JP2010045303A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に窒化物半導体を用いて形成され、ヘテロ構造電界効果トランジスタとして動作する半導体装置において、チャネル層半導体1が、障壁層半導体(I)2−1と障壁層半導体(II)2−2との間に挟まれ、副次的チャネル層半導体3が障壁層半導体(II)2−2に接し、副次的チャネル層半導体3は障壁層半導体(II)2−2よりもバンドギャップの小さい窒化物半導体であり、障壁層半導体(I)2−1上にソース電極4、ゲート電極5、ドレイン電極6が形成され、障壁層半導体(II)2−2に接して第4の電極7が形成され、第4の電極7が、副次的チャネル層半導体3内に存在する副次的チャネル電子と電気的に導通していることを特徴とする半導体装置を構成する。
【選択図】図3
Description
I. P. Smorchkova et al., J. Appl. Phys. Vol. 86, No. 8, pp. 4520-4526 (1999). U. K. Mishra et al., Proc. IEEE Vol. 90, No. 6, pp. 1022-1031 (2002). N. Maeda et al., phys. stat. sol. (a)200, No. 1, pp. 168-174 (2003).
基板上に窒化物半導体を用いて形成され、ヘテロ構造電界効果トランジスタとして動作する半導体装置において、チャネル層半導体が、前記基板から遠い側で、該チャネル層半導体よりもバンドギャップの大きい第1の障壁層半導体と接し、前記基板に近い側で、該チャネル層半導体よりもバンドギャップの大きい第2の障壁層半導体と接し、前記第2の障壁層半導体は、前記基板に近い側で、該第2の障壁層半導体よりもバンドギャップの小さい副次的チャネル層半導体と接し、前記第1の障壁層半導体の前記基板から遠い側に、ソース電極、ゲート電極およびドレイン電極が形成され、局所的に、前記第1の障壁層半導体およびチャネル層半導体のすべて、ならびに、前記第2の障壁層半導体の一部が除去された部位における前記第2の障壁層半導体に接して第4の電極が形成され、前記第4の電極が、前記副次的チャネル層半導体内の、前記第2の障壁層半導体との界面近傍に存在する副次的チャネル電子と電気的に導通していることを特徴とする半導体装置を構成する。
前記第1の障壁層半導体はAlX1Ga1−X1Nであり、前記第2の障壁層半導体はAlX2Ga1−X2Nであり、前記チャネル層半導体はAlX3Ga1−X3Nであり、前記副次的チャネル層半導体はAlX4Ga1−X4Nであり、前記Xl、X2、X3およびX4が不等式0<X1≦1、0<X2≦1、0≦X3<1、0≦X4<1、X3<Xl、X3<X2、X4<X2を満足することを特徴とする請求項1記載の半導体装置を構成する。
本発明に係る半導体装置は、窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ(Heterostructure Field Effect Transistor:HFET)において、チャネル層半導体が、その直上(表面側)の第1の障壁層半導体、および、前記チャネル層半導体の直下(基板側)の第2の障壁層半導体の2層の障壁層半導体に挟まれてダブルヘテロ構造のHFET(DHFFT)を構成し、前記第2の障壁層半導体の直下に、前記第2の障壁層半導体よりもバンドギャップの小さい副次的チャネル層半導体が存在し、その結果、前記副次的チャネル層半導体内の、前記第2の障壁層半導体とのヘテロ界面近傍に、副次的チャネル電子が存在することを特徴とし、
さらに、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極が、前記第1の障壁層半導体の上方に形成され、かつ、チャネルの電位を制御する目的で、局所的に、前記第1の障壁層半導体およびチャネル層半導体のすべて、ならびに、前記第2の障壁層半導体の一部が除去された部位における前記第2の障壁層半導体上に、第4の電極が形成され、当該第4の電極が、前記副次的チャネル層半導体の副次的チャネル電子と電気的に導通していることを特徴とする。
本発明による作用を、図を用いて説明する。
図3において、障壁層半導体(I)2−1としてAlX1Ga1−X1N(0<X1≦1)、障壁層半導体(II)2−2としてAlX2Ga1−X2N(0<X2≦1)、チャネル層半導体1としてAlX3Ga1−X3N(0≦X3<1、X3<Xl、X3<X2)、副次的チャネル層半導体3としてAlX4Ga1−X4N(0≦X4<1、X4<X2)を用いた構造とする。この場合に、チャネル層半導体1のバンドギャップは、障壁層半導体(I)2−1のバンドギャップおよび障壁層半導体(II)2−2のバンドギャップよりも小さく、副次的チャネル層半導体3のバンドギャップは障壁層半導体(II)2−2のバンドギャップよりも小さく、バンドギャップに関する、本発明の構成要件が満たされている。
Claims (2)
- 基板上に窒化物半導体を用いて形成され、ヘテロ構造電界効果トランジスタとして動作する半導体装置において、
チャネル層半導体が、前記基板から遠い側で、該チャネル層半導体よりもバンドギャップの大きい第1の障壁層半導体と接し、前記基板に近い側で、該チャネル層半導体よりもバンドギャップの大きい第2の障壁層半導体と接し、
前記第2の障壁層半導体は、前記基板に近い側で、該第2の障壁層半導体よりもバンドギャップの小さい副次的チャネル層半導体と接し、
前記第1の障壁層半導体の前記基板から遠い側に、ソース電極、ゲート電極およびドレイン電極が形成され、
局所的に、前記第1の障壁層半導体およびチャネル層半導体のすべて、ならびに、前記第2の障壁層半導体の一部が除去された部位における前記第2の障壁層半導体に接して第4の電極が形成され、
前記第4の電極が、前記副次的チャネル層半導体内の、前記第2の障壁層半導体との界面近傍に存在する副次的チャネル電子と電気的に導通していることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の障壁層半導体はAlX1Ga1−X1Nであり、前記第2の障壁層半導体はAlX2Ga1−X2Nであり、前記チャネル層半導体はAlX3Ga1−X3Nであり、前記副次的チャネル層半導体はAlX4Ga1−X4Nであり、
前記Xl、X2、X3およびX4が不等式0<X1≦1、0<X2≦1、0≦X3<1、0≦X4<1、X3<Xl、X3<X2、X4<X2を満足することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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