JP2010018455A - シリコンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反応器内へ供給する以前のテトラクロロシランの気化工程を不要とし、テトラクロロシランによる供給管の腐食を抑制できるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】金属粒子Ｍ_ｐと、テトラクロロシランとを、反応器３内で互いに接触させてテトラクロロシランを還元し、シリコンを得るシリコンの製造方法において、溶融金属Ｍ_ｍにアトマイズガスＧ２を吹き付けることにより金属粒子Ｍ_ｐを反応器３内へ供給し、液状のテトラクロロシランＬｉｑ１を反応器３内へ供給する、シリコンの製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリコンの製造方法に関する。

半導体グレードシリコンの製造方法として、トリクロロシランと水素とを高温で反応させるジーメンス法が主に採用されている。しかしながら、この方法においては、極めて高純度のシリコンが得られるが、高コストであり、さらなるコストダウンは困難であると言われている。

環境問題がクローズアップされる中、太陽電池はクリーンなエネルギー源として注目を集め、住宅用を中心に需要が急増している。シリコン系太陽電池は信頼性や変換効率に優れるため、太陽光発電の８割程度を占めている。太陽電池用シリコンは、半導体グレードシリコンの規格外品を主な原料としている。そこで、発電コストをさらに低減させるためには、低価格のシリコン原料を確保することが望まれている。

ジーメンス法に替わるシリコンの製造方法としては、例えば下記特許文献１及び２に、還元剤（例えば溶融金属）でハロゲン化シランを還元して、シリコンを製造する方法が開示されている。
特開平２−６４００６号公報 特開２００７−２８４２５９号公報

上記特許文献１及び２に示すような従来のシリコンの製造方法では、気体状のシリコンの塩素化合物を反応器内へ供給し、気体状のシリコンの塩素化合物と還元剤とを反応させる。ここで、シリコンの塩素化合物の一種であるテトラクロロシランは室温で液体であるため、気体状のテトラクロロシランを安定的に反応器内へ供給するには、反応器内へ供給する以前のテトラクロロシランを加熱気化させる気化工程が必要である。そして、気体状のテトラクロロシランを安定的に反応器内へ供給するには、加熱気化させたテトラクロロシランを反応器内へ移送する際にテトラクロロシランが液化することを防止するために、テトラクロロシランを反応器内へ供給する配管（以下、「供給管」と記す。）を加熱しなければならない。しかしながら、テトラクロロシランには金属に対する腐食性があり、またテトラクロロシラン及び金属の温度が高い程金属が腐食され易くなるため、加熱した供給管が気化させたテトラクロロシランによって腐食され易いことが問題となる。

上記課題を解決するために本発明は、反応器内へ供給する以前のテトラクロロシランの気化工程を不要とし、テトラクロロシランによる供給管の腐食を抑制できるシリコンの製造方法を提供する。

上記目的を達成するために、本発明のシリコンの製造方法は、金属粒子と、テトラクロロシランとを、反応器内で互いに接触させてテトラクロロシランを還元し、シリコンを得るシリコンの製造方法において、溶融金属にアトマイズガスを吹き付けることにより金属粒子を反応器内へ供給し、液状のテトラクロロシランを反応器内へ供給する。なお、「アトマイズガス」とは、溶融金属に吹き付け、溶融金属からなる微小液滴を形成し、金属粒子を反応器内へ供給するためのガスを意味する。

上記本発明では、テトラクロロシランを液体状態で反応器内へ供給するため、反応器内へ供給する以前のテトラクロロシランの気化工程が不要となる。また、上記本発明では、テトラクロロシランを供給管内で気体状態に維持する必要がないため、供給管の加熱が不要となり、供給管内のテトラクロロシランの温度が気体状のテトラクロロシランに比べて低下する。したがって、上記本発明では、反応器内へ供給する以前のテトラクロロシランを気化させる従来の方法に比べて、テトラクロロシランによる供給管の腐食を抑制できる。また、上記本発明では、反応器内へ供給する以前のテトラクロロシランの気化工程及び供給管の加熱が不要となるため、従来に比べて、シリコンの製造コストを削減できる。

上記本発明では、液状のテトラクロロシランを反応器内へ噴霧することにより反応器内へ供給することがより好ましい。

これにより、反応器内へ供給された液状のテトラクロロシランが反応器内で迅速に気化され、テトラクロロシランと金属粒子との接触効率が向上して、テトラクロロシランと金属粒子との反応率を向上させることができる。

上記本発明では、溶融金属がアルミニウムであることが好ましい。これにより、高純度のシリコンを得易くなる。

上記本発明では、アトマイズガスが不活性ガスであり、溶融金属に吹き付ける不活性ガスの単位時間当たりに供給される重量を、不活性ガスが吹き付けられる溶融金属の単位時間当たりに供給される重量以上とすることが好ましい。

これにより、金属粒子を微細化し易くなると共に、金属粒子を反応器内へ分散させ易くなる。そのため、金属粒子とテトラクロロシランとの接触効率がより向上して、金属粒子とテトラクロロシランとの反応率を向上させることができる。

上記本発明では、アトマイズガスの温度を、絶対温度でＴ₁（Ｋ）とし、溶融金属の融点を、絶対温度でＴ₂（Ｋ）とするとき、０．６≦（Ｔ₁／Ｔ₂）＜１．２とすることが好ましい。

これにより、金属粒子とテトラクロロシランとの反応率をより向上させることができる。Ｔ₁／Ｔ₂が０．６未満では金属粒子を作製するためのアトマイズガス量が多くなり、金属粒子とテトラクロロシランとの反応率が低下する傾向があり、Ｔ₁／Ｔ₂が１．２以上では耐熱性の高い各種装置を使用する必要があり、コストが増大する傾向があるが、Ｔ₁／Ｔ₂を上記の範囲内とすることによってこれらの傾向を抑制できる。

本発明によれば、反応器内へ供給する以前のテトラクロロシランの気化工程を不要とし、テトラクロロシランによる供給管の腐食を抑制できるシリコンの製造方法を提供することができる。

以下、図１を参照しながら本発明の好適な実施形態に係るシリコンの製造装置１０、及び製造装置１０を用いたシリコンの製造方法について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示された比率に限られるものではない。

図１に示すように、本実施形態に係るシリコンの製造装置１０は、鉛直方向に延びる略円筒状の反応器３と、反応器３内へアルミニウム粒子（金属粒子Ｍ_ｐ）を供給する金属粒子供給手段７（金属粒子供給口）と、反応器３内へ液状のテトラクロロシランＬｉｑ１を供給するＳｉＣｌ_４用ノズル４（テトラクロロシラン供給手段）と、を備える。液状のテトラクロロシランＬｉｑ１は、その供給源（図示せず）から供給管Ｌ１を通じてＳｉＣｌ_４用ノズル４へ供給される。なお、図１は、製造装置１０を反応器３の長手方向で切断した概略断面図である。

反応器３は、鉛直方向に延びる円筒部３ａと、円筒部３ａの下部に位置するシリコン捕集部３ｂと、を備える。反応器３内には、後述する式（Ａ）で表される還元反応が進行する反応場が形成される。円筒部３ａの上部には、金属粒子供給手段７及びＳｉＣｌ_４用ノズル４が配置されている。また、金属粒子供給手段７は反応器３の中心軸（円筒部３ａの中心軸）Ｘ上に位置している。また、図１の製造装置１０は、２つのＳｉＣｌ_４用ノズル４を備えているが、ＳｉＣｌ_４用ノズル４の数は１つでもよく、３つ以上であってもよい。また、製造装置１０が複数のＳｉＣｌ_４用ノズル４を備える場合、複数のＳｉＣｌ_４用ノズル４は、反応器の中心軸Ｘを中心とする同心円筒上に配置されることが好ましく、さらには、中心軸Ｘを中心とする複数の同心円筒上に配置されてもよく、また複数のＳｉＣｌ_４用ノズル４が等間隔で配置されることが好ましい。

製造装置１０を用いた本実施形態に係るシリコンの製造方法は、金属粒子Ｍ_ｐと、テトラクロロシランとを、反応器内で互いに接触させ、下記式（Ａ）で表される還元反応を進行させることにより、シリコン粒子を得る還元工程を備える。還元工程では、液状のテトラクロロシランＬｉｑ１をＳｉＣｌ_４用ノズル４から反応器３内へ供給する。
３ＳｉＣｌ_４＋４Ａｌ → ３Ｓｉ＋４ＡｌＣｌ_３ （Ａ）

本実施形態では、上述のように、テトラクロロシランを液体状態で反応器３内へ供給するため、反応器３内へ供給する以前のテトラクロロシランの気化工程が不要となる。また、上本実施形態では、テトラクロロシランを供給管Ｌ１内で気体状態に維持する必要がないため、供給管Ｌ１の加熱が不要となり、供給管Ｌ１内のテトラクロロシランの温度は、気体状のテトラクロロシランの温度に比べて低下する。したがって、本実施形態では、反応器３内へ供給する以前のテトラクロロシランを気化させる従来の方法に比べて、テトラクロロシランによる供給管Ｌ１の腐食を抑制することができる。

本実施形態では、ＳｉＣｌ_４用ノズル４を用いて液状のテトラクロロシランＬｉｑ１を反応器３内へ噴霧することにより、反応器内３へ供給する。これにより、反応器３内へ供給された液状のテトラクロロシランＬｉｑ１が反応器３内で迅速に気化され、テトラクロロシランと溶融金属との接触効率が向上して、テトラクロロシランと金属粒子との反応率を向上させることができる。

液状のテトラクロロシランＬｉｑ１を反応器３内へ噴霧する手段（ＳｉＣｌ_４用ノズル４）としては、公知の手段を用いることができ、具体的には、一流体ノズルや二流体ノズルを用いることができる。二流体ノズルでは不活性ガスを用いて液状のテトラクロロシランＬｉｑ１を噴霧させることができる。また、一流体ノズルでは、不活性ガスを用いず、液状のテトラクロロシランＬｉｑ１の圧力のみによって、液状のテトラクロロシランＬｉｑ１を噴霧することができ、不活性ガスによるテトラクロロシランの希釈がない。このような理由から、ＳｉＣｌ_４用ノズル４は一流体ノズルであることが好ましい。

上記式（Ａ）の通り、当該反応におけるテトラクロロシランのモル数と溶融アルミニウムのモル数の化学量論比は、３：４であるが、生産性などの観点から、反応場に供給する単位時間あたりのテトラクロロシランのモル数Ｍ_１と溶融アルミニウムの供給モル数Ｍ_２の比（Ｍ_１／Ｍ_２）は、０．７５〜２０であることが好ましく、０．７５〜１０であることがより好ましく、０．７５〜７．５であることが更に好ましい。Ｍ_１／Ｍ_２の値が０．７５未満であると、反応の進行が不十分となる傾向があり、他方、２０を越えると、反応に寄与しないテトラクロロシランの量が増大する傾向がある。

金属粒子供給手段７は、溶融金属収容部１から反応器３へ向かって延びる金属供給ノズル１ａと、アトマイズガス噴射ノズル２と、を備える。

溶融金属収容部１には、溶融アルミニウムＭ_ｍが収容されている。溶融金属収容部１の周囲には加熱器１１が設けられ、収容する溶融アルミニウムＭ_ｍの温度を調整できるようになっている。溶融金属収容部１及び加熱器１１は密閉容器１０１内に収容され、密閉容器１０１内は、その雰囲気を不活性ガス等で置換した状態で密閉することができる。溶融金属収容部１に収容された溶融アルミニウムＭ_ｍは、金属供給ノズル１ａから反応器３に向かって安定的に流下するため、安定的且つ連続的にシリコン粒子を製造できる。また、例えば密閉容器１０１内の不活性ガスの圧力を増加させることによって、溶融金属収容部１を加圧してもよい。これにより溶融アルミニウムＭ_ｍをより安定的に流下させることができる。

アトマイズガス噴射ノズル２からは、ライン（配管）Ｌ２を通じて供給されるアトマイズガスＧ２が噴射される。

金属粒子供給手段７では、金属供給ノズル１ａから流下する溶融アルミニウムＭ_ｍに、アトマイズガス噴射ノズル２から噴射させたアトマイズガスＧ２を吹き付けることによって、溶融アルミニウムＭ_ｍを微細化してアルミニウム粒子（金属粒子Ｍ_ｐ）を形成すると共に、金属粒子Ｍ_Ｐを金属粒子供給手段７から反応器３内へ供給（噴霧）する。なお、アトマイズガスは、アトマイズガス噴射ノズル２から噴射される以前の段階にあっては、温度条件及び圧力条件に応じて液体や超臨界流体であってもよい。また、本発明におけるアトマイズガスの温度とは、溶融金属に吹き付けられるアトマイズガスの温度ではなく、溶融金属にアトマイズガスを吹き付けるため、前記のとおりノズルから噴射される以前の段階における温度をいう。

溶融金属収容部１に収容された溶融アルミニウムＭ_ｍの純度は、９９．９質量％以上であることが好ましく、９９．９９質量％以上であることがより好ましく、９９．９９５質量％以上であることが更に好ましい。純度の高い溶融アルミニウムＭ_ｍを使用することで、純度の高いシリコン粒子を得ることができる。なお、溶融アルミニウムＭ_ｍの純度とは、原料アルミニウムのグロー放電質量分析法によって測定された元素のうち、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎａ、Ｍｇ及びＺｎの含有量（質量％）の合計を１００質量％から差し引いた値を意味する。

溶融金属収容部１内の温度は、溶融させる金属の融点に応じて適宜設定すればよいが、本実施形態のように溶融金属としてアルミニウム（融点：６６０℃）を使用する場合には、好ましくは７００〜１３００℃、より好ましくは７００〜１２００℃、更に好ましくは７００〜１０００℃とし、金属供給ノズル１ａの温度も、好ましくは７００〜１３００℃、より好ましくは７００〜１２００℃、更に好ましくは７００〜１０００℃とする。

アトマイズガスＧ２としては、アルゴン及び／又はヘリウムのような不活性ガスを用いることが好ましい。アトマイズガスＧ２として使用する不活性ガスの純度は、高純度のシリコン粒子を得る観点から、９９．９体積％以上であることが好ましく、９９．９９体積％以上であることがより好ましく、９９．９９９体積％以上であることが更に好ましく、９９．９９９５体積％以上であることが特に好ましい。

単位時間当たりに金属供給ノズル１ａから流下する溶融アルミニウムＭ_ｍに吹き付ける不活性ガス（アトマイズガスＧ２）の重量は、単位時間当たりに金属供給ノズル１ａから流下させて微細化する溶融アルミニウムＭ_ｍの重量以上（単位時間当たりにアトマイズガスＧ２が吹き付けられる溶融アルミニウムＭ_ｍの重量以上）とすることが好ましい。

これにより、金属粒子Ｍ_ｐを微細化し易くなると共に、金属粒子Ｍ_ｐを反応器３内へ分散させ易くなる。そのため、反応器３内における金属粒子Ｍ_ｐとテトラクロロシランとの接触効率がより向上して、金属粒子Ｍ_ｐとテトラクロロシランとの反応率を向上させることができる。

アトマイズガスＧ２として用いる不活性ガスの温度を、絶対温度でＴ_１（Ｋ）とし、溶融アルミニウムＭ_ｍの融点を、絶対温度でＴ_２（Ｋ）とするとき、０．６≦（Ｔ_１／Ｔ_２）＜１．２とすることが好ましい。ここで、アルミニウムの融点Ｔ２は９３３（Ｋ）であるため、０．６≦（Ｔ_１／９３３）＜１．２とすることが好ましい。換言すれば、不活性ガスの温度Ｔ_１（Ｋ）を、５６０≦Ｔ_１＜１１２０とすることが好ましい。

これにより、金属粒子とテトラクロロシランとの反応率を向上させることができる。Ｔ_１／Ｔ_２が０．６未満では、金属粒子を作製するためのアトマイズガス量が多くなり、金属粒子とテトラクロロシランとの反応率が低下する傾向があり、Ｔ_１／Ｔ_２が１．２以上では、耐熱性の高い各種装置を使用する必要があり、コストが増大する傾向があるが、Ｔ_１／Ｔ_２を上記の範囲内とすることによってこれらの傾向を抑制できる。

反応に使用するテトラクロロシランは、高純度のシリコン粒子を得る観点から、その純度が９９．９９質量％以上であることが好ましく、９９．９９９質量％以上であることがより好ましく、９９．９９９９質量％以上であることが更に好ましい。

反応器３の周囲には加熱器１３が設けられ、反応場（反応器３の内側）の温度を調整できるようになっている。反応場の加熱方式としては、特に制限はなく、例えば、高周波加熱、抵抗加熱、ランプ加熱などを用いた直接的な方法の他に、予め温度調節されたガス等の流体を用いる方式も採用することができる。反応場の温度は、通常、好ましくは３００〜１２００℃、より好ましくは５００〜１０００℃となるように調整する。また、反応場の圧力は、通常、１気圧以上となるように調整する。これにより、反応器内で液状のシリコンＬｉｑ１が気化し易くなり、上記（Ａ）で表される還元反応が進行し易くなる。

反応を開始する前の反応場の酸素濃度は、酸化物の生成を十分に抑制する観点から、なるべく低い値に維持することが好ましい。具体的には、反応を開始する前の反応場の酸素濃度は、１体積％以下であることが好ましく、０．１体積％以下であることがより好ましく、１００体積ｐｐｍ以下であることが更に好ましく、１０体積ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。なお、予め溶融アルミニウムＭ_ｍを所定時間噴霧し、その溶融アルミニウムＭ_ｍに反応場の酸素を吸着させて反応場の酸素濃度を下げることも可能である。

反応を開始する前の反応場の露点は、−２０℃以下であることが好ましく、−４０℃以下であることがより好ましく、−７０℃以下であることが更に好ましい。

また、反応場の酸素濃度は、反応中においても、酸化物の生成を十分に抑制する観点から、なるべく低い値に維持することが好ましい。具体的には、反応中の反応場の酸素濃度は、１体積％以下であることが好ましく、０．１体積％以下であることがより好ましく、１００体積ｐｐｍ以下であることが更に好ましく、１０体積ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。

円筒部３ａの下部に位置するシリコン捕集部３ｂは、下方に行くに従って内径が小さくなっており、その下端にはシリコン粒子を排出するためのシリコン粒子排出口３ｃが設けられている。このシリコン捕集部３ｂの鉛直方向の略中間の位置には、反応によって生じた塩化アルミニウム（気体）及び未反応のテトラクロロシラン（気体）及び微粒のシリコン粒子を排出するためのガス排出口３ｄが設けられている。

シリコン捕集部３ｂは、第１段目の固気分離器として機能する。すなわち、シリコン捕集部３ｂの周囲には加熱器（図示せず）が設けられ、シリコン捕集部３ｂの内部の温度を調整できるようになっており、シリコン捕集部３ｂの内部の温度を塩化アルミニウム（昇華点：１８０℃）が析出しない温度に保持することで、シリコン粒子とガスとを分離する。具体的にはシリコン捕集部３ｂの内部の温度を２００℃以上となるように調整することが好ましい。シリコン捕集部３ｂの内部の温度を２００℃よりも低くした場合、シリコン捕集部３ｂ内において塩化アルミニウムが析出し、シリコン粒子中に混入しやすくなる傾向がある。

製造装置１０は、固気分離器５、８を更に備え、ガス排出口３ｄから排出されるガスが固気分離器５に供給される。固気分離器５は、第２段目の固気分離器として機能する。固気分離器５は、ガス排出口３ｄから排出されるガス中に存在するシリコン粒子を分離するためのものである。この固気分離器５の内部の温度も２００℃以上となるように調整することが好ましい。固気分離器５の好適な例として、保温サイクロン式固気分離器などを例示できる。

固気分離器５から排出されるガスは固気分離器８に供給される。固気分離器８は、第３段目の固気分離器として機能する。固気分離器８は、固気分離器５からのガスに含まれる塩化アルミニウムを除去するためのものである。固気分離器８内の温度を、塩化アルミニウムは析出するがテトラクロロシラン（沸点：５７℃）は凝縮しない温度に保持することで、析出したＡｌＣｌ_３（固体）を除去する。具体的には、固気分離器８の内部の温度を６０〜１７０℃（より好ましくは７０〜１００℃）に維持することが好ましい。固気分離器８の内部の温度を６０℃よりも低くした場合、固気分離器８内においてＳｉＣｌ_４が凝縮し、リサイクルされるテトラクロロシランガスの量が不十分となる傾向がある。他方、固気分離器８の内部の温度を１７０℃よりも高くした場合、塩化アルミニウムの析出が不十分となり、リサイクルされるテトラクロロシランガス中の塩化アルミニウムの含有量が高くなる傾向がある。

固気分離器８は、その内部にバッフル板（図示せず）を備えるものであることが好ましい。バッフル板を内部に設けることで、固気分離器８の内表面積が増大して塩化アルミニウムが効率的に析出し、ガス中の塩化アルミニウム含有量を十分に低減できる。固気分離器８の内表面積は、固気分離器８の装置表面積の５倍以上であることが好ましい。

固気分離器８において塩化アルミニウムの除去処理がなされたガスは、ラインＬ３を通じて固気分離器８から排出される。当該ガス中に未反応のテトラクロロシランガスと不活性ガスとが共存する場合には、不活性ガスを分離し、必要に応じて精製を行うことで、テトラクロロシランガスを回収できる。このテトラクロロシランガスを液化してリサイクルしてもよい。また、分離された不活性ガスもリサイクルしてもよい。

このように、本実施形態に係る反応装置１０は、第１段目の固気分離器として縮径部３ｂを備え、第２段目の固気分離器として固気分離器５を備え、更に、第３段目の固気分離器として固気分離器８を備える。かかる構成を採用することにより、未反応のテトラクロロシランガスを効率的に回収し、再利用することができる。例えば、反応器３内へ供給する液状のテトラクロロシランＬｉｑ１として再利用することができる。なお、固気分離器の段数は特に制限はなく、例えば、固気分離器５を採用することなく、縮径部３ｂと固気分離器８とを連結してもよく、あるいは、固気分離器を４段以上設けてもよい。また、ガス排出口３ｄではなくシリコン粒子排出口３ｃに固気分離器５を接続しても良い。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。

例えば、図２に示すように、シリコンの製造装置１０ａにおいて、複数のＳｉＣｌ_４用ノズル４を、円筒部３ａの側面に配置させてもよい。

また、上記実施形態では、溶融金属Ｍ_ｍとしてアルミニウムを使用する場合を例示したが、溶融金属Ｍ_ｍはこれに限定されず、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム及び亜鉛からなる群より選択された１種を単独で使用してもよく、あるいは、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛及びアルミニウムからなる群より選択された２種以上を適宜組み合わせて使用してもよい。また、溶融金属Ｍ_ｍとしてアルミニウムとシリコンとの合金を用いてもよい。

また、上記実施形態では、溶融金属Ｍ_ｍを金属供給ノズル１ａから下方に向けて吐出させる場合を例示したが、いわゆるＵｐｄｒａｕｇｈｔアトマイザ装置を使用し、溶融金属Ｍ_ｍを上方に吐出させてもよい。また、溶融金属Ｍ_ｍが上方又は下方に向けて吐出される場合、溶融金属Ｍ_ｍが移動する方向と同じ方向に、液状のテトラクロロシランＬｉｑ１を流してもよく（並流）、溶融金属Ｍ_ｍが移動する方向に対向して液状のテトラクロロシランＬｉｑ１を流してもよい（向流）。

図１は、本発明の一実施形態に係るシリコンの製造方法及び製造装置を示す概略図である。 図２は、本発明の他の実施形態に係るシリコンの製造方法及び製造装置を示す概略図である。

符号の説明

１・・・溶融金属収容部、１ａ・・・金属供給ノズル、２・・・アトマイズガス噴射ノズル、３・・・反応器、３ａ・・・円筒部、３ｂ・・・シリコン捕集部、３ｃ・・・粒子排出口、３ｄ、２０・・・ガス排出口、４・・・ＳｉＣｌ_４用ノズル（テトラクロロシラン供給手段）、５、８・・・固気分離器、７・・・金属粒子供給手段、１０、１０ａ・・・製造装置、１１、１３・・・加熱器、Ｌｉｑ１・・・液状のテトラクロロシラン、Ｇ２・・・アトマイズガス、Ｌ１・・・テトラクロロシランの供給管、Ｌ２、Ｌ３・・・ライン（配管）、Ｍ_ｍ・・・溶融アルミニウム（溶融金属）、Ｍ_ｐ・・・金属粒子、Ｘ・・・反応器の中心軸。

Claims (3)

1. 金属粒子と、テトラクロロシランとを、反応器内で互いに接触させて前記テトラクロロシランを還元し、シリコンを得るシリコンの製造方法において、
   溶融金属にアトマイズガスを吹き付けることにより前記金属粒子を前記反応器内へ供給し、
   液状の前記テトラクロロシランを前記反応器内へ供給する、シリコンの製造方法。
2. 前記液状のテトラクロロシランを前記反応器内へ噴霧することにより前記反応器内へ供給する、請求項１に記載のシリコンの製造方法。
3. 前記溶融金属がアルミニウムである、請求項１又は２に記載のシリコンの製造方法。

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