JP2010054286A - ソケット抵抗評価治具及びソケット抵抗測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＣソケットの複数のプローブピンの内、どのプローブピンの接触抵抗が増大しているかを迅速に評価する。
【解決手段】ソケット抵抗評価装置５０には、制御部１、接触抵抗評価判定部２、ハンドラ・アーム３、圧力センサ４、ソケット抵抗評価治具５、ソケットハウジング６、ソケット７、及び受けピンボード８が設けられる。ソケット抵抗評価治具５には、金属板１０と複数の半球状の突起部１１が設けられる。接触抵抗評価判定部２には、定電流源２１、デコーダ２２、コンパレータ２３、ＡＤＣ２４、ＣＰＵ２５、インターフェース２６、スイッチＳＷ１、及びスイッチＳＷ２が設けられ、ソケット７のプローブピンとしてのポゴピン９とソケット抵抗評価治具５の突起部１１との接触抵抗を測定してその値が所定の値を満足するかどうかの判定を行い、その結果を出力する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ソケット抵抗評価治具及びソケット抵抗測定装置に関する。

近年、移動体機器、デジタルカメラ、カムコーダなどの高機能化、小型化、軽量化の進展に伴い、これらに搭載される半導体パッケージでは小型化、軽量化が強く求められている。この要求に対応するように、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）などの半導体パッケージ（ＩＣパッケージとも呼称される）が多数開発されている。ＢＧＡ、ＬＧＡ、或いはＣＳＰに半導体集積回路（ＬＳＩ）が搭載される半導体装置の電気的特性評価（機能テスト、断線等の測定、バーイン処理などの高温テスト、或いは評価用測定等）は、測定用ＩＣソケットを介してテスト回路に接続することにより実行される（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１などに記載される測定用ＩＣソケットでは、半導体装置の測定回数の増加と共に測定用ＩＣソケットのプローブピンの先端部（プランジャー）に半導体装置からの異物（半田や金属、それらの酸化物など）が付着して接触抵抗が増大する。多ピンの測定用ＩＣソケットの場合、接触抵抗の増大と共にプローブピン間での接触抵抗バラツキも増大する。接触抵抗が所定の値以上になると半導体装置の製品評価や特性評価で誤判定が発生する可能性が高くなる。接触抵抗の増大の防止対策として、定期的に測定用ＩＣソケットの洗浄（特にプローブピンの先端部に付着した異物の除去）が行っているが、どのプローブピンの接触抵抗がどの程度増大しているかを迅速に評価及び判定できないという問題点がある。
特開２００２−８２１４４号公報

本発明は、ＩＣソケットの複数のプローブピンの内、どのプローブピンの接触抵抗が増大しているかを迅速に評価することができるソケット抵抗評価治具及びソケット抵抗測定装置を提供する。

本発明の一態様のソケット抵抗評価治具は、金属板と、突状端子を有する半導体装置の特性評価に用いられるＩＣソケットの第１のプローブピンと相対向するように、前記金属板の第１主面に設けられた第１の金属突起部と、前記ＩＣソケットの第２のプローブピンと相対向するように、前記金属板の第１主面に設けられた第２の金属突起部とを具備し、前記第１のプローブピンと前記第１の金属突起部、前記第２のプローブピンと前記第２の金属突起部をそれぞれ接触させて行われるハウジング状態での前記プローブピンの接触抵抗評価に用いられることを特徴とする。

更に、本発明の一態様のソケット抵抗測定装置は、突状端子を有する半導体装置の特性評価に用いられ、複数のプローブピンを有するＩＣソケットと、金属板と、前記ＩＣソケットの複数のプローブピンとそれぞれ相対向するように前記金属板の第１主面に設けられた複数の金属突起部とを有するソケット抵抗評価治具と、前記複数のプローブピンの内第１のプローブピンとこれに相対向する前記複数の金属突起部の内第１の金属突起部、前記複数のプローブピンの内第２のプローブピンとこれに相対向する前記複数の金属突起部の内第２の金属突起部をそれぞれ接触させて行われるハウジング状態での前記プローブピンの接触抵抗値を測定し、測定された接触抵抗値が所定の値を満足するかどうかの判定を行う接触抵抗評価判定部とを具備することを特徴とする。

本発明によれば、ＩＣソケットの複数のプローブピンの内、どのプローブピンの接触抵抗が増大しているかを迅速に評価することができるソケット抵抗評価治具及びソケット抵抗測定装置を提供することができる。

以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。

まず、本発明の実施例１に係るソケット抵抗評価治具及びソケット抵抗測定装置について、図面を参照して説明する。図１はソケット抵抗測定装置を示す概略構成図、図２はソケット抵抗評価治具を示す平面図、図３は接触抵抗評価判定部を示すブロック図、図４は複数のコモンピンを有するソケットレイアウトを示す図、図５はソケット抵抗測定における等価回路図、図６はソケット抵抗評価治具とソケットの接触状態を示す図である。本実施例では、ソケット抵抗評価治具を測定用ＩＣソケットに接触させて、測定用ＩＣソケットの接触抵抗の評価及び判定を行っている。

図１に示すように、ソケット抵抗評価装置５０には、制御部１、接触抵抗評価判定部２、ハンドラ・アーム３、圧力センサ４、ソケット抵抗評価治具５、ソケットハウジング６、ソケット７、及び受けピンボード８が設けられる。ソケット抵抗評価装置５０は、ソケット抵抗評価治具５を用いてハウジング状態での測定用ＩＣソケットのプローブピンの接触抵抗の評価と接触抵抗が所定値を満足しているかの判定を行う。ソケット抵抗評価装置５０は、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＢＧＡ（Ball Grid Array）に搭載される半導体装置がソケット抵抗評価治具５の代わりにセットされる場合、この半導体装置の電気的特性評価（機能テスト、断線等の測定、バーイン処理などの高温テスト、或いは評価用測定等）を実行可能な構造となっている。

制御部１は、ソケット抵抗評価装置５０の全体を統括制御する。具体的にはソケット抵抗評価治具５がセットされるハンドラの駆動制御を行う駆動制御信号、接触抵抗評価判定部２を制御する制御信号などを生成する。

ハンドラ・アーム３には、先端にセットされるソケット抵抗評価治具５にかかる押圧力を検出する圧力センサ４が設けられる。ソケット抵抗評価治具５は、金属板１０の第１主面（表面）と相対向する第２主面（裏面）がハンドラ・アーム３の先端部と接するように、真空吸着により固定される。なお、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＢＧＡ（Ball Grid Array）に搭載される半導体装置の場合、ソケット抵抗評価治具５と同様にハンドラ・アーム３の先端部にセットされる。

図２に示すように、ソケット抵抗評価治具５には、金属板１０と複数の半球状の突起部１１が設けられる。突起部１１は、金属板１０の第１主面（表面）にＸ方向間隔Ｘｐ、Ｙ方向間隔ＹｐでＭ行、Ｎ列配置される。突起部１１は、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＢＧＡ（Ball Grid Array）に搭載される半導体装置のボール端子と、例えば同一位置及び同一形状に形成される。

ここで、金属板１０には、アルミニウム（ＡＬ）を用いているが、代わりに銅（Ｃｕ）などの金属を用いてもよい。突起部１１には、半田を用いているが、代わりに金（Ａｕ）などを用いてもよい。なお、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＢＧＡ（Ball Grid Array）に搭載される半導体装置のボール端子と突起部１１は同一材質にするのが好ましい。

ハンドラ・アーム３の下方向側には、ソケットハウジング６と受けピンボード８が設けられる。ソケットハウジング６には、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＢＧＡ（Ball Grid Array）に搭載される半導体装置の評価用に用いられるソケット７がセットされる。ソケット７には、プローブピンとしてのポゴピン９が複数設けられる。ポゴピン９には、プランジャ１２とプローブ部１３が設けられる。すべてのポゴピン９は、所定の形状、所定のインピーダンスに設定される。

プランジャ１２の先端部は、中央部が逆円錐状に凹んだ構造を有する。ここでは、プランジャ１２の先端部を中央部が逆円錐状に凹んだ構造としているが、代わりに中央部が逆多角錐状に凹んだ構造、中央部がＶ字型に凹んだ構造、或いは中央部が逆円錐状に凹んだスプリングバネ構造などにしてもよい。

プローブ部１３には、ポゴピン９を伸縮するためのスプリング１４が内蔵される。ポゴピン９は、ソケット抵抗評価治具５の突起部１１と相対抗するように設けられる。ポゴピン９は、ソケットハウジング６及び受けピンボード８を介して接触抵抗評価判定部２と電気的に接続される。

図３に示すように、接触抵抗評価判定部２には、定電流源２１、デコーダ２２、コンパレータ２３、ＡＤＣ（Analogue−to−Digital Converter）２４、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２５、インターフェース２６、スイッチＳＷ１、及びスイッチＳＷ２が設けられる。接触抵抗評価判定部２は、プローブピンとしてのポゴピン９の接触抵抗（コモンピンと測定ピン間の接触抵抗）を測定してその値が所定の値を満足するかどうかの判定を行い、その結果を出力する。

コモンピンの選択は、制御部１から出力されるコモンピン切り替え信号Ｓｃｋにより行われる。図４に示すように、ソケット７のレイアウトにおいて、例えばコモンピンＣ１乃至７の内のいずれか１つがコモンピン切り替え信号Ｓｃｋにより選択される。選択されたコモンピンとコンパレータ２３の間はスイッチＳＷ１により接続或いは非接続が選択される。スイッチＳＷ１のＯＮ／ＯＦＦは制御部１から出力される制御信号Ｓ１に基づいて行われる。

測定ピンは、上述した選択されたコモンピン以外のピンである。選択された測定ピンとコンパレータ２３の間はスイッチＳＷ２により接続或いは非接続が選択される。スイッチＳＷ２のＯＮ／ＯＦＦは制御部１から出力される制御信号Ｓ２に基づいて行われる。

定電流源２１は、定電流Ｉｔをコモンピン側、コンパレータ２３側、ＣＰＵ２５側に供給する。ここで、定電流源２１とコンパレータ２３の間を接続する配線の配線抵抗は小さく、定電流Ｉｔを出力するときの定電流源２１の電圧Ｖｄとコンパレータ２３側の電圧（基準電圧Ｖｋ）の関係は、
Vd≒Vk・・・・・・・・・・・・・・・・式（１）
で表される。

デコーダ２２は、コモンピン切り替え信号Ｓｃｋ、制御信号Ｓ１、及び制御信号Ｓ２の情報を入力する。コンパレータ２３は、定電流源２１側の基準電圧Ｖｋとプローブピンの接触抵抗評価側の測定電圧Ｖｓを入力し、比較増幅した信号を出力する。ここで、測定電圧Ｖｓは、スイッチＳＷ１が“ＯＦＦ”で、スイッチＳＷ２が“ＯＮ”のときのプローブピンの接触抵抗評価側の測定電圧である。

図５に示すように、このときのソケット抵抗測定における等価回路図では、定電流源２１とコンパレータ２３の間に、縦続接続されるコモンピン接触抵抗Ｒｃｐと測定ピン接触抵抗Ｒｓｐが設けられることとなる。

図６に示すように、ソケット抵抗評価治具５の突起部１１とソケット７のプローブピン（ポゴピン９のプランジャ１２）との接触は、ハンドラ・アーム３を下降させることにより行われる。ソケット７のプローブピン（ポゴピン９のプランジャ１２）は、突起部１１とソケット７のプローブピンが接するとき（図６（ｂ）で示す）よりも、制御部１に基づいて所定押し込み量Ｄｓｏまで押し込むことが可能となっている。この所定押し込み量Ｄｓｏは、ソケット７のプローブピン（ポゴピン９のプランジャ１２）を半導体集積回路（ＬＳＩ）がＢＧＡ（Ball Grid Array）に搭載される半導体装置のボール端子への所定押し込み量と等しくなるように設定される。

押し込み量Ｄｓｏのときの接触抵抗が、コモンピン接触抵抗Ｒｃｐと測定ピン接触抵抗Ｒｓｐとなる。なお、所定押し込み量Ｄｓｏ以上押し込むとソケット７のプローブピン（ポゴピン９のプランジャ１２）、ソケット抵抗評価治具５の突起部１１などが劣化したり変形したりするので、制御部１に基づいて所定押し込み量Ｄｓｏ以上押し込むことができない構造としている。

定電流源２１の電圧Ｖｄ、測定電圧Ｖｓ、コモンピン接触抵抗Ｒｃｐ、測定ピン接触抵抗Ｒｓｐ、定電流Ｉｔの関係は、
Vd−Vs＝It×(Rcp＋Rsp)・・・・・・・・・・・式（２）
で表され、式（１）から、
Vk−Vs≒It×(Rcp＋Rsp)・・・・・・・・・・・式（３）
で表される。つまり、基準電圧Ｖｋと測定電圧Ｖｓの差をコンパレータ２３で算出することにより、プローブピンの接触抵抗（コモンピン接触抵抗Ｒｃｐ＋測定ピン接触抵抗Ｒｓｐ）が算出されることになる。

ＡＤＣ２４は、コンパレータ２３から出力される比較増幅されたアナログ信号をアナログ・デジタル変換する。ＣＰＵ２５は、定電流源２１から出力される定電流Ｉｔ、デコーダ２２から出力される情報、ＡＤＣ２４から出力されるデジタル変換された信号を入力し、測定されたプローブピンの接触抵抗が所定の値を満足するかどうかの判定を行う。判定結果はインターフェース２６を介して出力される。

上述したように、本実施例のソケット抵抗評価治具及びソケット抵抗測定装置では、ソケット抵抗測定装置５０に制御部１、接触抵抗評価判定部２、ハンドラ・アーム３、圧力センサ４、ソケット抵抗評価治具５、ソケットハウジング６、ソケット７、及び受けピンボード８が設けられる。ソケット抵抗評価治具５には、金属板１０と複数の半球状の突起部１１が設けられ、ハンドラ・アーム３の先端部に真空吸着されて装着される。特性評価用ＩＣソケット７には、プローブピンとしてのポゴピン９が複数設けられる。接触抵抗評価判定部２には、定電流源２１、デコーダ２２、コンパレータ２３、ＡＤＣ２４、ＣＰＵ２５、インターフェース２６、スイッチＳＷ１、及びスイッチＳＷ２が設けられる。接触抵抗評価判定部２は、ソケット７のプローブピンとしてのポゴピン９とソケット抵抗評価治具５の突起部１１との接触抵抗を測定してその値が所定の値を満足するかどうかの判定を行い、その結果を出力する。

このため、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＢＧＡに搭載される半導体装置の測定回数が増大したとき、どのプローブピンの接触抵抗がどの程度増大しているかを迅速に評価及び判定することができる。また、ソケット抵抗評価治具５は簡単に取り外しが可能である。したがって、ソケット７のプローブピンの不具合箇所の要因分析等が迅速に対応することができ、不具合箇所の調査時間を短縮化することができる。

なお、本実施例では、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＢＧＡに搭載される半導体装置に適用しているが、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＣＳＰ（Chip Size Package）に搭載される半導体装置に適用してもよい。

次に、本発明の実施例２に係るソケット抵抗評価治具及びソケット抵抗測定装置について、図面を参照して説明する。図７はソケット抵抗測定装置を示す概略構成図、図８はソケット抵抗評価治具とソケットの接触状態を示す図である。本実施例では、ソケット抵抗評価治具を変更している。

以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。

図７に示すように、ソケット抵抗評価装置５１には、制御部１、接触抵抗評価判定部２、ハンドラ・アーム３、圧力センサ４、ソケット抵抗評価治具５ａ、ソケットハウジング６、ソケット７ａ、及び受けピンボード８が設けられる。ソケット抵抗評価装置５１は、ソケット抵抗評価治具５ａを用いてハウジング状態での測定用ＩＣソケットのプローブピンの接触抵抗の評価と接触抵抗が所定値を満足しているかの判定を行う。ソケット抵抗評価装置５１は、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＬＧＡ（Land Grid Array）に搭載される半導体装置がソケット抵抗評価治具５ａの代わりにセットされる場合、この半導体装置の電気的特性評価（機能テスト、断線等の測定、バーイン処理などの高温テスト、或いは評価用測定等）を実行可能な構造となっている。

ソケット抵抗評価治具ａには、金属板１０ａと複数の島状の突起部１１ａが設けられる。突起部１１ａは、金属板１０ａの第１主面（表面）に実施例１と同様にＸ方向、Ｙ方向にそれぞれ等間隔に複数配置される。突起部１１ａは、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＬＧＡ（Land Grid Array）に搭載される半導体装置のランド端子と、例えば同一位置及び同一形状に形成される。

ここで、金属板１０ａには、アルミニウム（ＡＬ）を用いているが、代わりに銅（Ｃｕ）などの金属を用いてもよい。突起部１１ａには、金（Ａｕ）を用いているが、代わりに半田などを用いてもよい。なお、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＬＧＡ（Land Grid Array）に搭載される半導体装置のランド端子と突起部１１ａは同一材質にするのが好ましい。

ソケットハウジング６には、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＬＧＡ（Land Grid Array）に搭載される半導体装置の評価用に用いられるソケット７ａがセットされる。ソケット７には、プローブピンとしてのポゴピン９が複数設けられる。ポゴピン９ａには、プランジャ１２ａとプローブ部１３ａが設けられる。すべてのポゴピン９ａは、所定の形状、所定のインピーダンスに設定される。

プランジャ１２ａの先端部は、突起部１１ａよりも幅が狭い島状構造を有する。ここでは、プランジャ１２ａの先端部を突起部１１ａよりも幅が狭い島状構造としているが、代わりに突起部１１ａよりも幅が広い島状構造、台形形状、多角錐形状、或いは円錐形状などにしてもよい。

プローブ部１３ａには、ポゴピン９ａを伸縮するためのスプリング１４ａが内蔵される。ポゴピン９ａは、ソケット抵抗評価治具５ａの突起部１１ａと相対抗するように設けられる。ポゴピン９ａは、ソケットハウジング６及び受けピンボード８を介して接触抵抗評価判定部２と電気的に接続される。

図８に示すように、ソケット抵抗評価治具５ａの突起部１１ａとソケット７ａのプローブピン（ポゴピン９ａのプランジャ１２ａ）との接触は、ハンドラ・アーム３を下降させることにより行われる。ソケット７ａのプローブピン（ポゴピン９ａのプランジャ１２ａ）は、突起部１１ａとソケット７ａのプローブピンが接するとき（図８（ｂ）で示す）よりも、制御部１に基づいて所定押し込み量Ｄｓｏまで押し込むことが可能となっている。この所定押し込み量Ｄｓｏは、ソケット７ａのプローブピン（ポゴピン９ａのプランジャ１２ａ）を半導体集積回路（ＬＳＩ）がＬＧＡ（Land Grid Array）に搭載される半導体装置のランド端子への所定押し込み量と等しくなるように設定される。

上述したように、本実施例のソケット抵抗評価治具及びソケット抵抗測定装置では、ソケット抵抗測定装置５１に制御部１、接触抵抗評価判定部２、ハンドラ・アーム３、圧力センサ４、ソケット抵抗評価治具５ａ、ソケットハウジング６、ソケット７ａ、及び受けピンボード８が設けられる。ソケット抵抗評価治具５ａには、金属板１０ａと複数の島状の突起部１１ａが設けられ、ハンドラ・アーム３の先端部に真空吸着されて装着される。特性評価用ＩＣソケット７ａには、プローブピンとしてのポゴピン９ａが複数設けられる。ポゴピン９ａには、プランジャ１２ａとプローブ部１３ａが設けられる。プランジャ１２ａの先端部は、突起部１１ａよりも幅が狭い島状構造を有する。

このため、半導体集積回路（ＬＳＩ）がＬＧＡに搭載される半導体装置の測定回数が増大したとき、どのプローブピンの接触抵抗がどの程度増大しているかを迅速に評価及び判定することができる。また、ソケット抵抗評価治具５ａは簡単に取り外しが可能である。したがって、ソケット７ａのプローブピンの不具合箇所の要因分析等が迅速に対応することができ、不具合箇所の調査時間を短縮化することができる。

本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。

例えば、実施例では、ソケット抵抗評価治具を金属プレート板と金属突起部から構成しているが、代わりに内部にインナーリードが設けられた絶縁性基板（例えば、セラミック基板）とインナーリードに接続された金属突起部から構成してもよい。

本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
（付記１） 複数のリードが内部に設けられる絶縁性基板と、突状端子を有する半導体装置の特性評価に用いられるＩＣソケットの第１のプローブピンと相対向するように、前記絶縁性基板の第１主面に設けられ、前記リードに電気的に接続される第１の金属突起部と、前記ＩＣソケットの第２のプローブピンと相対向するように、前記絶縁性基板の第１主面に設けられ、前記リード及び前記第１の金属突起部に電気的に接続される第２の金属突起部とを具備し、前記第１のプローブピンと前記第１の金属突起部、前記第２のプローブピンと前記第２の金属突起部をそれぞれ接触させて行われるハウジング状態での前記プローブピンの接触抵抗評価に用いられるソケット抵抗評価治具。

（付記２） 半導体集積回路チップが搭載され、突状端子を有するＢＧＡパッケージの特性評価に用いられ、複数のプローブピンを有するＩＣソケットと、金属板と、前記ＩＣソケットの複数のプローブピンとそれぞれ相対向するように前記金属板の第１主面に設けられた複数の金属突起部とを有するソケット抵抗評価治具と、前記複数のプローブピンの内第１のプローブピンとこれに相対向する前記複数の金属突起部の内第１の金属突起部、前記複数のプローブピンの内第２のプローブピンとこれに相対向する前記複数の金属突起部の内第２の金属突起部をそれぞれ接触させて行われるハウジング状態での前記プローブピンの接触抵抗値を測定し、測定された接触抵抗値が所定の値を満足するかどうかの判定を行う接触抵抗評価判定部とを具備するソケット抵抗測定装置。

（付記３） 前記プローブピンの先端部は、中央部が逆円錐状に凹んだ構造、中央部が逆多角錐状に凹んだ構造、中央部がＶ字型に凹んだ構造、或いは中央部が逆円錐状に凹んだスプリングバネ構造である付記２に記載のソケット抵抗測定装置。

（付記４） 半導体集積回路チップが搭載され、突状端子を有するＬＧＡパッケージの特性評価に用いられ、複数のプローブピンを有するＩＣソケットと、金属板と、前記ＩＣソケットの複数のプローブピンとそれぞれ相対向するように前記金属板の第１主面に設けられた複数の金属突起部とを有するソケット抵抗評価治具と、前記複数のプローブピンの内第１のプローブピンとこれに相対向する前記複数の金属突起部の内第１の金属突起部、前記複数のプローブピンの内第２のプローブピンとこれに相対向する前記複数の金属突起部の内第２の金属突起部をそれぞれ接触させて行われるハウジング状態での前記プローブピンの接触抵抗値を測定し、測定された接触抵抗値が所定の値を満足するかどうかの判定を行う接触抵抗評価判定部とを具備するソケット抵抗測定装置。

（付記５） 前記プローブピンの先端部は、前記金属突起部よりも幅が狭い島状構造、前記金属突起部幅が広い島状構造、台形形状、多角錐形状、或いは円錐形状である付記４に記載のソケット抵抗測定装置。

本発明の実施例１に係るソケット抵抗測定装置を示す概略構成図。 本発明の実施例１に係るソケット抵抗評価治具を示す平面図。 本発明の実施例１に係る接触抵抗評価判定部を示すブロック図。 本発明の実施例１に係る複数のコモンピンを有するソケットレイアウトを示す図。 本発明の実施例１に係るソケット抵抗測定における等価回路図。 本発明の実施例１に係るソケット抵抗評価治具とソケットの接触状態を示す図。 本発明の実施例２に係るソケット抵抗測定装置を示す概略構成図。 本発明の実施例２に係るソケット抵抗評価治具とソケットの接触状態を示す図。

符号の説明

１ 制御部
２ 接触抵抗評価判定部
３ ハンドラ・アーム
４ 圧力センサ
５、５ａ ソケット抵抗評価治具
６ ソケットハウジング
７、７ａ ソケット
８ 受けピンボード
９、９ａ ポゴピン
１０、１０ａ 金属板
１１、１１ａ 突起部
１２、１２ａ プランジャ
１３、１３ａ プローブ部
１４、１４ａ スプリング
２１ 定電流源
２２ デコーダ
２３ コンパレータ
２４ ＡＤＣ
２５ ＣＰＵ
２６ インターフェース
５０、５１ ソケット抵抗評価装置
Ｃ１〜７ コモンピン
Ｄｓｏ 所定押し込み量
Ｉｔ 定電流
Ｒｃｐ コモンピン接触抵抗
Ｒｓｐ 測定ピン接触抵抗
Ｓ１、Ｓ２ 制御信号
Ｓｃｋ コモンピン切り替え信号
ＳＷ１、ＳＷ２ スイッチ
Ｖｋ 基準電圧
Ｖｓ 測定電圧
Ｘｐ Ｘ方向間隔
Ｙｐ Ｙ方向間隔

Claims (5)

1. 金属板と、
   突状端子を有する半導体装置の特性評価に用いられるＩＣソケットの第１のプローブピンと相対向するように、前記金属板の第１主面に設けられた第１の金属突起部と、
   前記ＩＣソケットの第２のプローブピンと相対向するように、前記金属板の第１主面に設けられた第２の金属突起部と、
   を具備し、前記第１のプローブピンと前記第１の金属突起部、前記第２のプローブピンと前記第２の金属突起部をそれぞれ接触させて行われるハウジング状態での前記プローブピンの接触抵抗評価に用いられることを特徴とするソケット抵抗評価治具。
2. 前記金属突起部は、半田或いは金から構成されることを特徴とする請求項１に記載のソケット抵抗評価治具。
3. 突状端子を有する半導体装置の特性評価に用いられ、複数のプローブピンを有するＩＣソケットと、
   金属板と、前記ＩＣソケットの複数のプローブピンとそれぞれ相対向するように前記金属板の第１主面に設けられた複数の金属突起部とを有するソケット抵抗評価治具と、
   前記複数のプローブピンの内第１のプローブピンとこれに相対向する前記複数の金属突起部の内第１の金属突起部、前記複数のプローブピンの内第２のプローブピンとこれに相対向する前記複数の金属突起部の内第２の金属突起部をそれぞれ接触させて行われるハウジング状態での前記プローブピンの接触抵抗値を測定し、測定された接触抵抗値が所定の値を満足するかどうかの判定を行う接触抵抗評価判定部と、
   を具備することを特徴とするソケット抵抗測定装置。
4. 前記プローブピンの前記金属突起部への押し込み量は、前記半導体装置の特性評価時での前記プローブピンの前記半導体装置の突状端子への押し込み量まで設定されることを特徴とする請求項３に記載のソケット抵抗測定装置。
5. 前記ＩＣソケットは、ＢＧＡソケット、ＬＧＡソケット、或いはＣＳＰソケットであることを特徴とする請求項３又は４に記載のソケット抵抗測定装置。

Images