JP2010048918A - Electro-optical device and electronic device - Google Patents

Electro-optical device and electronic device Download PDF

Info

Publication number
JP2010048918A
JP2010048918A JP2008211485A JP2008211485A JP2010048918A JP 2010048918 A JP2010048918 A JP 2010048918A JP 2008211485 A JP2008211485 A JP 2008211485A JP 2008211485 A JP2008211485 A JP 2008211485A JP 2010048918 A JP2010048918 A JP 2010048918A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
region
pixel
electro
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008211485A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010048918A5 (en
JP5187067B2 (en
Inventor
Hiroko Yamada
寛子 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008211485A priority Critical patent/JP5187067B2/en
Publication of JP2010048918A publication Critical patent/JP2010048918A/en
Publication of JP2010048918A5 publication Critical patent/JP2010048918A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5187067B2 publication Critical patent/JP5187067B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To display high quality images in an electro-optical device, such as a liquid crystal device by reducing unhardened areas in the sealant, for example, and improve its reliability. <P>SOLUTION: The electro-optical device includes a pair of a first and second panels (10, 20), a plurality of pixel electrodes (9) arranged on the first panel (10) and consisting of transparent conductive materials, a sealant (52) joining the first and second panels each other in the sealing area (52a) around the pixel area (10a) where a plurality of pixel electrodes are arranged, a light shading film (53) provided inside the sealing area at least on one of the first and second panels to determine the perimeter of the pixel area, and a peripheral transparent electric conductive film (60) provided around the pixel area in a certain area of the light shading area (53a) where the light shading film is formed on the first panel and made by patterning the same transparent conductive material as the pixel electrodes simultaneously with the plurality of pixel electrodes. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device, and an electronic apparatus such as a liquid crystal projector including the electro-optical device.

この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、例えば、一対の基板が所定の隙間を介してシール領域において例えば紫外線硬化樹脂等のシール材によって貼り合わされ、これら基板間に液晶が封入される。一方の基板上にはITO(Indium Tin Oxide)膜からなる画素電極が画像表示領域に例えばマトリクス状に配列され、他方の基板上にはITO膜からなる対向電極が画素電極に対向して設けられる。画素電極及び対向電極間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配向状態を変化させることにより画素毎の光の透過率を変化させる。このようにして液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させることで、画像表示領域において画像表示が行われる。   In a liquid crystal device which is an example of this type of electro-optical device, for example, a pair of substrates are bonded together with a sealing material such as an ultraviolet curable resin in a sealing region through a predetermined gap, and liquid crystal is sealed between the substrates. . On one substrate, pixel electrodes made of ITO (Indium Tin Oxide) film are arranged in a matrix, for example, in the image display region, and on the other substrate, a counter electrode made of ITO film is provided facing the pixel electrode. . A voltage based on an image signal is applied to the liquid crystal layer between the pixel electrode and the counter electrode to change the alignment state of the liquid crystal molecules, thereby changing the light transmittance for each pixel. In this way, the image display is performed in the image display region by changing the light passing through the liquid crystal layer according to the image signal.

このような液晶装置では、例えば一方の基板上の積層構造における表面に画素電極の厚みに起因して生じる段差を低減することなどを目的として、一方の基板上の画素電極と同じ層におけるシール領域の一部にITO膜が形成される場合がある。例えば特許文献1によれば、ITO膜をシール領域の一部に重なるように形成することで、耐湿性低下や接着力低下を防ぐことができるとされている。   In such a liquid crystal device, for example, for the purpose of reducing the level difference caused by the thickness of the pixel electrode on the surface of the stacked structure on one substrate, a seal region in the same layer as the pixel electrode on one substrate is used. In some cases, an ITO film is formed on a part of the film. For example, according to Patent Document 1, it is said that by forming the ITO film so as to overlap a part of the seal region, it is possible to prevent a decrease in moisture resistance and a decrease in adhesive strength.

特開2007−10706号公報JP 2007-10706 A

しかしながら、上述したようにシール領域の一部にITO膜が形成される場合には、製造プロセスにおいて、シール材に例えば紫外線等の光を一方の基板側から照射して例えば紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなるシール材を硬化させる際、光の一部がITO膜の表面で反射されてしまうおそれがある。よって、シール材の一部に光が十分に照射されず、該一部が十分に硬化されないまま未硬化部分として残ってしまうおそれがあるという技術的問題点がある。このため、シール材の未硬化部分が画像表示領域に侵入してしまうことにより、表示上の不具合が生じてしまうおそれもあり、装置の信頼性の低下という技術的問題点も生じる。   However, when the ITO film is formed on a part of the seal region as described above, light such as ultraviolet curable resin is irradiated on the seal material from one substrate side in the manufacturing process. When the sealing material made of the curable adhesive material is cured, a part of the light may be reflected on the surface of the ITO film. Therefore, there is a technical problem that a part of the sealing material is not sufficiently irradiated with light, and the part may remain as an uncured part without being sufficiently cured. For this reason, when the uncured portion of the sealing material enters the image display area, there may be a problem in display, and a technical problem of lowering the reliability of the apparatus also occurs.

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えばシール材における未硬化部分を低減でき、高品位な画像を表示可能であると共に信頼性の高い電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of, for example, the above-described problems. For example, an uncured portion in a sealing material can be reduced, a high-quality image can be displayed, and a highly reliable electro-optical device and the electro-optical device It is an object to provide an electronic device including the above.

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第1及び第2基板と、前記第1基板上に配列され、透明導電材料からなる複数の画素電極と、前記複数の画素電極が配列された画素領域の周囲に沿ったシール領域において、前記第1及び第2基板を互いに貼り合わせるシール材と、前記第1及び第2基板の少なくとも一方の基板上における前記シール領域の内周側に設けられ、前記画素領域の周囲を規定する遮光膜と、前記第1基板上における、前記遮光膜が設けられた遮光領域の一部に前記画素領域の周囲に沿って設けられると共に、前記複数の画素電極と同一の透明導電材料から前記複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺透明導電膜とを備える。   In order to solve the above problems, an electro-optical device according to an aspect of the invention includes a pair of first and second substrates, a plurality of pixel electrodes arranged on the first substrate and made of a transparent conductive material, and the plurality of pixel electrodes. In a sealing region along the periphery of the pixel region where the first and second substrates are arranged, a sealing material for bonding the first and second substrates together, and an inner periphery of the sealing region on at least one of the first and second substrates A light-shielding film that is provided on a side and defines a periphery of the pixel region; and a part of the light-shielding region on the first substrate where the light-shielding film is provided along the periphery of the pixel region, and And a peripheral transparent conductive film formed by patterning simultaneously with the plurality of pixel electrodes from the same transparent conductive material as the plurality of pixel electrodes.

本発明の電気光学装置によれば、一対の第1及び第2基板は、画素領域或いは画素アレイ領域(又は、「画像表示領域」とも呼ぶ)の周囲に沿ったシール領域においてシール材によって交互に貼り合わされ、一対の第1及び第2基板間には、例えば液晶等の電気光学物質が挟持されている。第1基板は、例えばガラス基板上に、例えば画素スイッチング用のトランジスタや例えば走査線、データ線等の配線が積層された積層構造を有しており、最上層には例えばNSG(ノンシリケートガラス)或いはシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜が形成される。第2基板は、例えばガラス基板からなる。第1基板上には例えばITO膜等の透明導電材料からなる透明な画素電極が例えばマトリクス状に配列され、第2基板上には例えばITO膜等の透明導電材料からなる対向電極が画素電極に対向して設けられる。画素電極及び対向電極上の各々には、例えばポリイミド等の有機材料或いは例えばシリカ(SiO2)等の無機材料からなる配向膜が設けられ、これら配向膜における表面形状効果により、電気光学装置を動作させない状態で、電気光学物質は一対の第1及び第2基板間で所定の配向状態をとる。電気光学装置の動作時には、画素電極及び対向電極間の電気光学物質に画像信号に基づく電圧が印加され、電気光学物質の配向状態が変化する。このような電気光学物質の配向状態の変化によって画素毎の光の透過率が変化する。これにより電気光学物質を通過する光が画像信号に応じて変化し、画素領域において画像表示が行われる。   According to the electro-optical device of the present invention, the pair of first and second substrates are alternately arranged by the sealing material in the sealing region along the periphery of the pixel region or the pixel array region (or also referred to as “image display region”). An electro-optic material such as liquid crystal is sandwiched between the pair of first and second substrates. The first substrate has a laminated structure in which, for example, a transistor for switching pixels and wirings such as scanning lines and data lines are laminated on a glass substrate, for example, NSG (non-silicate glass) as the uppermost layer. Alternatively, an interlayer insulating film made of a silicon oxide film is formed. The second substrate is made of, for example, a glass substrate. On the first substrate, transparent pixel electrodes made of a transparent conductive material such as an ITO film are arranged in a matrix, for example. On the second substrate, a counter electrode made of a transparent conductive material such as an ITO film is arranged as a pixel electrode. Opposed. An alignment film made of an organic material such as polyimide or an inorganic material such as silica (SiO 2) is provided on each of the pixel electrode and the counter electrode, and the electro-optical device is not operated due to the surface shape effect in these alignment films. In this state, the electro-optical material takes a predetermined alignment state between the pair of first and second substrates. During operation of the electro-optical device, a voltage based on an image signal is applied to the electro-optical material between the pixel electrode and the counter electrode, and the orientation state of the electro-optical material changes. The light transmittance for each pixel changes due to such a change in the orientation state of the electro-optical material. As a result, the light passing through the electro-optical material changes according to the image signal, and image display is performed in the pixel region.

本発明では、第1及び第2基板の少なくとも一方の基板上に設けられた例えばCr(クロム)等からなる遮光膜によって画素領域の周囲(即ち、額縁或いは輪郭)が規定される。言い換えれば、遮光膜は、表示領域としての画素領域の周囲を規定する額縁遮光膜(或いは「周辺見切り膜」とも呼ばれる)として機能する。遮光膜は、画素領域の周囲に沿ったシール領域の内側(即ち、画素領域が位置する側)に、例えば紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなるシール材に対する例えば紫外線照射等の光照射を妨げないための設計マージンを確保しつつ(即ち、シール領域に重ならないように、シール領域との間に所定の間隔を保ちつつ)、例えば所定の幅で、画素領域の周囲を規定するように形成される。   In the present invention, the periphery (that is, the frame or the outline) of the pixel region is defined by a light shielding film made of, for example, Cr (chrome) or the like provided on at least one of the first and second substrates. In other words, the light shielding film functions as a frame light shielding film (also referred to as a “peripheral parting film”) that defines the periphery of the pixel area as the display area. The light-shielding film is irradiated with light such as ultraviolet irradiation on a sealing material made of a photo-curing adhesive material such as ultraviolet curable resin on the inner side of the seal area along the periphery of the pixel area (that is, the side where the pixel area is located). The periphery of the pixel region is defined with a predetermined width, for example, while ensuring a design margin for preventing the interference (that is, maintaining a predetermined distance from the seal region so as not to overlap the seal region). Formed.

本発明では特に、第1基板上における遮光領域の一部に、複数の画素電極と同一の透明導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺透明導電膜が、画素領域の周囲に沿って設けられる。ここで、本発明に係る「遮光領域」は、画素領域の周囲を規定する遮光膜が設けられた領域であり、該遮光膜によって光が遮られる、シール領域の内周側に位置する額縁状の遮光領域である。即ち、周辺透明導電膜は、例えばITO膜等の透明導電材料からなる画素電極と同一種類の透明導電材料からなり、第1基板上における額縁状の遮光領域の一部に、画素領域の周囲に沿って設けられている。周辺透明導電膜は、例えば、複数の画素電極が配列される画素ピッチと同一の配列ピッチで画素領域を囲むように配列される複数の本体部分と、該複数の本体部分のうち互いに隣り合う本体部分間を繋ぐ接続部分とを有するように形成されると共に、典型的には、所定電位(例えば、接地電位や、対向電極に供給される電位(即ち対向電極電位)と同一の電位)に保持される。   Particularly in the present invention, a peripheral transparent conductive film formed by patterning simultaneously with a plurality of pixel electrodes from the same transparent conductive material as the plurality of pixel electrodes is formed in a part of the light shielding region on the first substrate. It is provided along. Here, the “light-shielding region” according to the present invention is a region provided with a light-shielding film that defines the periphery of the pixel region, and has a frame shape located on the inner peripheral side of the seal region where light is shielded by the light-shielding film. This is a light shielding region. That is, the peripheral transparent conductive film is made of the same type of transparent conductive material as the pixel electrode made of a transparent conductive material such as an ITO film, for example, on a part of the frame-shaped light shielding region on the first substrate, around the pixel region. It is provided along. The peripheral transparent conductive film includes, for example, a plurality of main body portions arranged so as to surround a pixel region at the same arrangement pitch as a pixel pitch in which a plurality of pixel electrodes are arranged, and main bodies adjacent to each other among the plurality of main body portions. And is typically held at a predetermined potential (for example, the same potential as the ground potential or the potential supplied to the counter electrode (ie, the counter electrode potential)). Is done.

よって、製造プロセスにおいて、周辺透明導電膜に起因してシール材の一部が十分に硬化されないまま残ってしまうことを回避できる。即ち、本発明では特に、周辺透明導電膜は、シール領域の内周側に位置する遮光領域の一部に設けられており、シール領域には設けられていない。従って、製造プロセスにおいて、シール材に光を第1基板側から照射して光硬化型接着材料からなるシール材を硬化させる際、光の一部が周辺透明導電膜の表面で反射されることによりシール材の一部に光が十分に照射されないために該一部が十分に硬化されないまま未硬化部分として残ってしまうという事態を回避できる。この結果、シール材の未硬化部分が画素領域に侵入してしまうことにより、表示上の不具合が生じてしまうことを防止でき、装置の信頼性を向上させることができる。   Therefore, in the manufacturing process, it can be avoided that a part of the sealing material is left uncured due to the peripheral transparent conductive film. That is, in the present invention, in particular, the peripheral transparent conductive film is provided in a part of the light shielding region located on the inner peripheral side of the seal region, and is not provided in the seal region. Therefore, in the manufacturing process, when the seal material is irradiated with light from the first substrate side to cure the seal material made of the photocurable adhesive material, a part of the light is reflected on the surface of the peripheral transparent conductive film. Since a part of the sealing material is not sufficiently irradiated with light, it is possible to avoid a situation in which the part remains as an uncured part without being sufficiently cured. As a result, it is possible to prevent a display problem from occurring due to the uncured portion of the sealing material entering the pixel region, and the reliability of the device can be improved.

更に、周辺透明導電膜が所定電位に保持されるように構成すれば、画素領域における周囲側に配列された画素電極(言い換えれば、画素領域の縁付近に配置された画素電極)に対して、画素領域の周辺から電磁的な悪影響が及ぶことを低減できる。即ち、周辺透明導電膜は、画素領域における周囲側に配列された画素電極に対する電磁的な悪影響を低減或いは防止する電磁的なシールドとして機能することができる。よって、画素領域の周辺からの電磁的な悪影響に起因して生ずる、画素領域の周囲における表示上の不具合(例えば表示ムラ)を殆ど或いは実践上完全に無くすことができる。   Further, if the peripheral transparent conductive film is configured to be held at a predetermined potential, the pixel electrode arranged on the peripheral side in the pixel region (in other words, the pixel electrode arranged near the edge of the pixel region) It is possible to reduce the adverse electromagnetic influence from the periphery of the pixel region. That is, the peripheral transparent conductive film can function as an electromagnetic shield that reduces or prevents an electromagnetic adverse effect on the pixel electrodes arranged on the peripheral side in the pixel region. Therefore, display defects (for example, display unevenness) around the pixel region caused by electromagnetic adverse effects from the periphery of the pixel region can be almost or completely eliminated in practice.

加えて、周辺透明導電膜が、第1基板上における遮光領域の一部に、画素領域の周囲に沿って設けられることにより、第1基板表面と画素電極表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺透明導電膜が形成された領域(即ち、表示に寄与しない遮光領域の一部)に残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画素領域内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。   In addition, the peripheral transparent conductive film is provided in a part of the light-shielding region on the first substrate along the periphery of the pixel region, so that a rubbing process is caused due to a step between the surface of the first substrate and the surface of the pixel electrode. Rabbits such as rubbing cloth abrasion powder, which can sometimes be generated, can easily remain in the region where the peripheral transparent conductive film is formed (that is, a part of the light shielding region that does not contribute to display). That is, it is possible to reduce or prevent the rabbet from remaining in the pixel region and adversely affecting the image display.

更に加えて、周辺透明導電膜は、上述したように、複数の画素電極と同一の透明導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成されるので、第1基板上における積層構造の複雑化や製造工程の複雑化を招かない。   In addition, as described above, since the peripheral transparent conductive film is formed by patterning simultaneously with the plurality of pixel electrodes from the same transparent conductive material as the plurality of pixel electrodes, the laminated structure on the first substrate is complicated. And the manufacturing process is not complicated.

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、例えばシール材における未硬化部分を低減でき、高品位な画像を表示することが可能となると共に、装置の信頼性を向上させることができる。   As described above, according to the electro-optical device of the present invention, for example, an uncured portion in the sealing material can be reduced, a high-quality image can be displayed, and the reliability of the device can be improved. it can.

本発明の電気光学装置の一態様では、前記周辺透明導電膜は、所定電位に保持される。   In one aspect of the electro-optical device of the present invention, the peripheral transparent conductive film is held at a predetermined potential.

この態様によれば、周辺透明導電膜を、画素領域における周囲側に配列された画素電極に対する電磁的な悪影響を低減或いは防止する電磁的なシールドとして、より確実に機能させることができる。ここで「所定電位」は、画像データの内容によらずに少なくとも所定期間ずつ固定された電位を意味する。例えば、接地電位或いはグランド電位の如く、時間軸に対して完全に一定電位に固定された電位であってもよい。或いは、対向電極に供給される対向電極電位の如く、例えば画像信号に係る奇数フィールド期間で第1の固定電位に固定されると共に偶数フィールド期間で第2の固定電位に固定されるというように、時間軸に対して一定期間ずつ一定電位に固定された電位であってもよい。   According to this aspect, the peripheral transparent conductive film can be functioned more reliably as an electromagnetic shield that reduces or prevents electromagnetic adverse effects on the pixel electrodes arranged on the peripheral side in the pixel region. Here, the “predetermined potential” means a potential that is fixed at least for a predetermined period regardless of the content of the image data. For example, a potential that is completely fixed at a constant potential with respect to the time axis, such as a ground potential or a ground potential, may be used. Alternatively, like the counter electrode potential supplied to the counter electrode, for example, it is fixed to the first fixed potential in the odd field period related to the image signal and fixed to the second fixed potential in the even field period. The potential may be fixed at a constant potential for a certain period of time with respect to the time axis.

上述した周辺透明導電膜が所定電位に保持される態様では、前記第1基板上における前記周辺透明導電膜より層間絶縁膜を介して下層側に配置され、前記周辺透明導電膜と前記第1基板上で平面的に見て重なる部分を有すると共に前記所定電位が供給される定電位線を備え、前記周辺透明導電膜は、前記定電位線と前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてもよい。   In the aspect in which the above-described peripheral transparent conductive film is maintained at a predetermined potential, the peripheral transparent conductive film and the first substrate are disposed on a lower layer side through an interlayer insulating film than the peripheral transparent conductive film on the first substrate. The peripheral transparent conductive film includes a constant potential line that has a portion overlapping in plan view and is supplied with the predetermined potential, and the peripheral transparent conductive film is connected to the constant potential line and a contact hole formed in the interlayer insulating film. And may be electrically connected.

この場合には、周辺透明導電膜は、コンタクトホールを介して定電位線と電気的に接続されることにより、所定電位に保持される。よって、周辺透明導電膜を電磁的なシールドとして確実に機能させることができる。   In this case, the peripheral transparent conductive film is held at a predetermined potential by being electrically connected to the constant potential line through the contact hole. Therefore, the peripheral transparent conductive film can function reliably as an electromagnetic shield.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記第1基板上で平面的に見て、前記シール領域と所定幅の間隙を隔てて配置される。   In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the light-shielding film is disposed on the first substrate with a gap having a predetermined width as viewed in plan.

この態様によれば、光硬化型接着材料からなるシール材に対する光照射が遮光膜や周辺透明導電膜によって妨げられるのを低減或いは防止でき、シール材における未硬化部分をより一層確実に低減できる。即ち、この態様によれば、シール材に対して光を照射する際、シール材が設けられたシール領域と遮光膜が設けられた遮光領域との間の所定幅の間隙を介して、シール材の側面側からも光を十分に照射することが可能となり、シール材における未硬化部分をより一層確実に低減できる。   According to this aspect, it can reduce or prevent that the light irradiation with respect to the sealing material which consists of a photocurable adhesive material is prevented by the light shielding film or a surrounding transparent conductive film, and can reduce the uncured part in a sealing material still more reliably. That is, according to this aspect, when irradiating light to the sealing material, the sealing material is interposed through a gap having a predetermined width between the sealing region provided with the sealing material and the light shielding region provided with the light shielding film. It is possible to sufficiently irradiate light also from the side surface side, and the uncured portion in the sealing material can be more reliably reduced.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第1及び第2基板間に挟持された電気光学物質と、前記複数の画素電極上に無機材料から形成され、前記電気光学物質の配向状態を規制する配向膜とを備える。   In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the electro-optical material sandwiched between the first and second substrates and an inorganic material formed on the plurality of pixel electrodes, the orientation state of the electro-optical material is changed. And an alignment film to be regulated.

この態様によれば、配向膜が無機材料から形成されるので、仮に配向膜が例えばポリイミド等の有機材料からなる場合には必要となるラビング処理が不要であり、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、画素領域内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまう事態を回避できる。   According to this aspect, since the alignment film is formed from an inorganic material, if the alignment film is made of an organic material such as polyimide, a rubbing treatment that is necessary is unnecessary. Rabbi can be avoided from remaining in the pixel region and adversely affecting the image display.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様も含む)を具備する。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention (including various aspects thereof).

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。   According to the electronic apparatus of the present invention, since the electro-optical device of the present invention described above is provided, a projection display device, a television, a mobile phone, an electronic notebook, and a word processor capable of performing high-quality image display. Various electronic devices such as a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized.

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。   The operation and other advantages of the present invention will become apparent from the best mode for carrying out the invention described below.

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図7を参照して説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a drive circuit built-in TFT (Thin Film Transistor) active matrix drive type liquid crystal device, which is an example of the electro-optical device of the present invention, is taken as an example.
<First Embodiment>
The liquid crystal device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図2は、図1のH−H’線断面図である。   First, the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the liquid crystal device according to this embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line H-H ′ of FIG. 1.

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域52aに設けられたシール材52により相互に接着されている。シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射等の光照射により硬化させられたものである。   1 and 2, in the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are arranged to face each other. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are surrounded by an image display region 10a as an example of the “pixel region” according to the present invention. They are bonded to each other by a sealing material 52 provided in a sealing region 52a located in the area. The sealing material 52 is made of a photo-curing adhesive material such as an ultraviolet curable resin for bonding the two substrates, and after being applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process, it is cured by light irradiation such as ultraviolet irradiation. It is what was done.

図1において、シール材52が配置されたシール領域52aの内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域53aを規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。尚、額縁遮光膜53は、本発明に係る「遮光膜」の一例であり、額縁領域53aは、本発明に係る「遮光領域」の一例である。   In FIG. 1, a light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area 53a of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area 52a in which the sealing material 52 is disposed. . The frame light shielding film 53 is an example of the “light shielding film” according to the present invention, and the frame region 53a is an example of the “light shielding region” according to the present invention.

シール材52が配置されたシール領域52aの外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域52aの内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。   A data line driving circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in a region located outside the sealing region 52 a where the sealing material 52 is disposed. Further, the scanning line driving circuit 104 is provided so as to be covered with the frame light shielding film 53 inside the seal region 52 a along two sides adjacent to the one side. On the TFT array substrate 10, vertical conduction terminals 106 for connecting the two substrates with the vertical conduction material 107 are arranged in regions facing the four corner portions of the counter substrate 20. Thus, electrical conduction can be established between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

TFTアレイ基板10上には、外部回路接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。   On the TFT array substrate 10, a lead wiring 90 is formed for electrically connecting the external circuit connection terminal 102 to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, the vertical conduction terminal 106, and the like. .

図2において、TFTアレイ基板10上には、駆動素子である画素スイッチング用のTFT30(図3参照)や走査線11(図3参照)、データ線6(図3参照)等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域10aには、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極9がマトリクス状に設けられている。画素電極9上には、例えばポリイミド等の有機材料からなる配向膜16が画素電極9を覆うように形成されている。配向膜16は、ラビング処理が施されており、電圧無印加時の液晶分子の配列を揃える機能を有している。尚、配向膜16は、例えばシリカ(SiO2)等の無機材料から形成されてもよい。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, wirings such as a pixel switching TFT 30 (see FIG. 3), a scanning line 11 (see FIG. 3), a data line 6 (see FIG. 3), which are driving elements, are formed. A laminated structure is formed. In the image display area 10a, pixel electrodes 9 are provided in a matrix form on the upper layer of wiring such as pixel switching TFTs, scanning lines, and data lines. On the pixel electrode 9, an alignment film 16 made of an organic material such as polyimide is formed so as to cover the pixel electrode 9. The alignment film 16 is rubbed and has a function of aligning the alignment of liquid crystal molecules when no voltage is applied. The alignment film 16 may be formed of an inorganic material such as silica (SiO 2).

他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上に、ITO等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極9と対向してベタ状に形成されている。対向電極21上には、例えばポリイミド等の有機材料からなる配向膜22が形成されている。尚、配向膜22は、例えばシリカ(SiO2)等の無機材料から形成されてもよい。   On the other hand, a light shielding film 23 is formed on the surface of the counter substrate 20 facing the TFT array substrate 10. The light shielding film 23 is formed of, for example, a light shielding metal film or the like, and is patterned, for example, in a lattice shape in the image display region 10a on the counter substrate 20. A counter electrode 21 made of a transparent material such as ITO is formed in a solid shape on the light shielding film 23 so as to face the plurality of pixel electrodes 9. On the counter electrode 21, an alignment film 22 made of an organic material such as polyimide is formed. The alignment film 22 may be formed of an inorganic material such as silica (SiO2).

また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。   Further, the liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.

尚、ここでは図示しないが、本実施形態では、図4から図7を参照して後に説明するように、TFTアレイ基板10上における額縁領域53aには、画素電極9及びTFT30を含んでなる画素部を模擬するために画素部と同様の構造を有するダミー画素部や、画素電極9と同一の透明導電材料から画素電極9と同時にパターニングして形成された周辺透明導電膜60が設けられている。   Although not shown here, in this embodiment, as will be described later with reference to FIGS. 4 to 7, the frame region 53 a on the TFT array substrate 10 includes a pixel electrode 9 and a TFT 30. In order to simulate the portion, a dummy pixel portion having the same structure as the pixel portion and a peripheral transparent conductive film 60 formed by patterning simultaneously with the pixel electrode 9 from the same transparent conductive material as the pixel electrode 9 are provided. .

尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。   Although not shown here, on the TFT array substrate 10, in addition to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, a sampling circuit for sampling the image signal on the image signal line and supplying it to the data line, A precharge circuit for supplying a precharge signal of a predetermined voltage level to the data line in advance of the image signal, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, etc. of the liquid crystal device during manufacture or at the time of shipment, and an inspection pattern Etc. may be formed.

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図3を参照して説明する。ここに図3は、本実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。   Next, an electrical configuration of the pixel portion of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a plurality of pixel portions of the liquid crystal device according to this embodiment.

図3において、本実施形態に係る液晶装置100の画像表示領域10aには、複数の画素部500がマトリクス状に配列されている。複数の画素部500には、それぞれ、画素電極9と該画素電極9をスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線6がTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6に書き込む画像信号VS1、VS2、…、VSnは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線6同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。   In FIG. 3, a plurality of pixel portions 500 are arranged in a matrix in the image display region 10a of the liquid crystal device 100 according to the present embodiment. Each of the plurality of pixel portions 500 includes a pixel electrode 9 and a TFT 30 for controlling the switching of the pixel electrode 9, and the data line 6 to which an image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. Has been. The image signals VS1, VS2,..., VSn to be written to the data lines 6 may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each of a plurality of data lines 6 adjacent to each other. Good.

また、TFT30のゲートに走査線11が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線11にパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号VS1、VS2、…、VSnを所定のタイミングで書き込む。   Further, the scanning line 11 is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to the scanning line 11 in a pulse-sequential manner in this order at a predetermined timing. It is configured. The pixel electrode 9 is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal VS1, VS2,..., VSn supplied from the data line 6a is obtained by closing the switch of the TFT 30 serving as a switching element for a certain period. Write at a predetermined timing.

画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号VS1、VS2、…、VSnは、対向基板20(図2参照)に形成された対向電極21(図2参照)との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。   Image signals VS1, VS2,..., VSn written to the liquid crystal via the pixel electrode 9 are constant between the counter electrode 21 (see FIG. 2) formed on the counter substrate 20 (see FIG. 2). Hold for a period. The liquid crystal modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The light transmittance is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the liquid crystal device as a whole.

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9と対向電極21との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9と並列してTFT30のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、容量配線400に電気的に接続されている。本実施形態では、容量配線400は、画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域に延設されており、図1を参照して上述した引回配線90に含まれる、上下導通端子106を介して対向電極21に対向電極電位を供給するための対向電極電位線に電気的に接続されている。   In order to prevent the image signal held here from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9 and the counter electrode 21. One electrode of the storage capacitor 70 is electrically connected to the drain of the TFT 30 in parallel with the pixel electrode 9, and the other electrode is electrically connected to the capacitor wiring 400. In the present embodiment, the capacitor wiring 400 is extended to a peripheral region located around the image display region 10a, and is connected via the vertical conduction terminal 106 included in the routing wiring 90 described above with reference to FIG. The counter electrode 21 is electrically connected to a counter electrode potential line for supplying a counter electrode potential.

次に、本実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜について、図4から図7を参照して説明する。   Next, the peripheral transparent conductive film of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図4は、図1に示したC1部分における、本実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜の概略構成を示す平面図である。図5は、本実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜が形成される領域を示す模式図である。   FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of the peripheral transparent conductive film of the liquid crystal device according to the present embodiment in the C1 portion shown in FIG. FIG. 5 is a schematic diagram showing a region where the peripheral transparent conductive film of the liquid crystal device according to the present embodiment is formed.

図4に示すように、本実施形態では特に、TFTアレイ基板10上における額縁領域53aの一部に、複数の画素電極9と同一の透明導電材料(即ち、ITO膜)から複数の画素電極9と同時にパターニングされることにより形成された周辺透明導電膜60が、画像表示領域10aの周囲に沿って設けられている。尚、周辺透明導電膜60は、図6を参照して後述するように本体部分61及び接続部分62を有するが、図4では、説明の便宜上、周辺透明導電膜60の本体部分のみを図示し、接続部分については図示を省略している。   As shown in FIG. 4, in this embodiment, in particular, a plurality of pixel electrodes 9 are formed on a part of the frame region 53 a on the TFT array substrate 10 from the same transparent conductive material (that is, ITO film) as the plurality of pixel electrodes 9. At the same time, a peripheral transparent conductive film 60 formed by patterning is provided along the periphery of the image display region 10a. The peripheral transparent conductive film 60 has a main body portion 61 and a connection portion 62 as will be described later with reference to FIG. 6, but FIG. 4 shows only the main body portion of the peripheral transparent conductive film 60 for convenience of explanation. The connection portion is not shown.

より具体的には、図4及び図5において、周辺透明導電膜60は、額縁領域53aのうち、ダミー画素電極9dを含むダミー画素部が設けられている、画像表示領域10aの周囲に沿うダミー画素領域53a1よりも外側(即ちシール領域52a側)に位置する領域53a2に、画像表示領域10aを囲むように形成されている。ここで、ダミー画素部は、図3を参照して上述した画素電極9を含む画素部500と同様に構成されている。即ち、ダミー画素部は、(i)画素電極9と同一膜から形成される(即ち、画素電極9と同一の透明導電材料から画素電極9と同時にパターニングされることにより形成される)と共に画素電極9が配列された配列ピッチ(即ち、画素ピッチ)と同一の配列ピッチで配列されたダミー画素電極9dと、(ii)TFT30と同一の積層構造を有しており、ダミー電極9dをスイッチング制御するためのTFTと、(iii)該TFT及びダミー画素電極9dに電気的に接続されると共に蓄積容量70と同一の積層構造を有する蓄積容量とを含んで構成されている。   More specifically, in FIGS. 4 and 5, the peripheral transparent conductive film 60 is a dummy along the periphery of the image display region 10a in which the dummy pixel portion including the dummy pixel electrode 9d is provided in the frame region 53a. An area 53a2 located outside the pixel area 53a1 (that is, on the seal area 52a side) is formed so as to surround the image display area 10a. Here, the dummy pixel portion is configured in the same manner as the pixel portion 500 including the pixel electrode 9 described above with reference to FIG. That is, the dummy pixel portion (i) is formed from the same film as the pixel electrode 9 (that is, formed by patterning simultaneously with the pixel electrode 9 from the same transparent conductive material as the pixel electrode 9) and the pixel electrode. 9 has dummy pixel electrodes 9d arranged at the same arrangement pitch as the arrangement pitch (that is, pixel pitch) 9 and (ii) the same stacked structure as the TFT 30, and controls the switching of the dummy electrodes 9d. And (iii) a storage capacitor that is electrically connected to the TFT and the dummy pixel electrode 9 d and has the same stacked structure as the storage capacitor 70.

図6は、本実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜の平面パターンを示す平面図である。図7は、図4のA−A’線断面図である。   FIG. 6 is a plan view showing a planar pattern of the peripheral transparent conductive film of the liquid crystal device according to this embodiment. 7 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 4.

図6に示すように、周辺透明導電膜60は、複数の画素電極9が配列される画素ピッチと同一の配列ピッチで画像表示領域10aを囲むように配列される複数の本体部分61と、該複数の本体部分61のうち互いに隣り合う本体部分61間を繋ぐ接続部分62とを有している。   As shown in FIG. 6, the peripheral transparent conductive film 60 includes a plurality of body portions 61 arranged so as to surround the image display region 10a at the same arrangement pitch as the pixel pitch in which the plurality of pixel electrodes 9 are arranged, It has the connection part 62 which connects between the mutually adjacent main body parts 61 among the several main body parts 61. FIG.

図4及び図7において、額縁領域53aのうち、ダミー画素領域53a1よりも外側に位置する領域53a2には、定電位線710が形成されている。定電位線710は、図3を参照して上述した容量配線400と電気的に接続されており(言い換えれば、対向電極電位線と電気的に接続されており)、対向電極電位に維持される。定電位線710は、周辺透明導電膜60より層間絶縁膜44を介して下層側に配置されている(図7では、TFTアレイ基板10上におけるTFT30等よりも上層側に配置された層間絶縁膜43上に形成されている)。   4 and 7, a constant potential line 710 is formed in a region 53a2 located outside the dummy pixel region 53a1 in the frame region 53a. The constant potential line 710 is electrically connected to the capacitor wiring 400 described above with reference to FIG. 3 (in other words, electrically connected to the counter electrode potential line), and is maintained at the counter electrode potential. . The constant potential line 710 is disposed on the lower layer side than the peripheral transparent conductive film 60 via the interlayer insulating film 44 (in FIG. 7, the interlayer insulating film disposed on the upper layer side than the TFT 30 and the like on the TFT array substrate 10). 43).

周辺透明導電膜60は、定電位線710と、層間絶縁膜44に開孔されたコンタクトホール81を介して電気的に接続されており、本発明に係る「所定電位」の一例としての対向電極電位に保持されている。   The peripheral transparent conductive film 60 is electrically connected to the constant potential line 710 through a contact hole 81 opened in the interlayer insulating film 44, and is a counter electrode as an example of the “predetermined potential” according to the present invention. It is held at a potential.

ここで特に、周辺透明導電膜60は、上述したようにシール領域52aの内周側に位置する額縁領域53aの一部である領域53a2に設けられており、シール領域52aには設けられていない。従って、製造プロセスにおいて、シール材52に紫外線等の光をTFTアレイ基板10側から照射して紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなるシール材を硬化させる際、光の一部が周辺透明導電膜60の表面で反射されることによりシール材52の一部に光が十分に照射されないために該一部が十分に硬化されないまま未硬化部分として残ってしまうという事態を回避できる。この結果、シール材52の未硬化部分が画像表示領域10aに侵入してしまうことにより、表示上の不具合が生じてしまうことを防止でき、装置の信頼性を向上させることができる。   In particular, the peripheral transparent conductive film 60 is provided in the region 53a2 which is a part of the frame region 53a located on the inner peripheral side of the seal region 52a as described above, and is not provided in the seal region 52a. . Therefore, in the manufacturing process, when the sealing material 52 is irradiated with light such as ultraviolet rays from the TFT array substrate 10 side to cure the sealing material made of a photo-curing adhesive material such as ultraviolet curable resin, part of the light is transparent in the periphery. By reflecting on the surface of the conductive film 60, a part of the sealing material 52 is not sufficiently irradiated with light, so that it is possible to avoid a situation in which the part remains uncured without being sufficiently cured. As a result, it is possible to prevent a display defect from occurring due to the uncured portion of the sealing material 52 entering the image display region 10a, and the reliability of the apparatus can be improved.

更に、本実施形態では特に、周辺透明導電膜60は、上述したように、定電位線710と電気的に接続されており、対向電極電位に保持されている。よって、画像表示領域10aにおける周囲側に配列された画素電極9(及びダミー画素電極9d)に対して、額縁領域53aよりも外側から電磁的な悪影響が及ぶことを低減できる。即ち、周辺透明導電膜60は、画像表示領域10aにおける周囲側に配列された画素電極9に対する電磁的な悪影響を低減或いは防止する電磁的なシールドとして機能することができる。よって、画像表示領域10aの周辺(具体的には、額縁領域53aよりも外側)からの電磁的な悪影響に起因して生ずる、画像表示領域10aの周囲における表示上の不具合(例えば表示ムラ)を殆ど或いは実践上完全に無くすことができる。この結果、本実施形態に係る液晶装置100によれば、高品位な画像を表示することが可能となる。   Further, particularly in the present embodiment, the peripheral transparent conductive film 60 is electrically connected to the constant potential line 710 and held at the counter electrode potential as described above. Therefore, it is possible to reduce the adverse electromagnetic influence from the outside of the frame region 53a on the pixel electrodes 9 (and the dummy pixel electrodes 9d) arranged on the peripheral side in the image display region 10a. That is, the peripheral transparent conductive film 60 can function as an electromagnetic shield that reduces or prevents an electromagnetic adverse effect on the pixel electrodes 9 arranged on the peripheral side in the image display region 10a. Therefore, display defects (for example, display unevenness) around the image display area 10a caused by electromagnetic adverse effects from the periphery of the image display area 10a (specifically, outside the frame area 53a). Can be eliminated almost or completely in practice. As a result, according to the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, it is possible to display a high-quality image.

加えて、本実施形態では特に、周辺透明導電膜60が、TFTアレイ基板10上における額縁領域53aの一部である領域53a2に、画像表示領域10aの周囲に沿って設けられているので、TFTアレイ基板10の表面と画素電極9の表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺透明導電膜60が形成された領域53a2(即ち、表示に寄与しない遮光領域である額縁領域53aの一部)に残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画像表示領域10a内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。   In addition, particularly in the present embodiment, the peripheral transparent conductive film 60 is provided in the region 53a2 which is a part of the frame region 53a on the TFT array substrate 10 along the periphery of the image display region 10a. A region 53a2 in which the peripheral transparent conductive film 60 is formed (that is, rubbish debris such as abrasion powder of a rubbing cloth, which may occur during the rubbing process due to a step between the surface of the array substrate 10 and the surface of the pixel electrode 9 (that is, It can easily remain in a part of the frame area 53a which is a light shielding area that does not contribute to display. That is, it is possible to reduce or prevent the rabbi from remaining in the image display area 10a and adversely affecting the image display.

更に加えて、本実施形態では特に、周辺透明導電膜60は、上述したように、複数の画素電極9と同一の透明導電材料から複数の画素電極9と同時にパターニングして形成されるので、TFTアレイ基板10上における積層構造の複雑化や製造工程の複雑化を招かない。   In addition, particularly in the present embodiment, the peripheral transparent conductive film 60 is formed by patterning simultaneously with the plurality of pixel electrodes 9 from the same transparent conductive material as the plurality of pixel electrodes 9, as described above. There is no complication of the laminated structure on the array substrate 10 or complicated manufacturing process.

図4及び図5において、本実施形態では特に、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、額縁領域53a及びシール領域52aは、所定幅d1を有する間隙領域610aを隔てて配置されている。言い換えれば、額縁遮光膜53(図1及び図2参照)は、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、シール領域52aと所定幅d1の間隙を隔てて配置されている。   4 and 5, particularly in the present embodiment, the frame region 53a and the seal region 52a are disposed across a gap region 610a having a predetermined width d1 when viewed in plan on the TFT array substrate 10. In other words, the frame light-shielding film 53 (see FIGS. 1 and 2) is disposed with a gap between the seal region 52a and the predetermined width d1 when viewed in plan on the TFT array substrate 10.

よって、光硬化型接着材料からなるシール材52に対する光照射が額縁遮光膜53によって妨げられるのを低減或いは防止できる。更に、額縁領域53aの一部である領域53a2に設けられた周辺透明導電膜60によって、シール材52に対する光照射が妨げられるのを低減或いは防止できる。従って、シール材52における未硬化部分をより一層確実に低減できる。即ち、シール材52に対して光を照射する際、シール材52が設けられたシール領域52aと額縁遮光膜53が設けられた額縁領域53a(言い換えれば、周辺透明導電膜60が設けられた領域53a2)との間の所定幅d1の間隙を介して、シール材52の側面側からも光を十分に照射することが可能となり、シール材52における未硬化部分をより一層確実に低減できる。   Therefore, it is possible to reduce or prevent the light irradiation to the sealing material 52 made of the photocurable adhesive material from being hindered by the frame light shielding film 53. Furthermore, it is possible to reduce or prevent light irradiation on the sealing material 52 from being hindered by the peripheral transparent conductive film 60 provided in the region 53a2 which is a part of the frame region 53a. Therefore, the uncured portion in the sealing material 52 can be more reliably reduced. That is, when the sealing material 52 is irradiated with light, the sealing region 52a provided with the sealing material 52 and the frame region 53a provided with the frame light shielding film 53 (in other words, the region provided with the peripheral transparent conductive film 60). 53a2) through the gap of the predetermined width d1 can sufficiently irradiate light from the side surface side of the sealing material 52, and the uncured portion of the sealing material 52 can be further reliably reduced.

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置100によれば、高品位な画像を表示することが可能となると共に、装置の信頼性を向上させることができる。   As described above, according to the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, a high-quality image can be displayed and the reliability of the device can be improved.

尚、本実施形態では、配向膜16及び22(図2参照)が、例えばポリイミド等の有機材料からなる有機配向膜として構成される場合を例に挙げて説明したが、配向膜16及び22は、例えばシリカ(SiO2)等の無機材料から例えば斜方蒸着法等によって形成された無機配向膜として構成されてもよい。この場合には、配向膜に対するラビング処理が不要であり、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、画像表示領域10a内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまう事態を回避できる。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、上述した液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて、図8を参照して説明する。ここに図8は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
In this embodiment, the alignment films 16 and 22 (see FIG. 2) are described as an example of an organic alignment film made of an organic material such as polyimide. However, the alignment films 16 and 22 are For example, it may be configured as an inorganic alignment film formed from an inorganic material such as silica (SiO 2) by, for example, oblique deposition. In this case, the rubbing process for the alignment film is not required, and for example, the rubbing residue such as the abrasion powder of the rubbing cloth remains in the image display area 10a, and the situation in which the image display is adversely affected can be avoided.
<Electronic equipment>
Next, the case where the liquid crystal device which is the above-described electro-optical device is applied to various electronic devices will be described. Here, a projector using the above-described liquid crystal device as a light valve will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a plan view showing a configuration example of the projector.

図8に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110B及び1110Gに入射される。   As shown in FIG. 8, a projector 1100 includes a lamp unit 1102 made of a white light source such as a halogen lamp. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged in the light guide 1104, and serves as a light valve corresponding to each primary color. The light enters the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G.

液晶パネル1110R、1110B及び1110Gの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、R及びBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。   The configurations of the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G are the same as those of the liquid crystal device described above, and are driven by R, G, and B primary color signals supplied from the image signal processing circuit. The light modulated by these liquid crystal panels enters the dichroic prism 1112 from three directions. In the dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light travels straight. Therefore, as a result of the synthesis of the images of the respective colors, a color image is projected onto the screen or the like via the projection lens 1114.

ここで、各液晶パネル1110R、1110B及び1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110Gによる表示像は、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。   Here, paying attention to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G, the display image by the liquid crystal panel 1110G needs to be horizontally reversed with respect to the display images by the liquid crystal panels 1110R and 1110B.

尚、液晶パネル1110R、1110B及び1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。   In addition, since light corresponding to each primary color of R, G, and B is incident on the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G by the dichroic mirror 1108, it is not necessary to provide a color filter.

尚、図8を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。   In addition to the electronic device described with reference to FIG. 8, a mobile personal computer, a mobile phone, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, and an electronic notebook , Calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices with touch panels, and the like. Needless to say, the present invention can be applied to these various electronic devices.

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置(LCOS)、プラズマディスプレイ(PDP)、電界放出型ディスプレイ(FED、SED)、有機ELディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、電気泳動装置等にも適用可能である。   In addition to the liquid crystal device described in the above embodiment, the present invention also includes a reflective liquid crystal device (LCOS) in which elements are formed on a silicon substrate, a plasma display (PDP), a field emission display (FED, SED), The present invention can also be applied to an organic EL display, a digital micromirror device (DMD), an electrophoresis apparatus, and the like.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change. In addition, an electronic apparatus including the electro-optical device is also included in the technical scope of the present invention.

第1実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment. 図1のH−H’線断面図である。It is the H-H 'sectional view taken on the line of FIG. 第1実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。3 is an equivalent circuit diagram of a plurality of pixel units of the liquid crystal device according to the first embodiment. FIG. 第1実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the peripheral transparent conductive film of the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜が形成される領域を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the area | region in which the peripheral transparent conductive film of the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment is formed. 第1実施形態に係る液晶装置の周辺透明導電膜の平面パターンを示す平面図である。It is a top view which shows the plane pattern of the peripheral transparent conductive film of the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment. 図4のA−A’線断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 4. 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the projector which is an example of the electronic device to which the electro-optical apparatus is applied.

符号の説明Explanation of symbols

9…画素電極、9d…ダミー画素電極、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、16…配向膜、20…対向基板、21…対向電極、22…配向膜、23…遮光膜、44、43…層間絶縁膜、50…液晶層、52…シール材、52a…シール領域、53…額縁遮光膜、53a…額縁領域、60、61、62…周辺透明導電膜、81…コンタクトホール、710…定電位線   DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 ... Pixel electrode, 9d ... Dummy pixel electrode, 10 ... TFT array substrate, 10a ... Image display area, 16 ... Orientation film, 20 ... Counter substrate, 21 ... Counter electrode, 22 ... Orientation film, 23 ... Light shielding film, 44, 43 ... Interlayer insulating film, 50 ... Liquid crystal layer, 52 ... Sealing material, 52a ... Sealing region, 53 ... Frame light shielding film, 53a ... Frame region, 60, 61, 62 ... Peripheral transparent conductive film, 81 ... Contact hole, 710 ... Constant potential line

Claims (6)

一対の第1及び第2基板と、
前記第1基板上に配列され、透明導電材料からなる複数の画素電極と、
前記複数の画素電極が配列された画素領域の周囲に沿ったシール領域において、前記第1及び第2基板を互いに貼り合わせるシール材と、
前記第1及び第2基板の少なくとも一方の基板上における前記シール領域の内周側に設けられ、前記画素領域の周囲を規定する遮光膜と、
前記第1基板上における、前記遮光膜が設けられた遮光領域の一部に前記画素領域の周囲に沿って設けられると共に、前記複数の画素電極と同一の透明導電材料から前記複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺透明導電膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
A pair of first and second substrates;
A plurality of pixel electrodes arranged on the first substrate and made of a transparent conductive material;
A seal material for bonding the first and second substrates together in a seal region along the periphery of the pixel region in which the plurality of pixel electrodes are arranged;
A light shielding film provided on an inner peripheral side of the seal region on at least one of the first and second substrates, and defining a periphery of the pixel region;
The plurality of pixel electrodes are formed on the first substrate along a periphery of the pixel region in a part of the light shielding region provided with the light shielding film, and from the same transparent conductive material as the plurality of pixel electrodes. An electro-optical device comprising: a peripheral transparent conductive film formed by patterning at the same time.
前記周辺透明導電膜は、所定電位に保持されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the peripheral transparent conductive film is held at a predetermined potential. 前記第1基板上における前記周辺透明導電膜より層間絶縁膜を介して下層側に配置され、前記周辺透明導電膜と前記第1基板上で平面的に見て重なる部分を有すると共に前記所定電位が供給される定電位線を備え、
前記周辺透明導電膜は、前記定電位線と前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続される
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
The first transparent substrate is disposed on a lower layer side than the peripheral transparent conductive film via an interlayer insulating film, and has a portion overlapping the peripheral transparent conductive film in plan view on the first substrate, and the predetermined potential is With a constant potential line supplied,
The electro-optical device according to claim 2, wherein the peripheral transparent conductive film is electrically connected to the constant potential line through a contact hole opened in the interlayer insulating film.
前記遮光膜は、前記第1基板上で平面的に見て、前記シール領域と所定幅の間隙を隔てて配置されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。   4. The electricity according to claim 1, wherein the light shielding film is disposed with a gap of a predetermined width from the seal region when viewed in plan on the first substrate. 5. Optical device. 前記第1及び第2基板間に挟持された電気光学物質と、
前記複数の画素電極上に無機材料から形成され、前記電気光学物質の配向状態を規制する配向膜と
を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
An electro-optic material sandwiched between the first and second substrates;
The electro-optical device according to claim 1, further comprising: an alignment film that is formed of an inorganic material on the plurality of pixel electrodes and regulates an alignment state of the electro-optical material.
請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
JP2008211485A 2008-08-20 2008-08-20 Electro-optical device and electronic apparatus Active JP5187067B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008211485A JP5187067B2 (en) 2008-08-20 2008-08-20 Electro-optical device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008211485A JP5187067B2 (en) 2008-08-20 2008-08-20 Electro-optical device and electronic apparatus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010048918A true JP2010048918A (en) 2010-03-04
JP2010048918A5 JP2010048918A5 (en) 2011-08-18
JP5187067B2 JP5187067B2 (en) 2013-04-24

Family

ID=42066072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008211485A Active JP5187067B2 (en) 2008-08-20 2008-08-20 Electro-optical device and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5187067B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010078942A (en) * 2008-09-26 2010-04-08 Seiko Epson Corp Electrooptical device and electronic equipment
JP2014164071A (en) * 2013-02-25 2014-09-08 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device and electronic equipment
CN105527764A (en) * 2015-12-22 2016-04-27 友达光电股份有限公司 Liquid crystal display panel
JP2016105170A (en) * 2010-10-25 2016-06-09 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
JP2017521721A (en) * 2014-07-29 2017-08-03 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
US10459262B2 (en) 2016-03-17 2019-10-29 Japan Display Inc. Display device
US10539843B2 (en) 2016-07-29 2020-01-21 Japan Display Inc. Display device
US10839760B2 (en) 2016-02-25 2020-11-17 Japan Display Inc. Display device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06148678A (en) * 1992-11-06 1994-05-27 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JP2005077636A (en) * 2003-08-29 2005-03-24 Seiko Epson Corp Optoelectronic device and electronic device
JP2005258328A (en) * 2004-03-15 2005-09-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Liquid crystal display
JP2007212817A (en) * 2006-02-10 2007-08-23 Seiko Epson Corp Electrooptical device, method for manufacturing the same, and electronic appliance
JP2008008944A (en) * 2006-06-27 2008-01-17 Seiko Epson Corp Electro-optical device and electronic equipment
JP2009063687A (en) * 2007-09-05 2009-03-26 Sony Corp Liquid crystal display apparatus and liquid crystal panel

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06148678A (en) * 1992-11-06 1994-05-27 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JP2005077636A (en) * 2003-08-29 2005-03-24 Seiko Epson Corp Optoelectronic device and electronic device
JP2005258328A (en) * 2004-03-15 2005-09-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Liquid crystal display
JP2007212817A (en) * 2006-02-10 2007-08-23 Seiko Epson Corp Electrooptical device, method for manufacturing the same, and electronic appliance
JP2008008944A (en) * 2006-06-27 2008-01-17 Seiko Epson Corp Electro-optical device and electronic equipment
JP2009063687A (en) * 2007-09-05 2009-03-26 Sony Corp Liquid crystal display apparatus and liquid crystal panel

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010078942A (en) * 2008-09-26 2010-04-08 Seiko Epson Corp Electrooptical device and electronic equipment
JP2016105170A (en) * 2010-10-25 2016-06-09 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
JP2014164071A (en) * 2013-02-25 2014-09-08 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device and electronic equipment
JP2017521721A (en) * 2014-07-29 2017-08-03 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
CN105527764A (en) * 2015-12-22 2016-04-27 友达光电股份有限公司 Liquid crystal display panel
CN105527764B (en) * 2015-12-22 2019-06-28 友达光电股份有限公司 Liquid crystal display panel
US10839760B2 (en) 2016-02-25 2020-11-17 Japan Display Inc. Display device
US10459262B2 (en) 2016-03-17 2019-10-29 Japan Display Inc. Display device
US10845629B2 (en) 2016-03-17 2020-11-24 Japan Display Inc. Display device
US10539843B2 (en) 2016-07-29 2020-01-21 Japan Display Inc. Display device
US10852596B2 (en) 2016-07-29 2020-12-01 Japan Display Inc. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5187067B2 (en) 2013-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5589359B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP5211985B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP5187067B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2007240690A (en) Liquid crystal device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus
JP5621283B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP5396905B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US8247818B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP5130763B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2010250005A (en) Electrooptical device and electronic equipment
JP5292969B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus including the same
JP5200720B2 (en) Electro-optical device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical device
JP2010044182A (en) Method for manufacturing electro-optical apparatus, electro-optical apparatus and electronic device
JP5045107B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus including the same
JP2011186283A (en) Electrooptical device and electronic apparatus
JP5309568B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2010060900A (en) Electro-optical device and electronic apparatus provided with the same
JP5104156B2 (en) ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME
JP5182138B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2010060901A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2010160308A (en) Electrooptical apparatus and electronic device
JP5499622B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2010191134A (en) Electrooptical device and electronic device
JP2010039209A (en) Electrooptical device and method for manufacturing the same, and electronic equipment
JP2007199450A (en) Manufacturing method for liquid crystal device, and the liquid crystal device, and electronic equipment
JP5482279B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110704

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121030

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121031

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130107

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5187067

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350