JP5292969B2 - Electro-optical device and electronic apparatus including the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To miniaturize an electro-optic device, while preventing light leakage from an alignment mark. <P>SOLUTION: The electro-optic device includes: a substrate; wiring 400 as a frame light-shielding film, which is formed in a frame area defining a periphery of a pixel area on the substrate, and in which openings 211, 212 are opened or cut out at a predetermined position; alignment marks 221, 222a, 222b, 231 and 232 which are formed in the openings 211, 212; and a mark light-shielding film 300 as an opening light-shielding film, which is formed so as to shield the openings 211, 212 in plan view on the substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器に関し、特に、電気光学装置を製造する際に、該電気光学装置を構成する基板の位置決めをするためのアライメントマークの技術分野に関する。   The present invention relates to an electro-optical device such as a liquid crystal device and an electronic apparatus such as a liquid crystal projector provided with the electro-optical device, and more particularly to a substrate constituting the electro-optical device when the electro-optical device is manufactured. The present invention relates to the technical field of alignment marks for positioning.

この種の電気光学装置には、該電気光学装置を構成する一対の基板をアライメントするためのアライメントマークが各基板に形成されている。例えば特許文献1には、一対の基板のうち一方の基板には、該基板の遮光領域内に窓枠形状の開口パターンからなるアライメントマークが形成されており、他方の基板には、中心指向形状の幾何パターンからなるアライメントマークが形成されている、電気光学装置の一例としての積層光学パネルが記載されている。   In this type of electro-optical device, an alignment mark for aligning a pair of substrates constituting the electro-optical device is formed on each substrate. For example, in Patent Document 1, one of a pair of substrates has an alignment mark formed of a window frame-shaped opening pattern in the light shielding region of the substrate, and the other substrate has a center-oriented shape. A laminated optical panel is described as an example of an electro-optical device in which an alignment mark having the geometric pattern is formed.

特開平7−92456号公報JP 7-92456 A

しかしながら上述の背景技術によれば、アライメントマーク部分は遮光膜を除去しているため、例えば電気光学装置の小型化に伴い、画素領域及びアライメントマーク間の距離が小さくなるとアライメントマークからの光漏れが、画像表示の際に発生する可能性があるという技術的問題点がある。
However, according to the background art described above, since the alignment mark portion has removed the light-shielding film, light leakage from the alignment mark may occur when the distance between the pixel region and the alignment mark is reduced, for example, due to downsizing of the electro-optical device. There is a technical problem that it may occur during image display.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例の電気光学装置は、基板と、該基板上に、画素領域の周囲に、開口部又は切り欠き部を有する額縁遮光膜と、前記開口部又は切り欠き部の内側に形成されたアライメントマークと、前記基板側から前記開口部又は切り欠き部を覆うように形成され遮光膜とを備えることを特徴とする。

Application Example 1 An electro-optical device according to this application example includes a substrate, a frame light shielding film having an opening or a notch around the pixel region on the substrate, and an inner side of the opening or the notch. And a light-shielding film formed so as to cover the opening or the notch from the substrate side .

この構成によれば、例えばTFT(Thin Film Transistor)基板等の基板上には、該基板上で平面的に見て、額縁遮光膜が、画素領域の周囲を規定する額縁領域に形成されている。ここに「画素領域」とは、個々の画素の領域を意味するのではなく、複数の画素がマトリックス状に配列されてなる領域の全体を意味し、典型的には「画像表示領域」となるべき領域を意味する。額縁遮光膜には、所定箇所例えば平面的に画素領域とシール材が配された領域(以降、シール領域と呼ぶ)との間に、アラインメントマークを配置するための開口部が開けられている又は切り欠かれていてもよい。開口部では、額縁遮光膜が存在しないが故に、額縁遮光膜に遮光されることなく、そのままでは光が通過可能である。開口部は、所定箇所として、基板上で平面的に見て、基板の隅に位置してもよいし、辺に位置してもよい。また、開口部は一つに限らず、複数個開けられても又は切り欠かれてもよい。   According to this configuration, on a substrate such as a TFT (Thin Film Transistor) substrate, for example, the frame light-shielding film is formed in a frame region that defines the periphery of the pixel region when viewed in plan on the substrate. . Here, “pixel area” does not mean an area of individual pixels, but means an entire area in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, and is typically an “image display area”. It means the area that should be. The frame light-shielding film has an opening for arranging an alignment mark between a predetermined portion, for example, a region where the pixel region is planarly disposed (hereinafter referred to as a seal region), or It may be cut out. Since there is no frame light shielding film at the opening, light can pass through without being shielded by the frame light shielding film. The opening may be located at a corner or a side of the substrate as a predetermined location when viewed in plan on the substrate. Further, the number of openings is not limited to one, and a plurality of openings may be opened or cut out.

基板上で平面的に見て、開口部内にはアライメントマークが形成されている。当該電気光学装置は、例えばTFT基板と対向する、例えば対向基板を備えており、TFT基板上に形成されたアライメントマークと対をなすアライメントマークが対向基板上に形成されている。   An alignment mark is formed in the opening as viewed in plan on the substrate. The electro-optical device includes, for example, a counter substrate facing the TFT substrate, for example, and an alignment mark that is paired with an alignment mark formed on the TFT substrate is formed on the counter substrate.

開口部遮光膜は、基板上で平面的に見て、開口部を覆うように、アライメントマークが形成されている層とは異なる層に形成されている。   The opening light shielding film is formed in a layer different from the layer in which the alignment mark is formed so as to cover the opening when viewed in plan on the substrate.

本願発明者の研究によれば、一般に、例えば大型ガラス基板等のマザー基板上にTFT等の素子を形成し、該素子が形成されたマザー基板上に複数の対向基板を貼り合わせて電気光学装置を製造する場合、対向基板毎にアライメントマークを設けなければならない。   According to the inventor's research, in general, an electro-optical device is formed by forming an element such as a TFT on a mother substrate such as a large glass substrate and bonding a plurality of counter substrates on the mother substrate on which the element is formed. In the case of manufacturing an alignment mark, an alignment mark must be provided for each counter substrate.

そして、電気光学装置の小型化に伴い、画素領域及びアライメントマーク間の距離が小さくなるとアライメントマークからの光漏れが発生する可能性がある。仮に、画素領域及びアライメントマーク間の距離を大きくするために、例えばシール領域にアライメントマークを形成すると、シール材の影響によりアライメントマークを正しく認識することができないことが判明している。   As the electro-optical device is miniaturized, light leakage from the alignment mark may occur when the distance between the pixel region and the alignment mark is reduced. If, for example, an alignment mark is formed in the seal area in order to increase the distance between the pixel area and the alignment mark, it has been found that the alignment mark cannot be correctly recognized due to the influence of the seal material.

しかるに本適用例では、基板上で平面的に見て、アライメントマークが形成される開口部を覆うように、額縁遮光膜とは別に(即ち、額縁遮光膜とは別層に)、開口部遮光膜が形成されている。このため、画素領域及びアライメントマーク間の距離が小さくなったとしても、開口部遮光膜によりアライメントマークからの光漏れを防止することができる。他方、開口部遮光膜の反射率をアライメントマークに比べて低くすれば、コントラスト差を利用してアライメントマークを読み取ることができ、アライメントをとることが可能となる。   However, in this application example, the opening portion light shielding is performed separately from the frame light shielding film (that is, in a layer different from the frame light shielding film) so as to cover the opening portion where the alignment mark is formed in plan view on the substrate. A film is formed. For this reason, even if the distance between the pixel region and the alignment mark is reduced, light leakage from the alignment mark can be prevented by the opening light shielding film. On the other hand, if the reflectance of the opening light shielding film is made lower than that of the alignment mark, the alignment mark can be read using the contrast difference, and alignment can be achieved.

加えて、開口部遮光膜を、当該電気光学装置を駆動する駆動回路を構成する配線や電気素子等が配置されている層のうちの一層と同一層に形成すれば、開口部遮光膜を形成することによる当該電気光学装置の高さの増加を無くすことができ、基板上における積層構造及び製造工程の複雑高度化をも回避できる。   In addition, if the opening light shielding film is formed in the same layer as the layer in which the wiring, electric elements, etc. constituting the drive circuit for driving the electro-optical device are formed, the opening light shielding film is formed. By doing so, it is possible to eliminate an increase in the height of the electro-optical device, and it is also possible to avoid a complicated structure and advanced manufacturing process on the substrate.

[適用例2]上記適用例の電気光学装置において、前記開口部遮光膜は、前記アライメントマークを構成する材料よりも低い反射率を有する材料を含んで構成されていることが好ましい。   Application Example 2 In the electro-optical device according to the application example described above, it is preferable that the opening light shielding film includes a material having a lower reflectance than a material forming the alignment mark.

この態様によれば、反射率の違いによって生じるコントラスト差を利用して、アライメントマークを読み取ることができる。尚、開口部遮光膜は、アライメントマークを構成する材料よりも高い光吸収率を有する材料を含んで構成されてもよい。   According to this aspect, the alignment mark can be read using the contrast difference caused by the difference in reflectance. The opening light shielding film may be configured to include a material having a light absorption rate higher than that of the material forming the alignment mark.

[適用例3]上記適用例の電気光学装置では、前記画素領域において互いに交差するデータ線及び走査線を更に備え、前記開口部遮光膜は、前記データ線又は前記走査線と同一層に形成されていることが好ましい。   Application Example 3 The electro-optical device according to the application example further includes a data line and a scanning line that intersect with each other in the pixel region, and the opening light shielding film is formed in the same layer as the data line or the scanning line. It is preferable.

この態様によれば、開口部遮光膜を形成することによって、当該電気光学装置の高さが増加することを防止することができ、実用上非常に有利である。加えて、当該電気光学装置の製造工程において、開口部遮光膜をデータ線又は走査線と同時に形成することができ、開口部遮光膜を形成するために工程数が増加することを防止することができ、実用上非常に有利である。   According to this aspect, by forming the opening light shielding film, it is possible to prevent the height of the electro-optical device from increasing, which is very advantageous in practice. In addition, in the manufacturing process of the electro-optical device, the opening light shielding film can be formed at the same time as the data line or the scanning line, and an increase in the number of processes for forming the opening light shielding film can be prevented. This is very advantageous in practice.

[適用例4]上記適用例の電気光学装置において、前記開口部は、前記所定箇所として、前記基板の隅に開けられている。   Application Example 4 In the electro-optical device according to the application example, the opening is opened at a corner of the substrate as the predetermined portion.

この態様によれば、開口部は、基板上で平面的に見て、基板の隅に開けられている、即ち、基板の隅にアライメントマークが形成されている。開口部は、典型的には、基板の四隅夫々、或いは、対角線上に位置する二隅夫々に開けられている。   According to this aspect, the opening is opened at the corner of the substrate when viewed in plan on the substrate, that is, the alignment mark is formed at the corner of the substrate. The openings are typically opened at the four corners of the substrate or at the two corners located on a diagonal line.

[適用例5]上記適用例の電気光学装置において、前記アライメントマークは、前記基板上において、前記開口部遮光膜より上層側に形成されている。   Application Example 5 In the electro-optical device according to the application example described above, the alignment mark is formed on the substrate above the opening light shielding film.

この態様によれば、アライメントマークは、開口部遮光膜より上層側に形成されている。言い換えれば、基板とアライメントマークが形成されている層との間に、開口部遮光膜が形成された層が配置されている。したがって、開口部側から入射した光は開口部遮光膜により遮光され、基板側に射出(光漏れ)することはない。あるいは、基板側から入射した光は、開口部遮光膜により遮光され、開口部側に射出(光漏れ)することはない。   According to this aspect, the alignment mark is formed on the upper layer side from the opening light shielding film. In other words, the layer in which the opening light shielding film is formed is disposed between the substrate and the layer in which the alignment mark is formed. Therefore, the light incident from the opening side is shielded by the opening light shielding film, and does not exit (light leak) to the substrate side. Alternatively, light incident from the substrate side is shielded by the opening light shielding film and does not exit (light leak) to the opening side.

[適用例6]本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置(但し、その各種態様を含む)を備えることを特徴とする。   Application Example 6 An electronic apparatus according to this application example includes the electro-optical device according to the application example described above (including various aspects thereof).

この構成によれば、上記適用例の電気光学装置を備えてなるので、アライメントマークからの光漏れを防止しつつ、小型化に適した、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
According to this configuration, since the electro-optical device according to the application example is provided, a projection display device, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, a view, which is suitable for miniaturization while preventing light leakage from the alignment mark. Various electronic devices such as a finder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized.

以下図1乃至図7を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。   Hereinafter, embodiments of the electro-optical device and the electronic apparatus according to the invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7. In the following drawings, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing. In this embodiment, as an example of an electro-optical device, a TFT active matrix driving type liquid crystal device with a built-in driving circuit is taken as an example.

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図2は、図1のH−H’線断面図である。   First, the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view of the TFT array substrate viewed from the side of the counter substrate together with the components formed thereon, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line H-H ′ of FIG. 1.

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、TFTアレイ基板10及び対向基板20が対向配置されている。TFTアレイ基板10は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなり、対向基板20は、例えば、石英基板、ガラス基板等の透明基板からなる。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域10aの周囲に設けられたシール材52により相互に接着されている。   1 and 2, in the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are arranged to face each other. The TFT array substrate 10 is made of a transparent substrate such as a quartz substrate, a glass substrate, or a silicon substrate, and the counter substrate 20 is made of a transparent substrate such as a quartz substrate or a glass substrate, for example. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are surrounded by an image display region 10a as an example of the “pixel region” according to the present invention. Are adhered to each other by a sealing material 52 provided on the surface.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(即ち、ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。尚、ギャップ材を、シール材52に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域10a又は画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or an ultraviolet / heat combination type curable resin for bonding the two substrates, and is applied to the TFT array substrate 10 in the manufacturing process, and then irradiated with ultraviolet rays. And cured by heating or the like. In the sealing material 52, a gap material such as glass fiber or glass bead for mixing the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 (that is, the gap) to a predetermined value is mixed. Note that the gap material may be arranged in the image display region 10a or a peripheral region located around the image display region 10a in addition to or instead of the material mixed in the seal material 52.

図1において、シール材52が配置されたシール領域52aの内側に並行して、画像表示領域10aを規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。額縁遮光膜53が形成された額縁領域53aは、TFTアレイ基板上で平面的に見て、矩形枠形状を有している。   In FIG. 1, a light-shielding frame light-shielding film 53 for defining the image display region 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal region 52a where the sealant 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side. The frame region 53a in which the frame light shielding film 53 is formed has a rectangular frame shape when viewed in plan on the TFT array substrate.

周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域52aの外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域52aよりも内側に、サンプリング回路7が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域52aの内側の額縁領域53aに、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、後述するアライメントマークが、額縁遮光膜53の隅部とシール領域52aとの間に設けられている。   In the peripheral region, the data line driving circuit 101 and the external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in a region located outside the sealing region 52 a where the sealing material 52 is disposed. The sampling circuit 7 is provided so as to be covered with the frame light-shielding film 53 on the inner side of the seal region 52a along the one side. The scanning line driving circuit 104 is provided in the frame region 53a inside the seal region 52a along two sides adjacent to this one side so as to be covered with the frame light shielding film 53. Further, alignment marks to be described later are provided between the corners of the frame light-shielding film 53 and the seal region 52a.

TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。   On the TFT array substrate 10, vertical conduction terminals 106 for connecting the two substrates with the vertical conduction material 107 are arranged in regions facing the four corner portions of the counter substrate 20. Thus, electrical conduction can be established between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. Further, a lead wiring 90 for electrically connecting the external circuit connection terminal 102 to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, the vertical conduction terminal 106, and the like is formed.

図2において、TFTアレイ基板10上には、駆動素子である画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図2では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明材料からなる画素電極9aが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, a laminated structure in which pixel switching TFTs as drive elements, wiring lines such as scanning lines and data lines are formed is formed. Although the detailed structure of this laminated structure is not shown in FIG. 2, pixel electrodes 9a made of a transparent material such as ITO (Indium Tin Oxide) are provided on the laminated structure in a predetermined pattern for each pixel. It is formed in an island shape.

画素電極9aは、後述する対向電極21に対向するように、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aに形成されている。TFTアレイ基板10における液晶層50の面する側の表面、即ち画素電極9a上には、配向膜16が画素電極9aを覆うように形成されている。   The pixel electrode 9a is formed in the image display region 10a on the TFT array substrate 10 so as to face a counter electrode 21 described later. On the surface of the TFT array substrate 10 facing the liquid crystal layer 50, that is, on the pixel electrode 9a, an alignment film 16 is formed so as to cover the pixel electrode 9a.

対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば対向基板20における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板20において、遮光膜23によって非開口領域が規定され、遮光膜23によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから射出された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜23をストライプ状に形成し、該遮光膜23と、TFTアレイ基板10側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。   A light shielding film 23 is formed on the surface of the counter substrate 20 facing the TFT array substrate 10. For example, the light shielding film 23 is formed in a lattice shape when viewed in plan on the facing surface of the facing substrate 20. In the counter substrate 20, a non-opening area is defined by the light shielding film 23, and an area partitioned by the light shielding film 23 is an opening area through which light emitted from a projector lamp or a direct viewing backlight is transmitted. The light shielding film 23 may be formed in a stripe shape, and the non-opening region may be defined by the light shielding film 23 and various components such as data lines provided on the TFT array substrate 10 side.

遮光膜23上に、ITO等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極9aと対向して形成されている。遮光膜23上に、画像表示領域10aにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図2には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板20の対向面上における、対向電極21上には、配向膜22が形成されている。   On the light shielding film 23, a counter electrode 21 made of a transparent material such as ITO is formed so as to face the plurality of pixel electrodes 9a. In order to perform color display in the image display region 10a on the light shielding film 23, a color filter (not shown in FIG. 2) may be formed in a region including a part of the opening region and the non-opening region. An alignment film 22 is formed on the counter electrode 21 on the counter surface of the counter substrate 20.

尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104、サンプリング回路7等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。   In addition to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, the sampling circuit 7, etc., a plurality of data lines are pre-set at a predetermined voltage level on the TFT array substrate 10 shown in FIGS. A precharge circuit that supplies the charge signal before the image signal, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, and the like of the liquid crystal device 100 during manufacture or at the time of shipment may be formed.

次に、図3を参照して、液晶装置100を駆動するデータ線駆動回路101及び走査線駆動回路104の構成について具体的に説明する。図3は、本実施形態に係る液晶装置の要部の概略構成を示す概略構成図である。   Next, the configuration of the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104 for driving the liquid crystal device 100 will be specifically described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating a schematic configuration of a main part of the liquid crystal device according to the present embodiment.

図3に示すように、TFTアレイ基板10における画像表示領域10aには、マトリックス状に配置された複数の画素部100cと、互いに交差して配列された複数の走査線100a及び複数のデータ線100bとが形成されている。尚、ここでは図示しないが、複数の画素部100cの各々は、画素電極9aと、該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFTと、画素電極9aに印加された電圧を維持するための蓄積容量とを備えて構成されている。   As shown in FIG. 3, the image display area 10a of the TFT array substrate 10 includes a plurality of pixel portions 100c arranged in a matrix, a plurality of scanning lines 100a and a plurality of data lines 100b arranged so as to cross each other. And are formed. Although not shown here, each of the plurality of pixel portions 100c includes a pixel electrode 9a, a TFT for switching control of the pixel electrode 9a, and a storage capacitor for maintaining a voltage applied to the pixel electrode 9a. And is configured.

データ線駆動回路101は、入力されるスタートパルスDX及びデータ転送クロックCLXと、サンプリング回路駆動信号とをサンプリング回路7に供給する。サンプリング回路7は、このサンプルリング回路駆動信号に応じて、入力されるデータ信号Dsを、サンプリングする。これらにより、液晶装置100のデータ線100bに対して、データ信号di(i=1、2、3、…、m)が供給される。走査線駆動回路104は、入力されるスタートパルスDY及び走査側転送クロックCLYに基づいて、走査信号Gj(j=1、2、3、…、n)を、各段から順次出力する。   The data line driving circuit 101 supplies the input start pulse DX, data transfer clock CLX, and sampling circuit driving signal to the sampling circuit 7. The sampling circuit 7 samples the input data signal Ds according to the sampling circuit drive signal. As a result, the data signal di (i = 1, 2, 3,..., M) is supplied to the data line 100b of the liquid crystal device 100. The scanning line driving circuit 104 sequentially outputs a scanning signal Gj (j = 1, 2, 3,..., N) from each stage based on the input start pulse DY and scanning side transfer clock CLY.

尚、走査線駆動回路104、及びデータ線駆動回路101は、その他にも各種の信号が入出力されるが、本実施形態と特に関係の無いものについては説明を省略する。   The scanning line driving circuit 104 and the data line driving circuit 101 receive and output various signals in addition to those described above, but those not particularly related to the present embodiment will not be described.

次に、図4乃至図6を参照して、本実施形態に係る液晶装置100におけるアライメントマークについて説明する。図4は、当該液晶装置におけるアライメントマークの位置を示す説明図であり、図5は、アライメントマークの構成を対向基板の側から見た平面図であり、図6は、図5のA−A’線断面図である。尚、図4乃至図6では、説明の便宜上、アライメントマークと関係のある構成要素のみを表示し、それ以外の構成要素については省略している。   Next, an alignment mark in the liquid crystal device 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is an explanatory view showing the position of the alignment mark in the liquid crystal device, FIG. 5 is a plan view of the configuration of the alignment mark as seen from the counter substrate side, and FIG. 6 is an AA view of FIG. FIG. In FIGS. 4 to 6, for convenience of explanation, only the components related to the alignment mark are displayed, and the other components are omitted.

先ず、図4に示すように、アライメントマーク200は、額縁領域53aの隅であって額縁遮光膜53が設けられていない位置に設けられている。図4では、図1における左上隅に設けられたアライメントマーク200を示しているが、本実施形態に係る液晶装置には、他の三隅にも同様のアライメントマーク200が設けられている。   First, as shown in FIG. 4, the alignment mark 200 is provided at a corner of the frame region 53a where the frame light shielding film 53 is not provided. 4 shows the alignment mark 200 provided at the upper left corner in FIG. 1, the liquid crystal device according to the present embodiment is provided with the same alignment mark 200 at the other three corners.

次に、図5及び図6を参照して、アライメントマーク200の構成について具体的に説明する。図5に示すように、アライメントマーク200は、開口部211に設けられたXYズレ量及びθズレ量を計測するための第1アライメントマーク221及び231と、開口部212に設けられた組みズレ量を計測するための第2アライメントマーク222a及び222b並びに232とを備えて構成されている。これらの開口部211及び212は、配線400に設けられている。   Next, the configuration of the alignment mark 200 will be specifically described with reference to FIGS. 5 and 6. As shown in FIG. 5, the alignment mark 200 includes first alignment marks 221 and 231 for measuring the XY displacement amount and the θ displacement amount provided in the opening 211, and the assembly displacement amount provided in the opening 212. The second alignment marks 222a and 222b and 232 are used for measuring. These openings 211 and 212 are provided in the wiring 400.

図6に示すように、第1アライメントマーク221はTFTアレイ基板10上に形成されており、第1アライメントマーク231は対向基板20上に形成されている。また、第2アライメントマーク222a及び222bはTFTアレイ基板10上の第1アライメントマーク221が形成されている層と同一層に形成されている。第2アライメントマーク232は対向基板20上の第1アライメントマーク231が形成されている層と同一層に形成されている。   As shown in FIG. 6, the first alignment mark 221 is formed on the TFT array substrate 10, and the first alignment mark 231 is formed on the counter substrate 20. The second alignment marks 222a and 222b are formed in the same layer as the layer on which the first alignment mark 221 is formed on the TFT array substrate 10. The second alignment mark 232 is formed in the same layer as the layer where the first alignment mark 231 is formed on the counter substrate 20.

第1アライメントマーク221、並びに第2アライメントマーク222a及び222bは、アルミニウムを含んで形成されている。第1アライメントマーク231及び第2アライメントマーク232は、アルミニウム−クロム合金又はクロムを含んで形成されている。   The first alignment mark 221 and the second alignment marks 222a and 222b are formed including aluminum. The first alignment mark 231 and the second alignment mark 232 are formed including aluminum-chromium alloy or chromium.

図5に示すように、基板上で平面的に見て、開口部211及び212を覆うように、本発明に係る「開口部遮光膜」の一例としてのマーク遮光膜300が形成されている。図6に示すように、マーク遮光膜300は、TFTアレイ基板10上において、第1アライメントマーク221が形成されている層より下層に、即ちTFTアレイ基板10側に形成されている。尚、ここでは図示しないが、マーク遮光膜300が形成されている層と同一層には、走査線100a又はデータ線100bが形成されている。マーク遮光膜300は、配線400に開口された開口部211及び212をTFTアレイ基板10側から完全に覆うように設けられている。   As shown in FIG. 5, a mark light-shielding film 300 as an example of an “opening light-shielding film” according to the present invention is formed so as to cover the openings 211 and 212 when viewed in plan on the substrate. As shown in FIG. 6, the mark light-shielding film 300 is formed on the TFT array substrate 10 below the layer on which the first alignment mark 221 is formed, that is, on the TFT array substrate 10 side. Although not shown here, the scanning line 100a or the data line 100b is formed in the same layer as the layer where the mark light shielding film 300 is formed. The mark light-shielding film 300 is provided so as to completely cover the openings 211 and 212 opened in the wiring 400 from the TFT array substrate 10 side.

マーク遮光膜300は、例えば下層から順にアルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有している。   The mark light-shielding film 300 has a three-layer structure of, for example, a layer made of aluminum, a layer made of titanium nitride, and a layer made of plasma nitride film in order from the lower layer.

開口部211及び212の周囲に、「額縁遮光膜」の一例としての配線400を含む複数の配線を配置することによって、アライメントマーク200を除いた部分の遮光を行っている。即ち、複数の配線を配置することによって、額縁遮光膜53が額縁領域53a全体に設けられている場合と同様の効果を得ることができる。そして、アライメントマーク200が形成される部分に配線を配置しないことにより、開口部211及び212が開けられている。   By arranging a plurality of wirings including the wiring 400 as an example of the “frame light-shielding film” around the openings 211 and 212, light shielding is performed on a portion excluding the alignment mark 200. That is, by arranging a plurality of wirings, it is possible to obtain the same effect as when the frame light shielding film 53 is provided in the entire frame region 53a. The openings 211 and 212 are opened by not arranging the wiring in the portion where the alignment mark 200 is formed.

配線400は、下層にアルミニウムを含んでなる層400b、上層に窒化チタンを含んでなる層400aの二層構造を有している。尚、ここでは図示しないが、平面的に見て、図5における配線間の隙間を覆うように他の層に配線が形成されている。また、図5に示す配線400等は、具体的には例えば検査回路等の信号配線や電源配線であるが、アライメントマーク200が形成される位置によっては、例えば、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、サンプリング回路7等の信号配線や電源配線がアライメントマーク200の周囲に配置される。   The wiring 400 has a two-layer structure of a layer 400b containing aluminum as a lower layer and a layer 400a containing titanium nitride as an upper layer. Although not shown here, wirings are formed in other layers so as to cover the gaps between the wirings in FIG. 5 is specifically a signal wiring or a power supply wiring such as an inspection circuit, but depending on the position where the alignment mark 200 is formed, for example, the data line driving circuit 101, the scanning line, etc. Signal wiring and power supply wiring such as the drive circuit 104 and the sampling circuit 7 are arranged around the alignment mark 200.

図6に示すように、第1アライメントマーク221は、同一層に形成された配線400と異なり、窒化チタンを含んでなる層を有していない。これは、第1アライメントマーク221を、アルミニウムを含んでなる層のみで形成することによって、配線400に対して第1アライメントマーク221の反射率を向上させるためである。   As shown in FIG. 6, unlike the wiring 400 formed in the same layer, the first alignment mark 221 does not have a layer containing titanium nitride. This is because the reflectance of the first alignment mark 221 with respect to the wiring 400 is improved by forming the first alignment mark 221 only with a layer containing aluminum.

TFTアレイ基板10とマーク遮光膜300が形成されている層との間には層間絶縁膜41が設けられ、マーク遮光膜300が形成されている層と第1アライメントマーク221等が形成されている層との間には層間絶縁膜42が設けられ、第1アライメントマーク221等が形成されている層の上には層間絶縁膜43が設けられており、各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の層間絶縁膜41,42及び43には、各層に含まれる配線等を相互に電気的に接続するためのコンタクトホール等が形成されている。   An interlayer insulating film 41 is provided between the TFT array substrate 10 and the layer where the mark light shielding film 300 is formed, and the layer where the mark light shielding film 300 is formed, the first alignment mark 221 and the like are formed. An interlayer insulating film 42 is provided between the layers, and an interlayer insulating film 43 is provided on the layer on which the first alignment marks 221 and the like are formed to prevent a short circuit between the elements. ing. Further, in these various interlayer insulating films 41, 42 and 43, contact holes and the like for electrically connecting wirings and the like included in each layer are formed.

上述の如く、第1アライメントマーク221、並びに第2アライメントマーク222a及び222bは反射率の比較的高いアルミニウムを含んで形成され、第1アライメントマーク231及び第2アライメントマーク232は、反射率の比較的高いアルミニウム−クロム合金又はクロムを含んで形成されている。一方、マーク遮光膜300は、反射率の比較的低い、例えばプラズマ窒化膜が最上層に形成されている。このため、アライメントをとる際に、対向基板20上方からアライメントマーク200を見ると、反射率の違いによってコントラスト差が生じ、アライメントマーク200を認識することができる。
このような液晶装置100によれば、マーク遮光膜300によって、対向基板20側から入射する光がアライメントマーク200の開口部211,212からTFTアレイ基板10側に光漏れすることを防止することができる。これにより、TFTアレイ基板10において画素領域または周辺領域に配置されたTFT(薄膜トランジスタ)が漏れた光で誤動作するなどの不具合を防止することができる。
あるいは、TFTアレイ基板10側から入射する光がアライメントマーク200の開口部211,212から対向基板20側へ光漏れすることを防止することができる。これにより、漏れた光で液晶装置100の光学的な特性が変化することを防止することができる。
As described above, the first alignment mark 221 and the second alignment marks 222a and 222b are formed to include aluminum having a relatively high reflectance, and the first alignment mark 231 and the second alignment mark 232 have a relatively high reflectance. It is made of a high aluminum-chromium alloy or chromium. On the other hand, the mark light-shielding film 300 has a relatively low reflectance, for example, a plasma nitride film formed in the uppermost layer. Therefore, when alignment is performed, when the alignment mark 200 is viewed from above the counter substrate 20, a contrast difference is generated due to a difference in reflectance, and the alignment mark 200 can be recognized.
According to such a liquid crystal device 100, the mark light-shielding film 300 can prevent light incident from the counter substrate 20 side from leaking from the openings 211 and 212 of the alignment mark 200 to the TFT array substrate 10 side. it can. As a result, it is possible to prevent problems such as malfunction of the TFT (thin film transistor) disposed in the pixel region or the peripheral region in the TFT array substrate 10 due to leaked light.
Alternatively, it is possible to prevent light incident from the TFT array substrate 10 side from leaking from the openings 211 and 212 of the alignment mark 200 to the counter substrate 20 side. Thereby, it is possible to prevent the optical characteristics of the liquid crystal device 100 from being changed by the leaked light.

<電子機器>
次に、図7を参照しながら、上述した液晶装置100を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置100は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図7は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
<Electronic equipment>
Next, a case where the liquid crystal device 100 described above is applied to a projector which is an example of an electronic device will be described with reference to FIG. The liquid crystal device 100 described above is used as a light valve of a projector. FIG. 7 is a plan view showing a configuration example of the projector.

図7に示すように、本実施形態のプロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置1110R,1110B及び1110Gに入射される。   As shown in FIG. 7, a lamp unit 1102 including a white light source such as a halogen lamp is provided inside the projector 1100 of the present embodiment. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged in the light guide 1104, and serves as a light valve corresponding to each primary color. The light enters the liquid crystal devices 1110R, 1110B, and 1110G.

液晶装置1110R,1110B及び1110Gの構成は、上述した液晶装置100と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶装置1110R,1110B,1110Gによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、R及びBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。   The liquid crystal devices 1110R, 1110B, and 1110G have the same configuration as that of the liquid crystal device 100 described above, and are driven by R, G, and B primary color signals supplied from the image signal processing circuit. . The light modulated by these liquid crystal devices 1110R, 1110B, and 1110G enters the dichroic prism 1112 from three directions. In the dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light travels straight. Accordingly, as a result of the synthesis of the images of the respective colors, a color image is projected onto the screen or the like via the projection lens 1114.

ここで、各液晶装置1110R,1110B及び1110Gによる表示像について着目すると、液晶装置1110R,1110Bによる表示像は、液晶装置1110Gによる表示像に対して左右反転することが必要となる。   Here, when attention is paid to the display images by the liquid crystal devices 1110R, 1110B, and 1110G, the display images by the liquid crystal devices 1110R and 1110B need to be horizontally reversed with respect to the display images by the liquid crystal device 1110G.

尚、液晶装置1110R,1110B及び1110Gには、4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。   The liquid crystal devices 1110R, 1110B, and 1110G receive light corresponding to the primary colors of R, G, and B by the four mirrors 1106 and the two dichroic mirrors 1108. Therefore, it is not necessary to provide a color filter. .

また、液晶装置1110R,1110B及び1110Gは、対向基板側からR、G、Bの各原色に対応する光が入射するようにダイクロイックプリズム1112に対して配置されている。更に、各液晶装置1110R,1110B及び1110Gの光の入射側と射出側とに偏光素子などの光学素子が配置されることは言うまでもない。   The liquid crystal devices 1110R, 1110B, and 1110G are arranged with respect to the dichroic prism 1112 so that light corresponding to the primary colors of R, G, and B is incident from the counter substrate side. Furthermore, it goes without saying that optical elements such as polarizing elements are arranged on the light incident side and the light exit side of each of the liquid crystal devices 1110R, 1110B, and 1110G.

このようなプロジェクタ1100は、アライメントマーク200の開口部211,212からの光漏れが防止されたライトバルブとしての液晶装置1110R,1110B及び1110Gを備えているので、安定した動作と、優れた投写品質とを有する。   Such a projector 1100 includes liquid crystal devices 1110R, 1110B, and 1110G as light valves in which light leakage from the openings 211 and 212 of the alignment mark 200 is prevented, so that stable operation and excellent projection quality are achieved. And have.

尚、図7を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に上記実施形態の液晶装置100を適用可能なのは言うまでもない。   In addition to the electronic device described with reference to FIG. 7, a mobile personal computer, a mobile phone, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, and an electronic notebook , Calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices with touch panels, and the like. Needless to say, the liquid crystal device 100 of the above embodiment can be applied to these various electronic devices.

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置100以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置(LCOS)、プラズマディスプレイ(PDP)、電界放出型ディスプレイ(FED、SED)、有機ELディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、電気泳動装置等にも適用可能である。   In addition to the liquid crystal device 100 described in the above-described embodiment, the present invention also includes a reflective liquid crystal device (LCOS), a plasma display (PDP), and a field emission display (FED, SED) in which elements are formed on a silicon substrate. It can also be applied to organic EL displays, digital micromirror devices (DMD), electrophoresis apparatuses, and the like.

尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. An optical device and an electronic apparatus including the electro-optical device are also included in the technical scope of the present invention.

本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 図1のH−H’線断面図である。It is the H-H 'sectional view taken on the line of FIG. 本実施形態に係る液晶装置の要部の概略構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows schematic structure of the principal part of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るアライメントマークの位置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the position of the alignment mark which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るアライメントマークの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the alignment mark which concerns on this embodiment. 図5のA−A’線断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 5. 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the projector which is an example of the electronic device to which the electro-optical apparatus is applied.

符号の説明Explanation of symbols

10…TFTアレイ基板、20…対向基板、52a…シール領域、53a…額縁領域、100…電気光学装置としての液晶装置、211,212…開口部、221,231…第1アライメントマーク、222a,222b,232…第2アライメントマーク、300…開口部遮光膜としてのマーク遮光膜。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... TFT array substrate, 20 ... Counter substrate, 52a ... Sealing region, 53a ... Frame region, 100 ... Liquid crystal device as electro-optical device, 211, 212 ... Opening, 221, 231 ... First alignment mark, 222a, 222b , 232... Second alignment mark, 300... Mark light shielding film as an opening light shielding film.

Claims (7)

基板と、A substrate,
前記基板の第1の面の上方に設けられた走査線と、A scanning line provided above the first surface of the substrate;
前記第1の面の上方に前記走査線と交差して設けられたデータ線と、A data line provided above the first surface and intersecting the scanning line;
前記走査線又は前記データ線と同一の層に位置する第1遮光膜と、A first light-shielding film located in the same layer as the scanning line or the data line;
前記第1遮光膜の上方に設けられた絶縁膜と、An insulating film provided above the first light-shielding film;
前記絶縁膜の上方に設けられたアライメントマークと、An alignment mark provided above the insulating film;
前記絶縁膜の上方に設けられた第2遮光膜と、を有し、A second light-shielding film provided above the insulating film,
前記基板は、前記第1の面に対して垂直な方向から見た平面視において、In the plan view of the substrate viewed from a direction perpendicular to the first surface,
画像表示をするための画素領域と、A pixel area for displaying an image;
前記画素領域の周囲に位置する周辺領域と、を含み、A peripheral region located around the pixel region,
前記第2遮光膜は、前記周辺領域のうち前記基板の角部近傍において、前記第1遮光膜と重なる部分に開口部又は切欠き部を有し、The second light-shielding film has an opening or a notch in a portion overlapping the first light-shielding film in the vicinity of the corner of the substrate in the peripheral region,
前記アライメントマークは、前記第1の面に対して垂直な方向から見た平面視において、前記開口部又は前記切欠き部の内部に位置し、The alignment mark is located inside the opening or the notch in a plan view seen from a direction perpendicular to the first surface,
前記第1遮光膜の前記基板と逆側の面の反射率が、前記アライメントマークの前記基板と逆側の面の反射率よりも低いことを特徴とする電気光学装置。An electro-optical device, wherein a reflectance of a surface of the first light shielding film on a side opposite to the substrate is lower than a reflectance of a surface of the alignment mark on a side opposite to the substrate.
請求項1に記載の電気光学装置において、The electro-optical device according to claim 1.
前記第1遮光膜は、複数の層が積層された膜であることを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device, wherein the first light shielding film is a film in which a plurality of layers are stacked.
請求項2に記載の電気光学装置において、The electro-optical device according to claim 2.
前記複数の層は、アルミニウムからなる層と、窒化チタンからなる層と、を含むことを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device, wherein the plurality of layers include a layer made of aluminum and a layer made of titanium nitride.
請求項1乃至3のいずれかに記載の電気光学装置において、The electro-optical device according to any one of claims 1 to 3,
前記絶縁膜は、窒化ケイ素を含むことを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device, wherein the insulating film contains silicon nitride.
請求項1乃至4のいずれかに記載の電気光学装置において、The electro-optical device according to any one of claims 1 to 4,
前記アライメントマークと前記第2遮光膜とは同一の層に位置することを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device, wherein the alignment mark and the second light shielding film are located in the same layer.
請求項5に記載の電気光学装置において、The electro-optical device according to claim 5.
前記第2遮光膜は複数の層が積層された膜であり、The second light shielding film is a film in which a plurality of layers are laminated,
前記アライメントマークは、前記第2遮光膜よりも少ない層の膜であり、The alignment mark is a film having fewer layers than the second light shielding film,
前記アライメントマークの前記基板と逆側の面の反射率は、前記第2遮光膜の前記基板と逆側の面の反射率と異なる反射率であることを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein a reflectance of a surface of the alignment mark opposite to the substrate is different from a reflectance of a surface of the second light shielding film opposite to the substrate.
請求項1乃至のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 6.
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