JP2010053348A - Method of producing epoxy compound - Google Patents

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Takayuki Tashiro
貴之 田代
Yoko Sakurai
陽子 櫻井
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Sanyo Chemical Industries Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing highly selectively producing only diepoxy compounds from unsaturated compounds. <P>SOLUTION: The method of producing diepoxy compound includes oxidizing the double bond part of an organic compound diolefin having in the molecule two C=C double bonds represented by general formula (1) by using a tungsten compound and an oxidizer to produce the diepoxy compound. In formula (1), R<SP>1</SP>and R<SP>2</SP>are each H, alkyl, alkoxy, a univalent alicyclic hydrocarbon, or aromatic hydrocarbon; A is a bivalent functional group; and n is an integer of 1-100. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、エポキシ化合物の製造方法に関する。さらに詳しくは、2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物を高選択的に酸化するジエポキシ化合物の製造方法によって得られたエポキシ樹脂に関する。   The present invention relates to a method for producing an epoxy compound. More specifically, the present invention relates to an epoxy resin obtained by a method for producing a diepoxy compound that highly selectively oxidizes an organic compound having two C═C double bonds in the molecule.

従来より、エポキシ化合物の製造方法は、エピハロヒドリンを活性水素含有化合物と反応させ、次いでアルカリもしくはアルカリ土類金属水酸化物のような塩基性化合物によりハロヒドリン中間体を脱ハロゲン化水素することで製造することはよく知られている(特許文献1)。
しかしながら、この方法はハロヒドリン中間体を経由するため、得られたエポキシ化合物中に不純物としてハロゲンを含有する。近年、環境面からハロゲン含量の低減が求められている。また、特に電気用途、コーティング材料などにおいては、電気特性、色特性に悪影響を及ぼすためハロゲンを極量含まないエポキシ樹脂が求められていた。
Conventionally, an epoxy compound is produced by reacting an epihalohydrin with an active hydrogen-containing compound and then dehydrohalogenating the halohydrin intermediate with a basic compound such as an alkali or alkaline earth metal hydroxide. This is well known (Patent Document 1).
However, since this method goes through a halohydrin intermediate, the resulting epoxy compound contains halogen as an impurity. In recent years, a reduction in halogen content has been demanded from the environmental aspect. In particular, in electrical applications and coating materials, an epoxy resin that does not contain an extremely large amount of halogen has been demanded because it adversely affects electrical characteristics and color characteristics.

これに対して、過酢酸などの過酸や、tert−ブチルヒドロキシペルオキシドなどの比較的高価な有機過酸化物を用いてC=C二重結合を分子内に有する有機化合物を酸化することにより、ハロゲンを含まないエポキシ化合物を得る方法が開示されている(特許文献2)。
しかしながら、過酸や有機過酸化物のような強力な酸化剤を用いる反応は危険を伴うため、実際の製造を行う際には特殊な設備が必要となり、さらに反応の後処理も困難であった。
On the other hand, by oxidizing an organic compound having a C═C double bond in the molecule by using a peracid such as peracetic acid or a relatively expensive organic peroxide such as tert-butylhydroxyperoxide, A method for obtaining a halogen-free epoxy compound is disclosed (Patent Document 2).
However, since reactions using strong oxidizing agents such as peracids and organic peroxides are dangerous, special equipment is required for actual production, and post-treatment of the reaction is also difficult. .

また、これらの酸化剤は酸化力が強過ぎるため、エポキシ化合物で反応がとどまらず、さらにエポキシ環が開環してグリコールが生成するなど、目的のエポキシ化合物のみを選択的に製造できないという問題があった。   In addition, since these oxidizing agents are too strong in oxidizing power, the reaction does not stop with the epoxy compound, and the epoxy ring is opened to produce glycol, which makes it impossible to selectively produce only the target epoxy compound. there were.

一方で、過酸化水素水は安価で取り扱いが容易であり、反応後は水となるクリーンで無害な酸化剤である。また、分子状酸素もクリーンな酸化剤として注目を集めている。しかし、過酸化水素水と分子状酸素のいずれもC=C二重結合を分子内に有する有機化合物の転化率が低いことや、反応がエポキシ化合物でとどまらず開環してグリコールにまで転化してしまうといった問題があった。(特許文献3) On the other hand, hydrogen peroxide water is cheap and easy to handle, and is a clean and harmless oxidant that becomes water after the reaction. Molecular oxygen is also attracting attention as a clean oxidant. However, both the hydrogen peroxide solution and molecular oxygen have a low conversion rate of organic compounds having C═C double bonds in the molecule, and the reaction is not limited to epoxy compounds but is ring-opened and converted to glycol. There was a problem such as. (Patent Document 3)

特開2007−262291号公報JP 2007-262291 A 特開2003−155280号公報JP 2003-155280 A 特開2005−161208号公報JP 2005-161208 A

そこで、安価で汎用性の高い酸化触媒を用いて、2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物からジエポキシ化合物のみを高選択的、かつハロゲンを実質的に含有しない製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, an inexpensive and versatile oxidation catalyst is used to produce a production method that is highly selective only from a diepoxy compound and substantially free of halogen from an organic compound having two C═C double bonds in the molecule. The purpose is to provide.

本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、タングステン化合物(C)および酸化剤(D)を用いて、一般式(1)または(2)で表される2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)の二重結合部位を酸化して一般式(3)または(4)で表されるジエポキシ化合物(A)を製造することを特徴とするジエポキシ化合物(A)の製造方法;およびこの製造方法で得られ、ジエポキシ化合物(A)の含有量が70重量%以上であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物である。
The inventors of the present invention have reached the present invention as a result of studies to achieve the above object.
That is, the present invention is an organic compound having two C═C double bonds represented by the general formula (1) or (2) in the molecule using the tungsten compound (C) and the oxidizing agent (D). A process for producing a diepoxy compound (A), wherein the diepoxy compound (A) represented by the general formula (3) or (4) is produced by oxidizing the double bond site of (B); An epoxy resin composition obtained by the method, wherein the content of the diepoxy compound (A) is 70% by weight or more.

Figure 2010053348
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Figure 2010053348
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Figure 2010053348
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[式中、RおよびR2は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数5〜20の1価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の芳香族炭化水素基を表し、それらの基の一部がカルボニル基、エステル基またはカルボキシル基もしくはその塩基でさらに置換されていてもよい。
Aは、−(O−R−、−[O−R−O−C(=O)]−、または−[O−C(=O)−R− の2価の官能基であり、1種以上の組み合わせであってもよい。
は、炭素数2〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基を表す。
およびYはそれぞれ独立して、炭素数1〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基を表す。nは1〜100の整数を表す。]
[Wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent alicyclic carbonization having 5 to 20 carbon atoms. It represents a hydrogen group or an aromatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, and a part of these groups may be further substituted with a carbonyl group, an ester group, a carboxyl group or a base thereof.
A is a divalent group of — (O—R 3 ) n —, — [O—R 3 —O—C (═O)] n —, or — [O—C (═O) —R 3 ] n —. And may be a combination of one or more.
R 3 represents a divalent alkylene group, a divalent alicyclic hydrocarbon group or a divalent aromatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, 5 to 20 carbon atoms having 2 to 20 carbon atoms.
Y 1 and Y 2 are each independently a divalent alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, or a divalent aroma having 4 to 20 carbon atoms. Represents a group hydrocarbon group. n represents an integer of 1 to 100. ]

本発明のエポキシ樹脂の製造方法は、ハロゲンを実質的に含まないジエポキシ化合物を安価で汎用性の高い酸化触媒を用いて製造する方法である。この製造方法を用いることでグリコールの副生を極端に抑えることが可能である。また、この製造方法によって得られたエポキシ樹脂はハロゲンを実質的に含まないため、電気特性に優れる。   The method for producing an epoxy resin of the present invention is a method for producing a diepoxy compound substantially free of halogen using an inexpensive and versatile oxidation catalyst. By using this production method, it is possible to extremely suppress glycol by-product. Moreover, since the epoxy resin obtained by this manufacturing method does not contain a halogen substantially, it is excellent in an electrical property.

本発明のエポキシ化合物(A)の製造方法において用いられる原料の2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)は、下記一般式(1)または(2)で示される。   The organic compound (B) having two C═C double bonds in the molecule as a raw material used in the method for producing an epoxy compound (A) of the present invention is represented by the following general formula (1) or (2). .

Figure 2010053348
Figure 2010053348

Figure 2010053348
Figure 2010053348

[式中、RおよびR2は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数5〜20の1価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の芳香族炭化水素基を表し、それらの基の一部がカルボニル基、エステル基またはカルボキシル基もしくはその塩基でさらに置換されていてもよい。
Aは、−(O−R−、−[O−R−O−C(=O)]−、または−[O−C(=O)−R− の2価の官能基であり、1種以上の組み合わせであってもよい。
は、炭素数2〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基を表す。
およびYはそれぞれ独立して、炭素数1〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基を表す。nは1〜100の整数を表す。]
[Wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent alicyclic carbonization having 5 to 20 carbon atoms. It represents a hydrogen group or an aromatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, and a part of these groups may be further substituted with a carbonyl group, an ester group, a carboxyl group or a base thereof.
A is a divalent group of — (O—R 3 ) n —, — [O—R 3 —O—C (═O)] n —, or — [O—C (═O) —R 3 ] n —. And may be a combination of one or more.
R 3 represents a divalent alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, or a divalent aromatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms.
Y 1 and Y 2 are each independently a divalent alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, or a divalent aroma having 4 to 20 carbon atoms. Represents a group hydrocarbon group. n represents an integer of 1 to 100. ]

1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数5〜20の1価の脂環族炭化水素、炭素数4〜20の芳香族炭化水素を表し、それらの一部がカルボニル基、エステル基、またはカルボキシル基もしくはその塩基で置換されていてもよい。 R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent alicyclic hydrocarbon having 5 to 20 carbon atoms, or a carbon number. 4 to 20 aromatic hydrocarbons are represented, and a part of them may be substituted with a carbonyl group, an ester group, a carboxyl group or a base thereof.

炭素数1〜20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。   Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, and 2-ethylhexyl group. Nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group and the like.

炭素数1〜20のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、t−ブトキシ基、ペンチキシ基、ヘキシロキシ基、ヘプチロキシ基、オクチロキシ基、2-エチルヘキシロキシ基、ノニロキシ基、デシロキシ基、ウンデシロキシ基、ドデシロキシ基、トリデシロキシ基、テトラデシロキシ基、ペンタデシロキシ基、ヘキサデシロキシ基、ヘプタデシロキシ基、オクタデシロキシ基、ノナデシロキシ基、エイコシロキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, isobutoxy group, t-butoxy group, pentoxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, 2-ethyl Hexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group, tridecyloxy group, tetradecyloxy group, pentadecyloxy group, hexadecyloxy group, heptadecyloxy group, octadecyloxy group, nonadecyloxy group, eicosiloxy group, etc. Can be mentioned.

炭素数5〜20の1価の脂環族炭化水素としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基、シクロトリデシル基、シクロテトラデシル基、シクロペンタデシル基、シクロヘキサデシル基、シクロヘプタデシル基、シクロオクタデシル基、シクロノナデシル基、シクロエイコシル基、ノルボルニル基等が挙げられる。   Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon having 5 to 20 carbon atoms include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclononyl group, a cyclodecyl group, a cycloundecyl group, a cyclododecyl group, and a cyclotridecyl group. , Cyclotetradecyl group, cyclopentadecyl group, cyclohexadecyl group, cycloheptadecyl group, cyclooctadecyl group, cyclononadecyl group, cycloeicosyl group, norbornyl group and the like.

炭素数4〜20の芳香族炭化水素としては、チエニル基、ピリジル基、フェニル基、ビチエニル基、ビピリジル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ナフチル基、アントラニル基等が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon having 4 to 20 carbon atoms include a thienyl group, a pyridyl group, a phenyl group, a bithienyl group, a bipyridyl group, a biphenyl group, a phenanthryl group, a naphthyl group, and an anthranyl group.

以上のアルキル基、アルコキシ基、1価の脂環族炭化水素、芳香族炭化水素は、それらの一部がカルボニル基、エステル基またはカルボキシル基もしくはその塩基で置換されていてもよい。   A part of the above alkyl group, alkoxy group, monovalent alicyclic hydrocarbon, and aromatic hydrocarbon may be substituted with a carbonyl group, an ester group, a carboxyl group, or a base thereof.

カルボニル基で置換されているものとしては例えば、アセチル基、シクロヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
エステル基で置換されているものとしては例えば、メチルエステル基、シクロヘキシルエステル基、安息香酸エステル基等が挙げられる。
カルボキシル基で置換されているものとしては例えば、メチルカルボキシレート、シクロヘキサン酸、安息香酸等が挙げられる。
カルボン酸塩で置換されているものとしては例えば、メチルカルボキシレートのナトリウム塩、シクロヘキサン酸のナトリウム塩、安息香酸のナトリウム塩等が挙げられる。
Examples of those substituted with a carbonyl group include an acetyl group, a cyclohexylcarbonyl group, and a benzoyl group.
Examples of those substituted with an ester group include a methyl ester group, a cyclohexyl ester group, and a benzoic acid ester group.
Examples of those substituted with a carboxyl group include methyl carboxylate, cyclohexane acid, benzoic acid and the like.
Examples of those substituted with carboxylate include sodium salt of methylcarboxylate, sodium salt of cyclohexane acid, sodium salt of benzoic acid and the like.

1、R2の好ましい例としては、水素原子、メチル基、メトキシ基が挙げられる。特に好ましくは水素原子である。 Preferable examples of R 1 and R 2 include a hydrogen atom, a methyl group, and a methoxy group. Particularly preferred is a hydrogen atom.

Aは、−(O−R−、−[O−R−O−C(=O)]−、または−[O−C(=O)−R− の2価の官能基であり、1種以上の組み合わせであってもよい。
は、炭素数2〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基を表す。
およびYはそれぞれ独立して、炭素数1〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基を表す。
nは1〜100の整数を表す。
一般式(1)および(2)中のAは、繰り返しユニットであり、繰り返し単位nは1〜100の整数を表す。また、Aは異なる2種以上の 組み合わせであってもよい。
A is a divalent group of — (O—R 3 ) n —, — [O—R 3 —O—C (═O)] n —, or — [O—C (═O) —R 3 ] n —. And may be a combination of one or more.
R 3 represents a divalent alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, or a divalent aromatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms.
Y 1 and Y 2 are each independently a divalent alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, or a divalent aroma having 4 to 20 carbon atoms. Represents a group hydrocarbon group.
n represents an integer of 1 to 100.
A in the general formulas (1) and (2) is a repeating unit, and the repeating unit n represents an integer of 1 to 100. A may be a combination of two or more different types.

−(O−R−としては、Rが炭素数2〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基の−(O−R−が挙げられる。
nは1〜100の整数を表す。
- (O-R 3) n - as is divalent alkylene group of R 3 is 2 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, 2 of 4 to 20 carbon atoms -(O-R < 3 > ) n- of a valent aromatic hydrocarbon group is mentioned.
n represents an integer of 1 to 100.

が炭素数2〜20の2価のアルキレン基であり、nが1の場合の−(O−R−としては、例えば、オキシエチレン基、1−オキシプロピレン基、2−オキシプロピレン基、1−オキシブチレン基、1−オキシデシレン基、3−オキシデシレン基、1−オキシエイコシル等のオキシアルキレンが挙げられる。 In the case where R 3 is a divalent alkylene group having 2 to 20 carbon atoms and n is 1, examples of — (O—R 3 ) n — include an oxyethylene group, a 1-oxypropylene group, and 2-oxy Examples thereof include oxyalkylene such as propylene group, 1-oxybutylene group, 1-oxydecylene group, 3-oxydecylene group, 1-oxyeicosyl.

が炭素数2〜20の2価のアルキレン基であり、nが2〜100の場合の−(O−R−としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコールの重合物、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの共重合物や、nが1の場合に例示したオキシアルキレン単位の繰り返しより得られる重合物等より得られるポリオキシアルキレン等が挙げられる。 R 3 is a divalent alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, n is in the case of 2~100 - (O-R 3) n - as, for example, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polytetramethylene glycol And polyoxyalkylene obtained from a polymer, a copolymer of ethylene oxide and propylene oxide, a polymer obtained by repeating oxyalkylene units exemplified when n is 1, and the like.

が炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基であり、nが1の場合の−(O−R−としては、例えば、オキシシクロペンチレン基、オキシシクロヘキシレン基、オキシシクロヘプチレン基、オキシシクロオクチレン基、オキシシクロノニレン基、オキシシクロデシレン基、オキシシクロウンデシレン基、オキシシクロドデシレン基、オキシシクロトリデシレン基、オキシシクロテトラデデシレン基、オキシシクロペンタデシレン基、2−エチル−1オキシシクロヘキシレン基、オキシシクロエイコシレン基、2,4−ブチル−1−オキシシクロヘキシレン基等のオキシシクロアルキレン基が挙げられる。 In the case where R 3 is a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms and n is 1, examples of — (O—R 3 ) n — include oxycyclopentylene group and oxycyclohexylene. Group, oxycycloheptylene group, oxycyclooctylene group, oxycyclononylene group, oxycyclodecylene group, oxycycloundecylene group, oxycyclododecylene group, oxycyclotridecylene group, oxycyclotetradecylene Groups, oxycyclopentadecylene groups, 2-ethyl-1oxycyclohexylene groups, oxycycloeicosylene groups, 2,4-butyl-1-oxycyclohexylene groups, and the like.

が炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基であり、nが2〜100の場合の−(O−R−としては、例えば、前記オキシシクロアルキレンの繰り返し重合物;シクロヘキサンジオールへのエチレンオキサイド付加重合物、スチレンオキサイド重合物の水添物などの重合物;および下記一般式(5)で表されるオキシシクロアルキレン構造を表す。 -(O-R 3 ) n -in the case where R 3 is a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms and n is 2 to 100 includes, for example, repetitive polymerization of the oxycycloalkylene A polymer such as an ethylene oxide addition polymer to cyclohexanediol, a hydrogenated product of a styrene oxide polymer; and an oxycycloalkylene structure represented by the following general formula (5).

Figure 2010053348
Figure 2010053348

[式中、Xは、2価のメチレン基、1−メチルエタン−1,1−ジイル基[―C(CH―]、プロピレン基、スルホン基を表す。] [Wherein, X represents a divalent methylene group, 1-methylethane-1,1-diyl group [—C (CH 3 ) 2 —], propylene group, sulfone group. ]

が炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基でありnが1である−(O−R−としては、例えば、Rがチエニレン基、ピリジレン基、フェニレン基、ビチエニレン基、ビピリジレン基、ビフェニレン基、フェナントリレン基、ナフチレン基、アントラニレン基由来の2価の芳香族炭化水素であるオキシアリーレン基が挙げられる。 R ( 3) is a divalent aromatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms and n is 1, for example,-(O-R 3 ) n- is, for example, R 3 is a thienylene group, a pyridylene group, a phenylene group, Examples thereof include a bithienylene group, a bipyridylene group, a biphenylene group, a phenanthrylene group, a naphthylene group, and an oxyarylene group that is a divalent aromatic hydrocarbon derived from an anthranylene group.

が炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基であり、nが2〜100の場合の−(O−R−としては前記オキシアリーレン基の繰り返し重合物、スチレンオキサイドの重合物、ビスフェノールAのエチレンオキサイド付加重合物等の重合物;および下記一般式(6)で表される−(O−R−を表す。 In the case where R 3 is a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms and n is 2 to 100,-(O-R 3 ) n- is a repetitive polymer of the oxyarylene group, styrene Represents a polymer of oxide, a polymer such as ethylene oxide addition polymer of bisphenol A; and — (O—R 3 ) n — represented by the following general formula (6).

Figure 2010053348
Figure 2010053348

[式中、Xは、2価のメチレン基、1−メチルエタン−1,1−ジイル基、プロピレン基、スルホン基を表す。]   [Wherein, X represents a divalent methylene group, 1-methylethane-1,1-diyl group, propylene group or sulfone group. ]

−(O−R−の好ましい例としては、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、上記一般式(5)または(6)のXが1−メチルエタン−1,1−ジイル基であるものが挙げられる。 Preferred examples of — (O—R 3 ) n — include an oxyethylene group, an oxypropylene group, and those in which X in the above general formula (5) or (6) is a 1-methylethane-1,1-diyl group. Can be mentioned.

−[O−R−O−C(=O)]−で表される2価の官能基としては、下記一般式(7)で表される化学構造を有する(ポリ)カーボネートジオール残基が挙げられる。 As the divalent functional group represented by — [O—R 3 —O—C (═O)] n —, a (poly) carbonate diol residue having a chemical structure represented by the following general formula (7) Is mentioned.

Figure 2010053348
Figure 2010053348

式中、ZおよびZはそれぞれ独立して、2価の炭化水素基を表し、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2-エチルヘキシレン基等のアルキル基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基、チエニレン基、ピリジレン基、フェニレン基、4,4’−(プロパン−2,2−ジイル)ジフェニレン基等の芳香族炭化水素基等を表す。 In the formula, Z 1 and Z 2 each independently represent a divalent hydrocarbon group, for example, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, pentylene group, hexylene group, Alkyl group such as heptylene group, octylene group, 2-ethylhexylene group, cycloalkylene group such as cyclopentylene group, cyclohexylene group, cycloheptylene group, cyclooctylene group, thienylene group, pyridylene group, phenylene group, 4, Represents an aromatic hydrocarbon group such as a 4 ′-(propane-2,2-diyl) diphenylene group;

−[O−C(=O)−R−で表される2価の官能基としては、下記一般式(8)で表される化学構造を有する(ポリ)エステルジオール残基が挙げられる。 Examples of the divalent functional group represented by — [O—C (═O) —R 3 ] n — include a (poly) ester diol residue having a chemical structure represented by the following general formula (8). It is done.

Figure 2010053348
Figure 2010053348

式中、Z1およびZ2はそれぞれ独立して、2価の炭化水素基を表し、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2-エチルヘキシレン基等のアルキレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基、チエニレン基、ピリジレン基、フェニレン基、4,4’−(プロパン−2,2−ジイル)ジフェニレン基等の芳香族基を表す。 Wherein, Z 1 and Z 2 each independently represents a divalent hydrocarbon group such as methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, pentylene group, hexylene group, Alkylene groups such as heptylene group, octylene group, 2-ethylhexylene group, cycloalkylene groups such as cyclopentylene group, cyclohexylene group, cycloheptylene group, cyclooctylene group, thienylene group, pyridylene group, phenylene group, 4, An aromatic group such as 4 ′-(propane-2,2-diyl) diphenylene group is represented.

Aの好ましい例としては、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、1,4−オキシブチレン基、前述の一般式(5)のXが1−メチルエタン−1,1−ジイル基またはプロピレン基、前述の一般式(6)のXが1−メチルエタン−1,1−ジイル基またはプロピレン基であるもの、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、アジピン酸とエチレングリコールから得られるポリエステルジオール残基、ジメチルカーボネートの1,5−ペンタンジオールをエステル交換により得られるポリカーボネートジオール残基が挙げられる。特に好ましくはオキシエチレン基、オキシプロピル基、オキシブチレン基、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレンである。
Preferable examples of A include oxyethylene group, oxypropylene group, 1,4-oxybutylene group, X in the above general formula (5) is 1-methylethane-1,1-diyl group or propylene group, X in formula (6) is a 1-methylethane-1,1-diyl group or propylene group, polyoxyethylene, polyoxypropylene, a polyester diol residue obtained from adipic acid and ethylene glycol, dimethyl carbonate 1, Examples include polycarbonate diol residues obtained by transesterification of 5-pentanediol. Particularly preferred are oxyethylene group, oxypropyl group, oxybutylene group, polyoxyethylene and polyoxypropylene.

とYは、それぞれ独立して、炭素数1〜20の2価のアルキレン基、炭素数1〜20の2価のオキシアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基を表す。 Y 1 and Y 2 are each independently a divalent alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a divalent oxyalkylene group having 1 to 20 carbon atoms, or a divalent alicyclic carbon atom having 5 to 20 carbon atoms. A hydrogen group and a C4-C20 bivalent aromatic hydrocarbon group are represented.

炭素数1〜20のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2-エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン基、テトラデシレン基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデシレン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基、エイコシレン基等を表す。   Examples of the alkylene group having 1 to 20 carbon atoms include methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, 2-ethylhexylene group, and nonylene. Group, decylene group, undecylene group, dodecylene group, tridecylene group, tetradecylene group, pentadecylene group, hexadecylene group, heptadecylene group, octadecylene group, nonadecylene group, eicosylene group, and the like.

炭素数1〜20の2価のオキシアルキレン基としては、オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシイソプロピレン基、オキシブチレン基、オキシイソブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシヘプチレン基、オキシオクチレン基、オキシ−2-エチルヘキシレン基、オキシノニレン基、オキシデシレン基、オキシウンデシレン基、オキシドデシレン基、オキシトリデシレン基、オキシテトラデシレン基、オキシペンタデシレン基、オキシヘキサデシレン基、オキシヘプタデシレン基、オキシオクタデシレン基、オキシノナデシレン基、オキシエイコシレン基等を表す。   Examples of the divalent oxyalkylene group having 1 to 20 carbon atoms include oxymethylene group, oxyethylene group, oxypropylene group, oxyisopropylene group, oxybutylene group, oxyisobutylene group, oxypentylene group, oxyhexylene group, Oxyheptylene group, oxyoctylene group, oxy-2-ethylhexylene group, oxynonylene group, oxydecylene group, oxyundecylene group, oxide decylene group, oxytridecylene group, oxytetradecylene group, oxypentadecylene group, oxy It represents a hexadecylene group, an oxyheptadecylene group, an oxyoctadecylene group, an oxynonadecylene group, an oxyeicosylene group, or the like.

炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素としては、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロノニレン基、シクロデシレン基、シクロウンデシレン基、シクロドデシレン基、シクロトリデシレン基、シクロテトラデシレン基、シクロペンタデシレン基、シクロヘキサデシレン基、シクロヘプタデシレン基、シクロオクタデシレン基、シクロノナデシレン基、シクロエイコシレン基、ノルボルニレン基等を表す。好ましくは6〜18の2価の脂環族炭化水素であり、さらに好ましくは8〜16の脂環族炭化水素である。   Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon having 5 to 20 carbon atoms include cyclopentylene group, cyclohexylene group, cycloheptylene group, cyclooctylene group, cyclononylene group, cyclodecylene group, cycloundecylene group, cyclododecylene group, cyclotridecylene. Group, cyclotetradecylene group, cyclopentadecylene group, cyclohexadecylene group, cycloheptadecylene group, cyclooctadecylene group, cyclononadecylene group, cycloeicosylene group, norbornylene group, and the like. Preferably they are 6-18 bivalent alicyclic hydrocarbons, More preferably, they are 8-16 alicyclic hydrocarbons.

炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素としては、チエニレン基、ピリジレン基、フェニレン基、ビチエニレン基、ビピリジレン基、ビフェニレン基、フェナントリレン基、ナフチレン基、アントラニレン基等を表す。   Examples of the divalent aromatic hydrocarbon having 4 to 20 carbon atoms include a thienylene group, a pyridylene group, a phenylene group, a bithienylene group, a bipyridylene group, a biphenylene group, a phenanthrylene group, a naphthylene group, and an anthranylene group.

とYは、上記の炭素数1〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素、炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素同士が結合したものも含む。例えば、4,4’−(プロパン−2,2’−ジイル)ジベンジルや4,4’−(プロパン−2、2’−ジイル)ジシクロヘキシル等である。 Y 1 and Y 2 are each a divalent alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon having 5 to 20 carbon atoms, and a divalent aromatic hydrocarbon having 4 to 20 carbon atoms. Including those that are combined. For example, 4,4 ′-(propane-2,2′-diyl) dibenzyl, 4,4 ′-(propane-2,2′-diyl) dicyclohexyl and the like.

とYの好ましい例としては、メチレン基、エチレン基、ノルボルニル基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、フェニレン基、4,4’−(プロパン−2,2’−ジイル)ジベンジル基、4,4’−(プロパン−2、2’−ジイル)ジシクロヘキシル、エチルシクロヘキシレン基が挙げられる。
さらに好ましくはメチレン基、ノルボルニレン基、4,4’−(プロパン−2,2’−ジイル)ジベンジル基、4,4’−(プロパン−2、2’−ジイル)ジシクロヘキシル、シクロオクチレン基及びエチルシクロヘキシレン基が挙げられる。
特に好ましくは、4,4’−(プロパン−2,2’−ジイル)ジベンジル基、4,4’−(プロパン−2、2’−ジイル)ジシクロヘキシル、シクロオクチレン基及びエチルシクロヘキシレン基である。
Preferred examples of Y 1 and Y 2 include a methylene group, an ethylene group, a norbornyl group, a cyclohexylene group, a cyclooctylene group, a phenylene group, a 4,4 ′-(propane-2,2′-diyl) dibenzyl group, 4,4 ′-(propane-2,2′-diyl) dicyclohexyl, ethylcyclohexylene group may be mentioned.
More preferably, methylene group, norbornylene group, 4,4 ′-(propane-2,2′-diyl) dibenzyl group, 4,4 ′-(propane-2,2′-diyl) dicyclohexyl, cyclooctylene group and ethyl A cyclohexylene group is mentioned.
Particularly preferred are 4,4 ′-(propane-2,2′-diyl) dibenzyl group, 4,4 ′-(propane-2,2′-diyl) dicyclohexyl group, cyclooctylene group and ethylcyclohexylene group. .

一般式(1)で示される2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)としては、例えばポリエチレングリコールのジアリルエーテル化物、ポリプロピレングリコールのジアリルエーテル化物、ポリテトラメチレングリコールのジアリルエーテル化物等;アジピン酸とエチレングリコールから得られるポリエステルジオールのジアリルエーテル化物、テレフタル酸と1,4−ブタンジオールから得られるポリエステルジオールのジアリルエーテル化物等;ジメチルカーボネートの1,5−ペンタンジオールをエステル交換により得られるポリカーボネートジオールのジアリルエーテル化物、トリシクロデカンジメタノールとプロピレンカーボネートより得られるポリカーボネートジオールのジアリルエーテル化物及びポリカプロラクトンジオールと炭酸ジメチルのエステル交換により得られるポリカーボネートジオールのジアリルエーテル化物等が挙げられる。   Examples of the organic compound (B) having two C═C double bonds represented by the general formula (1) in the molecule include polyethylene glycol diallyl etherate, polypropylene glycol diallyl etherate, and polytetramethylene glycol. Diallyl etherified product, etc .; diallyl etherified product of polyester diol obtained from adipic acid and ethylene glycol, diallyl etherified product of polyester diol obtained from terephthalic acid and 1,4-butanediol, etc .; 1,5-pentanediol of dimethyl carbonate Diallyl etherified product of polycarbonate diol obtained by transesterification, diallyl etherified product of polycarbonate diol obtained from tricyclodecane dimethanol and propylene carbonate, and polycaprola Diallyl ether compound such as tons diols and polycarbonate diols obtained by the dimethyl carbonate transesterification and the like.

一般式(2)で示される2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)としては、例えばビスフェノールAのジアリルエーテル化物、水素化ビスフェノールAのジアリルエーテル化物、ビスフェノールFのジアリルエーテル化物、水素化ビスフェノールFのジアリルエーテル化物、ビスフェノールSのジアリルエーテル化物、水素化ビスフェノールSのジアリルエーテル化物等;エチレングリコール−ビス(2−ビニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5(6)−イル)エーテル及びプロピレングリコール−ビス(2−ビニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5(6)−イル)エーテル、4−ビニルオクテニルメチル−4’−ビニルオクテニルカルボキシレート、4−ビニルオクテンポリカーボネートジオールの付加物等が挙げられる。
特に好ましくはビスフェノールAのジアリルエーテル化物、水素化ビスフェノールAのジアリルエーテル化物である。
Examples of the organic compound (B) having two C═C double bonds represented by the general formula (2) in the molecule include bisphenol A diallyl etherate, hydrogenated bisphenol A diallyl etherate, and bisphenol F Diallyl etherate, diallyl etherate of bisphenol F hydrogenate, diallyl etherate of bisphenol S, diallyl etherate of hydrogenated bisphenol S, etc .; ethylene glycol-bis (2-vinylbicyclo [2.2.1] hept-5 ( 6) -yl) ether and propylene glycol-bis (2-vinylbicyclo [2.2.1] hept-5 (6) -yl) ether, 4-vinyloctenylmethyl-4′-vinyloctenylcarboxylate, Examples include 4-vinyloctene polycarbonate diol adducts. The
Particularly preferred are diallyl etherates of bisphenol A and diallyl etherates of hydrogenated bisphenol A.

本発明で用いる2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)の製造方法としては通常の方法が挙げられ、例えば、グリコール化合物とアリルハライドによるジアリル化、ビニル基含有化合物とグリコールを含有化合物の縮合によるエーテル化、ビニル基含有化合物とジカルボン酸を含有化合物の縮合によるエステル化等が挙げられる。   Examples of the method for producing the organic compound (B) having two C═C double bonds in the molecule used in the present invention include ordinary methods such as diallylation with a glycol compound and an allyl halide, and a vinyl group-containing compound. And esterification by condensation of a compound containing vinyl and glycol, and esterification by condensation of a compound containing vinyl group-containing compound and dicarboxylic acid.

本発明でのエポキシ化合物の製造方法で製造されるジエポキシ化合物(A)は、下記一般式(3)または(4)で示されるジエポキシ化合物(A)である。   The diepoxy compound (A) produced by the method for producing an epoxy compound in the present invention is a diepoxy compound (A) represented by the following general formula (3) or (4).

Figure 2010053348
Figure 2010053348

Figure 2010053348
Figure 2010053348

一般式(3)で示されるジエポキシ化合物(A)としては、例えばポリエチレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリテトラメチレングリコールのジグリシジルエーテル等;アジピン酸とエチレングリコールから得られるポリエステルジオールのジグリシジルエーテル、テレフタル酸と1,4−ブタンジオールから得られるポリエステルジオールのジグリシジルエーテル等;ジメチルカーボネートの1,5−ペンタンジオールをエステル交換により得られるポリカーボネートジオールのジグリシジルエーテル、トリシクロデカンジメタノールとプロピレンカーボネートより得られるポリカーボネートジオールのジグリシジルエーテル、ポリカプロラクトンジオールと炭酸ジメチルのエステル交換により得られるポリカーボネートジオールのジグリシジルエーテル等が挙げられる。   Examples of the diepoxy compound (A) represented by the general formula (3) include polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, polytetramethylene glycol diglycidyl ether, and the like; polyester obtained from adipic acid and ethylene glycol Diglycidyl ether of diol, diglycidyl ether of polyester diol obtained from terephthalic acid and 1,4-butanediol, etc .; diglycidyl ether of polycarbonate diol obtained by transesterification of 1,5-pentanediol of dimethyl carbonate, tricyclo Diglycidyl ether of polycarbonate diol obtained from decane dimethanol and propylene carbonate, polycaprolactone diol and dimethyl carbonate Diglycidyl ethers of polycarbonate diols obtained by ether exchange, and the like.

一般式(4)で示されるジエポキシ化合物(A)としては、例えばビスフェノールAのジグリシジルエーテル、水素化ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、ビスフェノールFのジグリシジルエーテル、水素化ビスフェノールFのジグリシジルエーテル、ビスフェノールSのジグリシジルエーテル及び水素化ビスフェノールSのジグリシジルエーテル、エチレングリコール−ビス(2−エポキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−5(6)−イル)エーテル及びプロピレングリコール−ビス(2−エポキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−5(6)−イル)エーテル等が挙げられる。   Examples of the diepoxy compound (A) represented by the general formula (4) include diglycidyl ether of bisphenol A, diglycidyl ether of hydrogenated bisphenol A, diglycidyl ether of bisphenol F, diglycidyl ether of hydrogenated bisphenol F, and bisphenol. Diglycidyl ether of S and diglycidyl ether of hydrogenated bisphenol S, ethylene glycol-bis (2-epoxybicyclo [2.2.1] hept-5 (6) -yl) ether and propylene glycol-bis (2-epoxy) And bicyclo [2.2.1] hept-5 (6) -yl) ether.

一般式(3)または(4)で示されるジエポキシ化合物(A)の好ましい例としては、ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、水素化ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテル、エチレングリコール−ビス(2−エポキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−5(6)−イル)エーテルが挙げられる。
特に好ましくはビスフェノールAのジグリシジルエーテル、水素化ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、エチレングリコール−ビス(2−エポキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−5(6)−イル)エーテル、プロピレングリコール−ビス(2−エポキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−5(6)−イル)エーテルである。
Preferred examples of the diepoxy compound (A) represented by the general formula (3) or (4) include diglycidyl ether of bisphenol A, diglycidyl ether of hydrogenated bisphenol A, diglycidyl ether of polyethylene glycol, diglycidyl ether of polypropylene glycol. Examples include glycidyl ether and ethylene glycol-bis (2-epoxybicyclo [2.2.1] hept-5 (6) -yl) ether.
Particularly preferably, diglycidyl ether of bisphenol A, diglycidyl ether of hydrogenated bisphenol A, ethylene glycol-bis (2-epoxybicyclo [2.2.1] hept-5 (6) -yl) ether, propylene glycol-bis (2-epoxybicyclo [2.2.1] hept-5 (6) -yl) ether.

本発明の製造方法で必須の触媒であるタングステン化合物(C)としては、タングステン酸(C1)とタングステン酸塩(C2)が挙げられる。   Examples of the tungsten compound (C) that is an essential catalyst in the production method of the present invention include tungstic acid (C1) and tungstate (C2).

タングステン酸(C1)としては、タングステン酸(HWO)ケイタングステン酸(H4[SiW1240].xH2O)、リンタングステン酸 (H3[PW1240].xH2O)、リンバナドタングステン酸(H3+m[PV12-m40].xH2O)、ケイモリブドタングステン酸(H4[SiMo12-m40].xH2O)、リンモリブドタングステン酸(H3[PMo12-m40].xH2O)(ただし、mは1〜11の整数を、xは1以上の整数を示す。)等が挙げられる。
これらのタングステン酸(C1)のうち好ましいのはタングステン酸(HWO)、ケイタングステン酸(H4[SiW1240].xH2O)、リンタングステン酸(H3[PW1240].xH2O)である。
As tungstic acid (C1), tungstic acid (H 2 WO 4 ) silicotungstic acid (H 4 [SiW 12 O 40 ] .xH 2 O), phosphotungstic acid (H 3 [PW 12 O 40 ] .xH 2 O) ), Phosphovanadotungstic acid (H 3 + m [PV m W 12-m O 40 ] .xH 2 O), silicoribed tungstic acid (H 4 [SiMo m W 12-m O 40 ] .xH 2 O) , phosphorus molybdate de tungstophosphoric acid (H 3 [PMo m W 12 -m O 40] .xH 2 O) ( however, m is an integer of 1 to 11, x is. an integer of 1 or more) and the like .
Among these tungstic acids (C1), tungstic acid (H 2 WO 4 ), silicotungstic acid (H 4 [SiW 12 O 40 ] .xH 2 O), phosphotungstic acid (H 3 [PW 12 O 40 ) are preferable. XH 2 O).

タングステン酸塩(C2)としては、上記タングステン酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、銅塩、金塩、ガリウム塩及びアンモニウム塩が挙げられる。   Examples of the tungstate (C2) include alkali metal salts, alkaline earth metal salts, copper salts, gold salts, gallium salts and ammonium salts of the above tungstic acid.

アルカリ金属塩としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウム塩が挙げられる。アルカリ土類金属塩としては、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウム塩が挙げられる。その他の塩としては、銅、金、ガリウム及びアンモニウム塩が挙げられる。   Alkali metal salts include lithium, sodium, potassium, rubidium and cesium salts. Alkaline earth metal salts include beryllium, magnesium, calcium, strontium and barium salts. Other salts include copper, gold, gallium and ammonium salts.

タングステン酸塩(C2)の好ましい例としては、上記の好ましいタングステン酸のナトリウム塩、カリウム塩、バリウム塩、セシウム塩、カルシウム塩、アンモニウム等が挙げられる。特に好ましくはケイタングステン酸のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、リンタングステン酸のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩である。   Preferable examples of tungstate (C2) include sodium salts, potassium salts, barium salts, cesium salts, calcium salts, ammonium, and the like of the above preferable tungstic acid. Particularly preferred are sodium, potassium and ammonium salts of silicotungstic acid, sodium, potassium and ammonium salts of phosphotungstic acid.

タングステン化合物(C)の好ましい例としてはタングステン酸、タングステン酸ナトリウム、タングステン酸アンモニウム、リンタングステン酸である。   Preferable examples of the tungsten compound (C) are tungstic acid, sodium tungstate, ammonium tungstate, and phosphotungstic acid.

本発明の酸化反応用触媒においては、これらのタングステン酸(C1)、その塩(C2)を単独使用してもいいし、併用してもよい。   In the oxidation reaction catalyst of the present invention, these tungstic acids (C1) and salts thereof (C2) may be used alone or in combination.

触媒の使用量は、二重結合に対してタングステン原子の当量が0.001当量〜0.1当量であり、好ましくは0.01当量〜0.05当量である。   The catalyst is used in an amount of 0.001 equivalents to 0.1 equivalents, preferably 0.01 equivalents to 0.05 equivalents of tungsten atoms relative to the double bond.

本発明の製造方法で必須の酸化剤(D)としては、1重量%〜60重量%の過酸化水素水、分子状酸素、過酢酸、t−ブチルペルオキシド、過安息香酸、メタクロロ過安息香酸などが挙げられ、これらのうち好ましい例としては、1重量%〜60重量%の過酸化水素水である。   As the oxidant (D) essential in the production method of the present invention, 1% to 60% by weight of hydrogen peroxide, molecular oxygen, peracetic acid, t-butyl peroxide, perbenzoic acid, metachloroperbenzoic acid, and the like. Among these, a preferable example is 1 to 60% by weight of hydrogen peroxide.

本発明の製造方法では、必須成分のタングステン化合物(C)と酸化剤(D)以外に、さらに反応収率を向上させるために、相間移動触媒として作用するオニウム塩(E)を併用することが好ましい。
このために使用できるオニウム塩(E)は、第四級アンモニウム塩(E1)およびホスホニウム塩(E1)が挙げられる。
In the production method of the present invention, in addition to the essential components tungsten compound (C) and oxidizing agent (D), an onium salt (E) acting as a phase transfer catalyst may be used in combination in order to further improve the reaction yield. preferable.
Examples of onium salts (E) that can be used for this purpose include quaternary ammonium salts (E1) and phosphonium salts (E1).

第四級アンモニウム塩(E1)としては、塩化トリオクチルメチルアンモニウム、塩化トリオクチルエチルアンモニウム、塩化ジラウリルジメチルアンモニウム、塩化ラウリルトリメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、塩化ラウリルジメチルベンジルアンモニウム、塩化ステアリルジメチルアンモニウム、塩化トリカプリルメチルアンモニウム、塩化ジデシルジメチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム等の塩化物;
臭化トリオクチルメチルアンモニウム、臭化トリオクチルエチルアンモニウム、臭化ジラウリルジメチルアンモニウム、臭化ラウリルトリメチルアンモニウム、臭化ステアリルトリメチルアンモニウム、臭化ラウリルジメチルベンジルアンモニウム、臭化ステアリルジメチルアンモニウム、臭化トリカプリルメチルアンモニウム、臭化ジデシルジメチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム等の臭化物;
ヨウ化トリオクチルメチルアンモニウム、ヨウ化トリオクチルエチルアンモニウム、ヨウ化ジラウリルジメチルアンモニウム、ヨウ化ラウリルトリメチルアンモニウム、ヨウ化ステアリルトリメチルアンモニウム、ヨウ化ラウリルジメチルベンジルアンモニウム、ヨウ化ステアリルジメチルアンモニウム、ヨウ化トリカプリルメチルアンモニウム、ヨウ化ジデシルジメチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、ヨウ化ベンジルトリメチルアンモニウム、ヨウ化ベンジルトリエチルアンモニウム等のヨウ化物;
リン酸水素化トリオクチルメチルアンモニウム、リン酸水素化トリオクチルエチルアンモニウム、リン酸水素化ジラウリルジメチルアンモニウム、リン酸水素化ラウリルトリメチルアンモニウム、リン酸水素化ステアリルトリメチルアンモニウム、リン酸水素化ラウリルジメチルベンジルアンモニウム、リン酸水素化ステアリルジメチルアンモニウム、リン酸水素化トリカプリルメチルアンモニウム、リン酸水素化ジデシルジメチルアンモニウム、リン酸水素化テトラブチルアンモニウム、リン酸水素化ベンジルトリメチルアンモニウム、リン酸水素化ベンジルトリエチルアンモニウム等のリン酸水素化物;
硫酸水素化トリオクチルメチルアンモニウム、硫酸水素化トリオクチルエチルアンモニウム、硫酸水素化ジラウリルジメチルアンモニウム、硫酸水素化ラウリルトリメチルアンモニウム、硫酸水素化ステアリルトリメチルアンモニウム、硫酸水素化ラウリルジメチルベンジルアンモニウム、硫酸水素化ステアリルジメチルアンモニウム、硫酸水素化トリカプリルメチルアンモニウム、硫酸水素化ジデシルジメチルアンモニウム、硫酸水素化テトラブチルアンモニウム、硫酸水素化ベンジルトリメチルアンモニウム、硫酸水素化ベンジルトリエチルアンモニウム等の硫酸水素化物等が挙げられる。
As the quaternary ammonium salt (E1), trioctylmethylammonium chloride, trioctylethylammonium chloride, dilauryldimethylammonium chloride, lauryltrimethylammonium chloride, stearyltrimethylammonium chloride, lauryldimethylbenzylammonium chloride, stearyldimethylammonium chloride, Chlorides such as tricaprylmethylammonium chloride, didecyldimethylammonium chloride, tetrabutylammonium chloride, benzyltrimethylammonium chloride, benzyltriethylammonium chloride;
Trioctylmethylammonium bromide, trioctylethylammonium bromide, dilauryldimethylammonium bromide, lauryltrimethylammonium bromide, stearyltrimethylammonium bromide, lauryldimethylbenzylammonium bromide, stearyldimethylammonium bromide, tricapryl bromide Bromides such as methylammonium, didecyldimethylammonium bromide, tetrabutylammonium bromide, benzyltrimethylammonium bromide, benzyltriethylammonium bromide;
Trioctylmethylammonium iodide, trioctylethylammonium iodide, dilauryldimethylammonium iodide, lauryltrimethylammonium iodide, stearyltrimethylammonium iodide, lauryldimethylbenzylammonium iodide, stearyldimethylammonium iodide, tricapryl iodide Iodides such as methylammonium, didecyldimethylammonium iodide, tetrabutylammonium iodide, benzyltrimethylammonium iodide, benzyltriethylammonium iodide;
Hydrogenated trioctylmethylammonium phosphate, trioctylethylammonium phosphate, dilauryldimethylammonium phosphate, lauryltrimethylammonium phosphate, stearyltrimethylammonium phosphate, lauryldimethylbenzyl hydrogenphosphate Ammonium, stearyldimethylammonium phosphate, tricaprylmethylammonium phosphate, didecyldimethylammonium phosphate, tetrabutylammonium phosphate, benzyltrimethylammonium phosphate, benzyltriethyl hydrogenphosphate Hydride phosphates such as ammonium;
Trioctylmethylammonium hydrogenate, trioctylethylammonium hydrogenate, dilauryldimethylammonium hydrogenate, lauryltrimethylammonium hydrogenate, stearyltrimethylammonium hydrogenate, lauryldimethylbenzylammonium hydrogenate, stearyl hydrogenate Examples thereof include hydrogen sulfates such as dimethylammonium sulfate, tricaprylmethylammonium sulfate, didecyldimethylammonium sulfate, tetrabutylammonium sulfate, benzyltrimethylammonium sulfate, and benzyltriethylammonium sulfate.

ホスホニウム塩(E2)としては、例えばテトラブチルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムブロミド等の臭化物;テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムクロリド等の塩化物;テトラブチルホスホニウムアイオダイド、テトラフェニルホスホニウムアイオダイド等のヨウ化物;テトラブチルホスホニウムハイドロホスフェート、テトラフェニルホスホニウムアハイドロホスフェート等のリン酸水素化物;テトラブチルホスホニウムハイドロサルフェート、テトラフェニルホスホニウムアハイドロサルフェート等の硫酸水素化物が挙げられる。   Examples of the phosphonium salt (E2) include bromides such as tetrabutylphosphonium bromide and tetraphenylphosphonium bromide; chlorides such as tetrabutylphosphonium chloride and tetraphenylphosphonium chloride; iodine such as tetrabutylphosphonium iodide and tetraphenylphosphonium iodide. And phosphoric acid hydrides such as tetrabutylphosphonium hydrophosphate and tetraphenylphosphonium ahydrophosphate; and hydrogen sulfates such as tetrabutylphosphonium hydrosulfate and tetraphenylphosphonium ahydrosulfate.

これらのオニウム塩(E)のうちの好ましい例としては、硫酸水素化トリオクチルメチルアンモニウム、硫酸水素化ジラウリルジメチルアンモニウム、硫酸水素化ラウリルトリメチルアンモニウム、硫酸水素化ステアリルトリメチルアンモニウム、硫酸水素化ラウリルジメチルベンジルアンモニウム、硫酸水素化ステアリルジメチルアンモニウム、硫酸水素化トリカプリルメチルアンモニウム、硫酸水素化ジデシルジメチルアンモニウム、硫酸水素化テトラブチルアンモニウム、硫酸水素化ベンジルトリメチルアンモニウム、硫酸水素化ベンジルトリエチルアンモニウムが挙げられる。特に好ましくは硫酸水素化トリオクチルメチルアンモニウム、硫酸水素化ジラウリルジメチルアンモニウムである。 Preferred examples of these onium salts (E) include trioctylmethylammonium hydrogen sulfate, dilauryldimethylammonium sulfate, lauryltrimethylammonium hydrogensulfate, stearyltrimethylammonium hydrogensulfate, lauryldimethyl hydrogensulfate. Examples thereof include benzylammonium sulfate, stearyldimethylammonium sulfate, tricaprylmethylammonium sulfate, didecyldimethylammonium sulfate, tetrabutylammonium sulfate, benzyltrimethylammonium sulfate, and benzyltriethylammonium sulfate. Particularly preferred are trioctylmethylammonium hydrogensulfate and dilauryldimethylammonium hydrogensulfate.

本発明の製造方法では、必須成分のタングステン化合物(C)と酸化剤(D)以外に、リン酸塩(F)を共存させると、活性の高いリンタングステンクラスターが反応系中に得られ、反応速度が向上するため、併用することが好ましい。   In the production method of the present invention, when phosphate (F) is coexisted in addition to the essential components tungsten compound (C) and oxidizing agent (D), a highly active phosphotungsten cluster is obtained in the reaction system. Since speed improves, it is preferable to use together.

この目的で使用できるリン酸塩(F)としては、アニオン成分がPO 3−で表される化合物であればよく、カチオン部分が有機成分であるもの(F1)および、無機成分であるもの(F2)が挙げられる。 As the phosphate (F) that can be used for this purpose, it is sufficient that the anion component is a compound represented by PO 4 3- , and the cation portion is an organic component (F1) and the inorganic component ( F2).

リン酸塩(F)のカチオン部分が有機成分であるもの(F1)としては、リン酸三(メチルトリオクチルアンモニウム)、リン酸三(テトラオクチルアンモニウム)、リン酸三[メチルトリ(デシル)アンモニウム]、リン酸三[メチルトリ(ドデシル)アンモニウム 、リン酸三[ジメチルジ(ドデシル)アンモニウム]、リン酸三(ラウリルジメチルベンジルアンモニウム)、リン酸三(テトラブチルアンモニウム)、リン酸三(ベンジルトリメチルアンモニウム)、リン酸三(N−ラウリルピリジニウム)、リン酸三(N−セチルピリジニウム)、リン酸水素二(メチルトリオクチルアンモニウム)、リン酸水素二(テトラオクチルアンモニウム)、リン酸水素二[メチルトリ(デシル)アンモニウム]、リン酸水素二[メチルトリ(ドデシル)アンモニウム]、リン酸水素二[ジメチルジ(ドデシル)アンモニウム]、リン酸水素二(ラウリルジメチルベンジルアンモニウム)、リン酸水素二(テトラブチルアンモニウム)、リン酸水素二(ベンジルトリメチルアンモニウム)、リン酸水素二(N−ラウリルピリジニウム)、リン酸水素二(N−セチルピリジニウム)、リン酸二水素(メチルトリオクチルアンモニウム)、リン酸二水素(テトラオクチルアンモニウム)、リン酸二水素[メチルトリ(デシル)アンモニウム]、リン酸二水素[メチルトリ(ドデシル)アンモニウム]、リン酸二水素[ジメチルジ(ドデシル)アンモニウム]、リン酸二水素(ラウリルジメチルベンジルアンモニウム)、リン酸二水素(テトラブチルアンモニウム)、リン酸二水素(ベンジルトリメチルアンモニウム)、リン酸二水素(N−ラウリルピリジニウム)、リン酸二水素(N−セチルピリジニウム)等が挙げられる。   Examples of the phosphoric acid salt (F) whose cation portion is an organic component (F1) include tri (methyltrioctylammonium phosphate), tri (tetraoctylammonium phosphate), and tri [methyltri (decyl) ammonium phosphate]. , Tri [methyltri (dodecyl) ammonium phosphate, tri [dimethyldi (dodecyl) ammonium] phosphate, tri (lauryldimethylbenzylammonium phosphate), tri (tetrabutylammonium phosphate), tri (benzyltrimethylammonium phosphate), Triphosphoric acid phosphate (N-laurylpyridinium), triphosphoric acid phosphate (N-cetylpyridinium), dihydrogen phosphate (methyltrioctylammonium phosphate), dihydrogen phosphate (tetraoctylammonium phosphate), dihydrogen phosphate (methyltri (decyl)) Ammonium], hydrogen phosphate di [methyltri (do Decyl) ammonium], hydrogen phosphate di [dimethyldi (dodecyl) ammonium], hydrogen phosphate di (lauryldimethylbenzylammonium), hydrogen dihydrogen (tetrabutylammonium), hydrogen dihydrogen (benzyltrimethylammonium), phosphoric acid Hydrogen di (N-laurylpyridinium), dihydrogen phosphate (N-cetylpyridinium), dihydrogen phosphate (methyltrioctylammonium), dihydrogenphosphate (tetraoctylammonium), dihydrogenphosphate [methyltri (decyl) Ammonium], dihydrogen phosphate [methyltri (dodecyl) ammonium], dihydrogen phosphate [dimethyldi (dodecyl) ammonium], dihydrogen phosphate (lauryldimethylbenzylammonium), dihydrogen phosphate (tetrabutylammonium), phosphoric acid Dihydrogen (benzyl) Trimethyl ammonium), dihydrogen phosphate (N- laurylpyridinium), dihydrogen phosphate (N- cetylpyridinium), and the like.

リン酸塩(F)のカチオン部分が無機成分であるもの(F2)としては、ポリリン酸、ピロリン酸、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸アンモニウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム、リン酸水素カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸水素アンモニウム、リン酸二水素アンモニウムなどが挙げられる。 Examples of the phosphoric acid salt (F) whose cation portion is an inorganic component (F2) include polyphosphoric acid, pyrophosphoric acid, sodium phosphate, potassium phosphate, ammonium phosphate, sodium hydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, Examples thereof include potassium hydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, ammonium hydrogen phosphate, and ammonium dihydrogen phosphate.

これらのリン酸塩(F)のうちの好ましい例としては、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸アンモニウムが挙げられる。特に好ましくはリン酸アンモニウムである。 Preferred examples of these phosphates (F) include sodium phosphate, potassium phosphate, and ammonium phosphate. Particularly preferred is ammonium phosphate.

ジエポキシ化合物(A)の製造方法としては、例えば
(1)2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)、タングステン化合物(C)、酸化剤(D)、および必要によりオニウム塩(E)、リン酸塩(F)を一括して系内に投入する方法;
(2)(B)とオニウム塩(E)の混合物をあらかじめ作成し、タングステン化合物(C)、酸化剤(D)とリン酸塩(F)からなる混合液中に投入するなど、任意の2つ以上を混合し、その混合物を系内に投入する方法;
(3)任意の2つ以上を混合し、その混合物を系内に滴下する方法
が挙げられるが、特にこれらに限定されない。
安全上の観点から、混合物を系内に投入する方法および滴下する方法が好ましい。
Examples of the method for producing the diepoxy compound (A) include: (1) an organic compound (B) having two C═C double bonds in the molecule, a tungsten compound (C), an oxidizing agent (D), and if necessary A method in which onium salt (E) and phosphate (F) are charged into the system at once;
(2) A mixture of (B) and onium salt (E) is prepared in advance and added to a mixture of tungsten compound (C), oxidizing agent (D) and phosphate (F). A method of mixing two or more and introducing the mixture into the system;
(3) Although the method of mixing arbitrary 2 or more and dripping the mixture in a system is mentioned, It does not specifically limit to these.
From the viewpoint of safety, a method of feeding the mixture into the system and a method of dropping the mixture are preferable.

酸化反応は、溶媒の存在下または非存在下のいずれで行ってもよい。
溶媒は、有機基質及び目的生成物の種類、その溶解、沸点等により適当に選択できる。
溶媒として、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素;ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素;シクロペンタン、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素;四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、1、2−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素;シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド;アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル;ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノブチルエーテルなどの鎖状または環状エーテルなどが挙げられる。
これらの溶媒は一種で、又は二種以上混合して用いられる。
The oxidation reaction may be performed in the presence or absence of a solvent.
The solvent can be appropriately selected depending on the type of organic substrate and target product, its dissolution, boiling point, and the like.
Solvents include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and ethylbenzene; aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane and octane; alicyclic hydrocarbons such as cyclopentane and cyclohexane; carbon tetrachloride, chloroform, dichloromethane, 1 Halogenated hydrocarbons such as 2-dichloroethane; ketones such as cyclopentanone and cyclohexanone; amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; nitriles such as acetonitrile, propionitrile and benzonitrile; diethyl Examples thereof include linear or cyclic ethers such as ether, dibutyl ether, dimethoxyethane, dioxane, tetrahydrofuran, and ethylene glycol monobutyl ether.
These solvents are used alone or in combination of two or more.

反応温度は、反応基質や反応の種類などに応じ、反応速度及び反応選択性を考慮して適宜選択できるが、例えば、0〜100℃、好ましくは50〜80℃程度である。反応は常圧で行ってもよく、加圧下に行ってもよい。また、反応はバッチ式、セミバッチ式、連続式などの何れの方法で行ってもよい。   The reaction temperature can be appropriately selected in consideration of the reaction rate and reaction selectivity according to the reaction substrate and the type of reaction, and is, for example, about 0 to 100 ° C., preferably about 50 to 80 ° C. The reaction may be performed at normal pressure or under pressure. The reaction may be performed by any method such as a batch method, a semi-batch method, or a continuous method.

酸化反応によって得られた化合物は、抽出、分液、ろ過、遠心分離、蒸留などの通常の方法によって精製分離される。本発明の酸化反応用触媒は、水に対する溶解性が高く、疎水性の有機溶媒への溶解性が低いため、抽出、分液による方法が好ましい。   The compound obtained by the oxidation reaction is purified and separated by a usual method such as extraction, liquid separation, filtration, centrifugation, and distillation. Since the oxidation reaction catalyst of the present invention has high solubility in water and low solubility in a hydrophobic organic solvent, a method using extraction and liquid separation is preferable.

本発明におけるジエポキシ樹脂の製造方法により、ハロゲンを実質的に含有しないエポキシ化合物を安価で汎用性の高い酸化触媒で高選択的に製造することが可能である。   According to the method for producing a diepoxy resin in the present invention, an epoxy compound substantially free of halogen can be produced with high selectivity using an inexpensive and highly versatile oxidation catalyst.

本発明の製造方法において、目的とするジエポキシ化合物(A)以外に、下記のような不純物(G)が生成する。   In the production method of the present invention, the following impurities (G) are generated in addition to the intended diepoxy compound (A).

不純物(G)としては、下記一般式(9)で表される化合物(G1)、下記一般式(10)で表される化合物(G2)、下記一般式(11)で表される化合物(G3)、下記一般式(12)で表される化合物(G4)、下記一般式(13)で表される化合物(G5)、下記一般式(14)で表される化合物(G6)、下記一般式(15)で表される化合物(G7)、下記一般式(16)で表される化合物(G8)、下記一般式(17)で表される化合物(G9)が挙げられる。
なお、下記一般式(9)〜(17)中の記号R1とR、Y1とY2はそれぞれ、前述の一般式(1)〜(4)で定義したものと同様である。
As the impurity (G), a compound (G1) represented by the following general formula (9), a compound (G2) represented by the following general formula (10), a compound (G3 represented by the following general formula (11)) ), A compound (G4) represented by the following general formula (12), a compound (G5) represented by the following general formula (13), a compound (G6) represented by the following general formula (14), and the following general formula Examples thereof include the compound (G7) represented by (15), the compound (G8) represented by the following general formula (16), and the compound (G9) represented by the following general formula (17).
In addition, the symbols R 1 and R 2 and Y 1 and Y 2 in the following general formulas (9) to (17) are the same as those defined in the general formulas (1) to (4).

Figure 2010053348
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本発明の製造方法で得られるエポキシ樹脂組成物中のジエポキシ化合物(A)含有量は、通常、70重量%以上、好ましくは85〜100重量%、特に好ましくは95〜100重量%である。
本発明の製造方法で得られるエポキシ樹脂組成物中のジエポキシ化合物(A)含有量は、下記の酸化反応転化率と酸化反応選択率から求めた。
The content of the diepoxy compound (A) in the epoxy resin composition obtained by the production method of the present invention is usually 70% by weight or more, preferably 85 to 100% by weight, particularly preferably 95 to 100% by weight.
The diepoxy compound (A) content in the epoxy resin composition obtained by the production method of the present invention was determined from the following oxidation reaction conversion rate and oxidation reaction selectivity.

<酸化反応転化率の算出方法>
後述の実施例、比較例とで得られた上層(有機相)中の酸化反応生成物は、2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)と酸化反応生成物(A+G)[ジエポキシ化合物(A)と不純物(G)]のガスクロマトグラフィ(GC)のピークの比より収率を求めた。
<Oxidation conversion rate calculation method>
The oxidation reaction product in the upper layer (organic phase) obtained in Examples and Comparative Examples described later is composed of an organic compound (B) having two C═C double bonds in the molecule and an oxidation reaction product ( The yield was determined from the ratio of the peak of gas chromatography (GC) of A + G) [diepoxy compound (A) and impurity (G)].

酸化反応転化率(%)=PA+G×100/P
但し、PA+G:ジエポキシ化合物(A)と不純物(G)のGCピークの合計、
:2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)のGCピーク
Oxidation reaction conversion rate (%) = P A + G × 100 / P B
However, P A + G: total GC peak diepoxy compound (A) and impurities (G),
P B : GC peak of the organic compound (B) having two C═C double bonds in the molecule

<酸化反応におけるジエポキシ化合物(A)選択率の算出方法>
後述の実施例、比較例とで得られた上層(有機相)中の酸化反応生成物はジエポキシ化合物(A)と酸化反応生成物(A+G)のGCピークの比より選択率を求めた。
<Calculation method of diepoxy compound (A) selectivity in oxidation reaction>
The selectivity of the oxidation reaction product in the upper layer (organic phase) obtained in Examples and Comparative Examples described later was determined from the ratio of the GC peaks of the diepoxy compound (A) and the oxidation reaction product (A + G).

ジエポキシ化合物選択率(%)=P×100/PA+G
但し、P:ジエポキシ化合物(A)のGCピーク、
A+G:ジエポキシ化合物(A)と不純物(G)のGCピークの合計
Diepoxy compound selectivity (%) = P A × 100 / P A + G
However, P A : GC peak of diepoxy compound (A),
P A + G : Sum of GC peaks of diepoxy compound (A) and impurity (G)

<酸化反応収率の算出方法>
後述の実施例、比較例とで得られた上層(有機相)中の酸化反応生成物は2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)とジエポキシ化合物(A)のGCピークの比より収率を求めた。酸化反応収率をもって、ジエポキシ化合物(A)の含有量とした。
<Calculation method of oxidation reaction yield>
The oxidation reaction products in the upper layer (organic phase) obtained in Examples and Comparative Examples described later are organic compounds (B) and diepoxy compounds (A) having two C═C double bonds in the molecule. The yield was determined from the ratio of the GC peak. The oxidation reaction yield was taken as the content of diepoxy compound (A).

ジエポキシ化合物収率(%)=P×100/P
=酸化反応転化率×ジエポキシ化合物選択率/100
=ジエポキシ化合物の(A)含有量
但し、P:ジエポキシ化合物(A)のGCピーク、
:2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)のGCピーク
Diepoxy compound yield (%) = P A × 100 / P B
= Oxidation conversion rate x diepoxy compound selectivity / 100
= (A) content of diepoxy compound where P A : GC peak of diepoxy compound (A),
P B : GC peak of the organic compound (B) having two C═C double bonds in the molecule

以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、%は重量%、部は重量部を示す。   Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention further, the present invention is not limited to these. Hereinafter, unless otherwise specified, “%” represents “% by weight” and “parts” represents “parts by weight”.

[製造例1]<酸化反応基質である2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B−1)の製造>
撹拌装置、温度制御装置及びコンデンサーを設置した反応槽に、メチルエチルケトン(丸善石油社製)を200部、水添ビスフェノールA(新日本理化社製)を234部(1モル部)仕込み、300rpmで撹拌しながら、50℃に加熱した。そこにアリルクロライド(昭和電工社製)を161部(2.1モル部)滴下した。滴下終了後、50℃で3時間熟成し、水500gを加えた後、室温で静置した。分液後メチルエチルケトンを50℃、133Paで減圧除去し、水添ビスフェノールAのジアリルエーテル(B−1)を得た。
[Production Example 1] <Production of organic compound (B-1) having two C = C double bonds in its molecule as an oxidation reaction substrate>
200 parts of methyl ethyl ketone (manufactured by Maruzen Petroleum Co., Ltd.) and 234 parts (1 mole part of hydrogenated bisphenol A (manufactured by Nippon Nippon Chemical Co., Ltd.)) are charged into a reaction vessel equipped with a stirrer, temperature controller and condenser, and stirred at 300 rpm While heating to 50 ° C. 161 parts (2.1 mol parts) of allyl chloride (manufactured by Showa Denko KK) was added dropwise thereto. After completion of dropping, the mixture was aged at 50 ° C. for 3 hours, added with 500 g of water, and allowed to stand at room temperature. After separation, methyl ethyl ketone was removed under reduced pressure at 50 ° C. and 133 Pa to obtain hydrogenated bisphenol A diallyl ether (B-1).

[製造例2]<酸化反応基質である2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B−2)の製造>
撹拌装置、温度制御装置及びコンデンサーを設置した反応槽に、エチレングリコール(三菱ガス化学社製)を62部(1モル部)仕込み、300rpmで撹拌しながら、60℃に加熱した。5−ビニルシクロ[2,2,1]ヘプト−2−エン(サンペトロケミカル社製)を240部(2モル部)滴下した。滴下終了後、60℃で3時間熟成後、180℃、133Paで未反応物及びエチレングリコールを減圧除去し、エチレングリコール−ビス(5−ビニルシクロ[2,2,1]ヘプト−2−エン)エーテル(B−2)を得た。
[Production Example 2] <Production of organic compound (B-2) having two C═C double bonds in its molecule as an oxidation reaction substrate>
In a reaction vessel equipped with a stirrer, a temperature controller and a condenser, 62 parts (1 mole part) of ethylene glycol (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) was charged and heated to 60 ° C. while stirring at 300 rpm. 240 parts (2 mole parts) of 5-vinylcyclo [2,2,1] hept-2-ene (manufactured by San Petrochemical Co., Ltd.) was added dropwise. After completion of dropping, the mixture was aged at 60 ° C. for 3 hours, and unreacted substances and ethylene glycol were removed under reduced pressure at 180 ° C. and 133 Pa. Ethylene glycol-bis (5-vinylcyclo [2,2,1] hept-2-ene) ether (B-2) was obtained.

[実施例1〜10]
攪拌装置、温度制御装置、還流冷却器を設置した反応槽に、タングステン化合物(C)、酸化剤(D)、リン酸塩(F)の順で仕込み、300rpmで撹拌しながら、80℃に昇温した。なおその仕込み量は表1に示した。
表1に記載した仕込み量の溶媒、2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)、オニウム塩(E)の混合溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、温度を80℃に保ちながら、2時間反応させた。室温まで冷却、静置後、2相に分離した反応混合物から生成物を含む上層(有機相)を分液した。
[Examples 1 to 10]
Charge the tungsten compound (C), oxidant (D), and phosphate (F) in this order into a reaction vessel equipped with a stirrer, temperature controller, and reflux condenser, and raise the temperature to 80 ° C. while stirring at 300 rpm. Warm up. The amounts charged are shown in Table 1.
A mixed solution of the solvent in the amount shown in Table 1 and the organic compound (B) having two C═C double bonds in the molecule and onium salt (E) was added dropwise over 2 hours. After completion of dropping, the reaction was allowed to proceed for 2 hours while maintaining the temperature at 80 ° C. After cooling to room temperature and allowing to stand, the upper layer (organic phase) containing the product was separated from the reaction mixture separated into two phases.

Figure 2010053348
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実施例4で数平均分子量が624のポリオキシプロピレングリコールジアリルエーテルを反応基質として使用した。
なお、実施例5と6で用いた表1中の(B−3)、(B−4)の組成は以下の通りである。
(B−3):テレフタル酸と1,4−ブタンジオールから得られるポリエステルジオールのジアリルエーテル化物(Mn=1200)
(B−4):ジメチルカーボネートの1,5−ペンタンジオールをエステル交換により得られるポリカーボネートジオールのジアリルエーテル化物(Mn=750)
In Example 4, polyoxypropylene glycol diallyl ether having a number average molecular weight of 624 was used as a reaction substrate.
In addition, the composition of (B-3) and (B-4) in Table 1 used in Examples 5 and 6 is as follows.
(B-3): Diallyl etherified product of polyester diol obtained from terephthalic acid and 1,4-butanediol (Mn = 1200)
(B-4): Diallyl etherified product of polycarbonate diol obtained by transesterification of 1,5-pentanediol of dimethyl carbonate (Mn = 750)

[比較例1、2]
攪拌装置、温度制御装置、還流冷却器を設置した反応槽に、反応基質、塩基、溶媒を表2に示した量を仕込み、300rpmで撹拌しながら、60℃に温調した。
表2に記載した仕込み量のグリシジル化試剤を1時間かけて滴下した。滴下終了後、温度を60℃に保ちながら、6時間反応させた。室温まで冷却、イオン交換水をゆっくり投入した後、静置した。2相に分離した反応混合物から生成物を含む上層(有機相)を分液した。
[Comparative Examples 1 and 2]
In a reaction vessel equipped with a stirrer, a temperature controller, and a reflux condenser, the amounts shown in Table 2 were added to the reaction substrate, base, and solvent, and the temperature was adjusted to 60 ° C. while stirring at 300 rpm.
The charged amount of glycidylation reagent shown in Table 2 was added dropwise over 1 hour. After completion of dropping, the reaction was allowed to proceed for 6 hours while maintaining the temperature at 60 ° C. After cooling to room temperature and slowly adding ion-exchanged water, it was allowed to stand. The upper layer (organic phase) containing the product was separated from the reaction mixture separated into two phases.

[比較例3、4]
攪拌装置、温度制御装置、還流冷却器を設置した反応槽に、反応基質、溶媒を表2に示した量を仕込み、300rpmで撹拌しながら、40℃に温調した。
表2に記載した仕込み量の酸化剤を2時間かけて滴下した。滴下終了後、温度を40℃に保ちながら、4時間反応させた。その後、室温まで冷却した。
なお、比較例3で、製造例2で得た(B−2)を反応基質として使用した。また、比較例4と次の比較例5で、数平均分子量が624のポリオキシプロピレングリコールジアリルエーテルを反応基質として使用した。
[Comparative Examples 3 and 4]
A reaction vessel equipped with a stirrer, a temperature controller, and a reflux condenser was charged with the amounts of reaction substrate and solvent shown in Table 2, and the temperature was adjusted to 40 ° C. while stirring at 300 rpm.
The amount of the oxidizing agent described in Table 2 was dropped over 2 hours. After completion of dropping, the reaction was carried out for 4 hours while maintaining the temperature at 40 ° C. Then, it cooled to room temperature.
In Comparative Example 3, (B-2) obtained in Production Example 2 was used as a reaction substrate. In Comparative Example 4 and the following Comparative Example 5, polyoxypropylene glycol diallyl ether having a number average molecular weight of 624 was used as a reaction substrate.

[比較例5]
攪拌装置、温度制御装置を設置した耐圧反応槽に、反応基質、溶媒、触媒、気体を表2に示した量を仕込み、300rpmで撹拌しながら、100℃に温調し、4時間反応させた。その後、室温まで冷却した。
[Comparative Example 5]
In a pressure-resistant reaction vessel equipped with a stirrer and a temperature controller, the reaction substrate, solvent, catalyst, and gas were charged in the amounts shown in Table 2, and the temperature was adjusted to 100 ° C. and stirred for 4 hours while stirring at 300 rpm. . Then, it cooled to room temperature.

Figure 2010053348
Figure 2010053348

なお、表2中の比較例5で用いたタングステン触媒は、J.Mol.Catal.32,107(1985)に基づいて作成した下記の化学構造式で表される触媒である。
[(n−C13)4N]{PO[W(O)(μ-O)]}
The tungsten catalyst used in Comparative Example 5 in Table 2 Mol. Catal. 32, 107 (1985), and a catalyst represented by the following chemical structural formula.
[(n-C 6 H 13 ) 4N] 3 {PO 4 [W (O) (μ-O 2) 2] 4}

実施例1〜10と比較例1〜5の酸化反応転化率、酸化反応選択率、酸化反応収率、全塩素含量を上記の方法で測定した。その結果を表3に示す。   The oxidation reaction conversion rate, oxidation reaction selectivity, oxidation reaction yield, and total chlorine content of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5 were measured by the above methods. The results are shown in Table 3.

Figure 2010053348
Figure 2010053348

なお、酸化反応転化率、酸化反応選択率、酸化反応収率をガスクロマトグラフィー(GC)の測定結果から求めたときの測定条件は以下の通りであった。
<GCによる酸化反応生成物の分析条件>
下記のGC装置と分析条件により酸化反応基質、及び酸化反応生成物を分析した。
機器:島津製作所製 GC−2014
検出器:FID
カラム:キャピラリカラム Rtx−5(長さ30m、内径0.25mm ID、液相
の膜厚:0.25μM、Restek社製)
サンプル注入量:1.0μL
インジェクション温度:200℃
キャリアーガスHe圧力:129kPa
キャリアーガスHe全流量:23.0mL/分
キャリアーガスHeカラム流量:1.8mL/分
線速度:37.8cm/秒
スプリット比:10.0
ディテクション温度:300℃
メイクアップガスHe圧力:10.0kPa
H2圧力:60kPa
Air圧力:50kPa
カラム温度:150℃〜10℃/分
昇温:最高到達温度300℃、保持時間5分
The measurement conditions when the oxidation reaction conversion rate, the oxidation reaction selectivity, and the oxidation reaction yield were determined from the gas chromatography (GC) measurement results were as follows.
<Analysis conditions for oxidation reaction products by GC>
The oxidation reaction substrate and the oxidation reaction product were analyzed by the following GC apparatus and analysis conditions.
Equipment: GC-2014 manufactured by Shimadzu Corporation
Detector: FID
Column: Capillary column Rtx-5 (length 30 m, inner diameter 0.25 mm ID, liquid phase film thickness: 0.25 μM, manufactured by Restek)
Sample injection volume: 1.0 μL
Injection temperature: 200 ° C
Carrier gas He pressure: 129 kPa
Carrier gas He total flow rate: 23.0 mL / min Carrier gas He column flow rate: 1.8 mL / min Linear velocity: 37.8 cm / sec Split ratio: 10.0
Detection temperature: 300 ° C
Make-up gas He pressure: 10.0 kPa
H2 pressure: 60 kPa
Air pressure: 50kPa
Column temperature: 150 ° C. to 10 ° C./min Temperature increase: Maximum temperature reached 300 ° C., retention time 5 minutes

<全塩素含量>
全塩素含量はJIS K7243−3(全塩素含量)に準じて測定した。
なお、表3中のN.D.は検出されなかった(検出限界以下)を表す。
<Total chlorine content>
The total chlorine content was measured according to JIS K7243-3 (total chlorine content).
In Table 3, N.I. D. Represents not detected (below detection limit).

表3の結果より明らかなように、実施例1〜10の製造方法は、いずれも酸化反応収率が高く、全塩素含量が検出されないため、比較例の製造方法よりも優れていることがわかる。   As is apparent from the results in Table 3, it can be seen that the production methods of Examples 1 to 10 are superior to the production method of the comparative example because all the oxidation reaction yields are high and the total chlorine content is not detected. .

本発明のジエポキシ化合物は、ハロゲンを含まず、電気特性、色安定性に優れているため、電気用途、コーティング樹脂用原料としても有用である。また、本発明の酸化触媒は安価で汎用性が高く、不飽和化合物からジエポキシ化合物のみを高選択的に製造するため、本発明の酸化触媒を用いたジエポキシ化合物の製造方法は有用である。   The diepoxy compound of the present invention does not contain a halogen and is excellent in electrical characteristics and color stability, and thus is useful as a raw material for electrical applications and coating resins. Moreover, since the oxidation catalyst of the present invention is inexpensive and highly versatile, and only the diepoxy compound is produced from an unsaturated compound with high selectivity, the method for producing a diepoxy compound using the oxidation catalyst of the present invention is useful.

Claims (9)

タングステン化合物(C)および酸化剤(D)を用いて、下記一般式(1)または(2)で表される2個のC=C二重結合を分子内に有する有機化合物(B)の二重結合部位を酸化して下記一般式(3)または(4)で表されるジエポキシ化合物(A)を製造することを特徴とするジエポキシ化合物(A)の製造方法。
Figure 2010053348
Figure 2010053348
Figure 2010053348
Figure 2010053348
[式中、RおよびR2は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数5〜20の1価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の芳香族炭化水素基を表し、それらの基の一部がカルボニル基、エステル基またはカルボキシル基もしくはその塩基でさらに置換されていてもよい。
Aは、−(O−R−、−[O−R−O−C(=O)]−、または−[O−C(=O)−R− の2価の官能基であり、1種以上の組み合わせであってもよい。
は、炭素数2〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基を表す。
およびYはそれぞれ独立して、炭素数1〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基を表す。nは1〜100の整数を表す。]
Using the tungsten compound (C) and the oxidizing agent (D), two organic compounds (B) having two C═C double bonds represented by the following general formula (1) or (2) in the molecule A method for producing a diepoxy compound (A), wherein a diepoxy compound (A) represented by the following general formula (3) or (4) is produced by oxidizing a heavy bond site.
Figure 2010053348
Figure 2010053348
Figure 2010053348
Figure 2010053348
[Wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent alicyclic carbonization having 5 to 20 carbon atoms. It represents a hydrogen group or an aromatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, and a part of these groups may be further substituted with a carbonyl group, an ester group, a carboxyl group or a base thereof.
A is a divalent group of — (O—R 3 ) n —, — [O—R 3 —O—C (═O)] n —, or — [O—C (═O) —R 3 ] n —. And may be a combination of one or more.
R 3 represents a divalent alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, or a divalent aromatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms.
Y 1 and Y 2 are each independently a divalent alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, or a divalent aroma having 4 to 20 carbon atoms. Represents a group hydrocarbon group. n represents an integer of 1 to 100. ]
上記一般式(2)および(4)中のYおよびYが、炭素数1〜20の2価のアルキレン基、炭素数5〜20の2価の脂環族炭化水素基、または炭素数4〜20の2価の芳香族炭化水素基である請求項1記載のエポキシ化合物(A)の製造方法。 Y 1 and Y 2 in the general formulas (2) and (4) are a C 1-20 divalent alkylene group, a C 5-20 divalent alicyclic hydrocarbon group, or a carbon number. The method for producing an epoxy compound (A) according to claim 1, which is a 4-20 divalent aromatic hydrocarbon group. さらにオニウム塩(E)を併用する請求項1または2記載のジエポキシ化合物(A)の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of the diepoxy compound (A) of Claim 1 or 2 which uses onium salt (E) together. さらに、リン酸塩(F)を併用する請求項1〜3いずれか記載のジエポキシ化合物(A)の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of the diepoxy compound (A) in any one of Claims 1-3 which uses phosphate (F) together. 該タングステン化合物(C)が、タングステン酸、タングステン酸ナトリウム、タングステン酸アンモニウムまたはリンタングステン酸である請求項1〜4いずれか記載のジエポキシ化合物(A)の製造方法。   The method for producing a diepoxy compound (A) according to any one of claims 1 to 4, wherein the tungsten compound (C) is tungstic acid, sodium tungstate, ammonium tungstate or phosphotungstic acid. 該酸化剤(D)が過酸化水素である請求項1〜5いずれか記載のジエポキシ化合物(A)の製造方法。   The method for producing a diepoxy compound (A) according to any one of claims 1 to 5, wherein the oxidizing agent (D) is hydrogen peroxide. 該オニウム塩(E)が第四級アンモニウム塩である請求項1〜6いずれか記載のジエポキシ化合物(A)の製造方法。   The method for producing a diepoxy compound (A) according to any one of claims 1 to 6, wherein the onium salt (E) is a quaternary ammonium salt. 該リン酸塩(F)がリン酸アンモニウムである請求項1〜7いずれか記載のジエポキシ化合物(A)の製造方法。   The method for producing a diepoxy compound (A) according to any one of claims 1 to 7, wherein the phosphate (F) is ammonium phosphate. 請求項1〜8いずれか記載の製造方法で得られ、ジエポキシ化合物(A)の含有量が70重量%以上であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。   An epoxy resin composition obtained by the production method according to claim 1, wherein the content of the diepoxy compound (A) is 70% by weight or more.
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