JP2010010209A - レーザーダイシング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】加工時間を短縮し、加工効率を下げることのないレーザーダイシング方法を提供すること。
【解決手段】レーザにより複数形成される改質領域のうち最も表面近傍に形成される第1の改質領域22を形成するのと同時に該ウェーハの表面形状の測定を測定スキャンにより実施し、前記第1の改質領域と同じカットラインであって該第1の改質領域よりも深い位置に形成される改質領域23,24,25,26の形成の際に、前記測定スキャンにより得られた表面形状のデータに基づいて改質領域形成位置を制御する。
【選択図】図5
【解決手段】レーザにより複数形成される改質領域のうち最も表面近傍に形成される第1の改質領域22を形成するのと同時に該ウェーハの表面形状の測定を測定スキャンにより実施し、前記第1の改質領域と同じカットラインであって該第1の改質領域よりも深い位置に形成される改質領域23,24,25,26の形成の際に、前記測定スキャンにより得られた表面形状のデータに基づいて改質領域形成位置を制御する。
【選択図】図5
Description
本発明は、レーザー光を利用して半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハを切断するレーザーダイシング方法に関するものである。
従来、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハを個々のチップに分割するには、細かなダイヤモンド砥粒で形成された厚さ30μm程度の薄い砥石により、ウェーハに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられていた。
ダイシング装置では、薄い砥石(以下、ダイシングブレードと称する)を例えば30,000〜60,000rpmで高速回転させてウェーハを研削し、ウェーハを完全切断(フルカット)又は不完全切断(ハーフカット或いはセミフルカット)を行う。
しかし、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウェーハが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウェーハの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップの性能を低下させる要因になっていた。特に裏面に生じたチッピングは、クラックが徐々に内部に進行するため大きな問題となっていた。
このような問題に対して、従来のダイシングブレードによる切断に替えて、ウェーハの内部に焦点を合わせたレーザー光を入射し、ウェーハ内部に多光子吸収による改質領域を複数形成して引き離し、個々のチップに分割するレーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2004−111946号公報
上記の特許文献で提案されているようなレーザーダイシングでは、レーザー光を集光させる焦点位置を制御するため、オートフォーカス機能を用いてウェーハ表面の形状に合わせた追従制御を行う必要がある。しかし、焦点位置とウェーハ表面との深さの差がレーザー光を集光させる対物レンズの焦点深度を超える場合、同時のタイミングでの追従制御は不可能となる。このため、レーザーダイシング装置では事前に測定スキャンすることによりウェーハ表面の形状を測定して記憶し、記憶されたウェーハ表面形状データに基づきウェーハを加工していくトレース加工を実施していた。
しかし、このような方法では実際の加工を行う前段階で測定スキャンを実施してウェーハ表面形状の測定と記憶を行なう為、実際の加工に加えて測定スキャンのための時間が必要となり加工効率を下げる原因となっている。
本発明はこのような問題に対して成されたものであり、ウェーハ表面形状を測定する測定スキャンを行う時間を短縮することにより加工時間を短縮し、加工効率を下げることのないレーザーダイシング方法を提供することを目的としている。
本発明は前記目的を達成するために、レーザー光をカットライン下のウェーハ内部に集光させることによりカットライン下のウェーハ内部に複数の改質領域を形成して前記ウェーハをカットラインに沿って切断するレーザーダイシングにおいて、複数形成される改質領域の最も前記ウェーハの表面近傍に形成される第1の改質領域を形成するのと同時に該ウェーハの表面形状の測定を測定スキャンにより実施し、前記第1の改質領域と同じカットラインであって該第1の改質領域よりも深い位置に形成される改質領域の形成の際に、前記測定スキャンにより得られた表面形状のデータに基づいて改質領域形成位置を制御することを特徴としている。
本発明によれば、レーザーダイシング装置ではウェーハを切断する位置であるカットライン下にレーザー光を集光させてカットライン下に複数の改質領域を形成する。ウェーハは形成された複数の改質領域によりカットラインに沿って切断される。
改質領域の形成では、まず複数の改質領域のうち最もウェーハ表面近傍に形成される第1の改質領域を形成するのと同時にウェーハの表面形状の測定を測定スキャンにより行う。このとき、第1の改質領域を形成するレーザー光の焦点位置とウェーハ表面との深さの差はレーザー光を集光させる対物レンズの焦点深度を超えないため、測定スキャンによりウェーハ表面形状の測定が容易に行うことが可能である。
次に、同じカットライン下であって第1の改質領域よりも深い位置に残りの改質領域が形成されていく。このとき、改質領域形成位置を制御するレーザー光の焦点位置の制御は第1の改質領域を形成する際に行われた測定スキャンにより得られたウェーハの表面形状のデータに基づいて行われる。
これにより、実際の加工前にウェーハを測定スキャンする必要がなくなり、加工時間が短縮されて加工効率を下げることのないレーザーダイシングを行うことが可能となる。
また、本発明では前記目的を達成するために、レーザー光をカットライン下のウェーハ内部に集光させることによりカットライン下のウェーハ内部に複数の改質領域を形成して前記ウェーハをカットラインに沿って切断するレーザーダイシングにおいて、複数並んだカットラインのうちの1つに複数形成される改質領域の最も前記ウェーハの表面近傍に形成される第1の改質領域を形成する際に、該ウェーハの表面形状の測定を測定スキャンにより実施し、改質領域が未形成の別のカットライン下に複数の改質領域を形成する際に、前記測定スキャンにより得られた表面形状のデータに基づいて改質領域形成位置を制御することも特徴としている。
本発明によれは、レーザーダイシング装置ではウェーハを切断する位置であるカットライン下にレーザー光を集光させてカットライン下に複数の改質領域を形成する。ウェーハは形成された複数の改質領域によりカットラインに沿って切断される。
改質領域の形成では、1度ウェーハ表面形状を測定スキャンにより測定し、測定スキャンにより得られたウェーハの表面形状のデータに基づいてウェーハ表面より最も深い位置からカットライン下に改質領域が形成されていく。このとき、最もウェーハ表面近傍に形成される第1の改質領域を形成するのと同時にウェーハの表面形状の測定を測定スキャンにより行う。第1の改質領域を形成するレーザー光の焦点位置とウェーハ表面との深さの差はレーザー光を集光させる対物レンズの焦点深度を超えないため、測定スキャンによりウェーハ表面形状の測定が容易に行うことが可能である。
次に、このようにして得られたウェーハ表面形状のデータに基づき改質領域形成位置を制御するレーザー光の焦点位置を制御して改質領域が未形成の別のカットライン(例えば隣り合う次のカットライン)下に改質領域が形成されていく。改質領域が未形成の別のカットライン下の改質領域形成時においても、最もウェーハ表面近傍に形成される第1の改質領域を形成する際にウェーハ表面形状を測定スキャンにより測定し、得られたウェーハ表面形状のデータを改質領域が未形成の更に別のカットライン下の改質領域形成時に使用する。
これにより、実際の加工前にウェーハを測定スキャンする必要がなくなり、加工時間が短縮されて加工効率を下げることのないレーザーダイシングを行うことが可能となる。
以上説明したように、本発明のレーザーダイシング方法によれば、ウェーハ表面形状を測定する測定スキャンを行う時間が短縮されることにより加工時間が短縮され、加工効率を下げることのないレーザーダイシングを行うことが可能となる。
以下添付図面に従って本発明に係るレーザーダイシング方法の好ましい実施の形態について詳説する。
はじめに、本発明に係るレーザーダイシング方法が実施されるレーザーダイシング装置について説明する。図1はレーザーダイシング装置の構成を模式的に示した上面図である。
レーザーダイシング装置10は、本体11内部に、チャックテーブル12、Xガイドベース13、Yガイドベース14、Zガイドベース15、エレベータ16、待機テーブル17、レーザーヘッド18、及び制御手段19が備えられている。
チャックテーブル12は、ウェーハWを吸着載置し、不図示のθ回転軸により、矢印θ
方向に回転されるとともに、Xガイドベース上に取り付けられた不図示のXテーブルにより矢印X方向に加工送りされる。
方向に回転されるとともに、Xガイドベース上に取り付けられた不図示のXテーブルにより矢印X方向に加工送りされる。
チャックテーブル12の上方にはYガイドベース14が設けられている。Yガイドベース14には、図示しない2個のYテーブルが設けられ、夫々のYテーブルには、Zガイドベース15、15が取り付けられている。
夫々のZZガイドベース15、15には、不図示のZテーブルが設けられ、夫々のZテーブルには、ホルダ20を介してレーザーヘッド18が取付けられており、2個のレーザーヘッド18、18は夫々独立してZ方向に移動されるとともに、独立してY方向に割り出し送りされるようになっている。
エレベータ16は、ウェーハWが格納されたカセットを収納して上下に移動し、ウェーハWを不図示の搬送装置により待機テーブル17へ供給する。待機テーブルは、チャックテーブル12と同等の高さに設けられ、待機テーブル上に載置されたウェーハWには、加工前後に必要な各種処理が行なわれる。
ウェーハWの搬送やレーザーダイシングを行う場合は、通常図2に示すように、片方の面に粘着剤を有するダイシングテープTを介してウェーハWがダイシング用のフレームFにマウントされ、レーザーダイシング工程中はこの状態で搬送され、カットラインKに沿って格子状にダイシング加工される。
本体11内部に収納された制御手段19は、CPU、メモリ、入出力回路部等からなり、レーザーダイシング装置10の各部の動作の制御や加工に必要なデータの記憶などを行う。
レーザーダイシング装置10はこの他に、図示しないウェーハ搬送手段、操作板、テレビモニタ、及び表示灯等から構成されている。
操作板には、レーザーダイシング装置10の各部を操作するスイッチ類や表示装置が取付けられている。テレビモニタは、図示しないCCDカメラで撮像したウェーハ画像の表示、又はプログラム内容や各種メッセージ等を表示する。表示灯は、レーザーダイシング装置10の加工中、加工終了、非常停止等の稼動状況を表示する。
図3はレーザーヘッド18の構成を説明する側面図である。レーザーヘッド18は、レーザーダイシング装置10のベース21上に設けられたチャックテーブル12に載置されたウェーハWに複数形成されている切断目標位置であるカットラインKのいずれか1つにレーザー光Lを照射するよう、ウェーハWの上方に位置付けられる。
レーザーヘッド18は、レーザー発振器18A、コリメートレンズ18B、ミラー18C、対物レンズ18D等からなり、図2に示すように、レーザー発振器18Aから発振されたレーザー光Lは、コリメートレンズ18Bで水平方向に平行光線とされ、ミラー18Cで垂直方向に反射され、対物レンズ18Dによって集光される。
レーザー光Lが集光された焦点を、チャックテーブル12に載置されたウェーハWの厚さ方向内部に設定すると、ウェーハWの表面を透過したレーザー光Lは焦点でエネルギーが集中され、ウェーハ内部の焦点近傍に多光子吸収によるクラック領域、溶融領域、屈折率変化領域等の改質領域を形成する。
図4は、ウェーハ内部の焦点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。図4(a)は、ウェーハWの内部に入射されたレーザー光Lが焦点に改質領域Pを形成した状態を示ししている。この状態でウェーハWが図1に示すXガイドベース13により水平方向に移動され、改質領域Pが連続して形成されることにより、図4(b)に示すように、連続した改質領域P1が形成される。
改質領域P1はウェーハW表面の形状を測定スキャンすることにより得られたウェーハ表面形状データに基づきレーザー光Lの焦点の位置を制御してカットラインK下に複数形成される。ウェーハWは改質領域P1、P1・・・を起点として自然に切断するか、或いは僅かな外力を加えることによって改質領域P1、P1・・・を起点としてカットラインKに沿って切断される。
また、ウェーハWよりも薄いウェーハW1の場合は、改質領域形成条件を変更することにより、改質領域P1よりも狭い改質領域P2を形成して切断される。更に、ウェーハWよりも厚いウェーハW2の場合は、改質領域形成条件を変更して改質領域P1よりも広い改質領域P3をウェーハWの場合より多く形成して切断される。
これにより、ウェーハWの各厚さ、ウェーハW表面の形状に最適な改質領域を形成して切断されるため、チップの切断の失敗による不良等は発生しない。
次に本発明に係わるレーザーダイシング方法の第1の実施の形態について説明する。図5は、本発明に係わるレーザーダイシング方法による改質領域の形成手順を説明するワークの断面図である。
レーザーダイシング装置10では、図4に示すようにウェーハWを切断する位置であるカットラインK下にレーザー光Lを集光させてカットラインK下に複数の連続した改質領域を形成する。
改質領域の形成では、まず複数の改質領域のうち最もウェーハW表面近傍に形成される第1の改質領域22を形成するのと同時にウェーハWの表面形状の測定を測定スキャンにより行う。測定スキャンにより得られたウェーハW表面形状のデータは図1に示す制御手段19に記憶される。
測定スキャンは、例えばレーザーダイシング装置10に備えられたオートフォーカス機能により、図3に示す対物レンズ18Dを通して不図示の撮像手段により撮像されるウェーハW表面の画像の焦点を合わせることで対物レンズ18DとウェーハW表面との距離を測定して行われる。このとき、第1の改質領域22を形成するレーザー光Lの焦点位置とウェーハW表面との深さの差はレーザー光Lを集光させる対物レンズ18Dの焦点深度を超えない長さとなっている。これにより、測定スキャンによりウェーハW表面形状の測定が容易に行うことが可能である。
なお、測定スキャンはレーザーヘッド18等に備えられたレーザー測長装置等によりレーザーヘッド18からウェーハW表面までの距離を計測する形態であってもよい。
このようにして、第1の改質領域22が形成されたウェーハWは、同じカットラインK下であって第1の改質領域22よりも深い位置に残りの改質領域23、24、25、26が形成される。改質領域23、24、25、26の形成では、ウェーハW表面から最も深い位置に形成される改質領域23よりウェーハW表面に向って改質領域24、25、26の順に形成されていく。
このとき、改質領域23、24、25、26形成位置を制御するレーザー光Lの焦点位置の制御は、第1の改質領域22を形成する際に行われた測定スキャンにより得られ、制御手段19に記憶されたウェーハW表面形状のデータに基づいて行われる。一つのカットラインK下への改質領域形成が終了した後は、図1に示すYガイドベース14によりレーザーヘッド18がインデックス送りされ、次のカットラインK上に位置づけられたレーザーヘッド18により同様に改質領域がカットラインK下に形成されていく。
これにより、実際の改質領域形成前にウェーハW表面を加工とは別に1度測定スキャンする必要がなくなり、加工時間が短縮されて加工効率を下げることのないレーザーダイシングを行うことが可能となる。
次に本発明に係わるレーザーダイシング方法の第2の実施の形態について説明する。レーザーダイシング装置10では、図4に示すようにウェーハWを切断する位置であるカットラインK下にレーザー光Lを集光させてカットラインK下に複数の連続した改質領域を形成する。
改質領域の形成では、複数あるカットラインKのうち最初に改質領域が形成されるカットラインKの部分のウェーハW表面形状を測定スキャンにより測定する。測定スキャン後、測定スキャンされたカットラインK下に、ウェーハW表面から最も深い位置に形成される改質領域23よりウェーハW表面に向って改質領域24、25、26の順に改質領域が形成されていく。改質領域23、24、25、26形成位置を制御するレーザー光Lの焦点位置の制御は、測定スキャンにより得られたウェーハWの表面形状のデータに基づいて行われる。
改質領域26まで形成した後は、最もウェーハW表面近傍に形成される第1の改質領域22を形成するのと同時にウェーハWの表面形状の測定を測定スキャンにより行う。測定スキャンにより得られたウェーハW表面形状のデータは図1に示す制御手段19に記憶される。
最初に改質領域が形成されるカットラインK下への改質領域形成が終了した後は、図1に示すYガイドベース14によりレーザーヘッド18がインデックス送りされて隣り合う改質領域が未形成の次のカットラインK上にレーザーヘッド18が位置づけられる。
次のカットラインK下への改質領域の形成では、最初のカットラインKにおいて第1の改質領域22を形成する際に行われた測定スキャンにより得られたウェーハW表面形状のデータに基づき改質領域形成位置が制御され、改質領域23よりウェーハW表面に向って改質領域24、25、26の順に改質領域が形成されていく。
次のカットラインKにおいても改質領域26まで形成した後は、最もウェーハW表面近傍に形成される第1の改質領域22を形成するのと同時にウェーハWの表面形状の測定を測定スキャンにより行う。測定スキャンにより得られたウェーハW表面形状のデータは制御手段19に記憶され、更に隣り合う次のカットラインKの改質領域形成時の改質領域形成位置制御に使用される。これを繰り返し、ウェーハW全てのカットラインKへの改質領域形成を行い、ウェーハWの切断を行う。
これにより、全てのカットラインKにおいて実際の加工前にウェーハWを測定スキャンする必要がなくなり、加工時間が短縮されて加工効率を下げることのないレーザーダイシングを行うことが可能となる。
以上説明したように、本発明に係るレーザーダイシング方法によれば、複数の改質領域のうち最もウェーハ表面近傍に形成される第1の改質領域を形成するのと同時にウェーハの表面形状の測定を測定スキャンにより行う為、測定スキャンを行う時間が短縮される。これによりウェーハの加工時間が短縮され、加工効率を下げることのないレーザーダイシングを行うことが可能となる。
なお、本実施の形態では改質領域は第1の改質領域22と改質領域23、24、25、26の5本のみ形成されているが、本発明はこれに限らず、ウェーハの厚さや素材、形状等に合わせて形成する改質領域の本数を変更しても良い。
また、本実施の形態において、カットラインKの長さの違いにより、制御手段19に記憶されるウェーハW表面形状のデータの数が実際のカットラインKの距離よりも少ない場合は、欠落している位置の表面形状データを補間することですることでカットラインKへの改質領域の形成が行われる。
10…レーザーダイシング装置,11…本体,12…チャックテーブル,13…Xガイドベース,14…Yガイドベース, 15…Zガイドベース,16…エレベータ,17…待機テーブル,18…レーザーヘッド,18A…レーザー発振器、18B…コリメートレンズ、18C…ミラー、18D…対物レンズ,19…制御手段,20…ホルダ,21…ベース,22…第1の改質領域,23、24、25、26、P、P1、P2、P3…改質領域,F…フレーム,K…カットライン,L…レーザー光,T…ダイシングテープ,W、W1、W2…ウェーハ
Claims (2)
- レーザー光をカットライン下のウェーハ内部に集光させることによりカットライン下のウェーハ内部に複数の改質領域を形成して前記ウェーハをカットラインに沿って切断するレーザーダイシングにおいて、
複数形成される改質領域の最も前記ウェーハの表面近傍に形成される第1の改質領域を形成するのと同時に該ウェーハの表面形状の測定を測定スキャンにより実施し、
前記第1の改質領域と同じカットラインであって該第1の改質領域よりも深い位置に形成される改質領域の形成の際に、前記測定スキャンにより得られた表面形状のデータに基づいて改質領域形成位置を制御することを特徴とするレーザーダイシング方法。 - レーザー光をカットライン下のウェーハ内部に集光させることによりカットライン下のウェーハ内部に複数の改質領域を形成して前記ウェーハをカットラインに沿って切断するレーザーダイシングにおいて、
複数並んだカットラインのうちの1つに複数形成される改質領域の最も前記ウェーハの表面近傍に形成される第1の改質領域を形成する際に、該ウェーハの表面形状の測定を測定スキャンにより実施し、
改質領域が未形成の別のカットライン下に複数の改質領域を形成する際に、前記測定スキャンにより得られた表面形状のデータに基づいて改質領域形成位置を制御することを特徴とするレーザーダイシング方法。
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