JP2009540611A - 光検出用のｐｉｎダイオード及び高速、高分解能画像検出 - Google Patents
光検出用のｐｉｎダイオード及び高速、高分解能画像検出 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009540611A JP2009540611A JP2009515550A JP2009515550A JP2009540611A JP 2009540611 A JP2009540611 A JP 2009540611A JP 2009515550 A JP2009515550 A JP 2009515550A JP 2009515550 A JP2009515550 A JP 2009515550A JP 2009540611 A JP2009540611 A JP 2009540611A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pin diode
- thickness
- type silicon
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims 5
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 12
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000005252 bulbus oculi Anatomy 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本発明は、光検出器及びＣＭＯＳ撮像装置に使用する高速かつ高効率のＰＩＮダイオードを提供するものである。ＰＩＮダイオードは、２つのシリコン酸化物のトンネル障壁層の間に配置された、真性Ｇｅ又は真性ＧｅＳｉなどの真性半導体材料の層を含む。２つのトンネル障壁層は、それら自体がｎ型シリコンの層とｐ型シリコンの層との間に配置される。
【選択図】図１
【選択図】図１
Description
本発明は、光検出器及びＣＭＯＳ光撮像装置で使用するＰＩＮダイオードに関する。
（可視部及び赤外部を包含する）マルチスペクトル光検出により、増加した情報量での目標識別が可能となる。例えば、軍事用途では、マルチスペクトル光検出器アレイを使用して、本物のミサイル弾頭を偽物と識別することができ、迎撃ミサイル弾頭を実際の標的の方へ誘導する支援を行うことができる。マルチスペクトル検出の原理は天体観測に広く使用されてきた。１つの利用可能な光検出機構として、逆バイアスをかけたＰＩＮダイオードにおける電子正孔の生成がある。
ＰＩＮダイオードベースの光検出器では、検出できる最長波長は、真性層に使用される真性半導体のバンドギャップにより決定される。真性層が光子を吸収するのに十分な厚さである限り、バンドギャップのエネルギーよりも高いエネルギーを有する光子が検出されることになる。光検出器を高速目標物の検出に使用するために、光検出器は高効率かつ高速な動作を行う必要がある。高速かつ高機能のデジタル信号処理回路を作製する場合、ＣＭＯＳチップ上に光検出器を集積するためには、グループIVベースの検出器が望ましい場合がある。Ｓｉチップ上に光検出器を構成する最近の手法では、Ｓｉ基板内に垂直に深く埋め込んだ厚いＳｉＰＩＮダイオードが一般に使用される。これらのＰＩＮダイオード光検出器では、真性層が十分な厚さである限り、効率を高く保持することができる。しかしながら、（正孔のドリフト速度が低いことに起因する）光子電流の収集はロングテール化するため、これらのＰＩＮダイオードの速度はかなり低い。
Ｇｅは、少なくとも２つの理由で光通信における光検出のための有望な材料である。第１に、Ｇｅの直接バンドギャップは０．８ｅＶであり、間接バンドギャップは０．６６ｅＶであるため、Ｇｅは広範囲にわたって高度に吸光性である。第２に、既存のＳｉ技術との互換性により、Ｇｅは、高品質のＣＭＯＳ互換の集積受光器に可能性を提供する。残念なことに、ＳｉとＧｅとの間の格子不整合が大きいため、Ｓｉ上にＧｅベースの高速光検出器を形成する方向への発展は非常に限定されている。
Ｓｉ表面上のＧｅ量子ドットの成長を利用して光検出器を製作し、Ｓｉ膜とＧｅ量子ドットとの多くの交互層を作製するための何らかの研究がなされてきた。このような光検出器により吸収はいくらか増大するが、これらはＳｉＰＩＮダイオードよりも僅かな向上を示すものにすぎない。
本発明は、光検出器として、及びＣＭＯＳ撮像装置で使用される高速、高効率のＰＩＮダイオードを提供するものである。ＰＩＮダイオードは、シリコン酸化物の２つのトンネル障壁層間に配置された真性半導体材料の層を含む。２つのトンネル障壁層は、これら自体ｎ型シリコンの層とｐ型シリコンの層との間に配置される。
好ましい実施形態では、真性半導体材料は、単結晶ゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ膜又はＧｅＳｉ合金ナノ膜であり、ｐ型及びｎ型シリコン（Ｓｉ）層は単結晶Ｓｉナノ膜である。Ｇｅ又はＧｅＳｉナノ膜は、約２０００ｎｍ以下の厚み（この厚みは、光検出器の速度と効率との間の妥協点に依存する）を有し、好ましくは約１０ｎｍ以下の厚みを有するシリコン酸化層により分離されて、ナノ膜のスタックを形成することが好ましい。
このナノ膜のスタックは、表面に非常に薄い酸化層を有する薄いシリコン層の上に薄い真性Ｇｅ層又はＧｅＳｉ層を転写することにより作製することができる。次に、単結晶Ｇｅ層又はＧｅＳｉ層上に、表面上に薄い酸化層を含む（第１の層とは異なるドーピング型を有する）第２の薄いシリコン層を転写することができる。或いは、スタック上に第２の薄いシリコン層を転写する前に、Ｓｉの薄層を成膜及び酸化させることにより、Ｇｅ層又はＧｅＳｉ層上に第２の酸化層を形成することができる。１つの実施形態では、Ｇｅナノ膜は、（埋め込み酸化層などの）下部犠牲層をエッチング除去することにより剥離されたＧｅオンインシュレータ基板の最上素子層である。別の実施形態では、Ｇｅオンインシュレータ基板のＧｅ素子層内に若干量のＳｉを組み込んでＧｅＳｉ合金層を形成し、その後、下部犠牲層をエッチング除去することによりこのＧｅＳｉ合金層が剥離される。剥離されたＧｅＳｉ又はＧｅナノ膜を、Ｓｉオンインシュレータ基板の酸化素子層の上に直接転写することができる。或いは、ホスト基板を使用して、剥離されたナノ膜を持ち上げ、転写することができる。
ｎ型及びｐ型シリコン層に電気的に結合された電極に接続された電源を使用して、ＰＩＮダイオードの両端に逆バイアスを与えることができ、これによりＰＩＮが光検出器として機能できるようになる。複数のこのような光検出器をアレイの形で配列して、光検出器アレイを提供することができる。光検出器アレイに結合されたＣＭＯＳ回路を使用して、ＣＭＯＳイメージセンサを提供することができる。
添付図面と併せて以下の詳細な記述を読むことにより、本発明のさらなる目的、特徴及び利点が明らかとなるであろう。
本発明は、ＰＩＮダイオードを組み込む光検出器の速度及び効率の両方を向上させる構造のＰＩＮダイオードを提供する。このＰＩＮダイオードから作製した光検出器をシリコン加工技術に、及びデジタル撮像装置などのＣＭＯＳベースの装置に容易に一体化することができる。
図１に示すように、ＰＩＮダイオードは、ｎ型シリコン層１００と、ｎ型シリコン層の上層部に配置されたシリコン酸化物を含む第１のトンネル障壁層１０２と、第１のトンネル障壁層の上層部に配置された真性半導体材料の層１０４と、真性半導体材料の層の上層部に配置されたシリコン酸化物を備える第２のトンネル障壁層１０６と、第２のトンネル障壁層の上層部に配置されたｐ型シリコン層１０８とを含む。代表的な実施形態では、前述の層の各々は先行する層の上層部に、また、その先行する層と直接接触して配置される。
ＰＩＮダイオードは、ｎ型シリコン層に電気的に結合された第１の電極１１０及びｐ型シリコン層に電気的に結合された第２の電極１１２も含むことができる。第１及び第２の電極に電源が接続され、ＰＩＮダイオードの両端に逆バイアスが印加されると、ＰＩＮダイオードは光検出器として機能し、この場合、真性層に吸収された光子により荷電キャリア（すなわち電子及び正孔）が発生し、この荷電キャリアがそれぞれの電極に集められて光電流が発生する。真性層内で様々なエネルギーの光子により荷電キャリアが生成される場合、これらの荷電キャリアもまた様々なエネルギーを有することになる。シリコン酸化物トンネル障壁層は、真性半導体材料の伝導帯エネルギーよりも高い伝導帯エネルギーを有し、真性半導体材料の価電子帯エネルギーよりも低い価電子帯エネルギーを有する。エネルギー障壁は荷電キャリアのために存在する。しかしながら、両側のシリコン酸化物の厚みは非常に薄い。量子物理学に基づけば、十分な運動エネルギーを有する荷電キャリアの波動関数は、この薄いエネルギー障壁と重なることになる。この波動関数の重なりによって、酸化エネルギー障壁の反対側でも荷電キャリアを検出することができる。この現象はトンネリングとしてよく知られている。より高エネルギーのキャリアは、薄いエネルギー障壁を横切る確率がより高くなる。従って、トンネル障壁層により、十分な高エネルギーを有するこれらの電子及び正孔のみが障壁をトンネリング通過し、電極がこれらを収集できるようになる。これらのより高エネルギーを有するキャリアを選択することにより（トンネル障壁は、荷電キャリアのための高エネルギー通過フィルタのように機能する）、トンネル障壁層の使用によって光検出器の速度が向上する。
トンネル障壁層の導入で光検出器の速度は向上するが、「高速の」電子及び正孔のみが収集されることになるため、光電流の収集効率は必然的に犠牲となる。この理由で、Ｇｅ又はＧｅＳｉ真性層は、光子の吸収効率を（通常、シリコンに対して桁違いに）高め、光電流の発生効率を向上させ、この結果光検出器の感度を向上させるため有利である。Ｇｅは、より広範囲の波長に渡ってＳｉよりも光子吸収効率が非常に高いことが知られている。真性半導体材料は、好ましくは薄い、連続した、単結晶ナノ膜の形状である真性Ｇｅからなることが望ましい。
好ましい実施形態では、真性層は約２０００ｎｍ以下の厚みを有する。この実施形態は、真性層が約１０００ｎｍ以下の厚みを有する実施形態を含み、真性層が約５００ｎｍ以下の厚みを有する実施形態をさらに含み、真性層が約２００ｎｍ以下の厚みを有する実施形態をさらにまた含む。ｎ型及びｐ型シリコン層もまた非常に薄いことが望ましい。いくつかの実施形態では、シリコン層は約１０００ｎｍ以下の厚みを有する。この実施形態は、シリコン層が約５００ｎｍ以下の厚みを有する実施形態を含み、かつシリコン層が約２００ｎｍ以下の厚みを有する実施形態をさらに含む。ｎ型及びｐ型シリコン層を真性層から分離するシリコン酸化層は、通常約１０ｎｍ以下の厚みを有する。これは、シリコン酸化層が約５ｎｍ以下の厚みを有する実施形態を含み、シリコン酸化層が約２ｎｍ以下の厚みを有する実施形態をさらに含む。
図２に示すように、複数の光検出器２００をアレイの形で配列して光検出器アレイを構成することができ、またＣＭＯＳ回路を光検出器アレイに結合してＣＭＯＳイメージセンサを構成することができる。マルチスペクトル検出を実現するために、光検出器アレイの１又はそれ以上の様々な範囲の上に、異なる波長用の１又はそれ以上のフィルタ２０２を配置することができる。しかしながら、フィルタの使用は任意である。これらのフィルタは広く利用可能であり、提案する光検出器アレイに容易に実装することができる。様々な範囲から得たデジタルイメージング情報を、ＣＭＯＳデジタル回路を使用して同時に処理することができる。（Ｓｉ基板などの）ＰＩＮダイオードの下にある基板上、或いはｎ型及びｐ型Ｓｉ層上に、画像処理用のＣＭＯＳ回路を製作することができる。ＰＩＮダイオードで構成される光検出器アレイ及び光検出器アレイと共に使用するＣＭＯＳ回路は公知である。ＰＩＮダイオードのアレイ及びＰＩＮダイオードのアレイと共に使用するＣＭＯＳ回路についての適当なレイアウトの説明は、米国特許第６，８０９，３５８号及び第６，８３１，２６３号に記載されており、これらの特許の開示全体は引用により本明細書に組み入れられる。
図３は、図１のＰＩＮダイオード及びＣＭＯＳ回路３００を含むＣＭＯＳイメージセンサにおける単一ピクセルの平面図である。図３の実施形態では、絶縁体の層３０２が、ＰＩＮダイオードの周囲及びピクセルの周辺部に配置される。
図４は、本発明による高速かつ高効率のＣＭＯＳ互換光検出器の作製に使用することができる製造プロセスのフローを示す図である。この例示的なプロセスでは、Ｓｉ及びＧｅナノ膜が使用される。上部にＰＩＮダイオードを製作するベース基板は、シリコンハンドル層４０６上に支持された埋め込み酸化層４０４の上に薄いｎ型シリコン層４０２を含むＳｉオンインシュレータ基板４００である（ステップ（ａ）を参照）。シリコン層４０２は、表面上に薄い酸化層４０８を有する（ステップ（ｂ）を参照）。酸化層４０８は、自然酸化層であってもよく、或いは別個の酸化プロセスにより生成されたものであってもよい。シリコン層４０２は、図４に示すように、シリコンオンインシュレータウエハのテンプレート層である必要はない。代わりに、シリコン層４０２及びその酸化層４０８を別個の基板から予め製作し、転写することができる。Ｇｅ層の下の犠牲層を除去することによりＧｅオンインシュレータ基板から剥離されていた単結晶真性Ｇｅ層４１０が、シリコン酸化層４０８に転写され付着される。予め成膜したＳｉ層４１２と共にＧｅ層４１０を転写することができ、その後これが酸化されてシリコン酸化層４１４が形成される（ステップ（ｃ）及びステップ（ｄ）を参照）。次に、ｐ型シリコン層４１６がシリコン酸化層４１４に転写され付着される（ステップ（ｅ）を参照）。次に、メサ４１８が、層４１０、４１４及び４１６内にエッチングされ、電極４２０が、ｎ型シリコン層４０２及びｐ型シリコン層４１６上に堆積される。図１及び図３に示すように、ｐ型シリコン層上の電極は、光が通過するための中央開口部を定めることができる。電極形成は、表面安定化の後、ＰＥＣＶＤ酸化物或いは成膜された酸化物又は窒化物を用いて行うことができる。パッシベーションを使用する場合、メタルコンタクトのためのビアホールが望ましい。ｐ型シリコンの位置とｎ型シリコンの位置は換えることができる。
例えば図１及び図４に示すように、いくつか実施形態では、ＰＩＮダイオードは頑丈な半導体オンインシュレータ支持体上に作製される。しかしながら、他の実施形態では、ナノ膜のスタックを（プラスチックフィルムなどの）フレキシブル基板に転写して、柔軟性のある光検出器及び撮像装置を構成することができ、これによりＰＩＮダイオードの裏側からの光を結合できるようになる。球状に形成されたフレキシブル基板を使用した場合、人工眼球又は同様の装置を作製することができる。
図４でのステップ（ｃ）及び（ｅ）のナノ膜転写プロセスは下記のように実施される。真性層は、（埋め込み酸化層などの）犠牲層上に支持された単結晶Ｇｅ又はＧｅＳｉの薄層を含む素子基板から作製することができる。次に、犠牲層を除去（例えばエッチング）することにより、真性層が犠牲層から剥離され、剥離層が持ち上げられ、この剥離層が転写される。ホスト基板、又は転写終了後に低温加熱によって気化することができるテープに剥離層を接触させることにより、剥離層の持ち上げを行うことができ、そこに剥離層の上面が付着する。いくつかの実施形態では、ホスト基板自体がＰＩＮダイオードの一部を形成する。例えば、ホスト基板は、表面上に自然酸化物を含むｎドープされた又はｐドープされたシリコン層であってもよい。別の実施形態では、ホスト基板は、表面上に自然酸化物を含むｎドープされた又はｐドープされたシリコン層に転写される前に一時的な支持体を提供し、その上で剥離層が運ばれる。同様のプロセスを使用して、剥離ｎ型又はｐ型シリコン層を形成し、転写することができる。ホスト基板は、剥離層が付着する少なくとも１つの表面により一般に特徴付けられる。通常、ホスト基板は、剥離層の付着を促進するために接着性コーティングで被覆されることになる。
本開示においては、及び別途定めない限り、「１つの（英文不定冠詞）」は「１又はそれ以上」を意味するものとする。本明細書で引用した全ての特許、出願、参考文献及び出版物は、個別に引用により組み入れられた場合と同程度に、全体が引用により組み入れられる。
特定の実施形態に関連して本発明の原理を説明してきたが、これらの説明は一例として行ったものにすぎず、本発明の範囲を限定することを意図したものではないということを明確に理解されたい。
１００ ｎ型シリコン層
１０２ 第１のトンネル障壁層
１０４ 真性半導体材料の層
１０６ 第２のトンネル障壁層
１０８ ｐ型シリコン層
１１０ 第１の電極
１１２ 第２の電極
２０２ フィルタ
１０２ 第１のトンネル障壁層
１０４ 真性半導体材料の層
１０６ 第２のトンネル障壁層
１０８ ｐ型シリコン層
１１０ 第１の電極
１１２ 第２の電極
２０２ フィルタ
Claims (30)
- （ａ）ｎ型シリコンの層と、
（ｂ）該ｎ型シリコンの層の上に配置されたシリコン酸化物の第１のトンネル障壁層と、
（ｃ）該第１のトンネル障壁層の上に配置された真性半導体材料の層と、
（ｄ）該真性半導体材料の層の上に配置されたシリコン酸化物の第２のトンネル障壁層と、
（ｅ）該第２のトンネル障壁層の上に配置されたｐ型シリコンの層と、
を具備することを特徴とするＰＩＮダイオード。 - 前記ｎ型シリコンの層に電気的に結合した第１の電極と、
前記ｐ型シリコンの層に電気的に結合した第２の電極と、
をさらに具備する、請求項１に記載のＰＩＮダイオード。 - 請求項２に記載のＰＩＮダイオードを具備し、
前記第１の電極及び前記第２の電極に接続され、前記ＰＩＮダイオードの両端に逆バイアスを印加するように構成された電圧源をさらに具備する、
ことを特徴とする光検出器。 - 前記真性半導体材料の層が約２０００ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記真性半導体材料の層が約２００ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記真性半導体材料の層が真性ゲルマニウムの層である、請求項１に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記真性ゲルマニウムの層が約１０００ｎｍ以下の厚さを有する単結晶層である、請求項６に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記真性ゲルマニウムの層が約５００ｎｍ以下の厚さを有する単結晶層である、請求項６に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記ｎ型シリコンの層及び前記ｐ型シリコンの層が約１０００ｎｍ以下の厚さを有する単結晶層である、請求項６に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記ｎ型シリコンの層及び前記ｐ型シリコンの層が約５００ｎｍ以下の厚さを有する単結晶層である、請求項６に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記第１のトンネル障壁層及び前記第２のトンネル障壁層が約１０ｎｍ以下の厚さを有する、請求項７に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記真性半導体材料の層が真性ゲルマニウムシリコン合金の層である、請求項１に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記真性ゲルマニウムシリコン合金の層が約２０００ｎｍ以下の厚さを有する単結晶層である、請求項１２に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記ｎ型シリコンの層及び前記ｐ型シリコンの層が約１０００ｎｍ以下の厚さを有する単結晶層である、請求項１２に記載のＰＩＮダイオード。
- 前記第１のトンネル障壁層及び前記第２のトンネル障壁層が約１０ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１４に記載のＰＩＮダイオード。
- 請求項３に記載の光検出器を複数具備し、
該複数の光検出器をアレイ状に配置した、ことを特徴とする光検出器アレイ。 - 前記複数の光検出器のうちの１又はそれ以上の光検出器の上に配置された少なくとも１つの光学フィルタをさらに具備する、請求項１６に記載の光検出器アレイ。
- 請求項１６に記載の光検出器アレイを具備し、該光検出器アレイに結合されたＣＭＯＳ回路をさらに具備する、ことを特徴とするイメージセンサ。
- （ａ）約１０００ｎｍ以下の厚さを有するｎ型シリコンの層と、
（ｂ）該ｎ型シリコンの層の上に配置されたシリコン酸化物の第１のトンネル障壁層と、
（ｃ）該第１のトンネル障壁層の上に配置された約２０００ｎｍ以下の厚さを有する単結晶真性ゲルマニウムの層と、
（ｄ）該真性ゲルマニウムの層の上に配置されたシリコン酸化物の第２のトンネル障壁層と、
（ｅ）該第２のトンネル障壁層の上に配置された約１０００ｎｍ以下の厚さを有するｐ型シリコンの層と、
を具備することを特徴とするＰＩＮダイオード。 - 前記ｎ型シリコンの層及び前記ｐ型シリコンの層が約５００ｎｍ以下の厚さを有し、前記単結晶真性ゲルマニウムの層が約２００ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１９に記載のＰＩＮダイオード。
- 請求項１９に記載のＰＩＮダイオードを具備し、
第１の電極及び第２の電極に接続され前記ＰＩＮダイオードの両端に逆バイアスを印加するように構成された電圧源をさらに具備する、ことを特徴とする光検出器。 - 請求項２１に記載の光検出器を複数具備し、
複数の前記光検出器がアレイ状に配列された、ことを特徴とする光検出器アレイ。 - 前記複数の光検出器のうちの１又はそれ以上の光検出器の上に配置された少なくとも１つの光学フィルタをさらに具備する、請求項２２に記載の光検出器アレイ。
- 請求項２２に記載の光検出器アレイを具備し、
前記光検出器アレイに結合されたＣＭＯＳ回路をさらに具備する、イメージセンサ。 - （ａ）約１０００ｎｍ以下の厚さを有するｎ型シリコンの層と、
（ｂ）該ｎ型シリコンの層の上に配置されたシリコン酸化物の第１のトンネル障壁層と、
（ｃ）該第１のトンネル障壁層の上に配置された約２０００ｎｍ以下の厚さを有する単結晶真性ゲルマニウムシリコン合金の層と、
（ｄ）該真性ゲルマニウムシリコン合金の層の上に配置されたシリコン酸化物の第２のトンネル障壁層と、
（ｅ）該第２のトンネル障壁層の上に配置された約１０００ｎｍ以下の厚さを有するｐ型シリコンの層と、
を具備することを特徴とするＰＩＮダイオード。 - 前記ｎ型シリコンの層及び前記ｐ型シリコンの層が約５００ｎｍ以下の厚さを有し、
前記単結晶真性ゲルマニウムシリコン合金の層が約２００ｎｍ以下の厚さを有する、
請求項２５に記載のＰＩＮダイオード。 - 請求項２５に記載のＰＩＮダイオードを具備し、
第１の電極及び第２の電極に接続され前記ＰＩＮダイオードの両端に逆バイアスを印加するように構成された電圧源をさらに具備する、ことを特徴とする光検出器。 - 請求項２７に記載の光検出器を複数具備し、
複数の前記光検出器がアレイ状に配列された、ことを特徴とする光検出器アレイ。 - 前記複数の光検出器のうちの１又はそれ以上の光検出器の上に配置された少なくとも１つの光学フィルタをさらに具備する、請求項２８に記載の光検出器アレイ。
- 請求項２８に記載の光検出器アレイを具備し、
該光検出器アレイに結合されたＣＭＯＳ回路をさらに具備する、ことを特徴とするイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/452,135 US7777290B2 (en) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | PIN diodes for photodetection and high-speed, high-resolution image sensing |
| US11/452,135 | 2006-06-13 | ||
| PCT/US2007/068962 WO2007146533A2 (en) | 2006-06-13 | 2007-05-15 | Pin diodes for photodetection and high-speed, high-resolution image sensing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009540611A true JP2009540611A (ja) | 2009-11-19 |
| JP5404392B2 JP5404392B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=38821034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009515550A Active JP5404392B2 (ja) | 2006-06-13 | 2007-05-15 | Ｐｉｎダイオード、光検出器、光検出器アレイ及びイメージセンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7777290B2 (ja) |
| EP (1) | EP2033227B1 (ja) |
| JP (1) | JP5404392B2 (ja) |
| WO (1) | WO2007146533A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012008272A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | 日本電気株式会社 | 受光素子及びそれを備えた光通信デバイス、並びに受光素子の製造方法及び光通信デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8232617B2 (en) * | 2009-06-04 | 2012-07-31 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Flexible lateral pin diodes and three-dimensional arrays and imaging devices made therefrom |
| US8753917B2 (en) * | 2010-12-14 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating photoconductor-on-active pixel device |
| SG2013075379A (en) | 2012-10-08 | 2014-05-29 | Agency Science Tech & Res | P-i-n photodiode |
| US8866154B2 (en) | 2013-03-14 | 2014-10-21 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Lattice mismatched heterojunction structures and devices made therefrom |
| JP6048578B2 (ja) | 2013-04-19 | 2016-12-21 | 富士通株式会社 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| US9472535B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-10-18 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Strain tunable light emitting diodes with germanium P-I-N heterojunctions |
| US9425351B2 (en) | 2014-10-06 | 2016-08-23 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Hybrid heterostructure light emitting devices |
| US9899556B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-02-20 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Hybrid tandem solar cells with improved tunnel junction structures |
| CN110447113B (zh) | 2017-03-24 | 2022-08-12 | 威斯康星州男校友研究基金会 | 具有多层p型触点的III-V族氮化物基发光器件 |
| US10217897B1 (en) | 2017-10-06 | 2019-02-26 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Aluminum nitride-aluminum oxide layers for enhancing the efficiency of group III-nitride light-emitting devices |
| US10497817B1 (en) | 2018-07-09 | 2019-12-03 | Wisconsin Alumni Research Foundation | P-n diodes and p-n-p heterojunction bipolar transistors with diamond collectors and current tunneling layers |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175535A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 量子化Ｓｉ光半導体装置 |
| JPH11163388A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Nec Corp | 半導体光検出器及びその製造方法 |
| JP2006120921A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置 |
| JP2006148076A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Sharp Corp | シリコンウェハに結合することによる薄膜ゲルマニウムの赤外線センサの製造 |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4792859A (en) * | 1987-02-09 | 1988-12-20 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Digitizing wand adapted for manual and automatic operation |
| FR2623019B1 (fr) * | 1987-11-10 | 1990-05-11 | Thomson Csf | Dispositif de prise d'image radiologique |
| US4883561A (en) * | 1988-03-29 | 1989-11-28 | Bell Communications Research, Inc. | Lift-off and subsequent bonding of epitaxial films |
| US4846931A (en) * | 1988-03-29 | 1989-07-11 | Bell Communications Research, Inc. | Method for lifting-off epitaxial films |
| JPH0334456A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nippon Steel Corp | ｐｉｎダイオードとその製造方法及び密着型イメージセンサ |
| US5073230A (en) * | 1990-04-17 | 1991-12-17 | Arizona Board Of Regents Acting On Behalf Of Arizona State University | Means and methods of lifting and relocating an epitaxial device layer |
| US5210766A (en) * | 1990-12-27 | 1993-05-11 | Xerox Corporation | Laser crystallized cladding layers for improved amorphous silicon light-emitting diodes and radiation sensors |
| US5528397A (en) * | 1991-12-03 | 1996-06-18 | Kopin Corporation | Single crystal silicon transistors for display panels |
| US5229332A (en) * | 1992-02-25 | 1993-07-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for the growth of epitaxial metal-insulator-metal-semiconductor structures |
| US5465009A (en) * | 1992-04-08 | 1995-11-07 | Georgia Tech Research Corporation | Processes and apparatus for lift-off and bonding of materials and devices |
| US5344517A (en) * | 1993-04-22 | 1994-09-06 | Bandgap Technology Corporation | Method for lift-off of epitaxial layers and applications thereof |
| US5796119A (en) * | 1993-10-29 | 1998-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Silicon resonant tunneling |
| US5461243A (en) * | 1993-10-29 | 1995-10-24 | International Business Machines Corporation | Substrate for tensilely strained semiconductor |
| US5422305A (en) * | 1993-10-29 | 1995-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming implanted silicon resonant tunneling barriers |
| US5466949A (en) * | 1994-08-04 | 1995-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Silicon oxide germanium resonant tunneling |
| US5723872A (en) * | 1994-08-15 | 1998-03-03 | Texas Instruments Incorporated | Mixed barrier resonant tunneling |
| US5906951A (en) * | 1997-04-30 | 1999-05-25 | International Business Machines Corporation | Strained Si/SiGe layers on insulator |
| EP0923792B1 (en) * | 1997-05-16 | 2007-02-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Silicon germanium semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| JP4071360B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2008-04-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US6018187A (en) * | 1998-10-19 | 2000-01-25 | Hewlett-Packard Cmpany | Elevated pin diode active pixel sensor including a unique interconnection structure |
| AU6905000A (en) * | 1999-08-10 | 2001-03-05 | Silicon Genesis Corporation | A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
| US6214733B1 (en) * | 1999-11-17 | 2001-04-10 | Elo Technologies, Inc. | Process for lift off and handling of thin film materials |
| US6602613B1 (en) * | 2000-01-20 | 2003-08-05 | Amberwave Systems Corporation | Heterointegration of materials using deposition and bonding |
| KR100716943B1 (ko) * | 2000-02-24 | 2007-05-10 | 삼성전자주식회사 | 광검출기 디바이스 및 그 제조방법 |
| JP2004507084A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | グレーデッドエピタキシャル成長を用いた半導体品の製造プロセス |
| US6831263B2 (en) * | 2002-06-04 | 2004-12-14 | Intel Corporation | Very high speed photodetector system using a PIN photodiode array for position sensing |
| US6774448B1 (en) * | 2000-11-30 | 2004-08-10 | Optical Communication Products, Inc. | High speed detectors having integrated electrical components |
| US6774010B2 (en) * | 2001-01-25 | 2004-08-10 | International Business Machines Corporation | Transferable device-containing layer for silicon-on-insulator applications |
| US6410371B1 (en) * | 2001-02-26 | 2002-06-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of fabrication of semiconductor-on-insulator (SOI) wafer having a Si/SiGe/Si active layer |
| US6603156B2 (en) * | 2001-03-31 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Strained silicon on insulator structures |
| US6940089B2 (en) * | 2001-04-04 | 2005-09-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor device structure |
| AU2002352866A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-06-10 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Stress control of semiconductor microstructures for thin film growth |
| US6534841B1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-03-18 | Hewlett-Packard Company | Continuous antifuse material in memory structure |
| US6809358B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-10-26 | E-Phocus, Inc. | Photoconductor on active pixel image sensor |
| CA2489567A1 (en) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Ge photodetectors |
| JP2004111584A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| AU2003294822A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-30 | Quantum Semiconductor Llc | Cmos image sensor |
| US7812340B2 (en) * | 2003-06-13 | 2010-10-12 | International Business Machines Corporation | Strained-silicon-on-insulator single-and double-gate MOSFET and method for forming the same |
| US6830964B1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-14 | Rj Mears, Llc | Method for making semiconductor device including band-engineered superlattice |
| US7227174B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-06-05 | Rj Mears, Llc | Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction |
| US7138697B2 (en) * | 2004-02-24 | 2006-11-21 | International Business Machines Corporation | Structure for and method of fabricating a high-speed CMOS-compatible Ge-on-insulator photodetector |
| US7557367B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-07-07 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Stretchable semiconductor elements and stretchable electrical circuits |
| US7229901B2 (en) * | 2004-12-16 | 2007-06-12 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Fabrication of strained heterojunction structures |
-
2006
- 2006-06-13 US US11/452,135 patent/US7777290B2/en active Active
-
2007
- 2007-05-15 WO PCT/US2007/068962 patent/WO2007146533A2/en active Application Filing
- 2007-05-15 JP JP2009515550A patent/JP5404392B2/ja active Active
- 2007-05-15 EP EP07762196.9A patent/EP2033227B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175535A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 量子化Ｓｉ光半導体装置 |
| JPH11163388A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Nec Corp | 半導体光検出器及びその製造方法 |
| JP2006120921A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置 |
| JP2006148076A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Sharp Corp | シリコンウェハに結合することによる薄膜ゲルマニウムの赤外線センサの製造 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012008272A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | 日本電気株式会社 | 受光素子及びそれを備えた光通信デバイス、並びに受光素子の製造方法及び光通信デバイスの製造方法 |
| US8853812B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-10-07 | Nec Corporation | Photodetector, optical communication device equipped with the same, method for making of photodetector, and method for making of optical communication device |
| JP5812002B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2015-11-11 | 日本電気株式会社 | 受光素子及びそれを備えた光通信デバイス、並びに受光素子の製造方法及び光通信デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7777290B2 (en) | 2010-08-17 |
| EP2033227B1 (en) | 2020-02-12 |
| EP2033227A4 (en) | 2013-07-17 |
| US20070284688A1 (en) | 2007-12-13 |
| JP5404392B2 (ja) | 2014-01-29 |
| WO2007146533A2 (en) | 2007-12-21 |
| EP2033227A2 (en) | 2009-03-11 |
| WO2007146533A3 (en) | 2008-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5404392B2 (ja) | Ｐｉｎダイオード、光検出器、光検出器アレイ及びイメージセンサ | |
| US7972885B1 (en) | Broadband imaging device and manufacturing thereof | |
| US8357960B1 (en) | Multispectral imaging device and manufacturing thereof | |
| US7932575B2 (en) | Method of fabricating back-illuminated imaging sensors using a bump bonding technique | |
| CN111566819B (zh) | 锗修饰的背侧照明的光学传感器 | |
| JP2023002693A (ja) | 高性能太陽電池、アレイ、およびその製造方法 | |
| TW201523914A (zh) | 太陽能電池模組中之太陽能電池之互連 | |
| US8946839B1 (en) | Reduced volume infrared detector | |
| US8648437B2 (en) | Trench sidewall contact Schottky photodiode and related method of fabrication | |
| US11742449B2 (en) | Single photon avalanche diode device | |
| CN113053929A (zh) | 半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法 | |
| CN110729375B (zh) | 单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法 | |
| CN108630781A (zh) | 3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法 | |
| EP3794643B1 (en) | Integration of a short-wave infrared detector with cmos compatible substrates | |
| RU2530458C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР InGaAs/InP | |
| KR102558515B1 (ko) | 단파 적외선 초점면 어레이, 그 활용 및 제조 방법 | |
| CN117637879B (zh) | 一种高光吸收率低暗电流的锗基光电器件及制造方法 | |
| CN114649428B (zh) | 新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法 | |
| JP2023518354A (ja) | 光起電力デバイス及びその製造方法 | |
| KR20220122519A (ko) | 후면 다이오드 설계 | |
| CN116885032A (zh) | 一种波导集成型光电探测器及其制备方法 | |
| JPS60224265A (ja) | 半導体素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100203 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120806 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120820 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130610 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130905 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130930 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131029 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5404392 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |