JP2010093258A - Ceramic chip assembly - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、セラミックチップアセンブリに関し、特に、均一な膜厚の絶縁保護膜を備え、機械的強度が向上した厚みの薄いセラミックチップアセンブリに関する。また、本発明は、外部の荷重、衝撃及び摩擦から内部のセラミックチップが保護され、外部環境からセラミックチップが受ける影響の小さいセラミックチップアセンブリに関する。さらに、本発明は、材料が安価でリールテープ方式で連続作業が可能であり、生産性及び経済性の優れたセラミックチップアセンブリに関する。 The present invention relates to a ceramic chip assembly, and more particularly, to a thin ceramic chip assembly having an insulating protective film having a uniform film thickness and improved mechanical strength. The present invention also relates to a ceramic chip assembly that protects an internal ceramic chip from external loads, impacts, and friction, and that is less affected by the ceramic chip from the external environment. Furthermore, the present invention relates to a ceramic chip assembly which is inexpensive and can be continuously operated in a reel tape manner, and has excellent productivity and economy.
サーミスタ、磁性体または圧電体等の半導体の電気的性能を有するセラミックチップをプリント回路基板(PCB)上に装着する方法の一つとして、セラミックチップに金属リードワイヤ(lead wire)またはリードフレーム(lead frame)をソルダリングしてセラミックチップアセンブリを形成した後、プリント回路基板の導電パターンにリードワイヤやリードフレームを半田付けしてセラミックチップとプリント回路基板を電気的に連結しながら接合する方法がある。この場合、半導体の電気的性能を有するセラミックチップは機械的強度が弱いので、外部の荷重、衝撃及び摩擦により壊れたり、また湿気のような外部環境の変化により電気的性能が低下するおそれがあるので、セラミックチップにリードワイヤをソルダリングした後、セラミックチップとリードワイヤとの連結部分とセラミックチップの上に絶縁体をコーティングまたは形成する。 As one method of mounting a ceramic chip having the electrical performance of a semiconductor such as a thermistor, a magnetic body or a piezoelectric body on a printed circuit board (PCB), a metal lead wire or a lead frame (lead) is attached to the ceramic chip. There is a method in which a ceramic chip assembly is formed by soldering frame), and then a lead wire or a lead frame is soldered to the conductive pattern of the printed circuit board to join the ceramic chip and the printed circuit board while being electrically connected. . In this case, since the ceramic chip having the electrical performance of the semiconductor has a low mechanical strength, it may be broken by an external load, impact and friction, or the electrical performance may be deteriorated by a change in the external environment such as moisture. Therefore, after the lead wire is soldered to the ceramic chip, an insulator is coated or formed on the connection portion between the ceramic chip and the lead wire and the ceramic chip.
このようなセラミックチップアセンブリは、プリント回路基板に容易に電気的にも機構的(力学的)にも連結されることや、また様々な特性に対する信頼性を満たすことが要求される。さらに、セラミックチップアセンブリは、リールテープ(reel taping)方式で製造される必要があり、安価な上でプリント回路基板に自動的に装着される必要がある。また、近年の電子及び通信技術の発展に伴い、セラミックチップアセンブリには、軽薄短小の特性及び外部環境に対して高い信頼性が要求される。 Such a ceramic chip assembly is required to be easily electrically and mechanically (mechanically) connected to a printed circuit board and to satisfy various characteristics. Furthermore, the ceramic chip assembly needs to be manufactured by a reel tape method, and is inexpensive and automatically mounted on a printed circuit board. Further, with the recent development of electronic and communication technologies, ceramic chip assemblies are required to have light and thin characteristics and high reliability with respect to the external environment.
図1は、円形の金属リードワイヤとセラミックチップ部品が半田付け方法によってソルダリングされた従来のセラミックチップアセンブリを示す。
図示したように、表面と裏面にそれぞれ外部電極12、14が形成されたセラミックベアチップ(Ceramic bare chip)10の外部電極12、14上に、リードワイヤ20、22の端部がソルダー30により固着され、セラミックベアチップ10とリードワイヤ20、22の端部はコーティングまたはディップ(Dipping)方式により形成されたエポキシ等の絶縁保護膜40により包まれる。
FIG. 1 shows a conventional ceramic chip assembly in which circular metal lead wires and ceramic chip components are soldered by a soldering method.
As shown in the figure, the end portions of the
セラミックベアチップ10は、通常、内部電極を有することがなく厚みの薄い外部電極12、14のみで構成され、これらの外部電極12、14は、通常、広い面積のセラミックベアチップ10の表面と裏面に形成される。このように内部電極が形成されないセラミックベアチップ10は、様々な電気的性能を有し難い短所がある。
金属リードワイヤ20、22は、安価で自動化に好都合な円形からなり、通常、0.15mm乃至0.5mmの直径を有する。
The ceramic
The
しかし、このような従来の構造には、次のような短所がある。
まず、セラミックベアチップ10の全部とリードワイヤ20、22の一部を保護するために、エポキシ等の絶縁保護膜40が形成されるが、セラミックベアチップ10の表面と裏面に形成されたリードワイヤ20、22により、セラミックチップアセンブリ1の厚さが増加し、凹凸が生じるという短所がある。
However, such a conventional structure has the following disadvantages.
First, in order to protect the entire ceramic
また、セラミックベアチップ10の表面と裏面上にリードワイヤ20、22が位置し、セラミックベアチップ10の表面と裏面上に与えられる外部の荷重、衝撃及び摩擦が、突出しているリードワイヤ20、22部分に集中されるため、リードワイヤ20、22の下に位置するセラミックベアチップ10が壊れるおそれがある。
また、通常のセラミックベアチップ10は、半導体材料のみで構成され、外部の衝撃や摩擦に対して機械的強度が弱いという短所もある。
In addition,
Further, the normal ceramic
さらに、通常、リードワイヤ20、22の外径よりもセラミックベアチップ10のサイズが大きいので、外部の荷重、衝撃及び摩擦に対するセラミックベアチップの保護が制限され、また、軽薄短小型セラミックチップアセンブリに適合しないという短所がある。
例えば、コンピュータのCPUの温度を測定するために、サーミスタ性能を有するセラミックチップアセンブリがCPUの下部に挿入されるが、このとき、セラミックチップアセンブリは厚みが薄く且つ機械的強度が高く、表面と裏面が滑らかな水平をなしながら安価である必要があるが、図1に示す従来の構造ではこのような特性の具現が困難であった。
In addition, the size of the ceramic
For example, in order to measure the temperature of a CPU of a computer, a ceramic chip assembly having a thermistor performance is inserted into the lower part of the CPU. At this time, the ceramic chip assembly is thin and has high mechanical strength, and the front and back surfaces. However, in the conventional structure shown in FIG. 1, it is difficult to realize such characteristics.
一方、図1の従来の構造において、厚さを薄くするために、円形のリードワイヤ20、22の代わりに一定の厚さ、例えば、0.15mm程度の厚さを有する薄膜の金属箔をエッチングまたはプレス(Press)したシート形状のリードフレームを使用し、長さ、厚さ及び幅がそれぞれ1mm、0.35mm及び0.5mm程度の外部電極を有するセラミックベアチップ10またはセラミックチップを使用し、絶縁保護膜40としてはホットメルト(Hot melt)接着剤が形成された一対の絶縁フィルムを使用して、熱と圧力で密封することができる。
On the other hand, in the conventional structure of FIG. 1, in order to reduce the thickness, a thin metal foil having a certain thickness, for example, about 0.15 mm is etched instead of the
しかし、このような変形された構造によると、リードフレームの価格が円形の金属リードワイヤよりも高く、リールテープ方式で連続した生産が困難であるという短所がある。さらに、リードフレームの断面は、通常、0.15mm程度の薄い厚さで、幅は厚さに比べて相当広い、例えば0.5mm程度の矩形で、これらのリードフレームの間に挿入されてソルダリングされたセラミックベアチップまたはセラミックチップの厚さはリードフレームの厚さよりも厚いため、外部に突出した部分が外部の荷重、衝撃または摩擦により壊れたり損傷されるおそれがある。すなわち、リードフレームは薄い厚さを有するため、水平または垂直方向から与えられる衝撃または摩擦から内部のセラミックベアチップまたはセラミックチップを物理的に保護するには限界がある。一方、リードフレームの厚さ部分がセラミックベアチップ10またはセラミックチップと接触するように幅方向に立てる場合にも、セラミックチップアセンブリの垂直方向から与えられる外部の荷重、衝撃または摩擦からセラミックチップを保護し難い。
However, according to such a modified structure, the price of the lead frame is higher than that of the circular metal lead wire, and it is difficult to continuously produce the reel tape method. Furthermore, the cross section of the lead frame is usually a thin thickness of about 0.15 mm, and the width is considerably wider than the thickness, for example, a rectangle of about 0.5 mm. The lead frame is inserted between these lead frames and soldered. Since the thickness of the ringed ceramic bare chip or the ceramic chip is thicker than the thickness of the lead frame, a portion protruding to the outside may be broken or damaged by an external load, impact or friction. That is, since the lead frame has a small thickness, there is a limit in physically protecting the internal ceramic bare chip or the ceramic chip from impact or friction applied from the horizontal or vertical direction. On the other hand, even when the thickness portion of the lead frame is erected in the width direction so as to contact the ceramic
また、断面が矩形のリードフレームと矩形構造のセラミックチップの外部電極が互いに接触して半田付けされる部分は直線からなり、半田付けされる面積が小さくてソルダリング強度が弱いという短所がある。
さらに、リードフレームが矩形構造からなるため、プリント回路基板の円形穴に挿入して半田付けするには非効率的であり、薄板のリードフレームは完全に撓むまでは弾性により元に戻る傾向があり、一定部位への固着が困難である。また、繰り返して与えられる力によりリードフレームが薄い厚さ方向に切断されるおそれがある。
In addition, the lead frame having a rectangular cross section and the external electrode of the ceramic chip having a rectangular structure are in contact with each other and are soldered, so that the soldered area is small and the soldering strength is weak.
Furthermore, since the lead frame has a rectangular structure, it is inefficient to insert into the circular hole of the printed circuit board and solder, and the thin lead frame tends to return to its original state until it is fully bent. Yes, it is difficult to adhere to a certain part. Further, the lead frame may be cut in a thin thickness direction due to the force repeatedly applied.
さらに、ホットメルト接着剤は熱により溶融されるので、高温で使用する際、接着力がなくなって、セラミックチップを保護できないという短所がある。
尚、通常リードフレームに適用されるセラミックチップは、内部電極が形成されない薄い単層のセラミックベアチップであって、様々な性能を有するセラミックチップアセンブリを提供し難いという短所がある。
Further, since the hot melt adhesive is melted by heat, there is a disadvantage that the adhesive force is lost and the ceramic chip cannot be protected when used at a high temperature.
The ceramic chip normally applied to the lead frame is a thin single layer ceramic bare chip in which no internal electrode is formed, and has a disadvantage that it is difficult to provide a ceramic chip assembly having various performances.
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、厚みが薄く且つ強度を有するセラミックチップアセンブリを提供することにある。
本発明の他の目的は、外部の荷重、衝撃及び摩擦からセラミックチップの破損を防止するセラミックチップアセンブリを提供することにある。
本発明のまた他の目的は、リードワイヤとセラミックチップが電気的に接合され且つ力学的にも強い接合力を有するセラミックチップアセンブリを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a ceramic chip assembly having a small thickness and strength.
It is another object of the present invention to provide a ceramic chip assembly that prevents damage to the ceramic chip from external loads, impacts and friction.
It is another object of the present invention to provide a ceramic chip assembly in which a lead wire and a ceramic chip are electrically bonded and have a strong mechanical strength.
本発明のまた他の目的は、リールテープ方式により自動化に好都合で経済性のあるセラミックチップアセンブリを提供することにある。
本発明のまた他の目的は、均一な膜厚の絶縁保護膜を有するセラミックチップアセンブリを提供することにある。
本発明のまた他の目的は、外部環境から内部のセラミックチップを確実に保護するセラミックチップアセンブリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a ceramic chip assembly that is convenient for automation and economical by a reel tape method.
Another object of the present invention is to provide a ceramic chip assembly having an insulating protective film having a uniform thickness.
It is another object of the present invention to provide a ceramic chip assembly that reliably protects an internal ceramic chip from the external environment.
本発明のまた他の目的は、高温でも使用できるセラミックチップアセンブリを提供することにある。
本発明のまた他の目的は、上下同一構造を備えて生産性が向上したセラミックチップアセンブリを提供することにある。
本発明のまた他の目的は、セラミックチップの内部電極により様々な電気的特性を容易に具現することができるセラミックチップアセンブリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a ceramic chip assembly that can be used even at high temperatures.
Another object of the present invention is to provide a ceramic chip assembly having the same upper and lower structures and improved productivity.
It is another object of the present invention to provide a ceramic chip assembly that can easily realize various electrical characteristics by internal electrodes of the ceramic chip.
本発明のまた他の目的は、リードワイヤがプリント回路基板に容易に挿入及び半田付けされ、完全に撓む前にも弾性により元に戻る傾向が少なくて一定部位に固着し易く、また繰り返して与えられる力により切断されることのないセラミックチップアセンブリを提供することにある。
本発明のまた他の目的は、二つのリードワイヤを広げる際にセラミックチップに与える影響が少ないセラミックチップアセンブリを提供することにある。
Another object of the present invention is that the lead wire is easily inserted and soldered to the printed circuit board, and is less likely to return to elasticity before it is fully bent, and is easily fixed to a certain portion. It is an object of the present invention to provide a ceramic chip assembly that is not cut by a given force.
It is still another object of the present invention to provide a ceramic chip assembly that has little influence on the ceramic chip when spreading two lead wires.
上記目的は、半導体の電気的特性を有するセラミックベースと、前記セラミックベースの対向する両側面に各々形成された外部電極と、一端が前記外部電極各々に電気伝導性接着手段により接着されると共に電気的に連結され、前記セラミックベースの側面の厚さ以上の外径を有する、断面が円形の金属リードワイヤと、絶縁接着剤を介在させて相互接着され、前記金属リードワイヤの他端が外部に露出するように、前記セラミックベース、外部電極、電気伝導性接着手段及び金属リードワイヤを密封する一対の絶縁フィルムと、を含むセラミックチップアセンブリにより達成される。 The object is to provide a ceramic base having electrical characteristics of a semiconductor, external electrodes respectively formed on opposite side surfaces of the ceramic base, and one end bonded to each external electrode by an electrically conductive adhesive means. And a metal lead wire having an outer diameter equal to or greater than the thickness of the side surface of the ceramic base and having a circular cross section and an adhesive adhesive, and the other end of the metal lead wire is externally connected. A ceramic chip assembly including the ceramic base, the external electrode, the electrically conductive adhesive means, and a pair of insulating films for sealing the metal lead wires to expose the ceramic lead assembly.
また、上記目的は、半導体の電気的特性を有するセラミックベースと、前記セラミックベースの対向する両側面に各々形成された外部電極と、一端が前記外部電極各々に電気伝導性接着手段により接着されると共に電気的に連結され、前記セラミックベースの側面の厚さ以上の外径を有する、断面が円形の金属リードワイヤと、前記金属リードワイヤの他端が外部に露出するように、前記セラミックベース、外部電極、電気伝導性接着手段及び金属リードワイヤを密封して接着する絶縁コーティング層と、を含むセラミックチップアセンブリにより達成される。 Further, the above object is to provide a ceramic base having electrical characteristics of a semiconductor, external electrodes respectively formed on opposite side surfaces of the ceramic base, and one end bonded to each external electrode by an electrically conductive bonding means. A metal lead wire having an outer diameter equal to or greater than a thickness of a side surface of the ceramic base and having a circular cross section, and the ceramic base so that the other end of the metal lead wire is exposed to the outside. This is achieved by a ceramic chip assembly including an external electrode, an electrically conductive bonding means and an insulating coating layer that seals and bonds the metal lead wire.
好ましくは、前記絶縁コーティング層は、絶縁接着剤を介して相互接着される一対の絶縁フィルムにより包まれることができる。
好ましくは、前記セラミックベースの厚さは、0.2mm乃至0.6mmであり、前記セラミックベースの長さは、厚さと幅よりも大きい寸法を有し、前記リードワイヤは、前記セラミックベースの長さ方向に延長されるように前記外部電極に連結されることができる。
Preferably, the insulating coating layer may be wrapped by a pair of insulating films that are bonded to each other through an insulating adhesive.
Preferably, the thickness of the ceramic base is 0.2 mm to 0.6 mm, the length of the ceramic base has a dimension larger than the thickness and width, and the lead wire has a length of the ceramic base. The external electrode may be connected to extend in the vertical direction.
また、好ましくは、前記セラミックベースの内部には、前記外部電極と電気的に連結される内部電極が形成されることができる。
好ましくは、前記セラミックベースは、半導体の電気的特性を有するサーミスタ、磁性体または圧電体のうち何れか一つであっても良い。
好ましくは、前記セラミックベースは、絶縁アルミナ基板上に一部形成されることができる。
Preferably, an internal electrode electrically connected to the external electrode may be formed in the ceramic base.
Preferably, the ceramic base may be any one of a thermistor, a magnetic body, or a piezoelectric body having semiconductor electrical characteristics.
Preferably, the ceramic base may be partially formed on an insulating alumina substrate.
また、好ましくは、前記セラミックベースの厚さの中間位置からの延長線上に前記リードワイヤの断面中心が位置し、上下方向に同一形状を有することができる。
好ましくは、前記金属リードワイヤは、直径が0.2mm乃至0.6mmの銅系、ニッケル系または鉄系金属のうち何れか一つであっても良い。
好ましくは、前記絶縁接着剤は、熱可塑性ホットメルトまたは硬化性接着剤のうち何れか一つであっても良い。
Preferably, the center of the cross section of the lead wire is positioned on an extension line from an intermediate position of the thickness of the ceramic base, and can have the same shape in the vertical direction.
Preferably, the metal lead wire may be any one of a copper-based, nickel-based, or iron-based metal having a diameter of 0.2 mm to 0.6 mm.
Preferably, the insulating adhesive may be any one of a thermoplastic hot melt or a curable adhesive.
好ましくは、前記電気伝導性接着手段による接着は、ソルダークリームによるソルダリング、硬化性及び電気伝導性を有するポリマー接着剤による接着またはスポット溶接のうち何れか一つであっても良い。
好ましくは、前記絶縁フィルムは、厚さが0.015mm乃至0.07mmのPET、PEN、PIまたはフッ素樹脂フィルムのうち何れか一つであっても良い。
Preferably, the bonding by the electrically conductive bonding means may be any one of soldering by a solder cream, bonding by a polymer adhesive having curability and electric conductivity, or spot welding.
Preferably, the insulating film may be any one of PET, PEN, PI, or a fluororesin film having a thickness of 0.015 mm to 0.07 mm.
また、前記絶縁コーティング層は、硬化性ポリマー樹脂またはガラスのうち何れか一つであっても良い。
好ましくは、前記リードワイヤの全ての端部は、前記セラミックベースよりも突出する。
また、上記目的は、対向する両側面に外部電極が形成され、半導体の電気的特性を有するセラミックベースを用意して、連続供給するステップと、リール(Reel)形態に連続供給される円形断面の金属リードワイヤを、キャリアテープを用いて曲線にフォーミングして、前記金属リードワイヤの間で前記セラミックベースの外部電極と接触するように維持するステップと、前記金属リードワイヤと接触維持された前記セラミックベースの外部電極を電気伝導性接着手段で接着するステップと、前記電気伝導性接着手段により外部電極とリードワイヤが接着されると共に電気的に連結された後、前記金属リードワイヤの曲線にフォーミングした部分を切断して、前記金属リードワイヤを分離するステップと、前記金属リードワイヤの他端が外部に露出するように、前記セラミックベース、外部電極、電気伝導性接着手段及び金属リードワイヤを、絶縁接着剤が塗布された一対の絶縁フィルムを使用して熱と圧力により密封するステップと、を含むセラミックチップアセンブリの製造方法により達成される。
The insulating coating layer may be any one of curable polymer resin or glass.
Preferably, all the end portions of the lead wire protrude from the ceramic base.
In addition, the above-described object is to prepare a ceramic base having external electrodes formed on opposite side surfaces and having semiconductor electrical characteristics, and to supply a ceramic base having a circular cross-section that is continuously supplied in a reel form. Forming a metal lead wire into a curve using a carrier tape to maintain contact between the metal lead wires and the ceramic-based external electrode; and the ceramic maintained in contact with the metal lead wires A step of bonding the external electrode of the base with an electrically conductive bonding means, and the external electrode and the lead wire are bonded and electrically connected by the electrically conductive bonding means, and then formed into a curve of the metal lead wire. Cutting the portion to separate the metal lead wire, and the other end of the metal lead wire is Sealing the ceramic base, the external electrode, the electrically conductive bonding means, and the metal lead wire by heat and pressure using a pair of insulating films coated with an insulating adhesive so as to be exposed to a part. This is achieved by a method of manufacturing a ceramic chip assembly comprising.
好ましくは、前記絶縁フィルムで密封されないリードワイヤの両端に計測器を連結して、連続して自動選別するステップをさらに含むことができる。
また、上記目的は、対向する両側面に外部電極が形成され、半導体の電気的特性を有するセラミックベースを用意して、連続供給するステップと、リール(Reel)形態に連続供給される円形断面の金属リードワイヤを、キャリアテープを用いて曲線にフォーミングして、前記金属リードワイヤの間で前記セラミックベースの外部電極と接触するように維持するステップと、前記金属リードワイヤと接触維持された前記セラミックベースの外部電極を電気伝導性接着手段で接着するステップと、前記電気伝導性接着手段により外部電極とリードワイヤが接着されると共に電気的に連結された後、前記金属リードワイヤの曲線にフォーミングした部分を切断して、前記金属リードワイヤを分離するステップと、前記金属リードワイヤの他端が外部に露出するように、前記セラミックベース、外部電極、電気伝導性接着手段及び金属リードワイヤを液状のコーティング接着剤にディップして密封するステップと、前記絶縁コーティング接着剤を硬化して、固状の絶縁コーティング層に形成するステップと、を含むセラミックチップアセンブリの製造方法により達成される。
Preferably, the method may further include a step of automatically and continuously selecting a measuring instrument at both ends of the lead wire not sealed with the insulating film.
In addition, the above-described object is to prepare a ceramic base having external electrodes formed on opposite side surfaces and having semiconductor electrical characteristics, and to supply a ceramic base having a circular cross-section that is continuously supplied in a reel form. Forming a metal lead wire into a curve using a carrier tape to maintain contact between the metal lead wires and the ceramic-based external electrode; and the ceramic maintained in contact with the metal lead wires A step of bonding the external electrode of the base with an electrically conductive bonding means, and the external electrode and the lead wire are bonded and electrically connected by the electrically conductive bonding means, and then formed into a curve of the metal lead wire. Cutting the portion to separate the metal lead wire, and the other end of the metal lead wire is Dipping the ceramic base, the external electrode, the electrically conductive bonding means and the metal lead wire into a liquid coating adhesive so as to be exposed, and curing the insulating coating adhesive to form a solid Forming the insulating coating layer of the ceramic chip assembly.
好ましくは、前記絶縁コーティング層で密封されないリードワイヤの両端に計測器を連結して、連続して自動選別するステップをさらに含むことができる。 Preferably, the method may further include a step of automatically and continuously selecting a measuring instrument at both ends of the lead wire not sealed with the insulating coating layer.
本発明によれば、次のような効果が得られる。
1.円形断面を有する金属リードワイヤがセラミックベースの両側面の外部電極に位置し、リードワイヤの外径がセラミックベースの厚さ以上の厚さを有するので、外部の荷重、衝撃及び摩擦がリードワイヤに吸収及び分散される。従って、外部の圧力、衝撃及び摩擦からセラミックチップが保護される利点がある。
According to the present invention, the following effects can be obtained.
1. A metal lead wire with a circular cross section is located on the external electrodes on both sides of the ceramic base, and the outer diameter of the lead wire is greater than the thickness of the ceramic base, so external loads, impacts and friction are applied to the lead wire. Absorbed and dispersed. Therefore, there is an advantage that the ceramic chip is protected from external pressure, impact and friction.
2.円形断面を有する金属リードワイヤがセラミックベースの寸法が大きい長さ方向に外部電極と電気的に接続されるとともに接着され、これにより広い接着面積及び高い接着強度を有し、セラミックチップアセンブリの厚さが薄い利点がある。
3.円形断面を有する金属リードワイヤを使用することにより、リールテープ方式及び自動化に好都合で製造原価が安い。
2. A metal lead wire having a circular cross section is electrically connected to and bonded to an external electrode in a length direction in which the size of the ceramic base is large, thereby having a wide bonding area and high bonding strength, and the thickness of the ceramic chip assembly. There is a thin advantage.
3. By using a metal lead wire having a circular cross section, it is convenient for the reel tape method and automation, and the manufacturing cost is low.
4.セラミックベース内部に内部電極を形成することで、様々な電気的特性を具現することができる。
5.セラミックが機械的強度の高い絶縁セラミックベース上に形成されており、機械的強度が向上する。
6.絶縁フィルムを使用することで、薄く均一な厚みの絶縁保護膜を備えることができ、表面が滑らかで外部の摩擦に強い長所がある。
4). Various electrical characteristics can be realized by forming internal electrodes inside the ceramic base.
5). The ceramic is formed on an insulating ceramic base having a high mechanical strength, so that the mechanical strength is improved.
6). By using an insulating film, an insulating protective film having a thin and uniform thickness can be provided, and the surface is smooth and strong against external friction.
7.絶縁接着剤、絶縁コーティング層として熱硬化性材料を使用する場合、熱により再び溶融されないので、高温でも確実な接着力を維持できる利点がある。
8.絶縁接着剤としてホットメルト接着剤を使用する場合、安価で生産性が高い。
9.絶縁フィルム内部に絶縁コーティング層が形成された場合、外部環境の変化からより確実に内部のセラミックチップを保護し、力で二つのリードワイヤを広げる際、セラミックチップが保護される利点がある。
7). When a thermosetting material is used as the insulating adhesive or the insulating coating layer, the thermosetting material is not melted again by heat.
8). When a hot melt adhesive is used as an insulating adhesive, it is inexpensive and highly productive.
9. When an insulating coating layer is formed inside the insulating film, there is an advantage that the ceramic chip is protected when the two lead wires are spread with force by more reliably protecting the inner ceramic chip from changes in the external environment.
10.円形断面を有する金属リードワイヤは、プリント回路基板の円形穴に容易に挿入及び半田付けされ、半田付けの後、完全に撓む前には弾性により元に戻る傾向が少ないので、一定部位に容易に固着されるだけでなく、繰り返して与えられる力によって切断され難い利点がある。
11.電気伝導性接着手段として硬化性及び電気伝導性を有するポリマー接着剤及びスポット溶接方式を使用する場合、高温での使用が容易である。
12.セラミックベースの厚さの中間位置からの延長線上にリードワイヤの中心が位置し、上下方向に同一形状を有し、自動化及び使用が容易である。
10. A metal lead wire with a circular cross-section is easily inserted and soldered into a circular hole in a printed circuit board, and after soldering, it is less likely to return to its original shape before it is fully bent, so it is easy to place in a certain part There is an advantage that not only is it fixed, but also it is difficult to be cut by a force repeatedly applied.
11. When a polymer adhesive having a curable property and electrical conductivity and a spot welding method are used as the electrically conductive bonding means, use at a high temperature is easy.
12 The center of the lead wire is located on the extended line from the middle position of the thickness of the ceramic base, and has the same shape in the vertical direction, and is easy to automate and use.
以下、添付図面に基づいて本発明の一実施形態を説明する。
図2は、本発明に適用されるセラミックチップ100の一例を示す。
図示するように、セラミックチップ100は、六面体形状で電気的特性を有するセラミックベース110と、セラミックベース110の対向する両側面に形成された外部電極120、130とで構成される。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 2 shows an example of a
As shown in the figure, the
本発明の一実施形態において、セラミックチップの大きさは、長さ、厚さ及び幅が略1mm、0.30mm、0.5mmであっても良いが、本発明はこれに限定されず、それと類似する大きさを有する。
セラミックチップの大きさが小さすぎると、セラミックチップアセンブリのリールテープ方式による自動化が難しいという短所がある。
In one embodiment of the present invention, the ceramic chip may have a length, thickness and width of approximately 1 mm, 0.30 mm, and 0.5 mm, but the present invention is not limited thereto, and Has a similar size.
If the size of the ceramic chip is too small, it is difficult to automate the ceramic chip assembly by the reel tape method.
好ましくは、外部電極120、130は、セラミックベース110の幅が小さい方向、すなわちx方向の両端に形成される。
好ましくは、セラミックベース110の内部には、両端が外部電極120、130に電気的に連結される内部電極が形成されてもよい。
好ましくは、セラミックチップ100は、その表面と裏面が水平平面をなしていることによって、真空ピックアップによる表面実装が可能な表面実装用(SMD)セラミックチップ100である。
Preferably, the
Preferably, an internal electrode having both ends electrically connected to the
Preferably, the
このように、六面体形状のセラミックチップ100は、軽薄短小型の形状を有するので、自動化に有利であり、自動選別器により高速で選別可能で安価であるという長所がある。また、セラミックチップ100は、内部電極を具備して、さらに様々な電気的特性を具現できるという長所もある。すなわち、半導体セラミックベース110は、内部電極により精密な電気的特性を有し、また電気的容量の調整が容易である。
As described above, the hexahedral
好ましくは、セラミックチップ100は、絶縁アルミナ基板上に半導体セラミックベース110が形成されたものであっても良い。この場合、通常、アルミナ基板の厚さは0.2mm乃至0.4mmであり、半導体セラミックベースの厚さは0.02mm乃至0.1mmであるので、アルミナ基板によりセラミックチップ100の機械的強度が高くなり、外部の荷重、衝撃及び摩擦に強い。
Preferably, the
図3は、本発明の一実施形態によるセラミックチップアセンブリ500を示し、図4は、図3の4−4線断面図であり、図5は、図3の平面図である。
図示するように、セラミックベース110の外部電極120、130両側面には、水平方向に円形断面の金属リードワイヤ200、210が電気伝導性接着手段、たとえば、ソルダー230により機構的(力学的)及び電気的に連結される。また、セラミックベース110、外部電極、ソルダー230及びリードワイヤ200、210の一部は、絶縁接着剤320により相互接着された2枚の絶縁フィルム300、310により熱と圧力で密封及び保護される。
3 shows a
As shown in the drawing,
好ましくは、セラミックベース110の厚さの中間位置からの延長線上にリードワイヤ200、210の断面中心を位置させることができる。この場合、セラミックチップアセンブリ500の上下形態が等しいので、生産性が良いし、また上下方向から与えられる外部の荷重、衝撃及び摩擦からセラミックチップ100が保護される。
好ましくは、2枚の絶縁フィルム300、310の材料及び厚さは互いに同一であり、各金属リードワイヤ200、210の材料及び厚さは互いに同一である。
好ましくは、円形断面を有する金属リードワイヤ200、210の直径は、セラミックベース110の厚さ以上の大きさを有する。
Preferably, the cross-sectional centers of the
Preferably, the two insulating
Preferably, the diameter of the
好ましくは、セラミックベース110の長さは、セラミックベース110の幅及び厚さに比べて長い。
好ましくは、絶縁フィルム300、310の間に形成された絶縁接着剤320により、セラミックチップ100は湿気等の外部環境の変化から保護されることができる。
<セラミックチップ100>
セラミックチップ100は、セラミックベース110とセラミックベース110の両側面に接合され電気的にも連結された外部電極120、130とを有する。上記のように、外部電極120、130はセラミックベース110の幅方向両端に対向形成される。
Preferably, the length of the
Preferably, the
<
The
セラミックベース110は、電気的特性を有する焼成されたセラミックであって、好ましくは、サーミスタ、磁性体または圧電体の特性を有する半導体セラミックであるか、絶縁セラミック基板上にサーミスタ、磁性体または圧電体のうち何れか一つが形成された多層構造の半導体セラミックであっても良い。
セラミックベース110は、表面と裏面が水平をなす六面体形状で、真空ピックアップによる表面実装が可能である。セラミックベース110の各寸法は、例えば、幅は0.25mm乃至0.8mm、厚さは0.20mm乃至0.6mm、そして長さは0.5mm乃至1.6mmである。
The
The
好ましくは、セラミックベース110の厚さの中間位置からの延長線上に、リードワイヤ200、210の断面中心が位置するようにして、セラミックチップアセンブリ500の上下形状を同一にすることができる。
好ましくは、電気伝導性接着手段230により外部電極120、130とリードワイヤ200、210が強く接着されるように、外部電極120、130はセラミックベース110の幅方向(図2のx方向)の両端に形成される。このとき、セラミックベース110の幅と厚さに比べて寸法の大きい長さ方向(図2のy方向)にリードワイヤ200、210が延長されるので、リードワイヤ200、210とセラミックベース110の接触面積を増加させることができる。この場合、セラミックチップアセンブリ500は、狭い幅と薄い厚さを有しながら、さらに様々な性能を有するのに有利である。
好ましくは、セラミックベース110は、単層または積層(multilayer)型であるか、機械的強度のためにアルミナ基板等の絶縁セラミック基板上に半導体セラミックが形成されたものであって良い。
Preferably, the upper and lower shapes of the
Preferably, the
Preferably, the
セラミックベース110は、内部電極を具備しても具備しなくても良く、内部電極を具備する場合、内部電極は外部電極120、130に電気的に連結される。セラミックベース110の内部に図示されない内部電極を具備する場合、精密な電気的特性を有することが容易であり、また電気的容量の調整が容易である。
外部電極120、130は、リードワイヤ200、210がソルダー230により固着される部分で、外部との電気通路の役割をする。外部電極120、130の形成技術は通常の技術、たとえば、セラミックベース110両側面に金属ペーストでディップした後、その上にニッケルと錫等をめっきして形成することができる。
<円形断面を有する金属リードワイヤ200、210>
円形断面を有する金属リードワイヤ200、210は、セラミックベース110の電気的特性を外部電極120、130とソルダー230を介して必要な部分に伝達する役割をする。
The
The
<
The
材料としては、機械的強度及び電気伝導性を考慮して、銅や銅合金、鉄や鉄合金またはニッケルやニッケル合金からなる金属ワイヤのうち何れか一つを使用することができる。また、リードワイヤ200、210として絶縁保護膜が形成された絶縁ワイヤを使用する場合、ソルダリングされる部分とプリント回路基板にソルダーにより半田付けされる部分の絶縁保護膜は、熱または機械的力により除去された上で使用される。この場合、絶縁ワイヤは絶縁エナメルワイヤであっても良い。
In consideration of mechanical strength and electrical conductivity, any one of copper, copper alloy, iron, iron alloy, or metal wire made of nickel or nickel alloy can be used as the material. In addition, when an insulating wire having an insulating protective film formed thereon is used as the
リードワイヤ200、210として、外部電極120、130との接着強度が高いように、そしてリールテープ方式等の自動化を円滑にするように、円形断面のリードワイヤを使用する。さらに、円形断面の金属リードワイヤを使用する場合、製造工程時連続作業の途中にリードワイヤ200、210の歪み現象などが生じることなく、作業性が向上し、また円形に形成されたプリント回路基板の穴への挿入及び半田付けが容易である。
As the
しかし、製造工程中必要に応じて円形断面の金属リードワイヤの一部を異なる形状の断面を有するように製造してもよい。例えば、外部電極120、130と接着する部分を除いて絶縁フィルム内に存在する部分を、上下方向に対向して打抜して平たくすることにより、四角形断面を有し厚さを薄くすることができる。したがって、本発明は、円形断面の金属リードワイヤ200、210を連続的に使用して製造する全ての場合を含む。
However, a part of the metal lead wire having a circular cross section may be manufactured to have a cross section having a different shape as needed during the manufacturing process. For example, by extruding and flattening the portions existing in the insulating film excluding the portions to be bonded to the
図4を参照すると、断面が円形の場合、リードワイヤ200、210と外部電極120、130との間で、接触部分を中心に大きい体積の空間が形成され、ここに電気伝導性接着手段、たとえばソルダー230が充填されることで、リードワイヤ200、210と外部電極120、130との間の接着力、すなわちソルダリング強度が増加する。
また、図4に示すように、セラミックベース110の厚さ以上の直径を有する円形断面の金属リードワイヤ200、210を使用することで、外部から垂直に圧力や衝撃が与えられる場合、外部からの圧力と衝撃がリードワイヤ200、210に分散されるので、機械的強度が弱いセラミックベース110を外部の荷重、衝撃及び摩擦から保護できる利点がある。
Referring to FIG. 4, when the cross section is circular, a large volume space is formed between the
In addition, as shown in FIG. 4, by using
また、水平に加えられる圧力や衝撃からもセラミックベース110が保護される利点がある。
また、セラミックベース110とリードワイヤ200、210上に滑らかな絶縁フィルム300、310が形成され、構造物間の狭い間隙への挿入が容易である。
また、上記のように、セラミックベース110の寸法が大きい長さ方向に、外部電極120、130にリードワイヤ200、210がソルダリングされるので、接触面積が増加し、信頼性のあるソルダリングが可能で、ソルダリング強度が高い。
Further, there is an advantage that the
In addition, smooth insulating
Further, as described above, since the
また、円形断面を有する金属リードワイヤ200、210は、プレスまたはエッチングされた矩形断面のリードフレームより安価で、自動化に好都合であるので、経済的なセラミックチップアセンブリ500を提供する。
また、円形断面を有する金属リードワイヤ200、210は、プリント回路基板の円形穴、例えば、ビアホールへの挿入及び半田付けが容易で、一定の厚さを有するため、半田付け後、完全に撓む前には弾性により元に戻る傾向が少なくて、一定の部位に容易に固着され、また繰り返して与えられる力により切断されにくいという利点がある。
Also, the
In addition, the
セラミックチップアセンブリ500の製造の際、円形断面を有する金属リードワイヤ200、210は、キャリアテープとともにリール状態で連続供給されながら、図5に示すように、キャリアテープを用いる連続するフォーミング(Forming)工程によりリードワイヤ200、210を物理的にフォーミングさせて、セラミックチップ100の外部電極120、130と接触させた後、溶融されたソルダー容器に含浸させて、ソルダー230によりリードワイヤ200、210と外部電極120、130がソルダリングされた後、リードワイヤのフォーミングされた部分250の両端をプレスにより自動的に切断する。これにより、図5に示すように、リードワイヤ200、210の切断された端部は、セラミックベース110よりも突出する。このような構成によると、リードワイヤ200、210の突出部分により、リードワイヤ200、210の突出部分を前方にしてセラミックチップアセンブリを狭い間隙に押し込むとき、セラミックチップ100を保護することができる。
When the
このように、ソルダーによるソルダリング前に、リードワイヤ200、210と外部電極120、130の機械的結合が、リードワイヤのフォーミングされた部分250の加圧力によって行われる。このようにリードワイヤ200、210は、連続供給される一種類のリードワイヤからなり、その厚さと材料は同一である。
図示していないが、キャリアテープはセラミックチップアセンブリ500を連続形成するために供給されるものであって、特に、リードワイヤ200、210のフォーミングされた両端を切断するときに必要であり、好ましくは、紙または合成樹脂フィルムからなる。
As described above, the mechanical connection between the
Although not shown, the carrier tape is supplied to continuously form the
好ましくは、金属リードワイヤ200、210の直径は0.2mm乃至0.6mmである。
<電気伝導性接着手段230>
電気伝導性接着手段230は、セラミックベース110の外部電極120、130とリードワイヤ200、210とを接合すると共に電気的にも連結する。セラミックチップアセンブリ500を低い温度、例えば200℃未満で使用する場合、好ましく、電気伝導性接着手段230は安価で使用が便利な通常のソルダーであっても良い。
Preferably, the
<Electrically conductive bonding means 230>
The electrically conductive bonding means 230 joins and electrically connects the
作業方法は、ソルダーが溶融されているソルダー容器にセラミックチップ100が挿入されたリードワイヤ200、210を連続して入れると、外部電極120、130とリードワイヤ200、210とは、ソルダー230により自動的にソルダリングされる。
セラミックチップアセンブリ500を、200℃を超える高い温度で使用する場合、好ましくは、電気伝導性接着手段230は、熱硬化性の電気伝導性高温エポキシ接着剤またはスポット溶接(spot welding)等を適用することができる。この場合、使用温度が高い場所でも、電気伝導性接着手段230は、信頼性の高い電気的及び力学的な接着を提供する。
The working method is that when the
When the
前記電気伝導性接着手段230は、通常の接着技術と材料を用いる。
<絶縁フィルム300、310>
絶縁フィルム300、310は、ホットメルト(Hot melt)接着剤または熱硬化性接着剤等の絶縁接着剤320が一面にコーティングされた絶縁フィルムテープ2枚を、熱と圧力により互いに付着させて構成する。ホットメルト接着剤を使用すると、熱により再び溶融されるので、セラミックチップアセンブリを高温で使用する場合、熱により接着力が低下してセラミックベースの保護が困難であるという短所がある。
The electrically conductive bonding means 230 uses a normal bonding technique and material.
<Insulating
The insulating
好ましくは、ホットメルト接着剤は、EVA、ポリウレタンまたはポリエステル接着剤である。
熱硬化性接着剤を使用する場合、熱により溶融されないので、高い温度でも使用が可能である。特に、熱硬化性シリコンゴム接着剤を使用する場合、柔軟性及び弾性を有し、また防水機能が優れる。
Preferably, the hot melt adhesive is an EVA, polyurethane or polyester adhesive.
When a thermosetting adhesive is used, it is not melted by heat and can be used even at a high temperature. In particular, when a thermosetting silicone rubber adhesive is used, it has flexibility and elasticity and has an excellent waterproof function.
好ましくは、熱硬化性接着剤は、エポキシまたはシリコンゴム接着剤である。
熱硬化性接着剤を使用する場合、セラミックチップアセンブリ500製造過程中、絶縁フィルム300、310上に液状の熱硬化性接着剤をキャスティングまたはコーティングしながら硬化させて使用する。
このとき、セラミックベース110が位置する部分は、絶縁フィルム300、310と絶縁接着剤320で完全に密封し、リードワイヤ200、210の他方の端部は露出させる。このような構造により、絶縁フィルム300、310は、セラミックチップ100とソルダリング部分を外部から保護し、リードワイヤ200、210の一定部分に絶縁を提供する。
Preferably, the thermosetting adhesive is an epoxy or silicone rubber adhesive.
When a thermosetting adhesive is used, a liquid thermosetting adhesive is cured on the insulating
At this time, the portion where the
通常、絶縁フィルム300、310は、薄くて均一な膜厚を有するので、信頼性のある絶縁及び作業性を、経済的に提供する。
さらに、セラミックチップアセンブリ500が間隙の狭い構造物の間に挿入されて使用されるとき、絶縁フィルム300、310の表面が滑らかで外部の摩擦を低減することができ、外部圧力の集中を避けることができる。
In general, since the insulating
Further, when the
好ましくは、絶縁フィルム300、310の材料としては、テフロン(登録商標)、ポリエステルまたはポリイミド等の耐熱フィルムを使用でき、厚さは0.01mm乃至0.08mmであっても良い。
好ましくは、絶縁フィルム300、310と絶縁接着剤320は、絶縁フィルム300、310が形成されないリードワイヤ200、210両端とPCBの間で行われる短時間のソルダリング条件を満たす耐熱条件を有する。
Preferably, a heat resistant film such as Teflon (registered trademark), polyester, or polyimide can be used as the material of the insulating
Preferably, the insulating
前記実施形態では、絶縁フィルム300、310を適用することを例に挙げて説明したが、絶縁フィルムの代わりに絶縁コーティング接着剤を使用した絶縁コーティング層も使用可能である。図6は、本発明の他の実施形態によるセラミックチップアセンブリ600を示す。
具体的に、金属リードワイヤの端部を除いたセラミックチップ、ソルダー及びリードワイヤ上に、エポキシやシリコンゴム等の熱硬化性絶縁コーティング接着剤で薄く絶縁コーティングして、絶縁コーティング層400を形成できる。このために、例えば、液状のシリコンゴムにディップする工程またはエポキシパウダーでコーティングする工程を通じて、絶縁エポキシや絶縁シリコンゴムをコーティングした後、熱により硬化させて絶縁コーティング層400を形成する。
In the above-described embodiment, the application of the insulating
Specifically, the insulating
好ましくは、絶縁コーティング層400は、熱硬化性エポキシ樹脂、シリコンゴムまたはガラスのうち何れか一つからなる。
このような構造によると、絶縁フィルムを適用する場合と比べて全体的な大きさを低減することができ、高価の絶縁フィルムを使用しないので、製造原価が減少する利点がある。
Preferably, the insulating
According to such a structure, compared with the case where an insulating film is applied, the overall size can be reduced, and since an expensive insulating film is not used, there is an advantage that the manufacturing cost is reduced.
また、このような構造によると、非常に小さい寸法のセラミックチップアセンブリ600を製造でき、特に、セラミックチップアセンブリ600の幅と厚さは非常に小さい。
また、絶縁コーティング層400は、硬化性樹脂からなるので、熱により再び溶融されることが防止されて、高い信頼性を有し、また高い温度での使用が容易である。
また、二つのリードワイヤ200、210の間に形成された絶縁コーティング層400は、リードワイヤ200、210の両端を力で広げるとき、この力がソルダリングされた部分まで伝達されないようにして、リードワイヤ200、210と外部電極120、130の連結を保護する。
Also, according to such a structure, a
Further, since the insulating
Further, the insulating
一方、より信頼性の高い絶縁密封のために、そして外部の荷重、衝撃及び摩擦からセラミックチップ100を保護するために、金属リードワイヤの端部を除いたセラミックチップ100、ソルダー及びリードワイヤ上に、エポキシやシリコンゴム等の熱硬化性絶縁コーティング接着剤で薄く絶縁コーティングして、絶縁コーティング層400を形成した後、その上にまた絶縁フィルム300、310を適用することができる。
On the other hand, on the
この場合、絶縁コーティング400と絶縁フィルム300、310により、さらに信頼性の高い絶縁密封が提供され、また外部の荷重、衝撃及び摩擦からセラミックチップ100及びソルダリングされた部分が保護される。
以上、本発明の実施形態を中心に説明したが、当業者の水準で様々な変更と変形が可能である。たとえば、絶縁フィルム内でリードワイヤを任意に曲げることができる。したがって、本発明の権利範囲は、上記の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲により判断されるべきである。
In this case, the insulating
Although the embodiments of the present invention have been described above, various changes and modifications can be made by those skilled in the art. For example, the lead wire can be arbitrarily bent in the insulating film. Therefore, the scope of rights of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be determined by the appended claims.
100 セラミックチップ
110 セラミックベース
120、130 外部電極
200、210 金属リードワイヤ
230 ソルダー
300、310 絶縁フィルム
320 絶縁接着剤
500 セラミックチップアセンブリ
DESCRIPTION OF
Claims (17)
前記セラミックベースの対向する両側面に各々形成された外部電極と、
一端が前記外部電極各々に電気伝導性接着手段により接着されると共に電気的に連結され、前記セラミックベースの側面の厚さ以上の外径を有する、円形断面の金属リードワイヤと、
前記金属リードワイヤの他端が外部に露出するように、前記セラミックベース、外部電極、電気伝導性接着手段及び金属リードワイヤを密封する絶縁保護材料と、を含み、
前記絶縁保護材料は、絶縁接着剤を介在させて相互接着される一対の絶縁フィルムまたは絶縁コーティング層を含むことを特徴とするセラミックチップアセンブリ。 A ceramic base having electrical characteristics of a semiconductor;
External electrodes respectively formed on opposite side surfaces of the ceramic base;
A metal lead wire having a circular cross section, one end of which is bonded to and electrically connected to each of the external electrodes by an electrically conductive bonding means, and has an outer diameter equal to or greater than the thickness of the side surface of the ceramic base;
An insulating protective material for sealing the ceramic base, the external electrode, the electrically conductive bonding means, and the metal lead wire so that the other end of the metal lead wire is exposed to the outside.
The ceramic chip assembly, wherein the insulating protective material includes a pair of insulating films or insulating coating layers that are bonded to each other with an insulating adhesive interposed therebetween.
前記セラミックベースの対向する両側面に各々形成された外部電極と、
一端が前記外部電極各々に電気伝導性接着手段により接着されると共に電気的に連結され、前記セラミックベースの側面の厚さ以上の外径を有する、円形断面の金属リードワイヤと、
前記金属リードワイヤの他端が外部に露出するように、前記セラミックベース、外部電極、電気伝導性接着手段及び金属リードワイヤを密封して接着する絶縁コーティング層と、
絶縁接着剤を介在させて相互接着され、前記絶縁コーティング層を包む一対の絶縁フィルムと、を含むことを特徴とするセラミックチップアセンブリ。 A ceramic base having electrical characteristics of a semiconductor;
External electrodes respectively formed on opposite side surfaces of the ceramic base;
A metal lead wire having a circular cross section, one end of which is bonded to and electrically connected to each of the external electrodes by an electrically conductive bonding means, and has an outer diameter equal to or greater than the thickness of the side surface of the ceramic base;
An insulating coating layer for sealing and bonding the ceramic base, the external electrode, the electrically conductive bonding means and the metal lead wire so that the other end of the metal lead wire is exposed to the outside;
A ceramic chip assembly, comprising: a pair of insulating films which are bonded to each other with an insulating adhesive interposed therebetween and enclose the insulating coating layer.
リール(Reel)形態に連続供給される円形断面の金属リードワイヤをキャリアテープを用いて曲線にフォーミングして、前記金属リードワイヤの間で前記セラミックベースの外部電極と接触するように維持するステップと、
前記金属リードワイヤと接触維持された前記セラミックベースの外部電極を電気伝導性接着手段で接着するステップと、
前記電気伝導性接着手段により外部電極とリードワイヤが接着されると共に電気的に連結された後、前記金属リードワイヤの曲線にフォーミングした部分を切断して、前記金属リードワイヤを分離するステップと、
前記金属リードワイヤの他端が外部に露出するように、前記セラミックベース、外部電極、電気伝導性接着手段及び金属リードワイヤを、絶縁接着剤が塗布された一対の絶縁フィルムを使用して熱と圧力により密封するステップと、を含むことを特徴とするセラミックチップアセンブリの製造方法。 Preparing a ceramic base having external electrodes formed on opposite side surfaces and having semiconductor electrical characteristics, and continuously supplying;
Forming a metal lead wire having a circular cross section continuously supplied in a reel form into a curve using a carrier tape, and maintaining the metal lead wire in contact with the external electrode of the ceramic base between the metal lead wires; ,
Bonding the ceramic-based external electrode maintained in contact with the metal lead wire with an electrically conductive bonding means;
After the external electrode and the lead wire are bonded and electrically connected by the electrically conductive bonding means, cutting the formed portion of the metal lead wire into a curve, and separating the metal lead wire;
The ceramic base, the external electrode, the electrically conductive bonding means and the metal lead wire are heated with a pair of insulating films coated with an insulating adhesive so that the other end of the metal lead wire is exposed to the outside. Sealing with pressure, and a method for manufacturing a ceramic chip assembly.
リール(Reel)形態に連続供給される円形断面の金属リードワイヤを、キャリアテープを用いて曲線にフォーミングして、前記金属リードワイヤの間で前記セラミックベースの外部電極と接触するように維持するステップと、
前記金属リードワイヤと接触維持された前記セラミックベースの外部電極を電気伝導性接着手段で接着するステップと、
前記電気伝導性接着手段により外部電極とリードワイヤが接着されると共に電気的に連結された後、前記金属リードワイヤの曲線にフォーミングした部分を切断して、前記金属リードワイヤを機構的及び電気的に分離するステップと、
前記金属リードワイヤの他端が外部に露出するように、前記セラミックベース、外部電極、電気伝導性接着手段及び金属リードワイヤを液状の絶縁コーティング接着剤にディップして密封するステップと、
前記絶縁コーティング接着剤を硬化して、固状の絶縁コーティング層に形成するステップと、を含むことを特徴とするセラミックチップアセンブリの製造方法。 Preparing a ceramic base having external electrodes formed on opposite side surfaces and having semiconductor electrical characteristics, and continuously supplying;
Forming a circular cross-section metal lead wire continuously supplied in a reel form into a curve using a carrier tape and maintaining the metal lead wire in contact with the ceramic-based external electrode When,
Bonding the ceramic-based external electrode maintained in contact with the metal lead wire with an electrically conductive bonding means;
After the external electrode and the lead wire are bonded and electrically connected by the electrically conductive bonding means, the metal lead wire is cut mechanically and electrically by cutting the portion formed in the curve of the metal lead wire. Separating into
Dipping and sealing the ceramic base, the external electrode, the electrically conductive bonding means and the metal lead wire with a liquid insulating coating adhesive so that the other end of the metal lead wire is exposed to the outside;
Curing the insulating coating adhesive to form a solid insulating coating layer; and a method of manufacturing a ceramic chip assembly.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012002523A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | Ptc device and secondary battery having same |
JP2016536565A (en) * | 2012-05-14 | 2016-11-24 | 深▲セン▼市敏▲傑▼▲電▼子科技有限公司 | Temperature sensor for surface temperature measurement |
JP2020013812A (en) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | ニチコン株式会社 | PTC thermistor |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101036951B1 (en) * | 2010-07-28 | 2011-05-25 | 김선기 | Ceramic chip assembly |
KR101008310B1 (en) * | 2010-07-30 | 2011-01-13 | 김선기 | Ceramic chip assembly |
KR101110482B1 (en) | 2011-11-29 | 2012-02-20 | 디에스씨전자 주식회사 | Highly insulated characteristics negative temperature coefficient thermistor |
JP2013219404A (en) * | 2013-08-02 | 2013-10-24 | Sumida Corporation | Method for manufacturing antenna component |
US9653205B2 (en) * | 2014-04-30 | 2017-05-16 | Cyntec Co., Ltd. | Electrode structure and the corresponding electrical component using the same and the fabrication method thereof |
KR101494634B1 (en) * | 2014-08-26 | 2015-02-23 | 한국세라믹기술원 | Lifetime testing method of thermistor device |
RU2657114C1 (en) * | 2015-07-21 | 2018-06-08 | Конинклейке Филипс Н.В. | Laminates with converter |
CN109563653A (en) * | 2016-08-04 | 2019-04-02 | 株式会社村田制作所 | The manufacturing method of electric function component, the textile article for having used the electric function component and electric function component |
CN112530650B (en) * | 2020-12-22 | 2022-07-19 | 湖州浩通电子科技有限公司 | Ceramic thermosensitive element |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5797907U (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-16 | ||
JPS6312125A (en) * | 1987-05-22 | 1988-01-19 | 太陽誘電株式会社 | Manufacture of electronic parts arrangement |
JPH05347201A (en) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Tdk Corp | Thin film resistor |
JPH0854292A (en) * | 1994-06-07 | 1996-02-27 | Ishizuka Denshi Kk | Temperature sensor and lead frame thereof |
JPH08128901A (en) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Temperature sensor and pack battery |
JPH09297069A (en) * | 1996-05-07 | 1997-11-18 | Tdk Corp | Temperature detecting sensor |
JPH1154301A (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Murata Mfg Co Ltd | Chip thermister |
JP2001141575A (en) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature sensor element and temperature sensor using it |
JP2001153732A (en) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Tdk Corp | Method for assembling sensor for temperature detection and same sensor |
JP2006060027A (en) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Ishizuka Electronics Corp | Plate-type temperature sensor |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3150180B2 (en) * | 1991-12-19 | 2001-03-26 | ティーディーケイ株式会社 | Method for manufacturing a thermistor element |
CN2144852Y (en) * | 1992-10-29 | 1993-10-27 | 蔡雅凤 | Overcurrent protection quick response forward temp. coefficient thermal resistor |
KR0174589B1 (en) * | 1995-09-07 | 1999-04-01 | 우덕창 | Leaded NTC Thermistors |
KR100734788B1 (en) * | 2005-11-25 | 2007-07-04 | 주식회사 제임스텍 | Ntc thermistor temperature sensor and manufacturing method thereof |
-
2009
- 2009-07-02 KR KR20090060215A patent/KR101038755B1/en active IP Right Grant
- 2009-09-22 AT AT09012025T patent/ATE554486T1/en active
- 2009-10-06 JP JP2009232446A patent/JP2010093258A/en active Pending
- 2009-10-09 CN CN2009102049045A patent/CN101719418B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5797907U (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-16 | ||
JPS6312125A (en) * | 1987-05-22 | 1988-01-19 | 太陽誘電株式会社 | Manufacture of electronic parts arrangement |
JPH05347201A (en) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Tdk Corp | Thin film resistor |
JPH0854292A (en) * | 1994-06-07 | 1996-02-27 | Ishizuka Denshi Kk | Temperature sensor and lead frame thereof |
JPH08128901A (en) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Temperature sensor and pack battery |
JPH09297069A (en) * | 1996-05-07 | 1997-11-18 | Tdk Corp | Temperature detecting sensor |
JPH1154301A (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Murata Mfg Co Ltd | Chip thermister |
JP2001141575A (en) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature sensor element and temperature sensor using it |
JP2001153732A (en) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Tdk Corp | Method for assembling sensor for temperature detection and same sensor |
JP2006060027A (en) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Ishizuka Electronics Corp | Plate-type temperature sensor |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012002523A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | Ptc device and secondary battery having same |
JP6026276B2 (en) * | 2010-07-02 | 2016-11-16 | Littelfuseジャパン合同会社 | PTC device and secondary battery having the same |
JP2016536565A (en) * | 2012-05-14 | 2016-11-24 | 深▲セン▼市敏▲傑▼▲電▼子科技有限公司 | Temperature sensor for surface temperature measurement |
JP2020013812A (en) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | ニチコン株式会社 | PTC thermistor |
JP7082539B2 (en) | 2018-07-13 | 2022-06-08 | ニチコン株式会社 | PTC thermistor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100040241A (en) | 2010-04-19 |
CN101719418B (en) | 2011-08-31 |
ATE554486T1 (en) | 2012-05-15 |
KR101038755B1 (en) | 2011-06-03 |
CN101719418A (en) | 2010-06-02 |
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