JP2010093244A - 割断用スクライブ線の形成方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レーザ発振器をQスイッチ駆動して得られるパルス状レーザビームを、前記基板と前記ビームとを相対的に移動させることにより、前記基板上の割断予定線上の基板端縁を一端とする所定微少区間に限って照射する第1のステップと、レーザ発振器を連続駆動して得られるCWレーザビームを、前記基板と前記ビームとを相対的に移動させることにより、前記基板上に設定される割断予定線上の一方の基板端縁から他方の基板端縁に至る全区間に亘って照射する第2のステップとを含んで構成される。
【選択図】 図4
Description
本発明方法を実施するためのシステム全体を電気系を中心として示す構成図が図5に示されている。同図に示されるように、このシステムは、XYステージ機構(図1のXYステージ機構1に相当する)101と、導入光学系(図1の導入光学系3に相当する)103と、アッテネータ(図1のアッテネータ4に相当する)104と、レーザ発振器(図1のレーザ発振器5に相当する)105と、パルス発振器(図1のパルス発振器6に相当する)106と、制御ユニット107と、サーボユニット112と、制御用PC111とを含んで構成されている。
同図に示されるように、1個の基板に関して、所定の割断用のスクライブ線加工を行う場合には、先ず、ワーク(基板)108を載物台にセットしたのち(ステップ201)、第2操作卓107bの「CLOSE」ボタンを押すことで、カバー開閉駆動機構113の作用を介して、載物台を覆う保護カバーを閉じる(ステップ202)。
同図に示されるように、「START」ボタンを押すことで、加工開始指令がONされたものと判定されると(ステップ301、302YES)、設定経路への光軸追従走査処理、すなわち、先に制御用PC111に設定された加工対象となる基板の形状やサイズに関する情報(「ウェハの直径 X軸」、「ウェハの直径 Y軸」、「オリフラ長さ」)、及び光軸の移動経路や速度に関する情報(「チップサイズ(加工ピッチ) X軸」、「チップサイズ(加工ピッチ) Y軸」、「加工速度(Q−SWパルス)」、「加工速度(CWパルス)」、「ウェハ加工原点 X軸」、「ウェハ加工原点 Y軸」、「加工オーバーラン量 X軸」、「加工オーバーラン量 Y軸」)にて特定された光軸の移動経路(例えば、図2に波線で示す光軸移動経路9)に沿って、光軸が移動するように、XYステージの動きを、X軸アクチュエータ101a、Y軸アクチュエータ101b、及びサーボドライブユニット112を介して制御するビーム移動制御手段に相当する処理、が実行される(ステップ303)。
2 載物台
3 導入光学系
4 アッテネータ
5 レーザ発振器
6 パルス発生器
7 発振器制御ユニット
8 サファイア基板
8a 基板内領域
8b 基板外領域
8c 矩形領域
8d 基板端縁
9 光軸移動経路
9a 縦方向の割断予定線
9b 横方向の割断予定線
10 パルスレーザ照射線
11 CWレーザ照射線
12 オリフラ部分
31 パルス状レーザビーム
32 CWレーザビーム
81 変性領域
82 溝領域
101 XYステージ機構
101a X軸アクチュエータ
101b Y軸アクチュエータ
101c θ軸アクチュエータ
103 導入光学系
104 アッテネータ
105 レーザ発振器
106 パルス発振器
107 制御ユニット
108 基板
109 レーザ電源
110 制御用PCサポート
111 制御用PC
112 サーボドライブユニット
113 カバー開閉駆動機構
L 微少区間
Claims (6)
- デバイス回路が作り込まれた透明な基板に、レーザ発振器から生成される所定波長のレーザビームを照射しつつ、前記基板と前記ビームとを相対的に移動させることにより、前記基板上に基板割断用のスクライブ線を形成する方法であって、
前記レーザ発振器をQスイッチ駆動して得られるパルス状レーザビームを、前記基板と前記ビームとを相対的に移動させることにより、前記基板上に設定された割断予定線上の基板端縁から所定微少区間に限って照射する第1のステップと、
前記レーザ発振器を連続駆動して得られるCWレーザビームを、前記基板と前記ビームとを相対的に移動させることにより、前記基板上に設定された割断予定線上の一方の基板端縁から他方の基板端縁に至る全区間に亘って照射する第2のステップとを包含する、ことを特徴とする割断用スクライブ線の形成方法。 - 前記第1のステップの処理が、前記基板上に設定された縦横の割断予定線に沿って、レーザビームの光軸を縦断走査又は横断走査させながら、基板外領域から基板内領域へと進入直後の所定微少区間に限りパルス状レーザビームを基板に照射する処理を包含し、かつ
前記第2のステップの処理が、前記基板上に設定された縦横の割断予定線に沿って、レーザビームの光軸を縦断走査又は横断走査させながら、基板外領域から基板内領域へと進入してから基板内領域から基板外領域へと退出するに至る全区間に亘ってCWレーザビームを基板に照射する処理を包含する、ことを特徴とする請求項1に記載の割断用スクライブ線の形成方法。 - 前記透明基板が、縦横の割断予定線により区画されてなる各矩形領域内にデバイス回路が作り込まれたサファイア基板であり、かつ前記レーザ発振器がYVOレーザ発振器である、ことを特徴とする請求項2に記載の割断用スクライブ線の形成方法。
- デバイス回路が作り込まれた透明な基板を載置固定するためのXYステージと、
レーザ発振器をパルス駆動又は連続駆動することにより、パルス状レーザビームとCWレーザビームとのいずれかを択一的に出射可能なレーザビーム発生手段と、
前記レーザビーム発生手段から発生するレーザビームを前記XYステージに載置固定された基板に対して所定の光軸をもって照射するためのビーム導入光学系と、
前記XYステージと前記光軸とを相対的に移動させることにより、前記基板上の割断予定線に沿うように光軸を前記XYステージ上で移動させる際の光軸の移動経路を設定するための経路設定手段と、
前記基板上に設定される割断予定線に沿って、基板端縁に相当する一端から基板端縁に相当する他端に向けて計測されるべき所定の微少距離を設定するための微少距離設定手段と、
前記経路設定手段にて設定された光軸の移動経路に沿って、前記光軸が移動するように、前記XYステージの動きを制御するビーム移動制御手段と、
前記ビーム移動制御手段により前記光軸を前記設定経路に沿って移動させている1回目の走査において、前記レーザビーム発生手段から適宜のタイミングでパルス状レーザビームを出射させることにより、前記基板上に設定された割断予定線上の基板端縁に相当する一端から、前記微少距離設定手段にて設定された微少距離区間に限って、前記基板上にパルス状レーザビームを照射する第1のビーム照射制御手段と、
前記ビーム移動制御手段により前記光軸を前記設定経路に沿って移動させている2回目の走査において、前記レーザビーム発生手段から適宜のタイミングでCWレーザビームを出射させることにより、前記基板上に設定された割断予定線上の基板端縁に相当する一端から基板端縁に相当する他端に至る全区間に限って、前記基板上にCWレーザビームを照射する第2のビーム照射制御手段と、
を具備する、ことを特徴とする割断用スクライブ線の形成装置。 - 前記第1のビーム照射制御手段は、前記光軸が基板外領域から基板内領域へと移行する直前において、前記パルス状レーザビームを照射開始すると共に、前記光軸が前記微少区間を通過するのを待って、前記パルス状レーザビームを照射停止するものであり、かつ
前記第2のビーム照射制御手段は、前記光軸が基板外領域から基板内領域へと移行する直前において、前記CWレーザビームを照射開始すると共に、前記光軸が基板内領域から基板外領域へと移行する直後において、前記CWレーザビームを照射停止するものである、ことを特徴とする請求項4に記載の割断用スクライブ線の形成装置。 - 前記透明基板が、縦横の割断予定線により区画されてなる各矩形領域内にデバイス回路が作り込まれたサファイア基板であり、かつ前記レーザ発振器がYVOレーザ発振器である、ことを特徴とする請求項5に記載の割断用スクライブ線の形成装置。
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