JP2010061019A - Si−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法及びデバイス作製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si−O−Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に波長190nm以下の光を照射することで形成されるシリカガラス改質層2の上面、側面乃至は近傍に微小光学部品としてのシリカガラス微小球3が位置するようにし、前記改質層2に所望の光を導波させることにより、前記微小球3へ光入射させる。
【選択図】図1
Description
2、2A、2B 改質層
3 微小球
4 導波光
5 分波光
Claims (11)
- Si−O−Si結合を含む化合物に波長190nm以下の光を照射することで形成される改質層の上面、側面乃至は近傍に微小光学部品が位置するようにし、前記改質層に所望の光を導波させることにより、前記微小光学部品へ光入射させることを特徴とするSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法。
- 請求項1に記載のSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法において、前記Si−O−Si結合を含む化合物に、前記微小光学部品を配置した状態で、波長190nm以下の光を照射して前記改質層を形成し、前記改質層と前記微小光学部品とを接触させる、Si−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法。
- 請求項1に記載のSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法において、前記Si−O−Si結合を含む化合物に波長190nm以下の光を照射して前記改質層を形成した後に、前記微小光学部品を前記改質層の上面、側面乃至は近傍に配置する、Si−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法。
- Si−O−Si結合を含む化合物に波長190nm以下の光を照射することで形成される改質層の上面、側面乃至は近傍に微小球が位置するようにし、前記改質層に所望の光を導波させることにより、前記微小球へ光入射させることを特徴とするSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法。
- Si−O−Si結合を含む化合物に波長190nm以下の光を照射することで形成される改質層の上面、側面乃至は近傍に1次元、2次元乃至は3次元的配列の微小球列が位置するようにし、前記改質層に所望の光を導波させることにより、前記微小球列へ光入射させることを特徴とするSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法。
- 請求項4又は5に記載のSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法において、前記Si−O−Si結合を含む化合物に、前記微小球を配置した状態で、波長190nm以下の光を照射して前記改質層を形成し、前記改質層と前記微小球とを接触させる、Si−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法。
- 請求項4又は5に記載のSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法において、前記Si−O−Si結合を含む化合物に波長190nm以下の光を照射して前記改質層を形成した後に、前記微小球を前記改質層の上面、側面乃至は近傍に配置する、Si−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法。
- 請求項4、5、6又は7に記載のSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法により、前記改質層内に導波させた2波長以上の光の内、前記微小球の直径乃至は屈折率を選択することにより、所望の波長の光のみを取り出すことを特徴とするデバイス作製法。
- 請求項4、5、6又は7に記載のSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法により、前記改質層内に導波させた光の伝搬方向に対し垂直に光を取り出すことを特徴とするデバイス作製法。
- 請求項4、5、6又は7に記載のSi−O−Si結合を含む化合物を用いた微小光学部品への光入射法により、前記改質層内に導波させた2波長以上の光の内、前記微小球の直径乃至は屈折率を選択することにより、所望の波長の光のみを、前記改質層内に導波させた光の伝搬方向に対し垂直に取り出すことを特徴とするデバイス作製法。
- 請求項8、9又は10に記載のデバイス作製法において、光を取り出す微小球又は微小球の列と、前記Si−O−Si結合を含む化合物に形成した別の改質層とを接触乃至は近接させることにより、複数の改質層に光を分波させることを特徴とするデバイス作製法。
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