JP2010059507A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 成膜室に流入される蒸発ガスの供給量を制御して成膜レートを一定に保ち、かつ、高品質な高分子膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜対象Ｓが設置される真空成膜室１０と、原料モノマーＭａ、Ｍｂが封入されている蒸発源２１ａ、２１ｂと、前記蒸発源に設けられた加熱手段２２ａ、２２ｂとを備え、前記真空成膜室と前記蒸発源とを接続する原料管にコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂ及び圧力計３２ａ、３２ｂを設けると共に、当該コンダクタンス可変バルブには、前記圧力計で測定された圧力値が前記コンダクタンス可変バルブの設定された圧力値と等しくなるようにコンダクタンス可変バルブの開度を制御する制御部３３ａ、３３ｂを設ける。
【選択図】図１

Description

本発明は、成膜装置及び成膜方法に関する。

従来、有機系薄膜の形成方法としては、湿式法、蒸着重合法等が用いられている。これらの方法のうち、湿式法は原料モノマーを適当な溶媒に溶かして重合させ、これを基板上に塗布する方法である。蒸着重合法は、原料モノマーを蒸発させ、これらを真空処理室内に導入し基体表面で重合させて高分子膜を形成するものであり、溶媒を用いずに成膜することができ、かつ、基板表面への膜の付きまわりがよいという利点を有する。このような蒸着重合法に用いる装置としては、真空中における蒸発源容器に供給された原料モノマーを加熱手段により蒸発させる蒸着重合装置において、前記加熱手段が、前記蒸発源容器の蒸発源貯蔵部に設けた第１加熱手段と、前記蒸発源噴出口部に設けた第２加熱手段とからなり、前記第２加熱手段の加熱温度は前記第１加熱手段の加熱温度より若干高く設定されているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開平５―６５６２７号公報（請求項１、図１等）

かかる蒸着重合装置では、原料モノマーをそれぞれ加熱して、蒸発源内を飽和蒸気圧状態とし、蒸発源内（飽和蒸気圧状態）と成膜室内（低真空状態）との圧力差を利用して蒸発ガスを蒸発源から成膜室へと流入させ、基板上で重合させて化学量論比の高分子膜を形成する。従って、蒸着重合装置では、成膜レートは蒸発源と成膜室との間の圧力差に依存、即ち蒸発源の飽和蒸気圧を設定する加熱温度に依存するものである。

しかしながら、一定の成膜レートとするために一定の加熱温度に設定したまま成膜を繰り返していると、時間経過に伴い原料モノマーが加熱により分解又は自己重合しオリゴマー化してしまう。これにより蒸発源内の飽和蒸気圧が低下し、その結果蒸発源と成膜室との圧力差が減少して成膜レートが低下する場合がある。また、２つの原料モノマーを用いて成膜する場合には、一方の原料モノマーのみ変質して飽和蒸気圧が低下し成膜レートが低下すると所望の化学量論比の高分子膜を形成できない場合があるという問題がある。

この場合に、低下した成膜レートを元に戻すべく原料モノマーをより高い温度で加熱して飽和蒸気圧を高くしようとしても、原料モノマーの熱容量が高いために急激に元の成膜レートに戻すことができない。

そこで、本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決することにあり、成膜室に流入される蒸発ガスの供給量を制御して成膜レートを一定に保ち、かつ、高品質な高分子膜を安定的に形成できる成膜装置及びその成膜方法を提供することにある。

本発明の成膜装置は、成膜対象が設置される真空成膜室と、原料モノマーが封入されている蒸発源と、前記蒸発源に設けられた加熱手段とを備え、当該加熱手段により前記原料モノマーを加熱し蒸発させて得られた蒸発ガスを前記真空成膜室内へ導入して前記成膜対象の表面で蒸着重合させて成膜する成膜装置であって、前記真空成膜室と前記蒸発源とを接続する原料管にコンダクタンス可変バルブ及び圧力計を設けると共に、当該コンダクタンス可変バルブには、前記圧力計で測定された圧力値が前記コンダクタンス可変バルブの設定された圧力値と等しくなるようにコンダクタンス可変バルブの開度を制御する制御部を設けることを特徴とする。

本発明の成膜装置においては、コンダクタンス可変バルブ、圧力計及び制御部を有することで、当該圧力計で測定された圧力値が前記コンダクタンス可変バルブで設定された圧力値と等しくなるようにそのコンダクタンスを制御することができ、蒸発ガスの供給量を一定となるように制御できる。

ここで、前記圧力計は、前記原料管の前記コンダクタンス可変バルブと前記真空成膜室との間に設けられていることが好ましい。かかる位置に圧力計が設けられていることで、圧力計に原料モノマーが付着しにくいからである。

前記蒸発源は、一つの前記真空成膜室に対して二つ設けられており、前記二つの蒸発源のうち少なくとも一つの前記蒸発源に接続する前記原料管に、前記コンダクタンス可変バルブ及び前記圧力計が設けられていることが好ましい。二元以上の蒸着重合を行う場合には、そのうちの少なくとも一つの原料管に前記コンダクタンス可変バルブ及び前記圧力計が設けられていることで、より簡易に、かつコストを抑えて装置を構成することが可能である。

前記制御部は前記加熱手段にも接続されており、この制御部が、前記コンダクタンス可変バルブの開度が一定の値となった場合には、前記加熱手段により原料モノマーの加熱温度を一定の値上昇させるように構成されていることが好ましい。制御部が、前記加熱手段により原料モノマーの加熱温度を一定の値上昇させるように構成されていることで、前記コンダクタンス可変バルブの開度が一定の値となった場合には、飽和蒸気圧を上げて圧力を確保することができる。

本発明の成膜方法は、蒸発源内の原料モノマーを加熱し蒸発させて得られた蒸発ガスを真空成膜室内へ導入して成膜対象の表面で蒸着重合させて成膜する成膜方法であって、前記真空成膜室と前記蒸発源とを接続する原料管に設けられた圧力計により測定された圧力値と、前記原料管に設けられたコンダクタンス可変バルブの設定された圧力値とが等しくなるように前記コンダクタンス可変バルブの開度を調整することを特徴とする。前記コンダクタンス可変バルブの開度を調整することで、成膜室から蒸発源へと供給される蒸発ガスの供給量を一定に保つことが可能である。

前記コンダクタンス可変バルブの開度が一定の値となった場合には、加熱手段により原料モノマーの加熱温度を一定の値上昇させることが好ましい。このように前記コンダクタンス可変バルブの開度が一定の値となった場合には、予め原料モノマーの加熱温度を一定の値上昇させておくことで、前記コンダクタンス可変バルブの開度が１００％になる前に飽和蒸気圧自体を上昇させておくことができるので蒸気供給量を一定に保つことが可能である。

本発明の好適な実施としては、前記原料モノマーとしての１、１２―ジアミノドデカンと１、３―ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンとがそれぞれ別の前記蒸発源に封入されており、それぞれを加熱し蒸発させて得られた蒸発ガスを、真空成膜室内へ導入して成膜対象の表面で蒸着させると同時に重合させて成膜するにあたり、少なくとも、前記１、３―ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンが封入された前記蒸発源に接続する前記原料管に設けられた前記コンダクタンス可変バルブの開度を調整することが挙げられる。

本発明の成膜装置によれば、真空成膜室に流入される蒸発ガスの供給量を制御して一定に保つことができるので、成膜レートを一定に保ち、かつ、高品質な高分子膜を安定的に形成できるという優れた効果を奏する。また、本発明の成膜方法によれば、真空成膜室に流入される蒸発ガスの供給量を制御して一定に保つことができるので、成膜レートを一定に保ち、かつ、高品質な高分子膜を安定的に形成できるという優れた効果を奏する。

本実施形態の成膜装置について、図１を用いて説明する。図１は、成膜装置の断面模式図である。

成膜装置１は、成膜対象である基板Ｓを設置する成膜室１０を有する。成膜室１０には、真空排気手段１１が設けられて、成膜室１０内を所望の真空度（〜１０Ｐａ）にすることができるように構成されている。また、成膜室１０には、基板Ｓに対向する位置に設けられた混合室１２を介して原料ガス供給手段２０ａ及び２０ｂが設けられている。混合室１２内部には、シャワープレート１３が設置されている。

原料ガス供給手段２０ａ、２０ｂは、互いに異なる原料モノマーＭａ、Ｍｂが封入されている蒸発源（蒸発源容器）２１ａ、２１ｂを備えている。また、原料ガス供給手段２０ａ、２０ｂには、加熱手段２２ａ、２２ｂが設けてあり、この加熱手段２２ａ、２２ｂにより蒸発源２１ａ、２１ｂ中の異なる原料モノマーＭａ、Ｍｂを所望の温度で加熱することができるように構成されている。なお、本実施形態では蒸発源は二つ設けたが、少なくとも一つ設けてあればよい。

蒸発源２１ａ、２１ｂは、供給量制御手段３０ａ、３０ｂが設けられた配管２３ａ、２３ｂを介して上述した混合室１２に接続されている。供給量制御手段３０ａ、３０ｂは、蒸発源２１ａ、２１ｂで得られた蒸発ガスの成膜室１０への流量を制御するためのものである。本実施形態では、このように供給量制御手段３０ａ、３０ｂを設けることで蒸発源２１ａ、２１ｂで形成された蒸発ガスの成膜室１０への供給量を制御することができる。ここで、供給量制御手段３０ａ、３０ｂは、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂと圧力計３２ａ、３２ｂとからなる。コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂはそれぞれ図示しない弁の開閉を行うことで開度を調整し、配管２３ａ、２３ｂのコンダクタンスを変化させることができるように構成されている。供給量制御手段３０ａ、３０ｂとして、加熱に弱く、またセンサー部分に原料が析出しやすいマスフローコントローラー等を用いるのではなく、耐熱性があり、原料が析出しにくいコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂを用いることで、蒸着重合法をより効率的に行うことができる。

また、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度の調整は、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂに設けられた制御部３３ａ、３３ｂによって行われる。制御部３３ａ、３３ｂは、圧力計３２ａ、３２ｂで測定された圧力値がコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの設定された圧力値（以下、設定圧力値という）と等しくなるようにコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度を制御するように構成されている。さらに、図示していないが、制御部３３ａ、３３ｂは加熱手段２２ａ、２２ｂにも接続されており、この制御部３３ａ、３３ｂが、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度が所定バルブ開度となった場合には、加熱手段２２ａ、２２ｂにより原料モノマーＭａ、Ｍｂの加熱温度を一定の値上昇させるように構成されている。

本実施形態においては、供給量制御手段３０ａ、３０ｂは、各配管２３ａ、２３ｂに設けたが、少なくとも加熱により飽和蒸気圧が低下しやすい原料モノマーが封入されている蒸発源に接続された配管に一つ設けられていればよい。

本実施形態において、圧力計３２ａ、３２ｂを各配管２３ａ、２３ｂのコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂ及び混合室１２の間に設けたのは、圧力計に付着する原料モノマーが少なく、圧力計３２ａ、３２ｂの損失が少ないからであり、圧力計３２ａ、３２ｂは少なくともこの位置に設けられていればよい。また、圧力計３２ａ、３２ｂを配管２３ａ、２３ｂのコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの両側に設けてもよい。

成膜装置１の作動を説明する。初めに加熱手段２２ａ、２２ｂにより蒸発源２１ａ、２１ｂが加熱されて蒸発源２１ａ、２１ｂ内がそれぞれ所望の飽和蒸気圧状態となる。この蒸発源２１ａ、２１ｂ内で形成された蒸発ガスは、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂが開くと成膜室１０と蒸発源２１ａ、２１ｂとの圧力差により配管２３ａ、２３ｂを介して混合室１２に流入する。本実施形態においては、このコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度を制御部３３ａ、３３ｂにより調整することで、成膜室１０内に供給される蒸発ガスの量を一定となるように制御することが可能である。即ち、本実施形態においては、成膜時間の経過により飽和蒸気圧が低下していく場合でも、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの設定圧力値と圧力計３２ａ、３２ｂの成膜中の圧力値が等しくなるようにコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度を制御部３３ａ、３３ｂにより上げることで、成膜室１０内に供給される蒸発ガスの量を一定となるように制御することが可能である。また、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度が１００％になってしまうとそれ以上流量を制御することができなくなるので、制御部３３ａ、３３ｂは、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂのバルブ開度が所定バルブ開度に達した場合には、加熱手段２２ａ、２２ｂにより加熱温度を上げて蒸発源２１ａ、２１ｂの飽和蒸気圧を高くして流量を予め補って、流量制御を可能とする。

そして、蒸発ガスは混合室１２に設けられたシャワープレート１３を通過して均一化された後に、成膜室１０内に流入して基板Ｓ上で蒸着重合し、原料モノマーＭａとＭｂとの化学両論比の高分子膜が形成される。

この成膜工程を用いた成膜方法について、図２を用いて詳細に説明する。図２は、成膜方法を説明するためのフローチャートである。

成膜方法がスタートすると、まず、ステップＳ１として、成膜室１０内に基板Ｓを設置し、ステップＳ２として成膜室１０内及び蒸発源２１ａ及び２１ｂ内を真空排気し、所望の圧力とする。

次に、ステップＳ３において、加熱手段２２ａ、２２ｂにより、蒸発源２１ａ、２１ｂを加熱して、蒸発源２１ａ、２１ｂ内をそれぞれ原料モノマーＭａ、Ｍｂの飽和蒸気圧状態とする。この場合の加熱温度は、所望の飽和蒸気圧を得られる温度に設定されている。次いで、ステップＳ４において、各コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂに設定圧力を入力する。この設定圧力は、配管２３ａ、２３ｂのコンダクタンス、飽和蒸気圧等を考慮して適宜設定されるものである。即ち、高分子膜の組成、その成膜時間に応じて必要な流量を設定すると、これに基づいて成膜室１０と蒸発源２１ａ、２１ｂとの間の必要な圧力差が求まる。この圧力差に基づいて飽和蒸気圧、設定圧力等が求まるので、この設定圧力を各コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂに入力する。

ステップＳ４終了後、ステップＳ５においてコンダクタンス可変バルブ３１ａ及び３１ｂを上記設定圧力となるように所定の開度に開き、成膜を開始する。

ステップＳ６では、圧力計３２ａ、３２ｂによりそれぞれ圧力を測定し、この圧力がステップＳ５において各コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂに設定された設定圧力よりも小さいかどうかを判断する。大きい場合（Ｎ）にはステップＳ７へすすむ。小さい場合（Ｙ）には、ステップＳ８へすすむ。ステップＳ８では、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度を、所定の圧力となるように所定の割合で開く。即ち、ステップＳ６及びＳ８では、時間経過により原料モノマーＭａ、Ｍｂが変質して飽和蒸気圧が下がってきているために圧力が設定圧力よりも小さいので、流量を一定に保つべくコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度をより大きくしている。

次いで、ステップＳ９では、このステップＳ８で開いたことによるコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度が所定バルブ開度を上回ったかどうかを判断する。なお、所定バルブ開度は予め設定してある。上回った場合（Ｙ）には、ステップＳ１０へ進む。下回った場合（Ｎ）には、ステップＳ７へ進む。ステップＳ１０においては、加熱手段２２ａ、２２ｂを調整して、蒸発源２１ａ、２１ｂの加熱温度を上昇させる。これは、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度が所定バルブ開度を上回っているので、バルブの開度が１００％になる前に、蒸発源２１ａ、２１ｂの加熱温度を一定値上昇させて流量を一定とするためである。即ち、開度の調整ができない状態で加熱温度のみで流量を一定に保つことは難しいので、ステップＳ９及びＳ１０では、予め開度の調整ができなくなる前に加熱温度を一定値上昇させることで、飽和蒸気圧を上げて圧力を確保しておくのである。このように制御部３３ａ、３３ｂを加熱手段２２ａ、２２ｂに接続していることで、バルブ開度を常に制御可能とし、流量を制御することが可能である。この一定値は、原料モノマーの組成及び熱容量、成膜時間等によって適宜設定される。

ステップＳ７では、成膜時間が経過したかどうかを判断する。経過している場合（Ｙ）には、成膜は終了したとしてステップＳ１１へ進む。経過していない場合（Ｎ）には、ステップＳ６へ戻る。

ステップＳ１１では、成膜が終了したのでコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂを閉じる。そして、ステップＳ１２で（成膜室内及び）蒸発源２１ａ及び２１ｂ内を大気開放し、ステップＳ１３で基板Ｓを取り出して成膜工程が終了する。

上述したように、本実施形態の成膜方法においては、ステップＳ６及びステップＳ８を実行することで、即ち、圧力計３２ａ、３２ｂにより測定された圧力が設定圧力よりも小さいかどうかを判断して、小さい場合にはコンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの開度を上げる（調整する）ことで、成膜室１０内への流入量を一定に保持することができる。さらに、ステップ９及びステップ１０を実行することで、即ち、開度が一定の開度まで到達した場合には、加熱温度を調整することで、長時間の成膜であっても成膜室内への流入量を一定に保持することができる。以下、実施例及び比較例によって本発明を詳細に説明する。

成膜装置１の蒸発源２１ａ、２１ｂ内に、原料モノマーＭａとして1、１２−ジアミノドデカン、原料モノマーＭｂとして１、３−ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンをそれぞれ封入した。コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂとしては、開度調整式ベローズバルブを用いた。また、圧力計３２ａ、３２ｂとしては、サファイヤ製隔膜圧力計を用いた。そして、成膜室１０内の圧力を１Ｐａとし、蒸発源２１ａ、２１ｂを９５℃、８５℃で加熱し、蒸発源２１ａ、２１ｂ内をそれぞれ所望の飽和蒸気圧状態（２４Ｐａ、２６Ｐａ）とした。そして、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの設定圧力を３Ｐａとして、ポリ尿素膜の成膜を開始した。成膜中、バルブの開度を測定すると共に、成膜速度を測定した。また、成膜対象表面に対してＦＴＩＲ測定を行い、膜組成を測定した。これらの測定結果を図３〜５に示す。なお、コンダクタンス可変バルブ３１ａ、３１ｂの所定バルブ開度は、８０％とした。

図３は、コンダクタンス可変バルブ３１ｂの開度と圧力との関係を示すグラフであり、１５分前後でバルブ開度が所定バルブ開度８０％を超えたので、原料加熱温度を一定値（５℃）上げた。これにより、蒸発源内の飽和蒸気圧は徐々に上昇したのでバルブ開度はその後徐々に減少した（２０分〜３５分）。そして、加熱温度が上がった状態で原料モノマーの変質が起こりだしたので、３５分前後から徐々にバルブ開度が上がった。この場合に、圧力は３Ｐａで一定となっていた。

図４は成膜速度の測定結果を示すものであり、圧力は３Ｐａで一定であり、かつ、成膜速度も常に同一であり、成膜時間中同一の成膜速度で膜を形成できたことが分かった。また、図５はＦＴＩＲ測定の結果を示すものであり、圧力が３Ｐａで一定であり、かつ、ＦＴＩＲ測定による２２７５ｃｍ^−１ピークも一定となっており、成膜時間中安定して同一組成の膜を形成できたことが分かった。
（比較例）
従来の供給量制御手段３０ａ、３０ｂを備えていない装置を用いた点以外は、実施例と同一の成膜装置を用いて、同一の成膜方法で成膜を行った。結果を図６，７に示す。図６は成膜速度の測定結果を示すものであり、圧力が時間経過とともに徐々に下がっていくにつれて、成膜速度も下がり、成膜時間中同一の成膜速度で膜を形成できなかったことが分かった。また、図７は、ＦＴＩＲ測定の結果を示すものであり、圧力が時間経過とともに徐々に下がっていくにつれて、ＦＴＩＲ測定による２２７５ｃｍ^−１ピークも徐々に下がり、成膜時間中同一組成の膜を形成できなかったことが分かった。

本発明の成膜装置及び成膜方法によれば、真空成膜室に流入される蒸発ガスの供給量を制御して成膜速度を一定に保ち、かつ、高品質な高分子膜を安定的に形成できる。従って、半導体製造分野において利用可能である。

本実施形態の成膜装置の断面模式図である。 本実施形態の成膜方法を説明するためのフローチャートである。 コンダクタンス可変バルブの開度と圧力との関係を示すグラフである。 実施例での成膜時間に対する圧力と成膜速度の変化を示すグラフである。 実施例での成膜時間に対する圧力とＦＴＩＲ測定の結果を示すグラフである。 比較例での成膜時間に対する圧力と成膜速度の変化を示すグラフである。 比較例での成膜時間に対する圧力とＦＴＩＲ測定の結果を示すグラフである。

符号の説明

１０ 成膜室
１１ 真空排気手段
１２ 混合室
１３ シャワープレート
２０ａ、２０ｂ 原料ガス供給手段
２１ａ、２１ｂ 蒸発源
２２ａ、２２ｂ 加熱手段
２３ａ、２３ｂ 配管
３０ａ、３０ｂ 供給量制御手段
３１ａ、３１ｂ コンダクタンス可変バルブ
３２ａ、３２ｂ 圧力計
３３ａ、３３ｂ 制御部

Claims (7)

1. 成膜対象が設置される真空成膜室と、原料モノマーが封入されている蒸発源と、前記蒸発源に設けられた加熱手段とを備え、当該加熱手段により前記原料モノマーを加熱し蒸発させて得られた蒸発ガスを前記真空成膜室内へ導入して前記成膜対象の表面で蒸着重合させて成膜する成膜装置であって、
   前記真空成膜室と前記蒸発源とを接続する原料管にコンダクタンス可変バルブ及び圧力計を設けると共に、当該コンダクタンス可変バルブには、前記圧力計で測定された圧力値が前記コンダクタンス可変バルブの設定された圧力値と等しくなるようにコンダクタンス可変バルブの開度を制御する制御部を設けることを特徴とする成膜装置。
2. 前記圧力計は、前記原料管の前記コンダクタンス可変バルブと前記真空成膜室との間に設けられていることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 前記蒸発源は、一つの前記真空成膜室に対して二つ設けられており、前記二つの蒸発源のうち少なくとも一つの前記蒸発源に接続する前記原料管に、前記コンダクタンス可変バルブ及び前記圧力計が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の成膜装置。
4. 前記制御部は前記加熱手段にも接続されており、この制御部が、前記コンダクタンス可変バルブの開度が一定の値となった場合には、前記加熱手段により原料モノマーの加熱温度を一定の値上昇させるように構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置。
5. 蒸発源内の原料モノマーを加熱し蒸発させて得られた蒸発ガスを真空成膜室内へ導入して成膜対象の表面で蒸着重合させて成膜する成膜方法であって、
   前記真空成膜室と前記蒸発源とを接続する原料管に設けられた圧力計により測定された圧力値と、前記原料管に設けられたコンダクタンス可変バルブの設定された圧力値とが等しくなるように前記コンダクタンス可変バルブの開度を調整することを特徴とする成膜方法。
6. 前記コンダクタンス可変バルブの開度が一定の値となった場合には、加熱手段により原料モノマーの加熱温度を一定の値上昇させることを特徴とする請求項５記載の成膜方法。
7. 前記原料モノマーとしての１、１２―ジアミノドデカンと１、３―ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンとがそれぞれ別の前記蒸発源に封入されており、それぞれを加熱し蒸発させて得られた蒸発ガスを、真空成膜室内へ導入して成膜対象の表面で蒸着させると同時に重合させて成膜するにあたり、
   少なくとも、前記１、３―ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンが封入された前記蒸発源に接続する前記原料管に設けられた前記コンダクタンス可変バルブの開度を調整することを特徴とする請求項５又は６記載の成膜方法。
   

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