JP2010096998A

JP2010096998A - 液晶表示装置

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Publication number: JP2010096998A
Application number: JP2008267988A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Fujioka; 和巧藤岡; Katsuya Ogawa; 勝也小川; Tomoaki Furukawa; 智朗古川; Masaaki Saito; 全亮齊藤
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2008-10-16
Filing date: 2008-10-16
Publication date: 2010-04-30

Abstract

【課題】高透過率を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、絵素の少なくとも一部に透過表示を行う透過領域が設けられた液晶表示装置であって、前記一対の基板は、それぞれ互いに独立して、前記液晶層の配向を制御するための液晶配向用構造物として、電極スリット及び突起の少なくとも一方を有し、前記液晶層は、ｎ型ネマチック液晶を含み、前記一対の基板の少なくとも一方は、着色層を有し、前記一対の基板を平面視したときの前記着色層の前記液晶配向用構造物に重なる領域の少なくとも一部には、前記着色層よりも光透過率が高い高透過領域が設けられ、前記高透過率領域は、前記一対の基板を平面視したとき、前記透過領域の少なくとも一部に設けられる液晶表示装置である。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、垂直配向モードの液晶表示装置に好適な液晶表示装置に関するものである。

液晶表示装置は薄型、軽量及び低消費電力を特徴とし、様々な分野で広く用いられている。そしてその表示性能は、年月の経過に伴い格段に進歩してきており、いまやＣＲＴ（陰極線管）を凌ぐほどまでになってきている。

液晶表示装置の表示方式はセル内で液晶をどのように配列させるかによって決定される。従来、液晶表示装置の表示方式としては、例えば、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−ｐｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙｓｅｌｆ−ＣｏｍｐｅｎｓａｔｅｄＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード等が知られている。

そして、このような表示方式を用いた液晶表示装置は大量に生産されている。そのなかでも、例えば、ＴＮモードの液晶表示装置（以下、ＴＮ液晶表示装置とも言う。）は、広く一般的に用いられている。しかしながら、ＴＮ液晶表示装置は、応答が遅い、視野角が狭い等の点で改善の余地がある。

これに対し、ＭＶＡモードの液晶表示装置（以下、ＭＶＡ液晶表示装置とも言う。）は、アクティブマトリクス基板及びＣＦ基板に、液晶分子の配向を制御するための液晶配向用構造物として、絵素電極のスリットや突起（リブ）を設け、これらによって形成されるフリンジフィールド（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄ）によって液晶分子の配向方向を複数方向に分散させるものである。そして、ＭＶＡ液晶表示装置は、電圧印加時に液晶分子が倒れる方向を複数に分割（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ）することによって、広視野角を実現している。また、ＭＶＡモードは、垂直配向モードであるため、ＴＮ、ＩＰＳ及びＯＣＢの各モードに比べ高コントラストが得られるという特徴を有している。

また、液晶表示装置については、様々な高機能化を図るための技術が開発されており、例えば、１ドットで３色以上の表示が可能な液晶表示装置等を提供するための技術として、複数の走査線と、複数の信号線と、対向電極との間に封入される液晶素子を駆動する画素電極並びに該画素電極に接続され前記信号線のいずれかに接続されるスイッチング素子を有する複数のドットとを含むマトリクス型液晶表示装置であって、前記複数のドットの少なくとも１つが、画素電極を分割することで形成される第１〜第Ｎ副画素電極と、該第１〜第Ｎ副画素電極の各々に対応して設けられ、互いに異なる色変換処理を行う第１〜第Ｎカラーフィルターとを含むアクティブマトリクス型液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開平９−２３０３１０号公報

上述のように、ＭＶＡ液晶表示装置は、従来のＴＮ液晶表示装置に比べてコントラストや視野角については優れているが、透過率については６割から７割程度しかなくバックライトの消費電力が大きい。中小型の液晶表示装置の場合は携帯機器としての用途が主であるため、消費電力が大きいと単純にバッテリーによる駆動時間が低下するのはいうまでもなく、それ以外に発熱対策として、放熱を考慮した設計が必要になる。例えば、車載用途においては、夏場の高温化での動作も考慮することから、放熱装置として放熱板やファンの設置が必要となっている。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、高透過率を有する液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、高透過率を有する液晶表示装置について種々検討したところ、ＭＶＡ液晶表示装置に設けられる液晶配向用構造物に着目した。そして、従来のＴＮ液晶表示装置の絵素電極は透過開口部、すなわち透過領域の絵素開口部の略全面に設けられ、絵素電極のほぼ全ての領域がバックライトの光を透過するのに対して、ＭＶＡ液晶表示装置は、絵素電極に液晶分子を制御するためにスリットを設けたり、ＣＦ基板側にも同様のリブやスリット等の液晶配向用構造物を設けたりするため、これらにより開口率が低下し、結果的に透過率が低下することを見いだすとともに、着色層の液晶配向用構造物に重なる領域の少なくとも一部に着色層よりも光透過率が高い高透過領域を設けるとともに、この高透過率領域を透過領域の少なくとも一部に設けることにより、従来、透過に充分寄与できなった領域の透過率を改善し、結果として液晶表示装置全体の透過率を改善できることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明は、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、絵素の少なくとも一部に透過表示を行う透過領域が設けられた液晶表示装置であって、前記一対の基板は、それぞれ互いに独立して、前記液晶層の配向を制御するための液晶配向用構造物として、電極スリット及び突起の少なくとも一方を有し、前記液晶層は、ｎ型ネマチック液晶を含み、前記一対の基板の少なくとも一方は、着色層を有し、前記一対の基板を平面視したときの前記着色層の前記液晶配向用構造物に重なる領域の少なくとも一部には、前記着色層よりも光透過率が高い高透過領域が設けられ、前記高透過率領域は、前記一対の基板を平面視したとき、前記透過領域の少なくとも一部に設けられる液晶表示装置である。

これにより、従来、透過に充分寄与できなった領域の透過率を改善し、結果として液晶表示装置全体の透過率を改善できる。

本発明の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。
本発明の液晶表示装置における好ましい形態について以下に詳しく説明する。なお、以下の形態は適宜組み合わされてもよい。

前記高透過率領域は、無着色領域を含んでもよい。これにより、本発明の液晶表示装置をより容易に製造することができる。

前記無着色領域は、透明領域を含んでもよい。これにより、本発明の液晶表示装置の透過率をより改善することができる。

前記無着色領域は、前記着色層の開口を含んでもよい。これにより、本発明の液晶表示装置の透過率をより改善することができる。

前記高透過率領域は、前記着色層よりも色が薄い領域を含んでもよい。

前記高透過率領域は、前記着色層の膜厚が薄くなった領域を含んでもよい。

本発明の液晶表示装置の表示品位を向上する観点からは、前記一対の基板の背面側の基板は、配線を有し、前記高透過率領域は、前記一対の基板を平面視したとき、前記配線を除く領域に設けられてもよいし、前記一対の基板の背面側の基板は、金属層を有し、前記高透過率領域は、前記一対の基板を平面視したとき、前記金属層を除く領域に設けられてもよい。

本発明の液晶表示装置によれば、透過率を向上することができる。

以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ１−Ｂ１線における断面図である。
実施形態１に係る液晶表示装置１００は、図１（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板（背面側基板）５０と、それに対向するように設けられたＣＦ基板（観察面側基板）６０と、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０との間に狭持されるように設けられた液晶層７０とを備えている。

ＴＦＴ基板５０は、図１（ａ）に示すように、無色透明なガラス基板１０上に、相互に平行に伸びる複数のゲート信号線５ｇ及び補助容量（Ｃｓ）配線１６と、ゲート信号線５ｇ及び補助容量配線１６に直交しかつ相互に平行に伸びる複数のソース信号線５ｓと、ゲート信号線５ｇ及びソース信号線５ｓの各交差部に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１と、ＴＦＴ１１上に積層された層間絶縁膜（図示せず）と、層間絶縁膜上にＩＴＯ等の透明導電膜により形成された絵素電極１４と、これらの構成を覆う垂直配向膜（図示せず）とを有する。ＴＦＴ１１は、ゲート絶縁膜（図示せず）を介してゲート信号線５ｇ上に重なる半導体層６と、ゲート電極として機能するゲート信号線５ｇと、ソース電極１１ｓと、ドレイン電極１１ｄとを含む。ゲート信号線５ｇは、走査信号を供給するとともに、その一部はゲート電極としても機能する。ソース電極１１ｓは、画像信号を供給するソース信号線５ｓに接続され（本実施形態では一体的に形成され）、ドレイン電極１１ｄは、層間絶縁膜に設けられた開口（図示せず）を介して絵素電極１４に電気的に接続されている。

ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜を介して対向配置された絵素電極１４及び補助容量配線１６の重なる領域には、補助容量（Ｃｓ）が形成されている。また、絵素電極１４には、液晶配向用構造物として機能する線状の開口であるスリット１４ａが形成されている。

ゲート信号線５ｇ、ゲート信号線５ｇ、補助容量配線１６は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）及びタンタル（Ｔａ）等の金属薄膜をスパッタ法により成膜した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることによって形成される。ソース電極１１ｇ及びドレイン電極１１ｄは、Ａｌ、Ｃｒやチタン（Ｔｉ）等の金属薄膜をスパッタ法により成膜した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることによって形成される。ゲート絶縁膜の材質としては、酸化タンタル（ＴａＯ_ｘ）が挙げられ、陽極酸化法により形成される。層間絶縁膜は、アクリル樹脂等の透明樹脂を用いてスピンコート法により形成される。層間絶縁膜の開口は、フォトリソグラフィ法により形成される。絵素電極１４は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛等の透明導電膜をスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングすることにより形成される。絵素電極１４のスリット１４ａは、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることによって形成される。垂直配向膜は、ポリイミド樹脂をフレキソ印刷法で塗布し、焼成することにより形成される。

ＣＦ基板６０は、図１（ｂ）に示すように、無色透明なガラス基板２０上に、隣接する複数の絵素間を遮光する遮光部材であるブラックマトリクス（ＢＭ）２５と、赤色（Ｒ）のカラーフィルタ２４Ｒ、緑色（Ｇ）のカラーフィルタ２４Ｇ及び青色（Ｂ）のカラーフィルタ２４Ｂが各絵素に対応して並置された着色層２４と、各絵素に共通し、透明導電膜により形成された全面一体電極（べた電極）である共通電極２１と、リブ２２と、これらの構成を覆う垂直配向膜（図示せず）とがこの順に積層された構造を有する。

なお、本明細書で「着色層」とは、所定の波長範囲の可視光を選択的に他の可視光よりも多く透過するものをいい、可視光の全ての波長範囲で一様な光透過率を示す膜（いわゆる無彩色の膜）を含まない。

また、本実施形態では、着色層２４は、製造歩留まりを向上する観点から、観察面側基板に設けられているが、着色層２４は、観察面側基板と背面側基板との貼り合わせずれによる開口率ロスを低減する観点から、背面側基板に設けられてもよい。

ＢＭ２５は、カーボン微粒子を分散したアクリル樹脂等の黒色樹脂を用いて黒色樹脂膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることによって形成される。着色層２４、着色顔料を分散したアクリル樹脂等の着色樹脂を用いて着色樹脂膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることによって形成される。なお、着色層２４、染料によって染色された樹脂や顔料が分散された流動性材料（インク）を固化したものを用いて形成してもよい。リブ２２の材料は、光を遮断しない（可視光波長域での光透過率が４０％以上である）誘電体（絶縁材料）である限り特に限定されないが、なかでも透明材料（可視波長域（３８０〜７８０ｎｍの波長域）での光透過率が９０％以上（より好ましくは、９５％以上）の材料、例えば、アクリル樹脂）により形成されることが好ましい。ここではリブ２２は、透明樹脂膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることによって形成される。なお、リブ２２の材料としては、フェノールノボラック材料も挙げられる。共通電極２１は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛等の透明導電膜をスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングすることにより形成される。垂直配向膜は、ポリイミド樹脂をフレキソ印刷法で塗布し、焼成することにより形成される。

ＢＭ２５は、ＴＦＴ基板５０のソース信号線５ｓ及びゲート信号線５ｇに沿うように平面視格子状に形成されている。また、ＢＭ２５で囲まれた開口領域が概ね一つの絵素（画素を構成する単色の領域、サブ画素）となり、カラーフィルタ２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂが設けられた絵素がそれぞれＲ、Ｇ及びＢの絵素となる。また、ＣＦ基板６０は、Ｒ、Ｇ及びＢの絵素がストライプ状に配列されたストライプ配列のカラーフィルタ基板であり、液晶表示装置１００は、図１の左右方向に隣接する３つのＲ、Ｇ及びＢの絵素により一つの画素（表示画像を構成する最小単位）が構成される。

このように、液晶表示装置１００の各絵素の遮光部材（ＢＭ、配線等）を除く領域（絵素開口部）は、透過表示を行う透過領域であり、液晶表示装置１００は、透過型の液晶表示装置である。透過表示を行う際には、ＴＦＴ基板５０の背面側に設けられたバックライト（図示せず）が光源として利用される。

なお、各画素を構成する絵素の色の種類及び数は特に限定されず、適宜設定することができる。すなわち、本実施形態の液晶表示装置において、各画素は、例えば、シアン、マゼンタ及びイエローの３色の絵素から構成されてもよいし、４色以上の絵素から構成されてもよい。

リブ２２は、液晶配向用構造物として機能する線状の突起物であり、ＢＭ２５に対して斜めの方向、例えば、ＢＭ２５の延伸方向に対して略４５°のなす方向に配置されている。また、絵素電極１４のスリット１４ａは、ゲート信号線５ｇ及びソース信号線５ｓに対して斜めの方向例えば、ゲート信号線５ｇ及びソース信号線５ｓの延伸方向に対して略４５°のなす方向に配置されている。このように、リブ２２とスリット１４ａとは基板５０、６０を平面視したときに略平行に設けられる。なお、リブ２２の断面形状は特に限定されず、例えば、三角形、台形、半円形、半楕円形等が挙げられる。

液晶層７０は、負の誘電率異方性を持つネマチック液晶（ｎ型ネマチック液晶）を含む。液晶表示装置１００の表示モードは、垂直配向（ＶＡ）モードであり、ネマチック液晶は、印加電圧オフ時には、各基板５０、６０の垂直配向膜表面に対して略垂直に配向し、印加電圧オンで水平方向に向かって倒れ込む。本実施形態では、リブ２２とスリット１４ａとによって液晶層７０中の液晶分子の配向が制御され、いわゆるマルチドメイン化を行っている。これにより、液晶が無秩序に倒れ込むことによるディスクリネーションを防止することかできるとともに、どの方向から見ても均一な表示が得られるようにすることができる。このように、液晶表示装置１００は、ＭＶＡ液晶表示装置である。また、基板５０、６０の外主面上には、クロスニコル配置された一対の偏光板（図示せず）が設けられており、液晶表示装置１００は、ノーマリブラックモード（駆動電圧を印加しない状態での光透過率又は輝度が、駆動電圧を加えた状態でのそれらより低いモード）の液晶表示装置である。なお、液晶表示装置１００は、ノーマリホワイトモード（駆動電圧を印加しない状態での光透過率又は輝度が、駆動電圧を加えた状態でのそれらより高いモード）であってもよい。

そして、ＣＦ基板６０の着色層２４には開口が設けられるとともに、そこに無色透明の無着色領域２６が設けられている。したがって、無着色領域２６は、着色層２４よりも光透過率が大きい領域（高透過領域）となる。また、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａの全ての領域と重なるように設けられている。以上より、ＣＦ基板６０の従来、透過に充分寄与できなった領域（ここではスリット１４ａ）の光透過率を改善し、その結果、液晶表示装置全体の光透過率を改善することができる。なお、無着色領域２６は、スリット１４ａと同じパターン（平面形状及びサイズ）を有し、無着色領域２６の幅は、スリット１４ａの幅と略等しい。

図２は、実施形態１に係る液晶表示装置のＶＴ特性の模式図を示す。
本実施形態では、無着色領域２６を設けることによって、赤、緑及び青の基本色の絵素それぞれに対して、明るさを補うための白色が追加されることになる。したがって、各絵素は、図２に示すように、従来技術の通り、黒と各基本色の赤、緑及び青のいずれかとの２色を表示することができる。

無着色領域２６は、以下のようにして形成することができる。すなわち、まず、カラーフィルタ２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ（着色層２４）のパターンニング時に、無着色領域２６の着色層２４も除去しておき、次に、アクリル樹脂等の透明樹脂材料をスピンコート法により塗布し、着色層２４の開口部を平坦化する。その後、必要に応じて不要な領域（着色層２４の開口部以外の領域）をフォトリソグラフィ法によりパターンニングすることによって除去する。無着色領域２６の材料は、着色層２４よりも透過率が高く、かつ光を遮断しない（可視光波長域での光透過率が４０％以上である）誘電体（絶縁材料）である限り特に限定されないが、なかでも透明材料（可視波長域（３８０〜７８０ｎｍの波長域）での光透過率が９０％以上（より好ましくは、９５％以上）の材料、例えば、アクリル樹脂）により形成されることが好ましい。なお、無着色領域２６の材料としては、フェノールノボラック材料も挙げられる。

図３は、実施形態１に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。
図３に示すように、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａと重なる領域のうち、補助容量配線１６（図３中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられてもよい。補助容量配線１６等の配線パターン配置領域は、透過に寄与しない領域であるので、この領域に無着色領域２６を設けなくとも、ＣＦ基板６０の従来、透過に充分寄与できなった領域の光透過率を改善することができる。

また、補助容量配線１６等の配線パターン上に無着色領域２６を設けると、パネルに外光が入射した場合、配線パターンの反射が大きく、ぎらついて見えたり、コントラストが低下したりすることがある。したがって、配線パターン配置領域を除く領域に無着色領域２６を設けることによって、表示品位を向上することができる。

図４は、実施形態１に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。
図４に示すように、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａのパターンの一部と部分的に重なってもよい。

また、本実施形態の液晶表示装置１００は、図１、３及び４で示した無着色領域２６のパターンが混在された形態であってもよい。このように、無着色領域２６のパターンは、色度再現性により選択されることが好ましい。

図５は、実施形態１に係る液晶表示装置の別の構成を示す断面模式図である。
図５に示すように、無着色領域２６の幅は、スリット１４ａの幅より太くてもよい。

図６は、実施形態１に係る液晶表示装置の別の構成を示す断面模式図である。
図６に示すように、無着色領域２６の幅は、スリット１４ａの幅より細くてもよい。

また、本実施形態の液晶表示装置１００は、図１、５及び６で示した無着色領域２６のパターンが混在された形態を有してもよい。すなわち無着色領域２６は、場所によって幅が変わってもよい。このように、無着色領域２６のサイズは、色度再現性により選択されることが好ましい。

ＭＶＡ液晶表示装置は、一般的に、複数の電圧−透過率特性（ＶＴ特性）を有しているが、本実施形態の液晶表示装置１００もまた、主なＶＴ特性として、以下の３つの特性を有する。すなわち、
（１）絵素電極１４上のＶＴ特性（ＶＴ１、図１（ｃ）参照）
（２）絵素電極１４のスリット１４ａ部のＶＴ特性（ＶＴ２、図１（ｃ）参照）
（３）リブ２２部のＶＴ特性（ＶＴ３、図１（ｃ）参照）
を有する。

本実施形態では、ＶＴ特性の異なる領域（ＶＴ１、ＶＴ２、ＶＴ３）のうち、液晶に対して電圧印加が小さい特性を示すＶＴ２特性の領域の全て、又はその一部に対して無着色領域２６を設ける。

このように、一般的なＭＶＡ液晶表示装置や本実施形態の液晶表示装置は、異なるＶＴ特性を示す３つの領域を主に有している。しかしながら、これらの領域の適切な配置による電界の偏りを応用して液晶を制御しているので、マクロ的に見ると連続的に異なる無限のＶＴ特性が合成されたＶＴ特性を有する。したがって、本実施形態の液晶表示装置は、Ｎ個の有限数で規定されるＶＴ特性を有するものではない。

本実施形態の液晶表示装置のＶＴ特性（ＶＴ１、ＶＴ２及びＶＴ３の合成）をシミュレーションにより測定した結果を示す。図７は、本発明に係る実施形態１の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。なお、図７は、図３で示したパターンにおいて、ＶＴ１特性の領域を６０％、ＶＴ２特性の領域を２０％、ＶＴ３特性の領域を２０％とし、ＶＴ２特性の全領域を無着色領域とした場合の結果を示す。その結果、無着色領域２６がない従来のＭＶＡ液晶表示装置に比べて（後述する比較形態１及び図３３参照）、光透過率を１２％改善することができた。

なお、無着色領域２６の有無や無着色領域２６のパターン、サイズ、面積等は、目的とする表示色度に合わせて赤、緑及び青の各絵素（各着色領域）で異なっていてもよい。

（実施形態２）
本実施形態の液晶表示装置は、無着色領域のレイアウトが異なること以外は実施形態１の液晶表示装置と同じ構成を有する。したがって、ここでは実施形態１の液晶表示装置と異なる点について主に説明する。

図８は、実施形態２に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ２−Ｂ２線における断面図である。
実施形態２に係る液晶表示装置２００は、図８（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板（背面側基板）５０と、それに対向するように設けられたＣＦ基板（観察面側基板）６０と、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０との間に狭持されるように設けられた液晶層７０とを備えている。

ＴＦＴ基板５０の絵素電極１４には、図８（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の開口であるスリット１４ａが形成されている。

また、ＣＦ基板６０には、図８（ｂ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の突起物であるリブ２２が形成されている。

そして、ＣＦ基板６０の着色層２４には開口が設けられるとともに、そこに無色透明な無着色領域２６が設けられている。したがって、無着色領域２６は、着色層２４よりも光透過率が大きい領域（高透過領域）となる。また、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにリブ２２の全ての領域と重なるように設けられている。以上より、ＣＦ基板６０の従来、透過に充分寄与できなった領域（ここではリブ２２）の光透過率を改善し、その結果、液晶表示装置全体の光透過率を改善することができる。なお、無着色領域２６は、リブ２２と同じパターン（平面形状及びサイズ）を有し、無着色領域２６の幅は、リブ２２の幅と略等しい。

本実施形態において、無着色領域２６は、実施形態１で説明した方法以外に以下のようにして形成してもよい。すなわち、まず、カラーフィルタ２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ（着色層２４）のパターンニング時に、無着色領域２６の着色層２４も除去しておき、次に、アクリル樹脂等の透明樹脂材料（リブ２２の材料）をスピンコート法により塗布し、着色層２４の開口部を平坦化する。その後、必要に応じて不要な領域（リブ２２及び着色層２４の開口部以外の領域）をフォトリソグラフィ法によりパターンニングすることによって除去する。この方法によれば、無着色領域２６及びリブ２２を同時に形成できるので、製造工程を簡略化することができる。ただしこの場合は、共通電極２１は、リブ２２よりも上層に設けられる。

図９は、実施形態２に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。
図９に示すように、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにリブ２２と重なる領域のうち、補助容量配線１６（図９中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられてもよい。これにより、表示品位の低下を抑制しつつ、光透過率を改善することができる。

図１０は、実施形態２に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。
図１０に示すように、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにリブ２２のパターンの一部と部分的に重なってもよい。

また、本実施形態の液晶表示装置２００は、図８、９及び１０で示した無着色領域２６のパターンが混在された形態であってもよい。このように、無着色領域２６のパターンは、色度再現性により選択されることが好ましい。

図１１は、実施形態２に係る液晶表示装置の別の構成を示す断面模式図である。
図１１に示すように、無着色領域２６の幅は、リブ２２の幅より太くてもよい。

図１２は、実施形態２に係る液晶表示装置の別の構成を示す断面模式図である。
図１２に示すように、無着色領域２６の幅は、リブ２２の幅より細くてもよい。

また、本実施形態の液晶表示装置２００は、図８、１１及び１２で示した無着色領域２６のパターンが混在された形態を有してもよい。すなわち無着色領域２６は、場所によって幅が変わってもよい。このように、無着色領域２６のサイズは、色度再現性により選択されることが好ましい。

ＭＶＡ液晶表示装置は、一般的に、複数の電圧−透過率特性（ＶＴ特性）を有しているが、本実施形態の液晶表示装置２００もまた、主なＶＴ特性として、以下の３つの特性を有する。すなわち、
（１）絵素電極１４上のＶＴ特性（ＶＴ１、図８（ｃ）参照）
（２）絵素電極１４のスリット１４ａ部のＶＴ特性（ＶＴ２、図８（ｃ）参照）
（３）リブ２２部のＶＴ特性（ＶＴ３、図８（ｃ）参照）
を有する。

本実施形態では、ＶＴ特性の異なる領域（ＶＴ１、ＶＴ２、ＶＴ３）のうち、液晶に対して電圧印加が小さい特性を示すＶＴ３特性の領域の全て、又はその一部に対して無着色領域２６を設ける。

本実施形態の液晶表示装置のＶＴ特性（ＶＴ１、ＶＴ２及びＶＴ３の合成）をシミュレーションにより測定した結果を示す。図１３は、本発明に係る実施形態２の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。なお、図１３は、図８で示したパターンにおいて、ＶＴ１特性の領域を６０％、ＶＴ２特性の領域を２０％、ＶＴ３特性の領域を２０％とし、ＶＴ３特性の全領域を無着色領域とした場合の結果を示す。その結果、無着色領域２６がない従来のＭＶＡ液晶表示装置に比べて（後述する比較形態１及び図３３参照）、光透過率を１５％改善することができた。

（実施形態３）
本実施形態の液晶表示装置は、無着色領域のレイアウトが異なること以外は実施形態１、２の液晶表示装置と同じ構成を有する。したがって、ここでは実施形態１、２の液晶表示装置と異なる点について主に説明する。

図１４は、実施形態３に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ３−Ｂ３線における断面図である。
実施形態３に係る液晶表示装置３００は、図１４（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板（背面側基板）５０と、それに対向するように設けられたＣＦ基板（観察面側基板）６０と、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０との間に狭持されるように設けられた液晶層７０とを備えている。

ＴＦＴ基板５０の絵素電極１４には、図１４（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の開口であるスリット１４ａが形成されている。

また、ＣＦ基板６０には、図１４（ｂ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の突起物であるリブ２２が形成されている。

そして、ＣＦ基板６０の着色層２４には開口が設けられるとともに、そこに無色透明な無着色領域２６が設けられている。したがって、無着色領域２６は、着色層２４よりも光透過率が大きい領域（高透過領域）となる。また、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２それぞれの一部と重なるように設けられている。以上より、ＣＦ基板６０の従来、透過に充分寄与できなった領域（ここではスリット１４ａ及びリブ２２）の光透過率を改善し、その結果、液晶表示装置全体の光透過率を改善することができる。なお、スリット１４ａに重なる無着色領域２６の幅は、スリット１４ａの幅と略等しく、リブ２２に重なる無着色領域２６の幅は、リブ２２の幅と略等しい。

図１５は、実施形態３に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。
図１５に示すように、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２と重なる領域のうち、補助容量配線１６（図１５中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く全ての領域に設けられてもよい。これにより、表示品位の低下を抑制しつつ、光透過率を改善することができる。

その他、本実施形態についても実施形態１、２で説明した種々の変形例を準用することができる。具体的には、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２の全ての領域と重なるように設けられてもよし、図１４（ｂ）で示したように、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２それぞれのパターンの一部と部分的に重なってもよい。

このように、本実施形態において、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２の少なくとも一部と重なるように設けられる。

また、本実施形態の液晶表示装置３００は、これらの無着色領域２６のパターンが混在された形態であってもよい。このように、無着色領域２６のパターンは、色度再現性により選択されることが好ましい。

更に、スリット１４ａに重なる無着色領域２６の幅は、スリット１４ａの幅より太くてもよいし、細くてもよい。

そして、リブ２２に重なる無着色領域２６の幅は、リブ２２の幅より太くてもよいし、細くてもよい。

また、本実施形態の液晶表示装置３００は、これらの無着色領域２６のパターンが混在された形態を有してもよい。すなわち無着色領域２６は、場所によって幅が変わってもよい。このように、無着色領域２６のサイズは、色度再現性により選択されることが好ましい。

ＭＶＡ液晶表示装置は、一般的に、複数の電圧−透過率特性（ＶＴ特性）を有しているが、本実施形態の液晶表示装置３００もまた、主なＶＴ特性として、以下の３つの特性を有する。すなわち、
（１）絵素電極１４上のＶＴ特性（ＶＴ１、図１４（ｃ）参照）
（２）絵素電極１４のスリット１４ａ部のＶＴ特性（ＶＴ２、図１４（ｃ）参照）
（３）リブ２２部のＶＴ特性（ＶＴ３、図１４（ｃ）参照）
を有する。

本実施形態では、ＶＴ特性の異なる領域（ＶＴ１、ＶＴ２、ＶＴ３）のうち、液晶に対して電圧印加が小さい特性を示すＶＴ２特性及びＶＴ３特性の領域の全て、又はその一部に対して無着色領域２６を設ける。

本実施形態の液晶表示装置のＶＴ特性（ＶＴ１、ＶＴ２及びＶＴ３の合成）をシミュレーションにより測定した結果を示す。図１６は、本発明に係る実施形態３の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。なお、図１６は、図１５で示したパターンにおいて、ＶＴ１特性の領域を６０％、ＶＴ２特性の領域を２０％、ＶＴ３特性の領域を２０％とし、ＶＴ２特性及びＶＴ３特性の全領域を無着色領域とした場合の結果を示す。その結果、無着色領域２６がない従来のＭＶＡ液晶表示装置に比べて（後述する比較形態１及び図３３参照）、光透過率を４１％改善することができた。

（実施形態４）
本実施形態の液晶表示装置は、ＣＦ基板の構成が異なること以外は実施形態１〜３の液晶表示装置と同じ構成を有する。したがって、ここでは実施形態１〜３の液晶表示装置と異なる点について主に説明する。

図１７は、実施形態４に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ４−Ｂ４線における断面図である。
実施形態４に係る液晶表示装置４００は、図１７（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板（背面側基板）５０と、それに対向するように設けられたＣＦ基板（観察面側基板）６０と、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０との間に狭持されるように設けられた液晶層７０とを備えている。

ＴＦＴ基板５０の絵素電極１４には、図１７（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の開口であるスリット１４ａが形成されている。

また、ＣＦ基板６０には、図１７（ｂ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の突起物であるリブ２２が形成されている。

そして、ＣＦ基板６０の着色層２４には、着色層２４よりも色が薄く、光透過率が高い領域（明色領域）２７が設けられている。このように、明色領域２７は、着色層２４よりも光透過率が大きい領域（高透過領域）である。また、明色領域２７は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａと重なる領域のうち、補助容量配線１６やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられている。以上より、ＣＦ基板６０の従来、透過に充分寄与できなった領域（ここではスリット１４ａ）の光透過率を改善し、その結果、液晶表示装置全体の光透過率を改善することができる。また、表示品位の低下を抑制することができる。なお、明色領域２７の幅は、スリット１４ａの幅と略等しい。

明色領域２７は、以下のようにして形成することができる。すなわち、まず、カラーフィルタ２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ（着色層２４）のパターンニング時に、明色領域２７の着色層２４も除去しておき、次に、着色層２４よりも顔料濃度が薄い着色樹脂膜材料をスピンコート法により塗布し、着色層２４の開口部を平坦化する。その後、必要に応じて不要な領域（着色層２４の開口部以外の領域）をフォトリソグラフィ法によりパターンニングすることによって除去する。

明色領域２７はまた、以下のようにして形成してもよい。すなわち、まず、アクリル樹脂等の透明樹脂材料を用いて明色領域２７を配置する領域に、着色層２４よりも薄い膜厚で透明な凸部を形成する。次に、その透明な凸部を覆うように着色樹脂膜材料をスピンコート法により塗布する。着色樹脂膜材料はガラス基板に対して平坦化されるため、透明な凸部上の着色層２４の膜厚はそれ以外の領域の膜厚よりも薄くなる。これにより、透明な凸部が設けられた領域に明色領域２７が形成される。

図１８は、実施形態４に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。
図１８に示すように、明色領域２７は、基板５０、６０を平面視したときにリブ２２と重なる領域のうち、補助容量配線１６（図１８中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く全ての領域に設けられてもよい。これによっても、表示品位の低下を抑制しつつ、光透過率を改善することができる。

図１９は、実施形態４に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。
図１９に示すように、明色領域２７は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２と重なる領域のうち、補助容量配線１６（図１９中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く全ての領域に設けられてもよい。これによっても、表示品位の低下を抑制しつつ、光透過率を改善することができる。

その他、本実施形態についても実施形態１〜３で説明した種々の変形例を準用することができる。具体的には、明色領域２７は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２の全ての領域と重なるように設けられてもよし、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２のパターンの一部と部分的に重なってもよい。

このように、本実施形態において、明色領域２７は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及び／又はリブ２２の少なくとも一部と重なるように設けられる。

また、本実施形態の液晶表示装置４００は、これらの明色領域２７のパターンが混在された形態であってもよい。このように、明色領域２７のパターンは、色度再現性により選択されることが好ましい。

更に、スリット１４ａに重なる明色領域２７の幅は、スリット１４ａの幅より太くてもよいし、細くてもよい。

そして、リブ２２に重なる明色領域２７の幅は、リブ２２の幅より太くてもよいし、細くてもよい。

また、本実施形態の液晶表示装置４００は、これらの明色領域２７のパターンが混在された形態を有してもよい。すなわち明色領域２７は、場所によって幅が変わってもよい。このように、明色領域２７のサイズは、色度再現性により選択されることが好ましい。

ＭＶＡ液晶表示装置は、一般的に、複数の電圧−透過率特性（ＶＴ特性）を有しているが、本実施形態の液晶表示装置４００もまた、主なＶＴ特性として、以下の３つの特性を有する。すなわち、
（１）絵素電極１４上のＶＴ特性（ＶＴ１、図１７（ｃ）参照）
（２）絵素電極１４のスリット１４ａ部のＶＴ特性（ＶＴ２、図１７（ｃ）参照）
（３）リブ２２部のＶＴ特性（ＶＴ３、図１７（ｃ）参照）
を有する。

本実施形態では、ＶＴ特性の異なる領域（ＶＴ１、ＶＴ２、ＶＴ３）のうち、液晶に対して電圧印加が小さい特性を示すＶＴ２特性及びＶＴ３特性の領域の少なくとも一方の全て、又はその一部に対して明色領域２７を設ける。

本実施形態の液晶表示装置のＶＴ特性（ＶＴ１、ＶＴ２及びＶＴ３の合成）をシミュレーションにより測定した結果を示す。図２０は、本発明に係る実施形態４の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。なお、図２０は、図１９で示したパターンにおいて、ＶＴ１特性の領域を６０％、ＶＴ２特性の領域を２０％、ＶＴ３特性の領域を２０％とし、ＶＴ２特性及びＶＴ３特性の全領域を着色層の２倍の透過率を有する明色領域とした場合の結果を示す。その結果、明色領域２７がない従来のＭＶＡ液晶表示装置に比べて（後述する比較形態１及び図３３参照）、光透過率を１２％改善することができた。

なお、明色領域２７の有無や明色領域２７のパターン、サイズ、面積等は、目的とする表示色度に合わせて赤、緑及び青の各絵素（各着色領域）で異なっていてもよい。

（実施形態５）
本実施形態の液晶表示装置は、ＣＦ基板の構成が異なること以外は実施形態１〜４の液晶表示装置と同じ構成を有する。したがって、ここでは実施形態１〜４の液晶表示装置と異なる点について主に説明する。

図２１は、実施形態５に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ５−Ｂ５線における断面図である。
実施形態５に係る液晶表示装置５００は、図２１（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板（背面側基板）５０と、それに対向するように設けられたＣＦ基板（観察面側基板）６０と、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０との間に狭持されるように設けられた液晶層７０とを備えている。

ＴＦＴ基板５０の絵素電極１４には、図２１（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の開口であるスリット１４ａが形成されている。

また、ＣＦ基板６０には、図２１（ｂ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の突起物であるリブ２２が形成されている。

そして、ＣＦ基板６０の着色層２４には開口が設けられるとともに、そこに無色透明の無着色領域２６が設けられている。したがって、無着色領域２６は、着色層２４よりも光透過率が大きい領域（高透過領域）となる。また、ＣＦ基板６０の着色層２４には、着色層２４よりも色が薄く、光透過率が高い領域（明色領域）２７が設けられている。このように、明色領域２７は、着色層２４よりも光透過率が大きい領域（高透過領域）である。更に、無着色領域２６及び明色領域２７は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａと重なる領域のうち、補助容量配線１６やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられている。以上より、ＣＦ基板６０の従来、透過に充分寄与できなった領域（ここではスリット１４ａ）の光透過率を改善し、その結果、液晶表示装置全体の光透過率を改善することができる。また、表示品位の低下を抑制することができる。なお、無着色領域２６及び明色領域２７の幅はそれぞれ、スリット１４ａの幅と略等しい。

図２２は、実施形態５に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。
図２２に示すように、無着色領域２６及び明色領域２７は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２と重なる領域のうち、補助容量配線１６（図２２中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く全ての領域に設けられてもよい。これによっても、表示品位の低下を抑制しつつ、光透過率を改善することができる。

その他、本実施形態についても実施形態１〜４で説明した種々の変形例を準用することができる。具体的には、無着色領域２６及び明色領域２７は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２の全ての領域と重なるように設けられてもよし、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びリブ２２のパターンの一部と部分的に重なってもよいし、基板５０、６０を平面視したときにリブ２２と重なる領域のうち、補助容量配線１６やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く全ての領域に設けられてもよい。

このように、本実施形態において、無着色領域２６及び明色領域２７は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及び／又はリブ２２の少なくとも一部と重なるように設けられる。

また、本実施形態の液晶表示装置５００は、これらの無着色領域２６及び明色領域２７のパターンが混在された形態であってもよい。このように、無着色領域２６及び明色領域２７のパターンは、色度再現性により選択されることが好ましい。

更に、スリット１４ａに重なる無着色領域２６及び明色領域２７の幅はそれぞれ、スリット１４ａの幅より太くてもよいし、細くてもよい。

そして、リブ２２に重なる無着色領域２６及び明色領域２７の幅はそれぞれ、リブ２２の幅より太くてもよいし、細くてもよい。

また、本実施形態の液晶表示装置５００は、これらの無着色領域２６及び明色領域２７のパターンが混在された形態を有してもよい。すなわち無着色領域２６及び明色領域２７はそれぞれ、場所によって幅が変わってもよい。このように、無着色領域２６及び明色領域２７のサイズは、色度再現性により選択されることが好ましい。

ＭＶＡ液晶表示装置は、一般的に、複数の電圧−透過率特性（ＶＴ特性）を有しているが、本実施形態の液晶表示装置５００もまた、主なＶＴ特性として、以下の３つの特性を有する。すなわち、
（１）絵素電極１４上のＶＴ特性（ＶＴ１、図２１（ｃ）参照）
（２）絵素電極１４のスリット１４ａ部のＶＴ特性（ＶＴ２、図２１（ｃ）参照）
（３）リブ２２部のＶＴ特性（ＶＴ３、図２１（ｃ）参照）
を有する。

本実施形態では、ＶＴ特性の異なる領域（ＶＴ１、ＶＴ２、ＶＴ３）のうち、液晶に対して電圧印加が小さい特性を示すＶＴ２特性及びＶＴ３特性の領域の少なくとも一方の全て、又はその一部に対して無着色領域２６及び明色領域２７を設ける。

本実施形態の液晶表示装置のＶＴ特性（ＶＴ１、ＶＴ２及びＶＴ３の合成）をシミュレーションにより測定した結果を示す。図２３は、本発明に係る実施形態５の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。なお、図２３は、図２２で示したパターンにおいて、ＶＴ１特性の領域を６０％、ＶＴ２特性の領域を２０％、ＶＴ３特性の領域を２０％とし、ＶＴ２特性の領域の２０％を無着色領域とし、ＶＴ２特性の領域の８０％を着色層の２倍の透過率を有する明色領域とし、ＶＴ３特性の領域の６０％を無着色領域とし、ＶＴ３特性の領域の４０％を着色層の２倍の透過率を有する明色領域とした場合の結果を示す。その結果、無着色領域２６及び明色領域２７がない従来のＭＶＡ液晶表示装置に比べて（後述する比較形態１及び図３３参照）、光透過率を２６％改善することができた。

なお、無着色領域２６及び明色領域２７の有無や無着色領域２６及び明色領域２７のパターン、サイズ、面積等は、目的とする表示色度に合わせて赤、緑及び青の各絵素（各着色領域）で異なっていてもよい。

（実施形態６）
本実施形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板の構成が異なること以外は実施形態１〜５の液晶表示装置と同様の構成を有する。したがって、ここでは実施形態１〜５の液晶表示装置と異なる点について主に説明する。

図２４は、実施形態６に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ６−Ｂ６線における断面図である。
実施形態６に係る液晶表示装置６００は、図２４（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板（背面側基板）５０と、それに対向するように設けられたＣＦ基板（観察面側基板）６０と、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０との間に狭持されるように設けられた液晶層７０とを備えている。

ＣＦ基板６０には、図２４（ｂ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の突起物であるリブ２２が形成されている。

ＴＦＴ基板５０の絵素電極１４には、図２４（ａ）、（ｃ）に示すように、スリットが設けられる代わりに、リブ２２と同様の線状の突起物であるリブ２７が形成されている。なお、リブ２７の材料や形成方法はリブ２２と同様のものが挙げられる。また、リブ２７の断面形状も特に限定されず、例えば、三角形、台形、半円形、半楕円形等が挙げられる。

本実施形態では、リブ２２とリブ２７とによって液晶層７０中の液晶分子の配向が制御され、いわゆるマルチドメイン化を行っている。これによっても、液晶が無秩序に倒れ込むことによるディスクリネーションを防止することかできるとともに、どの方向から見ても均一な表示が得られるようにすることができる。したがって、液晶表示装置６００も、ＭＶＡ液晶表示装置である。

そして、ＣＦ基板６０の着色層２４には、開口が設けられるとともに、そこに無色透明な無着色領域２６が設けられている。したがって、無着色領域２６は、着色層２４よりも光透過率が大きい領域（高透過領域）となる。また、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにリブ２２と重なる領域のうち、補助容量配線１６やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられている。以上より、ＣＦ基板６０の従来、透過に充分寄与できなった領域（ここではリブ２２）の光透過率を改善し、その結果、液晶表示装置全体の光透過率を改善することができる。また、表示品位の低下を抑制することができる。なお、無着色領域２６の幅は、リブ２２の幅と略等しい。

図２５は、実施形態６に係る液晶表示装置の別の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ７−Ｂ７線における断面図である。
図２５に示すように、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにリブ２７と重なる領域のうち、補助容量配線１６（図２５中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられてもよい。これによっても、表示品位の低下を抑制しつつ、光透過率を改善することができる。

図２６は、実施形態６に係る液晶表示装置の別の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ８−Ｂ８線における断面図である。
図２６に示すように、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにリブ２２及びリブ２７と重なる領域のうち、補助容量配線１６（図２６中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられてもよい。これによっても、表示品位の低下を抑制しつつ、光透過率を改善することができる。

その他、本実施形態についても実施形態１〜５で説明した種々の変形例を準用することができる。具体的には、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにリブ２７及びリブ２２の全ての領域と重なるように設けられてもよし、基板５０、６０を平面視したときにリブ２７及びリブ２２のパターンの一部と部分的に重なってもよい。

このように、本実施形態において、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにリブ２７及び／又はリブ２２の少なくとも一部と重なるように設けられる。

また、本実施形態の液晶表示装置６００は、図２４、２５及び２６で示した無着色領域２６のパターンが混在された形態であってもよい。このように、無着色領域２６のパターンは、色度再現性により選択されることが好ましい。

更に、リブ２７に重なる無着色領域２６の幅は、リブ２７の幅より太くてもよいし、細くてもよい。

また、本実施形態の液晶表示装置６００は、これらの無着色領域２６のパターンが混在された形態を有してもよい。すなわち無着色領域２６は、場所によって幅が変わってもよい。このように、無着色領域２６のサイズは、色度再現性により選択されることが好ましい。

ＭＶＡ液晶表示装置は、一般的に、複数の電圧−透過率特性（ＶＴ特性）を有しているが、本実施形態の液晶表示装置６００もまた、主なＶＴ特性として、以下の３つの特性を有する。すなわち、
（１）絵素電極１４上のＶＴ特性（ＶＴ１、図２４（ｃ）参照）
（２）リブ２２部のＶＴ特性（ＶＴ２、図２４（ｃ）参照）
（３）リブ２７部のＶＴ特性（ＶＴ３、図２４（ｃ）参照）
を有する。

本実施形態では、ＶＴ特性の異なる領域（ＶＴ１、ＶＴ２、ＶＴ３）のうち、液晶に対して電圧印加が小さい特性を示すＶＴ２特性及びＶＴ３特性の領域の少なくとも一方の全て、又はその一部に対して無着色領域２６を設ける。

本実施形態の液晶表示装置のＶＴ特性（ＶＴ１、ＶＴ２及びＶＴ３の合成）をシミュレーションにより測定した結果を示す。図２７は、本発明に係る実施形態６の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。なお、図２７は、図２５で示したパターンにおいて、ＶＴ１特性の領域を６０％、ＶＴ２特性の領域を２０％、ＶＴ３特性の領域を２０％とし、ＶＴ３特性の全領域を無着色領域とした場合の結果を示す。その結果、無着色領域２６がない従来のＭＶＡ液晶表示装置に比べて（後述する比較形態１及び図３３参照）、光透過率を１２％改善することができた。

（実施形態７）
本実施形態の液晶表示装置は、ＣＦ基板の構成が異なること以外は実施形態１〜６の液晶表示装置と同様の構成を有する。したがって、ここでは実施形態１〜６の液晶表示装置と異なる点について主に説明する。

図２８は、実施形態７に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ９−Ｂ９線における断面図である。
実施形態７に係る液晶表示装置７００は、図２８（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板（背面側基板）５０と、それに対向するように設けられたＣＦ基板（観察面側基板）６０と、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０との間に狭持されるように設けられた液晶層７０とを備えている。

ＴＦＴ基板５０の絵素電極１４には、図２８（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の開口であるスリット１４ａが形成されている。

ＣＦ基板６０には、図２８（ａ）、（ｃ）に示すように、リブが設けられる代わりに、液晶配向用構造物として機能する線状の開口であるスリット２１ａが共通電極２１に形成されている。

本実施形態では、スリット１４ａとスリット２１ａとによって液晶層７０中の液晶分子の配向が制御され、いわゆるマルチドメイン化を行っている。これによっても、液晶が無秩序に倒れ込むことによるディスクリネーションを防止することかできるとともに、どの方向から見ても均一な表示が得られるようにすることができる。したがって、液晶表示装置７００も、ＭＶＡ液晶表示装置である。

そして、ＣＦ基板６０の着色層２４には開口が設けられるとともに、そこに無色透明な無着色領域２６が設けられている。したがって、無着色領域２６は、着色層２４よりも光透過率が大きい領域（高透過領域）となる。また、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット２１ａと重なる領域のうち、補助容量配線１６やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられている。以上より、ＣＦ基板６０の従来、透過に充分寄与できなった領域（ここではスリット２１ａ）の光透過率を改善し、その結果、液晶表示装置全体の光透過率を改善することができる。また、表示品位の低下を抑制することができる。なお、無着色領域２６の幅は、スリット２１ａの幅と略等しい。

図２９は、実施形態７に係る液晶表示装置の別の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ１０−Ｂ１０線における断面図である。
図２９に示すように、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａと重なる領域のうち、補助容量配線１６（図２９中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられてもよい。これによっても、表示品位の低下を抑制しつつ、光透過率を改善することができる。

図３０は、実施形態７に係る液晶表示装置の別の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ１１−Ｂ１１線における断面図である。
図３０に示すように、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びスリット２１ａと重なる領域のうち、補助容量配線１６（図３０中、点線に対応する領域）やゲート信号線、ソース信号線等の金属薄膜により形成された配線パターンと重なる領域を除く領域のみに設けられてもよい。

その他、本実施形態についても実施形態１〜６で説明した種々の変形例を準用することができる。具体的には、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びスリット２１ａの全ての領域と重なるように設けられてもよし、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及びスリット２１ａのパターンの一部と部分的に重なってもよい。

このように、本実施形態において、無着色領域２６は、基板５０、６０を平面視したときにスリット１４ａ及び／又はスリット２１ａの少なくとも一部と重なるように設けられる。

また、本実施形態の液晶表示装置７００は、図２８、２９及び３０で示した無着色領域２６のパターンが混在された形態であってもよい。このように、無着色領域２６のパターンは、色度再現性により選択されることが好ましい。

そして、スリット２１ａに重なる無着色領域２６の幅は、スリット２１ａの幅より太くてもよいし、細くてもよい。

また、本実施形態の液晶表示装置７００は、これらの無着色領域２６のパターンが混在された形態を有してもよい。すなわち無着色領域２６は、場所によって幅が変わってもよい。このように、無着色領域２６のサイズは、色度再現性により選択されることが好ましい。

ＭＶＡ液晶表示装置は、一般的に、複数の電圧−透過率特性（ＶＴ特性）を有しているが、本実施形態の液晶表示装置７００もまた、主なＶＴ特性として、以下の３つの特性を有する。すなわち、
（１）絵素電極１４上のＶＴ特性（ＶＴ１、図２８（ｃ）参照）
（２）絵素電極１４のスリット１４ａ部のＶＴ特性（ＶＴ２、図２８（ｃ）参照）
（３）共通電極２１のスリット２１ａ部のＶＴ特性（ＶＴ３、図２８（ｃ）参照）
を有する。

本実施形態の液晶表示装置のＶＴ特性（ＶＴ１、ＶＴ２及びＶＴ３の合成）をシミュレーションにより測定した結果を示す。図３１は、本発明に係る実施形態７の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。なお、図３１は、図２８で示したパターンにおいて、ＶＴ１特性の領域を６０％、ＶＴ２特性の領域を２０％、ＶＴ３特性の領域を２０％とし、ＶＴ３特性の全領域を無着色領域とした場合の結果を示す。その結果、無着色領域２６がない従来のＭＶＡ液晶表示装置に比べて（後述する比較形態１及び図３３参照）、光透過率を１５％改善することができた。

以上、実施形態１〜７では透過型液晶表示装置を用いて本発明について説明したが、本発明の液晶表示装置においては、高透過領域が透過領域の少なくとも一部に設けられればよく、本発明の液晶表示装置は、透過領域とともに反射領域（反射表示を行う領域）が設けられた半透過型液晶表示装置であってもよい。この場合、反射領域の液晶配向用構造物に重なる領域に高透過領域を設けてもよいし、設けなくともよい。

（比較形態１）
本比較形態の液晶表示装置は、ＣＦ基板の構成が異なること以外は実施形態１の液晶表示装置と同じ構成を有する。したがって、ここでは実施形態１の液晶表示装置と異なる点について主に説明する。

図３２は、比較形態１に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ１２−Ｂ１２線における断面図である。
比較形態１に係る液晶表示装置１１００は、図３２（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板（背面側基板）１５０と、それに対向するように設けられたＣＦ基板（観察面側基板）１６０と、ＴＦＴ基板１５０とＣＦ基板１６０との間に狭持されるように設けられた液晶層１７０とを備えている。

ＴＦＴ基板１５０の絵素電極１１４には、図３２（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の開口であるスリット１４ａが形成されている。

また、ＣＦ基板１６０には、図３２（ｂ）に示すように、実施形態１と同様に、線状の突起物であるリブ１２２が形成されている。

しかしながら、ＣＦ基板１６０の着色層１２４には、無着色領域も明色領域も設けられていない。

ＭＶＡ液晶表示装置は、一般的に、複数の電圧−透過率特性（ＶＴ特性）を有しているが、本比較形態の液晶表示装置１１００もまた、主なＶＴ特性として、以下の３つの特性を有する。すなわち、
（１）絵素電極１１４上のＶＴ特性（ＶＴ１、図３２（ｃ）参照）
（２）絵素電極１１４のスリット１４ａ部のＶＴ特性（ＶＴ２、図３２（ｃ）参照）
（３）リブ１２２部のＶＴ特性（ＶＴ３、図３２（ｃ）参照）
を有する。

本比較形態の液晶表示装置のＶＴ特性（ＶＴ１、ＶＴ２及びＶＴ３の合成）をシミュレーションにより測定した結果を示す。図３３は、比較形態１の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。なお、図３３は、図３２で示したパターンにおいて、ＶＴ１特性の領域を６０％、ＶＴ２特性の領域を２０％、ＶＴ３特性の領域を２０％とした場合の結果を示す。その結果、本比較形態の液晶表示装置は、実施形態１〜５の液晶表示装置に比べて、光透過率が低かった。

（比較形態２）
図３４は、比較形態２に係る液晶表示装置（ＴＦＴ基板）の構成を示す平面模式図である。
比較形態２に係る液晶表示装置１２００は、ＴＦＴ基板（背面側基板）１５０と、それに対向するように設けられたＣＦ基板（観察面側基板、図示せず）と、ＴＦＴ基板１５０とＣＦ基板との間に狭持されるように設けられた液晶層（図示せず）とを備えるＴＮ液晶表示装置である。

ＴＦＴ基板１５０には、図３４に示すように、絵素電極１１４のスリットもリブも設けられていない。また、ＣＦ基板にも、リブも共通電極のスリットも設けられていない。したがって、本比較形態の液晶表示装置は、絵素開口部の全てでバックライトの光を透過することができるが、実施形態１〜７の液晶表示装置に比べて、コントラスト及び視野角で劣る。

実施形態１に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ１−Ｂ１線における断面図である。実施形態１に係る液晶表示装置のＶＴ特性の模式図を示す。実施形態１に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。実施形態１に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。実施形態１に係る液晶表示装置の別の構成を示す断面模式図である。実施形態１に係る液晶表示装置の別の構成を示す断面模式図である。本発明に係る実施形態１の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。実施形態２に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ２−Ｂ２線における断面図である。実施形態２に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。実施形態２に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。実施形態２に係る液晶表示装置の別の構成を示す断面模式図である。実施形態２に係る液晶表示装置の別の構成を示す断面模式図である。本発明に係る実施形態２の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。実施形態３に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ３−Ｂ３線における断面図である。実施形態３に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。本発明に係る実施形態３の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。実施形態４に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ４−Ｂ４線における断面図である。実施形態４に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。実施形態４に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。本発明に係る実施形態４の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。実施形態５に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ５−Ｂ５線における断面図である。実施形態５に係る液晶表示装置（ＣＦ基板）の別の構成を示す平面模式図である。本発明に係る実施形態５の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。実施形態６に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ６−Ｂ６線における断面図である。実施形態６に係る液晶表示装置の別の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ７−Ｂ７線における断面図である。実施形態６に係る液晶表示装置の別の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ８−Ｂ８線における断面図である。本発明に係る実施形態６の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。実施形態７に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ９−Ｂ９線における断面図である。実施形態７に係る液晶表示装置の別の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ１０−Ｂ１０線における断面図である。実施形態７に係る液晶表示装置の別の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ１１−Ｂ１１線における断面図である。本発明に係る実施形態７の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。比較形態１に係る液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、ＴＦＴ基板の平面図であり、（ｂ）は、ＣＦ基板の平面図であり、（ｃ）は、（ａ）及び（ｂ）中のＡ１２−Ｂ１２線における断面図である。比較形態１の液晶表示装置のＶＴ特性を示すグラフである。比較形態２に係る液晶表示装置（ＴＦＴ基板）の構成を示す平面模式図である。

符号の説明

５ｇ：ゲート信号線（ゲート電極）
５ｓ：ソース信号線
６：半導体層
１０、２０：ガラス基板
１１：薄膜トランジスタ
１１ｄ：ドレイン電極
１１ｓ：ソース電極
１４：絵素電極
１４ａ：絵素電極のスリット
１６：補助容量配線
２１：共通電極
２１ａ：共通電極のスリット
２２、２７：リブ
２４：着色層
２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ：カラーフィルタ
２５：ブラックマトリクス（ＢＭ）
２６：無着色領域
２７：明色領域
５０：ＴＦＴ基板
６０：ＣＦ基板
７０：液晶層
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００：液晶表示装置

Claims

一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、絵素の少なくとも一部に透過表示を行う透過領域が設けられた液晶表示装置であって、
前記一対の基板は、それぞれ互いに独立して、前記液晶層の配向を制御するための液晶配向用構造物として、電極スリット及び突起の少なくとも一方を有し、
前記液晶層は、ｎ型ネマチック液晶を含み、
前記一対の基板の少なくとも一方は、着色層を有し、
前記一対の基板を平面視したときの前記着色層の前記液晶配向用構造物に重なる領域の少なくとも一部には、前記着色層よりも光透過率が高い高透過領域が設けられ、
前記高透過率領域は、前記一対の基板を平面視したとき、前記透過領域の少なくとも一部に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
前記高透過率領域は、無着色領域を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
前記無着色領域は、透明領域を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
前記無着色領域は、前記着色層の開口を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記高透過率領域は、前記着色層よりも色が薄い領域を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記高透過率領域は、前記着色層の膜厚が薄くなった領域を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記一対の基板の背面側の基板は、配線を有し、
前記高透過率領域は、前記一対の基板を平面視したとき、前記配線を除く領域に設けられることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記一対の基板の背面側の基板は、金属層を有し、
前記高透過率領域は、前記一対の基板を平面視したとき、前記金属層を除く領域に設けられることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示装置。