ方向視において前記基板の角に位置するコーナー溝が形成されており、前記連絡電極は、前記コーナー溝に形成されている、請求項28に記載のフォトインタラプタ。 The substrate has a rectangular shape, and the substrate has corner grooves positioned at corners of the substrate as viewed in the thickness direction of the base material, and the connection electrodes are formed in the corner grooves. The photo interrupter according to claim 28 . 請求項1ないし請求項30のいずれかに記載のフォトインタラプタと、
実装基板と、
前記実装基板および前記フォトインタラプタとの間に介在するハンダ層と、を備える、フォトインタラプタの実装構造。
A photo interrupter according to any of claims 1 to 30 ,
A mounting board;
A mounting structure for a photo interrupter, comprising: a solder layer interposed between the mounting substrate and the photo interrupter.
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