JP2010114146A - 4探針抵抗率測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を検出する4探針プローブと、4探針プローブを鉛直方向に駆動する駆動部と、4探針プローブの鉛直方向の位置情報を検出する検出部と、ウェハを載置するためのステージを回転する回転駆動部と、ステージの回転角を検出する角度検出部と、駆動部、回転駆動部、検出部及び角度検出部を用いて、ウェハ上の複数箇所において4探針プローブがウェハに接触する鉛直方向の位置情報を検出して記憶し、ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を測定する際に、記憶した複数の位置情報に基いて4探針プローブの鉛直方向の位置を補正した後に測定する制御部をもつ4探針抵抗率測定装置。
【選択図】図1
Description
特許文献1は、4探針抵抗率測定装置であり、ウェハを円盤状回転ステージに搭載して回転させ、4探針プローブまたは膜厚センサヘッドをウェハの半径方向に移動して配置することで、抵抗率測定や膜厚測定を行なうことができる技術が開示されている。
ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を検出する4探針プローブと、
前記4探針プローブを鉛直方向に駆動する駆動部と、
前記4探針プローブの鉛直方向の位置情報を検出する検出部と、
前記ウェハを載置するためのステージを回転する回転駆動部と、
前記ステージの回転角を検出する角度検出部と、
前記駆動部、前記回転駆動部、前記検出部及び前記角度検出部を用いて、前記ウェハ上の複数箇所において前記4探針プローブが前記ウェハに接触する鉛直方向の位置情報を検出して記憶し、前記ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を測定する際に、記憶した複数の位置情報に基いて前記4探針プローブの鉛直方向の位置を補正した後に測定する制御部と、
を具備することを特徴とする4探針抵抗率測定装置である。
図1は、本発明の一実施形態に係る4探針抵抗率測定装置の一例を示すブロック図、図2は機械的構成の一例、図3はステージを中心とした機械的構成の一例を示す上面図及び側面図である。
次に、上述した4探針抵抗率測定装置10において、降下量測定処理及びプローブ12の鉛直方向の位置補正処理をフローチャートを用いて説明する。図10は、降下量を測定する手順の一例を示すフローチャート、図11は、測定した降下量を用いて、抵抗率の各測定ポイントの抵抗率の測定を行う手順の一例を示すフローチャートである。
すなわち、4探針抵抗率測定装置10は、一例として、ステージ16を取り付けた際に、ユーザの操作部32の操作により、降下量測定モードとなり、ユーザはウェハやステージ16のサイズに合わせて測定ポイントを選択し決定する(ステップS11)。測定ポイントは、図5の説明図に示すように、例えば、300mmウェハであれば、原点に加え、30度刻みに、半径150mmにおいて、30mm刻みのポイント、すなわち、30mm、60mm、90mm、120mm、149mmの合計61箇所のポイントについて、プローブ12の降下量を測定する場合が好適である。また、ウェハWの大きさに従い、例えば、ウェハWが450mmなら、91箇所のポイントについて、プローブ12の降下量を測定することになる。
以下、ポイントPSにおける降下量の算出について説明する。ここでは、ポイントPSを70度、50mmの位置とし、図7に示した4点の測定値に基づいて求めるものとする。はじめに、制御部11は、pb1とpc1を結ぶ線上の50mm位置の降下量(パルス数)を比例配分で計算する。この直線の式を求めると、y={(502−505)/(60−30[mm])}*(x−30[mm])+505となる。従って、x=50の位置では、y=(−3/30)*20+505、すなわちy=503となる(図9(b))。
y={(509−506)/(60−30[mm])}*(x−30[mm])+506
となる。x=50の位置ではy=508となる。従って、図上のY1、Y2における降下量は、(503)、(508)となる。
次に、制御部11は、Y1、Y2の値を角度で比例配分してps位置の補正データを求める(ステップS24)。
となり、x=70の場合、y=504.7となる。パルス数に小数点はないので、降下量としてのパルス数は小数点以下を四捨五入して、505となる(図9(c))。
なお、前述したように、ウェハwは、バキュームによってステージ上に固定されるため、ゆがみが生じる場合がある。すなわち、ウェハWの表面は、厳密には平面とはならない。従って、ポイントPSを囲むポイントPSに最も近い4点の測定値を用いて降下量を求めることが好ましい。
図11のフローチャートの説明に戻ると、制御部11は、抵抗率測定メニュが示す全ての「抵抗率測定ポイント」の降下量を算出したかどうかを判断し(ステップS25)、算出していなければ、ステップS22から再び処理を繰り返す。制御部11が、抵抗率測定メニュが示す全ての「抵抗率測定ポイント」の降下量を算出したと判断すれば、各「抵抗率測定ポイント」において、算出した降下量に従ってプローブ12を下降させ、ウェハW上の各抵抗率を測定する(ステップS26)。これにより、ウェハW上の各「抵抗率測定ポイント」において、その凹凸に従ってプローブ12の位置が補正されるため、同一の圧力によりプローブ12が被検薄膜に接触することとなり、ウェハ上のどの位置でもプローブとウェハの接触の圧力が均一となるので、正確な抵抗率測定結果を得ることができる。
なお、プローブ上下駆動部15は、パルスモータに限られるものではなく、また、降下量はパルス数に代えて実際の移動距離([mm]など)で表現してもよい。さらに、ある基準測定ポイント(例えば原点)や、ある基準の降下量との差分を用い、降下量を補正値として表現してもよい。
Claims (2)
- ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を検出する4探針プローブと、
前記4探針プローブを鉛直方向に駆動する駆動部と、
前記4探針プローブの鉛直方向の位置情報を検出する検出部と、
前記ウェハを載置するためのステージを回転する回転駆動部と、
前記ステージの回転角を検出する角度検出部と、
前記駆動部、前記回転駆動部、前記検出部及び前記角度検出部を用いて、前記ウェハ上の複数箇所において前記4探針プローブが前記ウェハに接触する鉛直方向の位置情報を検出して記憶し、前記ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を測定する際に、記憶した複数の位置情報に基いて前記4探針プローブの鉛直方向の位置を決定して測定する制御部と、
を具備することを特徴とする4探針抵抗率測定装置。 - 前記制御部は、前記記憶した複数の位置情報のうち、前記ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を測定する位置を取り囲む複数の位置情報に基いて、前記4探針プローブの鉛直方向の位置を決定することを特徴とする請求項1に記載の4探針抵抗率測定装置。
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