JP2009538525A - 有機メモリデバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図4
Description
本明細書において優先権が主張され、本明細書において全体として開示されたものとして内容が参照により本明細書に組み込まれる、「Synthesis, Design and Method of Forming Nanoparticles based on organic Floating State Memory Devices」と題された発明について2006年5月22日に出願された、我々の先の出願である米国仮特許出願第60/802,167号を参照とする。
− 例えばポリビニルアルコールなどの材料の制御層22を、ゲート電極18上にスピン塗布する。ゲート電極18は、例えば金などの任意の適切な材料のものである。
− 次いで、ナノ構造体及び/又はナノ粒子から構成されるメモリ層24を、制御層22上にスピン塗布する。
− 次いで、例えばポリビニルアルコールなどの材料のトンネル層20を、メモリ層24上にスピン塗布する。
− 熱蒸着、スピン塗布及び印刷の中の1つ又は複数により、例えばペンタセン又はポリチオフェンなどの有機半導体の活性層28を、トンネル層20に塗布する。
− 次いで、パターニングの使用により、ソース14及びドレイン16を生成する。
電荷保持、
電荷保持及び制御誘電、又は
電荷保持並びに、制御誘電及びトンネル誘電の両方
の中の1つのための活性層を形成する。
− 初めに、ポリスチレン−ポリ(4−ビニルピリジン)(PS−P4VP)ジブロックコポリマーをトルエン中で溶融した。任意のイオン不純物を除去するために、溶媒抽出プロセスを挿入する。これは、水の中でPS−P4VP溶液を洗浄することにより行う。次いで、水相を除去し、次に、PS−P4VPを含むトルエン相をヘキサンから沈殿させることが可能である。PS−P4VPを、トルエン中で再度溶融する(濃度は1〜10mg/mLの範囲内であり、好ましくは5mg/mLである)。
− ミセル溶液に理論当量のテトラクロロ金酸を、1:20から1:1の範囲内である、好ましくは1:5であるHAuCl4:4−VP比で添加した。4−VP単位のプロトン化により、ポリ−イオンブロックの形成が得られた。
− 次いで、この溶液をヒドラジン一水和物で処理した。ヒドラジンの極性により、ミセルのコアにおいて、ヒドラジンが選択的に引き出され、これがAu3+をAu0に還元する。過剰のヒドラジンがあった場合には、これを、水溶塩化水素酸の添加により還元直後に除去した。
− 過剰ヒドラジンの中和及びN2H5Clの沈殿が、コロイド分散の長期的な安定性を助ける。沈殿したヒドラジニウムのコロイドを、遠心分離によって除去した。
− 基板上への自己組織化単分子層32の堆積。
− 自己組織化単分子層32上への、自己組織化単分子層32に対する親和力を有するナノ構造体30の堆積。
− ナノ構造体30上への、自己組織化単分子層の別の層34の堆積。
− ペンタセン又はポリチオフェンなどの有機半導体層28を、自己組織化単分子層の別の層34上への熱蒸着、スピン塗布及び印刷の中の少なくとも1つによって、自己組織化単分子層の別の層34に塗布する。
− 次いで、半導体層28の上に、有機メモリ用のソース14及びドレイン16を堆積する。
Claims (48)
- 活性層と、有機誘電体材料のフィルムを備える少なくとも1つの電荷保持層と、前記誘電体材料のフィルムの上の又はその中の電荷保持材料のナノ構造体及び/又はナノ粒子と、を備え、前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子のそれぞれは、前記有機誘電体フィルムの前記有機誘電体材料によって他のナノ構造体及び/又はナノ粒子から離隔される、有機メモリデバイス。
- 前記少なくとも1つの電荷保持層の第1の面の上のトンネル層と、前記電荷保持層の第2の面の上の制御層とをさらに備え、前記第1の面は前記第2の面の反対側である、請求項1に記載の有機メモリデバイス。
- 前記制御層は、前記少なくとも1つの電荷保持層と一体である、請求項2に記載の有機メモリデバイス。
- 前記トンネル層は、前記少なくとも1つの電荷保持層と一体である、請求項2又は3に記載の有機メモリデバイス。
- 前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子はそれぞれ、電気的に絶縁される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- 前記少なくとも1つの電荷保持層は、前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子を中に有する単一層を備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- 前記少なくとも1つの電荷保持層は、前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子を間に有する少なくとも2つの層を備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- 有機誘電体材料の前記フィルムは、ジブロック、トリブロック及びマルチブロックからなる群より選択される自己組織化コポリマーを含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- 前記自己組織化コポリマーは、ビニレンベース、メタクリレートベース、及びポリエチレンオキシドベースのモノマーからなる群より選択される材料のものである、請求項8に記載の有機メモリデバイス。
- 有機誘電体材料の前記フィルムは、自己組織化単分子層を備える、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- 前記自己組織化単分子層は、シラン誘導体を含む、請求項10に記載の有機メモリデバイス。
- 前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子は、前記自己組織化コポリマー又は前記自己組織化単分子層に対する親和力を有し、前記親和力は、物理的なもの及び化学的なものからなる群より選択される少なくとも一方である、請求項10又は11に記載の有機メモリデバイス。
- 前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子は、金属、金属酸化物、半導体、セラミック、半導体ナノ粒子、ナノクラスタ、ナノロッド、ナノファイバ、量子ドット、フラーレン及びフラーレン誘導体からなる群より選択される少なくとも1つである、請求項1〜12のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- 前記量子ドットは、金、銀、銅、二酸化チタン、二酸化亜鉛、セレン化カドミウム及び硫化カドミウムからなる群より選択される、請求項13に記載の有機メモリデバイス。
- 有機誘電体材料の前記フィルムの上の又はその中の前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子の濃度を調節することによって、電荷保持能力を調節することが可能である、請求項1〜14のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- 前記有機メモリデバイスは、薄膜トランジスタを具備し、前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極をさらに備える、請求項1〜15のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- 前記活性層は、半導体を含み、前記薄膜トランジスタは、ガラス、プラスチック、石英、金属箔、非ドープシリコン及び高濃度ドープシリコンからなる群より選択される支持基板をさらに備える、請求項16に記載の有機メモリデバイス。
- 前記トンネル層及び前記制御層は、フローティングゲート誘電体を含み、前記フローティングゲート誘電体は、誘電体及びコポリマーベース誘電体の一方を含む、請求項2〜4のいずれか一項、又は請求項2〜4のいずれか一項に従属する場合の請求項5〜17のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- 前記半導体は、有機、無機、ハイブリッド及びそれらの混合物から構成される群より選択される少なくとも1つである、請求項17、又は請求項17に従属する場合の請求項18に記載の有機メモリデバイス。
- 前記フローティングゲート誘電体は、少なくとも1つのシラン誘導体を含む自己組織化単分子層である、請求項18に記載の有機メモリデバイス。
- 前記有機誘電体材料のフィルムは、自己組織化コポリマーを含み、前記ブロックコポリマーフィルムは、前記ナノ構造体の合成をフィルム中で実施する前に任意のイオン不純物を除去するために、簡単な溶媒抽出法を使用して先に処理される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機メモリデバイス。
- ゲート電極の上に制御層を形成するステップと、ナノ構造体及び/又はナノ粒子を含む電荷保持層を前記制御層の上に形成するステップと、前記電荷保持層の上にトンネル層を形成するステップと、前記トンネル層の上に活性層を形成するステップとを含む、有機メモリデバイスの製造方法。
- 前記制御層は、前記電荷保持層と一体に形成される請求項22に記載の方法。
- 前記トンネル層は、前記電荷保持層と一体に形成される、請求項22又は23に記載の方法。
- 前記電荷保持層は、自己組織化コポリマーフィルムと、前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子とを含む、請求項22〜24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子は、スピン塗布、スクリーン印刷及びインクジェット印刷からなる群より選択される少なくとも1つによって前記フィルム上に形成される、請求項25に記載の方法。
- ナノ構造体及び/又はナノ粒子を含む前記電荷保持層は、自己組織化コポリマーフィルムと、前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子の前駆物質とのための単一の溶液中で用意される、請求項22〜24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記単一の溶液中で還元を実施するステップと、種々の堆積プロセスについて前記溶液の粘度を調節するステップとをさらに含む、請求項27に記載の方法。
- 前記単一の溶液は、前記電荷保持層を形成するために、薄い酸化層の上にキャスティングされる、請求項27又は28のいずれか一項に記載の方法。
- 前記制御層及び前記トンネル層は共に、自己組織化単分子層を含み、前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子は、前記自己組織化単分子層の2つの層の間に形成される、請求項22〜24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子は、前記自己組織化単分子層に対する親和力を有し、前記親和力は、物理的なもの及び化学的なものの中の少なくとも一方である、請求項30に記載の方法。
- 前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子は、前記自己組織化単分子層の2つの層の第1のものの上に堆積され、次いで前記自己組織化単分子層の2つの層の他方のものは、前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子の上に堆積される、請求項30又は31に記載の方法。
- 前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子はそれぞれ、電気的に絶縁される、請求項22〜32のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電荷保持層は、前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子を中に有する単一層を備える、請求項22〜33のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電荷保持層は、前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子が間に形成される2つの層を備える、請求項22〜34のいずれか一項に記載の方法。
- 前記自己組織化コポリマーは、ジブロック、トリブロック及びマルチブロックからなる群より選択される、請求項25〜28のいずれか一項に記載の方法。
- 前記自己組織化コポリマーは、ビニレンベース、メタクリレートベース、及びポリエチレンオキシドベースのモノマーからなる群より選択される材料のものである、請求項25〜28のいずれか一項又は請求項36に記載の方法。
- 前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子は、前記自己組織化コポリマーに対する親和力を有し、前記親和力は、物理的なもの及び化学的なものからなる群より選択される少なくとも一方である、請求項25〜28のいずれか一項、請求項36又は請求項37に記載の有機メモリデバイス。
- 前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子は、金属、金属酸化物、半導体、セラミック、半導体ナノ粒子、ナノクラスタ、ナノロッド、ナノファイバ、量子ドット、フラーレン及びフラーレン誘導体からなる群より選択される少なくとも1つである、請求項22〜38のいずれか一項に記載の方法。
- 前記量子ドットは、金、銀、銅、二酸化チタン、二酸化亜鉛、セレン化カドミウム及び硫化カドミウムからなる群より選択される、請求項39に記載の方法。
- 前記単一の溶液中の前記ナノ構造体及び/又はナノ粒子の濃度を調節することによって、電荷保持能力を調節することが可能である、請求項25〜28のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機メモリデバイスは、薄膜トランジスタを具備し、前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極をさらに備える、請求項22〜41のいずれか一項に記載の方法。
- 前記活性層は、半導体を含み、前記薄膜トランジスタは、ガラス、プラスチック、石英、金属箔、非ドープシリコン及び高濃度ドープシリコンからなる群より選択される支持基板をさらに備える、請求項42に記載の方法。
- 前記トンネル層及び前記制御層は、フローティングゲート誘電体を含み、前記フローティングゲート誘電体は、誘電体及びコポリマーベース誘電体の一方を含む、請求項23〜25のいずれか一項に記載の方法。
- 前記半導体は、有機、無機、ハイブリッド及びそれらの混合物から構成される群より選択される少なくとも1つである、請求項43に記載の方法。
- 前記フローティングゲート誘電体は、自己組織化単分子層である、請求項45に記載の方法。
- 前記自己組織化単分子層は、少なくとも1つのシラン誘導体を含む、請求項46に記載の方法。
- 前記有機誘電体材料のフィルムは、自己組織化コポリマーを含み、前記ブロックコポリマーフィルムは、前記ナノ構造体の合成をフィルム中で実施する前に任意のイオン不純物を除去するために、簡単な溶媒抽出法を使用して先に処理される、請求項22〜28のいずれか一項に記載の方法。
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---|---|
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---|---|---|---|
JP2009511984A Expired - Fee Related JP5333777B2 (ja) | 2006-05-22 | 2007-05-22 | 有機メモリデバイス及びその製造方法 |
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017076740A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | スターポリマーを含む電荷蓄積材料 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080296662A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Gerhard Poeppel | Discrete Trap Memory (DTM) Mediated by Fullerenes |
US20090056794A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Texas A&M University System, The | Operating devices including embedded nanoparticles |
US7723186B2 (en) * | 2007-12-18 | 2010-05-25 | Sandisk Corporation | Method of forming memory with floating gates including self-aligned metal nanodots using a coupling layer |
US7968935B2 (en) * | 2008-08-25 | 2011-06-28 | Seoul National University Research & Development Business Foundation | Reconfigurable semiconductor device |
GB2464741B (en) * | 2008-10-27 | 2013-07-31 | Pragmatic Printing Ltd | FETs, semiconductor devices and their methods of manufacture |
IT1392754B1 (it) * | 2008-12-18 | 2012-03-16 | St Microelectronics Srl | Nanoarray ad incrocio con strato organico attivo anisotropico |
KR101291320B1 (ko) * | 2009-03-23 | 2013-07-30 | 한국전자통신연구원 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법 |
DE102009035419B4 (de) * | 2009-07-31 | 2018-03-08 | Globalfoundries Dresden Module One Llc & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Bauelements mit molekularen Speicherelementen in einer Kontaktdurchführungsebene |
TWI384616B (zh) * | 2009-09-11 | 2013-02-01 | Univ Nat Cheng Kung | 具備有機多介電層之記憶體元件 |
FR2951028B1 (fr) * | 2009-10-05 | 2012-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Memoire organique a double grille et procede de realisation |
US8941171B2 (en) | 2010-07-02 | 2015-01-27 | Micron Technology, Inc. | Flatband voltage adjustment in a semiconductor device |
US20120138905A1 (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | Kookmin University Industry Academy Cooperation Foundation | Flexible organic memory device and method of fabricating the same |
KR101420720B1 (ko) | 2011-08-26 | 2014-07-28 | 한남대학교 산학협력단 | 전도성 고분자를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US9117722B1 (en) | 2011-09-23 | 2015-08-25 | Rockwell Collins, Inc. | Image sensor integrated circuit |
US8772729B1 (en) | 2011-09-23 | 2014-07-08 | Rockwell Collins, Inc. | APDs using nano-plasmonic metamaterials |
US8492727B1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-07-23 | Rockwell Collins, Inc. | Nano-structure arrays for EMR imaging |
US8829452B1 (en) | 2011-09-23 | 2014-09-09 | Rockwell Collins, Inc. | VIS-NIR plasmonic APD detectors |
US8969850B2 (en) | 2011-09-23 | 2015-03-03 | Rockwell Collins, Inc. | Nano-structure arrays for EMR imaging |
TWI456790B (zh) * | 2012-09-28 | 2014-10-11 | Phostek Inc | 發光二極體裝置 |
US9887042B1 (en) * | 2013-03-26 | 2018-02-06 | Ehrenberg Industries Corporation | Dielectric material, capacitor and method |
US9470521B1 (en) | 2013-05-23 | 2016-10-18 | Rockwell Collins, Inc. | Passive range-discrimination in thermal and other imaging systems |
US10701287B1 (en) | 2013-05-23 | 2020-06-30 | Rockwell Collins, Inc. | Passive clear air turbulence detection system and method |
US9318717B1 (en) | 2015-01-05 | 2016-04-19 | International Business Machines Corporation | Semi-conductor device with programmable response |
CN106033794A (zh) * | 2015-03-12 | 2016-10-19 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种基于碳点/有机聚合物复合材料的记忆存储器件 |
CN104882541B (zh) * | 2015-05-28 | 2017-10-20 | 福州大学 | 一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法 |
CN104993051B (zh) * | 2015-05-28 | 2017-07-04 | 福州大学 | 一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法 |
CN105170997A (zh) * | 2015-10-13 | 2015-12-23 | 东南大学 | 双还原剂纳米金量子点的室温快速合成方法 |
CN106098942B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-09-20 | 南京邮电大学 | 一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法 |
CN106684244B (zh) * | 2016-11-03 | 2019-07-09 | 南京邮电大学 | 一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器 |
US10472563B2 (en) | 2017-02-16 | 2019-11-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Methods for making improved quantum dot resin formulations |
CN109713141B (zh) * | 2017-10-25 | 2021-07-16 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种qled器件及其制备方法 |
KR102120482B1 (ko) * | 2018-10-05 | 2020-06-08 | 씨제이제일제당 (주) | 생분해성 고분자 나노입자를 포함하는 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000072952A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-07 | Japan Science & Technology Corp | 列状に配置された金属超微粒子を含有する金属・有機ポリマー複合構造体とその製造方法 |
JP2003163331A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Ricoh Co Ltd | 不揮発性有機半導体記憶素子及びそれを有する非接触情報管理表示装置 |
JP2003168606A (ja) * | 2001-01-24 | 2003-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微粒子配列体とその製造方法及びこれを用いたデバイス |
JP2004040094A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Xerox Corp | 有機強誘電メモリーセル |
WO2005036599A2 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Non-volatile memory device |
JP2005513786A (ja) * | 2001-12-14 | 2005-05-12 | ザ ノースカロライナ ステイト ユニバーシティ | 分子電荷蓄積型電界効果トランジスターのための方法及びシステム |
WO2005089165A2 (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-29 | Nanosys, Inc. | Nano-enabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays |
WO2005098939A2 (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co, Ltd | Combination insulator and organic semiconductor formed from self-assembling block co-polymers |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5740104A (en) * | 1997-01-29 | 1998-04-14 | Micron Technology, Inc. | Multi-state flash memory cell and method for programming single electron differences |
US6887332B1 (en) * | 2000-04-21 | 2005-05-03 | International Business Machines Corporation | Patterning solution deposited thin films with self-assembled monolayers |
GB2364823A (en) * | 2000-07-12 | 2002-02-06 | Seiko Epson Corp | TFT memory device having gate insulator with charge-trapping granules |
US6828685B2 (en) | 2002-06-14 | 2004-12-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory device having a semiconducting polymer film |
TWI406890B (zh) * | 2004-06-08 | 2013-09-01 | Sandisk Corp | 奈米結構之沉積後包封:併入該包封體之組成物、裝置及系統 |
DE112005002274B4 (de) | 2004-09-21 | 2015-03-05 | Fuji Electric Co., Ltd | Transistoren mit Tunneleffekt-Pulverelektrode und Elektroden-Gate |
US7355238B2 (en) * | 2004-12-06 | 2008-04-08 | Asahi Glass Company, Limited | Nonvolatile semiconductor memory device having nanoparticles for charge retention |
KR20060070716A (ko) | 2004-12-21 | 2006-06-26 | 한국전자통신연구원 | 유기 메모리 소자 및 제조 방법 |
-
2007
- 2007-05-22 JP JP2009511984A patent/JP5333777B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2007-05-22 US US12/302,200 patent/US8089115B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000072952A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-07 | Japan Science & Technology Corp | 列状に配置された金属超微粒子を含有する金属・有機ポリマー複合構造体とその製造方法 |
JP2003168606A (ja) * | 2001-01-24 | 2003-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微粒子配列体とその製造方法及びこれを用いたデバイス |
JP2003163331A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Ricoh Co Ltd | 不揮発性有機半導体記憶素子及びそれを有する非接触情報管理表示装置 |
JP2005513786A (ja) * | 2001-12-14 | 2005-05-12 | ザ ノースカロライナ ステイト ユニバーシティ | 分子電荷蓄積型電界効果トランジスターのための方法及びシステム |
JP2004040094A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Xerox Corp | 有機強誘電メモリーセル |
WO2005036599A2 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Non-volatile memory device |
JP2007507908A (ja) * | 2003-10-06 | 2007-03-29 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | 不揮発性メモリデバイス |
WO2005089165A2 (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-29 | Nanosys, Inc. | Nano-enabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays |
WO2005098939A2 (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co, Ltd | Combination insulator and organic semiconductor formed from self-assembling block co-polymers |
JP2007531285A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | 松下電器産業株式会社 | ブロック・コポリマーの自己集合から形成される絶縁体と有機半導体との結合構成 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017076740A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | スターポリマーを含む電荷蓄積材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8089115B2 (en) | 2012-01-03 |
WO2007136350A1 (en) | 2007-11-29 |
US20090146202A1 (en) | 2009-06-11 |
JP5333777B2 (ja) | 2013-11-06 |
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