JP2010077395A - 絶縁膜用重合体及びその重合方法、絶縁膜ならびに電子デバイス - Google Patents
絶縁膜用重合体及びその重合方法、絶縁膜ならびに電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010077395A JP2010077395A JP2009170775A JP2009170775A JP2010077395A JP 2010077395 A JP2010077395 A JP 2010077395A JP 2009170775 A JP2009170775 A JP 2009170775A JP 2009170775 A JP2009170775 A JP 2009170775A JP 2010077395 A JP2010077395 A JP 2010077395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- carbon
- polymer
- compound
- biadamantane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】 炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合することにより得られる数平均分子量10,000以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合することにより得られた数平均分子量20,000以上の絶縁膜用重合体。
【選択図】 図1
Description
(1) 炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合することにより得られる数平均分子量10,000以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合することにより得られた数平均分子量20,000以上の絶縁膜用重合体。
(2) 前記プレポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定した分子量ピークにおいて、オリゴマーを検出するピークPのピーク面積Apと残存モノマーである炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を検出するピークMのピーク面積Amを足し合わせたピーク全面積(Ap+Am)に対して、前記モノマーである炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物のピーク面積Amの割合が70%以下である第(1)項記載の絶縁膜用重合体。
(3) 前記プレポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定した分子量ピークにおいて、オリゴマーを検出するピークPのピーク面積Apと残存モノマーである炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を検出するピークMのピーク面積Amを足し合わせたピーク全面積(Ap+Am)に対して、前記モノマーである炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物のピーク面積Amの割合が50%以下である第(1)項又は第2項記載の絶縁膜用重合体。
(4) 前記炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物が、式(1)で表される化合物である、第(1)項〜第(3)項のいずれか1項に記載の絶縁膜用重合体。
(7) 無触媒で熱重合することによる、第(6)項記載の絶縁膜用重合体の重合方法。
(8) 第(1)項〜第(5)項のいずれか1項に記載の絶縁膜用重合体を有機溶媒に溶解させた溶液を、基材上に塗布し、加熱、活性エネルギー線、又は加熱と活性エネルギー線照射により硬化させた絶縁膜。
(9) 第(8)項記載の絶縁膜を具備する電子デバイス。
本発明は、炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合することにより得られる数平均分子量10,000以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合することにより得られる数平均分子量20,000以上の絶縁膜用重合体である。
本発明は、前記絶縁膜用重合体を重合する方法である。
本発明の絶縁膜は、前記絶縁膜用重合体を用いて得られるものであり、電子デバイスは、前記絶縁膜を具備するものである。
本発明に用いる炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物は、カゴ型構造として、アダマンタン構造、ポリアマンタン構造、アダマンタン構造が複数連なった構造を骨格として有するポリアダマンタン構造、前記ポリアマンタン構造が複数連なった構造を骨格として有するポリ(ポリアマンタン)構造が挙げられる。
ここで、ポリアマンタン構造としては、ジアマンタン環、トリアマンタン環、テトラマンタン環、ペンタマンタン環及びヘキサマンタン環などが挙げられる。
前記炭素−炭素三重結合を有する基の具体例として、式(3)で表される基及び式(4)で表される基が好ましく、これらを1つ以上有することが好ましい。
本発明の絶縁膜用重合体は、炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合して得られる数平均分子量10,000以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合することにより得られるものであり、炭素−炭素三重結合を反応させることができる公知の重合方法を適用することが可能である。
上記プレポリマーは、炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を含んでいてもよい。プレポリマー中の該化合物は、GPCにより測定した分子量ピークにおいて、オリゴマーを検出するピークPのピーク面積Apと該化合物を検出するピークMのピーク面積Amを足し合わせたピーク全面積(Ap+Am)に対して、該化合物のピーク面積Amの割合が70%以下であることが好ましく、50%以下であることがより好ましい。
これら種々の有機溶媒の中でも、アニソール、エトキシベンゼン、1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、1,4−ジメトキシベンゼン及びジフェニルエーテル等のフェニルエーテル系溶媒が、炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を有する化合物の溶解性及び炭素−炭素三重結合の反応性に優れるため、より好ましい。また、これらフェニルエーテル系溶剤は、単独、あるいは2種以上混合して用いるのことができる。
本発明の絶縁膜用重合体は、絶縁膜形成用材料として用いることができ、一般的には、後述するように、絶縁膜形成用ワニスとして、支持体上に塗布することによって膜を形成することから、該重合体を溶解又は分散させる溶媒を含むことができる。ワニスにするにあたっては、上記にて反応して得た重合体を回収、乾燥させて固形としたものを、有機溶剤に溶解させて絶縁膜形成用ワニスとしてもよいし、前記重合体の製造により得られた反応溶液を、直接、絶縁膜形成用ワニスとして用いてもよいし、また、反応溶液に別の有機溶剤を混合してもよい。
本発明の絶縁膜は、前記絶縁膜形成用材料を用いて得られるが、例えば、上記で得られた絶縁膜形成用ワニスを、基板などの支持体に塗布し、これを、加熱や活性エネルギー線照射などの処理をすることで製造できる。また、上記で得られた反応溶液をそのまま、又は前記絶縁膜形成用材料を加熱して溶解して、支持体に塗布して製造しても良い。前記加熱や活性エネルギー線照射などの処理を行うことにより、重合体中に残存する炭素−炭素三重結合を、架橋反応することにより、より耐熱性、機械特性に優れる絶縁膜を提供することができる。
また、基板などの支持体との密着性を高めるために、基板上に密着促進剤層を形成後、その上に絶縁膜を形成しても良い。
半導体用保護膜などにおいては、0.05〜70μmが好ましく、特に0.1〜50μmが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に半導体素子の保護特性及び加工性の両方に優れる。
図1は、本発明の電子デバイスの一例を模式的に示す断面図である。
電子デバイス100は、素子が形成された半導体基板1と、半導体基板1の上側(図1上側)に設けられた配線構造から構成されている。
トランジスタ等の素子を作り込んだ基板1に、まず1層目の層間絶縁膜2が形成される。該層間絶縁膜2には、本発明の絶縁膜形成用材料より形成された有機絶縁膜、あるいは化学気相堆積(CVD)法により形成した無機絶縁膜などが使用される。該絶縁膜は、素子との電気的接合をとるための配線層が作りこまれており、層間絶縁膜2及びバリアメタル層4で覆われた銅配線層3となる構造を有している。
層間絶縁膜2には、配線すべきパターンに対応した凹部が形成されており、その凹部内には銅配線層3が設けられている。
また、層間絶縁膜2と、銅配線層3との間には、例えば、層間絶縁膜2とバリアメタル層4の密着性を向上する上で、また、前記バリアメタル層4を有しない場合には層間絶縁膜2と銅配線層3の密着性を向上する上で、後述する配線溝の内面にプラズマ処理などにより改質処理層を設けることがある。
また、層間絶縁膜2の上側(半導体基板1と反対側面)には、ハードマスク層5が形成されている。
この1層目の配線の上部には、さらに配線層が形成され、上記同様にして層間絶縁膜などが形成され多層配線構造とすることができる。
さらに配線層を積層する場合にも、基本的に上記1層目の配線形成と同様な方法により形成することができる。
本発明の電子デバイスは、上述したような層間絶縁膜を用いているので寸法精度に優れ、絶縁性を十分に発揮できるので、それにより接続信頼性が優れている。
また、上述したような層間絶縁膜は、誘電特性に優れているので、配線遅延を低下することができる。
(1)3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタンの合成
温度計、撹拌機および還流管を備えた4つ口の2000mLフラスコに、金属ナトリウム28g(1.2mol)とn−オクタン1200mlを入れ、内温を0℃に冷やした。激しく撹拌しながら、n−オクタン600mlに予め溶解した1−ブロモ−3,5−ジメチルアダマンタン145.9g(0.6mol)を徐々に滴下した。滴下中、内温は、0℃〜5℃に保った。滴下終了後、温度が上昇しなくなったら、引き続き1時間反応を続けた。その後、冷水約3000mLに注いで、粗生成物を濾別し、純水で洗い、乾燥した。更に粗成生物を、熱ヘキサンにより、再結晶した。得られた再結晶物を、減圧乾燥することにより、生成物65.2gを得た。IR分析によりBr基の吸収(690−515cm−1付近)が消失し、質量分析による分子量が326である結果より、生成物が3,3’,5,5’−テトラメチル−1,1’−ビアダマンタンであることが示された。
以下に、上記で得られた生成物の外観、質量分析および元素分析の結果を示す。これらのデータは、得られた化合物が3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタンであることを示している。
外観:白色固体
MS(FD)(m/z):574(M+)
元素分析:理論値(/%)C;91.93、H;8.07、実測値(/%)C;91.87、H;8.00
上記で得られた3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタン13gを1,3−ジメトキシベンゼン117gに溶解させ、乾燥窒素下170℃で2時間反応させ、反応液を、10倍の体積のメタノール/ジオキサン=3/2の混合溶媒に滴下して沈殿物を集めて乾燥し、6.6gのプレポリマーを得た。
得られたプレポリマー2gを、シクロペンタノン18gに溶解させ、フィルターでろ過することにより、絶縁膜形成用ワニスとした。
測定は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフ(GPC)装置(東ソー株式会社製、HLC−8220GPC)を用い、また、カラムとして、TSKgel GMHXL(ポリスチレン換算排除限界4x102(推定))x2本及びTSKgel G2000HXL(ポリスチレン換算排除限界1x104)x2本を直列接続して、検出器として、屈折率計(RI)又は紫外・可視検出器(UV(254nm))を用いて、下記条件により、上記重合体の分子量について、RI又はUVで得られた結果を解析した。測定条件としては、移動相:テトラヒドロフラン、温度:40℃、流量:1.00mL/min、試料濃度:0.1wt%テトラヒドロフラン溶液とした。
得られたプレポリマーの数平均分子量は7,300であり、モノマーのピーク面積割合は29%であった。
上記で得られた絶縁膜形成用ワニスを用いて、スピンコーターにより、シリコンウエハ上に塗布したが、外観不良のため樹脂膜を形成することができなかった。
(1)3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタンのプレポリマーからの重合と絶縁膜形成用ワニスの製造
合成例1(2)で得られた数平均分子量7,300である3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタンのプレポリマー4gを1,3−ジメトキシベンゼン36gに溶解させ、乾燥窒素下170℃で6時間反応させ、反応液を、10倍の体積のメタノール/ジオキサン=3/2の混合溶媒に滴下して沈殿物を集めて乾燥し、2.1gのプレポリマーを得た。得られたプレポリマーの数平均分子量は51,900であった。得られたプレポリマー2gを、シクロペンタノン18gに溶解させ、フィルターでろ過することにより、絶縁膜形成用ワニスとした。
(2)絶縁膜の製造
上記で得られた絶縁膜形成用ワニスを用いて、スピンコーターにより、シリコンウエハ上に塗布した。この際、熱処理後の絶縁膜の厚さが、約0.3μmとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。塗布後に200℃のホットプレート上で1分間乾燥。その後、400℃のオーブン中で窒素雰囲気下30分間硬化することで、絶縁膜を得た。
3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタンのプレポリマーの回収
合成例1(1)、(2)および実施例1(1)の再沈殿の操作を繰り返して沈殿物を集めた後のろ液を、減圧除去した後乾燥させ3.6gのプレポリマーを回収した。回収されたプレポリマーの数平均分子量は3,600であり、モノマーのピーク面積割合は56%であった。
(1)3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタンのプレポリマーからの重合と絶縁膜形成用ワニスの製造
合成例2(1)で得られた数平均分子量3,600である3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタンのプレポリマー3.5gを1,3−ジメトキシベンゼン31.5gに溶解させ、乾燥窒素下170℃で7時間反応させ、反応液を、10倍の体積のメタノール/ジオキサン=3/2の混合溶媒に滴下して沈殿物を集めて乾燥し、1.6gのプレポリマーを得た。得られたプレポリマーの数平均分子量は49,100であった。得られたプレポリマー1gを、シクロペンタノン9gに溶解させ、フィルターでろ過することにより、絶縁膜形成用ワニスとした。
(2)絶縁膜の製造
上記で得られた絶縁膜形成用ワニスを用いて、実施例1(2)と同様の操作をし、絶縁膜を得た。
(1)3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタンの重合と絶縁膜形成用ワニスの製造
合成例1(1)で得られた3,3’,5,5’−テトラメチル−7,7’−ビス(3,5−ジエチニルフェニル)−1,1’−ビアダマンタン7gを1,3−ジメトキシベンゼン63gに溶解させ、乾燥窒素下170℃で6時間反応させ、反応液を、10倍の体積のメタノール/ジオキサン=3/2の混合溶媒に滴下して沈殿物を集めて乾燥し、4.0gのプレポリマーを得た。得られたプレポリマーの数平均分子量は46,600であった。得られたプレポリマー2gを、シクロペンタノン18gに溶解させ、フィルターでろ過することにより、絶縁膜形成用ワニスとした。
(2)絶縁膜の製造
上記で得られた絶縁膜形成用ワニスを用いて、実施例1(2)と同様の操作をし、絶縁膜を得た。
実施例1、2及び比較例1で得られた絶縁膜について、誘電率、ガラス転移温度及び弾性率のそれぞれの特性を、下記の評価方法により、評価を行った。
得られた結果を表1に示す。
誘電率は、日本エス・エス・エム(株)製、自動水銀プローブCV測定装置SSM495を用いて評価した。
Tgは、絶縁膜を削り取り、ティー・エイ・インスツルメント社製DSC−Q1000装置で評価した。測定温度範囲を、250℃〜450℃とし、昇温速度を2℃/分とした。ガラス転移温度の評価は、250℃〜450℃の温度範囲においてリバースヒートフローに変極点がないかを解析して求めた。
弾性率は、MTS社製ナノインデンターで薄膜測定用プログラムを用いて、押し込み深さが膜厚の10分の1までの信号が安定した領域で評価した。
そのままでは絶縁膜を得ることができないプレポリマー、本来ならば廃棄されるろ液から回収したプレポリマーを、低誘電率、高耐熱性、高機械強度に優れた絶縁膜用重合体に変換することができた。
半導体基板の上に窒化珪素層を形成し、該窒化珪素層上に、実施例1、2及び比較例1で得られた絶縁膜形成用ワニスを用いて、それぞれ塗布して、厚さ0.1μmの層間絶縁膜を形成した。
次に、上記で得た層間絶縁膜のそれぞれに、所定のパターンを形成するように、金属配線を形成して、半導体デバイスを得た。また、この半導体デバイスと同様な構成でSiO2絶縁膜を有する半導体デバイスとの配線遅延の程度を比較した。評価の基準には、リングオシュレータの発信周波数から換算して求めた信号遅延時間を採用した。両者を比較した結果、本発明で得られた半導体デバイスでは、SiO2絶縁膜を有する半導体デバイスより配線遅延が少なく、約25%の速度の向上があることが確認された。
実施例1、2及び比較例1で得られた絶縁膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置は、層間絶縁膜の誘電率が低いので、信号遅延の低減効果に優れていた。
2 層間絶縁膜
3 銅配線層
4 バリアメタル層
5 ハードマスク層
100 電子デバイス
Claims (9)
- 炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合することにより得られる数平均分子量10,000以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合することにより得られた数平均分子量20,000以上の絶縁膜用重合体。
- 前記プレポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定した分子量ピークにおいて、オリゴマーを検出するピークPのピーク面積Apと残存モノマーである炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を検出するピークMのピーク面積Amを足し合わせたピーク全面積(Ap+Am)に対して、前記モノマーである炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物のピーク面積Amの割合が70%以下である請求項1記載の絶縁膜用重合体。
- 前記プレポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定した分子量ピークにおいて、オリゴマーを検出するピークPのピーク面積Apと残存モノマーである炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を検出するピークMのピーク面積Amを足し合わせたピーク全面積(Ap+Am)に対して、前記モノマーである炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物のピーク面積Amの割合が50%以下である請求項1又は2記載の絶縁膜用重合体。
- 炭素−炭素三重結合を分子中に2個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合することにより得られる数平均分子量10,000以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合して、数平均分子量20,000以上の絶縁膜用重合体を重合する方法であって、前記オリゴマーを含むプレポリマーを、フェニルエーテル系溶媒中で、熱重合する絶縁膜用重合体の重合方法。
- 無触媒で熱重合することによる、請求項6記載の絶縁膜用重合体の重合方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の絶縁膜用重合体を有機溶媒に溶解させた溶液を、基材上に塗布し、加熱、活性エネルギー線、又は加熱と活性エネルギー線照射により硬化させた絶縁膜。
- 請求項8記載の絶縁膜を具備する電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009170775A JP2010077395A (ja) | 2008-08-25 | 2009-07-22 | 絶縁膜用重合体及びその重合方法、絶縁膜ならびに電子デバイス |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008215923 | 2008-08-25 | ||
JP2009170775A JP2010077395A (ja) | 2008-08-25 | 2009-07-22 | 絶縁膜用重合体及びその重合方法、絶縁膜ならびに電子デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010077395A true JP2010077395A (ja) | 2010-04-08 |
Family
ID=42208184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009170775A Ceased JP2010077395A (ja) | 2008-08-25 | 2009-07-22 | 絶縁膜用重合体及びその重合方法、絶縁膜ならびに電子デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010077395A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010138376A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁膜形成用重合体の重合方法、絶縁膜形成用重合体、有機絶縁膜用材料及び有機絶縁膜並びに電子デバイス |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004204008A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 絶縁膜形成用塗布液 |
JP2005514479A (ja) * | 2001-12-31 | 2005-05-19 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | 有機組成物 |
JP2005343985A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂、絶縁膜形成用塗布液および絶縁膜の製造方法 |
JP2007161786A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | 重合体、膜形成用組成物、絶縁膜及び電子デバイス |
WO2008114705A1 (ja) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 有機絶縁材料、それを用いた樹脂膜用ワニス、樹脂膜並びに半導体装置 |
JP2009256631A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、樹脂膜及び半導体装置 |
-
2009
- 2009-07-22 JP JP2009170775A patent/JP2010077395A/ja not_active Ceased
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005514479A (ja) * | 2001-12-31 | 2005-05-19 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | 有機組成物 |
JP2004204008A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 絶縁膜形成用塗布液 |
JP2005343985A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂、絶縁膜形成用塗布液および絶縁膜の製造方法 |
JP2007161786A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | 重合体、膜形成用組成物、絶縁膜及び電子デバイス |
WO2008114705A1 (ja) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 有機絶縁材料、それを用いた樹脂膜用ワニス、樹脂膜並びに半導体装置 |
JP2009256631A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、樹脂膜及び半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010138376A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁膜形成用重合体の重合方法、絶縁膜形成用重合体、有機絶縁膜用材料及び有機絶縁膜並びに電子デバイス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5458884B2 (ja) | 絶縁膜形成用重合体、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜及びそれを有する電子デバイス | |
JP5299266B2 (ja) | 有機絶縁材料、それを用いた有機絶縁膜用ワニス、有機絶縁膜及び半導体装置 | |
US8524847B2 (en) | Organic insulating material, varnish for resin film using the same, resin film and semiconductor device | |
JP2005529983A (ja) | 有機組成物 | |
JP2001131263A (ja) | ジイン含有(共)重合体、その製造方法及び硬化膜 | |
JP5365331B2 (ja) | 有機絶縁材料、樹脂膜及び半導体装置 | |
JP2010138376A (ja) | 絶縁膜形成用重合体の重合方法、絶縁膜形成用重合体、有機絶縁膜用材料及び有機絶縁膜並びに電子デバイス | |
JP2010077395A (ja) | 絶縁膜用重合体及びその重合方法、絶縁膜ならびに電子デバイス | |
JP5012372B2 (ja) | 有機絶縁膜及び半導体装置 | |
JP5239968B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂膜及び半導体装置 | |
JP5609142B2 (ja) | 絶縁膜、積層体、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5630100B2 (ja) | 重合体の製造方法 | |
JP2011199175A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP5540784B2 (ja) | 膜形成用組成物入り容器 | |
JP5381660B2 (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 | |
JP2011026515A (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 | |
JP2011026375A (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 | |
JP5407851B2 (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 | |
JP5407836B2 (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 | |
JP2009084329A (ja) | 樹脂組成物、樹脂膜および半導体装置 | |
JP2011195776A (ja) | 絶縁膜および半導体装置 | |
JP2010215819A (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 | |
JP2011192955A (ja) | 絶縁膜、半導体装置および膜形成用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120711 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130312 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130325 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20131126 |