KR101980865B1 - Probe Card - Google Patents

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KR101980865B1
KR101980865B1 KR1020170160250A KR20170160250A KR101980865B1 KR 101980865 B1 KR101980865 B1 KR 101980865B1 KR 1020170160250 A KR1020170160250 A KR 1020170160250A KR 20170160250 A KR20170160250 A KR 20170160250A KR 101980865 B1 KR101980865 B1 KR 101980865B1
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coupled
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impedance matching
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김웅겸
임창민
심상범
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주식회사 에스디에이
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Abstract

Disclosed is a probe card, which comprises a probe substrate, a space transformer coupled to a lower portion of the probe substrate, and a probe head coupled to a lower portion of the space transformer and having a probe pin contacting a semiconductor element. In the probe card, the probe head comprises: an upper plate coupled to a lower portion of the space transformer and having a first installation groove formed in a lower portion thereof; a lower plate coupled to a lower portion of the upper plate and having a second installation groove formed in an upper portion thereof; an impedance matching unit coupled to an inner space formed by the first installation groove and the second installation groove facing each other; and a plurality of probe pins coupled through the upper plate, the impedance matching unit, and the lower plate. Impedance matching of the probe head is possible.

Description

프로브 카드{Probe Card}Probe Card {Probe Card}

개시되는 내용은 반도체 소자의 불량을 검사하기 위한 프로브 카드에 관한 것이다. The present disclosure relates to a probe card for inspecting defective semiconductor devices.

프로브 카드(Probe card)는 특정 반도체 제조 공정(FAB)이 완료된 웨이퍼(Wafer) 상에 있는 각각의 반도체 소자들을 검사하기 위한 것이다.A probe card is for inspecting each semiconductor element on a wafer on which a specific semiconductor manufacturing process (FAB) has been completed.

프로브 핀들을 이용하여 각각의 테스트하려는 반도체 소자의 패드(Pad)에 접촉시킨 후 테스트 시스템의 전기적 신호를 반도체 소자에 전달하여 웨이퍼의 양품과 불량품을 구분하는데 사용되는 핵심 장치이다.It is a core device that is used to distinguish good and defective products of wafers by contacting the pads of semiconductor devices to be tested with probe pins and transmitting the electrical signals of the test system to the semiconductor devices.

반도체 소자의 전기적 특성을 테스트하는 공정, 예컨대 EDS(electric die sorting) 공정은 반도체 소자에 대한 전기적인 특성을 테스트함으로써 불량 여부를 판별하여 수율을 증대시키며, 결함을 가진 반도체 소자의 조기 제거로 인해서 조립(assembly) 및 패키지 검사(package test)에서 소요되는 원가를 절감하도록 한다.A process of testing electrical characteristics of a semiconductor device, for example, an electric diesel sorting (EDS) process, tests the electrical characteristics of a semiconductor device to determine whether it is defective, thereby increasing the yield. (assembly) and package testing (package test).

이와 같은, 반도체 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자를 검사하는 장비는 테스터(tester)와, 프로브 시스템(probe system)으로 이루어져 있으며, 프로브 시스템에는 반도체 소자의 전극 패드와 기계적으로 접촉되는 프로브 카드(probe card)가 설치된다.The apparatus for inspecting a semiconductor device formed on a semiconductor wafer includes a tester and a probe system. The probe system includes a probe card that is in mechanical contact with an electrode pad of the semiconductor device. Respectively.

한편, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 전극 패드들의 간격 및 크기 역시 감소하고 있다. 프로브 카드에 구비된 프로브 핀들은 전극 패드들에 물리적으로 접촉하는 구조라는 점에서, 이러한 패드 구조의 변화는 프로브 핀들의 구조 및 배치와 관련된 기술적 어려움 들을 유발한다. Meanwhile, as semiconductor devices are highly integrated, the interval and size of the electrode pads are also decreasing. Such a change in the pad structure causes technical difficulties associated with the structure and arrangement of the probe pins in that the probe pins provided on the probe card physically contact the electrode pads.

인접하는 프로브 핀들은 전기적 간섭(interference) 및 단락(short)을 방지할 수 있도록 최소한의 이격 거리를 확보하면서 배열돼야 한다.Adjacent probe pins should be arranged with a minimum separation distance to prevent electrical interference and shorts.

공간 변환기(space transformer)는 이러한 프로브 핀의 미세 피치를 형성하기 위해 기판과 프로브 핀 사이에 기판 상의 단자 간 간격과 프로브 핀 간의 간격의 차이를 보상해 준다.The space transformer compensates for the difference between the terminal-to-terminal spacing and the probe-to-probe spacing between the substrate and the probe pins to form the fine pitch of such probe pins.

한국 공개특허 10-2017-0112769호.Korean Patent Publication No. 10-2017-0112769.

개시되는 내용은 반도체 소자의 불량을 검사하기 위한 프로브 카드에서 임피던스 매칭이 가능한 프로브 핀을 제공하고자 한다.Disclosed is a probe pin capable of performing impedance matching in a probe card for inspecting a defect of a semiconductor device.

개선된 프로브 카드는,The improved probe card,

프로브 기판, 프로브 기판의 하부에 결합되는 공간 변환기 및 공간 변환기 하부에 결합되어 반도체 소자에 접촉하는 프로브 핀이 구비된 프로브 헤드를 포함하는 프로브 카드에 있어서,1. A probe card comprising: a probe substrate; a space transformer coupled to a lower portion of the probe substrate; and a probe head coupled to a lower portion of the spatial transformer and having a probe pin contacting the semiconductor element,

프로브 헤드는,The probe head,

공간 변환기의 하부에 결합되고 하부 내측에 제1설치홈이 형성되는 상부 플레이트; 상부 플레이트의 하부에 결합되고 상부 내측에 제2설치홈이 형성되는 하부 플레이트; 제1설치홈과 제2설치홈이 마주보며 형성하는 내부공간에 결합되는 임피던스 매칭부; 및 상부 플레이트, 임피던스 매칭부 및 하부 플레이트를 상하로 관통하여 결합되는 복수의 프로브 핀;을 포함하여, 프로브 헤드의 임피던스 매칭(Impedance matching)이 가능하다.An upper plate coupled to a lower portion of the space converter and having a first mounting groove formed in a lower portion thereof; A lower plate coupled to a lower portion of the upper plate and having a second installation groove formed therein; An impedance matching unit coupled to an inner space formed by the first installation groove and the second installation groove facing each other; And a plurality of probe pins which are coupled to the upper plate, the impedance matching unit, and the lower plate through the upper and lower portions, so that the impedance matching of the probe head is possible.

개선된 프로브 카드는 프로브 헤드에 임피던스 매칭부를 포함하여, 신호의 손실 없이 데이터 전송이 가능하고, 외부 노이즈를 차단할 수 있다.The improved probe card includes an impedance matching unit in the probe head, so that data can be transmitted without loss of signal and external noise can be blocked.

도 1은 개선된 프로브 카드의 저면 사시도이다.
도 2는 개선된 프로브 카드의 저면도이다.
도 3은 개선된 프로브 카드의 측면 단면도이다.
도 4는 도 1의 일부 확대도이다.
도 5는 개선된 프로브 카드를 개략적으로 나타낸 측면 단면도이다.
도 6은 개선된 프로브 카드의 임피던스 매칭부를 개략적으로 나타낸 측면 단면도이다.
도 7은 개선된 프로브 카드의 공간 변환기를 개략적으로 나타낸 측면 단면도이다.1 is a bottom perspective view of an improved probe card.
2 is a bottom view of an improved probe card.
3 is a side cross-sectional view of an improved probe card.
4 is a partial enlarged view of Fig.
5 is a side cross-sectional view schematically showing an improved probe card.
6 is a side sectional view schematically showing an impedance matching portion of an improved probe card.
7 is a side cross-sectional view schematically showing a spatial converter of an improved probe card.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 개선된 프로브 카드의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of an improved probe card will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 개선된 프로브 카드(10)는, 프로브 기판(200), 프로브 기판(200)의 하부에 결합되는 공간 변환기(400) 및 공간 변환기(400) 하부에 결합되어 반도체 소자에 접촉하는 프로브 핀(680)이 구비된 프로브 헤드(600)를 포함한다.1 to 3, the improved probe card 10 includes a probe substrate 200, a spatial transducer 400 coupled to the lower portion of the probe substrate 200, And a probe head 600 having a probe pin 680 in contact with the element.

도 5를 참조하면, 프로브 기판(200)은 상부는 외부의 테스터와 연결되고, 하부는 프로브 헤드(600)가 결합된 공간 변환기(400)가 결합되는 구성으로서, 프로브 기판(200)은 가운데에 개구부(220)가 형성되고, 표면에 다수의 채널이 형성되며, 내부에 내부배선(240)이 형성될 수 있다.5, the probe substrate 200 has a structure in which an upper part is connected to an external tester and a lower part is coupled with a spatial transducer 400 to which a probe head 600 is coupled. An opening 220 is formed, a plurality of channels are formed on the surface, and an internal wiring 240 is formed inside.

도 7을 참조하면, 공간 변환기(400)는 프로브 핀(680)의 미세 피치를 형성하기 위해 프로브 기판(200)과 프로브 핀(680) 사이에 프로브 기판(200) 상의 단자 간 간격과 프로브 핀(680) 간의 간격의 차이를 보상해주는 구성으로서, 프로브 기판(200)의 하부에 결합되고 복수의 제1홀(422)이 형성되는 서브 기판(420); 및 서브 기판(420)에 형성된 제1홀(422)에 결합되는 복수의 전도성 로드(440);를 포함한다.7, the spatial transducer 400 is disposed between the probe substrate 200 and the probe pin 680 in order to form a fine pitch of the probe pin 680 and a gap between the terminals on the probe substrate 200, A sub substrate 420 coupled to a lower portion of the probe substrate 200 and having a plurality of first holes 422 formed therein; And a plurality of conductive rods 440 coupled to the first holes 422 formed in the sub-substrate 420.

전도성 로드(440)의 상부는 프로브 기판(200)에 형성된 채널의 전극 또는 내부배선(240)과 와이어(460)로 연결되고, 전도성 로드(440)의 하부는 프로브 핀(680)의 상부와 연결된다.The upper part of the conductive rod 440 is connected to the electrode or the inner wiring 240 of the channel formed on the probe substrate 200 by the wire 460 and the lower part of the conductive rod 440 is connected to the upper part of the probe pin 680 do.

전도성 로드(440)는 종래 서브 기판(420)에 형성된 제1홀(422)을 통과하던 와이어(460)가 단선되거나 단락되는 것을 방지하기 위한 구성으로서, 서브 기판(420)의 제1홀(422)에 에폭시를 주원료로 하는 접착제(446) 등으로 고정될 수 있다.The conductive rod 440 is formed to prevent the wire 460 passing through the first hole 422 formed in the conventional sub-board 420 from being disconnected or short-circuited. The conductive rod 440 is electrically connected to the first hole 422 An adhesive 446 whose main ingredient is epoxy, or the like.

전도성 로드(440)는 상부면과 하부면에 단단하고 내식성이 뛰어난 니켈(Ni) 도금층을 형성할 수 있고, 니켈 도금층(442) 위에 니켈 도금층(442)의 산화방지를 위해 금(Au) 도금층(440)을 추가로 형성할 수 있다.The conductive rod 440 may have a hard and corrosion resistant nickel plated layer formed on the upper and lower surfaces of the conductive rod 440. A gold plating layer 442 may be formed on the nickel plated layer 442 to prevent oxidation of the nickel plated layer 442 440) may be additionally formed.

도 4 내지 도 5를 참조하면, 프로브 헤드(600)는, 공간 변환기(400)의 하부에 결합되고 하부 내측에 제1설치홈이 형성되는 상부 플레이트(620); 상부 플레이트(620)의 하부에 결합되고 상부 내측에 제2설치홈이 형성되는 하부 플레이트(640); 제1설치홈과 제2설치홈이 마주보며 형성하는 내부공간에 결합되는 임피던스 매칭부(660); 및 상부 플레이트(620), 임피던스 매칭부(660) 및 하부 플레이트(640)를 상하로 관통하여 결합되는 복수의 프로브 핀(680);을 포함한다.4 to 5, the probe head 600 includes an upper plate 620 coupled to a lower portion of the space changer 400 and having a first mounting groove formed in a lower portion thereof; A lower plate 640 coupled to a lower portion of the upper plate 620 and having a second mounting groove formed therein; An impedance matching unit 660 coupled to an inner space formed by the first installation groove and the second installation groove facing each other; And a plurality of probe pins 680 coupled through the top plate 620, the impedance matching unit 660, and the bottom plate 640 through the top and bottom.

프로브 헤드(600)는 프로브 카드(10)의 가장 아래에 위치하는 구성으로서, 복수의 프로브 핀(680)이 반도체 소자와 접촉할 수 있다.The probe head 600 is located at the bottom of the probe card 10, and a plurality of probe pins 680 can contact the semiconductor element.

상부 플레이트(620)의 제1설치홈과 하부 플레이트(640) 제2설치홈은 서로 마주보며 내부공간을 형성하게 되고, 여기에 임피던스 매칭부(660)가 설치된다. The first mounting groove of the upper plate 620 and the second mounting groove of the lower plate 640 face each other to form an internal space, and an impedance matching unit 660 is installed there.

상부 플레이트(620)와 하부 플레이트(640)에는 복수의 프로브 핀(680)이 통과할 수 있도록 상하로 복수의 홀이 형성된다.A plurality of holes are formed in the upper plate 620 and the lower plate 640 so as to allow a plurality of probe pins 680 to pass therethrough.

도 6을 참조하면, 임피던스 매칭부(660)는, 프로브 핀(680)이 관통하는 복수의 제2홀(662)이 형성되는 상부 세라믹 플레이트(661); 상부 세라믹 플레이트(661)의 하부에 적층되고 프로브 핀(680)이 관통하는 복수의 제3홀(664)이 형성되는 복수의 그라운드 플레이트(663); 복수의 그라운드 플레이트(663) 사이에 삽입되고 프로브 핀(680)이 관통하는 복수의 제4홀(666)이 형성되는 하나 이상의 중간 세라믹 플레이트(665); 및 복수의 그라운드 플레이트(663)의 하부에 결합되고 프로브 핀(680)이 관통하는 복수의 제5홀(668)이 형성되는 하부 세라믹 플레이트(667);를 포함할 수 있다.6, the impedance matching unit 660 includes an upper ceramic plate 661 on which a plurality of second holes 662 through which probe pins 680 pass are formed; A plurality of ground plates 663 stacked on the lower portion of the upper ceramic plate 661 and having a plurality of third holes 664 through which the probe pins 680 pass; One or more intermediate ceramic plates (665) inserted between the plurality of ground plates (663) and having a plurality of fourth holes (666) through which the probe pins (680) pass; And a lower ceramic plate 667 coupled to a lower portion of the plurality of ground plates 663 and having a plurality of fifth holes 668 through which the probe pins 680 pass.

상부 세라믹 플레이트(661)와 하부 세라믹 플레이트(667)는 프로브 핀(680)의 상부와 하부를 지지하는 구성으로서, 복수의 프로브 핀(680)이 상하로 관통할 수 있도록 상부 세라믹 플레이트(661)에는 복수의 제2홀(662)이 형성되고, 하부 세라믹 플레이트(667)에는 복수의 제5홀(668)이 형성된다.The upper ceramic plate 661 and the lower ceramic plate 667 are configured to support the upper and lower portions of the probe pins 680. The upper and lower ceramic plates 661, A plurality of second holes 662 are formed, and a plurality of fifth holes 668 are formed in the lower ceramic plate 667.

복수의 그라운드 플레이트(663)는 전도성이 좋은 소재로 이루어지고, 복수의 프로브 핀(680)이 상하로 관통할 수 있도록 복수의 제3홀(664)이 형성되고, 상부 세라믹 플레이트(661)와 하부 세라믹 플레이트(667) 사이에 적층된다.The plurality of ground plates 663 are made of a conductive material and a plurality of third holes 664 are formed so that a plurality of probe pins 680 can penetrate up and down. Ceramic plates 667 are stacked.

중간 세라믹 플레이트(665)는 복수의 프로브 핀(680)이 상하로 관통할 수 있도록 복수의 제4홀(666)이 형성되고, 복수의 그라운드 플레이트(663) 사이에 삽입되어 복수의 그라운드 플레이트(663)를 상하로 구분할 수 있다.A plurality of fourth holes 666 are formed in the intermediate ceramic plate 665 so that a plurality of probe pins 680 can penetrate up and down. The intermediate ceramic plates 665 are inserted between the plurality of ground plates 663, ) Can be divided into upper and lower parts.

2개 이상의 중간 세라믹 플레이트(665)를 복수의 그라운드 플레이트(663) 사이에 삽입하면 복수의 그라운드 플레이트(663)를 3개 이상으로 구분할 수 있다.When the two or more intermediate ceramic plates 665 are inserted between the plurality of ground plates 663, the plurality of ground plates 663 can be divided into three or more.

임피던스 매칭부(660)에서 상부 세라믹 플레이트(661), 중간 세라믹 플레이트(665), 하부 세라믹 플레이트(667)는 임피던스에 영향을 주지 않는다.In the impedance matching unit 660, the upper ceramic plate 661, the intermediate ceramic plate 665, and the lower ceramic plate 667 do not affect the impedance.

임피던스 매칭부(660)에서 임피던스 매칭은 복수의 그라운드 플레이트(663)의 소재, 두께, 개수, 프로브 핀(680)과의 접촉면적 또는 중간 세라믹 플레이트에 의해 구분된 수에 따라서 임피던스 매칭부(660)의 임피던스가 변하므로, 필요에 따라서 임피던스 매칭부(660)의 임피던스를 조절하여 결정할 수 있다.The impedance matching in the impedance matching unit 660 is performed by the impedance matching unit 660 according to the material, the thickness, the number of the plurality of ground plates 663, the contact area with the probe pin 680, or the number divided by the intermediate ceramic plate. The impedance of the impedance matching unit 660 can be adjusted by adjusting the impedance of the impedance matching unit 660 as needed.

임피던스 매칭부(660)는 중간 세라믹 플레이트(665)에 의해 분리된 그라운드 플레이트(663) 각각을 프로브 기판(200)에 대해 지지하는 복수의 포고 핀(pogo pin, 669)을 더 포함할 수 있고, 포고 핀(669)은 전도성 금속으로 형성되는 것이 바람직하다.The impedance matching unit 660 may further include a plurality of pogo pins 669 for supporting each of the ground plates 663 separated by the intermediate ceramic plate 665 with respect to the probe substrate 200, The pogo pin 669 is preferably formed of a conductive metal.

포고 핀(669)의 하단은 그라운드 플레이트(663)에 접하고, 포고 핀(669)의 상단은 프로브 기판(200)에 접하면서 그라운드 플레이트(663)와 프로브 기판(200) 사이를 완충하면서 지지할 수 있고, 전기적으로 연결할 수 있다.The lower end of the pogo pin 669 is in contact with the ground plate 663 and the upper end of the pogo pin 669 is in contact with the probe substrate 200 to buffer the ground plate 663 and the probe substrate 200 And can be electrically connected.

임피던스 매칭부(660)는 상부 세라믹 플레이트(661), 그라운드 플레이트(663), 중간 세라믹 플레이트(665) 및 하부 세라믹 플레이트(667)를 상하로 관통하여 고정하는 지지부(670)를 더 포함할 수 있다.The impedance matching portion 660 may further include a support portion 670 for fixing the upper ceramic plate 661, the ground plate 663, the intermediate ceramic plate 665 and the lower ceramic plate 667 through the upper and lower portions .

지지부(670)의 상단은 상부 플레이트(620)의 제1설치홈에 고정되고, 지지부(670)의 하단은 하부 플레이트(640) 제2설치홈에 고정되어 상부 세라믹 플레이트(661), 그라운드 플레이트(663), 중간 세라믹 플레이트(665) 및 하부 세라믹 플레이트(667)의 움직임을 방지할 수 있다.The upper end of the support portion 670 is fixed to the first installation groove of the upper plate 620 and the lower end of the support portion 670 is fixed to the second installation groove of the lower plate 640 to connect the upper ceramic plate 661, 663, the intermediate ceramic plate 665 and the lower ceramic plate 667 can be prevented from moving.

지지부(670) 상단과 상부 플레이트(620)의 제1설치홈 사이에는 프로브 핀(680)을 안내하는 가이드 필름(690)이 더 결합될 수 있고, 가이드 필름(690)에는 복수의 프로브 핀(680)이 통과할 수 있도록 상하로 복수의 홀이 형성된다.A guide film 690 for guiding a probe pin 680 may be further coupled between the upper end of the support portion 670 and the first installation groove of the upper plate 620. A plurality of probe pins 680 A plurality of holes are formed up and down.

지지부(670)는 상부 세라믹 플레이트(661), 그라운드 플레이트(663), 중간 세라믹 플레이트(665) 및 하부 세라믹 플레이트(667)를 상하로 관통하여 형성되는 별도의 통공에 설치될 수 있고, 상부 세라믹 플레이트(661), 그라운드 플레이트(663), 중간 세라믹 플레이트(665) 및 하부 세라믹 플레이트(667)의 측면에 홈을 형성하여 지지부(670)를 설치할 수도 있다.The support portion 670 may be installed in a separate through hole formed by vertically passing the upper ceramic plate 661, the ground plate 663, the intermediate ceramic plate 665 and the lower ceramic plate 667, The supporting plate 670 may be formed by forming grooves on the side surfaces of the lower ceramic plate 661, the ground plate 663, the intermediate ceramic plate 665, and the lower ceramic plate 667.

복수의 프로브 핀(680)은 다수의 반도체 소자를 동시에 검사할 수 있고, 검사를 위한 반도체 소자의 위치에 따라서 프로브 핀(680)의 배치를 결정할 수 있다.The plurality of probe pins 680 can simultaneously inspect a plurality of semiconductor elements and determine the arrangement of the probe pins 680 according to the positions of the semiconductor elements for inspection.

프로브 핀(680)은 코브라 프로브(cobra probe), 와이어 프로브(wire probe) 또는 멤스 프로브(MEMS probe) 중 어느 하나를 이용할 수 있다.The probe pin 680 may use either a cobra probe, a wire probe, or a MEMS probe.

선택되는 프로브 핀(680)의 모양에 따라 상부 플레이트(620), 하부 플레이트(640), 상부 세라믹 플레이트(661), 그라운드 플레이트(663), 중간 세라믹 플레이트(665) 및 하부 세라믹 플레이트(667)에 형성되는 각각의 홀의 위치를 조정할 수 있다.The upper plate 620, the lower plate 640, the upper ceramic plate 661, the ground plate 663, the intermediate ceramic plate 665 and the lower ceramic plate 667 according to the shape of the selected probe pin 680 The position of each hole to be formed can be adjusted.

개선된 프로브 카드(10)는 프로브 기판(200)의 상부에는 와이어(460) 등을 보호할 수 있는 보호 덮개(800)가 결합될 수 있다.In the improved probe card 10, a protective cover 800 capable of protecting the wire 460 and the like may be coupled to the upper portion of the probe substrate 200.

10: 프로브 카드 200: 프로브 기판
220: 개구부 240: 내부배선
400: 공간 변환기 420: 서브 기판
422: 제1홀 440: 전도성 로드
442: 니켈 도금층 444: 금 도금층
446: 접착제 460: 와이어
600: 프로브 헤드 620: 상부 플레이트
640: 하부 플레이트 660: 임피던스 매칭부
661: 상부 세라믹 플레이트 662: 제2홀
663: 그라운드 플레이트 664: 제3홀
665: 중간 세라믹 플레이트 666: 제4홀
667: 하부 세라믹 플레이트 668: 제5홀
669: 포고 핀 670: 지지부
680: 프로브 핀 690: 가이드 필름
800: 보호 덮개10: probe card 200: probe substrate
220: opening 240: internal wiring
400: Space converter 420: Sub-
422: first hole 440: conductive rod
442: Nickel plated layer 444: Gold plated layer
446: Adhesive 460: Wire
600: probe head 620: upper plate
640: Lower plate 660: Impedance matching part
661: upper ceramic plate 662: second hole
663: Ground plate 664: Third hole
665: intermediate ceramic plate 666: fourth hole
667: lower ceramic plate 668: fifth hole
669: Pogo pin 670: Support
680: probe pin 690: guide film
800: Protective cover

Claims (9)

프로브 기판, 프로브 기판의 하부에 결합되는 공간 변환기 및 공간 변환기 하부에 결합되어 반도체 소자에 접촉하는 프로브 핀이 구비된 프로브 헤드를 포함하는 프로브 카드에 있어서,
상기 프로브 헤드는,
공간 변환기의 하부에 결합되고 하부 내측에 제1설치홈이 형성되는 상부 플레이트;
상부 플레이트의 하부에 결합되고 상부 내측에 제2설치홈이 형성되는 하부 플레이트;
제1설치홈과 제2설치홈이 마주보며 형성하는 내부공간에 결합되는 임피던스 매칭부; 및
상부 플레이트, 임피던스 매칭부 및 하부 플레이트를 상하로 관통하여 결합되는 복수의 프로브 핀;을 포함하여, 프로브 헤드의 임피던스 매칭이 가능하고,
상기 임피던스 매칭부는,
프로브 핀이 관통하는 복수의 제2홀이 형성되는 상부 세라믹 플레이트;
상부 세라믹 플레이트의 하부에 적층되고 프로브 핀이 관통하는 복수의 제3홀이 형성되는 복수의 그라운드 플레이트;
복수의 그라운드 플레이트 사이에 삽입되고 프로브 핀이 관통하는 복수의 제4홀이 형성되는 하나 이상의 중간 세라믹 플레이트; 및
복수의 그라운드 플레이트의 하부에 결합되고 프로브 핀이 관통하는 복수의 제5홀이 형성되는 하부 세라믹 플레이트;를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
1. A probe card comprising: a probe substrate; a space transformer coupled to a lower portion of the probe substrate; and a probe head coupled to a lower portion of the spatial transformer and having a probe pin contacting the semiconductor element,
Wherein the probe head comprises:
An upper plate coupled to a lower portion of the space converter and having a first mounting groove formed in a lower portion thereof;
A lower plate coupled to a lower portion of the upper plate and having a second installation groove formed therein;
An impedance matching unit coupled to an inner space formed by the first installation groove and the second installation groove facing each other; And
And a plurality of probe pins coupled to the upper plate, the impedance matching unit, and the lower plate through the upper plate and the lower plate, the impedance matching of the probe head being possible,
Wherein the impedance matching unit comprises:
An upper ceramic plate having a plurality of second holes through which probe pins pass;
A plurality of ground plates laminated on a lower portion of the upper ceramic plate and having a plurality of third holes penetrating the probe pins;
One or more intermediate ceramic plates inserted between the plurality of ground plates and having a plurality of fourth holes through which the probe pins pass; And
And a lower ceramic plate coupled to a lower portion of the plurality of ground plates and having a plurality of fifth holes penetrating the probe pins.
제1항에 있어서,
공간 변환기는,
프로브 기판의 하부에 결합되고 복수의 제1홀이 형성되는 서브 기판; 및
서브 기판에 형성된 제1홀에 결합되는 복수의 전도성 로드;를 포함하고,
전도성 로드의 상부는 프로브 기판에 형성된 전극과 와이어로 연결되고,
전도성 로드의 하부는 프로브 핀의 상부와 연결되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
The method according to claim 1,
The spatial converter,
A sub-substrate coupled to a lower portion of the probe substrate and having a plurality of first holes formed therein; And
And a plurality of conductive rods coupled to a first hole formed in the sub-substrate,
The upper portion of the conductive rod is connected to the electrode formed on the probe substrate by a wire,
And a lower portion of the conductive rod is connected to an upper portion of the probe pin.
제2항에 있어서,
전도성 로드는 서브 기판에 형성된 제1홀에 에폭시로 고정되는 것을 특징으로 하는 프로브카드.
3. The method of claim 2,
Wherein the conductive rod is epoxy-fixed to a first hole formed in the sub-board.
제2항에 있어서,
전도성 로드는 상부면과 하부면에 니켈 도금층이 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
3. The method of claim 2,
Wherein the conductive rod has a nickel plated layer formed on the upper surface and the lower surface thereof.
제4항에 있어서,
전도성 로드는 니켈 도금층 위에 금 도금층이 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
5. The method of claim 4,
Wherein the conductive rod has a gold plating layer formed on the nickel plating layer.
제1항에 있어서,
프로브 핀은 코브라 프로브(cobra probe), 와이어 프로브(wire probe) 또는 멤스 프로브(MEMS probe) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
The method according to claim 1,
Wherein the probe pin is any one of a cobra probe, a wire probe, and a MEMS probe.
삭제delete 제1항에 있어서,
임피던스 매칭부는,
중간 세라믹 플레이트에 의해 분리된 그라운드 플레이트 각각을 프로브 기판에 대해 지지하는 복수의 포고 핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
The method according to claim 1,
The impedance matching unit,
Further comprising a plurality of pogo pins for supporting each of the ground plates separated by the intermediate ceramic plate with respect to the probe substrate.
제1항에 있어서,
임피던스 매칭부는,
상부 세라믹 플레이트, 그라운드 플레이트, 중간 세라믹 플레이트 및 하부 세라믹 플레이트를 상하로 관통하여 고정하는 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
The method according to claim 1,
The impedance matching unit,
Further comprising a support for vertically penetrating and fixing the upper ceramic plate, the ground plate, the intermediate ceramic plate and the lower ceramic plate.
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