JP2009539064A5 - - Google Patents

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Claims (12)

  1. 少なくとも第1の環境が制御された室と第2の環境が制御された室とを提供するステップであって、前記第1と第2の環境が制御された室はDUV波長より低い波長を有する光ビームを通過させるように構成される、ステップと、
    前記第1と第2の環境が制御された室の内の少なくとも1つの中の光学吸収性の物質の濃度を真空排気技術を利用して下げるステップであって、前記第1と第2の環境が制御された室の内の前記少なくとも1つは雰囲気が制御された室である、ステップと、
    前記雰囲気が制御された室を非吸収性のガスで再充填し、前記雰囲気が制御された室内の圧力を真空排気の圧力水準よりも上に増加させることによって光学性能を向上させるステップと、
    前記雰囲気が制御された室が前記再充填された状態にある間にDUV波長より低い波長を有する前記光ビームを伝達させるステップとを有する、
    光学計測装置内の雰囲気を制御する方法。
  2. 少なくとも環境が制御された試料室と環境が制御された光学室とを提供するステップであって、前記試料室および前記光学室のそれぞれがDUV波長より低い波長を有する光ビームを通過させるように構成される、ステップと、
    前記試料室と前記光学室の内の少なくとも1つの中の水分または酸素の濃度を周囲の状態から真空排気技術を利用して減少させるステップであって、前記減少させるステップが起こる前記試料室と前記光学室の内の前記少なくとも1つは雰囲気が制御された室である、ステップと、
    前記雰囲気が制御された室をVUV非吸収性のガスで再充填し、前記雰囲気が制御された室内の圧力を真空排気の圧力水準よりも上に増加させることによって汚染物の拡散を減少させるステップと、
    前記雰囲気が制御された室が前記再充填された状態にある間にDUV波長より低い波長を有する前記光ビームを伝達させるステップとを有する、
    光学計測装置内の雰囲気を制御する方法。
  3. 少なくとも環境が制御された試料室と環境が制御された光学室とを提供するステップであって、
    前記試料室および前記光学室のそれぞれがDUV波長より低い波長を有する光ビームを通過させるように構成される、ステップと、
    試料ビーム光学経路と参照ビーム光学経路とを提供するステップであって、前記試料ビーム光学経路と前記参照ビーム光学経路の光学経路長が一致する、ステップと、
    前記試料室と前記光学室の内の少なくとも1つの中の水分または酸素の濃度を周囲の状態から真空排気技術を利用して減少させるステップであって、前記減少させるステップが起こる前記試料室と前記光学室の内の前記少なくとも1つは雰囲気が制御された室である、ステップと、
    前記雰囲気が制御された室をVUV非吸収性のガスで再充填し、前記雰囲気が制御された室内の圧力を真空排気の圧力水準よりも上に増加させることによって前記光学性能を向上させるステップと、
    前記雰囲気が制御された室が前記再充填された状態にある間にDUV波長より低い波長を有する前記光ビームを伝達させるステップとを有する、
    光学計測装置内の雰囲気を制御する方法。
  4. 光学計測装置内の環境汚染状態を決定する方法であって、
    第1の時間に参照試料から第1の強度測定値を取得するステップと、
    第2の時間に前記参照試料から第2の強度測定値を取得するステップと、
    前記第1と第2の強度測定値を分析するステップと、
    前記第1の強度と前記第2の強度との間の変動に基づき、前記光学計測装置の前記環境汚染状態がさらなる使用に適するかどうか、前記第1と第2の強度測定値を前記分析するステップから決定するステップとを有する方法。
  5. DUV波長より低い波長を少なくとも有する波長で運転する光学計測装置中の環境汚染状態を決定する方法であって、
    第1の時間に参照試料から第1の強度スペクトル測定値を取得するステップであって、前記第1の強度スペクトル測定値はDUV波長より低い少なくとも複数の波長を有する、ステップと、
    第2の時間に前記参照試料から第2の強度測定値を取得するステップであって、前記第1の強度スペクトル測定値はDUV波長より低い少なくとも複数の波長を有する、ステップと、
    前記第1と第2の強度測定値を分析するステップと、
    前記第1の強度と前記第2の強度との間の変動に基づき、前記光学計測装置の前記環境汚染状態がさらなる使用に適するかどうか、前記第1と第2の強度測定値を前記分析するステップから決定するステップとを有する、方法。
  6. 光学計測装置内の光学要素上の表面汚染物水準をモニタする方法であって、
    複数の強度測定を実施するステップと、
    前記複数の測定の内の少なくとも2つの強度測定値を分析するステップと、
    前記複数の測定の内の前記少なくとも2つの強度測定値の比較から前記表面汚染物水準の安定性を決定するステップとを有する方法。
  7. 深紫外(DUV)波長より低い少なくともいくつかの波長を利用する光学計測装置内の光学要素上の表面汚染物水準をモニタする方法であって、
    参照光学経路と試料光学経路とを供給するステップであって、前記参照光学経路と前記試料光学経路は光学的に平衡する、ステップと、
    DUV波長より低い少なくともいくつかの波長を利用して複数の強度測定を実施するステップと、
    前記複数の測定の内の少なくとも2つの強度測定値を分析するステップと、
    前記複数の測定の内の前記少なくとも2つの強度測定値の分析に少なくとも部分的に基づいて前記表面汚染物水準の安定性を決定するステップとを有し、
    前記強度測定は前記参照光学経路または前記試料光学経路の内の少なくとも1つを利用して実施される、方法。
  8. 光学計測装置内の光学要素上の表面汚染物を清浄化する方法であって、
    複数の強度測定を実施するステップであって、前記強度測定は前記表面汚染物を除去するに適する条件下で前記光学要素を放射に暴露する、ステップと、
    前記複数の測定値の内の少なくとも2つの測定強度を分析するステップと、
    前記測定された強度の前記分析するステップに基づき前記光学要素の表面清浄化が望ましいかどうか決定するステップとを有し、
    表面清浄化が望ましいと決定された場合、前記光学要素を追加放射に暴露することによって表面清浄化が実施される、方法。
  9. 光学計測装置の使用を通して光学データを取得することが望まれる試料を清浄化する方法であって、
    光ビームを前記試料の離散した位置に配光し前記試料の前記離散した位置から汚染物を清浄化するステップと、
    前記離散した位置で前記試料の特質を測定するステップとを有し、
    前記清浄化と測定を達成するための前記光学計測装置の光学モジュールの少なくとも共通部分を利用することによって、同じ前記離散した位置の測定と清浄化とが達成され、前記清浄化ステップと測定ステップとの間の位置合わせ誤差を最小化する、方法。
  10. 光学計測装置の使用を通して光学データを取得することが望まれる試料を清浄化する方法であって、
    DUV波長より低い波長を少なくとも一部含む波長を有する光ビームを前記試料の離散した位置に配光し前記試料の前記離散した位置から汚染物を清浄化するステップと、
    前記離散した位置で前記試料の特質を測定するステップであって、前記特質がDUV波長より低い波長に関する情報を少なくとも一部利用することによって取得される、ステップとを有し、
    前記清浄化と測定を達成するための前記光学計測装置の光学モジュールの少なくとも共通部分を利用することによって、同じ前記離散した位置の測定と清浄化とが達成され、前記清浄化ステップと測定ステップとの間の位置合わせ誤差を最小化する、方法。
  11. 光学計測装置の使用を通して試料から光学データを取得する方法であって、
    前記試料の第1の位置から第1の光学データを収集するステップと、
    前記第1の光学データを収集するステップの後に光放射への暴露を通して前記試料の前記第1の位置を清浄化するステップと、
    前記試料の前記第1の位置を清浄化するステップの後に前記試料の第1の位置から第2の光学データを収集するステップと、
    前記第1の光学データと前記第2の光学データとを少なくとも部分的に利用することによって前記試料上の汚染物層の少なくとも1つの特質を決定するステップとを有する、方法。
  12. 光学計測装置の使用を通して試料から光学データを取得する方法であって、
    前記試料から第1の光学データを収集するステップと、
    前記第1の光学データを取得するステップの後に前記試料の少なくとも一部を光放射に暴露することを通して前記試料の特質を変更するステップと、
    前記試料の前記特質を変更するステップの後に前記試料から第2の光学データを収集するステップと、
    前記第1の光学データと前記第2の光学データを少なくとも部分的に利用することによって前記試料の少なくとも1つの特性を決定するステップとを有する、方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8564780B2 (en) 2003-01-16 2013-10-22 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Method and system for using reflectometry below deep ultra-violet (DUV) wavelengths for measuring properties of diffracting or scattering structures on substrate work pieces
US7126131B2 (en) 2003-01-16 2006-10-24 Metrosol, Inc. Broad band referencing reflectometer
US7804059B2 (en) 2004-08-11 2010-09-28 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Method and apparatus for accurate calibration of VUV reflectometer
US7511265B2 (en) * 2004-08-11 2009-03-31 Metrosol, Inc. Method and apparatus for accurate calibration of a reflectometer by using a relative reflectance measurement
US7663097B2 (en) * 2004-08-11 2010-02-16 Metrosol, Inc. Method and apparatus for accurate calibration of a reflectometer by using a relative reflectance measurement
US20080129986A1 (en) 2006-11-30 2008-06-05 Phillip Walsh Method and apparatus for optically measuring periodic structures using orthogonal azimuthal sample orientations
US8867041B2 (en) 2011-01-18 2014-10-21 Jordan Valley Semiconductor Ltd Optical vacuum ultra-violet wavelength nanoimprint metrology
US8565379B2 (en) 2011-03-14 2013-10-22 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Combining X-ray and VUV analysis of thin film layers
AT523187A1 (de) 2019-11-28 2021-06-15 Anton Paar Gmbh Bestimmung einer Beeinträchtigung einer optischen Oberfläche für IR-Spektroskopie

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3360097B2 (ja) * 1994-07-06 2002-12-24 株式会社ニコン 真空紫外域の光学装置
JPH10160572A (ja) * 1996-12-02 1998-06-19 Nikon Corp 紫外領域用分光光度計
JP2003214980A (ja) * 2002-01-29 2003-07-30 Nikon Corp 真空紫外光散乱率測定装置
US7126131B2 (en) * 2003-01-16 2006-10-24 Metrosol, Inc. Broad band referencing reflectometer

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