JP2010061999A - 発光体基板及びこれを用いた画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放電電流低減性能に優れた特徴を持つ発光体基板を提供する。
【解決手段】基板1上に、X方向及びY方向に複数の蛍光体4を配置し、該蛍光体4上にメタルバック5を配置し、X方向において隣接する蛍光体4間にY方向に延びるリブ6を配置し、該リブ6上にY方向に隣接するメタルバック5間を電気的に接続する第1の抵抗体7を形成し、リブ6下にX方向に隣接するメタルバック5間を電気的に接続する第2の抵抗体8を形成する。
【選択図】図1
【解決手段】基板1上に、X方向及びY方向に複数の蛍光体4を配置し、該蛍光体4上にメタルバック5を配置し、X方向において隣接する蛍光体4間にY方向に延びるリブ6を配置し、該リブ6上にY方向に隣接するメタルバック5間を電気的に接続する第1の抵抗体7を形成し、リブ6下にX方向に隣接するメタルバック5間を電気的に接続する第2の抵抗体8を形成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子線表示装置のフェースプレートに適用される発光体基板と、該基板を用いて構成された画像表示装置に関するものである。
近年、次世代の画像表示装置として、電子放出素子を多数並べた電子源基板と、該電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する、複数の発光体層を備えた発光体基板とを有し、それらを対向配置させた平面型画像表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるがいずれも基本的には電界放出を用いており、これらの電子放出素子を用いた表示装置は、一般に、フィールド・エミッション・ディスプレイ(以下、FEDと称する)と呼ばれている。FEDの内、表面伝導型電子放出素子を用いた表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ(以下、SEDと称する)とも呼ばれているが、本願においてはSEDも含む総称としてFEDという用語を用いる。
FEDは、1乃至2mm程度の狭いギャップを置いて対向配置された電子源基板(リアプレート)と発光体基板(フェースプレート)とを有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接合することにより真空容器を構成している。真空容器の内部は、真空度が10-4Pa程度以下の高真空に維持されている。
電子源基板の内面には、電子を放出する多数の電子放出素子が設けられ、多数の走査線及び信号線がマトリックス状に形成され、各電子放出素子に接続されている。発光体基板の内面には、発光体層としてR(赤)、G(緑)、青(B)の蛍光体が形成され、アノード電圧が印加される。電子放出素子から出た電子ビームがアノード電圧により加速されて蛍光体に衝突することにより、蛍光体が発光し映像が表示される。また、任意の蛍光体に入射する電子の一部が反射し、隣接する蛍光体に入射するのを防ぐため、蛍光体間にはリブが設けられている。
上記のように構成されたFEDにおいて、実用的な表示特性を得るために、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、更に、蛍光体の上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜を形成して用いている。この場合、メタルバックに印加するアノード電圧は最低でも数kV、できれば10kV以上にすることが望まれる。
しかしながら、発光体基板と電子源基板との間のギャップは、解像度やスペーサの特性などの観点からあまり大きくすることはできず、1乃至2mm程度に設定する必要がある。したがって、FEDでは、これら基板間の小さいギャップに強電界が形成されることが避けられず、両基板間の放電が問題となる。
放電ダメージ抑制に関して何の対策も導入しないと、放電により電子放出素子、蛍光体、ドライバIC、駆動回路の破壊や劣化が引き起こされる。これらをまとめて放電ダメージと呼ぶことにする。このようなダメージが起こる状況では、FEDを実用化するためには、長期間に渡り、放電が絶対に発生しないようにしなければならない。しかし、これを実現するのは非常に難しい。
そこで、放電が起きても放電ダメージが発生しないか無視できるレベルに抑制できるように、放電電流を低減する対策が重要となる。このための技術として、メタルバック(一般的にはアノード電極)を分断する技術が公知である。メタルバック分断には大きく分けて、1方向のみに分断し短冊状の分割メタルバックにする1次元分断と、2方向に分割し、アイランド状の分割メタルバックにする2次元分断とがある。2次元分断では1次元分断よりも放電電流を小さくすることが可能である。
メタルバックを分断した場合、ビーム電流の経路を確保し輝度低下を許容レベルにすることと、放電時に分断したギャップ間に発生する電位差による放電を防ぐようにすることが必要である。これに関し、特許文献1には、分割メタルバック間に抵抗体を設ける構成が開示されている。
典型的なFEDの構成においては、RGBの蛍光体が行方向(X方向)に並ぶことになり、X方向の蛍光体間の距離が狭くなる。その場合、反射電子による隣接クロストーク(ハレーション)の影響はX方向に顕著に現れる。そのため、列方向(Y方向)に延びる列ストライプ状のリブをX方向に隣接する蛍光体の間に形成する。このリブにより、反射電子がX方向に隣接する蛍光体に入射するのを防ぐ。2次元分断を構成する際、分割メタルバックをY方向につなぐための抵抗材をリブの上部に形成し、X方向にはリブ自身で分割メタルバックをつなぐ構成が考えられる。しかし、リブをガラスなどの絶縁部材で形成すると分割メタルバック間のX方向の抵抗は高くなってしまい、放電時に発生する電圧が増大する。発生電圧がリブの耐圧よりも大きくなると耐圧破綻が起こり、X方向に破綻の連鎖が起こることで低インピーダンスでメタルバックがつながってしまい、2次元分断による電流制限が機能せず大電流が流れてしまう。
本発明は上記の課題を解決するためのものであり、放電電流低減性能に優れた特徴を持つ発光体基板及び該発光体基板を用いた画像表示装置を提供することを目的とする。
本発明の第1は、基板と、
前記基板の上に第1の方向及び該第1の方向に直交する第2の方向においてそれぞれ間隔をおいて配置された複数の発光体層と、
前記第2の方向において隣接する発光体層の間に配置された第1の方向に延びる複数本のリブと、
各々が少なくとも一つの前記発光体層を覆い、第1の方向及び第2の方向にそれぞれ間隔をおいて配置された複数のメタルバックと、
前記リブ上に形成され、第1の方向において隣接するメタルバック間を電気的に接続する第1の抵抗体と、
前記リブ下に形成され、第2の方向において隣接するメタルバック間を電気的に接続する第2の抵抗体と、を有し、
前記第1の方向において隣接するメタルバック間の距離が、第2の方向において隣接するメタルバック間の距離よりも長く、第1及び第2の抵抗体の体積抵抗が、リブの体積抵抗よりも低いことを特徴とする発光体基板である。
前記基板の上に第1の方向及び該第1の方向に直交する第2の方向においてそれぞれ間隔をおいて配置された複数の発光体層と、
前記第2の方向において隣接する発光体層の間に配置された第1の方向に延びる複数本のリブと、
各々が少なくとも一つの前記発光体層を覆い、第1の方向及び第2の方向にそれぞれ間隔をおいて配置された複数のメタルバックと、
前記リブ上に形成され、第1の方向において隣接するメタルバック間を電気的に接続する第1の抵抗体と、
前記リブ下に形成され、第2の方向において隣接するメタルバック間を電気的に接続する第2の抵抗体と、を有し、
前記第1の方向において隣接するメタルバック間の距離が、第2の方向において隣接するメタルバック間の距離よりも長く、第1及び第2の抵抗体の体積抵抗が、リブの体積抵抗よりも低いことを特徴とする発光体基板である。
本発明の第2は、電子放出素子を複数備えた電子源基板と、上記本発明の第1の発光体基板とを互いに対向配置させてなることを特徴とする画像表示装置である。
本発明によれば、放電時に発生する分割メタルバック間の電圧を抑えることができるため、放電電流低減性能に優れた特徴を持つ画像表示装置を提供することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明する。
先ず、図1を参照して本発明が適用されるFEDの一般的な構造を説明する。図1(a)は本発明の発光体基板の一実施形態の内面図、図1(b)は(a)中のA−A’断面図、図1(c)は(a)中のB−B’断面図である。本例において、本発明にかかる第1の方向がY方向、該第1の方向に直交する第2の方向がX方向である。
基板1の内面には、本発明の発光体層である蛍光体4が、X方向及びY方向にそれぞれ間隔をおいて複数配置されている。基板1に蛍光体4を配置する方法は、モノクローム、カラーによらず、沈殿法、スクリーン印刷法、ディスペンサ法等による塗布が採用できる。また、通常、黒色部材で形成されたブラックストライプ或いはブラックマトリクスが基板1上に形成され、その開口部に蛍光体4が配置される。図中の2はブラックマトリクスであり、2aはその開口部である。
蛍光体4上には、アノード電極として機能するメタルバック5が、少なくとも一つの蛍光体4を覆ってX方向及びY方向にそれぞれ複数形成されている。本例においては、各メタルバック5は、一つの蛍光体4を覆っている。X方向及びY方向に分割されたメタルバック5の形成は、蛍光体4の形成された基板1全面にメタルバック5を形成し、フォトエッチングによりパターニングする方法(フォトリソグラフィ法)が採用できる。また、所望の開口を有するメタルマスクを遮蔽部材として用いて真空蒸着する(通常マスク蒸着と呼ぶ)方法等も適時選択することができる。
基板1は、赤(R)、緑(G)、青(B)に発光する多数の蛍光体4を有する。典型的な横長画面のFEDを想定して説明すると、長軸方向をX方向とし、短軸方向をY方向とした場合に、蛍光体4は、X方向、Y方向に所定のピッチで繰り返し配列されている。尚、所定のピッチといっても製造上の誤差の範囲内で、或いは、設計上の都合の範囲内で変動することは許容される。
X方向に並んでいるRGBの蛍光体4の間には、Y方向に延びたストライプ状のリブ6がそれぞれ設けられている。この複数本のリブ6は、蛍光体4に入射する電子の一部が反射し、X方向に隣接した蛍光体4に入射するのを防ぐ役割を果たしている。また、リブ上(リブトップ)にはリブ6に沿って第1の抵抗体7が設けられている。この第1の抵抗体7は、画像表示領域外でアノード電位を供給する電極に接続されている。さらに、リブ下(リブボトム)には第1の抵抗体7と交差する方向(X方向)に第2の抵抗体8が設けられている。この第2の抵抗体8は、Y方向に隣接するメタルバック5を電気的に接続するように形成されている。これらのリブ6や第1の抵抗体7、第2の抵抗体8の形成は、フォトリソグラフィ法やスクリーン印刷法、ディスペンサ法などの方法が採用できる。
ここで、メタルバック5のX方向のギャップをGx、Y方向のギャップをGyとすると、X方向にはRGBの蛍光体4が並んでいることから、Gx<Gyとなっている。図1において、Y方向におけるメタルバック5の分断のピッチは放電電流仕様やプロセス上の都合などから適宜選択することができる。
2次元分断構造において放電電流をできるだけ低減するためには、メタルバック5のX方向のギャップをつなぐ抵抗(Rx)、Y方向のギャップをつなぐ抵抗(Ry)をできるだけ高くすることが望まれる。しかしながら、リブボトムに第2の抵抗体8を形成せず、Rxをリブ6のような絶縁部材のみを用いて形成するとRxが非常に高抵抗になるため、放電時にGxに発生する電圧が高くなる。しかもメタルバック5のX方向のギャップは狭いため、Gx間の耐圧破綻が問題となる。これを避けるためには、Rxの抵抗値を放電電流があまり増加しない程度に下げることが望まれる。
従って、本発明では、リブボトムに第2の抵抗体8を設けることでRxの抵抗値を下げ、放電時にGx間の発生電圧を抑えることが可能となる。
本発明において、第1の抵抗体7の形状は図1に例示するように単純な帯状とすることがシンプルであり製造上望ましい。しかしながら、第1の抵抗体7の役割はGyの抵抗Ryを調整することであり、Y方向において隣接するメタルバック5間を電気的に接続するように形成されていれば形状は任意に選ぶことができる。よって、より複雑な形状にしたり、ところどころで断絶させて不連続な構造にすることも可能である。
また、第1の抵抗体7は全てのリブトップに設けることが必須ではなく、メタルバック6が2以上の蛍光体4を覆うように形成されている場合には、Y方向において隣接するメタルバック5間を電気的に接続しうる少なくとも1本のリブ6上に形成すればよい。例えば、図2に示すように、メタルバック5がY方向に隣接する3つの蛍光体4を覆い、Y方向一端に位置するリブ6上で第1の抵抗体8に接続されている場合、該蛍光体4間の位置する2本のリブ6上には第1の抵抗体7を形成しなくても良い。
また、第2の抵抗体8についても同様に、図1に示すように単純な帯状とすることがシンプルであり製造上望ましい。しかしながら、第2の抵抗体8の役割はGxの抵抗Rxを調整することであり、X方向において隣接するメタルバック5間を電気的に接続していれば、形状は任意に選ぶことができる。よって、より複雑な形状にしたり、ところどころで断絶させて不連続な構造にすることも可能である。
本発明に係る第1の抵抗体7、第2の抵抗体8はリブ6よりも十分抵抗が低い必要があり、好ましくは10Ω・m以下である。また、第1の抵抗体7、第2の抵抗体8の抵抗値は、画像表示装置の駆動時に電圧降下による輝度低下が著しく発生しないことが望まれる。1電子放出素子の放出電流が1乃至10μAの場合、第1の抵抗体7、第2の抵抗体8の抵抗値は1kΩ乃至1GΩが好ましい。抵抗値の実用的な上限は電圧降下が印加電圧の1乃至数割程度以下であり、且つ輝度ムラを生じない範囲で決められる。また、第1の抵抗体7、第2の抵抗体8の耐圧特性は、1MV/m以上であるのが好ましい。
尚、図1にブラックマトリクス2で示したように、一般的にFEDにおいては蛍光体4の間には黒色かそれに近い色の遮光層を設けることがコントラストを高める上で望ましい。本発明に係るリブ6や第1の抵抗体7、第2の抵抗体8は遮光層を兼ねても良いし、使用する材料が遮光層にはふさわしくない色の場合は、図1のようにブラックマトリクス2、或いはブラックストライプを設ければよい。
また、本例ではリブ6の形成方向をY方向のみとしたが、X方向のみ、或いはXY両方向に形成する場合もありうる。その場合でも、抵抗体をリブトップとリブボトムに形成し、抵抗体が互いに交差するように配置すれば同様の効果が期待できる。
X方向、Y方向は典型的には横長画面の長軸方向、短軸方向となるが、一般的にはGx<Gyとなるかどうかにより定義される。典型的には長軸方向にRGBの蛍光体4が並ぶため長軸方向がX方向となるが、FEDの構成によっては短軸方向がX方向となることもありうる。
次に、本発明の発光体基板を用いた画像表示装置について説明する。図3は、図1の発光体基板を用いた画像表示装置の一実施形態の表示パネルの構成を模式的に示す斜視図であり、一部を切り欠いて示している。図中、図1と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。また、図3においては、便宜上、第1の抵抗体7を省略している。
図3において、18は図1に例示した発光体基板であるフェースプレートである。また、11は電子源基板であり、表面伝導型電子放出素子14を複数備え、該素子はX方向配線12及びY方向配線13によりマトリクス配線され、リアプレート14上に搭載されている。X方向配線12はm本、Y方向配線13はn本、そして素子14はm×n個形成されている。m及びnは正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。
また、図3において16は支持枠であり、フェースプレート18及びリアプレート15とで真空容器17を形成し、内部が10-4Pa程度以下の高真空に維持されている。真空容器17に不図示の電源や駆動回路等を加えて画像表示装置をなす。簡単に説明すると、メタルバック5は真空容器17のHv端子19と電気的に接続され、高圧電源より1kV乃至15kV程度の高圧が印加される。X方向配線12及びY方向配線13は、それぞれ真空容器17の端子Dx1乃至Dxm及びDy1乃至Dynと電気的に接続され、駆動回路より、それぞれ走査信号、画像信号が与えられる。電子放出素子14は信号に応じた電子を放出し、該電子はメタルバック5電位に引き寄せられ、メタルバック5を突き抜け、蛍光体4を発光せしめる。上記、高圧や信号によって輝度を調整することが可能である。電子の一部は拡散反射し、さらにその一部は再度蛍光体を発光せしめる、いわゆるハレーションを引き起こす。そこで、フェースプレート18として本発明の発光体基板を用いれば、ハレーションを抑制でき、耐放電機能の優れた画像表示装置を提供することとが可能となる。
(実施例1)
図1に示した構成の発光体基板を以下の工程により作製した。
図1に示した構成の発光体基板を以下の工程により作製した。
基板1として、厚さ2.8mmのガラス基板(PD200、旭硝子社製)を用い、その上にNP−7803D(ノリタケ機材社製)を用いてブラックマトリクス2を形成した(図4)。次に、フォトリソグラフィ法で第2の抵抗体8、リブ6、第1の抵抗体7をそれぞれこの順で形成した(図5)。さらに、RGBの蛍光体4を塗布焼成した(図6)後、蛍光体4の上に島状のメタルバック5を真空蒸着法により形成した(図1)。
本例では、メタルバック5としてAlを用い、X方向の長さを160μm、Y方向の長さを200μmで形成し、Gx=50μm、Gy=430μmとした。リブ6としては体積抵抗が100kΩ・mの絶縁部材を用い、幅を50μm、高さを200μmで形成した。第1の抵抗体7としては体積抵抗が10Ω・mの抵抗材を用いた。第1の抵抗体7はリブ6の上部に形成されるため、第1の抵抗体7の幅を、リブ6の幅と同じ50μm、膜厚を10μmで形成した。また、第2の抵抗体8として体積抵抗が10Ω・mの第1の抵抗体7と同じ抵抗材を用い、幅を200μm、膜厚を10μmで形成した。
本例においては、リブボトムに第2の抵抗体8を設けることにより、Rxの抵抗値を下げることができた。リブ6のみでRxを形成した場合の抵抗値はRx=125MΩであったのに対し、リブボトムに第2の抵抗体8を形成した場合の抵抗値はRx=250kΩとなった。
この発光体基板を用いた画像表示装置を用いて、内部の真空度を悪化させることによる耐放電テストを行ったところ、X方向の耐圧破綻は起こらず、放電時に流れた電流が低減されていることが確認できた。
さらに、放電個所に点欠陥も発生せず、放電前の状態を維持することができた。
また、画像表示装置の駆動時の電圧降下は250V以下になり、輝度低下も目視で確認する上では問題が無かった。
本例のリブボトムに第2の抵抗体8を形成した発光体基板と、リブボトムに第2の抵抗体8を形成しない以外は本例と同じ構成の発光体基板で、放電時におけるGx部の発生電圧Vxを計算したところ、本例の構成ではVx=0.8kVであった。これに対し、リブボトムに第2の抵抗体8を形成しない発光体基板ではVx=3.5kVであった。これにより、発生電圧を従来の1/4程度にすることができ、より放電に対する要求が厳しいFEDについても耐圧破綻は起こらず、放電ダメージをなくすことができることがわかった。
1 基板
2 ブラックマトリクス
2a 開口部
4 蛍光体層
5 メタルバック
6 リブ
7 第1の抵抗体
8 第2の抵抗体
2 ブラックマトリクス
2a 開口部
4 蛍光体層
5 メタルバック
6 リブ
7 第1の抵抗体
8 第2の抵抗体
Claims (2)
- 基板と、
前記基板の上に第1の方向及び該第1の方向に直交する第2の方向においてそれぞれ間隔をおいて配置された複数の発光体層と、
前記第2の方向において隣接する発光体層の間に配置された第1の方向に延びる複数本のリブと、
各々が少なくとも一つの前記発光体層を覆い、第1の方向及び第2の方向にそれぞれ間隔をおいて配置された複数のメタルバックと、
前記リブ上に形成され、第1の方向において隣接するメタルバック間を電気的に接続する第1の抵抗体と、
前記リブ下に形成され、第2の方向において隣接するメタルバック間を電気的に接続する第2の抵抗体と、を有し、
前記第1の方向において隣接するメタルバック間の距離が、第2の方向において隣接するメタルバック間の距離よりも長く、第1及び第2の抵抗体の体積抵抗が、リブの体積抵抗よりも低いことを特徴とする発光体基板。 - 電子放出素子を複数備えた電子源基板と、請求項1に記載の発光体基板とを互いに対向配置させてなることを特徴とする画像表示装置。
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