JP2010011451A5 - - Google Patents
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- 電源電圧が６Vを超え、負荷を駆動し、Ｐｃｈ金属酸化膜形電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）とＮｃｈＭＯＳＦＥＴと論理バッファとを用いるスイッチング回路において、前記論理バッファの出力と前記ＰｃｈＭＯＳＦＥＴと前記ＮｃｈＭＯＳＦＥＴのゲート電極との間に直列に挿入された導通終了方向のダイオードに並列にスイッチング基本波周波数におけるインピーダンスが前記ＰｃｈＭＯＳＦＥＴと前記ＮｃｈＭＯＳＦＥＴのゲート電極インピーダンスのおおよそ１／２より低いフェライトビーズを接続することを特徴とするスイッチング回路。
- 請求項1のスイッチング回路において、前記負荷が容量性負荷であり、スイッチング基本波周波数におけるインピーダンスがスイッチング基本波周波数における前記容量性負荷のインピーダンスのおおよそ１／２より低いフェライトビーズを前記ＰｃｈＭＯＳＦＥＴと前記ＮｃｈＭＯＳＦＥＴとの少なくとも一つのドレイン電極に挿入することを特徴とするスイッチング回路。
- 請求項２のスイッチング回路において、スイッチング基本波周波数におけるインピーダンスがスイッチング基本波周波数における前記容量性負荷のインピーダンスのおおよそ１／２より低いフェライトビーズを前記ＰｃｈＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と前記ＮｃｈＭＯＳＦＥＴとのドレイン電極とに挿入することを特徴とするスイッチング回路。
- 電源電圧が６Vを超え、容量性負荷を駆動し、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴとＮｃｈＭＯＳＦＥＴと論理バッファとを用いるスイッチング回路において、スイッチング基本波周波数におけるインピーダンスがスイッチング基本波周波数における前記容量性負荷のインピーダンスのおおよそ１／２より低いフェライトビーズを前記ＰｃｈＭＯＳＦＥＴと前記ＮｃｈＭＯＳＦＥＴとの少なくとも一つのドレイン電極に挿入することを特徴とするスイッチング回路。
- 請求項４のスイッチング回路において、スイッチング基本波周波数におけるインピーダンスがスイッチング基本波周波数における前記容量性負荷のインピーダンスのおおよそ１／２より低いフェライトビーズを前記ＰｃｈＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と前記ＮｃｈＭＯＳＦＥＴとのドレイン電極とに挿入することを特徴とするスイッチング回路。
- 電源電圧が６Vを超え、負荷を駆動し、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴとＮｃｈＭＯＳＦＥＴと論理バッファとを用いるスイッチング回路において、前記論理バッファの出力と前記ＰｃｈＭＯＳＦＥＴと前記ＮｃｈＭＯＳＦＥＴのゲート電極との間に直列に挿入された導通終了方向のダイオードに並列にスイッチング基本波周波数におけるインピーダンスが前記ＰｃｈＭＯＳＦＥＴと前記ＮｃｈＭＯＳＦＥＴのゲート電極インピーダンスのおおよそ１／２より低いフェライトビーズを接続することを特徴とするスイッチング回路と、電荷転送型撮像素子とを有し、前記スイッチング回路の出力を、容量性負荷の前記電荷転送型撮像素子の水平転送電極に接続し、前記スイッチング回路で前記電荷転送型撮像素子の水平転送電極を駆動することを特徴とする撮像装置。
- 電源電圧が６Vを超え、容量性負荷を駆動し、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴとＮｃｈＭＯＳＦＥＴと論理バッファとを用いるスイッチング回路において、スイッチング基本波周波数におけるインピーダンスがスイッチング基本波周波数における前記容量性負荷のインピーダンスのおおよそ１／２より低いフェライトビーズを前記ＰｃｈＭＯＳＦＥＴと前記ＮｃｈＭＯＳＦＥＴとの少なくとも一つのドレイン電極に挿入することを特徴とするスイッチング回路と、電荷転送型撮像素子とを有し、前記スイッチング回路の出力を、容量性負荷の前記電荷転送型撮像素子の水平転送電極に接続し、前記スイッチング回路で前記電荷転送型撮像素子の水平転送電極を駆動することを特徴とする撮像装置。
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