JP2010097100A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】補助容量信号幹線のインピーダンスを低下させながらも点欠陥の修正が可能であり、しかも、非表示領域の面積増加を抑制する。
【解決手段】第１基板１１の非表示領域１６には、対向電極に対向信号を供給するための対向信号線２２と、表示領域１５に設けられた複数の補助容量信号線が接続された補助容量信号幹線２１と、対向信号線２２と補助容量信号幹線２１との導通状態をオン又はオフに切り替える第２スイッチング素子２５とが形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置及びその製造方法に関するものである。

近年、映像機器及び情報機器等において、高詳細な画像表示が可能であるアクティブマトリクス型の液晶表示装置の開発が進められている（例えば、特許文献１及び２等参照）。

アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素を有し、スイッチング素子基板としてのＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板と、これら対向基板及びＴＦＴ基板の間に設けられた液晶層とを備えている。対向基板には共通電極としての対向電極が形成される一方、ＴＦＴ基板には各画素毎に画素電極が形成されている。

ＴＦＴ基板には、各画素毎にスイッチング素子としてのＴＦＴが設けられている。また、複数の走査信号線及びデータ信号線が互いに交差するように形成され、それぞれ各ＴＦＴに接続されている。また、各画素毎に、印加電圧を保持するための補助容量を形成することも一般に知られている。

特許文献１には、画素毎に補助容量を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、行毎に設けられた補助容量線に所定電位を供給するための共通補助容量線に容量を付加することにより、寄生容量等を介して補助容量線に混入したノイズを吸収して補助容量線の電圧を安定化し、表示ムラやクロストークの発生を防止することが開示されている。

特許文献２に記載されているＴＦＴアレイ基板は、補助容量電極が、データ信号線との交差部を有しないように島状に形成され、かつこの補助容量電極の上層の絶縁層等にコンタクトホールが形成され、当該コンタクトホール内に対向基板側に形成された柱状スペーサが収容配置されている。そして、柱状スペーサの外周面を覆うように形成された対向電極と、アレイ基板側の補助容量電極とが、電気的に接続され、補助容量電極への給電を対向電極側から行なえるようになっている。
特開２００３−２０２５９２号公報 特開平１０−２６８３５６号公報

しかし、（１）走査信号線の本数が多くＴＦＴが導通している時間が短い場合、（２）データ信号線の本数が多く補助容量信号線の負荷が大きい場合、（３）補助容量信号幹線のインピーダンスが高い場合等において、ＴＦＴがオン状態である間に、データ信号線や補助容量信号線に印加された電圧が必要な所定電位まで到達しない虞がある。この場合、ＴＦＴがオフ状態となった後に、補助容量信号線の電位が変動してしまう結果、その電位の変動に比例して、同じ補助容量信号線に補助容量を介して接続されている全ての画素の液晶容量に印加される電圧も変動してしまうこととなる。また、この液晶容量への印加電圧の変動は、その印加電圧の大きさに応じて影響度合いが変化し、表示内容によっては横縞の表示ムラが生じてしまう。

そこで、通常は補助容量信号線に印加する信号が対向電極に印加する信号と同じであるため、図６に示すように、補助容量信号幹線１１１と対向信号線１１２とを互いに接続し、補助容量信号線及び補助容量信号幹線１１１のインピーダンスを低下させることが考えられる。

ここで、図６は液晶表示装置１００の構成を模式的に示している。液晶表示装置１００は、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２とを備え、表示領域１０３がパネル中央に形成されている。表示領域１０３の周囲は非表示領域１０４になっている。

ＴＦＴ基板１０１の非表示領域１０４には、対向基板１０２の対向電極（図示省略）に接続された転移電極としての対向電極接続部１１３が形成されている。また、ＴＦＴ基板１０１の非表示領域１０４には、上記対向電極接続部１１３に接続された対向信号線１１２と、表示領域１０３へ延びる複数の補助容量配線に共通の補助容量信号幹線１１１とが形成されている。そして、補助容量信号幹線１１１及び対向信号線１１２は、互いに接続されている。そのことにより、補助容量信号線及び補助容量信号幹線１１１のインピーダンスが低下されている。

ところで、一般に、液晶表示装置の検査工程において、画素不良である点欠陥が見つかった場合には、補助容量信号幹線１１１と対向信号線１１２との間に高い電圧を印加することにより、画素電極と対向電極との間の微小リークを焼き切って上記点欠陥を修正したり、これらの間を完全にショートさせることによって点欠陥が増加しないようにしている。したがって、このように点欠陥を修正するためには、図７に示すように、補助容量信号幹線１１１と対向信号線１１２とは互いに分離独立している必要がある。

しかしながら、補助容量信号幹線１１１と対向信号線１１２とを分離独立して形成すれば、点欠陥の修正が可能になるものの、上述のように、補助容量信号線及び補助容量信号幹線１１１のインピーダンスを低下することできないという問題がある。

このため、補助容量信号線および補助容量信号幹線１１１のインピーダンスを低下させるためには、補助容量信号幹線１１１の線幅を広くしなければならないが、その結果として、非表示領域（額縁領域とも称する）が拡大してしまう問題がある。

本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、アクティブマトリクス型の表示装置について、補助容量信号線及び補助容量信号幹線のインピーダンスを低下させながらも点欠陥の修正が可能であり、しかも、非表示領域の面積増加を抑制することにある。

上記の目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、該表示領域の外側に形成された非表示領域とを備えたアクティブマトリクス型の表示装置であって、第１スイッチング素子と、該第１スイッチング素子に接続された画素電極とが上記複数の画素毎にそれぞれ形成された第１基板と、上記第１基板に対向して配置され、上記画素電極に対向する対向電極が形成された第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備え、上記第１基板の上記非表示領域には、上記対向電極に対向信号を供給するための対向信号線と、上記表示領域に設けられた複数の補助容量信号線が接続された補助容量信号幹線と、上記対向信号線と補助容量信号幹線との導通状態をオン又はオフに切り替える第２スイッチング素子とが形成されている。

上記第２スイッチング素子は、トランジスタにより構成されていることが好ましい。

また、本発明に係る表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、該表示領域の外側に形成された非表示領域とを備えたアクティブマトリクス型の表示装置であって、第１スイッチング素子と、該第１スイッチング素子に接続された画素電極とが上記複数の画素毎にそれぞれ形成された第１基板と、上記第１基板に対向して配置され、上記画素電極に対向する対向電極が形成された第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備え、上記第１基板の上記非表示領域には、上記対向電極に対向信号を供給するための対向信号線と、上記表示領域に設けられた複数の補助容量信号線が接続された補助容量信号幹線と、上記対向信号線と上記補助容量信号幹線との間には、該対向信号線と補助容量信号幹線とを導通する信号接続部が設けられ、上記信号接続部は、上記補助容量信号幹線に接続された第１電極と、該第１電極に対向配置されて上記対向信号線に接続された第２電極と、上記第１電極及び上記第２電極の間に介在された絶縁膜と、該絶縁膜を貫通して上記第１電極及び第２電極を互いに導通させる導通部とを有している。

上記表示媒体層は液晶層であってもよい。

また、本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、該表示領域の外側に形成された非表示領域と、第１スイッチング素子、及び該第１スイッチング素子に接続された画素電極が上記複数の画素毎にそれぞれ形成された第１基板と、該第１基板に対向して配置され、上記画素電極に対向する対向電極が形成された第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備えたアクティブマトリクス型の表示装置を製造する方法であって、上記第１基板の上記非表示領域に、上記対向電極に対向信号を供給するための対向信号線と、上記表示領域に設けられた複数の補助容量信号線が接続された補助容量信号幹線とを形成する第１工程と、上記第１工程の後に行われ、上記複数の画素における表示の点欠陥の有無を検査する第２工程と、上記第２工程で上記点欠陥が検出された場合に行われ、上記補助容量信号幹線と上記対向信号線との間に電圧を印加することによって、上記点欠陥を修正する第３工程とを有し、上記第３工程では、上記補助容量信号幹線と上記対向信号線とを非導通状態にして上記点欠陥を修正する一方、当該点欠陥の修正後に、上記補助容量信号幹線と上記対向信号線とを導通状態にする。

上記第１工程では、上記第１基板の上記非表示領域に、上記対向信号線と上記補助容量信号幹線との導通状態をオン又はオフに切り替える第２スイッチング素子を形成し、上記第３工程では、上記第２スイッチング素子をオフにして上記点欠陥を修正する一方、当該点欠陥の修正後に、上記第２スイッチング素子をオンにするようにしてもよい。

上記第２スイッチング素子は、トランジスタにより構成されていることが好ましい。

上記第１工程では、上記第１基板の上記非表示領域に、上記補助容量信号幹線に接続された第１電極と、該第１電極に対向配置されて上記対向信号線に接続された第２電極と、上記第１電極及び上記第２電極の間に介在された絶縁膜とを形成し、上記第３工程では、上記点欠陥の修正後に、上記絶縁膜を貫通して上記第１電極及び第２電極を互いに導通させる導通部を形成することによって、上記補助容量信号幹線と上記対向信号線とを導通状態にするようにしてもよい。

上記導通部は、上記第１電極、上記絶縁膜及び上記第２電極にレーザ光を照射することによって形成することが好ましい。

上記表示媒体層は液晶層であってもよい。

−作用−
次に、本発明の作用について説明する。

本発明に係る表示装置は、対向信号線と補助容量信号幹線との導通状態をオン又はオフに切り替える第２スイッチング素子を設けるようにしたので、例えば、表示装置の製造段階における検査工程において画素の点欠陥が検出された場合に、第２スイッチング素子をオフにして、対向信号線と補助容量信号幹線とを非導通状態とし、補助容量信号幹線と対向信号線との間に高い電圧を印加することによって、画素の点欠陥を修正することが可能になる。

一方、表示装置が表示を行うときは、第２スイッチング素子をオンにして、補助容量信号幹線と対向信号線とを導通状態とすることによって、補助容量信号線及び補助容量信号幹線のインピーダンスを低下させて表示ムラを抑制することが可能になる。

さらに、補助容量信号幹線を対向信号線と導通させることにより、補助容量信号幹線のインピーダンスを低下させるためにその配線幅を大きくする必要がないので、補助容量信号幹線の配線幅を狭く維持して、非表示領域の面積の増加を抑制することも可能になる。

また、本発明に係る表示装置は、対向信号線と補助容量信号幹線とを導通する信号接続部を備えているため、例えば、製造段階の検査工程において画素の点欠陥が検出された場合に、信号接続部の導通部を形成しないで上記第１電極と第２電極とを互いに絶縁した状態で、補助容量信号幹線と対向信号線との間に高い電圧を印加することによって、画素の点欠陥を修正することが可能になる。

一方、表示装置が表示を行うときは、上記導通部を形成して第１電極及び第２電極を互いに導通させることにより、補助容量信号線及び補助容量信号幹線のインピーダンスを低下させて表示ムラを抑制することが可能になる。

さらに、補助容量信号幹線を対向信号線と導通させることにより、補助容量信号幹線のインピーダンスを低下させるためにその配線幅を大きくする必要がないので、補助容量信号幹線の配線幅を狭く維持して、非表示領域の面積の増加を抑制することも可能になる。

本発明によれば、アクティブマトリクス型の表示装置について、その対向信号線と補助容量信号幹線とを導通状態又は非導通状態にすることができるため、補助容量信号線及び補助容量信号幹線のインピーダンスを低下させながらも点欠陥の修正が可能になり、しかも、非表示領域の面積増加を抑制することができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。また、本発明に係る表示装置の一例として、液晶表示装置を例に挙げて説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。

《発明の実施形態１》
図１〜図４は、本発明の実施形態１を示している。

図１は、本実施形態１の液晶表示装置１に形成された補助容量信号幹線２１及び対向信号線２２を示す概略平面図である。図２は、液晶表示装置１の回路構成を示すブロック図である。図３は、液晶表示装置１の画素１０を拡大して示す平面図である。図４は、液晶表示装置１の画素を拡大して示す回路図である。

液晶表示装置１は、図１、図３及び図４に示すように、複数の画素１０がマトリクス状に配置された表示領域１５と、表示領域１５の外側に形成された非表示領域１６とを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に構成されている。

液晶表示装置１は、図２に示すように、第１基板であるＴＦＴ基板１１と、このＴＦＴ基板１１に対向して配置された第２基板である対向基板１２との間に、図示しない表示媒体層としての液晶層を配置したものである。また、液晶表示装置１は、液晶パネル３１と、これを駆動制御する回路群とを備えている。液晶パネル３１は、ＴＦＴ基板１１、液晶層、対向基板１２とにより構成されている。

ＴＦＴ基板１１は、図３に示すように、各画素を構成する多数の画素電極４５が形成されている。また、横方向に走査信号線４１と補助容量信号線４３、縦方向にデータ信号線２４が、碁盤の目状に多数形成されると共に、これら走査信号線４１とデータ信号線２４との各交差部に、それぞれＴＦＴ４０が形成され、画素電極４５が設けられている。

ＴＦＴ基板１１には、図３に示すように、第１スイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin-Film Transistor：薄膜トランジスタ）４０と、ＴＦＴ４０に接続された画素電極４５とが複数の画素１０毎にそれぞれ形成されている。

すなわち、ＴＦＴ基板１１には、図３及び図４に示すように、複数の走査信号線４１が互いに平行に延びて形成されている。また、ＴＦＴ基板１１には、複数のデータ信号線４２が互いに平行に形成されており、上記走査信号線４１と直交するように配置されている。そのことにより、ＴＦＴ基板１１には、走査信号線４１及びデータ信号線４２からなる配線が格子状にパターン形成されている。各画素は、上記走査信号線４１とデータ信号線４２とによって区画される矩形状の領域により形成されている。

ＴＦＴ４０は、走査信号線４１及びデータ信号線４２に接続され、走査信号が走査信号線４１から印加された状態で、信号電圧をデータ信号線４２から画素電極４５へ供給するようになっている。

また、ＴＦＴ基板１１には、複数の補助容量信号線４３が各画素１０を通るように、互いに平行に形成されている。補助容量信号線４３は画素１０の略中央に配置された容量電極４４を有している。容量電極４４と画素電極４５との間には図示しない絶縁膜が介在されており、これらによって補助容量（Ｃｃｓ）５２が形成されている。また、各画素電極４５は、液晶容量（Ｃｌｃ）５１及び補助容量５２等により、印加されたデータ信号を、ＴＦＴ４０が遮断した後も保持できるようになっている。

対向基板１２には、図２に示すように、液晶層側表面の略全体に亘って対向電極１３が形成されている。対向電極１３は、ＴＦＴ基板１１側の各画素電極４５に対向して配置されると共に、各画素電極４５に共通の電極となっている。

一方、ＴＦＴ基板１１の非表示領域１６には、図１に示すように、対向電極１３に対向信号を供給するための対向信号線２２と、表示領域１５に設けられた上記複数の補助容量信号線４３が接続された補助容量信号幹線２１とが形成されている。

また、ＴＦＴ基板１１の非表示領域１６には、その隅部分に、対向電極１３に接続された転移電極としての対向電極接続部２０が形成されている。一方、対向信号線２２は、対向電極接続部２０に接続されている。すなわち、対向信号線２２は、対向電極接続部２０を介して対向電極１３に接続されている。

ここで、液晶表示装置１の回路構成について、図２を参照して説明する。

液晶表示装置１におけるＴＦＴ基板１１の各走査信号線４１は、スキャンドライバ３２に接続され、各データ信号線２４は、セグメントドライバ３３に接続されている。

そして、図示しないチューナー回路によって受信された映像信号は、映像信号反転回路３４を介して、セグメントドライバ３３に入力されるようになっている。

スキャンドライバ３２は、走査信号をシフトレジスタによって、水平走査期間ごとにシフトさせながら、順次各走査信号線４１に出力し、これを垂直走査期間ごとに繰り返す回路である。

セグメントドライバ３３は、映像信号反転回路３４を介して入力した映像信号をサンプリングして、１水平走査線分のデータ信号を、各データ信号線２４に出力する回路である。

従って、液晶表示装置１では、スキャンドライバ３２の走査によって、順に走査信号線４１に走査信号が出力され、走査信号が出力された走査信号線４１上のすべてのＴＦＴ４０が導通する。このとき、セグメントドライバ３３からの１水平走査線分のデータ信号が、各データ信号線２４と、選択された走査信号線４１上のＴＦＴ４０とを介して画素電極４５に印加される。この動作が水平走査期間ごとに繰り返されることにより、１画面分の映像が表示される。

ただし、液晶を直流駆動すると寿命が短くなるため、各画素電極４５に印加される映像信号は、垂直走査期間ごとに映像信号反転回路３４によって極性を反転させ、また表示のちらつきを見えにくくするために水平走査期間ごとにも極性を反転させている。

また、上記液晶表示装置１における対向基板１２の対向電極１３と、補助容量信号幹線２１に接続されている補助容量信号線４３とには、それぞれ、対向信号印加回路３６によって、上記画素電極４５の映像信号の基準となる対向信号が、常に印加されている。従って、上記映像信号反転回路３４による映像信号の極性反転は、この対向信号を基準とし行われ、これによって液晶が交流駆動されるようになっている。

そして、本発明の特徴として、ＴＦＴ基板１１の非表示領域１６には、対向信号線２２と補助容量信号幹線２１との導通状態をオン又はオフに切り替える第２スイッチング素子としてのトランジスタである信号接続用ＴＦＴ２５が形成されている。また、このＴＦＴ基板１１の非表示領域１６には、信号接続用ＴＦＴ２５に接続された接続制御信号線２３が形成されている。

また、ＴＦＴ基板１１には、対向基板１２に重なっていない領域に駆動ＩＣ等が実装される端子部１７が形成されており、接続制御信号線２３の一端は、上記補助容量信号幹線２１の一端、及び対向信号線２２の一端と共に、端子部１７に引き出されている。

そうして、端子部１７から接続制御信号線２３を介して信号接続用ＴＦＴ２５に制御信号を印加することにより、信号接続用ＴＦＴ２５がオンである補助容量信号幹線２１及び対向信号線２２の導通状態、又は、信号接続用ＴＦＴ２５がオフである補助容量信号幹線２１及び対向信号線２２の非導通状態に切り替えるようになっている。

また、液晶表示装置１が表示を行っている駆動時には、信号接続用ＴＦＴ２５をオン状態にすることにより、補助容量信号線４３には、互いに導通している補助容量信号幹線２１及び対向信号線２２から対向信号が入力されるようになっている。一方、製造段階の検査工程では、信号接続用ＴＦＴ２５をオフ状態にするようになっている。

なお、上記スキャンドライバ３２、セグメントドライバ３３、および映像信号反転回路３４の各動作タイミングは、映像信号から分離した同期信号に基づいて、タイミングコントロール回路３５により制御されるようになっている。

このとき、補助容量信号幹線２１は、補助容量信号線４３へ接続する都合上、表示領域１５の近くに配置する一方、この補助容量信号幹線２１よりも外側のパネル外周部近くに対向信号線２２を配置している。スキャンドライバ３２は、パネル外部からの異物等による回路のショートを防ぐために、必ずシールされる領域に配置される一方、パネル外周部近くに配置されている対向信号線２２は、構造が配線のみであり、かつ、対向電極１３と同じ信号が入力されるためにショートする心配がないことから、シールされない領域にも配置することが可能である。したがって、対向信号線２２は、他の配線が設けられない領域に配置することができるので、非表示領域１６の面積（いわゆる額縁サイズ）が大きくならない範囲で十分に幅広の配線に形成することができる。一方、補助容量信号幹線２１は必要最小限の線幅として、額縁サイズが可能な限り大きくならないように規定されている。

−製造方法−
次に、上記液晶表示装置１の製造方法について説明する。

液晶表示装置１は、予め形成したＴＦＴ基板１１と、対向基板１２とを枠状のシール部材（図示省略）を介して貼り合わせると共に、上記ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２の間において上記シール部材の内側に封入することによって製造する。

第１工程では、ＴＦＴ基板１１の表示領域１５にＴＦＴ４０、画素電極４５、走査信号線４１、データ信号線４２及び補助容量信号線４３等を形成すると共に、ＴＦＴ基板１１の非表示領域１６に、対向信号線２２、補助容量信号幹線２１、接続制御信号線２３及び信号接続用ＴＦＴ２５を形成する。対向信号線２２、補助容量信号幹線２１及び接続制御信号線２３は、例えばＡｌ等を含む金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして形成する。

その後、第２工程では、複数の画素１０における表示の点欠陥の有無を検査する（検査工程）。当該検査は、走査信号線４１及びデータ信号線４２に検査用の信号を供給して、表示領域１５の各画素を点灯させることによって行う。その結果、特定の画素に表示不良が検出された場合には、次の第３工程を行う。

第３工程では、点欠陥を修正する。すなわち、接続制御信号線２３から信号接続用ＴＦＴ２５に制御信号を供給し、信号接続用ＴＦＴ２５をオフに切り替える。そのことにより、補助容量信号幹線２１と対向信号線２２とを非導通状態にして、補助容量信号幹線２１と対向信号線２２との間に比較的高い電圧を印加する。そうすると、補助容量信号線４３と補助容量５２を介して画素電極４５は補助容量信号幹線２１に近い電圧になる一方、対向電極１３は対向信号線２２と同じ電圧となり、画素電極４５と対向電極１３との間に高い電圧が印加される。その結果、画素電極４５と対向電極１３との間の異物等による微小リークを焼き切って点欠陥を修正し、又は、画素電極４５と対向電極１３とを完全にショートさせてしまうことにより、出荷後に点欠陥が増加しないように修正する。

一方、当該点欠陥の修正後には、接続制御信号線２３から信号接続用ＴＦＴ２５に制御信号を供給し、信号接続用ＴＦＴ２５をオンに切り替える。こうして、補助容量信号幹線２１と対向信号線２２とを導通状態にする。つまり、液晶表示装置１の使用時に、信号接続用ＴＦＴ２５は常にオンになっている。

−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１によると、補助容量信号線４３及び補助容量信号幹線２１のインピーダンスを低下させながらも点欠陥の修正が可能であり、しかも、非表示領域１６の面積増加を抑制することができる。

すなわち、対向信号線２２と補助容量信号幹線２１との導通状態をオン又はオフに切り替える信号接続用ＴＦＴ２５を設けるようにしたので、第２工程（検査工程）において画素１０の点欠陥が検出された場合に、信号接続用ＴＦＴ２５をオフにして、対向信号線２２と補助容量信号幹線２１とを非導通状態とし、補助容量信号幹線２１と対向信号線２２との間に高い電圧を印加することによって、画素の点欠陥を修正することができる。

一方、表示装置が表示を行うときは、信号接続用ＴＦＴ２５をオンにして、補助容量信号幹線２１と対向信号線２２とを導通状態とすることによって、補助容量信号線４３及び補助容量信号幹線２１のインピーダンスを低下させて表示ムラを抑制することが可能になる。

さらに、補助容量信号幹線２１を対向信号線２２と導通させることにより、補助容量信号幹線２１及び対向信号線２２によって対向信号を各補助容量信号線４３へ供給することができるため、補助容量信号幹線２１のインピーダンスを低下させる目的でその配線幅を大きくする必要がなくなる。その結果、補助容量信号幹線２１の単独で補助容量信号線４３へ対向信号を入力する場合よりも補助容量信号幹線２１の配線幅を狭く維持して、非表示領域１６の面積（いわゆる額縁サイズ）の増加を抑制することもできる。

このため、走査信号線４１の本数が多くＴＦＴ４０が導通している時間が短い場合や、データ信号線２４の本数が多く補助容量信号線４３の負荷が重い場合でも、額縁サイズが大きくなることなく、ＴＦＴ４０が導通している間にデータ信号線４２や補助容量信号線４３を所定の電位まで到達させ、横縞の発生を防ぐことができる。

《発明の実施形態２》
図５は、本発明の実施形態２を示している。

図５は、本実施形態２の液晶表示装置に形成された補助容量信号幹線２１及び対向信号線２２を示す概略平面図である。尚、以降の各実施形態では、図１〜図４と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。

上記実施形態１では、ＴＦＴ基板１１の表示領域１５に信号接続用ＴＦＴ２５及び接続制御信号線２３を設けたのに対し、本実施形態２は、信号接続部６０を設けるようにしたものである。

すなわち、図５に示すように、対向信号線２２と補助容量信号幹線２１との間には、対向信号線２２と補助容量信号幹線２１とを導通する信号接続部６０が設けられている。信号接続部６０は、補助容量信号幹線２１に接続された第１電極６１と、第１電極６１に対向配置されて対向信号線２２に接続された第２電極６２と、上記第１電極６１及び第２電極６２の間に介在された絶縁膜（図示省略）と、この絶縁膜を貫通して第１電極６１及び第２電極６２を互いに導通させる導通部６３とを有している。

−製造方法−
本実施形態２の液晶表示装置１を製造する場合には、第１工程において、上記実施形態１における信号接続用ＴＦＴ２５及び接続制御信号線２３を形成する代わりに、第１電極６１、絶縁膜及び第２電極６２を、ＴＦＴ基板１１の非表示領域１６に形成する。第１電極６１及び第２電極６２は、例えばＡｌを含む金属膜等によって形成することが可能である。

すなわち、第１工程では、ＴＦＴ基板１１の非表示領域１６に、第１電極６１を補助容量信号幹線２１に接続して形成する。続いて、第１電極６１を覆う絶縁膜を形成した後に、この絶縁膜の表面に、第１電極６１に対向すると共に対向信号線２２に接続された第２電極６２を形成する。したがって、このときには、まだ補助容量信号幹線２１と対向信号線２２とは非導通状態になっている。

そして、第２工程で点欠陥が検出された場合には、第３工程を行い、上記実施形態１と同様に、補助容量信号幹線２１と対向信号線２２との間に高い電圧を印加して、点欠陥を修正する。その後、第１電極６１、絶縁膜及び第２電極６２にレーザ光を照射することによって、第１電極６１及び第２電極６２をショートさせ、導通部６３を形成する。このことによって、補助容量信号幹線２１及び対向信号線２２は、信号接続部６０の導通部６３を介して導通状態となる。以上の工程によって、本実施形態２の液晶表示装置１を製造する。

−実施形態２の効果−
したがって、この実施形態２によると、対向信号線２２と補助容量信号幹線２１とを導通する信号接続部６０を設けるようにしたので、第２工程（検査工程）において画素１０の点欠陥が検出された場合に、信号接続部６０の導通部６３を形成しないで第１電極６１と第２電極６２とを互いに絶縁した状態で、補助容量信号幹線２１と対向信号線２２との間に高い電圧を印加することによって、画素１０の点欠陥を修正することができる。

一方、液晶表示装置１が表示を行うときには、上記導通部６３を形成して第１電極６１及び第２電極６２を互いに導通させることにより、上記実施形態１と同様に、補助容量信号線４３及び補助容量信号幹線２１のインピーダンスを低下させて表示ムラを抑制することができる。

さらに、補助容量信号幹線２１を対向信号線２２と導通させることにより、補助容量信号幹線２１のインピーダンスを低下させる目的でその配線幅を大きくする必要がないので、補助容量信号幹線２１の配線幅を狭く維持して、非表示領域１６の面積の増加を抑制することもできる。

《その他の実施形態》
上記実施形態１及び２では、表示装置の例として液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限らず、その他にも例えば表示媒体層が発光層であるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置等についても、同様に適用することができる。

また、信号接続用ＴＦＴ２５は、ＴＦＴ等のトランジスタに限らず他のスイッチング素子により構成することが可能である。

以上説明したように、本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置及びその製造方法について有用である。

図１は、本実施形態１の液晶表示装置に形成された補助容量信号幹線及び対向信号線を示す概略平面図である。 図２は、液晶表示装置の回路構成を示すブロック図である。 図３は、液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図４は、液晶表示装置の画素を拡大して示す回路図である。 図５は、本実施形態２の液晶表示装置に形成された補助容量信号幹線及び対向信号線を示す概略平面図である。 図６は、従来の液晶表示装置に形成された補助容量信号幹線及び対向信号線を示す概略平面図である。 図７は、従来の液晶表示装置に形成された補助容量信号幹線及び対向信号線を示す概略平面図である。

符号の説明

１ 液晶表示装置
１０ 画素
１１ ＴＦＴ基板（第１基板）
１２ 対向基板（第２基板）
１３ 対向電極
１５ 表示領域
１６ 非表示領域
２１ 補助容量信号幹線
２２ 対向信号線
２５ 信号接続用ＴＦＴ（第２スイッチング素子）
４０ ＴＦＴ（第１スイッチング素子）
４３ 補助容量信号線
４５ 画素電極
５２ 補助容量
６０ 信号接続部
６１ 第１電極
６２ 第２電極
６３ 導通部

Claims (10)

1. 複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、該表示領域の外側に形成された非表示領域とを備えたアクティブマトリクス型の表示装置であって、
   第１スイッチング素子と、該第１スイッチング素子に接続された画素電極とが上記複数の画素毎にそれぞれ形成された第１基板と、
   上記第１基板に対向して配置され、上記画素電極に対向する対向電極が形成された第２基板と、
   上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備え、
   上記第１基板の上記非表示領域には、上記対向電極に対向信号を供給するための対向信号線と、上記表示領域に設けられた複数の補助容量信号線が接続された補助容量信号幹線と、上記対向信号線と補助容量信号幹線との導通状態をオン又はオフに切り替える第２スイッチング素子とが形成されている
   ことを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載された表示装置において、
   上記第２スイッチング素子は、トランジスタにより構成されている
   ことを特徴とする表示装置。
3. 複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、該表示領域の外側に形成された非表示領域とを備えたアクティブマトリクス型の表示装置であって、
   第１スイッチング素子と、該第１スイッチング素子に接続された画素電極とが上記複数の画素毎にそれぞれ形成された第１基板と、
   上記第１基板に対向して配置され、上記画素電極に対向する対向電極が形成された第２基板と、
   上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備え、
   上記第１基板の上記非表示領域には、上記対向電極に対向信号を供給するための対向信号線と、上記表示領域に設けられた複数の補助容量信号線が接続された補助容量信号幹線と、
   上記対向信号線と上記補助容量信号幹線との間には、該対向信号線と補助容量信号幹線とを導通する信号接続部が設けられ、
   上記信号接続部は、上記補助容量信号幹線に接続された第１電極と、該第１電極に対向配置されて上記対向信号線に接続された第２電極と、上記第１電極及び上記第２電極の間に介在された絶縁膜と、該絶縁膜を貫通して上記第１電極及び第２電極を互いに導通させる導通部とを有している
   ことを特徴とする表示装置。
4. 請求項１〜３の何れか１つに記載された表示装置において、
   上記表示媒体層は液晶層である
   ことを特徴とする表示装置。
5. 複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域と、該表示領域の外側に形成された非表示領域と、第１スイッチング素子、及び該第１スイッチング素子に接続された画素電極が上記複数の画素毎にそれぞれ形成された第１基板と、該第１基板に対向して配置され、上記画素電極に対向する対向電極が形成された第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備えたアクティブマトリクス型の表示装置を製造する方法であって、
   上記第１基板の上記非表示領域に、上記対向電極に対向信号を供給するための対向信号線と、上記表示領域に設けられた複数の補助容量信号線が接続された補助容量信号幹線とを形成する第１工程と、
   上記第１工程の後に行われ、上記複数の画素における表示の点欠陥の有無を検査する第２工程と、
   上記第２工程で上記点欠陥が検出された場合に行われ、上記補助容量信号幹線と上記対向信号線との間に電圧を印加することによって、上記点欠陥を修正する第３工程とを有し、
   上記第３工程では、上記補助容量信号幹線と上記対向信号線とを非導通状態にして上記点欠陥を修正する一方、当該点欠陥の修正後に、上記補助容量信号幹線と上記対向信号線とを導通状態にする
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。
6. 請求項５に記載された表示装置の製造方法において、
   上記第１工程では、上記第１基板の上記非表示領域に、上記対向信号線と上記補助容量信号幹線との導通状態をオン又はオフに切り替える第２スイッチング素子を形成し、
   上記第３工程では、上記第２スイッチング素子をオフにして上記点欠陥を修正する一方、当該点欠陥の修正後に、上記第２スイッチング素子をオンにする
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。
7. 請求項５に記載された表示装置の製造方法において、
   上記第２スイッチング素子は、トランジスタにより構成されている
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。
8. 請求項５に記載された表示装置の製造方法において、
   上記第１工程では、上記第１基板の上記非表示領域に、上記補助容量信号幹線に接続された第１電極と、該第１電極に対向配置されて上記対向信号線に接続された第２電極と、上記第１電極及び上記第２電極の間に介在された絶縁膜とを形成し、
   上記第３工程では、上記点欠陥の修正後に、上記絶縁膜を貫通して上記第１電極及び第２電極を互いに導通させる導通部を形成することによって、上記補助容量信号幹線と上記対向信号線とを導通状態にする
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。
9. 請求項８に記載された表示装置の製造方法において、
   上記導通部は、上記第１電極、上記絶縁膜及び上記第２電極にレーザ光を照射することによって形成する
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。
10. 請求項５〜９の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    上記表示媒体層は液晶層である
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。

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