JP2010049075A - 画素回路及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】周辺回路を複雑にすることなく、誤発光による画質低下を抑えると共に階調制御を容易にする。
【解決手段】画素回路２２は、ＯＬＥＤ３０と、ノーマリオン特性であり電流駆動能力の低い順にＯＬＥＤ３０のカソードに直列接続された高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂと、一端が高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲートに各々接続され他端が接地されたコンデンサ３８と、一端がデータラインＤａｔａに接続され他端がコンデンサ３８の一端に接続された充電用スイッチ３６と、一端がＯＬＥＤ３０のカソードに接続され他端が高輝度用駆動トランジスタ３４Ａと低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂとの間に接続された電流バイパス用スイッチ３２と、を備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、画素回路及び表示装置に係り、特に、発光ダイオードを用いた画素回路及び表示装置に関する。

近年、表示素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（以下、ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を用いた表示装置が注目されており、ＯＬＥＤを駆動する回路等で様々な技術が提案されている（例えば特許文献１、２参照）。このＯＬＥＤを駆動させるためには、例えば図１０に示すように、最低２つのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成される駆動トランジスタが必要となる。図１０に示す画素回路１００では、スキャンライン１０２にスキャン信号が出力されてスイッチングトランジスタ１０４がオンし、データライン１０６にデータ信号（画像信号）が出力されると、データ信号に応じて保持容量素子１０８が充電される。そして、スイッチングトランジスタ１０４がオフされると、保持容量素子１０８に充電されたデータ信号に応じた電圧が駆動トランジスタ１１０のゲートに印加される。これにより、画像に応じた輝度でＯＬＥＤ１１２が発光する。

ＯＬＥＤ１１２は、液晶と異なって電流駆動素子であり、その輝度は駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓで制御する。すなわち、ＯＬＥＤ１１２は、ゲート−ソース間電圧に応じて流れるドレイン電流に応じた輝度で発光する。このため、駆動トランジスタ１１０のゲート−ソース間電圧とドレイン電流との関係を示す駆動特性がシフトする（以下、特性シフト）と表示パネルの輝度が変化してしまう。従って、各画素の駆動トランジスタに求められる特性としては、各駆動トランジスタの信頼性が高いこと、すなわち通電による特性シフトが発生したり電荷の移動度に変化が発生したりするなどの特性変化が少ないことと、輝度ムラがなく面内均一性があること、すなわち各駆動トランジスタの特性のバラツキが少ないことの２点が挙げられる。

ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）などで構成された無機酸化物のＴＦＴをＯＬＥＤの画素回路に用いた場合、上記の駆動トランジスタに求められる特性のうち、面内均一性に関しては優れていることが報告されている（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ２００７ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＴＦＴ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｎｃｅ、Ｒｏｍｅ、Ｉｔａｌｙ ７．２）。

また、無機酸化物のＴＦＴではノーマリオン特性、すなわちゲート−ソース間電圧がゼロでもドレイン電流が流れる特性になりやすく、上記の信頼性に関しては、ノーマリオン特性を示すＴＦＴの方が、特性シフトが小さい傾向を示し駆動トランジスタに適している。
特開２００４−５４２００号公報 特開２００３−３１７９６１号公報

しかしながら、ノーマリオン特性を示すＴＦＴを上記特許文献１〜３に記載されたようなＯＬＥＤの画素回路に用いた場合、漏れ電流が流れてＯＬＥＤが誤発光し、画質が低下してしまう。このため、例えばデータラインを制御するデータドライバの接地線を０Ｖより低い電位とするためにマイナス電源が必要になる等、周辺回路が複雑になる、という問題があった。また、ノーマリオン特性を示すＴＦＴを用いた場合、特性シフトにより階調制御が困難になる、という問題もあった。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、周辺回路を複雑にすることなく、誤発光による画質低下を抑えると共に階調制御を容易にすることが可能な画素回路及び表示装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１記載の発明の画素回路は、アノードが所定の電源に接続された発光ダイオードと、ノーマリオン特性であると共に電流駆動能力が異なり、且つ電流駆動能力の低い順に前記発光ダイオードのカソードに直列接続された複数の駆動トランジスタと、一端が前記複数の駆動トランジスタのゲートに各々接続された容量素子と、一端が画像データが出力されるデータラインに接続され、他端が前記容量素子の一端及び前記複数の駆動トランジスタのゲートに接続された、前記容量素子の充電用スイッチと、一端が前記発光ダイオードのカソードに接続され、他端が隣接する駆動トランジスタの間に接続された、少なくとも一つの電流バイパス用スイッチと、を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、特性シフトが少ないノーマリオン特性であると共に電流駆動能力が異なり、且つ電流駆動能力の低い順に発光ダイオードのカソードに直列接続された複数の駆動トランジスタと、発光ダイオードのカソードに接続され、他端が隣接する駆動トランジスタの間に接続された電流バイパス用スイッチと、を備えた構成としている。なお、請求項２に記載したように、前記発光ダイオードが、有機ＥＬ素子である構成とすることができる。

このように、ノーマリオン特性の複数の駆動トランジスタを用いるため、特性シフトが少なく発光ダイオードの誤発光を防ぐことができ、画質の低下を防ぐことができる。また、所望の階調領域を異なる駆動特性の複数の駆動トランジスタで分担することが可能となるため、階調数の低下を防ぐことができ、階調制御を容易にすることができる。

なお、請求項３に記載したように、前記所定の電源と前記発光ダイオードとの間に、黒表示する場合にオフする黒表示用スイッチをさらに備えた構成としてもよい。

請求項４記載の表示装置は、複数の前記請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の画素回路と、予め定めたフレーム期間のうち前記データラインに画像データが出力されているデータ出力期間に前記充電用スイッチをオンする充電用スイッチ制御手段と、前記フレーム期間のうち前記データ出力期間終了後の駆動トランジスタ駆動期間に、前記画像データに応じて前記電流バイパス用スイッチのオンオフを制御する電流バイパス用スイッチ制御手段と、を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、特性シフトが少ないノーマリオン特性であると共に電流駆動能力が異なり、且つ電流駆動能力の低い順に所定の電源と前記発光ダイオードのアノードとの間に直列接続された複数の駆動トランジスタと、所定の電源に接続され、他端が隣接する駆動トランジスタの間に接続された電流バイパス用スイッチと、を備えた構成の画素回路を備えているため、発光ダイオードの誤発光を防ぐことができ、画質の低下を防ぐことができると共に、階調数の低下を防ぐことができ、階調制御を容易にすることができる。

なお、請求項５に記載したように、前記フレーム期間が前記複数の駆動トランジスタの個数に応じて分割され、前記充電用スイッチ制御手段は、各分割期間の前記データ出力期間に前記充電用スイッチをオンし、前記電流バイパス用スイッチ制御手段は、各分割期間の前記データ出力期間終了後の駆動トランジスタ駆動期間に、対応する前記電流バイパス用スイッチをオンするようにしてもよい。

本発明によれば、周辺回路を複雑にすることなく、誤発光による画質低下を抑えると共に階調制御を容易にすることが可能になる、という効果を有する。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。

図１には、本実施形態に係る表示装置１０の概略構成図を示した。この表示装置１０は、ＯＬＥＤを用いた表示パネル１２、第一の走査線駆動回路１４、第二の走査線駆動回路１６、及びデータ線駆動回路２０を含んで構成されている。

表示パネル１２は、Ｎ行Ｍ列分の画素回路２２_１１〜２２_ＮＭを備えている。第一の走査線駆動回路１４と１行目の画素回路２２_１１〜２２_１Ｍとは、第一の走査線Ａｓｃａｎ１により接続されており、第一の走査線駆動回路１４と２行目の画素回路２２_２１〜２２_２Ｍとは、第一の走査線Ａｓｃａｎ２により接続されており、以下同様に、第一の走査線駆動回路１４とＮ行目の画素回路２２_Ｎ１〜２２_ＮＭとは、第一の走査線ＡｓｃａｎＮにより接続されている。

第二の走査線駆動回路１６と１行目の画素回路２２_１１〜２２_１Ｍとは、第二の走査線Ｂｓｃａｎ１により接続されており、第二の走査線駆動回路１６と２行目の画素回路２２_２１〜２２_２Ｍとは、第二の走査線Ｂｓｃａｎ２により接続されており、以下同様に、第二の走査線駆動回路１６とＮ行目の画素回路２２_Ｎ１〜２２_ＮＭとは、第二の走査線ＢｓｃａｎＮにより接続されている。

データ線駆動回路２０と１列目の画素回路２２_１１〜２２_Ｎ１とは、データ線Ｄａｔａ１により接続されており、データ線駆動回路２０と２列目の画素回路２２_１２〜２２_Ｎ２とは、データ線Ｄａｔａ２により接続されており、以下同様に、データ線駆動回路２０とＭ列目の画素回路２２_１Ｍ〜２２_ＮＭとは、データ線ＤａｔａＭにより接続されている。

なお、各画素回路は同一構成であるため、画素回路を特に限定しない場合には、単に画素回路２２と称する。また、データ線、第一の走査線、第二の走査線についても、特に限定しない場合には、それぞれ単にＤａｔａ、Ａｓｃａｎ、Ｂｓｃａｎと称する。

図２には、画素回路２２の回路図を示した。同図に示すように、画素回路２２は、ＯＬＥＤ３０、電流バイパス用スイッチ３２、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂ、充電用スイッチ３６、及びコンデンサ３８を含んで構成されている。

ＯＬＥＤ３０のアノードは、所定の電源Ｖｄｄに接続されており、カソードは、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのドレインに接続されている。高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのドレインは、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのソースに接続されており、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのソースは接地されている。すなわち、ＯＬＥＤ３０のカソードに、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂが直列接続されている。なお、電流駆動能力が低い方の低輝度用駆動トランジスタ３４ＢがＯＬＥＤ３０のカソードに接続される。

電流バイパス用スイッチ３２の一端は、ＯＬＥＤ３０のカソードに接続され、他端は、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａと低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂとの間、すなわち高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのドレイン及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのソースに接続されている。

高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲートは、コンデンサ３８の一端が接続されている。コンデンサ３８の他端は接地されている。コンデンサ３８は、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間電圧を保持する機能を有する。

充電用スイッチ３６の一端は、データ線Ｄａｔａに接続されており、他端は、コンデンサ３８の一端、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲートに接続されている。

データ線Ｄａｔａには、データ線駆動回路２０の図示しない電圧供給回路により、画素回路２２で表示すべき画素の画像データ（輝度値）に応じた電流が出力される。この電圧供給回路は、図示は省略したが、画像データに応じた電圧を出力する電圧源と、ＯＬＥＤ３０を発光させるための所定期間においてオンするスイッチと、を含む構成である。

高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂは、ノーマリオン特性、すなわちゲート−ソース間電圧が０Ｖであってもドレイン電流が流れる特性である、無機酸化物のＴＦＴで構成されている。

図３には、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの特性を示すものとして、ゲート−ソース間電圧とドレイン電流との関係を示す駆動特性の特性図を示した。同図において、実線で示す駆動特性４４Ａが高輝度用駆動トランジスタ３４Ａの特性を示し、一点鎖線で示す駆動特性４４Ｂが低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの特性を示している。

ここで、ＯＬＥＤ３０が最大輝度で発光するときの駆動電流を１μＡ（１×１０^−６Ａ）とすると、駆動特性４４Ａのようなノーマリオン特性の駆動トランジスタのみでＯＬＥＤ３０を駆動しようとした場合、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖでドレイン電流ＩＤが１×１０^−８Ａとなり、ＯＮ／ＯＦＦ比が１００：１となる。このため、ＯＬＥＤ３０のような電流駆動型の発光素子においては、コントラストが低下するだけでなく、階調数も制限されてしまう。

一方、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖにおけるドレイン電流ＩＤを低下させるために、駆動特性４４Ｂのようなノーマリオン特性の駆動トランジスタのみでＯＬＥＤ３０を駆動しようとした場合、高輝度で発光させるために必要な電圧が非常に高くなってしまい、消費電力が増大してしまう。

そこで、本実施形態では、図３に示すように、高階調領域４６Ａにおいては、高輝度用駆動トランジスタ３４ＡによりＯＬＥＤ３０を駆動し、低階調領域４６Ｂにおいては、低輝度用駆動トランジスタ３４ＢによりＯＬＥＤ３０を駆動する。これにより、コントラストの低下や階調数が制限されるのを防ぐことができると共に、消費電力の増大を抑制することができる。

なお、駆動トランジスタのゲート幅をＷ、ゲート長をＬとした場合に、Ｗ／Ｌ比を調整することにより、図３の駆動特性４４Ａのような高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、駆動特性４４Ｂのような低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂを作製することができる。すなわち、Ｗ／Ｌを大きくすると所定のゲート−ソース間電圧に対してドレイン電流が多く流れるトランジスタを作製することができ、Ｗ／Ｌを小さくすると所定のゲート−ソース間電圧に対してドレイン電流が少ないトランジスタを作製することができる。

高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂとして用いるＴＦＴは、例えば非特許文献としての“ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ ９２， １３３５０３ ２００８”に記載された方法により作製することができる。

一方、電流バイパス用スイッチ３２は、本実施形態では、ノーマリオフ型、すなわちゲート−ソース間電圧が０Ｖの場合はドレイン電流が流れない図４に示すような駆動特性のＴＦＴにより構成される。これは、ゲート−ソース間電圧が０Ｖの場合にドレイン電流が流れることによりＯＬＥＤ３０が誤発光するのを防ぐためである。このようなＴＦＴは、例えば非特許文献としての“ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ ９１， ０９１９１０ ２００７”に記載された方法により作製することができる。なお、電流バイパス用スイッチ３２をノーマリオフ型のＴＦＴとすることにより、特性シフトが発生する場合があるが、電流バイパス用スイッチ３２は、単にスイッチとして用いるので、特性シフトが発生してもそのマージンを見込んで適切にオンオフできる範囲で制御すれば特に問題はない。

次に、画素回路２２の具体的な動作について説明する。

図５には、第一の走査線Ａｓｃａｎ、第二の走査線Ｂｓｃａｎ、データ線Ｄａｔａに出力される信号のタイミングチャートを示した。

図５において、ｔ１〜ｔ５までが１フレームの期間であり、本実施形態においては、１フレームを高輝度用駆動トランジスタ３４Ａの駆動期間と低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの駆動期間とに分割して各駆動トランジスタを別々に駆動する。従って、ＯＬＥＤ３０の発光輝度は、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａの駆動期間における発光と低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの駆動期間における発光とを足し合わせた輝度となる。従って、データ線駆動回路２０では、最終的にＯＬＥＤ３０が画像データに応じた輝度で発光するように、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａを駆動するための高輝度用駆動電流と低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂを駆動するための低輝度用駆動電流とに分けて供給する。なお、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａの駆動期間と低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの駆動期間との比は、ＯＬＥＤ３０が良好に発光される比であれば特に限定されるものではない。

まず、ｔ１−ｔ２のデータ出力期間（高輝度用ＴＦＴ書き込み期間）で、データ線駆動回路２０により画像データに応じて定められた高輝度用駆動電流がデータ線Ｄａｔａに出力される。また、これと同期して、第一の走査線駆動回路１４により第一の走査線Ａｓｃａｎがハイレベルとされる。これにより、充電用スイッチ３６がオンし、データ線Ｄａｔａに出力された高輝度用駆動電流が図６（Ａ）に示す経路Ｒ１を流れるため、コンデンサ３８が充電される。

そして、コンデンサ３８が充電され、高輝度用ＴＦＴ書き込み期間が終了すると、ｔ２−ｔ３の駆動トランジスタ駆動期間（高輝度用ＴＦＴ通電期間）では、データ線駆動回路２０からデータ線Ｄａｔａへの画像データの出力がオフされると共に、第一の走査線駆動回路１４により第一の走査線Ａｓｃａｎがローレベルとされ、充電用スイッチ３６がオフする。また、これと同期して、第二の走査線駆動回路１６により第二の走査線Ｂｓｃａｎがハイレベルとされる。これにより、電流バイパス用スイッチ３２がオンし、また、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのゲート−ソース間には、充電されたコンデンサ３８により駆動電圧が印加されているため、図６（Ｂ）に示す経路Ｒ２に電流が流れ、ＯＬＥＤ３０が発光する。ＯＬＥＤ３０は、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのゲート−ソース間電圧に応じた輝度、すなわち高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのドレイン電流に応じた輝度で発光する。なお、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間にも充電されたコンデンサ３８により駆動電圧が印加されているが、電流バイパス用スイッチ３２の方がオン抵抗が低いため、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂがバイパスされることとなる。

高輝度用ＴＦＴ通電期間が終了すると、第二の走査線駆動回路１６により第二の走査線Ｂｓｃａｎがローレベルとされる。

そして、ｔ３−ｔ４の期間（低輝度用ＴＦＴ書き込み期間）で、データ線駆動回路２０により画像データに応じて定められた低輝度用駆動電流がデータ線Ｄａｔａに出力される。また、これと同期して、第一の走査線駆動回路１４により第一の走査線Ａｓｃａｎが再びハイレベルとされる。これにより、充電用スイッチ３６が再びオンし、データ線Ｄａｔａに出力された低輝度用駆動電流が図７（Ａ）に示す経路Ｒ３を流れるため、コンデンサ３８が充電される。

そして、コンデンサ３８が充電され、低輝度用ＴＦＴ書き込み期間が終了すると、ｔ４−ｔ５期間（低輝度用ＴＦＴ通電期間）では、データ線駆動回路２０にからデータ線Ｄａｔａへの画像データの出力がオフされ、第一の走査線駆動回路１４により第一の走査線Ａｓｃａｎがローレベルとされ、充電用スイッチ３６がオフする。また、第二の走査線Ｂｓｃａｎはローレベルとされたままである。

これにより、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間には、充電されたコンデンサ３８により駆動電圧が印加されているため、図７（Ｂ）に示す経路Ｒ４に電流が流れ、ＯＬＥＤ３０が発光する。なお、電流駆動能力が低い低輝度用駆動トランジスタ３４ＢがＯＬＥＤ３０のカソードに接続されているため、ＯＬＥＤ３０を流れる電流は、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂに律速となりＯＬＥＤ３０は、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間電圧に応じた輝度、すなわち低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのドレイン電流に応じた輝度で発光する。

このような処理が１行目の画素回路２２_１１〜２２_１ＭからＮ行目の画素回路２２_Ｎ１〜２２_ＮＭまで順次走査されて実行されることにより、表示パネル１２に画像が表示される。

このように、本実施形態では、ノーマリオン特性の高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂを直列接続すると共に、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂをバイパスする電流バイパス用スイッチ３２を備えた構成とし、高輝度領域と低輝度領域とで各駆動トランジスタを駆動するため、周辺回路を複雑にすることなく、コントラストの低下を抑え、階調制御を容易にすることができる。

なお、本実施形態では、２個の駆動トランジスタを直列接続してＯＬＥＤ３０を発光させる構成について説明したが、３個以上の駆動トランジスタを直列接続してＯＬＥＤ３０を発光させる構成としてもよい。

このような構成の画素回路２２Ａを図８に示した。図８に示す画素回路２２Ａは、３個の電流駆動能力が異なる高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、中輝度用駆動トランジスタ３４Ｃ、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂを、ＯＬＥＤ３０のカソードに直列接続している。なお、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａが最も電流駆動能力が高く、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂが最も電流駆動能力が低い。また、電流バイパス用スイッチ３２Ａが、ＯＬＥＤ３０のカソードと、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａと中輝度用駆動トランジスタ３４Ｃとの間に接続され、電流バイパス用スイッチ３２Ｂが、ＯＬＥＤ３０のカソードと、中輝度用駆動トランジスタ３４Ｃと低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂとの間に接続されている。この場合、図１の表示装置１０に第三の走査線駆動回路をさらに設け、第三の走査線Ｃｓｃａｎを介して電流バイパス用スイッチ３２Ｂを制御する構成とすればよい。

このような構成の場合、高輝度でＯＬＥＤ３０を発光させる場合には、電流バイパス用スイッチ３２Ａのみをオンして高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのみに電流を流し、中輝度でＯＬＥＤ３０を発光させる場合には、電流バイパス用スイッチ３２Ｂのみをオンして中輝度用駆動トランジスタ３４Ｃ及び高輝度用駆動トランジスタ３４Ｂに電流を流し、低輝度でＯＬＥＤ３０を発光させる場合には、電流バイパス用スイッチ３２Ａ、３２Ｂをともにオフして低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂ、中輝度用駆動トランジスタ３４Ｃ、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａに電流を流すようにすればよい。

また、図９に示す画素回路２２Ｂのように、所定の電源ＶｄｄとＯＬＥＤ３０のアノードとの間に表示パネル１２全体を黒表示にする場合にオフし、その他の場合にオンする黒表示用スイッチ４０を設けた構成としてもよい。この場合、図１の表示装置１０に第三の走査線駆動回路をさらに設け、第三の走査線Ｃｓｃａｎを介して黒表示用スイッチ４０を制御する構成とすればよい。

このように、表示パネル１２全体を黒表示にしたい場合、すなわち全てのＯＬＥＤ３０の発光をオフしたい場合には、黒表示用スイッチ４０を全てオフにすることにより、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂによるオフ電流がＯＬＥＤ３０に流れるのをより確実に防止することができる。

表示装置の概略構成図である。 画素回路の回路図である。 ノーマリオン特性の高輝度用駆動トランジスタ及び低輝度用駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧とドレイン電流との関係を示す特性図である。 ノーマリオフ特性の充電用スイッチの特性図である。 第一の走査線Ａｓｃａｎ、第二の走査線Ｂｓｃａｎ、データ線Ｄａｔａのタイミングチャートである。 （Ａ）は充電時の電流の流れについて説明するための図、（Ｂ）は高輝度発光時における電流の流れについて説明するための図である。 （Ａ）は充電時の電流の流れについて説明するための図、（Ｂ）は低輝度発光時における電流の流れについて説明するための図である。 第１の変形例に係る画素回路の回路図である。 第２の変形例に係る画素回路の回路図である。 従来のＯＬＥＤ駆動回路の回路図である。

符号の説明

１０ 表示装置
１２ 表示パネル
１４ 第一の走査線駆動回路
１６ 第二の走査線駆動回路
２０ データ線駆動回路
２２、２２Ｂ、２２Ｃ 画素回路
３２ 電流バイパス用スイッチ
３４Ａ 高輝度用駆動トランジスタ
３４Ｂ 低輝度用駆動トランジスタ
３６ 充電用スイッチ
３８ コンデンサ
４０ 黒表示用スイッチ
Ａｓｃａｎ 第一の走査線
Ｂｓｃａｎ 第二の走査線
Ｄａｔａ データ線

Claims (5)

1. アノードが所定の電源に接続された発光ダイオードと、
   ノーマリオン特性であると共に電流駆動能力が異なり、且つ電流駆動能力の低い順に前記発光ダイオードのカソードに直列接続された複数の駆動トランジスタと、
   一端が前記複数の駆動トランジスタのゲートに各々接続された容量素子と、
   一端が画像データが出力されるデータラインに接続され、他端が前記容量素子の一端及び前記複数の駆動トランジスタのゲートに接続された、前記容量素子の充電用スイッチと、
   一端が前記発光ダイオードのカソードに接続され、他端が隣接する駆動トランジスタの間に接続された、少なくとも一つの電流バイパス用スイッチと、
   を備えた画素回路。
2. 前記発光ダイオードが、有機ＥＬ素子である
   請求項１記載の画素回路。
3. 前記所定の電源と前記発光ダイオードとの間に、黒表示する場合にオフする黒表示用スイッチをさらに備えた
   請求項１又は請求項２記載の画素回路。
4. 複数の前記請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の画素回路と、
   予め定めたフレーム期間のうち前記データラインに画像データが出力されているデータ出力期間に前記充電用スイッチをオンする充電用スイッチ制御手段と、
   前記フレーム期間のうち前記データ出力期間終了後の駆動トランジスタ駆動期間に、前記画像データに応じて前記電流バイパス用スイッチのオンオフを制御する電流バイパス用スイッチ制御手段と、
   を備えた表示装置。
5. 前記フレーム期間が前記複数の駆動トランジスタの個数に応じて分割され、
   前記充電用スイッチ制御手段は、各分割期間の前記データ出力期間に前記充電用スイッチをオンし、
   前記電流バイパス用スイッチ制御手段は、各分割期間の前記データ出力期間終了後の駆動トランジスタ駆動期間に、対応する前記電流バイパス用スイッチをオンする
   請求項４記載の表示装置。

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