JP2010044915A - ビームプロファイル調整装置とこれを備えるイオン注入装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオンビームは、その進行方向と垂直な断面形状を有し、断面形状は、第1方向に長く、第1方向と直交する第2方向に短くなっている。イオンビームに対し磁界を印加する磁石17を備え、磁石17は、イオンビームが通過する領域の近傍に配置されて第2方向にイオンビームと対向するとともに、第1方向に位置調整可能となっている。
【選択図】図1
Description
生成するデバイスの品質を一定以上に維持するためには、長辺方向に関するイオンビームの強度分布は、均一性を有していなければならない。強度分布が規定の均一性より悪い場合、何らかの方法で前記強度分布を調整する必要がある。
例えば、長辺が800mm程度、短辺が10mm〜50mm程度のイオンビームを調整するとする。複数の磁極33は、イオンビームの短辺方向に磁場が発生するように配置され、ビームの短辺方向に挿入できたり、引き抜いたりできるようになっている。その磁極33を挿入すれば、局所的に磁場は強くなり、その部分の磁場を感じるイオンは、他のイオンに対し位置調整される。イオンの多い部分(プロファイルの山)の磁場を強くしたり弱くするなど、イオンの少ない部分(プロファイルの谷)にイオンが到達するよう局所的な磁場強度を調整することで、長辺方向のビーム強度分布を調整する。
上記(2)の方法では、電磁石を用いてビーム強度分布を調整する場合、電源を含めた電流供給手段の数が格段に増加するだけでなく、制御が煩雑となりコストアップにつながってしまう。
前記イオンビームは、その進行方向と垂直な断面形状を有し、該断面形状は、第1方向に長く、第1方向と直交する第2方向に短くなっており、
前記イオンビームに対し磁界を印加する磁石を備え、
該磁石は、前記イオンビームが通過する領域の近傍に配置されて前記第2方向にイオンビームと対向するとともに、前記第1方向に位置調整可能となっている、ことを特徴とするビームプロファイル調整装置が提供される。
しかも、イオンビームへ印加する磁界の調整を、磁石を第1方向に位置調整して行い、磁石を第2方向に位置調整して行わないので、第2方向におけるイオンビーム通過領域幅を大きく取れる。従って、イオンビームの第2方向寸法を大きく取ることができ、その結果、第2方向に幅広い大電流イオンビームを用いることができる。よって、イオンビーム電流値の増加は、対象物(例えば基板)1枚当たりの照射時間の短縮につながるので、生産性が向上する。
前記コイルは、前記可動磁極部が配置される内部空間を有し、該内部空間は、前記可動磁極部が前記内部空間内で前記第1方向に移動できるように前記第1方向に延びており、前記可動磁極部が第1方向に移動可能である。
また、複数の可動磁極部に対し1つのコイルを設ければよい。
イオンビームを発生させるイオン源と、
前記イオンビームを対象物まで通すための空間を内部に有する容器と、
上述のビームプロファイル調整装置と、を備える、ことを特徴とするイオン注入装置が提供される。
この質量分離型磁石7の下流に、分離スリット13が設けられる。分離スリット13は、イオンビームを通過させる隙間を有し、この隙間の形状は、分離スリット13を通過したイオンビームの断面形状に相当する横長(例えば、長方形)であってよい。
このような質量分離型磁石7と分離スリット13により、所望のイオンが選別されて分離スリット13の隙間を通過するようになっている。分離スリット13を通過することで、イオンビームは所望のイオンのみで構成される。
また、各可動磁極部17aは、第2方向を向く磁界をイオンビームに印加する。図3の例では、右側の可動磁極部17aと左側の可動磁極部17aとは、同じ方向(例えば図3の左から右への方向)を向く磁界を発生させて、該磁界を強め合う。これにより、第2方向におけるイオンビーム幅は大きくても、ビームの第1方向の強度分布調整が可能になる。
各コイル17bに流れる電流値は、一定であってもよいし、調節可能であってもよい。
図3に示すように、各可動磁極部17aの第1方向への移動を案内するガイド部21が設けられてもよい。このガイド部21は、各可動磁極部17aを第1方向へのみ移動可能とし、各可動磁極部17aが他の方向へ移動することを防止する機構であってよい。
代わりに、図4のように、ビームプロファイルモニタ9によるビーム強度分布検出結果に基づいて、強度分布を均一に近づけるように、制御装置25が駆動装置27を制御することで行ってもよい。各駆動装置27は、対応する可動磁極部17aを第1方向に移動させる装置である。また、制御装置25は、ビーム強度分布検出結果に基づいて、駆動装置27だけでなく、コイル17bへ電流を供給する電流供給装置(図示せず)を制御することで、コイル17bへ流す電流も調整してもよい。この電流調整は、コイル17b毎に独立して行ってもよい。なお、図4は図3に対応する。
このような調整により、イオンビームの前記強度分布を、均一に調整でき、または、均一に近づけることができる。
例えば、分離スリット13を通過してきたイオンビームの長辺方向における強度分布が、図5(A)に示す分布であるとする。この場合、3つの可動磁極部17aをそれぞれ図5(A)の位置P1、P2、P3へ移動させることで、図5(A)の矢印方向に、強度分布を調整して、図5(B)に示す均一性の高い分布に調整することができる。
なお、各可動磁極部17aは、コイル17b(例えば、ガイド部21)に対し着脱可能であり、コイル17bの内部空間19に配置する可動磁極部17aの数を調節するようにしてもよい。これにより、一層細かくイオンビームの前記強度分布を調整できる。
(A)イオンビームに対し磁界を印加する磁石17を備え、該磁石17(可動磁極部17a)は、イオンビームが通過する領域の近傍に配置されて第2方向にイオンビームと対向するとともに、第1方向に位置調整可能となっているので、磁石17(可動磁極部17a)を第1方向(イオンビームの長辺方向)に移動させることで、磁場強度を局所的に調整し、第1方向に関するビーム強度分布を均一に調整することができる。
各磁石17は、可動磁極部17aと、これに巻かれたコイル17bをと有し、第2方向を向く磁界をイオンビームに印加する。各磁石17は第1方向に移動可能である。これら磁石17は、互いに独立して第1方向に移動可能であるのがよい。また、各磁石17の第1方向への移動を案内するガイド部(図示せず)が設けられてもよい。このガイド部は磁石17を第1方向へのみ移動可能とし、磁石17が他の方向へ移動することを防止する機構であってよい。
第1方向への各磁石17の移動は、図6のように、各可動磁極部17aに固定された操作部23を操作することで行われてもよい。この場合、ビームプロファイルモニタ9による第1方向の強度分布の検出結果がディスプレイ(図示せず)に表示され、その表示結果により、操作部23を操作してよい。なお、コイル17bへ電流を供給する電流供給装置(図示せず)を人が操作することで、各コイル17bへ流す電流も調整してもよい。代わりに、図7のように、ビームプロファイルモニタ9によるビーム強度分布検出結果に基づいて、強度分布を均一に近づけるように、制御装置25が各駆動装置27を制御することで、磁石17を第1方向に移動させてもよい。各駆動装置27は、対応する磁石17を第1方向に移動させる装置である。また、制御装置25は、前記ビーム強度分布検出結果に基づいて、駆動装置27だけでなく、各コイル17bへ電流を供給する電流供給装置(図示せず)を制御することで、コイル17bへ流す電流も調整してもよい。この電流調整は、コイル17b毎に独立して行ってもよい。なお、図7は図6に対応する。このような調整により、イオンビームの前記強度分布を、所望の均一にでき、または、均一に近づけることができる。
この場合における他の構成、動作などは上述の実施形態と同じであってよい。なお、図6または図7において、電磁石17の代わりに永久磁石17を用いてもよい。
Claims (5)
- イオン源から発生されたイオンビームの強度分布を調整するビームプロファイル調整装置であって、
前記イオンビームは、その進行方向と垂直な断面形状を有し、該断面形状は、第1方向に長く、第1方向と直交する第2方向に短くなっており、
前記イオンビームに対し磁界を印加する磁石を備え、
該磁石は、前記イオンビームが通過する領域の近傍に配置されて前記第2方向にイオンビームと対向するとともに、前記第1方向に位置調整可能となっている、ことを特徴とするビームプロファイル調整装置。 - 前記磁石は、可動磁極部と、該可動磁極部を囲むように巻かれ静止したコイルと、を有する電磁石であり、
前記コイルは、前記可動磁極部が配置される内部空間を有し、該内部空間は、前記可動磁極部が前記内部空間内で前記第1方向に移動できるように前記第1方向に延びており、前記可動磁極部が第1方向に移動可能である、ことを特徴とする請求項1に記載のビームプロファイル調整装置。 - 前記内部空間には、複数の前記可動磁極部が配置されている、ことを特徴とする請求項2に記載のビームプロファイル調整装置。
- 前記磁石は、前記第1方向に複数設けられている、ことを特徴とする請求項1に記載のビームプロファイル調整装置。
- イオンビームを対象物に注入するイオン注入装置であって、
イオンビームを発生させるイオン源と、
前記イオンビームを対象物まで通すための空間を内部に有する容器と、
請求項1〜4のいずれか一項に記載のビームプロファイル調整装置と、を備える、ことを特徴とするイオン注入装置。
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|---|---|---|---|
| JP2008207149A JP5177658B2 (ja) | 2008-08-11 | 2008-08-11 | ビームプロファイル調整装置とこれを備えるイオン注入装置 |
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| JP5177658B2 JP5177658B2 (ja) | 2013-04-03 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102832094A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 日新离子机器株式会社 | 离子源和离子注入装置 |
| CN102983048A (zh) * | 2011-09-06 | 2013-03-20 | 上海凯世通半导体有限公司 | 束流调节装置及离子注入系统 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319242A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-25 | Hitachi Ltd | ビーム強度分布制御方法及び装置 |
| JPH06342639A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-12-13 | Diamond Semiconductor Group Inc | 小型の高電流幅広ビームのイオン注入装置 |
| JP2005327713A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
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2008
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