JP2010040988A - 真空チャンバー - Google Patents

Abstract

【課題】プロセス室内を所望の真空圧に維持した状態で、基板の搬入及び搬出が可能な真空チャンバーを提供する。
【解決手段】真空チャンバー１０は、プロセス室Ｐ内を基板Ｗが通過するように所定の方向に基板Ｗを搬送可能な基板搬送機構４０と、基板Ｗが通過するプロセス室Ｐの入口側開口と出口側開口で互いに対向して配置され、該開口を通過する基板Ｗ、及び基板Ｗと対向するシール面２２，２３との間の隙間をそれぞれ密封する一対の差動排気シール２０，２１と、を備える。また、真空チャンバー１０は、搬送時に隣り合う基板Ｗの所定の方向における対向側面間に配置されるダミー基板６０によって真空維持機構を構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、非接触シールをなす差動排気シールを備えた真空チャンバーに関する。

従来、真空や特殊ガス雰囲気に維持したプロセス室内で、基板をステージに載置して移動させ、基板を加工処理することが行なわれている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に記載の装置では、基板を載置するテーブルの移動軸を筐体に対して相対移動させる構成において、移動軸の両面と筐体との間に一対の差動排気シールを設け、シール面と移動軸の移動量との関係を設定して、シール性の向上を図っている。
特許４０１６４１８号公報

ところで、特許文献１に記載の装置では、基板をテーブルに載置する具体的な手法について記載されていない。一般に、従来の真空チャンバーでは、基板をプロセス室内に搬入する際、プロセス室内に大気中の空気が導入されるため、その度にポンプを作動して所望の真空圧に設定する必要があった。このため、スループットを向上させるためには、素早くプロセス室内を所望の真空圧にすべく、高性能なポンプが必要とされていた。

本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、プロセス室内を所望の真空圧に維持した状態で、基板の搬入及び搬出が可能な真空チャンバーを提供することにある。

本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１） プロセス室内を基板が通過するように所定の方向に基板を搬送可能な基板搬送機構と、
前記基板が通過するプロセス室の入口側開口と出口側開口にそれぞれ設けられており、互いに対向して配置されて、該開口を通過する前記基板、及び該基板と対向するシール面との間の隙間をそれぞれ密封する一対の差動排気シールと、
前記基板が前記一対の差動排気シールによって形成される前記開口を通過する際に、前記プロセス室内を所定の真空圧に維持する真空圧維持機構と、
を備えることを特徴とする真空チャンバー。
（２） 前記真空圧維持機構は、搬送時に隣り合う基板の所定の方向における対向側面間に配置されるダミー基板であることを特徴とする（１）に記載の真空チャンバー。
（３） 前記差動排気シールのシール面には、互いに異なるポンプによってエアを吸引する複数の溝部を備え、
前記差動排気シールは、前記ダミー基板と前記基板との境界部分が前記いずれかの溝部と対向している時、前記プロセス室内を所定の真空圧に維持するように、残りの溝部を介してエアを吸引することを特徴とする（２）に記載の真空チャンバー。
（４） 前記プロセス室の開口は、互いの対向面を前記一対の差動排気シールのシール面とする上側側壁と下側側壁によって形成され、
前記上側側壁と下側側壁の少なくとも一方は、それぞれ上下方向に移動可能に前記所定の方向に並んで配置され、前記シール面に少なくとも一つの溝部をそれぞれ備える複数の可動ブロックを有し、
前記真空圧維持機構は、前記複数の可動ブロックによって構成されることを特徴とする（１）に記載の真空チャンバー。
（５） 前記真空圧維持機構は、前記開口の上流側及び下流側にそれぞれ配置され、前記開口を開閉自在なシャッターによって構成されることを特徴とする（１）に記載の真空チャンバー。

本発明の真空チャンバーによれば、基板が一対の差動排気シールによって形成される入口側開口または出口側開口を通過する際に、プロセス室内を所定の真空圧に維持する真空圧維持機構を備える。これにより、基板の搬入及び搬出の度に大気中の空気が大幅に導入されることが防止され、プロセス室内を所望の真空圧に維持したままプロセス室内への基板の搬入及び搬出を行なうことができ、スループットを向上することができる。
なお、本発明の真空圧とは、大気圧（約１０^５Ｐａ）より低い圧力を意図しており、例えば、フォトリソグラフィー工程のレジスト乾燥に使用される場合には、好ましくは、レジストの中の溶剤の蒸発速度が速まる圧力以下であればよい。

以下、本発明に係る真空チャンバーの各実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。

（第１実施形態）
図１に示すように、本実施形態の真空チャンバー１０は、筐体１１、入口側上側及び下側側壁１２，１３、出口側上側及び下側側壁１４，１５によってプロセス室Ｐを画成する。筐体１１は、所定の方向の入口側及び出口側で断面矩形状に開口した角筒形状を有する。入口側上側側壁１２及び入口側下側側壁１３は、該筐体１１の入口側側面に沿って上下方向にそれぞれ移動可能で、これらの間に基板Ｗが搬入される入口側開口を形成する。また、出口側上側側壁１４及び出口側下側側壁１５は、該筐体１１の出口側側面に沿って上下方向にそれぞれ移動可能で、これらの間に基板Ｗが搬出される出口側開口を形成する。プロセス室Ｐは、簡略化して示す配管を介してポンプＰ１によりエアが吸引されることで、所望の真空圧を与えることができる。

また、筐体１１の周囲と入口側上側及び下側側壁１２，１３、出口側上側及び下側側壁１４，１５の周囲には、それぞれ蛇腹部材１６，１７が取り付けられており、プロセス室Ｐ内の真空圧が維持される。

入口側上側及び下側側壁１２，１３、出口側上側及び下側側壁１４，１５には、それぞれ互いに対向する対向面に一対の差動排気シール２０，２１が形成されている。図３及び図４に示すように、差動排気シール２０，２１は、これら対向面が４本の溝部２２ａ〜２２ｄ，２３ａ〜２３ｄを備えたシール面２２，２３を形成し、溝部２２ａ〜２２ｄ，２３ａ〜２３ｄと外部の真空ポンプＰ２ａ〜Ｐ２ｄ、Ｐ３ａ〜Ｐ３ｄとを個々に連通する排気通路２４，２５を有している。従って、差動排気シール２０，２１はポンプＰ２ａ〜Ｐ２ｄ，Ｐ３ａ〜Ｐ３ｄによって排気通路２４，２５を介して大気中の空気を吸引して、プロセス室Ｐ内と外部とを密封している。溝部２２ａ〜２２ｄ，２３ａ〜２３ｄは、直線状の細溝によって形成されており、排気速度のばらつきを抑え、プロセス室Ｐ内での乱気流の発生を防止することができる。また、各溝部２２ａ〜２２ｄ，２３ａ〜２３ｄの排気通路２４，２５の途中には、圧力センサ２６、２７がそれぞれ取り付けられており、各溝部２２ａ〜２２ｄ，２３ａ〜２３ｄでの圧力を監視している。

各上側側壁１２，１４と各下側側壁１３，１５は、ボールねじ機構からなる側壁駆動機構３０，３１と、ガイドレールのような案内機構３２とによって上下方向に駆動される。なお、側壁駆動機構３０，３１としては、本実施形態のようなボールねじ機構による駆動の代わりに、くさび機構を用いて駆動してもよいし、リニアモータによって駆動してもよい。

また、真空チャンバー１０は、このプロセス室Ｐ内を基板Ｗが通過するように所定の方向にガラス基板Ｗを搬送可能な基板搬送機構４０と、入口側開口及び出口側開口の一対の差動排気シール２０，２１に対して所定の方向の上流側に配置され、基板Ｗの上面及び下面との距離をそれぞれ検出可能なギャップセンサ４１，４２と、入口側開口に配置された一対の差動排気シール２０，２１の上流側に配置され、基板Ｗの上面に付着した異物を検知可能な異物検知センサ４３と、を備える。

基板搬送機構４０は、入口側開口の上流側と出口側開口の下流側で、基板Ｗの下面を支持して搬送するローラによって基板Ｗを搬送している。なお、基板搬送機構４０は、基板Ｗがプロセス室Ｐ内を貫通して搬送されるものであれば公知の構成が適用可能であり、例えば、一定方向のエアを上方に向けて吐出することでエアにより基板を搬送してもよい。

また、本実施形態では、図１に示すように、搬送時に隣り合う基板Ｗの所定の方向における対向側面間にダミー基板６０が配置されており、基板搬送機構４０は、搬送速度を一定速度として基板Ｗを連続的に搬送している。

また、一対の差動排気シール２０，２１は、入口側開口或いは出口側開口を通過する基板Ｗ、及び基板Ｗと対向するシール面２２，２３との間の隙間をそれぞれ密封する。ここで、差動排気シール２０，２１の溝部（差圧室）２２ａ〜２２ｄ，２３ａ〜２３ｄは、溝部２２ａ〜２２ｄ，２３ａ〜２３ｄを基板Ｗが通過している状態では、プロセス室Ｐに近い側から順に低圧、中圧、高圧、大気圧に設定されており、プロセス室Ｐから遠いシール溝２２ｄ、２３ｄの真空ポンプＰ２ｄ，Ｐ３ｄは作動していない。即ち、プロセス室Ｐに近い３つの上下のシール溝２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃを使ってプロセス室Ｐ内を所望の真空圧に維持している。なお、ここでの高圧とは、プロセス室Ｐ内の真空圧と比較して高いが、大気圧よりも十分低い圧力である。

但し、連続搬送されるダミー基板６０と基板Ｗとの境界部分においては板厚方向に貫通する隙間が生じてしまう可能性があるため、この境界部分がいずれかの溝部２２ａ〜２２ｄ、２３ａ〜２３ｄと対向している時には、残りの溝部２２ａ〜２２ｄ、２３ａ〜２３ｄを介してエアを吸引することで、プロセス室Ｐ内を所定の真空圧に維持するようにしている。例えば、図４に示すように、ダミー基板６０と基板Ｗとの境界部分が高圧に設定された溝部２２ｃ，２３ｃと対向する位置にあるときには、溝部２２ｄ、２３ｄの真空ポンプＰ２ｄ，Ｐ３ｄを作動して溝部２２ｄ，２３ｄが高圧となるように設定する。
従って、この境界部分の移動に応じて、溝部２２ａ〜２２ｄ、２３ａ〜２３ｄのうち３つが低圧、中圧、高圧となるように真空ポンプＰ２ａ〜Ｐ２ｄ、Ｐ３ａ〜Ｐ３ｄを切り替えることで、プロセス室Ｐ内が所定の真空圧に維持される。このため、所定の方向におけるダミー基板６０の長さは、上流側と下流側の基板Ｗとの２つの境界部分の両方が溝部２２ａ〜２２ｄ、２３ａ〜２３ｄと対向しないように設定されることが好ましい。

加えて、基板Ｗと上側及び下側側壁１２，１３，１４，１５の各シール面２２，２３との間の隙間は、シール面２２，２３の溝部の数、大きさ、間隔等に応じて、プロセス室Ｐが所望の真空圧となるように所定の微小隙間Δ１、Δ２に厳密に管理・設定されている。

例えば、入口側において、ギャップセンサ４１によって基板Ｗのうねりや、平坦度や板厚の変化が検出された場合には、該隙間を所定の微小隙間Δ１、Δ２に維持するように、上側側壁１２，１４と下側側壁１３，１５を上下方向に移動する。但し、プロセス室Ｐ内の所望の真空圧が基板Ｗの板厚のバラツキを許容するような低真空の場合には、ギャップセンサ４１に応じた隙間調整を行なわなくてもよい。なお、一対の差動排気シール２０，２１間に基板Ｗが配置されていない状態では、対向するシール面２２，２３間の隙間を所定の微小隙間Δ１（Δ２）としてもよいし、互いに当接させて密閉状態としてもよい。

異物検知センサ４３が搬送されてきた基板Ｗの上面の異物を検知した場合には、基板搬送機構４０を停止したり、上側側壁１２，１４を上方に退避させたり、図示しないエア吐出機構によって異物を除去してもよい。また、下面に異物が付着するおそれがある場合には、異物検知センサ４３を基板Ｗの下方にも配置して、基板Ｗの下面の異物を検知するようにしてもよい。

さらに、図３に示すように、入口側及び出口側それぞれの一対の差動排気シール２０，２１に対してプロセス室Ｐと反対側には、一対の密封ローラ機構５０，５１が配置されている。各密封ローラ機構５０，５１では、各ローラ５３の軸５３ａがばね５４によって付勢されることで、ローラ５３が側方に弾性的に変位可能であり、基板Ｗの幅方向両側面を案内する。また、各ローラ５３の上下面には、案内カバー５２が取り付けられており、ローラ５３の上下面を密封している。これにより、入口側開口から搬入或いは出口側開口から搬出される基板Ｗは、その側面を一対の密封ローラ機構５０、５１によって支持されるとともに、基板Ｗの側方から大気圧が導入されるのが防止される。また、側方にある一対の密封ローラ機構５０，５１の間隔が基板Ｗより大きい場合には、基板Ｗの側方にダミーガラス６１を取り付けて基板Ｗと共に搬送するようにすれば、基板Ｗの幅が小さくても大気中の空気の導入を防止することができる。

以上説明したように、本実施形態の真空チャンバー１０によれば、プロセス室Ｐ内を基板Ｗが通過するように所定の方向に基板Ｗを搬送可能な基板搬送機構４０と、基板Ｗが通過するプロセス室Ｐの入口側開口と出口側開口に互いに対向して配置され、該開口を通過する基板Ｗ、及び該基板Ｗと対向するシール面２２，２３との間の隙間をそれぞれ密封する一対の差動排気シール２０，２１と、を備えるとともに、搬送時に隣り合う基板Ｗの所定の方向における対向側面間に配置されるダミー基板６０によって真空維持機構を構成する。これにより、基板Ｗの搬入及び搬出の度に大気中の空気が大幅に導入されることが防止され、プロセス室Ｐ内の真空圧を維持したままプロセス室Ｐ内への基板Ｗの搬入及び搬出を行なうことができ、スループットを向上することができる。

また、差動排気シール２０，２１のシール面２２，２３には、互いに異なるポンプＰ２ａ〜Ｐ２ｄ，Ｐ３ａ〜Ｐ３ｄによってエアを吸引する複数の溝部２２ａ〜２２ｄ、２３ａ〜２３ｄを備え、差動排気シール２０，２１は、ダミー基板６０と基板Ｗとの境界部分がいずれかの溝部と対向している時、残りの溝部を介してエアを吸引するので、ダミー基板６０を用いた基板Ｗの連続搬送において、より確実にプロセス室Ｐ内を所定の真空圧に維持することができる。

以上説明した真空チャンバー１０は、フォトリソグラフィー等により所望のパターンをガラス基板に形成する時に、塗布されたレジストを乾燥する際の真空乾燥装置として使用することができる。
例えば、図５に示すように、一般的なフォトリソグラフィー工程では、ガラス基板を洗浄し（ステップＳ１）、ガラス基板を乾燥させた後（ステップＳ２）、ガラス基板にレジスト液を薄く均一に塗布する（ステップＳ３）。そして、塗布されたレジストを本発明の真空チャンバー１０が適用された真空乾燥装置によって乾燥させ（ステップＳ４）、さらに、低い温度で加熱してプリベーク（ステップＳ５）を行なう。また、露光工程（ステップＳ６）において、レジストに光を照射して、レジストの光化学反応が進んだ後、アルカリ溶液で現像して不要部分を除去し（ステップＳ７）、さらに、ガラス基板を乾燥させてパターンを形成する（ステップＳ８）。

特に、本実施形態の真空チャンバー１０を上記フォトリソグラフィー工程に適用することで、真空乾燥工程Ｓ４で基板を連続的に搬送することが可能となり、前工程のレジスト塗布工程Ｓ３や後工程のプリベーク工程Ｓ５や露光工程Ｓ６との間でガラス基板の受け渡しがスムーズに行なわれる。

また、大型のフラットパネルディスプレイ用パネルを真空乾燥する際に、プロセス室Ｐの入口側開口及び出口側開口を閉じて密封させる必要がないので、プロセス室Ｐをパネルに合わせて大型化する必要がなく、真空チャンバー１０を小型化することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る真空チャンバー１０ａについて、図６〜図８を参照して詳細に説明する。なお、第１実施形態と同等部分については、同一符号を付して説明を省略或いは簡略化する。

本実施形態の真空チャンバー１０ａは、差動排気シール及び差動排気シールが設けられる上側及び下側側壁の構成において、第１実施形態のものと異なる。なお、入口側開口と出口側開口の差動排気シールと上側及び下側側壁の構成は略同一であるため、以下入口側開口の差動排気シールと上側及び下側側壁について説明する。

即ち、本実施形態の上側側壁１２及び下側側壁１３は、差動排気シール２０，２１の各３本の上側及び下側溝部２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃ毎に３つの第１〜第３の上側側壁１２ａ，１２ｂ，１２ｃと３つの第１〜第３の下側側壁１３ａ，１３ｂ，１３ｃに分割されている。また、本実施形態の側壁駆動機構３０，３１も、各側壁１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃ毎に設けられており（図６（ｂ）は、下側側壁１３ａ〜１３ｃ毎に設けられた側壁駆動機構３１ａ〜３１ｃのみ示す。）、各第１〜第３の上側及び下側側壁１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃは、独立して上下に移動可能な可動ブロックを構成する。

また、差動排気シール２０，２１は、溝部２２ａ〜２２ｃ，２３ａ〜２３ｃが形成される各第１〜第３の上側及び下側シール面２８ａ〜２８ｃ、２９ａ〜２９ｃが所定の微小隙間Δ１で互いに対向する場合、或いは、各溝部２２ａ〜２２ｃ，２３ａ〜２３ｃが形成される各シール面２８ａ〜２８ｃ、２９ａ〜２９ｃと基板Ｗとが所定の微小隙間Δ１、Δ２で対向している場合において、溝部２２ａ，２３ａは、真空ポンプＰ２ａ，Ｐ３ａによって低圧に、溝部２２ｂ，２３ｂは、真空ポンプＰ２ｂ，Ｐ３ｂによって中圧に、溝部２２ｃ，２３ｃは、真空ポンプＰ２ｃ，Ｐ３ｃによって高圧に設定されることで、プロセス室Ｐ内を所望の真空圧に維持する。
なお、３つの第１〜第３の上側側壁１２ａ，１２ｂ，１２ｃと３つの第１〜第３の下側側壁１３ａ，１３ｂ，１３ｃの各側壁間はエアが漏れないように密封されている。

ここで、プロセス室Ｐ内を所望の真空圧に維持したまま基板Ｗを搬送する際の各側壁１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃ及び差動排気シール２０，２１の動作について説明する。

まず、図７（ａ）に示すように、基板Ｗが搬送されてくる前の段階では、第３の下側シール面２９ｃが第３の上側シール面２８ｃと接触するように、下側側壁１３ｃを真空密閉位置まで上昇させる。また、第１及び第２の下側側壁１３ａ，１３ｂは、これらのシール面２９ａ，２９ｂが第１及び第２の上側シール面２８ａ、２８ｂと所定の微小隙間Δ１を保つ位置に配置される。また、プロセス室Ｐを真空圧とすべく、真空ポンプＰ１が作動される一方、各側壁１２ａ〜１２ｃ、１３ａ〜１３ｃの真空ポンプＰ２ａ〜Ｐ２ｃ，Ｐ３ａ〜Ｐ３ｃは停止している。

そして、基板Ｗが搬送されて第３の上下側壁１２ｃ、１３ｃに近づくと、図７（ｂ）に示すように、第３の下側側壁１３ｃは、第３の下側シール面２９ｃが第３の上側シール面２８ｃと所定の微小隙間Δ１を保つように下降させる。また、各側壁の真空ポンプＰ２ａ〜Ｐ２ｃ，Ｐ３ａ〜Ｐ３ｃが作動して、溝部２２ａ，２３ａは低圧に、溝部２２ｂ，２３ｂは中圧に、溝部２２ｃ，２３ｃは高圧に設定される。

そして、基板Ｗの搬送が進むと、図７（ｃ）に示すように、まず、第３の下側側壁１３ｃを下降させ、第３の上側シール面２８ｃと基板Ｗ、及び第３の下側シール面２９ｃと基板Ｗとを所定の微小隙間Δ１、Δ２で対向させる。次に、図７（ｄ）に示すように、第２の下側側壁１３ｂを下降させ、第２の上側シール面２８ｂと基板Ｗ、及び第２の下側シール面２９ｂと基板Ｗとを所定の微小隙間Δ１、Δ２で対向させる。さらに、図８（ａ）に示すように、第１の下側側壁１３ａを下降させ、第１の上側シール面２８ａと基板Ｗ、及び第１の下側シール面２９ａと基板Ｗとを所定の微小隙間Δ１、Δ２で対向させる。

さらに、基板Ｗの搬送が進み、基板Ｗの下流側端部が第３の上側及び下側側壁１２ｃ，１３ｃ間を通過し終えると、図８（ｂ）に示すように、第３の下側シール面２９ｃが第３の上側シール面２８ｃと接触するように、下側側壁１３ｃを真空密閉位置まで上昇させる。この段階で、各側壁１２ａ〜１２ｃ、１３ａ〜１３ｃの真空ポンプＰ２ａ〜Ｐ２ｃ，Ｐ３ａ〜Ｐ３ｃは停止してもよい。

また、図８（ｃ）に示すように、基板Ｗが第１の上側及び下側側壁１２ａ，１３ａを通過し終えた段階では、第１及び第２の下側側壁１３ａ，１３ｂは、これらのシール面２９ａ，２９ｂが第１及び第２の上側シール面２８ａ、２８ｂと所定の微小隙間Δ１を保つ位置に配置され、次の基板Ｗの搬入に備える。

従って、第２実施形態の真空チャンバー１０ａによれば、上側側壁１２と下側側壁１３は、それぞれ上下方向に移動可能に所定の方向に並んで配置され、シール面２８ａ〜２８ｃ、２９ａ〜２９ｃに溝部２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃをそれぞれ備える第１〜第３の上側及び下側側壁１２ａ〜１２ｃ、１３ａ〜１３ｃを有することで真空圧維持機構を構成する。これにより、基板Ｗの搬入及び搬出に合わせて側壁１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃを上下駆動することで、基板Ｗの搬入及び搬出の度に大気中の空気が大幅に導入されることが防止され、プロセス室Ｐ内を所望の真空圧に維持したままプロセス室Ｐ内への基板Ｗの搬入及び搬出を行なうことができ、スループットを向上することができる。

なお、本発明では、上側側壁１２と下側側壁１３の少なくとも一方が互いに独立して上下に移動可能な可動ブロックを構成すればよく、例えば、本実施形態のように、第１〜第３の下側側壁１３ａ〜１３ｃのみを作動する場合には、上側側壁１２は、単一ブロックであってもよい。
また、各可動ブロック（第１〜第３の上側及び下側側壁１２ａ〜１２ｃ、１３ａ〜１３ｃ）にはそれぞれ一本の溝部が形成されているが、複数本の溝部が形成されてもよい。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る真空チャンバー１０ｂについて、図９を参照して詳細に説明する。なお、第１実施形態と同等部分については、同一符号を付して説明を省略或いは簡略化する。

本実施形態の真空チャンバー１０ｂにおいても、差動排気シール及び差動排気シールが設けられる上側及び下側側壁の構成において、第１実施形態のものと異なる。なお、入口側開口と出口側開口の差動排気シールと上側及び下側側壁の構成は略同一であるため、以下入口側開口の差動排気シールと上側及び下側側壁について説明する。

本実施形態では、筐体１１ａには、入口側開口の上側側壁１２ｄ及び下側側壁１３ｄが一体に形成されており、該開口の上流側と下流側には、該開口を開閉自在なシャッター７０，７１が取り付けられている。これらシャッター７０，７１は、上側側壁１２ｄと下側側壁１３ｄに取り付けられたボールねじなどの駆動機構７３と、図示しない案内機構によって平板７２をそれぞれ上下方向に移動して、該開口を開閉する。

従って、上流側及び下流側のシャッター７０，７１が該開口を開閉し、各真空ポンプＰ１，Ｐ２，Ｐ３が作動した状態において、基板Ｗが搬送されてくると、上流側のシャッター７０が下降して、各シール面２０，２１と基板Ｗとの間の隙間を所定の微小隙間Δ１、Δ２とした状態で、開いた該開口内を通過する。さらに、下流側のシャッター７１が下降して、基板Ｗが搬送されていく。そして、基板Ｗの下流側端部が該開口する場合には、上流側シャッター７０、下流側シャッター７１の順に上昇して、該開口を開閉し、プロセス室Ｐ内を所望の真空圧に維持する。

従って、第３実施形態の真空チャンバー１０ｂによれば、入口側開口と出口側開口の上流側及び下流側にそれぞれ配置され、該開口を開閉自在なシャッター７０，７１によって真空圧維持機構を構成する。これにより、基板Ｗの搬入及び搬出に合わせてシャッター７０，７１を上下駆動することで、基板Ｗの搬入及び搬出の度に大気中の空気が大幅に導入されることが防止され、プロセス室Ｐ内を所望の真空圧に維持したままプロセス室Ｐ内への基板Ｗの搬入及び搬出を行なうことができ、スループットを向上することができる。

尚、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。

本発明の第１実施形態の真空チャンバーの正面断面図である。 図１の真空チャンバーを入口側開口から見た側面図である。 図１の真空チャンバーを入口側及び出口側開口部分に沿って切った位置でワークの上方から見た図である。 図１の差動排気シールを拡大して示す断面図である。 フォトリソグラフィーの工程を説明するためのフロー図である。 （ａ）は、本発明の第２実施形態に係る真空チャンバーの入口側開口近傍を示す断面図であり、（ｂ）は、入口側開口の下側側壁近傍を上方から見た図である。 基板搬送時における各可動ブロックの位置を説明するための部分断面図である。 基板搬送時における各可動ブロックの位置を説明するための部分断面図である。 本発明の第３実施形態に係る真空チャンバーの入口側開口近傍を示す断面図である。

符号の説明

１０ 真空チャンバー
１１ 筐体
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１４ 上側側壁
１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１５ 下側側壁
２０，２１ 差動排気シール
２２，２３ シール面
２２ａ〜２２ｄ、２３ａ〜２３ｄ 溝部
３０，３１ 側壁駆動機構
４０ 基板搬送機構
４１，４２ ギャップセンサ
４３ 異物検知センサ
６０ ダミー基板
７０，７１ シャッター
Ｐ プロセス室

Claims (5)

1. プロセス室内を基板が通過するように所定の方向に基板を搬送可能な基板搬送機構と、
   前記基板が通過するプロセス室の入口側開口と出口側開口にそれぞれ設けられており、互いに対向して配置されて、該開口を通過する前記基板、及び該基板と対向するシール面との間の隙間をそれぞれ密封する一対の差動排気シールと、
   前記基板が前記一対の差動排気シールによって形成される前記開口を通過する際に、前記プロセス室内を所定の真空圧に維持する真空圧維持機構と、
   を備えることを特徴とする真空チャンバー。
2. 前記真空圧維持機構は、搬送時に隣り合う基板の所定の方向における対向側面間に配置されるダミー基板であることを特徴とする請求項１に記載の真空チャンバー。
3. 前記差動排気シールのシール面には、互いに異なるポンプによってエアを吸引する複数の溝部を備え、
   前記差動排気シールは、前記ダミー基板と前記基板との境界部分が前記いずれかの溝部と対向している時、前記プロセス室内を所定の真空圧に維持するように、残りの溝部を介してエアを吸引することを特徴とする請求項２に記載の真空チャンバー。
4. 前記プロセス室の開口は、互いの対向面を前記一対の差動排気シールのシール面とする上側側壁と下側側壁によって形成され、
   前記上側側壁と下側側壁の少なくとも一方は、それぞれ上下方向に移動可能に前記所定の方向に並んで配置され、前記シール面に少なくとも一つの溝部をそれぞれ備える複数の可動ブロックを有し、
   前記真空圧維持機構は、前記複数の可動ブロックによって構成されることを特徴とする請求項１に記載の真空チャンバー。
5. 前記真空圧維持機構は、前記開口の上流側及び下流側にそれぞれ配置され、前記開口を開閉自在なシャッターによって構成されることを特徴とする請求項１に記載の真空チャンバー。

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