JP2010037585A - Copper foil and copper foil manufacturing method - Google Patents
Copper foil and copper foil manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010037585A JP2010037585A JP2008200073A JP2008200073A JP2010037585A JP 2010037585 A JP2010037585 A JP 2010037585A JP 2008200073 A JP2008200073 A JP 2008200073A JP 2008200073 A JP2008200073 A JP 2008200073A JP 2010037585 A JP2010037585 A JP 2010037585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper foil
- copper
- recess
- plating layer
- copper plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
Description
本発明は、銅箔及び銅箔製造方法に関する。特に、本発明は、プリント基板等に用いる銅箔及び銅箔製造方法に関する。 The present invention relates to a copper foil and a copper foil manufacturing method. In particular, the present invention relates to a copper foil used for a printed circuit board and the like, and a copper foil manufacturing method.
銅膜を形成した樹脂基材は、Copper Clad Laminate(CCL)と呼ばれる。そして、フレキシブルプリント基板(FPC)用のCCLとして、接着剤を介して銅箔と樹脂基材とを貼り合わせる3層CCL、及び接着剤を介さずに銅箔と樹脂基材とを貼り合わせる2層CCL等が知られている。CCLに用いられる銅箔は、樹脂基材に対する密着性を向上させることを目的として、銅箔表面に粗化処理が施される。 The resin base material on which the copper film is formed is called Copper Clad Laminate (CCL). And as CCL for flexible printed circuit boards (FPC), 3 layers CCL which bonds a copper foil and a resin base material through an adhesive, and 2 which bonds a copper foil and a resin base material without using an adhesive Layer CCL and the like are known. The copper foil used for CCL is subjected to a roughening treatment on the surface of the copper foil for the purpose of improving the adhesion to the resin substrate.
従来、凹凸を有する圧延銅箔の表面に、銅めっき層が設けられているプリント配線板用圧延銅箔が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載のプリント配線板用圧延銅箔は、圧延銅箔表面の凹凸を銅めっきにより消失させるので、粗化処理において電流が局部的に集中することがなく、いわゆる粗化コブが圧延銅箔表面に均一に形成される。これにより、特許文献1に記載のプリント配線板用圧延銅箔によれば、圧延銅箔の表面上に形成する粗化コブのばらつきを小さくすることができる。
Conventionally, the rolled copper foil for printed wiring boards with which the copper plating layer is provided in the surface of the rolled copper foil which has an unevenness | corrugation is known (for example, refer patent document 1). The rolled copper foil for printed wiring board described in
しかし、特許文献1に記載のプリント配線板用圧延銅箔は、圧延銅箔表面の凹凸を銅めっきにより消失させているので、圧延銅箔の表面粗さが小さくなり、圧延銅箔と樹脂基材との密着性が低下する場合がある。また、圧延銅箔に粗化処理を施すと、圧延銅箔表面の凹部にめっき層が形成されないクレータと呼ばれる欠陥が発生する場合がある。クレータのサイズが大きくなると、圧延銅箔への樹脂基材の貼り付け時、及び/又は塗布時に圧延銅箔と樹脂基材との間に気泡が残存する場合がある。
However, since the rolled copper foil for printed wiring boards described in
したがって、本発明の目的は、樹脂基材等への密着性を確保できる銅箔及び銅箔製造方法を提供することにある。 Therefore, the objective of this invention is providing the copper foil and copper foil manufacturing method which can ensure the adhesiveness to the resin base material etc.
本発明は、上記目的を達成するため、一方の表面に第1の凹部を有する銅箔材と、第1の凹部の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第2の凹部を、第1の凹部に対応する位置に有して一方の表面上に設けられる銅めっき層とを備える銅箔が提供される。 In order to achieve the above object, the present invention provides a copper foil material having a first recess on one surface and a second recess having an average depth smaller than the average depth of the first recess. And a copper foil provided with a copper plating layer provided on one surface at a position corresponding to the first recess.
また、上記銅箔は、銅箔材は、電解銅箔又は圧延銅箔であってもよい。また、第1の凹部は、銅箔材の表面に対して第1の傾斜角度を有する第1の斜面を含み、第2の凹部は、銅箔材の表面に対して第2の傾斜角度を有する第2の斜面を含み、第2の傾斜角度の平均値は、第1の傾斜角度の平均値より小さくてもよい。また、第2の傾斜角度の平均値は、1度以上10度以下であってもよい。 Moreover, the copper foil may be an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. The first recess includes a first slope having a first tilt angle with respect to the surface of the copper foil material, and the second recess has a second tilt angle with respect to the surface of the copper foil material. The average value of the second inclination angle may be smaller than the average value of the first inclination angle. Further, the average value of the second inclination angle may be not less than 1 degree and not more than 10 degrees.
また、上記銅箔は、第2の凹部の深さの平均値は、0.1μm以上0.7μm以下であってもよく、銅めっき層は、0.1μm以上1μm以下の厚さを有していてもよい。また、銅めっき層上に設けられる粗化処理層を更に備え、粗化処理層は、複数の構造物を含み、一方の表面に略水平な銅めっき層の表面と、少なくとも一部の第2の凹部の表面とに形成されてもよい。そして、粗化処理層は、銅又は銅合金から形成され、0.5μm以上3μm以下の表面粗さ(Rz)を有していてもよい。 The copper foil may have an average depth of the second recesses of 0.1 μm to 0.7 μm, and the copper plating layer has a thickness of 0.1 μm to 1 μm. It may be. Moreover, the roughening process layer provided on a copper plating layer is further provided, and the roughening process layer contains a some structure, the surface of the copper plating layer substantially horizontal on one surface, and at least one part 2nd. It may be formed on the surface of the recess. And the roughening process layer is formed from copper or a copper alloy, and may have surface roughness (Rz) of 0.5 micrometer or more and 3 micrometers or less.
また、本発明は、上記目的を達するため、銅箔材を準備する銅箔材準備工程と、銅箔材の表面に、限界電流密度未満の電流密度で銅めっき層を形成する銅めっき工程とを備える銅箔製造方法が提供される。 In order to achieve the above object, the present invention provides a copper foil material preparation step for preparing a copper foil material, and a copper plating step for forming a copper plating layer on the surface of the copper foil material with a current density less than the limit current density, and A copper foil manufacturing method is provided.
また、上記銅箔製造方法は、銅箔材準備工程は、一方の表面に第1の凹部を有する銅箔材を準備し、銅めっき工程は、第1の凹部の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第2の凹部を、第1の凹部に対応する位置に有する銅めっき層を形成してもよい。銅めっき層の表面に粗化処理層を形成する粗化処理工程を更に備え、粗化処理工程は、限界電流密度以上の電流密度で電解処理する第1処理工程と、第1処理工程後、限界電流密度未満の電流密度でめっき処理する第2処理工程とを含んでもよい。 Moreover, the said copper foil manufacturing method prepares the copper foil material which has a 1st recessed part in one surface, and a copper plating process is smaller than the average value of the depth of a 1st recessed part. You may form the copper plating layer which has the 2nd recessed part which has the average value of depth in the position corresponding to a 1st recessed part. Further comprising a roughening treatment step of forming a roughening treatment layer on the surface of the copper plating layer, the roughening treatment step is a first treatment step of electrolytic treatment at a current density equal to or higher than a limit current density, and after the first treatment step, And a second treatment step in which plating is performed at a current density less than the limit current density.
また、上記銅箔製造方法は、銅めっき工程は、5A/dm2以上30A/dm2未満の電流密度で銅めっき層を形成してもよい。銅めっき工程は、メルカプト基を有する有機硫黄化合物、界面活性剤、及び塩化物イオンを含むめっき液を用いて銅めっき層を形成してもよい。 Moreover, as for the said copper foil manufacturing method, a copper plating process may form a copper plating layer with the current density of 5 A / dm < 2 > or more and less than 30 A / dm < 2 >. In the copper plating step, a copper plating layer may be formed using a plating solution containing an organic sulfur compound having a mercapto group, a surfactant, and chloride ions.
また、本発明は、上記目的を達するため、一方の表面に第1の凹部を有する銅箔材と、第1の凹部に対応する位置に第2の凹部を有して一方の表面上に設けられる銅めっき層とを備え、第1の凹部は、銅箔材の表面に対して第1の傾斜角度を有する第1の斜面を含み、第2の凹部は、銅箔材の表面に対して第2の傾斜角度を有する第2の斜面を含み、第2の傾斜角度の平均値は、第1の傾斜角度の平均値より小さい銅箔が提供される。 In order to achieve the above object, the present invention provides a copper foil material having a first recess on one surface and a second recess on a surface corresponding to the first recess. And a first recessed portion includes a first slope having a first inclination angle with respect to the surface of the copper foil material, and the second recessed portion is directed to the surface of the copper foil material. A copper foil is provided that includes a second slope having a second slope angle, the average value of the second slope angles being less than the average value of the first slope angles.
また、上記銅箔は、銅めっき層は、0.1μm以上1μm以下の厚さを有していてもよい。 Moreover, as for the said copper foil, the copper plating layer may have thickness of 0.1 micrometer or more and 1 micrometer or less.
また、本発明は、上記目的を達するため、一方の表面に第1の凹部を有する銅箔材と、第1の凹部の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第2の凹部を、第1の凹部に対応する位置に有して一方の表面上に設けられ、0.1μm以上1μm以下の厚さを有する銅めっき層とを備える銅箔が提供される。 In order to achieve the above object, the present invention provides a copper foil material having a first recess on one surface and a second recess having an average depth smaller than the average depth of the first recess. Is provided on one surface at a position corresponding to the first recess, and a copper foil provided with a copper plating layer having a thickness of 0.1 μm or more and 1 μm or less is provided.
本発明に係る銅箔及び銅箔製造方法によれば、樹脂基材等への密着性を確保できる銅箔及び銅箔製造方法を提供できる。 According to the copper foil and the copper foil manufacturing method according to the present invention, it is possible to provide a copper foil and a copper foil manufacturing method capable of ensuring adhesion to a resin substrate or the like.
[実施の形態]
図1は、本発明の実施の形態に係る銅箔の断面の概要を示す。
[Embodiment]
FIG. 1 shows an outline of a cross section of a copper foil according to an embodiment of the present invention.
(銅箔1の構造)
本実施の形態に係る銅箔1は、一方の表面に第1の凹部15を有する銅箔材10と、一方の表面を覆って設けられ、第1の凹部15に対応する位置に第2の凹部25を有する銅めっき層20と、銅めっき層20の表面に形成される粗化処理層30とを備える。すなわち、銅箔1は、銅箔材10と銅めっき層20と粗化処理層30とを含んで形成される積層構造を備える。なお、図示しないが、粗化処理層30上に、所定の樹脂基材に対する銅箔1の密着性を更に向上させることを目的として、ニッケル−コバルト合金めっき層、亜鉛めっき層、クロメート処理層、及びシランカップリング処理層を形成することができる。
(Structure of copper foil 1)
The
銅箔材10は、所定の厚さを有すると共に、銅を含んで形成される。また、銅箔材10は、一方の表面に複数の第1の凹部15を有する。複数の第1の凹部15はそれぞれ、銅箔材10の表面10aに対して第1の傾斜角度としての所定の角度を有して形成される斜面15aを含む。なお、本実施の形態において、複数の斜面15aの表面10aに対する角度の平均値をθaと表わす。また、複数の第1の凹部15のそれぞれは所定の深さを有しており、本実施の形態において、複数の第1の凹部15の深さの平均値をDaと表わす。
The
また、銅箔材10は、電解銅箔又は圧延銅箔から形成される。本実施の形態に係る銅箔1を形成する場合において、銅箔材10の表面の平坦性を確保すると共に、銅箔1に優れた折り曲げ性を付与することを目的とする場合、銅箔材10を圧延銅箔から形成することができる。また、銅箔材10は、純銅、又は銅合金材料から形成することもできる。なお、本実施の形態において、銅箔材10を純銅から形成する場合に、純銅に不可避的に含まれる不純物は排除されない。
Moreover, the
銅めっき層20は、銅箔材10の一方の表面上に、複数の第1の凹部15のそれぞれを埋めて形成される。そして、銅めっき層20は、複数の第1の凹部15のそれぞれに対応する位置、すなわち、複数の第1の凹部15のそれぞれの上方に第2の凹部25をそれぞれ有する。複数の第2の凹部25はそれぞれ、銅箔材10の表面10a(又は、銅めっき層20の表面20a)に対して第2の傾斜角度としての所定の角度を有して形成される斜面25aを含む。
The
本実施の形態において、複数の斜面25aの表面10aに対する角度の平均値をθbと表わす。また、第2の凹部25は、対応する第1の凹部15の深さより浅い深さを有して形成される。そして、本実施の形態においては、θaとθbとの関係は、θa>θbとなり、DaとDbとの関係は、Da>Dbとなる。そして、本実施の形態においては、θbの値は、実施可能な範囲に設定すると共に、クレータの発生を抑制しやすい範囲に設定される。例えば、θbは、1度以上10度以下の範囲であることが好ましい。また、複数の第2の凹部25のそれぞれは所定の深さを有しており、本実施の形態において複数の第2の凹部25の深さの平均値をDbと表わす。そして、本実施の形態においては、Dbは、0.1μm以上0.7μm以下であることが好ましい。
In the present embodiment, an average value of angles with respect to the
なお、銅めっき層20は、少なくとも一部の第2の凹部25が有意な深さとなる厚さを有して銅箔材10上に形成される。例えば、銅めっき層20は、銅箔材10上に0.1μm以上1μm以下の厚さを有して形成されることが好ましい。
The
粗化処理層30は、複数の構造物35が銅めっき層20の表面20aに形成されることにより、銅めっき層20上に設けられる。複数の構造物35は、銅箔材10の一方の表面に略水平な銅めっき層20の表面と、少なくとも一部の第2の凹部25の表面(すなわち、第2の凹部25の斜面25aの表面)とに形成される。また、構造物35は、表面20aと斜面25aとの境目上に形成されてもよい。複数の構造物35はそれぞれ、めっき処理により銅を含んで形成される。そして、複数の構造物35はそれぞれ、コブ形状を有して形成される。そして、本実施の形態に係る粗化処理層30は、樹脂との密着性を確保することができる0.5μm以上の表面粗さ(Rz)を有すると共に、樹脂との貼り合わせ時にボイドの発生を抑制できる3μm以下の表面粗さ(Rz)を有する。なお、本実施の形態に係る粗化処理層30は、複数の構造物35それぞれの先端を結んだ仮想的な線を考えると、当該線が、有意の凹凸形状を有することとなる。
The
(第1の凹部15及び第2の凹部25の詳細)
図2は、本発明の実施の形態に係る第1の凹部及び第2の凹部の深さの評価の概要を示す。
(Details of
FIG. 2 shows an outline of evaluation of the depths of the first recess and the second recess according to the embodiment of the present invention.
銅箔材10が有する第1の凹部15の深さは、銅箔材10の表面10aから第1の凹部15の底部までの距離で表わされる。例えば、図2において一の第1の凹部15の深さは、Da1で表わされ、一の第1の凹部15に隣接する他の第1の凹部15の深さは、Da2で表わされる。同様にして、銅めっき層20が有する第2の凹部25の深さは、銅めっき層20の表面20aから第2の凹部25の底部までの距離で表わされる。例えば、一の第2の凹部25の深さは、Db1で表わされ、一の第2の凹部25に隣接する他の第2の凹部25の深さは、Db2で表わされる。なお、複数の第1の凹部15の深さの平均値Da及び複数の第2の凹部25の深さの平均値Dbはそれぞれ、所定数の各凹部の深さを測定して、その算術平均を算出することにより求めることができる。
The depth of the
図3は、本発明の実施の形態に係る第1の凹部の斜面及び第2の凹部の斜面の傾斜の評価の概要を示す。 FIG. 3 shows an outline of the evaluation of the slopes of the slopes of the first recess and the second recess according to the embodiment of the present invention.
銅箔材10が有する第1の凹部15の斜面15aの表面10aに対する傾斜は、角度θa1で表わされる。例えば、図3において一の第1の凹部15の斜面15aの傾斜は、θa1で表わされ、一の第1の凹部15に隣接する他の第1の凹部15の斜面15aの傾斜は、θa2で表わされる。同様にして、銅めっき層20が有する第2の凹部25の斜面25aの傾斜は、θb1で表わされる。例えば、一の第2の凹部25の斜面25aの傾斜は、θb1で表わされ、一の第2の凹部25に隣接する他の第2の凹部25の斜面25aの傾斜は、θb2で表わされる。なお、複数の第1の凹部15の斜面15aの傾斜の平均値θa及び複数の第2の凹部25の斜面25aの傾斜の平均値θbはそれぞれ、所定数の各凹部の斜面の傾斜を測定して、その算術平均を算出することにより求めることができる。
The inclination with respect to the
(銅箔1の製造方法)
図4は、本発明の実施の形態に係る銅箔の製造工程の一例を示す。
(Method for producing copper foil 1)
FIG. 4 shows an example of the manufacturing process of the copper foil according to the embodiment of the present invention.
(銅箔準備工程)
まず、所定の形状、所定厚、及び所定の表面粗さを有する電解銅箔又は圧延銅箔からなり、一方の表面に複数の第1の凹部15を有する銅箔材1を準備する(ステップ100(以下、ステップを「S」と略す))。
(Copper foil preparation process)
First, a
(電解脱脂工程)
次に、銅箔材1の少なくとも一方の表面を清浄化する(S110)。具体的に、銅箔材1の表面に電解脱脂を施すことにより表面を清浄化する。例えば、水酸化ナトリウム等のアルカリ溶液を用い、陰極電解脱脂を銅箔材1の表面に施すことにより、銅箔材1の表面を電解脱脂する。
(Electrolytic degreasing process)
Next, at least one surface of the
(酸洗処理工程)
次に、銅箔材1の表面に残存しているアルカリ溶液の中和、及び銅箔材1の表面の酸化膜を除去することを目的として、銅箔材1の表面に酸洗処理を施す(S120)。例えば、硫酸等の酸性の水溶液に銅箔材1を浸漬することにより、銅箔材1の表面に酸洗処理を施す。なお、酸性の水溶液として、銅エッチング液を用いることもできる。
(Pickling process)
Next, pickling treatment is performed on the surface of the
(銅めっき工程)
次に、硫酸銅及び硫酸を主成分とした酸性の銅めっき浴を準備する。そして、当該銅めっき浴に銅箔材1を陰極として浸す。この状態で、銅箔材1に電流を供給して、銅箔材1の一方の表面に電解処理を施すことにより、当該表面に銅めっき層20を形成する(S130)。具体的には、第1の凹部15の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第2の凹部25を、第1の凹部15に対応する位置に有する銅めっき層を形成する。
(Copper plating process)
Next, an acidic copper plating bath mainly composed of copper sulfate and sulfuric acid is prepared. Then, the
電解処理は、所定の液組成を有する銅めっき浴を用い、所定の液温下で限界電流密度未満の電流密度で所定の時間、実施する。銅めっき層20は、例えば、0.1μm以上1μm以下の厚さに形成する。また、銅めっき浴を用いた電解処理は、一例として、以下の条件で実施できる。
硫酸銅五水和物:20g/dm3以上300g/dm3以下
硫酸:10g/dm3以上200g/dm3以下
液温:20℃以上50℃以下
めっき電流密度:5A/dm2以上30A/dm2未満(限界電流密度未満)
めっき時間:1秒以上20秒以下
The electrolytic treatment is performed using a copper plating bath having a predetermined liquid composition at a current density lower than the limit current density at a predetermined liquid temperature for a predetermined time. The
Copper sulfate pentahydrate: 20 g / dm 3 or more and 300 g / dm 3 or less Sulfuric acid: 10 g / dm 3 or more and 200 g / dm 3 or less Liquid temperature: 20 ° C. or more and 50 ° C. or less Plating current density: 5 A / dm 2 or more and 30 A / dm Less than 2 (less than the limit current density)
Plating time: 1 second to 20 seconds
また、銅めっき層20を形成する電解処理において、銅めっき層20の表面を平滑化することを目的として、所定の添加剤を添加することもできる。添加剤としては、例えば、塩素、3−メルカプト−1−スルホン酸又はビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド等のメルカプト基を持つ有機硫黄化合物、ポリエチレングリコール又はポリプロピレングリコール等の界面活性剤、及び塩化物イオン等からなる群から選択される少なくとも1つの物質を用いることができる。
Moreover, in the electrolytic treatment for forming the
また、プリント配線板等の製造に用いられる各種の銅めっき用添加剤を用いることもできる。銅めっき用添加剤としては、例えば、CU−BRITE TH−RIII(荏原ユージライト社製)、トップルチナLS(奥野製薬社製)、カパーグリームCLX(メルテックス社製)、スルカップEUC(上村工業社製)等を用いることができる。 Moreover, the various additives for copper plating used for manufacture of a printed wiring board etc. can also be used. As an additive for copper plating, for example, CU-BRITE TH-RIII (manufactured by Sugawara Eugelite), Top Lucina LS (manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.), Capper Grime CLX (manufactured by Meltex Co., Ltd.), Sulcup EUC (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) ) Etc. can be used.
めっき電流密度は、銅めっき層20の表面20aの凹凸の程度を抑制することを目的として、限界電流密度未満の電流密度に設定する。また、生産性を向上させることを目的として、めっき電流密度を所定値以上の値に設定すると共に、銅めっき層20の表面を平滑にすることを目的としてめっき電流密度を所定値以下の値に設定する。一例として、めっき電流密度は5A/dm2以上30A/dm2未満に設定する。
The plating current density is set to a current density less than the limit current density for the purpose of suppressing the degree of unevenness of the
(粗化処理工程:第1処理工程)
続いて、銅めっき層20上に樹枝状銅めっき層を形成する(S140)。具体的には、硫酸銅及び硫酸を主成分として含む酸性の銅めっき浴を準備する。そして、この銅めっき浴に、銅めっき層20を有する銅箔材10を浸す。次に、当該銅箔材10を陰極として、所定の液温下で、銅めっき浴の限界電流密度以上の電流密度の電流を当該銅箔材10に供給する。これにより、銅めっき層20上に樹枝状の銅めっき層を形成する。なお、樹枝状の銅めっき層の大きさは、一例として、高さが0.2μm以上1.0μm以下程度であり、幅が0.2μm以上0.5μm以下程度である。
(Roughening treatment step: first treatment step)
Subsequently, a dendritic copper plating layer is formed on the copper plating layer 20 (S140). Specifically, an acidic copper plating bath containing copper sulfate and sulfuric acid as main components is prepared. And the
樹枝状の銅めっき層を形成する場合における銅めっき浴、及び銅めっきの条件は、例えば、以下の条件を用いることができる。なお、樹枝状の銅めっき層を形成する場合には、例えば、銅を除く金属元素(モリブデン、鉄、又はコバルト等)を添加することもできる。なお、添加する金属元素としてモリブデンを用いた場合、形成される樹枝状の銅めっき層の断面形状に丸みを持たせること、及び銅めっき層20の特定の部分に樹枝状の銅めっき層が異常成長することを抑制できる。
硫酸銅五水和物:20g/dm3以上300g/dm3以下
硫酸:10g/dm3以上200g/dm3以下
液温:20℃以上50℃以下
めっき電流密度:30A/dm2以上100A/dm2以下(限界電流密度以上)
めっき時間:1秒以上10秒以下
For example, the following conditions can be used as the copper plating bath and the copper plating conditions in the case of forming the dendritic copper plating layer. In addition, when forming a dendritic copper plating layer, metal elements (such as molybdenum, iron, or cobalt) other than copper can be added, for example. When molybdenum is used as the metal element to be added, the cross-sectional shape of the dendritic copper plating layer to be formed is rounded, and the dendritic copper plating layer is abnormal in a specific portion of the
Copper sulfate pentahydrate: 20 g / dm 3 to 300 g / dm 3 or less Sulfuric acid: 10 g / dm 3 to 200 g / dm 3 or less Liquid temperature: 20 ° C. to 50 ° C. Plating current density: 30 A / dm 2 to 100 A / dm 2 or less (over limit current density)
Plating time: 1 to 10 seconds
(粗化処理工程:第2処理工程)
次に、樹枝状銅めっき層からコブ状銅めっき層を形成する(S150)。具体的には、硫酸銅及び硫酸を主成分として含む酸性の銅めっき浴を準備する。そして、この銅めっき浴に、樹枝状銅めっき層を有する銅箔材10を浸す。次に、当該銅箔材10を陰極として、所定の液温下で、銅めっき浴の限界電流密度未満の電流密度の電流を当該銅箔材10に供給する。これにより、樹枝状銅めっき層の表面に、平滑な表面を有するコブ状の銅めっき層(被せめっき)が形成される。これにより、樹枝状銅めっき層に所定厚の銅めっき層が被覆され、コブ状銅めっき層が形成される。本実施の形態に係る粗化処理層30が形成される。
(Roughening treatment step: second treatment step)
Next, a bump-like copper plating layer is formed from the dendritic copper plating layer (S150). Specifically, an acidic copper plating bath containing copper sulfate and sulfuric acid as main components is prepared. And the
コブ状銅めっき層を形成する場合における銅めっき浴、及び銅めっきの条件は、例えば、以下の条件を用いることができる。
硫酸銅五水和物:20g/dm3以上300g/dm3以下
硫酸:10g/dm3以上200g/dm3以下
液温:20℃以上50℃以下
めっき電流密度:1A/dm2以上20A/dm2以下(限界電流密度未満)
めっき時間:1秒以上20秒以下
For example, the following conditions can be used as the copper plating bath and the copper plating conditions in forming the bumpy copper plating layer.
Copper sulfate pentahydrate: 20 g / dm 3 to 300 g / dm 3 or less Sulfuric acid: 10 g / dm 3 to 200 g / dm 3 or less Liquid temperature: 20 ° C. to 50 ° C. Plating current density: 1 A / dm 2 to 20 A / dm 2 or less (less than the limit current density)
Plating time: 1 second to 20 seconds
(後処理めっき工程)
本実施の形態に係る銅箔1の製造方法においては、コブ状銅めっき層を設けた後に、所定の特性を銅箔1に備えさせることを目的として、後処理めっき膜を粗化処理層30の上に形成することができる。まず、粗化処理層30等を構成する銅の拡散を防止することを目的として、粗化処理層30上にニッケルめっき層(又はニッケル合金めっき層)を形成する(S160)。
(Post-treatment plating process)
In the manufacturing method of the
次に、銅箔1の耐熱性を向上させることを目的として、亜鉛めっき層(又は亜鉛合金めっき層)を、ニッケルめっき層の上に形成する(S170)。更に、銅箔1の樹脂基材に対する密着性を向上させることを目的として、化成処理皮膜としてのシランカップリング処理層を、亜鉛めっき層の上に形成する(S180)。
Next, for the purpose of improving the heat resistance of the
以上の工程を経て、本実施の形態に係る銅箔1が製造される。本実施の形態に係る銅箔1は、例えば、プリント配線基板、プラズマディスプレイ用電磁波シールド、ICカードが備えるアンテナ等に適用できる。
Through the above steps,
(実施の形態の効果)
本発明の実施の形態によれば、銅箔材10上に薄い膜厚の銅めっき層20を形成した後に粗化処理を施すことにより、表面粗さが小さいと共に、高い屈曲性を有した銅箔1を提供できる。これにより、本実施の形態に係る銅箔1によれば、極めて薄い銅めっき層20を形成した後に、表面に粗化処理層30を形成するだけで、樹脂基材に対する密着性を確保できると共に、銅箔1にエッチング処理を施して微細配線を形成する場合に、微細配線下にアンダーカットが発生することを抑制できる。
(Effect of embodiment)
According to the embodiment of the present invention, the
すなわち、本発明の実施の形態によれば、例えば、小型化が要求される電子機器に用いられるフレキシブルプリント基板(FPC)等のプリント配線基板において、銅配線からなる配線ピッチを微細化した場合であっても、微細化した銅配線の底部がエッチングにより除去されることを抑制できる。また、粗化処理を銅箔1に施した場合に、銅箔1の表面におけるクレータの発生を大幅に抑制することもでき、CCL作製時におけるボイド不良を低減できる。
That is, according to the embodiment of the present invention, for example, in a printed wiring board such as a flexible printed board (FPC) used for an electronic device that is required to be downsized, the wiring pitch made of copper wiring is reduced. Even if it exists, it can suppress that the bottom part of the refined | miniaturized copper wiring is removed by an etching. Moreover, when the roughening process is performed on the
[実施例]
図5は、本発明の実施例に係る銅箔の断面の概要を示す。
[Example]
FIG. 5 shows an outline of a cross section of a copper foil according to an embodiment of the present invention.
本発明の実施例1〜8においては、所定の銅箔材10に銅めっき層20を施した後、銅めっき層20上に粗化処理層30を形成した。この場合において、銅箔材10の第1の凹部15に対応する第2の凹部25の一部において、第2の凹部25の表面に粗化処理層30が形成されない部分があった。この粗化処理層30が形成されない部分をクレータ40とした。ここで、本実施例に係る粗化処理層30は、樹枝状銅めっき層36とコブ状銅めっき層37とから形成される。
In Examples 1 to 8 of the present invention, after the
本発明の実施例1においては、銅箔材10として厚さが17μmの圧延銅箔を用いた。そして、この圧延銅箔の表面を電解脱脂処理、及び酸洗処理を施すことにより清浄化した。なお、電解脱脂処理は、水酸化ナトリウム40g/dm3、及び炭酸ナトリウム20g/dm3を含む水溶液中で温度を40℃に設定すると共に、電流密度を5A/dm2に設定して、10秒間、実施した。また、酸洗処理は、硫酸150g/dm3を含む水溶液で温度を25℃に設定して、5秒間、実施した。酸洗処理後、銅箔材10を流水により水洗した。
In Example 1 of the present invention, a rolled copper foil having a thickness of 17 μm was used as the
次に、銅箔材10の表面に銅めっき層20をめっきにより形成した。具体的に、0.11μmの厚さを有する銅めっき層20を銅箔材10の表面に形成した。銅めっき液は、硫酸銅五水和物180g/dm3、及び硫酸100g/dm3を含む水溶液を用いた。銅めっきの条件は、めっき液の液温を45℃に設定すると共に、めっき電流密度を20A/dm2に設定して、めっき時間は2秒間とした。
Next, the
次に、銅めっき層20が形成された銅箔材10を水洗した。そして、硫酸銅五水和物75g/dm3、硫酸150g/dm3、硫酸鉄七水和物20g/dm3、及びモリブデン酸ナトリウム1g/dm3を含むめっき浴を調整した。そして、当該めっき浴の液温を30℃に設定すると共に、電流密度を40A/dm2に設定して、5秒間の電解処理を銅めっき層20に施すことにより、銅めっき層20上に樹枝状銅めっき層36を形成した。
Next, the
次に、樹枝状銅めっき層36が形成された銅箔材10を水洗した。そして、硫酸銅五水和物150g/dm3、及び硫酸100g/dm3を含むめっき液を調整した。このめっき液の液温を40℃に調整すると共に、電流密度を10A/dm2に設定して、10秒間の電解処理を樹枝状銅めっき層36に施すことにより、樹枝状銅めっき層36からコブ状銅めっき層37を形成した。
Next, the
続いて、硫酸ニッケル六水和物300g/dm3、塩化ニッケル45g/dm3、及び硼酸50g/dm3を含むめっき液を調整した。このめっき液の液温を50℃に設定すると共に、電流密度を2A/dm2に設定して、5秒間の電解処理をコブ状銅めっき層37が形成された銅箔材10に施した。これにより、コブ状銅めっき層37上に、l0μg/cm2のニッケルめっき層を形成した。
Subsequently, a plating solution containing nickel sulfate hexahydrate 300 g / dm 3 , nickel chloride 45 g / dm 3 , and boric acid 50 g / dm 3 was prepared. The temperature of this plating solution was set to 50 ° C., the current density was set to 2 A / dm 2, and the electrolytic treatment for 5 seconds was applied to the
次に、ニッケルめっき層が形成された銅箔材10を水洗した。そして、硫酸亜鉛90g/dm3、及び硫酸ナトリウム70g/dm3を含むめっき液を調整した。このめっき液の液温を30℃に設定すると共に、電流密度を1.5A/dm2に設定して、4秒間の電解処理をニッケルメッキ層が形成された銅箔材10に施した。これにより、ニッケルメッキ層上に、l.0μg/cm2の亜鉛めっき層を形成した。
Next, the
更に、亜鉛めっき層が形成された銅箔材10を水洗した。そして、3−アミノプロピルトリメトキシシラン10%のシランカップリング液に、当該銅箔材10を室温下で10秒間、浸漬した後、直ちに100℃の温度で当該銅箔材10を乾燥させた。これにより、亜鉛めっき層上にシランカップリング処理層が形成され、実施例1に係る銅箔1が得られた。
Furthermore, the
本発明の実施例2に係る銅箔1は、0.42μm厚の銅めっき層20を銅箔材10上に形成した点以外は、実施例1に係る銅箔1と同様の方法で製造した。
The
本発明の実施例3に係る銅箔1は、0.71μm厚の銅めっき層20を銅箔材10上に形成した点以外は、実施例1に係る銅箔1と同様の方法で製造した。
The
本発明の実施例4に係る銅箔1は、銅めっき層20の形成に用いた銅めっき液に所定の添加剤を添加した点と銅めっき層20を形成する電流密度を5A/dm2に設定して、8秒間の電解処理とした点以外は、実施例1に係る銅箔1と同様の方法で製造した。添加した添加剤は以下のとおりである。すなわち、硫酸銅五水和物180g/dm3、硫酸100g/dm3、ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィドを50mg/dm3、ポリエチレングリコール3000を200mg/dm3、及び塩化物イオンを50mg/dm3含む水溶液を添加剤として用いた。
In the
本発明の実施例5に係る銅箔1は、0.42μm厚の銅めっき層20を銅箔材10上に形成した点と銅めっき層20を形成する電流密度を20A/dm2に設定して、7.5秒間の電解処理とした点以外は、実施例4に係る銅箔1と同様の方法で製造した。
The
本発明の実施例6に係る銅箔1は、0.71μm厚の銅めっき層20を銅箔材10上に形成した点と銅めっき層20を形成する電流密度を30A/dm2に設定して、8.7秒間の電解処理とした点以外は、実施例4に係る銅箔1と同様の方法で製造した。
The
本発明の実施例7に係る銅箔1は、樹枝状銅めっき層を形成する時の電流密度を変更した点以外は、実施例1に係る銅箔1と同様の方法で製造した。すなわち、実施例7においては、樹枝状銅めっき層を形成する時の電流密度を45A/dm2に設定すると共に、めっき時間を10秒間とした。
The
本発明の実施例8に係る銅箔1は、1.2μm厚の銅めっき層20を銅箔材10上に形成した点以外は、実施例1に係る銅箔1と同様の方法で製造した。
The
(比較例1)
比較例1に係る銅箔は、銅箔材10上に銅めっき層を形成しない点を除き、本発明の実施例1と同様の方法で製造した。
(Comparative Example 1)
The copper foil which concerns on the comparative example 1 was manufactured by the method similar to Example 1 of this invention except the point which does not form a copper plating layer on the
(比較例2)
比較例2に係る銅箔は、銅箔材10上に銅めっき層を形成するときの電流密度を35A/dm2とした点を除き、本発明の実施例1と同様の方法で製造した。
(Comparative Example 2)
Copper foil of Comparative Example 2, except that the current density 35A / dm 2 at the time of forming a copper plating layer on
以上のようにして製造した実施例1〜8に係る銅箔1と、比較例1〜2に係る銅箔とのそれぞれについてその特性を評価した。
The characteristic was evaluated about each of the
なお、銅箔材10上に形成された銅めっき層の厚さは、Foucused Ion Beamを用いて銅箔に加工を施して、加工後の断面を走査型電子顕微鏡で観察することにより求めた。また、銅箔の表面の凹部の形状(凹部の斜面、及び斜面の傾斜)は、原子間力顕微鏡(AFM SPM−9500J、島津製作所社製)を用いて評価した。
In addition, the thickness of the copper plating layer formed on the
具体的には、銅めっき層を形成する前後において、銅箔材及び銅めっき層の表面を250μm×250μmの領域をAFMで走査して、走査した領域内の凹部の深さの平均値(Da及びDb)と、凹部の斜面の銅箔の表面に対する角度の平均値(θa及びθb)とを測定した。すなわち、本発明の実施の形態の図2及び図3において説明したのと同様に、Da及びDb、並びにθa及びθbを算出した。なお、実施例1〜8、及び比較例1〜2においてはそれぞれ、銅箔材表面の100か所の凹部、及び銅めっき層表面の100か所の凹部のそれぞれについて凹部の深さ及び斜面の角度を測定した。そして、測定結果から凹部の深さの平均値及び斜面の角度の平均値を算出した。 Specifically, before and after the formation of the copper plating layer, the surface of the copper foil material and the copper plating layer was scanned with an AFM on a 250 μm × 250 μm region, and the average value of the depths of the recesses in the scanned region (Da And Db) and average values (θa and θb) of the angles of the inclined surfaces of the recesses with respect to the surface of the copper foil were measured. That is, Da and Db, and θa and θb were calculated in the same manner as described in FIGS. 2 and 3 of the embodiment of the present invention. In Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2, the depth of the recess and the slope of each of the 100 recesses on the surface of the copper foil material and the 100 recesses on the surface of the copper plating layer were each. The angle was measured. And the average value of the depth of a recessed part and the average value of the angle of a slope were computed from the measurement result.
また、粗化処理層を形成した後の銅箔の表面粗さは、JIS B0601−1994によるRzにより評価した。表面粗さは、表面粗さ測定機(SE500表面粗さ測定機、小坂研究所社製)を用いて評価した。 Moreover, the surface roughness of the copper foil after forming a roughening process layer was evaluated by Rz by JISB0601-1994. The surface roughness was evaluated using a surface roughness measuring machine (SE500 surface roughness measuring machine, manufactured by Kosaka Laboratory).
図6は、銅箔の屈曲特性の評価方法の概要を示す。 FIG. 6 shows an outline of a method for evaluating the bending characteristics of a copper foil.
銅箔の屈曲特性の評価には、図6に示す屈曲特性を調べることのできる試験機を用いた。試験機は、振動発生源としての振動発生装置100と、振動発生装置100によって発生した振動を銅箔1に伝達して付与する振動付加部110と、銅箔1を所定の位置に固定する導体固定部130a乃至130dと、振動発生装置100を所定の台に固定する支持部120a及び120bとを備える。
For the evaluation of the bending characteristics of the copper foil, a testing machine capable of examining the bending characteristics shown in FIG. 6 was used. The testing machine includes a
具体的に、銅箔1の一方の端部付近を導体固定部130aと130cとで固定して、銅箔1の他方の端部付近を導体固定部130bと130dとで固定すると共に、銅箔1の中央部に振動付加部110を接触させることにより、銅箔1を逆Wの字形状に保持した。なお、実施例1〜8、及び比較例1〜2に係る銅箔のそれぞれを、試験片の採取方向を圧延方向として、幅12.7mm、長さ200mmのテープ形状のサンプルにして屈曲特性を評価した。屈曲特性の測定は、曲率半径を2.5mm、ストロークを10mm、及び屈曲速度を1500回/分に設定したときの、サンプル破断時の屈曲回数を屈曲寿命として評価した。
Specifically, the vicinity of one end of the
また、クレータ密度は、実施例及び比較例に係る銅箔表面の3mm×3mmの領域を光学顕微鏡を用いて撮影した光学顕微鏡写真中のクレータ数から求めた。 Moreover, the crater density was calculated | required from the number of craters in the optical microscope photograph which image | photographed the 3 mm x 3 mm area | region of the copper foil surface which concerns on an Example and a comparative example using the optical microscope.
以上のような手法を用いて、実施例及び比較例に係る銅箔の特性を評価した結果を表1に示す。 Table 1 shows the results of evaluating the characteristics of the copper foils according to Examples and Comparative Examples using the above-described method.
表1の結果から、実施例1〜8においては、銅箔材10の表面に銅めっき層20を形成してDa及びDb、並びにθa及びθbを減少させることにより、クレータ密度を比較例より低減させることができ、クレータ等の欠陥が少なく屈曲性の高い銅箔が形成できることが示された。
From the result of Table 1, in Examples 1-8, the crater density is reduced from the comparative example by forming the
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。 While the embodiments and examples of the present invention have been described above, the embodiments and examples described above do not limit the invention according to the claims. It should be noted that not all combinations of features described in the embodiments and examples are necessarily essential to the means for solving the problems of the invention.
1 銅箔
10 銅箔材
10a 表面
15 第1の凹部
15a 斜面
20 銅めっき層
20a 表面
25 第2の凹部
25a 斜面
30 粗化処理層
35 構造物
40 クレータ
100 振動発生装置
110 振動付加部
120a、120b 支持部
130a、130b、130c、130d 導体固定部
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記第1の凹部の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第2の凹部を、前記第1の凹部に対応する位置に有して前記一方の表面上に設けられる銅めっき層と
を備える銅箔。 A copper foil material having a first recess on one surface;
A copper plating layer provided on the one surface having a second recess having an average depth smaller than the average depth of the first recess at a position corresponding to the first recess. Copper foil provided with.
請求項1に記載の銅箔。 The copper foil according to claim 1, wherein the copper foil material is an electrolytic copper foil or a rolled copper foil.
前記第2の凹部は、前記銅箔材の表面に対して第2の傾斜角度を有する第2の斜面を含み、
前記第2の傾斜角度の平均値は、前記第1の傾斜角度の平均値より小さい
請求項2に記載の銅箔。 The first recess includes a first inclined surface having a first inclination angle with respect to the surface of the copper foil material,
The second recess includes a second inclined surface having a second inclination angle with respect to the surface of the copper foil material,
The copper foil according to claim 2, wherein an average value of the second inclination angles is smaller than an average value of the first inclination angles.
請求項3に記載の銅箔。 4. The copper foil according to claim 3, wherein an average value of the second inclination angles is not less than 1 degree and not more than 10 degrees.
請求項4に記載の銅箔。 5. The copper foil according to claim 4, wherein an average value of the depth of the second recess is 0.1 μm or more and 0.7 μm or less.
請求項5に記載の銅箔。 The copper foil according to claim 5, wherein the copper plating layer has a thickness of 0.1 μm or more and 1 μm or less.
を更に備え、
前記粗化処理層は、複数の構造物を含み、前記一方の表面に略水平な前記銅めっき層の表面と、少なくとも一部の前記第2の凹部の表面とに形成される
請求項6に記載の銅箔。 A roughening layer provided on the copper plating layer;
The roughening treatment layer includes a plurality of structures, and is formed on the surface of the copper plating layer substantially horizontal to the one surface and at least a part of the surface of the second recess. The described copper foil.
請求項7に記載の銅箔。 The said roughening process layer is copper foil of Claim 7 formed from copper or a copper alloy, and having the surface roughness (Rz) of 0.5 micrometer or more and 3 micrometers or less.
前記銅箔材の表面に、限界電流密度未満の電流密度で銅めっき層を形成する銅めっき工程と
を備える銅箔製造方法。 A copper foil material preparation step of preparing a copper foil material;
A copper foil manufacturing method comprising: a copper plating step of forming a copper plating layer on the surface of the copper foil material at a current density less than a limit current density.
前記銅めっき工程は、前記第1の凹部の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第2の凹部を、前記第1の凹部に対応する位置に有する前記銅めっき層を形成する
請求項9に記載の銅箔製造方法。 The copper foil material preparation step prepares the copper foil material having a first recess on one surface,
The copper plating step forms the copper plating layer having a second recess having an average depth smaller than an average depth of the first recess at a position corresponding to the first recess. The copper foil manufacturing method according to claim 9.
を更に備え、
前記粗化処理工程は、
前記限界電流密度以上の電流密度で電解処理する第1処理工程と、
前記第1処理工程後、前記限界電流密度未満の電流密度でめっき処理する第2処理工程と
を含む請求項10に記載の銅箔製造方法。 Further comprising a roughening treatment step of forming a roughening treatment layer on the surface of the copper plating layer;
The roughening treatment step includes
A first treatment step for electrolytic treatment at a current density equal to or higher than the limit current density;
The copper foil manufacturing method according to claim 10, further comprising a second treatment step of performing a plating treatment at a current density lower than the limit current density after the first treatment step.
請求項11に記載の銅箔製造方法。 The said copper plating process is a copper foil manufacturing method of Claim 11 which forms the said copper plating layer with the current density of 5 A / dm < 2 > or more and less than 30 A / dm < 2 >.
請求項12に記載の銅箔製造方法。 The said copper plating process is a copper foil manufacturing method of Claim 12 which forms the said copper plating layer using the plating solution containing the organic sulfur compound which has a mercapto group, surfactant, and a chloride ion.
前記第1の凹部に対応する位置に第2の凹部を有して前記一方の表面上に設けられる銅めっき層と
を備え、
前記第1の凹部は、前記銅箔材の表面に対して第1の傾斜角度を有する第1の斜面を含み、
前記第2の凹部は、前記銅箔材の表面に対して第2の傾斜角度を有する第2の斜面を含み、
前記第2の傾斜角度の平均値は、前記第1の傾斜角度の平均値より小さい銅箔。 A copper foil material having a first recess on one surface;
A copper plating layer provided on the one surface having a second recess at a position corresponding to the first recess,
The first recess includes a first inclined surface having a first inclination angle with respect to the surface of the copper foil material,
The second recess includes a second inclined surface having a second inclination angle with respect to the surface of the copper foil material,
The average value of the second inclination angle is a copper foil that is smaller than the average value of the first inclination angle.
請求項14に記載の銅箔。 The copper foil according to claim 14, wherein the copper plating layer has a thickness of 0.1 μm or more and 1 μm or less.
前記第1の凹部の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第2の凹部を、前記第1の凹部に対応する位置に有して前記一方の表面上に設けられ、0.1μm以上1μm以下の厚さを有する銅めっき層と
を備える銅箔。 A copper foil material having a first recess on one surface;
A second recess having an average depth smaller than the average depth of the first recess is provided on the one surface at a position corresponding to the first recess; A copper foil provided with a copper plating layer having a thickness of 1 μm or more and 1 μm or less.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008200073A JP5351461B2 (en) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | Copper foil and copper foil manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008200073A JP5351461B2 (en) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | Copper foil and copper foil manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010037585A true JP2010037585A (en) | 2010-02-18 |
JP5351461B2 JP5351461B2 (en) | 2013-11-27 |
Family
ID=42010440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008200073A Expired - Fee Related JP5351461B2 (en) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | Copper foil and copper foil manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5351461B2 (en) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011179053A (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Hitachi Cable Ltd | Roughened foil and method of producing the same |
WO2012043182A1 (en) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Copper foil for printed wiring board, method for producing said copper foil, resin substrate for printed wiring board, and printed wiring board |
WO2012132576A1 (en) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Rolled copper or copper-alloy foil provided with roughened surface |
JP2014139335A (en) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Sh Copper Products Corp | Copper plating layer-clad rolled copper foil |
JP2014152343A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Sh Copper Products Corp | Composite copper foil and production method thereof |
KR20140125720A (en) | 2013-04-18 | 2014-10-29 | 가부시키가이샤 에스에이치 카퍼프로덕츠 | Rolled copper foil with copper plating layer |
JP5728118B1 (en) * | 2014-09-22 | 2015-06-03 | 株式会社Shカッパープロダクツ | Surface-treated copper foil, method for producing the surface-treated copper foil, and copper-clad laminate using the surface-treated copper foil |
KR20150124388A (en) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 가부시키가이샤 에스에이치 카퍼프로덕츠 | Surface-treated copper foil and laminate |
WO2018047443A1 (en) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 花王株式会社 | Crystals of dicarboxylic acid and production process therefor |
US10619262B1 (en) | 2019-06-27 | 2020-04-14 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Electrodeposited copper foil |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5265727A (en) * | 1976-05-31 | 1977-05-31 | Nippon Mining Co | Pretreating method for surface treatment of rolled copper foil |
JP2003239082A (en) * | 2002-02-18 | 2003-08-27 | Hitachi Cable Ltd | Copper foil for resin bonding, and its manufacturing method |
JP2004256910A (en) * | 2003-02-04 | 2004-09-16 | Furukawa Techno Research Kk | Copper foil for high-frequency circuit, manufacturing method therefor, manufacturing facility therefor, and high-frequency circuit using the copper foil |
JP2005340635A (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hitachi Cable Ltd | Rolled copper foil for printed wiring board, and its production process |
JP2007046095A (en) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | Copper foil, and surface treatment method therefor |
-
2008
- 2008-08-01 JP JP2008200073A patent/JP5351461B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5265727A (en) * | 1976-05-31 | 1977-05-31 | Nippon Mining Co | Pretreating method for surface treatment of rolled copper foil |
JP2003239082A (en) * | 2002-02-18 | 2003-08-27 | Hitachi Cable Ltd | Copper foil for resin bonding, and its manufacturing method |
JP2004256910A (en) * | 2003-02-04 | 2004-09-16 | Furukawa Techno Research Kk | Copper foil for high-frequency circuit, manufacturing method therefor, manufacturing facility therefor, and high-frequency circuit using the copper foil |
JP2005340635A (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hitachi Cable Ltd | Rolled copper foil for printed wiring board, and its production process |
JP2007046095A (en) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | Copper foil, and surface treatment method therefor |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011179053A (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Hitachi Cable Ltd | Roughened foil and method of producing the same |
US9028972B2 (en) | 2010-09-27 | 2015-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for printed wiring board, method for producing said copper foil, resin substrate for printed wiring board and printed wiring board |
WO2012043182A1 (en) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Copper foil for printed wiring board, method for producing said copper foil, resin substrate for printed wiring board, and printed wiring board |
WO2012132576A1 (en) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Rolled copper or copper-alloy foil provided with roughened surface |
JPWO2012132576A1 (en) * | 2011-03-25 | 2014-07-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Rolled copper or copper alloy foil with roughened surface |
US9049795B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-06-02 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Rolled copper or copper-alloy foil provided with roughened surface |
JP2014139335A (en) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Sh Copper Products Corp | Copper plating layer-clad rolled copper foil |
JP2014152343A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Sh Copper Products Corp | Composite copper foil and production method thereof |
JP2014210950A (en) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | 株式会社Shカッパープロダクツ | Rolled copper foil with copper plated layer |
KR20140125720A (en) | 2013-04-18 | 2014-10-29 | 가부시키가이샤 에스에이치 카퍼프로덕츠 | Rolled copper foil with copper plating layer |
KR102220896B1 (en) | 2013-04-18 | 2021-02-25 | 제이엑스금속주식회사 | Rolled copper foil with copper plating layer |
KR20150124388A (en) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 가부시키가이샤 에스에이치 카퍼프로덕츠 | Surface-treated copper foil and laminate |
KR101974687B1 (en) * | 2014-04-28 | 2019-05-02 | 장 춘 페트로케미컬 컴퍼니 리미티드 | Surface-treated copper foil and laminate |
JP5728118B1 (en) * | 2014-09-22 | 2015-06-03 | 株式会社Shカッパープロダクツ | Surface-treated copper foil, method for producing the surface-treated copper foil, and copper-clad laminate using the surface-treated copper foil |
WO2018047443A1 (en) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 花王株式会社 | Crystals of dicarboxylic acid and production process therefor |
US10619262B1 (en) | 2019-06-27 | 2020-04-14 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Electrodeposited copper foil |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5351461B2 (en) | 2013-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5351461B2 (en) | Copper foil and copper foil manufacturing method | |
JP5282675B2 (en) | Copper foil for printed wiring board and method for producing the same | |
JP5809361B2 (en) | Surface-treated copper foil and copper-clad laminate obtained by using surface-treated copper foil | |
TWI509111B (en) | Surface treatment of electrolytic copper foil, laminated board, and printed wiring board, electronic equipment | |
CN102215635B (en) | Copper clad laminate processes Copper Foil, copper clad laminate and uses the printed wiring board of this copper clad laminate | |
WO2014133164A1 (en) | Blackened surface-treated copper foil, method for manufacturing blackened surface-treated copper foil, copper-clad laminate and flexible printed circuit board | |
JP2017048467A (en) | Copper foil, copper foil with carrier, and copper-clad laminate | |
JP5925961B2 (en) | Copper foil with carrier foil, copper-clad laminate and printed wiring board manufacturing method | |
TW201800242A (en) | Surface-treated copper foil and copper-clad laminate produced using same | |
JP5406905B2 (en) | A method for producing a copper foil for a printed circuit board comprising a fine granular surface that has high peel strength and is environmentally friendly. | |
JP2010180454A (en) | Surface-treated copper foil, method for manufacturing the same and copper-clad laminate | |
JP4955104B2 (en) | Method for forming an electronic circuit | |
CN102711393B (en) | Manufacturing method of surface fine grain copper foil for printed circuit substrate | |
JP2019173057A (en) | Plated metallic material | |
JP2011179053A (en) | Roughened foil and method of producing the same | |
TWI555449B (en) | Printed circuit board copper foil and its manufacturing method and the use of the copper foil printed circuit board | |
JP2011032557A (en) | Method of forming gold plating pattern on stainless substrate | |
CN116897225A (en) | Surface-treated copper foil | |
JP2014152344A (en) | Composite copper foil and production method thereof | |
CN112004964B (en) | Surface-treated copper foil, copper-clad plate and printed circuit board | |
KR102128954B1 (en) | Copper foil for printed wiring board, process for preparing the same, and printed wiring board using the copper foil | |
KR20200013790A (en) | Substrate for vapor deposition mask, manufacturing method of base material for vapor deposition mask, manufacturing method of vapor deposition mask, and manufacturing method of display apparatus | |
JP2007009301A (en) | Method for producing copper-coated polyimide substrate | |
JP2005340635A (en) | Rolled copper foil for printed wiring board, and its production process | |
TW201714742A (en) | Surface-treated copper foil and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |