JP2009540608A - 表面回路パターンを備えた低温同時焼成セラミックの無加圧拘束焼結のための改善プロセス - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 110
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 24
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title description 22
- 238000007729 constrained sintering Methods 0.000 title description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 32
- -1 resistor Substances 0.000 claims description 24
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 13
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 7
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 166
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 18
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 17
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 16
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 15
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 15
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 10
- 238000004952 furnace firing Methods 0.000 description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 10
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 9
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 9
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 5
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFDQLDNQZFOAFK-UHFFFAOYSA-N 2-benzoyloxyethyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 XFDQLDNQZFOAFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N Cellulose propionate Chemical compound CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- CVPZXHCZKMFVOZ-UHFFFAOYSA-N [4-(benzoyloxymethyl)cyclohexyl]methyl benzoate Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)OCC(CC1)CCC1COC(=O)C1=CC=CC=C1 CVPZXHCZKMFVOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002285 poly(styrene-co-acrylonitrile) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000004636 vulcanized rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021489 α-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
本発明は、亀裂のない、反りのない、歪みのない、収縮のないLTCC本体、複合体、モジュールまたはパッケージを、1つまたは複数の異なる誘電体テープの化学的性質を備えた多層構造の前駆体グリーン(未焼成)ラミネートから製造するプロセスに関する。これは、犠牲剥離テープと直接接触した両上下表面テープ層を含む各テープ層について、コンダクタ、ビアフィル、キャパシタ、インダクタまたはレジスタ等の同時焼成可能厚膜回路材料によりパターン化されている。
Description
本発明は、低温同時焼成セラミック(LTCC)構造を形成する改善された方法に関する。
相互接続回路基板またはパッケージは、電気的および機械的に相互接続された数多くの極めて小さな回路要素から、電子回路またはサブシステムを物理的に具現化するものである。これらの様々な多様な種類の電子コンポーネントを構成において組み合わせることが望ましいことが多く、これらは、単一のコンパクトなパッケージにおいて互いに物理的に分離され、近接して装着されて、互いに、かつ/またはパッケージから延在する共通の接続部に電気的に接続することができる。
複雑な電子回路では、通常、回路を、対応する絶縁誘電テープ層により分離された、いくつかのレベルのコンダクタで構築する必要がある。コンダクタ層は、ビアフィルと呼ばれる導電性通路により分離された誘電体層を通して相互接続される。
以下の全ての議論において、テープ層または誘電体層という用語の使用は、セラミックテープで同時焼成された表面コンダクタと相互連結用ビアフィルの両方の金属化の存在を意味するものと考えられる。同様に、ラミネートまたは複合体という用語は、一緒に押圧されて単一の物体を形成した金属化テープ層の集合体を意味する。
LTCC多層回路を作製するためのセラミックベースのグリーンテープの使用はスタインバーグ(Steinberg)による米国特許公報(特許文献1)に開示されている。同時焼成フリー焼結法は従来技術に優る多くの利点を与えている。しかしながら、より大きい回路が必要な場合、平面、すなわちx、y方向に沿った焼成収縮のばらつきが大き過ぎてニーズに適合しないことが分かっている。現世代の小さいサイズの表面実装コンポーネントを対象にすると、6インチ×6インチより大幅に大きいLTCCラミネートには収縮許容範囲(x、y収縮の再現性)が大き過ぎて有用な製造はできないことが示されている。この上限は、新規の回路およびパッケージの各世代の進化に伴うより高い回路密度の必要性によって、今日、挑まれ続けている。最小の物理寸法で、多数の回路機能を与えつつ、生産収率を改善するには、6インチ×6インチまたはこれより大きなサイズのLTCCラミネートに、モジュールまたはコンポーネントの大規模アレイを装着するのが望ましいことが多い。これは、さらに小さいモジュールまたはコンポーネントサイズ、従って、より狭いコンダクタラインおよびスペースならびにテープにおいて、より細かいピッチで、より小さいビアを含む、より小さい幾何学形状のサイズと言い換えられる。これらの全てが、LTCCラミネートのフリー焼結法で実際提供できるものより大幅に小さい収縮許容範囲を必要としている。
本体表面に対して垂直に集合体への圧力を維持しながら、焼成の間に多孔性となる剥離層をセラミック本体上に置いて集合体を焼成する、グリーンセラミック本体焼成の際のX−Y収縮を低減するための方法がミケスカ(Mikeska)による米国特許公報(特許文献2)に開示されている。圧力補助方法によってX−Y収縮の低減が得られるので、この方法を用いると、スタインバーグ(Steinberg)より、非常に優れた利点を備えたLTCC多層回路が作製される。
改善された同時焼成LTCCプロセスが開発されており、ミケスカ(Mikeska)による米国特許公報(特許文献3)に開示されている。無加圧補助の焼結方法(Pressure−less assisted sintering)の頭文字をとってPLASと称されるこの方法では、グリーンLTCCラミネートの2つの主要外表面上に、セラミックをベースとした剥離テープ層を置いた。焼成プロセスの間、この剥離テープは収縮を制御する。回路特徴部の焼成された寸法が予測し易くなるため、この方法によって、焼成収縮許容度の大幅な改善がもたらされる。
ミケスカ(Mikeska)により示された技術の修正がファザーノ(Fasano)らによる米国特許公報(特許文献4)に示されている。そこでは、多層セラミックの端部が、特定の角度に面取りされ、焼成の際に外部から適用された剥離テープによって付与された不完全な収縮制御に起因する端部の歪みが是正されている。
シェパード(Shepherd)は、米国特許公報(特許文献5)において、LTCC構造体におけるレジストレーションの制御のための別の方法を提案した。この方法は、拘束されていない回路の正常な収縮および収縮変動を招くLTCC回路のコア部分を焼成する。次の層を、事前焼成コアの特徴部に適合するように作製し、次いで、これを剛性の事前焼成されたコアにラミネートされたグリーン層の焼結を拘束するのに使用する。平面収縮を0.8〜1.2%の範囲まで制御するが、決してゼロまで低減されない。この理由のため、この技術は、レジストレーションが許容されなくなる前の、若干の数の層に限定される。
テープをベースとした拘束焼結プロセスでの剥離中、剥離テープはピンの働きをし、可能性のあるx方向とy方向の収縮を抑制する。剥離テープ自体は、感知できるほどには焼結されず、後の回路製造操作の前に除去される。その除去は、ブラッシング、サンドブラストまたはビーズブラストなどのいくつかの適切な手順の1つで実施することができる。
焼成後、前記剥離テープを完全に除去するのが難しいのと、残渣剥離テープ微粒子が、上下コンダクタのはんだ濡れ性およびワイヤボンド性に与える悪影響のため、従来技術の方法を用いて、ラミネートと同時処理することはできない。最新の処理技術では、焼成後、剥離テープをより完全に除去するのが容易になってきている。さらに、LTCC製造業者の多くが、ニッケル/金めっきを用いて、表面コンダクタのはんだ濡れ性やワイヤボンド性を改善している。従来技術の方法でできなかった(すなわち、上下コンダクタをラミネートと同時焼成できない)ことに関するこれらの必要な工程は、剥離テープの焼成および除去の後に、焼成後方策の一部としてのみ実施することができる。さらに、LTCC構造を形成する従来技術の方法は、方法でシムを用いる必要がある。このシムは、潜在的な亀裂や処理によるその他の問題につながる。図1および2に、シムの使用が含まれるLTCC構造の従来技術の製造方法を示す。
従来技術のPLASプロセスについて図1に示すLTCCおよび剥離テープアセンブリは、少なくとも1/16インチの厚さのステンレス鋼またはその他好適な金属材料の下部プラテン(104)を含み、好ましい厚さ範囲は、1/8インチ〜1/4インチで、アラインメントピン(105)が、下部プラテン(104)に取り付けられており、プラテン(104)上に配置されているのは、下部剥離テープ層(102)、事前に回路が形成されたLTCCテープ層(103)、上部剥離テープ層(102)および薄いステンレス鋼、銅またはその他好適な金属シムプレート(101)であり、その典型的な厚さは、0.01インチ〜0.02インチである。
図2aに、図1のアセンブリの拡大上部を示す。回路特徴部(106)が、上部LTCCテープ層(103)の外表面にパターン化されている。上部のすぐ上にあるのは、金属シムプレート(101)と接触する上部剥離テープ層(102)であり、フルアセンブリは、イソスタティックラミネータの温水浴に配置される前、少なくとも2回、ポリプロピレン袋(108)で保護される。温水により印加される圧力の方向(109)が図示されており、シムプレート(108)の剛性のために、上部剥離テープを含むLTCCアセンブリの変形が不十分となって、回路特徴部(106)周囲に空洞部分(107)が残る。後の炉焼成中、剥離テープと密着した領域は、x、y面に拘束され、空洞部分(107)に隣接する回路特徴部(106)は、剥離テープが有効に作用せず、自由焼結がなされて、局所的に、不安定な焼結応力が形成された。これにより、図2bに示すような亀裂(110)が生じた。上部LTCC層(103a)、回路特徴部(106a)および上部剥離テープ層(102a)は全て厚さの減少を示した。空洞部分(107a)は、炉焼成により容積またはサイズが収縮したものの、焼成したアセンブリに存在している。
本発明の方法によれば、LTCC基板の上下外表面の全ての領域に対する剥離テープ層による改善された拘束効果が可能となり、これは、ブランク基板表面にあるか、ブランク基板の表面上に突出している回路パターン特徴部かどうかには関わらない。本発明によれば、上下面コンダクタの同時焼成が可能となる。
本発明は、LTCC多層基板で、x、y収縮の相互抑制を示す構造体を製造するものであり、これらに限られるものではないが、ビア、コンダクタ、キャパシタ、インダクタおよびレジスタにより作製された特徴部と、グリーンラミネートスクライブライン凹部とを含む上下面回路パターンを備えている。
本発明は、外表面特徴部を備えたLTCC構造を製造する方法であって、
(a)2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上面と下面とを有するサブアセンブリを形成し、少なくとも1つの外表面が機能的特徴部を有する工程と、
(b)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程と、
(c)上部剥離テープ層をサブアセンブリの上側に適用し、かつ下部剥離テープ層をサブアセンブリの下側に適用して、フルアセンブリを形成する工程と、
(d)下部プラテンを提供し、フルアセンブリを下部プラテンに適用する工程であって、下部剥離テープ層が下部プラテンと接触するようにする工程と、
(e)下部プラテンに適用されたフルアセンブリをラミネートする工程と、
(f)ラミネートされたアセンブリを焼成する工程と、
(g)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を除去する工程と
を含む方法に関する。
(a)2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上面と下面とを有するサブアセンブリを形成し、少なくとも1つの外表面が機能的特徴部を有する工程と、
(b)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程と、
(c)上部剥離テープ層をサブアセンブリの上側に適用し、かつ下部剥離テープ層をサブアセンブリの下側に適用して、フルアセンブリを形成する工程と、
(d)下部プラテンを提供し、フルアセンブリを下部プラテンに適用する工程であって、下部剥離テープ層が下部プラテンと接触するようにする工程と、
(e)下部プラテンに適用されたフルアセンブリをラミネートする工程と、
(f)ラミネートされたアセンブリを焼成する工程と、
(g)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を除去する工程と
を含む方法に関する。
本発明はまた、外側スクライブラインのあるLTCC構造を製造する方法であって、
(a)2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成し、ラインがスクライブされる場所を示すガイドが表面に存在する工程と、
(b)工程(a)の前記ガイドを用いて、ラミネートされたサブアセンブリにライン凹部をスクライブする工程と、
(c)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程と、
(d)上部剥離テープ層をサブアセンブリの上側に適用し、かつ下部剥離テープ層をサブアセンブリの下側に適用して、フルアセンブリを形成する工程と、
(e)下部プラテンを提供して、フルアセンブリを下部プラテンに適用する工程であって、下部剥離テープ層が下部プラテンと接触するようにする工程と、
(f)下部プラテンに適用されたフルアセンブリをラミネートする工程と、
(g)ラミネートされたアセンブリを焼成する工程と、
(h)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を除去する工程と
を含む方法にも関する。
(a)2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成し、ラインがスクライブされる場所を示すガイドが表面に存在する工程と、
(b)工程(a)の前記ガイドを用いて、ラミネートされたサブアセンブリにライン凹部をスクライブする工程と、
(c)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程と、
(d)上部剥離テープ層をサブアセンブリの上側に適用し、かつ下部剥離テープ層をサブアセンブリの下側に適用して、フルアセンブリを形成する工程と、
(e)下部プラテンを提供して、フルアセンブリを下部プラテンに適用する工程であって、下部剥離テープ層が下部プラテンと接触するようにする工程と、
(f)下部プラテンに適用されたフルアセンブリをラミネートする工程と、
(g)ラミネートされたアセンブリを焼成する工程と、
(h)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を除去する工程と
を含む方法にも関する。
本発明は、改善された亀裂のない、反りのない、歪みのない、収縮のない、低温同時焼成セラミック(LTCC)本体、複合体、モジュールまたはパッケージに関し、これは1つまたは複数の異なる誘電体テープの化学的性質を備えた多層構造の前駆体グリーン(未焼成)ラミネートからできたものであり、犠牲剥離テープと直接接触した両上下表面テープ層を含む各テープ層について、スクリーン印刷可能なコンダクタ、写真形成可能なフォーデル(Fodel)(登録商標)コンダクタ、ビアフィル、キャパシタ、インダクタまたはレジスタ等の同時焼成可能厚膜回路材料によりパターン化されている。本発明の方法はまた、犠牲剥離テープと直接接触したテープ層の外表面に、グリーンラミネートスクライブラインを組み込んでいる。
明瞭にするために、事前に回路が形成されたLTCCテープ層の群は、「サブアセンブリ」と呼ばれ、この「サブアセンブリ」と、上下剥離テープ層の組み合わせは、「フルアセンブリ」と呼ばれる。
本発明の一実施形態は、同時焼成表面特徴部を有するLTCC構造に関する。これらの表面特徴部(機能的特徴部とも呼ばれる)は、例えば、厚膜コンダクタ、キャパシタ、インダクタまたはレジスタを含む。本発明の他の態様は、方法やプロセスの改善に関し、同時焼成表面特徴部を備えたLTCC構造を作製することができる。本発明の実施形態は、本明細書に記載した修正PLASを用いて、外表面特徴部を備えたLTCC構造を作成することに関する。ここに記載した方法により作製したLTCC構造は、亀裂が排除され、位置精度および望ましい回路生産収率を有する。
本発明の実施形態は、本明細書に記載した修正PLAS技術を用いて、LTCC構造の外表面にラインをスクライブすることに関する。
本発明の他の実施形態は、スクライブされたLTCC構造からの個々の離れたLTCC回路基板の形成に関する。個々の離れたLTCC回路基板は、LTCC構造のスクライブされたラインに沿って分離される。個々の回路基板の単一化には、ダイシングソーを用いた分離は必要ない。
本発明の実施形態において、記載した方法により作製されたLTCC構造は、大型パネルに、小さなサイズのLTCC回路基板のアレイを大量生産するのに用いられる。さらなる実施形態において、大型パネルは、約6インチ×6インチ〜10インチ×10インチである。他の実施形態において、小さなサイズのLTCC回路基板は外表面特徴部を有する。さらなる実施形態において、個々の離れたLTCC回路基板は、LTCC構造のスクライブされたラインに沿って、手動または自動で分離される。得られるLTCC回路基板は平坦で亀裂はない。
表面特徴部を備えたこれらのLTCC構造は、以下のような数多くの所望の特性を有する。(1)表面回路特徴部のより明確な形状。これは、サブアセンブリの上部LTCCテープ層にある印刷および乾燥回路特徴部に適合した剥離テープによるPLAS効果による。この効果は、部分的に見られる。なぜなら、後の焼成中、回路特徴部は、厚さ方向にだけ収縮するよう拘束されて、明確な形状を維持できるからである。(2)イソスタティックラミネーション圧力によるサブアセンブリの外(上または下)LTCCテープ層への表面特徴部の部分凹部。SEM断面分析を用いて、物理的効果を示すことができる。(3)表面回路特徴部の高度の平坦化およびスクライブライン凹部。同時焼成表面特徴部を備えたこれらLTCC構造の他の特性としては、LTCC回路基板内の回路性能または外部回路コンポーネントおよび/またはマザーボードとの接続または取付けに影響しないものが挙げられる。かかる特性としては、(1)焼成した剥離テープ微粒子の存在と、その程度が、剥離テープ除去プロセスの方法および完全さによること。(2)ドライまたはウェットバニシングプロセス等による剥離テープ除去中に導入された表面回路特徴部のマークや汚れの存在。
同時焼成表面特徴部を備えた記載したLTCC構造、その製造方法およびプロセスには、典型的なPLAS LTCC製造に勝る利点がある。これらの利点のいくつかについては上述してある。表面特徴部を備えたLTCC構造の典型的なPLAS製造には、以下のような欠点がある。(1)後焼成表面回路特徴部の形状が、所望されるように明確ではない。これは、一部、後焼成回路特徴部の焼結プロセス中の剥離テープによる制限がないことによるものであり、垂下したり、流れたりする傾向がある。(2)表面特徴部は、後焼成プロセス後、上部LTCCテープ層のレベルに主に留まる。特徴部は、同時焼成の片方のようにラミネーションはされないからである。(3)従来のPLAS技術を用いて、大型パネル上に小さな回路基板のアレイを作成すると、不規則なトポグラフィーとなり、スクライブライン凹部の平坦さを欠く。これらの特徴は、一般に望ましくなく、前記パネルの後焼成表面特徴部の後のスクリーン印刷を全体として妨げる。この潜在的な制限を回避するには、追加の工程が必要である。例えば、このように手動または自動で分離された小さなサイズの回路基板の単一化、印刷および焼成等である。これらの典型的なPLAS LTCC構造はまた、典型的なPLAS LTCC構造の表面特徴部が、焼成された剥離テープ微粒子を集めず、マークや汚れは観察されないという点で、本発明の構造と異なる。これは、主として、剥離テープの除去によるものである。除去は、後焼成表面回路特徴部のパターニングの前になされる。
本発明の他の実施形態において、方法は、歪みのない、亀裂のない、反りのない低温同時焼成セラミック構造を提供し、(a)機能的特徴部を有する2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層がサブアセンブリを形成する工程、(b)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程、(c)前記LTCCテープ層、前記上部剥離層および前記下部剥離層を並べて、フルアセンブリを形成する工程、(d)下部プラテンを提供する工程、(e)前記アセンブリを2つ以上の袋に封入する工程、(f)前記アセンブリをイソスタティックラミネートして、ラミネートされたアセンブリを形成する工程、(g)前記袋を除去する工程、(h)前記ラミネートされたアセンブリを焼成する工程、(i)前記上部剥離テープ層および前記下部剥離テープ層を除去する工程を含む。
本発明のある実施形態において、機能的特徴部は、サブアセンブリの上層の表面およびサブアセンブリの下層の表面にあってもよい。さらなる実施形態において、機能的特徴部は、サブアセンブリの上層の表面にある。さらなる実施形態において、機能的特徴部は、サブアセンブリの下層になくてもよい。本明細書で用いる下層は、金属プラテンに対向する層と定義される。本明細書で用いる上層は、金属プラテンに対向しない層と定義される。本明細書で用いるサブアセンブリの上または下層の表面とは、サブアセンブリの上または下層の外表面、サブアセンブリの他の層に対向しない表面を指す。
図3A〜Cおよび4A〜Bに、本発明の詳細な実施形態を示す。それについては後述する。当業者であれば、図3および4は例示であり、本発明を限定するものではないことが分かるであろう。
図3Aに、本発明の方法を示す。LTCCアセンブリの拡大上部は、上部LTCCテープ層(103)の外表面にパターン化された回路特徴部(106)を有し、上部剥離テープ層(102)が取り付けられている。このフルアセンブリを、イソスタティックラミネータの温水浴に入れる前に、少なくとも2回、ポリプロピレン袋(108)に入れて保護する。温水で加圧される方向(109)が示されており、図2Aに示す従来技術のプロセスとは異なり、印加された圧力は、上部剥離テープ層(102)と共にポリプロピレン(109)を変形するのに十分なものであり、パターン化された表面回路特徴部(106)により形成されたトポグラフィーに対して、剥離テープを有効に適合させるため、空洞(107)が周囲に最低限存在、あるいは存在しなくなる。
他の構成を図3Bに示す。ポリプロピレン袋(108)保護の工程の前、圧縮性ゴムまたはプラスチック層(114)が、パターン化された回路特徴部(106)を有するLTCCテープ層(103)の上部の剥離テープ層(102)の上部に配置されている。この構成によると、パターン化された表面回路特徴部(106)により形成されたトポグラフィーに対して、剥離テープを有効に適合させるため、空洞(107)が周囲に最低限存在、あるいは存在しなくなる。
図3Cに、図3Aおよび3Bの両方に示したLTCCアセンブリについての焼成したLTCC構造の概略を示す。後の炉焼成中、ブランクLTCC構造表面(103a)とパターン化された回路特徴部(106a)を含む領域の全てが、x、y面において拘束された。それらは全て、剥離テープと密着していたからである。従って、LTCCテープとコンダクタまたは回路特徴部を作製するのに用いた他の材料との間の焼結差に関わらず、大きな拘束力が、焼結応力に勝り、亀裂のない焼成LTCC構造が得られた。上部LTCC層(103a)、回路特徴部(106a)および上部剥離テープ層(102a)は全て厚さの減少を示した。
図4Aに、従来技術のプロセスに対する本発明の改善を示す。フルLTCCアセンブリの下部構成に焦点を当てている。最下部LTCCテープ層(111)は、回路特徴部(112)でパターン化されており、下部剥離テープ層(113)と直接接触して示されている。下ステンレス鋼またはその他好適な金属プラテン(115)に直接配置する代わりに、1つの圧縮性ゴムまたはプラスチック層(114)がインサートとして提供されている。アセンブリは、ポリプロピレン袋(108)で少なくとも2回保護される。イソスタティックラミネータにおいて温水で加圧される方向(109)も示されている。厚いプラテン(115)は、印加された圧力下では圧縮されないが、圧縮性ゴムまたはプラスチックインサート(114)は有効に変形して、下部剥離テープ層(113)を、パターン化された表面回路特徴部(106)により作製されたトポグラフィーに適合させるため、空洞(107)が周囲に最低限存在するようになる。
後の炉焼成中、ブランクLTCC構造表面(113a)とパターン化された回路特徴部(112a)を含む領域の全てが、x、y面において拘束された。それらは全て、剥離テープと密着していたからである。従って、LTCCテープとコンダクタまたは回路特徴部を作製するのに用いた他の材料との間の焼結差に関わらず、大きな拘束力が、焼結応力に勝り、亀裂のない焼成LTCC構造が得られた。下部LTCC層(111a)、回路特徴部(112a)および上部剥離テープ層(113a)は全て厚さの減少を示した。
図5Aに、本発明の方法を示す。LTCCアセンブリの拡大上部は、上部LTCCテープ層(103)の外表面にパターン化された回路特徴部(106)を有し、上部剥離テープ層(102)が取り付けられている。このアセンブリと図3Aに示したものとの差は、上部LTCCテープ層(103)の中心に示されたスクライブライン(116)にある。このフルアセンブリを、イソスタティックラミネータの温水浴に入れる前に、少なくとも2回、ポリプロピレン袋(108)に入れて保護する。温水で加圧される方向(109)が示されており、図2Aに示す従来技術のプロセスとは異なり、印加された圧力は、上部剥離テープ層(102)と共にポリプロピレン(109)を変形するのに十分なものであり、パターン化された表面回路特徴部(106)およびスクライブライン(116)領域により形成されたトポグラフィーに対して、剥離テープを有効に適合させるため、空洞(107)が周囲に最低限存在、あるいは存在しなくなる。
図5Bに、図5Aに示したLTCCアセンブリについての焼成したLTCC構造の概略を示す。後の炉焼成中、ブランクLTCC構造表面(103a)、パターン化された回路特徴部(106a)およびスクライブライン領域(116a)を含む領域の全てが、x、y面において拘束された。それらは全て、剥離テープと密着していたからである。従って、LTCCテープとコンダクタまたは回路特徴部を作製するのに用いた他の材料との間の焼結差に関わらず、大きな拘束力が、焼結応力に勝り、亀裂のない焼成LTCC構造が得られた。上部LTCC層(103a)、回路特徴部(106a)および上部剥離テープ層(102a)は全て厚さの減少を示した。更に、剥離テープ層(102a)は、LTCCテープ層(103a)と下にあるテープ層の焼結による応力のために、分離(107a)を示した。
本発明の一実施形態において、ガラス含有LTCCテープ層の2つ以上の層に、コンダクタ回路パターン、ビアおよびその他機能的特徴部が、これらに限られるものではないが、LTCCテープサブアセンブリの上下面を含む各LTCCテープ層上に提供される。サブアセンブリは、犠牲剥離テープ層と直接接触する。剥離テープ層は、フルアセンブリの最外材料である。フルアセンブリが、熱処理されると、1%未満、好ましくは0.2%未満のx、y収縮を示す構造を生成する。
PLASによるx、y収縮制御については、米国特許公報(特許文献2)の第4欄、15〜62行および米国特許公報(特許文献6)の第1欄、40〜47行に記載されている。これらの特許は両方とも参考文献として援用される。
本発明の実施形態において、1%未満のx、y収縮が得られ、さらなる実施形態においては、0.2%未満が得られる。
本発明の他の実施形態において、生産バッチ内または生産バッチ間での収縮値の変動が、フリー焼結プロセスにより作製される従来の回路基板より小さい。本実施形態の態様において、収縮変動の範囲は、±0.15%未満、さらなる態様において、収縮変動の範囲は、±0.05%未満である。
x、y収縮の特性を調べるのは、1つのまとまりのLTCCブランクまたは回路基板の上部シートの様々な平面配向の事前に穿孔したビアホールの間隔の平均寸法変化を計算することによりなされる。間隔の測定は、工具顕微鏡、光学式コンパレータおよび当業者に知られた他の方法を用いることにより行うことができる。ラミネーションのプロセスにより生じる変動を明らかにするには、ビアホールパンチファイルに基づいた上部シートの間隔(aの値)を、焼成LTCCブランクまたは回路基板にある同じビアホール対の間隔(bの値)と共に用い、%収縮を
100%x(a−b)/a
として計算する。
100%x(a−b)/a
として計算する。
6インチ×6インチ〜10インチ×10インチといった大型パネル上への小さなサイズのLTCC回路基板のアレイの大量生産に現在利用可能な方法には、欠点があり、これに限られるものではないが、処理工程の追加がある。典型的な方法には、LTCC回路を形成した層に、上部および下部剥離テープを並べてラミネートし、フルアセンブリを焼成し、剥離テープを除去してから、ダイシングソーにより離れた回路基板を作成することが含まれる。ダイシングソーは、時間がかかり、かつ、散水が不可避であり、セラミック粒子への露出により、余分なクリーニングおよび乾燥工程が必要である。典型的に、スクライビングは、自動制御ヒートナイフによりなされ、合計サブアセンブリラミネート厚さの10〜35%、好ましくは15〜25%の範囲の深さのスクライブされた凹部を生成する。
本発明は、現在の方法に勝る利点を提供する。本発明において、剥離テープは、スクライブされた凹部マトリックスに沿った不規則なトポグラフィーに沿い、許容可能なx、y収縮制御および平坦な焼成フルアセンブリとなる。剥離テープ除去後、離れたLTCC回路基板のアレイを、スクライブされた凹部に沿って、手動か自動分離のいずれかにより製造することができる。これらの離れたLTCC回路基板は、典型的なPLASプロセスにより作製されたものとは対照的に、平坦で、亀裂がない。さらに、生産収率は典型的なPLASプロセスよりも良く、収率損失は、スクライブされた凹部に沿った、または不規則配向における亀裂により生じる。
本発明の様々な実施形態を後述する。当業者であれば、本発明の多様な実施形態が可能であることが分かる。以下の記載は、いくつかの実施形態をとらえるためのものに過ぎず、限定しようとするものではない。LTCCアセンブリは、以下の方法により作製される。
a)個々のLTCCテープ層に、コンダクタ回路パターン、ビア、ならびにこれらに限られるものではないが、レジスタ、キャパシタおよびインダクタ材料をはじめとするその他の機能的特徴部を与える。
b)LTCCテープ層に、上部および下部剥離テープ層をイソスタティックラミネータにおいて並べ、ラミネートする。
c)一実施形態において、少なくとも1/16インチの厚さのステンレス鋼またはその他好適な金属材料の下部プラテンを用いる。好ましい厚さ範囲は、1/8インチ〜1/4インチである。
d)LTCCテープ層、下部剥離テープ層および上部剥離テープ層(すなわち、フルアセンブリ)は、ポリプロピレン袋等のプラスチック袋に少なくとも2回封入される。
e)イソスタティックラミネータでラミネートするには、アセンブリを水浴に浸す。水浴温度は、LTCCおよび剥離テープ材料で用いる有機バインダーのタイプに基づいて決まり、実施形態に応じて異なる。ポリアクリレートタイプのバインダーについては、イソスタティックラミネータにおける加熱水浴の温度として、80℃まで、好ましくは75℃を用いる。他のタイプのポリマーバインダーについては、それぞれのガラス転移温度に応じて、70℃より低い、または80℃を超える温度の温水浴も用いることができる。
f)イソスタティックラミネータの温水浴にて、30分まで、好ましくは10〜15分の浸漬時間で、ラミネーションプロセスを完了する。
g)ベルトまたは箱形炉において上記ラミネートを焼成し、完全に有機物が燃え尽きた後に緻密化を完了する。
h)剥離テープ層を、LTCCアセンブリの上下側の両方から除去する。
(i)必要であれば、焼成したLTCCアセンブリを、事前にスクライブした凹部に沿って別のモジュールまたはコンポーネントに分割する。
a)個々のLTCCテープ層に、コンダクタ回路パターン、ビア、ならびにこれらに限られるものではないが、レジスタ、キャパシタおよびインダクタ材料をはじめとするその他の機能的特徴部を与える。
b)LTCCテープ層に、上部および下部剥離テープ層をイソスタティックラミネータにおいて並べ、ラミネートする。
c)一実施形態において、少なくとも1/16インチの厚さのステンレス鋼またはその他好適な金属材料の下部プラテンを用いる。好ましい厚さ範囲は、1/8インチ〜1/4インチである。
d)LTCCテープ層、下部剥離テープ層および上部剥離テープ層(すなわち、フルアセンブリ)は、ポリプロピレン袋等のプラスチック袋に少なくとも2回封入される。
e)イソスタティックラミネータでラミネートするには、アセンブリを水浴に浸す。水浴温度は、LTCCおよび剥離テープ材料で用いる有機バインダーのタイプに基づいて決まり、実施形態に応じて異なる。ポリアクリレートタイプのバインダーについては、イソスタティックラミネータにおける加熱水浴の温度として、80℃まで、好ましくは75℃を用いる。他のタイプのポリマーバインダーについては、それぞれのガラス転移温度に応じて、70℃より低い、または80℃を超える温度の温水浴も用いることができる。
f)イソスタティックラミネータの温水浴にて、30分まで、好ましくは10〜15分の浸漬時間で、ラミネーションプロセスを完了する。
g)ベルトまたは箱形炉において上記ラミネートを焼成し、完全に有機物が燃え尽きた後に緻密化を完了する。
h)剥離テープ層を、LTCCアセンブリの上下側の両方から除去する。
(i)必要であれば、焼成したLTCCアセンブリを、事前にスクライブした凹部に沿って別のモジュールまたはコンポーネントに分割する。
さらなる実施形態は、
(a)機能的特徴部を有する2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成する工程、
(b)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程、
(c)前記上部剥離テープ層を前記サブアセンブリの前記上側に適用し、かつ前記下部剥離テープ層を前記サブアセンブリの前記下側に適用する工程、
(d)LTCCテープ層、前記上部剥離テープ層および前記下部剥離テープ層を並べて、上側と下側とを有するフルアセンブリを形成する工程、
(e)下部プラテンを提供する工程、
(f)前記フルアセンブリを2つ以上の袋に封入する工程、
(g)前記アセンブリをイソスタティックラミネートして、ラミネートされたアセンブリを形成する工程、
(h)前記袋を除去する工程、
(i)前記ラミネートされたアセンブリを焼成する工程、
(j)前記上部剥離テープ層および前記下部剥離テープ層を除去する工程
を含む、歪みのない、亀裂のない、反りのない低温同時焼成セラミック構造を製造する方法であって、前記低温同時焼成構造が、x、y収縮の1パーセント未満の相互抑制を示す方法に関する。
(a)機能的特徴部を有する2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成する工程、
(b)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程、
(c)前記上部剥離テープ層を前記サブアセンブリの前記上側に適用し、かつ前記下部剥離テープ層を前記サブアセンブリの前記下側に適用する工程、
(d)LTCCテープ層、前記上部剥離テープ層および前記下部剥離テープ層を並べて、上側と下側とを有するフルアセンブリを形成する工程、
(e)下部プラテンを提供する工程、
(f)前記フルアセンブリを2つ以上の袋に封入する工程、
(g)前記アセンブリをイソスタティックラミネートして、ラミネートされたアセンブリを形成する工程、
(h)前記袋を除去する工程、
(i)前記ラミネートされたアセンブリを焼成する工程、
(j)前記上部剥離テープ層および前記下部剥離テープ層を除去する工程
を含む、歪みのない、亀裂のない、反りのない低温同時焼成セラミック構造を製造する方法であって、前記低温同時焼成構造が、x、y収縮の1パーセント未満の相互抑制を示す方法に関する。
本実施形態の態様において、LTCCテープ層を並べた後、ただし、前記上部剥離テープ層および前記下部剥離テープ層を適用する前に、前記LTCCテープ層は、機能的特徴部と共に、スクライブされる。
上下剥離テープ層の、表面回路特徴部、スクライブラインおよびその他同様の属性のトポグラフィーへの適合を維持する目的の本発明のいくつか可能な実施形態がある。これらの実施形態としては、(1)上部LTCC表面特徴部のトポグラフィーとは反対の刻み目パターンを有する上部シムプレート、(2)上部LTCC表面特徴部のトポグラフィーとは反対の成形パターンを有する圧縮性ゴムまたはプラスチック層、および(3)下部LTCC表面特徴部のトポグラフィーとは反対の成形パターンを有する圧縮性ゴムまたはプラスチック層が挙げられるが、これらに限られるものではない。上記の実施形態のうち、選択肢2および3は、妥当なコストで製造でき、圧縮性材料を提供するため、上下剥離テープ層を、外側上下の回路の形成された、かつ/またはスクライブされたLTCCテープ層の不規則表面トポグラフィーに、より効率的に適合させる。スクライブラインは、一方のみ、通常は、LTCCアセンブリの上部表面に生じることに注意する。
本発明のさらなる実施形態において、フィルムまたはシート材料、例えば、圧縮性材料を、袋に入れる工程の間に、LTCCフルアセンブリの上または下インサートとして用いることができる。これらの材料としては、熱可塑性ポリマー、熱硬化性ポリマー、発泡ポリマー、未加硫および加硫ゴム材料が挙げられる。使用中の適合性の程度は、圧縮強度の物理特性により推定することができる。材料の圧縮強度は、永久物理または構造変形なしで圧縮に耐える能力と定義される。本発明において、イソスタティック圧力の適正な範囲は、2,000〜4,000psi、好ましくは2,500〜3,500psiである。従って、適用できるポリマー材料を、括弧書きでpsi単位でそれぞれの圧縮強度と共に、以下に挙げるが、これらに限られるものではない。ポリプロピレン(8,500〜10,000)、アクリル樹脂((14,000〜17,000)、耐衝撃性アクリル樹脂(7,000〜12,000)、ポリスチレン((11,500〜16,000)、耐衝撃性ポリスチレン((8,000〜16,000)、ポリ(スチレン−コ−アクリロニトリル)(15,000〜17,500)、ポリスチレンABS樹脂(6,000〜11,000)、ポリ塩化ビニル(10,000〜11,000)、ポリ(クロロ−トリフルオロエチレン)(6,000〜12,000)、ナイロン66(5,000〜13,000)、ナイロン6(4,000〜11,000)、アセタール樹脂((18,000)、ポリカーボネート樹脂(12,500)、ポリウレタン樹脂(20,000)、酢酸セルロース(2,200〜10,900)、酢酸酪酸セルロース(2,100〜9,400)およびプロピオン酸セルロース(3,000〜9,600)。
本発明に有用な圧縮性材料の尺度となる他の物理特性は、デュロメータスケールである。デュロメータは、材料の永久圧痕に対する抵抗と定義される、材料の硬さを測定するいくつかあるやり方の1つである。「デュロメータ」という用語は、測定と、測定を行うのに用いる計器の両方を指す。デュロメータは、典型的に、ポリマー、エラストマーおよびゴムの硬さの尺度として用いられる。やや異なる測定システムを用いる、2つの最も一般的なスケールは、AおよびDスケールである。合計で12のスケールを含むASTM D2240−00試験規格により定義されるように、Aスケールは、軟性プラスチック向けであり、Dスケールは、硬性プラスチック向けである。各スケールは、0〜100の値となり、値が大きいほど硬い材料であることを示している。本発明については、Aスケールを用いることにより、適用可能な範囲は10〜70、好ましい範囲は25〜55である。例えば、Aスケール値は、ゴムバンドについては25であり、ドアシールについては55、自動車タイヤトレッドは70である。
本発明のさらに他の実施形態は、イソスタティックラミネーションのプロセスの前の、並べたLTCCの回路を形成したテープ層と剥離テープ層の作製である。図1に、上(102)と下(102)剥離テープ層との間に配置された1つのまとまりのLTCCテープ層(103)を示す。小さなサイズのモジュールまたはコンポーネントのアレイを、それよりも大きな寸法のLTCCプラットフォームに作製するときは、全ての大きな寸法のLTCCプラットフォームをスクライブして、炉焼成工程後に、個々の回路基板の単一化を促す必要がある場合が多い。スクライブラインを提供するには、事前ラミネーションの追加工程が必要であり、剥離テープなしで、事前回路形成LTCCテープ層の全てを、低圧、低温、または短時間、あるいはこれのうち2つまたは全ての組み合わせで事前ラミネーションを行った。
LTCCテープ組成物と、様々なコンポーネント、例えば、キャパシタ、インダクタおよびレジスタに回路特徴部を与えるのに用いる様々な厚膜ペーストの組成の差が、焼結差となる。上記の厚膜ペーストを、多層LTCCモジュールまたはコンポーネントの内側に適用するときは、厚さ、x、y寸法等の形状因子を調整し、かつ/または厚膜組成を最適化することにより、焼結不整合を解決することができる。上記とは対照的に、上記の厚膜ペーストを、多層LTCCモジュールまたはコンポーネントの外表面に用いる場合には、厚膜特徴部がもはやLTCCテープに埋め込まれていないので、厚膜特徴部を、剥離テープと確実に密着させて、有効かつほぼ完全な拘束を与える必要がある。本発明は、上記のことを起こす方法を提供するものである。
既述した実施形態に加えて、その他の構成および方法が可能である。
例えば、外表面特徴部を備えたLTCC構造を製造する方法は、
(i)2枚以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成し、少なくとも1つの外表面が機能的特徴部を有する工程、
(j)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程、
(k)上部剥離テープ層を、サブアセンブリの上側に適用し、かつ下部剥離テープ層をサブアセンブリの下側に適用し、フルアセンブリを形成する工程、
(l)下部プラテンを提供し、フルアセンブリを下部プラテンに適用する工程であって、下部剥離テープ層が下部プラテンと接触するようにする工程、
(m)下部プラテンに適用されたフルアセンブリをラミネートする工程、
(n)ラミネートされたアセンブリを焼成する工程、
(o)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を除去する工程
を含む。
(i)2枚以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成し、少なくとも1つの外表面が機能的特徴部を有する工程、
(j)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程、
(k)上部剥離テープ層を、サブアセンブリの上側に適用し、かつ下部剥離テープ層をサブアセンブリの下側に適用し、フルアセンブリを形成する工程、
(l)下部プラテンを提供し、フルアセンブリを下部プラテンに適用する工程であって、下部剥離テープ層が下部プラテンと接触するようにする工程、
(m)下部プラテンに適用されたフルアセンブリをラミネートする工程、
(n)ラミネートされたアセンブリを焼成する工程、
(o)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を除去する工程
を含む。
記載した方法は、さらに、工程(d)の後に、フルアセンブリを2つ以上の袋に封入する工程をさらに含み、工程(e)の後に、袋を除去する工程をさらに含む。
この方法のさらなる変形として、以下のことが含まれる。
記載した方法において、LTCC構造は、x、y収縮の1パーセント未満の相互抑制を示す。
記載した方法において、LTCC構造は、x、y収縮の1パーセント未満の相互抑制を示す。
記載した方法において、ラミネーティングタイプはイソスタティックである。
記載した方法において、工程(a)の後に、ラミネートされたサブアセンブリにライン凹部をスクライブする工程をさらに含む。
記載した方法において、LTCC構造は、x、y収縮の0.2パーセント未満の相互抑制を示す。
記載した方法において、フルアセンブリを袋に封入する前に、前記フルアセンブリの上側に、圧縮性シートを配置する工程をさらに含む。
記載した方法において、フルアセンブリを袋に封入する前に、プラテンに配置されたフルアセンブリの下側に、圧縮性シートを配置する工程をさらに含む。
記載した方法において、機能的特徴部は、キャパシタ、レジスタ、コンダクタおよび/またはインダクタである。
記載した方法において、機能的特徴部は、LTCC構造の上面および下面にある。
記載した方法において、機能的特徴部は、LTCC構造の上面にある。
記載した方法により作製された歪みのない、亀裂のないおよび反りのないLTCC構造。
他の例は、外側スクライブラインのあるLTCC構造を製造する方法であって、
(h)2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成し、ラインがスクライブされる場所を示すガイドが表面に存在する工程、
(i)工程(a)のガイドを用いて、ラミネートされたサブアセンブリにライン凹部をスクライブする工程、
(j)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程、
(k)上部剥離テープ層をサブアセンブリの上側に適用し、かつ下部剥離テープ層をサブアセンブリの下側に適用して、フルアセンブリを形成する工程、
(l)下部プラテンを提供して、フルアセンブリを下部プラテンに適用する工程であって、下部剥離テープ層が下部プラテンと接触するようにする工程、
(m)下部プラテンに適用されたフルアセンブリをラミネートする工程、
(n)ラミネートされたアセンブリを焼成する工程、
(p)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を除去する工程
を含む。
(h)2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、該テープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成し、ラインがスクライブされる場所を示すガイドが表面に存在する工程、
(i)工程(a)のガイドを用いて、ラミネートされたサブアセンブリにライン凹部をスクライブする工程、
(j)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程、
(k)上部剥離テープ層をサブアセンブリの上側に適用し、かつ下部剥離テープ層をサブアセンブリの下側に適用して、フルアセンブリを形成する工程、
(l)下部プラテンを提供して、フルアセンブリを下部プラテンに適用する工程であって、下部剥離テープ層が下部プラテンと接触するようにする工程、
(m)下部プラテンに適用されたフルアセンブリをラミネートする工程、
(n)ラミネートされたアセンブリを焼成する工程、
(p)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を除去する工程
を含む。
この方法の様々な修正が可能であり、以下のことが含まれる。
記載した方法において、ガイドは、基準特徴部である。
記載した方法において、ガイドは、基準特徴部である。
記載した方法において、ガイドは、ビアホールである。
記載した方法において、工程(a)のサブアセンブリの少なくとも1つの外表面が、機能的特徴部を有する。
記載した方法において、スクライブされたライン凹部は、サブアセンブリの上側の表面にある。
記載した方法において、工程(d)の後に、フルアセンブリを2つ以上の袋に封入する工程をさらに含み、工程(e)の後に、袋を除去する工程をさらに含む。
記載した方法において、LTCC構造は、x、y収縮の1パーセント未満の相互抑制を示す。
記載した方法において、LTCC構造は、ラージパネルである。
記載した方法において、ラージパネルは、6インチ×6インチ以上である。
記載した方法において、ラージパネルは、小さなサイズの回路のアレイを含む。
記載した方法において、小さなサイズの回路のアレイが、スクライブされたライン凹部により分離されている。
記載した方法において、フルアセンブリを袋に封入する前に、前記フルアセンブリの上側に、圧縮性シートを配置する工程をさらに含む。
(LTCCテープのコンポーネント)
典型的なLTCCテープは、ガラス、セラミック無機固体および有機媒体を含み、ガラスおよびセラミック無機固体は分散されている。有機媒体は、ポリマーバインダーを含み、これは、1つまたは複数の揮発性有機溶剤および、任意で、他の溶解材料、例えば、可塑剤、剥離剤、分散剤、ストリッピング剤、消泡剤、安定化剤および湿潤剤に溶解されている。
典型的なLTCCテープは、ガラス、セラミック無機固体および有機媒体を含み、ガラスおよびセラミック無機固体は分散されている。有機媒体は、ポリマーバインダーを含み、これは、1つまたは複数の揮発性有機溶剤および、任意で、他の溶解材料、例えば、可塑剤、剥離剤、分散剤、ストリッピング剤、消泡剤、安定化剤および湿潤剤に溶解されている。
LTCCテープに好適なガラス組成物としては、これらに限られるものではないが、後述する以下の組成物が挙げられる。用いるガラスとしては、これらに限られるものではないが、表1に示すものが挙げられる。さらに、ガラス組成は、以下の酸化物構成成分から選択され、組成範囲は、重量%で、SiO2 52−54、Al2O3 12.5−14.5、B2O3 8−9、CaO 16−18、MgO 0.5−5、Na2O 1.7−2.5、Li2O 0.2−0.3、SrO 0−4、K2O 1−2である。ガラスのより好ましい組成は、重量%で、SiO2 53.50、Al2O3 13.00、B2O3 8.50、CaO 17.0、MgO 1.00 Na2O 2.25、Li2O 0.25、SrO 3.00、K2O 1.50である。
Al2O3、ZrO2、TiO2、ZrSiO4、BaTiO3またはこれらの混合物等のセラミックフィラーを、テープを形成するのに用いる鋳造可能な組成物に、固体基準で、0〜50重量%の量で添加してもよい。フィラーのタイプに応じて、焼成後、異なる結晶相の形成が予想される。フィラーは、誘電率および周波数範囲にわたる損失を制御することができる。例えば、BaTiO3の添加によって、誘電率が大幅に増大する。
Al2O3が好ましいセラミックフィラーである。ガラスと反応すると、Al含有結晶相を形成するからである。Al2O3は、高機械強度および有害な化学反応に対する不活性さを提供するのに非常に有効である。セラミックフィラーの他の機能は、焼成中の全系のレオロジー制御である。セラミック粒子は、物理バリアとして作用することにより、ガラスのフローを制限する。それらはまた、ガラスの焼結を抑制し、有機物の良好なバーンアウトを促進する。他のフィラー、α−水晶、CaZrO3、ムライト、コーディエライト、フォルステライト、ジルコン、ジルコニア、BaTiO3、CaTiO3、MgTiO3、SiO2、アモルファスシリカまたはこれらの混合物を用いて、テープ性能および特性を修正してもよい。フィラーは、大きなサイズのフィラーのD50が1.5〜3ミクロンの範囲、小さなサイズのフィラーのD50が0.3〜0.8ミクロンの範囲の少なくとも二峰性粒度分布を有するのが好ましい。
LTCCテープ組成物の処方において、セラミック材料に対するガラスの量が重要である。20〜40重量%のフィラー範囲が、十分な緻密化が達成されるという点で望ましいと考えられる。フィラー濃度が、50重量%を超えると、焼成した構造は十分に緻密化されず、多孔性となりすぎる。望ましいガラス/フィラー比で、焼成中、液体ガラス相がフィラー材料で飽和されることは明らかである。
焼成の際に、組成物の高度な緻密化を得るためには、無機固体は小さな粒度を有することが重要である。特に、実質的に全ての粒子が、15μmを超えてはならない。10μmを超えないのが好ましい。これらの最大サイズの制限を条件として、ガラスとセラミックフィラーの両方の粒子の少なくとも50%が、1μmより大きく、6μm未満であるのが好ましい。
ガラスおよびセラミック無機固体が分散される有機媒体は、ポリマーバインダーを含み、これは、揮発性有機溶剤および、任意で、他の溶解材料、例えば、可塑剤、剥離剤、分散剤、ストリッピング剤、消泡剤、安定化剤および湿潤剤に溶解されている。
良好な結合効率を得るには、合計組成に基づいて、ガラスとセラミックフィラーを含む90重量%の固体について、少なくとも5重量%のポリマーバインダーを用いるのが好ましい。しかしながら、30重量%以下のポリマーバインダーおよびその他揮発性修正剤、例えば、可塑剤と、最低70%の無機固体とを用いるのがより好ましい。これらの制限内で、少なくとも可能な量のポリマーバインダーおよびその他低揮発性有機修正剤を用いるのが望ましい。これは、熱分解により除去されなければならない有機物の量を減じ、そして焼成の際の完全な緻密化を促す良好な粒子充填を得るためである。
これまで、様々なポリマー材料がグリーンテープのバインダーとして用いられてきた。例えば、ポリ(ビニルブチラール)、ポリ(酢酸ビニル)、ポリ(ビニルアルコール)、セルロースポリマー、例えば、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、メチルヒドロキシエチルセルロース、アタクチックポリプロピレン、ポリエチレン、ケイ素ポリマー、例えば、ポリ(メチルシロキサン)、ポリ(メチルフェニルシロキサン)、ポリスチレン、ブタジエン/スチレンコポリマー、ポリスチレン、ポリ(ビニルピロリドン)、ポリアミド、高分子量ポリエーテル、酸化エチレンと酸化プロピレンのコポリマー、ポリアクリルアミド、様々なアクリルポリマー、例えば、ナトリウムポリアクリレート、ポリ(低級アルキルアクリレート)、ポリ(低級アルキルメタクリレート)、低級アルキルアクリレートおよびメタクリレートの様々なコポリマーおよびマルチポリマー。エチルメタクリレートおよびメチルアクリレートのコポリマー、エチルアクリレート、メチルメタクリレートおよびメタクリル酸のターポリマーは、スリップ鋳造材料のバインダーとして以前から用いられてきた。
1985年8月20日発行のウサラ(Usala)による米国特許公報(特許文献7)には、有機バインダーが開示されている。これは、0〜100重量%のC1~8アルキルメタクリレート、100〜0重量%のC1~8アルキルアクリレートおよび0〜5重量%のアミンのエチレン化不飽和カルボン酸の相溶性のあるマルチポリマーの混合物である。上記のポリマーは、誘電体固体の量を最大として、最低量で用いることができるため、本発明の誘電性組成物を作製するのに選択されるのが好ましい。この理由から、上に参照したウサラ(Usala)出願の開示内容は、本明細書に参考文献として援用される。
ポリマーバインダーはまた、バインダーポリマーに対して、少量の可塑剤も含有しており、これは、バインダーポリマーのガラス転移温度(Tg)を下げる役割を果たす。可塑剤の選択は、当然のことながら、主に、修正する必要のあるポリマーにより決まる。様々なバインダー系において用いられてきた可塑剤としては、ジエチルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ブチルベンジルフタレート、アルキルホスフェート、ポリアルキレングリコール、グリセロール、ポリ(エチレンオキシド)、ヒドロキシエチル化アルキルフェノール、ジアルキルジチオホスホネートおよびポリ(イソブチレン)がある。当然のことながら、ブチルベンジルフタレートが、アクリルポリマー系において最も頻繁に用いられる。比較的低濃度で効果的に用いることができるからである。しかしながら、これらに限られるものではないが、ガラス、フィラーおよび顔料をはじめとする無機材料は、ポリマーバインダーとある程度相互作用して、一般に、ガラス転移温度が上がり、テープ組成物中の可塑剤の影響に対向することに留意する。
鋳造溶液の溶剤成分は、ポリマーの完全な溶解および十分に高い揮発性が得られ、大気圧で、比較的低レベルの熱を加えることにより、溶剤が分散液から蒸発できるようなものを選択する。さらに、溶剤は、有機媒体に含有された他の添加剤の沸点または分解温度より十分に低い温度で沸騰しなければならない。このように、150℃未満の大気沸点が最もよく用いられる。かかる溶剤としては、アセトン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、メチルエチルケトン、酢酸エチル、1,1,1−トリクロロエタン、テトラクロロエチレン、酢酸アミル、2,2,4−トリエチルペンタンジオール−1,3−モノイソブチレート、トルエン、塩化メチレンおよびフルオロカーボンが挙げられる。上述した個々の溶剤は、バインダーポリマーを完全には溶解しない。それでも、他の溶剤とブレンドすると、十分機能する。これは十分に当業者の範囲内である。特に好ましい溶剤は、酢酸エチルである。環境に有害なクロロカーボンの使用を避けられるからである。
溶剤およびポリマーに加えて、可塑剤を用いると、テープの亀裂を防ぎ、ブランキング、印刷およびラミネーション等のコートしたままのテープの取扱いの幅が広がる。好ましい可塑剤は、ポリプロピレングリコールジベンゾエートである、ローム・アンド・ハース社(Rohm and Haas Co.)製ベンゾフレックス(BENZOFLEX)(登録商標)400である。
(適用)
上述したガラス、セラミックフィラー、ポリマーバインダーおよび溶剤のスラリー分散液の薄層を、可撓性基板に鋳造し、鋳造層を加熱して揮発性溶剤を除去することにより、本発明で用いるLTCCグリーンテープを形成する。テープは、厚さ20ミルを超えないのが好ましく、1〜10ミルであるのが好ましい。テープを、シートに打ち抜き加工するか、ロール形態で集める。グリーンテープは、典型的に、多層電子回路の誘電体または絶縁材料として用いる。グリーンテープのシートは、回路の実際の寸法よりやや大きなサイズまで、各隅でレジストレーション孔により打ち抜き加工される。多層回路の様々な層を接続するには、グリーンテープにビアホールを形成する。これは、典型的に、機械的な打ち抜き加工により行われる。しかしながら、鋭く集光されたレーザーを用いて、揮発したり、グリーンテープにビアホールを形成することができる。典型的なビアホールサイズは、0.004インチ〜0.25インチである。層間の相互接続は、厚膜導電性インクによりビアホールを充填することにより形成される。このインクは、通常、標準的なスクリーン印刷技術により適用される。回路の各層は、スクリーン印刷コンダクタトラックにより完成する。また、レジスタインクまたは高誘電率インクを、選択した層に印刷して、抵抗または容量回路要素を形成することもできる。さらに、多層キャパシタ業界で用いられているのと同様の特別に処方された高誘電率グリーンテープを、多層回路の一部として組み込むことができる。
上述したガラス、セラミックフィラー、ポリマーバインダーおよび溶剤のスラリー分散液の薄層を、可撓性基板に鋳造し、鋳造層を加熱して揮発性溶剤を除去することにより、本発明で用いるLTCCグリーンテープを形成する。テープは、厚さ20ミルを超えないのが好ましく、1〜10ミルであるのが好ましい。テープを、シートに打ち抜き加工するか、ロール形態で集める。グリーンテープは、典型的に、多層電子回路の誘電体または絶縁材料として用いる。グリーンテープのシートは、回路の実際の寸法よりやや大きなサイズまで、各隅でレジストレーション孔により打ち抜き加工される。多層回路の様々な層を接続するには、グリーンテープにビアホールを形成する。これは、典型的に、機械的な打ち抜き加工により行われる。しかしながら、鋭く集光されたレーザーを用いて、揮発したり、グリーンテープにビアホールを形成することができる。典型的なビアホールサイズは、0.004インチ〜0.25インチである。層間の相互接続は、厚膜導電性インクによりビアホールを充填することにより形成される。このインクは、通常、標準的なスクリーン印刷技術により適用される。回路の各層は、スクリーン印刷コンダクタトラックにより完成する。また、レジスタインクまたは高誘電率インクを、選択した層に印刷して、抵抗または容量回路要素を形成することもできる。さらに、多層キャパシタ業界で用いられているのと同様の特別に処方された高誘電率グリーンテープを、多層回路の一部として組み込むことができる。
回路の各層が完成した後、個々の層を並べてラミネートする。イソスタティックプレス加工ダイを用いて、層間の正確なアラインメントを確保する。ラミネートをホットステージカッターでトリミングする。イソスタティックラミネーションのためのLTCCおよび剥離テープ配置については、前述した図面で詳細に説明してある。これらに限られるものではないが、液浴の圧力、時間および温度をはじめとする主要なラミネーションパラメータの効果および範囲についてここに述べてある。2,500〜3,500psiの適正な圧力範囲が通常許容されるものであり、LTCCテープと、厚膜コンダクタ、キャパシタ、インダクタおよびレジスタで作製された様々な回路特徴部との間に十分な接触を与え、かつ、グリーン状態の多層本体を過剰に変形しない。大きな寸法のLTCCプラットフォーム上で、小さなサイズのモジュールまたはコンポーネントの単一化を促すスクライブラインを与えるには、事前ラミネーションの工程が必要であり、500〜1,500psiとさらに減じた圧力を、通常、印加することができる。30分までの浸漬時間および通常10分の期間を用いて、典型的なLTCC基板をラミネートする。本発明では、同じ時間範囲が適用でき、好ましくは、15〜20分にして、LTCCサブアセンブリの上下の外表面回路特徴部に対する上下剥離テープ層の十分またはほぼ完全な適合を確保する。本発明においては、温度の議論は、水浴を備えたイソスタティックラミネータに焦点を合わせてある。恐らく密閉された系における水の望ましくない蒸発損失およびラミネートされるLTCC材料の過剰の軟化を最小にするには、80℃まで、通常は約70℃の水浴温度が適用可能である。本発明では、同じ温度範囲が適用可能であり、好ましくは75℃〜80℃を用いて、LTCCサブアセンブリの上下の外表面回路特徴部に対する上下剥離テープ層の十分またはほぼ完全な適合を確保する。LTCCテープおよび剥離テープ組成物中の可塑剤および無機材料により影響されて、適用された温度が、有効なガラス転移温度に近づくと、LTCCテープおよび剥離テープのポリマーバインダーは、より軟性かつ圧縮性となることに留意する。
焼成は、標準厚膜コンベヤーベルトまたは箱形炉にて、プログラムされた加熱サイクルで実施される。この方法によってまた、上下層として従来の剥離テープを用いる必要なく、焼成後の剥離テープの除去やクリーニングなしで、拘束焼結構造の一部として、上および/または下コンダクタが同時焼成される。
本明細書で用いる「焼成」という用語は、空気等の酸化雰囲気中で集合体を、集合体の層にある有機材料を全て揮発(バーンアウト)する温度および十分な時間にわたって加熱して、層中のガラス、金属または誘電体材料を焼結し、ラミネート全体を緻密化することを意味する。
当業者であれば、ビアが、近接する機能的層の適正な導電性経路に適切に接続されるよう、各ラミネーティング工程において、レジストレーションにおいて層が正確でなければならないことが分かるであろう。
「機能的層」という用語は、導電性、抵抗または容量機能のある印刷グリーンテープのことを指す。このように、上述したとおり、典型的なグリーンテープ層は、1つまたは複数のレジスタ回路および/またはキャパシタ、ならびに導電性回路をその上に印刷してもよい。
図1〜5に示す構成に従って、様々な厚さのグリーンテープシートを、隅部レジストレーション孔により、x−およびy−寸法が3インチ×3インチ〜8インチ×8インチのシートを打ち抜き加工する。これらは、打ち抜き加工されて、ビアホールを形成し、当業者に周知の標準処理技術を用いて、好適な表面およびビアフィルコンダクタにより金属化する。
空気等の酸化雰囲気中で、集合体の層にある有機材料を全て揮発(バーンアウト)する温度および十分な時間にわたって加熱して、層中のガラス、金属または誘電体材料を焼結することにより、部品を焼成した。このようにして、ラミネート全体を緻密化した。
剥離テープを、水洗、機械的バニシングやサンドブラストの典型的な手順を用いて、各部品から剥がした。
部品の収縮、亀裂またはその他欠陥および基板の反りについて評価した。
(トポグラフィー測定)
トポグラフィー適合度を、機械的(すなわち、スタイラス接触)タイプか、光学タイプの機器のいずれかを用いて、表面トポグラフィースキャンにより推定することができる。テンコアアルファステップ(Tencor Alpha−Step)500、典型的な機械的タイプの表面形状測定装置は、様々な直径のダイヤモンド先端スタイラスを備えており、ある範囲のスタイラス圧力、スキャン速度およびスキャニングモードを提供する。最大スキャン長10mmおよび垂直トポグラフィー高さ300ミクロンだと、両方共、本発明で説明したとおり、トポグラフィー制御の特性を調べるのに適正なものである。ビーコ(Veeco)のワイコ(Wyko)NT3300等の典型的な光学プロファイラーは、コンピュータ化された干渉顕微鏡を用いて、表面プロファイルの特性を調べる。通常、5Xまでの低倍率の対物で、縦横方向の両方におけるハイブリッド回路の表面構造に適切なものである。本発明において、剥離テープ層のラミネート前後での、コンダクタパターン等の表面特徴部のプロファイル間の比較を用いて、後に焼成されるLTCC構造の完全性に大きく影響するラミネーションプロセス最適化の影響を示す。
トポグラフィー適合度を、機械的(すなわち、スタイラス接触)タイプか、光学タイプの機器のいずれかを用いて、表面トポグラフィースキャンにより推定することができる。テンコアアルファステップ(Tencor Alpha−Step)500、典型的な機械的タイプの表面形状測定装置は、様々な直径のダイヤモンド先端スタイラスを備えており、ある範囲のスタイラス圧力、スキャン速度およびスキャニングモードを提供する。最大スキャン長10mmおよび垂直トポグラフィー高さ300ミクロンだと、両方共、本発明で説明したとおり、トポグラフィー制御の特性を調べるのに適正なものである。ビーコ(Veeco)のワイコ(Wyko)NT3300等の典型的な光学プロファイラーは、コンピュータ化された干渉顕微鏡を用いて、表面プロファイルの特性を調べる。通常、5Xまでの低倍率の対物で、縦横方向の両方におけるハイブリッド回路の表面構造に適切なものである。本発明において、剥離テープ層のラミネート前後での、コンダクタパターン等の表面特徴部のプロファイル間の比較を用いて、後に焼成されるLTCC構造の完全性に大きく影響するラミネーションプロセス最適化の影響を示す。
Claims (24)
- 外表面特徴部を備えたLTCC構造を製造する方法であって、
(a)2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、それらテープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成し、少なくとも1つの外表面が機能的特徴部を有する工程と、
(b)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程と、
(c)前記上部剥離テープ層を前記サブアセンブリの上側に適用し、かつ前記下部剥離テープ層を前記サブアセンブリの下側に適用して、フルアセンブリを形成する工程と、
(d)下部プラテンを提供して、前記フルアセンブリを前記下部プラテンに適用する工程であって、前記下部剥離テープ層が前記下部プラテンと接触するようにする工程と、
(e)前記下部プラテンに適用された前記フルアセンブリをラミネートする工程と、
(f)前記ラミネートされたアセンブリを焼成する工程と、
(g)前記上部剥離テープ層および前記下部剥離テープ層を除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。 - 工程(d)の後に、前記フルアセンブリを2つ以上の袋に封入する工程と、工程(a)の後に、前記袋を除去する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記LTCC構造が、x、y収縮の1パーセント未満の相互抑制を示すことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ラミネーティングタイプがイソスタティックであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 工程(a)の後に、前記ラミネートされたサブアセンブリにライン凹部をスクライブする工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記LTCC構造が、x、y収縮の0.2パーセント未満の相互抑制を示すことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記フルアセンブリを袋に封入する前に、前記フルアセンブリの前記上側に、圧縮性シートを配置する工程をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記フルアセンブリを袋に封入する前に、前記プラテン上に配置された前記フルアセンブリの前記下側に、圧縮性シートを配置する工程をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記機能的特徴部が、キャパシタ、レジスタ、コンダクタおよび/またはインダクタであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記機能的特徴部が、前記LTCC構造の上面および下面にあることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記機能的特徴部が、前記LTCC構造の上面にあることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法により製造されたことを特徴とする歪みのない、亀裂のないおよび反りのないLTCC構造。
- 外側スクライブラインのあるLTCC構造を形成する方法であって、
(o)2つ以上のLTCCテープ層を提供する工程であって、それらテープ層が上側と下側とを有するサブアセンブリを形成し、ラインがスクライブされる場所を示すガイドが表面に存在する工程と、
(p)工程(a)のガイドを用いて、ラミネートされたサブアセンブリにライン凹部をスクライブする工程と、
(q)上部剥離テープ層および下部剥離テープ層を提供する工程と、
(r)前記上部剥離テープ層を前記サブアセンブリの前記上側に適用し、前記下部剥離テープ層を前記サブアセンブリの下側に適用して、フルアセンブリを形成する工程と、
(s)下部プラテンを提供し、そして前記フルアセンブリを前記下部プラテンに適用する工程であって、前記下部剥離テープ層が前記下部プラテンと接触するようにする工程と、
(t)前記下部プラテンに適用された前記フルアセンブリをラミネートする工程と、
(u)前記ラミネートされたアセンブリを焼成する工程と、
(q)前記上部剥離テープ層および前記下部剥離テープ層を除去する工程と
ことを含むことを特徴とする方法。 - 前記ガイドが、基準特徴部であることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記ガイドが、ビアホールであることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 工程(a)の前記サブアセンブリの少なくとも1つの外表面が、機能的特徴部を有することを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記スクライブされたライン凹部が、前記サブアセンブリの前記上側の表面にあることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 工程(d)の後に、前記フルアセンブリを2つ以上の袋に封入する工程と、工程(e)の後に、前記袋を除去する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記LTCC構造が、x、y収縮の1パーセント未満の相互抑制を示すことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記LTCC構造が、ラージパネルであることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記ラージパネルが、6インチ×6インチ以上であることを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記ラージパネルが、小さなサイズの回路のアレイを含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記小さなサイズの回路のアレイが、スクライブされたライン凹部により分離されていることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記フルアセンブリを袋に封入する前に、前記フルアセンブリの前記上側に、圧縮性シートを配置する工程をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US81415506P | 2006-06-16 | 2006-06-16 | |
PCT/US2007/013963 WO2007149298A2 (en) | 2006-06-16 | 2007-06-13 | Improved process for pressureless constrained sintering of low temperature co-fired ceramic with surface circuit patterns |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009540608A true JP2009540608A (ja) | 2009-11-19 |
JP2009540608A5 JP2009540608A5 (ja) | 2010-07-01 |
Family
ID=38770006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009515489A Withdrawn JP2009540608A (ja) | 2006-06-16 | 2007-06-13 | 表面回路パターンを備えた低温同時焼成セラミックの無加圧拘束焼結のための改善プロセス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110027539A1 (ja) |
EP (1) | EP2036411A2 (ja) |
JP (1) | JP2009540608A (ja) |
KR (1) | KR20090023487A (ja) |
CN (1) | CN101480115A (ja) |
TW (1) | TW200815311A (ja) |
WO (1) | WO2007149298A2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2847143B1 (en) * | 2012-05-11 | 2020-08-12 | Keranor AS | Method for the fabrication of green ceramic tapes |
CN110706913A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-17 | 娄建勇 | 一种厚膜磁元件的制备方法及基于该磁元件的变压器和电感器 |
CN115557795A (zh) * | 2022-09-07 | 2023-01-03 | 广东环波新材料有限责任公司 | 一种低温共烧陶瓷基板烧平方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4536535A (en) * | 1983-06-07 | 1985-08-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Castable ceramic compositions |
US4654095A (en) * | 1985-03-25 | 1987-03-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
JPH02141479A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Toshiba Corp | セラミックス多層基板の製造方法 |
JPH0670940B2 (ja) * | 1988-12-15 | 1994-09-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック積層成形体の製造方法 |
US5085720A (en) * | 1990-01-18 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for reducing shrinkage during firing of green ceramic bodies |
US5254191A (en) | 1990-10-04 | 1993-10-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for reducing shrinkage during firing of ceramic bodies |
US5628850A (en) * | 1995-07-20 | 1997-05-13 | Motorola, Inc. | Method for producing input/output connections in a ceramic device |
US5882455A (en) * | 1997-09-25 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for forming isotropic multilayer ceramic substrates |
US6205032B1 (en) * | 1999-03-16 | 2001-03-20 | Cts Corporation | Low temperature co-fired ceramic with improved registration |
US6139666A (en) * | 1999-05-26 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Method for producing ceramic surfaces with easily removable contact sheets |
JP4138211B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2008-08-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法、集合電子部品、電子部品の実装構造、ならびに電子装置 |
TW562737B (en) * | 2000-11-27 | 2003-11-21 | Murata Manufacturing Co | Method of manufacturing ceramic multi-layer substrate, and unbaked composite laminated body |
US6776861B2 (en) * | 2002-06-04 | 2004-08-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Tape composition and process for internally constrained sintering of low temperature co-fired ceramic |
KR20060112591A (ko) * | 2003-10-17 | 2006-11-01 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 및 이것을 이용한 전자기기 |
JP2006123510A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Yamauchi Corp | プレス成形用クッション材およびその製造方法 |
US7068492B2 (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure |
-
2007
- 2007-06-13 JP JP2009515489A patent/JP2009540608A/ja not_active Withdrawn
- 2007-06-13 WO PCT/US2007/013963 patent/WO2007149298A2/en active Application Filing
- 2007-06-13 EP EP07796111A patent/EP2036411A2/en not_active Withdrawn
- 2007-06-13 KR KR1020097000820A patent/KR20090023487A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-06-13 US US12/304,218 patent/US20110027539A1/en not_active Abandoned
- 2007-06-13 CN CNA2007800221445A patent/CN101480115A/zh active Pending
- 2007-06-14 TW TW096121537A patent/TW200815311A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007149298A2 (en) | 2007-12-27 |
WO2007149298A3 (en) | 2008-04-10 |
KR20090023487A (ko) | 2009-03-04 |
US20110027539A1 (en) | 2011-02-03 |
CN101480115A (zh) | 2009-07-08 |
TW200815311A (en) | 2008-04-01 |
EP2036411A2 (en) | 2009-03-18 |
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|
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|
A761 | Written withdrawal of application |
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