JP2010082668A - 接合構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
基板配線への端子の超音波接合において、端子端部直下の基板配線に力が集中し、同部において配線の掘削や亀裂の発生が起こる恐れがある。
【解決手段】
基板110上の端子113に端子120を超音波接合した接合構造において、端子120端部と配線113との間に樹脂層150を設けた接合構造とすることにより、端子120と配線113との直接の接触を妨げ、超音波接合時の力を緩和して配線113に掘削や亀裂の発生を防止する。
【選択図】 図1
基板配線への端子の超音波接合において、端子端部直下の基板配線に力が集中し、同部において配線の掘削や亀裂の発生が起こる恐れがある。
【解決手段】
基板110上の端子113に端子120を超音波接合した接合構造において、端子120端部と配線113との間に樹脂層150を設けた接合構造とすることにより、端子120と配線113との直接の接触を妨げ、超音波接合時の力を緩和して配線113に掘削や亀裂の発生を防止する。
【選択図】 図1
Description
本発明は端子と基板の超音波接合技術に関する。
車載電子制御装置には、エンジンの点火や燃料噴出のタイミングを制御するエンジンコントロールユニットや、変速タイミングを制御するオートマチックトランスミッションコントロールユニット等がある。これら車載電子制御装置は、自動車の高機能化のため、自動車一台あたりの搭載個数が年々増加しており、車載電子制御装置のための車内設置スペースが限られていることから、小型化の要求が高い。
この小型化の要求に対応可能な実装技術として、MOSFET等の大電流を流すパワーデバイスをモジュール化し(以下、パワーモジュールと呼ぶ)、その他の制御用モジュール等と組み合わせて3次元的に基板を実装する電子制御装置が検討されている。図6にこの電子制御装置610の概略図を示す。パワーモジュール620には高発熱のパワーデバイスが搭載されるため、導電性・放熱性が重要であり、一般的には放熱板を有する基板や、絶縁材にセラミックを用いた高放熱基板が採用されている。このとき、モジュール間や外部端子との接続にはSn(すず)を主成分とするはんだを用いることが検討されている。製造においては、基板にはんだが印刷された後、パワーデバイスおよび外部端子がマウントされ、リフロー炉ではんだの融点温度まで加熱されて一括で接続される。ただし、Sn系はんだを用いたリフロー一括接続は生産性に優れるものの、モジュールの構造設計の制限が大きいという欠点があり、装置の小型化の障害となることが懸念される。
この構造設計の制限を解決する接合技術として、金属同士の接合方法に超音波のエネルギーを利用した超音波接合がある(例えば、特許文献1参照)。金属同士を重ね合わせて一方から専用のツールにより加圧しながら超音波振動を加えると、金属同士の接触面において数μm〜数十μmの相対的な変位が数十kHzという高い周波数で生じ、表面の汚れや酸化が除去されて金属の新生面が現れ、新生面同士が結合する。この接合はAuやAl・Cuといったはんだに比べて融点の高い金属を常温にて接合することができるため、Sn系はんだと組み合わせた階層接続が可能である。
パワーモジュール基板に安価な金属ベース基板を用い、基板配線および外部端子に電気伝導性および放熱性に優れたCuを用いて両者を超音波接合することで、安価で小型のパワーモジュールを得ることができ、このパワーモジュールを用いることで、安価で小型の車載電子制御装置を得ることができる。
しかし、基板配線へのCu端子の超音波接合において、端子端部直下の基板配線に力が集中し、端子端部直下において配線の磨り減りや亀裂の発生が起こる場合がある。この亀裂は実使用における熱衝撃等により徐々に進展し、配線の断線が発生する恐れがあるため、亀裂の発生を防止する必要がある。
そこで、本発明の目的は配線の掘削や亀裂のない高信頼な接続構造およびその接続方法を提供することであり、同構造を採用した安価で小型・高信頼なパワーモジュール、同パワーモジュールを実装した高信頼車載電子装置を提供することである。
上述の超音波接合において、端子端部と配線との間に樹脂層を設けた構造とする。これにより両者の直接の接触を妨げ、配線にかかる力を低減する。
本発明により、配線の掘削や亀裂のない高信頼な構造を得ることができる。
また、本発明の構造を基板・外部端子間に適用することで、高信頼で小型かつ良好な電気伝導性と放熱性を有するパワーモジュールを得ることができ、同パワーモジュールを実装することで、高信頼な車載電子装置を得ることができる。
本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
図1に本実施例にかかる構造の断面図を示す。本構造では、放熱板111と、放熱板111上の絶縁層112と、絶縁膜112上の配線113とを有する基板110と、配線113と超音波接合された端子120からなる構造であり、配線113と端子120の界面に、配線113および端子120の一部にまたがって、多層状組織130が存在する。多層状組織130は、超音波接合における基板の配線113と端子120とが塑性流動を起こした結果生じたものである。塑性流動は、超音波接合における基板各層に平行な方向での数十kHz(キロヘルツ)という高い周波数での相対運動と加圧による圧力によって生じたものであり、多層状組織が存在するということは端子120と配線113が塑性流動により強く接合されたことを示すものである。また、端子120の端部の下、配線113との間には、軟質の部材150が介在している。
比較例として、図2に従来の構造を示す。配線113と端子120の界面に、多層状組織130に加えて、間隙140が存在する。間隙140は主に配線113と端子120の凹凸を原因として生じる。つまり、凹凸のために超音波加圧時に配線113と端子120間には未接触である領域および圧力が十分でない領域が存在し、同領域においては接合がなされずに加圧を終了した時点で開口して間隙140となり、接合強度及び電気伝導に寄与しない領域となる。接合面において間隙452の占める割合が大きいと、十分な接合強度および導電性・放熱性が得られない結果となる。
間隙140は超音波接合時の加圧が不十分であることを原因として起こり、加圧を大きくすることにより低減することができる。しかしながら単に超音波接合時の加圧を大きくしただけでは、図3に示すように配線113に亀裂270が生じてしまう恐れがある。これは超音波接合時には、接合ツール160を端子120上に配置し、端子120及び配線113を加圧するとともに超音波を印加し、塑性流動を発生させて接合するが、端子120の端部では他の部分に比べて加圧力が大きくなるため、特に亀裂が発生しやすい。
以上が通常の基板110とCu端子120の超音波接合であるが、本発明においては、端子120の端部近傍において、端子120と配線113との間に軟質の部材150が存在する。軟質の部材とは、端子120や配線113よりも柔らかい(剛性が小さい)性質を有する部材であり、配線113や端子120との超音波接合が可能であることや導電性を有することは必要ではない。具体的には、樹脂が適用可能である。軟質の部材150が存在することで、超音波接合時において端子113端部と基板配線120の直接の接触が妨げられ、配線に作用する圧力が低減されるため、配線の掘削や亀裂を抑えることができるので、加圧を強くして接合を行なうことができる。端子の中央付近では軟質の部材150が存在しないことで、配線113と端子120が直接接触し、超音波により接合された構造となり、十分な接合強度と導電性が得られる。もし図2のように部材150がない構造では、端子端部と配線が直接接触して配線に力が集中し、同部において配線の磨り減り260や亀裂270が生じる。
ここで図1では、端子120の端部とて端子長手方向の端部の下に軟質の部材150を配置しているが、端子120の断面が四角形の場合、端子の側面の端部(すなわち図面の手前側及び奥側)も超音波接合により配線に応力が集中して配線に亀裂が生じるため、側面の端部の下に軟質の部材150を置いても効果的である。
以下に各部材の具体例を挙げる。図1において、基板の放熱板111は放熱性の高いCuやAlが望ましい。基板の絶縁層112は放熱性の高いセラミック、もしくは放熱性はセラミックに比べてやや劣るもののコスト面で優れる樹脂が挙げられる。なお、樹脂は放熱フィラーを混入させることにより放熱性を高めたものが一般的である。
基板の配線113は電気伝導性および放熱性に優れるCu、Al、Ag等が望ましい。なお、同層をめっきにより形成した場合はめっき形成方向(層に垂直な方向)への筋状組織となる。端子120は電気伝導性および放熱性に優れるCu、Al、Ag等が望ましい。なお、機械特性向上のため、前記元素を主成分とする合金とすることも可能である。軟質の部材150は、一般的なソルダレジストで十分効果がある。
基板の配線113は電気伝導性および放熱性に優れるCu、Al、Ag等が望ましい。なお、同層をめっきにより形成した場合はめっき形成方向(層に垂直な方向)への筋状組織となる。端子120は電気伝導性および放熱性に優れるCu、Al、Ag等が望ましい。なお、機械特性向上のため、前記元素を主成分とする合金とすることも可能である。軟質の部材150は、一般的なソルダレジストで十分効果がある。
次に、本構造を実現するための製造方法について述べる。
図4、5は本構造を実現するための超音波接合の模式図である。
まず、基板110を準備し、端子をその上に載せる。基板110は、放熱板111(Al、厚さ2mm)の上に絶縁膜112(アルミナフィラー入りエポキシ樹脂、厚さ120μm)を形成し、絶縁膜上に配線113(Cu(電解銅箔)、厚さ105μm)を形成したものである。
次に、配線113上に軟質の部材150(汎用ソルダレジスト、厚さ20μm)を形成する。軟質の部材150は、マスクを用いたり、印刷による形成したりして、配線113上の一部にのみ形成する。
その後、配線113及び軟質の部材150上に端子120(タフピッチ銅、厚さ0.6mm)を載せ、図5に示すように超音波接合ツール160を端子120上に載せ、端子120を介して超音波接合ツール160により加圧をしながら超音波を印加することにより、配線113と端子120が接合されて接合構造が完成する。このとき、端子120の端部が軟質の部材150上にあるように配置することにより、端子の端部に対応する配線113にかかる圧力をやわらげ、配線113に亀裂が入るのを防止することができる。軟質の部材150を介入した部分は、配線113・端子120間の接合強度及び電気伝導に寄与しないが、端子120の端部以外の部分で端子120と配線113は直接接合され接合強度及び電気伝導を確保する。
なお、端子120の端部を超音波接合ツール160を加圧しなければ、端子120の端部付近が接合強度及び電気伝導に寄与しない代わりに配線113に発生する亀裂を抑制でき、本発明と同様の効果を達成できると考えられるかもしれない。しかしながら、そのためには超音波接合ツール160のサイズを端子の大きさに対応して変更しなければならない。また、大型の超音波接合ツール160は低振幅で発振可能であるため接合条件の設定の幅が広い。
なお、本発明の効果を確認するための実験を行ない、配線亀裂が発生せず、ピール強度が25N/mm以上の良好な接合が得られることを確認した。実験における超音波印加条件は、周波数30kHz、荷重80N/mm2、発振時間0.4sとした。
本発明の別の実施例を図7を用いて説明する。本実施例では、軟質の部材の形状が実施例1とは異なっているが、他の構成は同じである。
本実施例では、超音波接合時に軟質の部材が部材351および部材352に分断されている。この場合、端子の端部の真下に軟質の部材が存在しないが、軟質の部材を分断するのに超音波のエネルギーが使われているため、端子120端部の真下の配線113にかかる圧力が軽減されており、配線保護効果はある。
本発明の構造を基板・外部端子間に適用することで、高信頼で小型かつ良好な電気伝導性と放熱性を有するパワーモジュールを得ることができ、同パワーモジュールを実装することで、高信頼な車載電子装置を得ることができる。
110,210,310,410…基板、120,220,320,420…端子、130…間隙、140…多層状組織、150,351,352…軟質の部材、160…超音波接合ツール、260…配線の掘削、270…配線亀裂。
Claims (9)
- 第1の金属層、第1の絶縁層、第2の金属層、第3の金属層とがこの順で並び構成されている接続構造であって、
前記第2の金属層と前記第3の金属層との界面に、前記第2の金属層と前記第3の金属層の成分から形成され、かつ、前記第2の金属層と前記第3の金属層にまたがって存在している多層状組織を有し、
前記第3の金属層の端部近傍において前記第2の金属層との界面に軟質の部材が介在することを特徴とする接続構造。 - 請求項1において、
前記第3の金属層の端部の真下に前記軟質の部材が存在することを特徴とする接続構造。 - 請求項1において、
前記第3の金属層が当該モジュールとその他のモジュール、あるいは、外部装置と接続されるための端子であることを特徴とする接続構造。 - 請求項1において、
前記軟質の部材に樹脂を用いている接続構造。 - 配線を有する基板を準備する工程と、
前記配線上に軟質の部材を形成する工程と、
前記配線及び前記軟質の部材上に端子を載置する工程と、
前記端子部の上部から接合ツールにより加圧しながら超音波を印加し、前記配線と前記端子とを接合する工程とを含む接合構造の製造方法。 - 請求項5において、
前記配線及び前記軟質の部材上に端子を載置する工程では、前記端子の端部が前記軟質の部材上になるように端子を載置することを特徴とする接合構造の製造方法。 - 請求項5において、
前記軟質の部材は、前記配線及び前記端子よりも弾性定数が小さいことを特徴とする接合構造の製造方法。 - 請求項7において、
前記軟質の部材は樹脂であることを特徴とする接合構造の製造方法。 - 請求項5において、
前記接合ずる工程では、前記配線と前記端子とは、多層状組織を形成することを特徴とする接合構造の製造方法。
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JP2008255903A JP2010082668A (ja) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | 接合構造及びその製造方法 |
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US10096570B2 (en) | 2015-06-11 | 2018-10-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Manufacturing method for power semiconductor device, and power semiconductor device |
-
2008
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EP2579309A1 (en) | 2011-08-31 | 2013-04-10 | Hitachi, Ltd. | Power module and manufacturing method thereof |
US8723320B2 (en) | 2011-08-31 | 2014-05-13 | Hitachi, Ltd. | Power module and manufacturing method thereof |
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