JP2010054212A - 静電容量型半導体物理量センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】気密空間内のガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができ、且つ、ガストラップ機能による大型化を回避すること可能な静電容量型半導体物理量センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ領域のキャビティ17cが加速度センサ領域のキャビティ17b,dと連通し、キャビティ17cとキャビティ17b,17dとでキャビティが構成される。これにより、圧力センサ単体におけるキャビティの容積に比べて非常に大きな容積のキャビティを確保し、ガラス基板とシリコン基板との間の密閉した空間内にガスが発生しても比較的大きな容積のキャビティにガスを拡散させることができるので、ガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。またゲッター室などを設けていないので、ガストラップ機能による大型化を回避することができる。
【選択図】図1
【解決手段】圧力センサ領域のキャビティ17cが加速度センサ領域のキャビティ17b,dと連通し、キャビティ17cとキャビティ17b,17dとでキャビティが構成される。これにより、圧力センサ単体におけるキャビティの容積に比べて非常に大きな容積のキャビティを確保し、ガラス基板とシリコン基板との間の密閉した空間内にガスが発生しても比較的大きな容積のキャビティにガスを拡散させることができるので、ガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。またゲッター室などを設けていないので、ガストラップ機能による大型化を回避することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、静電容量の変化を検出することにより圧力や加速度等の物理量を検出する静電容量型半導体物理量センサの製造方法に関する。
従来より、圧力や加速度等の物理量が加わることによって変位する可動電極を有する半導体基板と、可動電極と対向する位置に固定電極が設けられた絶縁基板とを備え、可動電極の変位に伴う固定電極と可動電極間の静電容量の変化を検出することにより、可動電極に加わる物理量を検出する静電容量型半導体物理量センサが知られている。静電容量型半導体物理量センサをガラス基板とシリコン基板により形成した場合、製造工程中に発生したガスがセンサ性能に影響することが知られている。具体的には、ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合した場合、接合部で酸素を主体とするガスが発生し、そのガスがガラス基板とシリコン基板との間の気密空間内に残留する。そして残留したガスはセンサ性能を低下させる原因となる。このような背景から、気密空間と繋がり、ゲッター材が置かれたゲッター室を気密空間とは別に設けることにより、残留ガスを吸着する技術が提案されている(特許文献1参照)。
特開2004−245753号公報
しかしながら、特許文献1記載の技術によれば、気密空間とは別にゲッター室が設けられていることから、静電容量型半導体物理量センサ全体としてのスペースを広くとる必要があり、静電容量型圧力センサが大型化する。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたものであり、その目的は気密空間内のガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができ、且つ、ガストラップ機能による大型化を回避することが可能な静電容量型半導体物理量センサを提供することにある。
本発明に係る静電容量型半導体物理量センサは、静電容量の変化により圧力を検知する圧力センサと、静電容量の変化により加速度を検知する加速度センサとを並設してなる静電容量型力学量センサであって、相互に背向する一対の主面を有し、一方の前記主面上に形成された圧力センサ用の第1固定電極及び加速度センサ用の第2固定電極を有する第1基板と、第1固定電極と所定の間隔をおいて対向して配置された圧力センサ用の第1導電性可動部及び第2固定電極と所定の間隔をおいて対向して配置された加速度センサ用の第2導電性可動部を有する第2基板と、第2基板上に配置された第3基板とを備え、第1及び第2基板は、第1固定電極を内包する第1キャビティと第2固定電極を内包する第2キャビティが形成されるように接合され、第2及び第3基板は、第1導電性可動部及び導電性可動部を内包し、圧力センサの領域と加速度センサの領域とで連通する第3キャビティが形成され、第3キャビティが封止されるように接合され、第1基板には、第1キャビティ内に大気を導入するための貫通孔が形成されている。
本発明に係る静電容量型半導体物理量センサによれば、気密空間内のガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができ、且つ、ガストラップ機能による大型化を回避することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態となる静電容量型半導体物理量センサについて説明する。
〔静電容量型半導体物理量センサの構成〕
本発明の実施形態となる静電容量型半導体物理量センサは、図1(a),(b)に示すように、静電容量の変化により圧力を検知する圧力センサAと、静電容量の変化により加速度を検知する加速度センサBとを水平方向に並設することにより形成されている。ガラス基板11は、相互に対向する一対の主面11a,11bを有する。ガラス基板11には、圧力センサA及び加速度センサBが並設される。ガラス基板11には、シリコンで構成された島状体(シリコン製部材)12a〜12dが埋設されている。島状体12a〜12dは、主面11a上に形成された電極と主面11b上に形成された電極とを電気的に接続する導電部材である。島状体12a,12bは圧力センサA側の導電部材であり、島状体12c,12dは加速度センサB側の導電部材である。島状体12a〜12dは、ガラス基板11の両主面でそれぞれ露出している。ガラス基板11には、外気が侵入する貫通孔12eが設けられている。この貫通孔12eを介して侵入した外気の圧力により感圧ダイヤフラム16aが可動する。ガラス基板11に貫通孔12eを形成する方法としては、サンドブラスト処理などを用いることができる。
本発明の実施形態となる静電容量型半導体物理量センサは、図1(a),(b)に示すように、静電容量の変化により圧力を検知する圧力センサAと、静電容量の変化により加速度を検知する加速度センサBとを水平方向に並設することにより形成されている。ガラス基板11は、相互に対向する一対の主面11a,11bを有する。ガラス基板11には、圧力センサA及び加速度センサBが並設される。ガラス基板11には、シリコンで構成された島状体(シリコン製部材)12a〜12dが埋設されている。島状体12a〜12dは、主面11a上に形成された電極と主面11b上に形成された電極とを電気的に接続する導電部材である。島状体12a,12bは圧力センサA側の導電部材であり、島状体12c,12dは加速度センサB側の導電部材である。島状体12a〜12dは、ガラス基板11の両主面でそれぞれ露出している。ガラス基板11には、外気が侵入する貫通孔12eが設けられている。この貫通孔12eを介して侵入した外気の圧力により感圧ダイヤフラム16aが可動する。ガラス基板11に貫通孔12eを形成する方法としては、サンドブラスト処理などを用いることができる。
ガラス基板11の主面11a上の圧力センサ領域には、島状体12aの一方の露出部分と電気的に接続するように電極13aが形成されており、島状体12bの一方の露出部分と電気的に接続するように固定電極14aが形成されている。固定電極14aは、圧力センサA用の固定電極である。ガラス基板11の主面11a上の加速度センサ領域には、島状体12cの一方の露出部分と電気的に接続するように固定電極14bが形成されており、島状体12dの一方の露出部分と電気的に接続するように電極13bが形成されている。この固定電極14bは、加速度センサB用の固定電極である。ガラス基板11の主面11b上の圧力センサ領域には、島状体12aの他方の露出部分と電気的に接続するように電極15aが形成されており、島状体12bの他方の露出部分と電気的に接続するように電極15bが形成されている。ガラス基板11の主面11b上の加速度センサ領域には、島状体12cの他方の露出部分と電気的に接続するように電極15cが形成されており、島状体12dの他方の露出部分と電気的に接続するように電極15dが形成されている。このように電極15a〜15dが同一の主面11b上に設けられていることにより、外部機器への接続が容易となる。
ガラス基板11の主面11a上には、圧力センサA側の導電性可動部である感圧ダイヤフラム16a(可動電極)と、加速度センサB側の導電性可動部である揺動部材16bとを有するシリコン基板16が接合されている。このシリコン基板16においては、圧力センサ領域に、導電性可動部として被測定圧力により可動する感圧ダイヤフラム16aが設けられており、加速度センサ領域に、導電性可動部として被測定加速度により揺動する揺動部材16bと、揺動部材16bを支持する支持部材16cとが設けられている。また圧力センサ領域の端部(紙面向って左端)及び加速度センサ領域の端部(紙面向って右端)には、ガラス基板18と接合する第1接合部16dが設けられている。さらに、シリコン基板16における圧力センサ領域と加速度センサ領域との間、並びにシリコン基板16の圧力センサ領域の端部(紙面向って左端)及び加速度センサ領域の端部(紙面向って右端)には、ガラス基板11の主面11aと接合する第2接合部16eが設けられている。ガラス基板11とシリコン基板16とは、感圧ダイヤフラム16aが固定電極14aと所定の間隔をおいて配置され、揺動部材16bが固定電極14bと所定の間隔をおいて配置されるように位置合わせされた状態で第2接合部16eで接合される。また、ガラス基板11とシリコン基板16とは、固定電極14a,14b上にキャビティ17a,17bが形成されるように接合されている。すなわち、圧力センサ領域の固定電極14a上にキャビティ17aが設けられ、加速度センサ領域の固定電極14b上にキャビティ17bが設けられている。
シリコン基板16上には、ガラス基板18が配置されている。ガラス基板18は、シリコン基板16の第1接合部16dで接合されている。圧力センサ領域におけるガラス基板18とシリコン基板16との間にはキャビティ17cが形成されている。また加速度センサ領域におけるガラス基板18とシリコン基板16との間にはキャビティ17dが形成されている。そしてキャビティ17cとキャビティ17dは、圧力センサ領域と加速度センサ領域の間にあるキャビティ17eを介して連通している。加速度センサ領域においては、ガラス基板11,18と、シリコン基板16とにより構成された空間部内で揺動部材16bが揺動するように構成される。また、シリコン基板16の加速度センサ領域において、揺動部材16bを支持する一方の支持部材16cには貫通孔16hが形成されている。したがって、加速度センサ領域における揺動部材16bと第2のガラス基板18との間で構成されるキャビティ17dは、貫通孔16hによりキャビティ17bと連通している。これにより、大きな容積のキャビティを設けることができる。なお感圧ダイヤフラム16aと対向するガラス基板18表面にゲッター材を配設するようにしてもよい。このような構成によれば、ゲッター材によってキャビティ17c,17d,17e内のガスを吸着することにより、センサの性能低下をより確実に防止することができる。
シリコン基板16における感圧ダイヤフラム16a及び揺動部材16bは、シリコン基板16の両面からエッチングなどによりそれぞれ凹部を形成することにより設けられている。また、支持部材16cと揺動部材16bとをシリコン基板16に形成する場合には、例えばマイクロマシニング技術を応用したエッチングにより行う。シリコン基板16のガラス基板接合面側の凹部はそれぞれ固定電極14a,14bを収容できる大きさを有しており、シリコン基板16をガラス基板11に接合することにより、キャビティ17a,17bを構成する。これにより、感圧ダイヤフラム16aと固定電極14aとの間に静電容量が発生し、揺動部材16bと固定電極14bとの間に静電容量が発生する。ガラス基板11と島状体12a〜12dとの界面は、高い密着性を有することが好ましい。後述するように、これらの界面は、加熱下において島状体12a〜12dをガラス基板11に押し込むことにより形成される。このような方法により得られた界面でも高い密着性を発揮できるが、島状体12a〜12dをガラス基板11に押し込んだ後に、陽極接合処理を施すことにより、密着性をより高くすることができる。
このような構成を有する静電容量型半導体物理量センサの圧力センサ領域においては、感圧ダイヤフラム16aとガラス基板11上の固定電極14aとの間に所定の静電容量を有する。この圧力センサに圧力がかかると、感圧ダイヤフラム16aが圧力に応じて可動する。これにより、感圧ダイヤフラム16aが変位する。このとき、感圧ダイヤフラム16aとガラス基板11上の固定電極14aとの間の静電容量が変化する。したがって、この静電容量をパラメータとして、その変化を圧力変化とすることができる。一方、静電容量型半導体物理量センサの加速度センサ領域においては、ガラス基板11,18と、シリコン基板16とにより構成された空間部内で、揺動部材16bが被測定加速度により揺動する。揺動部材16bは導電体であるので、揺動部材16bが揺動することにより、固定電極14bとの間の静電容量が変化する。この変化を検知することにより加速度を測定することができる。
またこの静電容量型半導体物理量センサにおいては、圧力センサ領域のキャビティ17cが加速度センサ領域のキャビティ17b,dと連通しているので、キャビティ17cとキャビティ17b,17dとでキャビティを構成することになる。したがって、この静電容量型半導体物理量センサにおいては、圧力センサ単体におけるキャビティの容積に比べて非常に大きな容積のキャビティを確保することができる。その結果、ガラス基板とシリコン基板との間の密閉した空間内にガスが発生しても比較的大きな容積のキャビティにガスを拡散させることができる。これにより、ガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。また、この静電容量型力学量センサによれば、ゲッター室などを設けていないので、ガストラップ機能による大型化を回避することが可能である。
さらにこの静電容量型半導体物理量センサにおいては、固定電極14aを有するガラス基板11側に貫通孔12eが形成されている。このような構成によれば、図2(a)に示すように低圧時は感圧ダイヤフラム16aが大きく変位しないことから、固定電極14aと感圧ダイヤフラム16aの対向面積が大きくなり、結果として感度が大きくなる。一方、図2(b)に示すように高圧時は感圧ダイヤフラム16bが大きく変位することから、固定電極14aと感圧ダイヤフラム16aの対向面積が小さくなり、結果として感度が小さくなる。したがって、このような構成によれば、低圧時における圧力センサの感度を向上させることができる。
〔静電容量型半導体物理量センサの製造方法〕
次に、上記静電容量型半導体物理量センサの製造方法について説明する。
次に、上記静電容量型半導体物理量センサの製造方法について説明する。
静電容量型半導体物理量センサを製造する際は、始めに、不純物をドーピングして低抵抗化したシリコン基板16を準備する。次に、シリコン基板16の一方の主面をエッチングして、図3(a)に示すように、感圧ダイヤフラム16aと固定電極14aとの間の間隔を制御するキャビティ17a用の凹部16gと揺動部材16bと固定電極14bとの間の間隔を制御するキャビティ17b用の凹部16hを形成する。次に、シリコン基板16の他方の主面をエッチングして、図3(b)に示すように、感圧ダイヤフラム16a及び揺動部材16bを形成する。またキャビティ17eを形成するために感圧ダイヤフラム16aと揺動部材16b間のシリコン基板16の他方の主面をエッチングする。また感圧ダイヤフラム16a及び揺動部材16bを形成する際に、シリコン基板16の一方の主面側、すなわちキャビティ17b側からもエッチングを施すことにより貫通部16hを形成する。次に、図4(a)に示すように、島状体12a〜12dを埋め込んだガラス基板11を作製した後、ガラス基板11にサンドブラスト処理を行って孔12eを形成する。次に、図4(b)に示すように、ガラス基板11の主面11b上に、島状体12a〜12dとそれぞれ電気的に接続するように電極15a〜15dを形成する。次に、図4(c)に示すように、ガラス基板11の主面11a上に、島状体12a,12dとそれぞれ電気的に接続するように電極13a,13bを形成し、島状体12b,12cとそれぞれ電気的に接続するように固定電極14a,14bを形成する。
次に、被測定圧力により変位する感圧ダイヤフラム16a及び被測定加速度により揺動する揺動部材16bを有するシリコン基板16を、感圧ダイヤフラム16aが固定電極14aと所定の間隔をおいて位置するように、また、揺動部材16bが固定電極14bと所定の間隔をおいて位置するように、ガラス基板11の主面11a上に接合する。すなわち、ガラス基板11の主面11aとシリコン基板16の第2接合部16eとが接合される。このとき、シリコン基板16及びガラス基板11に対して、約400℃以下の加熱下で約500V程度の電圧を印加することにより陽極接合処理を行う。これによりシリコン基板16とガラス基板11との間の界面での密着性がより高くなる。このガラス基板18をシリコン基板16に接合する。すなわち、ガラス基板18とシリコン基板16の第1接合部16dとが接合される。このとき、シリコン基板16及び第ガラス基板18に対して、約400℃以下の加熱下で約500V程度の電圧を印加することにより陽極接合処理を行う。これによりシリコン基板16とガラス基板18との間の界面での密着性がより高くなり、キャビティ17c,17d,17eの気密性を向上させることができる。このようにして得られた静電容量型半導体物理量センサは、圧力センサ側において、固定電極14aが島状体12bを介して電極15bと電気的に接続され、電極13aが島状体12aを介して電極15aと電気的に接続されている。従って、感圧ダイヤフラム16aと固定電極14aとの間で検知された静電容量の変化の信号は、島状体12a,12bを介して電極15a,15bから取得することができる。この信号に基づいて測定圧力を算出することができる。また、加速度センサ側においては、固定電極14bが島状体12cを介して電極15cと電気的に接続され、電極13bが島状体12dを介して電極15dと電気的に接続されている。従って、揺動部材16bと固定電極14bとの間で検知された静電容量の変化の信号は、島状体12c,12dを介して電極15c,15dから取得することができる。この信号に基づいて測定加速度を算出することができる。
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれる。
11,18:ガラス基板
11a,11b:主面
16:シリコン基板
12a,12b,12c,12d:島状体
12e:貫通孔
13a,13b,15a,15b,15c,15d:電極
14a,14b:固定電極
16a:感圧ダイヤフラム
16b:揺動部材
16c:支持部材
16d,16e:接合部
A:圧力センサ
B:加速度センサ
11a,11b:主面
16:シリコン基板
12a,12b,12c,12d:島状体
12e:貫通孔
13a,13b,15a,15b,15c,15d:電極
14a,14b:固定電極
16a:感圧ダイヤフラム
16b:揺動部材
16c:支持部材
16d,16e:接合部
A:圧力センサ
B:加速度センサ
Claims (2)
- 静電容量の変化により圧力を検知する圧力センサと、静電容量の変化により加速度を検知する加速度センサとを並設してなる静電容量型力学量センサであって、
相互に背向する一対の主面を有し、一方の前記主面上に形成された前記圧力センサ用の第1固定電極及び前記加速度センサ用の第2固定電極を有する第1基板と、
前記第1固定電極と所定の間隔をおいて対向して配置された前記圧力センサ用の第1導電性可動部及び前記第2固定電極と所定の間隔をおいて対向して配置された前記加速度センサ用の第2導電性可動部を有する第2基板と、
前記第2基板上に配置された第3基板とを備え、
前記第1及び第2基板は、前記第1固定電極を内包する第1キャビティと前記第2固定電極を内包する第2キャビティが形成されるように接合され、前記第2及び第3基板は、前記第1導電性可動部及び第2導電性可動部を内包し、前記圧力センサの領域と前記加速度センサの領域とで連通する第3キャビティが形成され、当該第3キャビティが封止されるように接合され、前記第1基板には、前記第1キャビティ内に大気を導入するための貫通孔が形成されていること
を特徴とする静電容量型半導体物理量センサ。 - 請求項1に記載の静電容量型半導体物理量センサにおいて、
前記第1導電性可動部と対向する前記第3基板表面に設けられたゲッター材を備えることを特徴とする静電容量型半導体物理量センサ。
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