JP2010038726A - Probe card - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プローブカードに係り、更に詳しくは、多数のコンタクトプローブが形成されたコンタクトユニットとメイン基板とが内部接続ピンを用いて接続されたプローブカードにおいて、内部接続ピンの特性インピーダンスを調整するための構造に関する。 The present invention relates to a probe card, and more particularly, to adjust characteristic impedance of an internal connection pin in a probe card in which a contact unit on which a large number of contact probes are formed and a main board are connected using internal connection pins. For the structure.
一般に、半導体デバイスの製造工程で実施される電気的特性検査には、プローブ装置が用いられる。プローブ装置は、プローブカード上に形成された多数のコンタクトプローブと、半導体ウエハ上に形成された多数の電極パッドとを対向させた状態で、プローブカード及び半導体ウエハを近づけ、コンタクトプローブと電極パッドとを弾性的に接触させる装置である。この様にして多数のコンタクトプローブをそれぞれが対応する電極パッドに接触させることによって、半導体ウエハ上に形成された微小な電極パッドをテスターなどの外部装置と導通させることができる。 In general, a probe device is used for electrical characteristic inspection performed in a manufacturing process of a semiconductor device. The probe device brings a probe card and a semiconductor wafer close to each other with a large number of contact probes formed on the probe card and a large number of electrode pads formed on the semiconductor wafer facing each other. Is a device that elastically contacts with each other. In this way, by bringing a large number of contact probes into contact with the corresponding electrode pads, the minute electrode pads formed on the semiconductor wafer can be brought into conduction with an external device such as a tester.
プローブカードは、テスターで生成された電気信号を検査対象物に入力するととともに、検査対象物から出力される電気信号をテスターへ伝達することによって、検査対象物の電気的特性試験を行っている。このため、検査対象物の動作速度に応じた周波数特性が要求される。最近の集積回路、例えばDRAMを検査しようとすれば、1.6GHz程度の周波数帯域の信号を伝達しなければならず、プローブカードの高周波特性を改善することが求められている。 The probe card performs an electrical property test of the inspection object by inputting the electric signal generated by the tester to the inspection object and transmitting the electric signal output from the inspection object to the tester. For this reason, a frequency characteristic corresponding to the operation speed of the inspection object is required. If a recent integrated circuit such as a DRAM is to be inspected, a signal in a frequency band of about 1.6 GHz must be transmitted, and there is a demand for improving the high frequency characteristics of the probe card.
高周波特性を改善するためには、プローブカード内における誘電損失を抑制するとともに、反射を抑制する必要がある。電気信号の反射は、伝送線路上における特性インピーダンスの不連続点で発生することから、各伝送経路の特性インピーダンスをマッチングさせておく必要がある。つまり、プローブカード内の各伝送線路の特性インピーダンスをテスターの入出力端子の特性インピーダンスに一致させておく必要がある。 In order to improve the high frequency characteristics, it is necessary to suppress the dielectric loss in the probe card and to suppress the reflection. Since the reflection of the electric signal occurs at the characteristic impedance discontinuity on the transmission line, it is necessary to match the characteristic impedance of each transmission path. That is, the characteristic impedance of each transmission line in the probe card needs to match the characteristic impedance of the input / output terminals of the tester.
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、プローブカードの高周波特性を向上させることを目的とする。特に、メイン基板及びコンタクトユニットを導通させる内部接続ピンの特性インピーダンスを調整し、内部接続ピンの両端における反射を抑制することにより、プローブカードの高周波特性を向上させることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to improve the high-frequency characteristics of a probe card. In particular, an object is to improve the high-frequency characteristics of the probe card by adjusting the characteristic impedance of the internal connection pin that conducts the main substrate and the contact unit and suppressing reflection at both ends of the internal connection pin.
第1の本発明によるプローブカードは、下面に2以上の第1電極が形成されたメイン基板と、2以上の第2電極が第1電極に対向する上面に形成され、第2電極とそれぞれ導通する2以上のコンタクトプローブが下面に形成されたコンタクトユニットと、上記メイン基板及びコンタクトユニット間に配置され、第1電極及び第2電極を導通させる2以上の内部接続ピンと、上記内部接続ピンの主面に対向させて配置されたインピーダンス調整プレートとを備えて構成される。 The probe card according to the first aspect of the present invention includes a main board having two or more first electrodes formed on the lower surface, and two or more second electrodes formed on the upper surface facing the first electrode, and electrically connected to the second electrodes. A contact unit having two or more contact probes formed on the lower surface, two or more internal connection pins arranged between the main substrate and the contact unit and conducting the first electrode and the second electrode, and a main of the internal connection pins And an impedance adjustment plate arranged to face the surface.
この様な構成により、内部接続ピンの静電容量を内部接続ピンからインピーダンス調整プレートまでの距離に応じた一定の値にすることができる。従って、上記距離を適切に決定すれば、内部接続ピンの特性インピーダンスを所望の値にすることができ、プローブカードの高周波特性を向上させることができる。特に、内部接続ピンの主面をインピーダンス調整プレートに対向させることによって、静電容量を効果的に調整することができる。 With such a configuration, the capacitance of the internal connection pin can be set to a constant value according to the distance from the internal connection pin to the impedance adjustment plate. Therefore, if the distance is appropriately determined, the characteristic impedance of the internal connection pin can be set to a desired value, and the high frequency characteristics of the probe card can be improved. In particular, the capacitance can be effectively adjusted by making the main surface of the internal connection pin face the impedance adjustment plate.
なお、内部接続ピンの主面とは、内部接続ピンの形状を平面に投影させた場合に最も面積が大きくなる面をいう。例えば、内部接続ピンが、細長い線材を平面上で湾曲させて形成されている場合には、その湾曲平面が主面となる。 The main surface of the internal connection pin refers to a surface having the largest area when the shape of the internal connection pin is projected onto a plane. For example, when the internal connection pin is formed by bending an elongated wire rod on a plane, the curved plane is the main surface.
第2の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、2以上の上記内部接続ピンを直線上に配列させ、これらの内部接続ピンの各主面を1つの上記インピーダンス調整プレートに対向させている。この様な構成により、1つのインピーダンス調整プレートを用いて2以上の内部接続ピンの特性インピーダンスを所望の値にすることができる。 In the probe card according to the second aspect of the present invention, in addition to the above configuration, two or more internal connection pins are arranged in a straight line, and each main surface of these internal connection pins is opposed to one impedance adjustment plate. Yes. With such a configuration, the characteristic impedance of two or more internal connection pins can be set to a desired value using one impedance adjustment plate.
第3の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、互いに平行な上記インピーダンス調整プレートが上記内部接続ピンの配列を挟み込むように配置されている。この様な構成により、2枚のインピーダンス調整プレートで2以上の内部接続ピンの配列を挟み込むことによって、各内部接続ピンの特性インピーダンスを所望の値にすることが容易になる。 In the probe card according to the third aspect of the present invention, in addition to the above configuration, the impedance adjustment plates parallel to each other are arranged so as to sandwich the array of the internal connection pins. With such a configuration, the characteristic impedance of each internal connection pin can be easily set to a desired value by sandwiching an array of two or more internal connection pins between two impedance adjustment plates.
第4の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記内部接続ピンが、上記インピーダンス調整プレートに平行な面内で変形可能となっている。この様な構成により、上記メイン基板及びコンタクトユニット間に挟まれることによって内部接続ピンが変形した場合であっても、その特性インピーダンスがほとんど変化せず、内部接続ピンの特性インピーダンスのばらつきを容易に抑制することができる。 In the probe card according to the fourth aspect of the present invention, in addition to the above configuration, the internal connection pins can be deformed in a plane parallel to the impedance adjustment plate. With such a configuration, even when the internal connection pin is deformed by being sandwiched between the main board and the contact unit, the characteristic impedance hardly changes and the variation in the characteristic impedance of the internal connection pin can be easily performed. Can be suppressed.
第5の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記インピーダンス調整プレートが、上記コンタクトユニットの上面に形成されたプレート用電極に接続されて構成される。この様な構成により、インピーダンス調整プレートをコンタクトユニットの安定電位、例えばグランドレベルに接続することができる。 The probe card according to the fifth aspect of the present invention is configured by connecting the impedance adjusting plate to a plate electrode formed on the upper surface of the contact unit, in addition to the above configuration. With such a configuration, the impedance adjustment plate can be connected to the stable potential of the contact unit, for example, the ground level.
本発明によれば、メイン基板及びコンタクトユニットを導通させる内部接続ピンの主面に対向させてインピーダンス調整プレートが設けられているため、内部接続ピンの特性インピーダンスを調整し、内部接続ピンの両端における反射を抑制することができる。従って、プローブカードの高周波特性を向上させることができる。 According to the present invention, since the impedance adjustment plate is provided so as to face the main surface of the internal connection pin that conducts the main substrate and the contact unit, the characteristic impedance of the internal connection pin is adjusted, and at both ends of the internal connection pin Reflection can be suppressed. Therefore, the high frequency characteristics of the probe card can be improved.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1によるプローブカード100を含むプローブ装置1の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置1の内部の様子が示されている。このプローブ装置1は、プローブカード100と、検査対象物2が載置される可動ステージ3と、可動ステージ3を昇降させる駆動装置4と、可動ステージ3及び駆動装置4が収容される筐体5により構成される。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a probe apparatus 1 including a
検査対象物2は、半導体デバイス、例えば、複数の半導体集積回路チップ(図示せず)が形成された半導体ウエハであり、電極パッドの形成面を上に向けて可動ステージ3上に載置されている。可動ステージ3は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置4によって駆動され、載置面上に検査対象物2を載せた状態で鉛直方向に上昇又は下降するようになっている。
The
筐体5の上部には開口部が形成されており、プローブカード100は、この開口部を封鎖するように、コンタクトプローブの形成面を下面に向けて取り付けられている。可動ステージ3は、この開口部の下方に配置されており、可動ステージ3を上昇させることによって、検査対象物2上の電極パッドと、プローブカード100上のコンタクトプローブを接触させて、導通させることができる。
An opening is formed in the upper part of the
図2〜図4は、図1のプローブカード100の一構成例を示した図である。図2にはプローブカード100を検査対象物2側から見た場合の様子が示されている。また、図3には、A−A切断線で切断した場合の断面図が示され、図4には、B−B切断線で切断した場合の断面図が示されている。このプローブカード100は、隣接する内部接続ピン30間にインピーダンス調整プレート31が配置されている点で従来のプローブカードとは異なる。
2 to 4 are diagrams showing a configuration example of the
本実施の形態によるプローブカード100は、メイン基板10、コンタクトユニット20、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31によって構成される。メイン基板10及びコンタクトユニット20は、多数の内部接続ピン30を介して電気的に接続され、これらの内部接続ピン30の特性インピーダンスは、インピーダンス調整プレート31によって調整されている。
The
メイン基板10は、プローブ装置1に取付けられる基板であり、補強板11、多数の外部電極12、コンタクトユニット支持部13、多数の内部電極15を有している。メイン基板10には、例えばガラスエポキシからなる多層プリント基板が用いられている。補強板11は、メイン基板10の歪みを抑制するための金属ブロックであり、メイン基板10の上面に固着されている。外部電極12は、テスターなどのプローブカード100以外の装置と導通させるための端子であり、電極ピッチを広げるためにメイン基板10の周縁部付近に形成されている。内部電極15は、メイン基板10の中央付近に形成され、内部接続ピン30を介して、コンタクトユニット20と導通させるための端子である。
The
コンタクトユニット支持部13は、メイン基板10の下方において、上下動可能となるように、コンタクトユニット20を保持している。ここでは、コンタクトユニット支持部13がコンタクトユニット20を取り囲む壁面(又は腕部)としてメイン基板10の下面に形成されている。この壁面は、メイン基板10から下方へ延び、その先端をコンタクトユニット20側へ屈曲させている。この屈曲させた先端部の上面にコンタクトユニット20の下面を当接させることによって、コンタクトユニット20が落下しないように受け止めている。
The contact
コンタクトユニット20は、多数のコンタクトプローブ21、コンタクト基板22、スペース変換器23、多数の内部電極25及び多数のプレート用電極26を有している。コンタクトユニット20は、内部電極25が形成された上面をメイン基板10と対向させた状態で、メイン基板10と平行になるように、メイン基板10の下方に配置されている。
The
コンタクトプローブ21は、片持ち梁(カンチレバー)構造の導電性金属からなり、その固定端はコンタクト基板22上に固着され、検査時には、自由端を検査対象物2上の電極パッドに弾性的に当接させる。コンタクト基板22は、シリコンなどの単結晶からなる基板であり、その下面には、多数のコンタクトプローブ21が検査対象物2上の電極パッドに対応づけて配置されている。また、その上面には、スペース変換器23が形成されている。
The
スペース変換器23は、下面がコンタクト基板22に固着され、上面には多数の内部電極25及びプレート用電極26が形成されている。また、この例では、コンタクトユニット支持部13が、スペース変換器23の周縁部を支持することにより、コンタクトユニット20を保持している。
The
各内部電極25は、スペース変換器23内の配線24及びコンタクト基板22内のスルーホールを介して、対応するコンタクトプローブ21と導通している。コンタクトプローブ21は、狭いピッチで配置されているのに対し、内部電極25は、より広いピッチで配置されているため、スペース変換器23を用いて、対応するコンタクトプローブ21及び内部電極25を導通させている。つまり、スペース変換器23によって、コンタクトプローブ21及び内部電極25の配置位置の違いを調整している。
Each
プレート用電極26は、インピーダンス調整プレート31が接続される電極である。プレート用電極26は、コンタクト基板22のグランドレベル(接地電位)に対し安定した電位レベルに保持されている。ここでは、プレート用電極26が、スペース変換器23内の配線24を介して、グランド用の内部電極25と導通しており、インピーダンス調整プレート31をグランドレベルに保持しているものとする。
The
内部接続ピン30は、弾性変形可能な導電性金属からなり、メイン基板10及びコンタクトユニット20の互いに対向する内部電極15,25を導通させている。生産性を考慮すれば、内部接続ピン30は、内部電極15,25の一方に固着され、他方に弾性的に当接していることが望ましく、この例では、内部接続ピン30の一端が、メイン基板10の内部電極15に半田付けされ、他端をコンタクトユニット20の内部電極25に当接させている。また、内部接続ピン30は、平面内において湾曲させた形状からなり、上記平面内において弾性変形するように構成されている。このような内部接続ピン30をメイン基板10及びコンタクトユニット20で挟んで変形させることによって、内部電極25に対し付勢しながら当接させることができる。このため、内部接続ピン30を介して、対応する内部電極15及び25を確実に導通させることができる。
The
インピーダンス調整プレート31は、導電性金属からなる薄板であり、プレート用電極26に導通させた状態で、スペース変換器23の上面に固着されている。このインピーダンス調整プレート31は、対応する内部接続ピン30の主面30mと平行となるように配置され、当該内部接続ピン30との間で容量素子を形成している。このため、内部接続ピン30からインピーダンス調整プレート31までの距離を所定の長さにすれば、内部接続ピン30の特性インピーダンスが所望の値となるように調整することができる。
The
なお、内部接続ピン30の主面30mとは、内部接続ピン30の形状を平面に投影させた場合に最も面積が大きくなる面をいう。本実施の形態では各内部接続ピン30が湾曲している平面(湾曲平面)が主面30mとなり、インピーダンス調整プレート31は、当該湾曲平面と平行となるように配置されている。このため、内部ピン30の静電容量を効率的に調整することができ、また、内部接続ピン30を変形させても、特性インピーダンスに顕著な変動は生じない。
The
図5は、図3及び図4のコンタクトユニット20の一構成例を示した図である。この図は、コンタクトユニット20を上面側から見た場合の様子を示した図であり、内部電極25、プレート用電極26及びインピーダンス調整プレート31が配置されたスペース変換器23の上面が示されている。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of the
内部電極25は、スペース変換器23の上面にマトリクス状に配置されている。ここでは、主面30mが同一平面上となるように2以上の内部接続ピン30を行方向に整列させるとともに、互いの主面30mを対向させて2以上の内部接続ピン30を一定のピッチで列方向に整列させるように、多数の内部電極25がマトリクス状に配置されている。このような内部電極25の各行間に、2以上のプレート用電極26がそれぞれ配置されている。これらのプレート用電極26は、内部接続ピン30ごとに設けられており、これらの各プレート用電極26上にインピーダンス調整プレート31が半田付などにより固着されている。つまり、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31は一対一に対応づけて配置される。
The
図6は、図3及び図4のコンタクトユニット20の他の構成例を示した図であり、図5と同様、コンタクトユニット20を上面側から見た場合の様子が示されている。このコンタクトユニット20では、1つのインピーダンス調整プレート31を2以上の内部接続ピン30に対応させており、各内部接続ピン30からインピーダンス調整プレート31までの距離は一定の長さになっている。
FIG. 6 is a diagram showing another configuration example of the
内部電極25の各行間には、1つのプレート用電極26がそれぞれ配置されている。これらのプレート用電極26は、行方向に延びる細長い形状からなり、これらの各プレート用電極26上には、行方向に延びる細長いインピーダンス調整プレート31が半田付などにより固着されている。つまり、1つのインピーダンス調整プレート31を行方向に配列している全ての内部電極25に対応づけている。
One
一般に、単位長当たりのインダクタンスをL、静電容量をCとすれば、特性インピーダンスは(L/C)1/2で表すことができる。このため、各内部接続ピン30の形状が同一であれば、これらの特性インピーダンスも一定となる。従って、インピーダンス調整プレート31を設けることによって、内部接続ピン30からインピーダンス調整プレート31までの距離や、内部接続ピン30の形状を適切に設計すれば、各内部接続ピン30の特性インピーダンスを所望の値にすることできる。
In general, if the inductance per unit length is L and the capacitance is C, the characteristic impedance can be represented by (L / C) 1/2 . For this reason, if the shape of each
テスターの信号入出力端子の特性インピーダンスが50Ωであれば、メイン基板10及びコンタクトユニット20も特性インピーダンスが50Ωとなるように設計され、各信号伝搬経路のインピーダンスをマッチングさせている。これに加えて、インピーダンス調整プレート31を用いれば、各内部接続ピン30の特性インピーダンスも50Ωとなるように設計することができ、各内部接続ピン30の両端における高周波信号の反射を抑制することができるようになる。つまり、インピーダンス調整プレート31を設けることによって、プローブカード100内における損失を著しく減少させ、高周波特性を顕著に向上させることができる。
If the characteristic impedance of the signal input / output terminal of the tester is 50Ω, the
本実施の形態によれば、多数の内部接続ピン30を用いて、メイン基板10上の内部電極15と、当該内部電極15と対向するコンタクトユニット20上の内部電極25と導通させるプローブカード100において、内部接続ピン30の主面30mと対向させたインピーダンス調整プレート31を内部接続ピン30の近傍に配置することによって、各内部接続ピン30の特性インピーダンスを所望の値とすることができ、内部接続ピン30の両端における高周波信号の反射を抑制することができる。また、内部接続ピン30の変形状態によって、特性インピーダンスが変動するのを抑制することができる。
According to the present embodiment, in the
また、本実施の形態では、平面内において弾性変形する2以上の内部接続ピン30が、それぞれの上記平面を一致させて直線上に配列され、上記インピーダンス調整プレートは、上記平面に平行となるように配置されている。このため、同じインピーダンス調整プレート31によって、2以上の各内部接続ピン30の特性インピーダンスを調整することができる。
Further, in the present embodiment, two or more internal connection pins 30 that are elastically deformed in a plane are arranged on a straight line so that the planes coincide with each other, and the impedance adjustment plate is parallel to the plane. Is arranged. For this reason, the characteristic impedance of each of the two or more internal connection pins 30 can be adjusted by the same
また、本実施の形態では、内部接続ピン30がメイン基板10上の内部電極25に固着され、インピーダンス調整プレート31がコンタクトユニット20上の内部電極15に固着されている。そして、コンタクトユニット支持部13を用いて、メイン基板10及びコンタクトユニット20を対向配置させることによって、内部接続ピン30がコンタクトユニット20に弾性的に当接するように構成されている。このため、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31をともにコンタクトユニット20に固着する場合に比べて、本発明によるプローブカードを容易に製造することができる。
In the present embodiment, the
実施の形態2.
実施の形態1では、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31を交互に配置する場合の例について説明した。これに対し、実施の形態2では、内部接続ピン30の行間に2枚のインピーダンス調整プレート31が配置されている場合について説明する。
In Embodiment 1, the example in the case of arrange | positioning the
図7は、本発明の実施の形態2によるコンタクトユニット20を上面側から見た場合の様子を示した図であり、内部電極25、プレート用電極26及びインピーダンス調整プレート31が配置されたスペース変換器23の上面が示されている。図6(実施の形態1)と比較すれば、実施の形態2によるコンタクトユニット20では、隣接する内部電極25の間に2つのプレート用電極26が形成され、各プレート用電極26にインピーダンス調整プレート31がそれぞれ配置される点で異なる。
FIG. 7 is a view showing a state when the
図6の場合と同様、内部電極25は、スペース変換器23の上面にマトリクス状に配置されている。すなわち、主面30mが同一平面上となる内部接続ピン30を一定のピッチで行方向に整列させるとともに、互いの主面30mを対向させた内部接続ピン30を一定のピッチで列方向に整列させるように、内部電極25が配置されている。
As in the case of FIG. 6, the
図8は、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31間の距離を理論式を用いて求める方法の説明図である。図中では、断面が幅W、厚さtの矩形形状からなる複数の内部接続ピン30が、主面30mが同一平面上となるようにピッチPで配列されている。これらの内部接続ピン30は、2枚の平行なインピーダンス調整プレート31に挟まれ、各インピーダンス調整プレート31から等距離となる位置に配置されている。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a method for obtaining the distance between the
内部接続ピン30をストリップ線路とみなし、ストリップ線路の理論式を適用すれば、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31の距離Hと、内部接続ピン30の特性インピーダンスZoとの関係式を求めることができる。内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31間の媒体の比誘電率をεとすれば、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31の距離Hは、次式で表される。
例えば、望ましい特性インピーダンスZoが50Ω、内部接続ピン30の幅Wが100μm、厚さtが8μmである場合、空気の比誘電率1.0とともに、これらの値を上式に代入すれば、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31の距離Hとして約200μmを求めることができる。つまり、距離Hを約200μmにすれば、内部接続ピン30の特性インピーダンスを50Ωにすることができる。なお、内部電極25の行間ピッチは、通常、1mm以上が確保されている。
For example, if the desired characteristic impedance Zo is 50Ω, the width W of the
内部接続ピン30の特性インピーダンスZoを所望の値にするためには、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31間の距離Hを所望の特性インピーダンスZoに応じた長さhに一致させておく必要がある。内部接続ピン30の行間ピッチが2hよりも大きい場合、隣接する内部接続ピン30間に、2つのインピーダンス調整プレート31を配置すれば、H=hとすることができる。内部接続ピン30の静電容量は、隣接するインピーダンス調整プレート31までの距離で決まるため、内部接続ピン30のピッチが広い場合には、内部接続ピン30間に2つのインピーダンス調整プレート31を配置すれば、上記ピッチにかかわらず、内部接続ピン30の特性インピーダンスZoを所望の値にすることができる。なお、内部接続ピン30の行間ピッチが2hに一致している場合には、内部接続ピン30の行間の中央に1つのインピーダンス調整プレート31を配置すればよいことは言うまでもない。
In order to set the characteristic impedance Zo of the
なお、上記実施の形態では、内部接続ピン30がメイン基板10の内部電極15に固着され、インピーダンス調整プレート31がコンタクトユニット20のプレート用電極26に固着されている構成例について説明したが、本発明によるプローブカードは、このような構成には限定されない。例えば、内部接続ピン30がコンタクトユニット20の内部電極25に固着され、インピーダンス調整プレート31がメイン基板10の下面に形成されたプレート用電極(不図示)に固着されているものであってもよい。また、内部接続ピン30及びインピーダンス調整プレート31が、ともにメイン基板10に固着され、あるいは、ともにコンタクトユニット20に固着されてもよい。
In the above embodiment, the configuration example in which the
1 プローブ装置
2 検査対象物
10 メイン基板
12 外部電極
13 コンタクトユニット支持部
15,25 内部電極
20 コンタクトユニット
21 コンタクトプローブ
22 コンタクト基板
26 プレート用電極
30 内部接続ピン
30m 内部接続ピンの主面
31 インピーダンス調整プレート
100 プローブカード
H 内部接続ピン及びインピーダンス調整プレート間の距離
P 内部接続ピンのピッチ
W 内部接続ピンの幅
t 内部接続ピンの厚さ
Zo 内部接続ピンの特性インピーダンス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (5)
2以上の第2電極が第1電極に対向する上面に形成され、第2電極とそれぞれ導通する2以上のコンタクトプローブが下面に形成されたコンタクトユニットと、
上記メイン基板及びコンタクトユニット間に配置され、第1電極及び第2電極を導通させる2以上の内部接続ピンと、
上記内部接続ピンの主面に対向させて配置されたインピーダンス調整プレートとを備えたことを特徴とするプローブカード。 A main substrate having two or more first electrodes formed on the lower surface;
A contact unit in which two or more second electrodes are formed on the upper surface facing the first electrode, and two or more contact probes respectively connected to the second electrode are formed on the lower surface;
Two or more internal connection pins disposed between the main substrate and the contact unit and conducting the first electrode and the second electrode;
A probe card, comprising: an impedance adjustment plate arranged to face the main surface of the internal connection pin.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101980865B1 (en) * | 2017-11-28 | 2019-05-23 | 주식회사 에스디에이 | Probe Card |
KR102093419B1 (en) * | 2018-11-27 | 2020-03-26 | 주식회사 에스디에이 | Probe Card |
CN111239449A (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 中华精测科技股份有限公司 | Probe card device and probe seat thereof |
TWI717915B (en) * | 2018-11-27 | 2021-02-01 | 日商日本發條股份有限公司 | Probe unit |
TWI765652B (en) * | 2021-04-09 | 2022-05-21 | 晶英科技股份有限公司 | Electrical inspection device formed on wafer substrate using semiconductor process |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6196471A (en) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | Probe for inputting high speed signal |
JPH0555553U (en) * | 1991-12-24 | 1993-07-23 | 横河電機株式会社 | Semiconductor wafer inspection system |
JP2003506686A (en) * | 1999-07-28 | 2003-02-18 | ナノネクサス インコーポレイテッド | Structure and manufacturing method of integrated circuit wafer probe card assembly |
-
2008
- 2008-08-05 JP JP2008201852A patent/JP2010038726A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6196471A (en) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | Probe for inputting high speed signal |
JPH0555553U (en) * | 1991-12-24 | 1993-07-23 | 横河電機株式会社 | Semiconductor wafer inspection system |
JP2003506686A (en) * | 1999-07-28 | 2003-02-18 | ナノネクサス インコーポレイテッド | Structure and manufacturing method of integrated circuit wafer probe card assembly |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101980865B1 (en) * | 2017-11-28 | 2019-05-23 | 주식회사 에스디에이 | Probe Card |
KR102093419B1 (en) * | 2018-11-27 | 2020-03-26 | 주식회사 에스디에이 | Probe Card |
TWI717915B (en) * | 2018-11-27 | 2021-02-01 | 日商日本發條股份有限公司 | Probe unit |
US11782074B2 (en) | 2018-11-27 | 2023-10-10 | Nhk Spring Co., Ltd. | Probe unit |
CN111239449A (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 中华精测科技股份有限公司 | Probe card device and probe seat thereof |
TWI765652B (en) * | 2021-04-09 | 2022-05-21 | 晶英科技股份有限公司 | Electrical inspection device formed on wafer substrate using semiconductor process |
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