JP2010100893A - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
成膜装置および成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010100893A JP2010100893A JP2008273001A JP2008273001A JP2010100893A JP 2010100893 A JP2010100893 A JP 2010100893A JP 2008273001 A JP2008273001 A JP 2008273001A JP 2008273001 A JP2008273001 A JP 2008273001A JP 2010100893 A JP2010100893 A JP 2010100893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- monitor
- holding member
- film
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 205
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 156
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 72
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】基板保持部材5にモニター用通路20が基板保持部材5の側面を貫通する形で形成されている。モニター用通路20の一端部にモニター基板21がその表面を基板保持部材5上の成膜基板の表面と同じ成膜条件とするように装着されている。成膜基板の成膜時にターゲットからスパッタされた粒子がモニター基板21の裏面に到達する経路を遮断する経路遮断手段22が設けられている。これにより、成膜時にモニター基板21の裏面に成膜される事態を回避でき、正確なモニター計測を行うことができる。
【選択図】図2
Description
[発明の実施の形態1]
[発明の実施の形態2]
[発明の実施の形態3]
[発明の実施の形態4]
[発明の実施の形態5]
[発明の実施の形態6]
[発明のその他の実施の形態]
2……チャンバ
3……成膜室
5……基板保持部材
6……ホルダ
7……成膜基板
11……第1ターゲット(ターゲット)
12……第2ターゲット(ターゲット)
13……酸化源
15……第1真空排気装置
16……第2真空排気装置
20……モニター用通路
21……モニター基板
22……開閉部材(モニター開閉機構、経路遮断手段)
22a……蓋体
22b……ヒンジ
22c……ストッパ
22d……蓋本体
22e……重錘
23……リファレンス用通路
25……モニター計測手段
25a……送光系
25b……受光系
26……ステー
27……シャッター(モニター開閉機構、経路遮断手段)
29……シールド(モニター開閉機構、リファレンス開閉機構、経路遮断手段)
29a、29b……丸孔
31……モニター基板(経路遮断手段)
CT1……基板保持部材の中心軸
Claims (11)
- 1枚以上の成膜基板を保持しうるドラム状の基板保持部材が回転自在に支持され、前記基板保持部材の周囲にターゲットが配設され、前記基板保持部材の側面に成膜基板が保持された状態で当該基板保持部材を回転させつつ、スパッタ法により、前記成膜基板の表面に薄膜を成膜する成膜装置であって、
前記基板保持部材にモニター用通路が当該基板保持部材の側面を貫通する形で形成され、
前記モニター用通路の一端部にモニター基板がその表面を前記基板保持部材上の成膜基板の表面と同じ成膜条件とするように装着され、
前記成膜基板の成膜時に前記ターゲットからスパッタされた粒子が前記モニター基板の裏面に到達する経路を遮断する経路遮断手段が設けられていることを特徴とする成膜装置。 - 前記基板保持部材は、ほぼ円筒状であり、その中心軸を中心として回転可能で、その側面に前記成膜基板および前記モニター基板を保持可能であることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記経路遮断手段は、前記成膜基板の成膜時に前記モニター用通路を閉塞するとともに、前記モニター基板のモニター計測時に前記モニター用通路を開放するモニター開閉機構であることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記モニター開閉機構は、前記成膜基板の成膜時に前記基板保持部材の回転に伴う遠心力を利用して前記モニター用通路を閉塞するとともに、前記モニター基板のモニター計測時に重力によって前記モニター用通路を開放するように、前記基板保持部材に設けられた開閉部材であることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- 前記モニター開閉機構は、前記モニター用通路を電磁的に開閉するシャッターであることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- 前記経路遮断手段は、前記成膜基板の成膜時に前記ターゲットからスパッタされた粒子の進路を遮蔽するとともに、前記モニター基板のモニター計測時に前記モニター基板を透過する光を通過させるように、前記基板保持部材の内部に配設されたシールドであることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記経路遮断手段は、前記モニター基板とは別個のモニター基板であって、その表面が前記基板保持部材上の成膜基板の表面と同じ成膜条件となるように前記モニター用通路の他端部に装着されたモニター基板であることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記基板保持部材には、前記モニター基板のモニター計測時に前記モニター基板を透過する光を校正するためのリファレンス光を透過させるリファレンス用通路が当該基板保持部材の側面を貫通する形で形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記成膜基板の成膜時に前記リファレンス用通路を閉塞するとともに、前記リファレンス光の透過時に前記リファレンス用通路を開放するリファレンス開閉機構が設けられていることを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
- 前記基板保持部材の内部には、前記成膜基板の成膜時に前記ターゲットからスパッタされた粒子の進路を遮蔽するとともに、前記リファレンス光の透過時に前記リファレンス用通路を開放するシールドが設けられていることを特徴とする請求項8または9に記載の成膜装置。
- 請求項1乃至10のいずれかに記載の成膜装置により、前記成膜基板に薄膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008273001A JP5163422B2 (ja) | 2008-10-23 | 2008-10-23 | 成膜装置および成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008273001A JP5163422B2 (ja) | 2008-10-23 | 2008-10-23 | 成膜装置および成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010100893A true JP2010100893A (ja) | 2010-05-06 |
JP5163422B2 JP5163422B2 (ja) | 2013-03-13 |
Family
ID=42291782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008273001A Active JP5163422B2 (ja) | 2008-10-23 | 2008-10-23 | 成膜装置および成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5163422B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9053883B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-06-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Gas circuit breaker |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7371450B2 (ja) | 2019-11-12 | 2023-10-31 | 株式会社アイシン | 巻線形成方法及び巻線形成装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10330934A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-15 | Natl Res Council Of Canada | コーティングを基板上に堆積する堆積方法および堆積装置 |
JPH11241162A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-09-07 | Natl Res Council Of Canada | 光学的にモニタできるスパッタリング方法及びそのための装置 |
WO2002063064A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Asahi Glass Company, Limited | Dispositif de projection et procede pour realiser un film de projection |
-
2008
- 2008-10-23 JP JP2008273001A patent/JP5163422B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10330934A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-15 | Natl Res Council Of Canada | コーティングを基板上に堆積する堆積方法および堆積装置 |
JPH11241162A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-09-07 | Natl Res Council Of Canada | 光学的にモニタできるスパッタリング方法及びそのための装置 |
WO2002063064A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Asahi Glass Company, Limited | Dispositif de projection et procede pour realiser un film de projection |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9053883B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-06-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Gas circuit breaker |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5163422B2 (ja) | 2013-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI242602B (en) | Thin film forming apparatus and method | |
US6649208B2 (en) | Apparatus and method for thin film deposition onto substrates | |
JP5443590B2 (ja) | スパッタリング装置及び電子デバイスの製造方法 | |
CN105607173B (zh) | 圆形径向渐变中性密度滤光片及其制备方法和装置 | |
CN1891848A (zh) | 光学镀膜装置 | |
JP4878632B2 (ja) | 光学式膜厚計及び光学式膜厚計を備えた薄膜形成装置 | |
JP5163422B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
CN101750639A (zh) | 光学镀膜装置 | |
JP4755475B2 (ja) | スパッタ装置 | |
JPH11241162A (ja) | 光学的にモニタできるスパッタリング方法及びそのための装置 | |
WO2009101909A1 (ja) | マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法 | |
JP2007113091A (ja) | 多層膜の形成方法 | |
WO2013186879A1 (ja) | 膜厚測定装置及び成膜装置 | |
TWI655305B (zh) | 薄膜製造裝置、薄膜製造方法 | |
JP2007051347A (ja) | 多層膜とその形成装置及び形成方法、及び多層膜を有する光学素子 | |
WO2015004755A1 (ja) | 光学式膜厚計,薄膜形成装置及び膜厚測定方法 | |
Alvarez et al. | High‐Rate Deposition of Stoichiometric Compounds by Reactive Magnetron Sputtering at Oblique Angles | |
JP3892525B2 (ja) | 膜厚モニタ装置ならびに真空蒸着方法および真空蒸着装置 | |
JP5649426B2 (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング成膜方法並びにスパッタリング装置の電源制御方法 | |
Thöny et al. | Innovative sputter system for high volume production of demanding optical interference coatings | |
KR20170105614A (ko) | 박막 형성 장치 | |
US20070110899A1 (en) | Thin-film deposition methods and apparatuses | |
JP4418179B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
TWI414616B (zh) | 光學鍍膜裝置 | |
JPH1171671A (ja) | 真空蒸着装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121203 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5163422 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151228 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |