JP2010050252A - ホットワイヤー法による基材表面の窒化方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を基材表面と反応させ、基材表面に窒化物膜を形成することからなるホットワイヤー法において、窒素含有ガスとして、窒素ガスに10%以下の水素を添加したガスを用いることからなる基材表面の窒化方法。
【選択図】図2
Description
Ruofeng Guo et al, journal of Non-crystalline Solids 351 (2005)3006-3012. Akira Izumi, Thin Solid Films, Vol.501 (2006) 157-159. Toshiki Makimoto et al, Solid-state Electronics Vol.41 (1997)345-347. 間崎ほか、第5回Cat-CVD研究会講演予稿集, p.37(2008.6.20-21, 厚木).
2 ガス流入口
3 窒素含有ガス
4 ヒータ
5 基板ホルダー
6 基板
7 触媒体
8 シャッター
9 排気口
Claims (4)
- 窒素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を基材表面と反応させ、基材表面に窒化物膜を形成することからなるホットワイヤー法において、窒素含有ガスとして、窒素ガスに10%以下の水素を添加したガスを用いることを特徴とする基材表面の窒化方法。
- 窒素含有ガスとして、窒素ガスに0.5〜5%の水素を添加したガスを用いることを特徴とする請求項1記載の基材表面の窒化方法。
- 基材がシリコンであり、形成された窒化物膜が、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の基材表面の窒化方法。
- 触媒体が、タングステン、タンタル、モリブデン、バナジウム、レニウム、白金、トリウム、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、シリコン、炭素の何れか1つであることを特徴とする請求項1又は2記載の基材表面の窒化方法。
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