CN104882541B - 一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法 - Google Patents

一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，作为相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对量子点导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。

Description

一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制 备方法
技术领域
本发明涉及半导体纳米材料与器件领域，特别是一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法。
背景技术
随着科技的发展和社会的进步，人们对于信息存储、传递及其处理的依赖程度日益增加。而半导体器件和工艺技术作为信息的存储、传递及其处理的主要载体和物质基础，现已成为众多科学家争相研究的热点。薄膜晶体管，作为一种非常重要的半导体器件，在信息存储、传递和处理等领域起着至关重要的作用。然而，截至目前为止，现有大规模使用薄膜晶体管，是一种基于微电子硅工艺的半导体器件。这种传统的基于硅微电子工艺薄膜场效应晶体管存在对设备要求高，制备工艺复杂，成本较高和器件整体性能有限，灵敏度、开关频率和速度有限等问题。并且，随着人们对于高性能薄膜晶体管要求的逐步提升，基于微电子硅工艺的薄膜场效应晶体管已难以满足当今信息社会对高灵敏度、高开关频率和开关速度的薄膜场效应晶体管的需求。
近年来，纳晶材料或量子点材料因其具有独特的电学、光学量子尺寸效应，为控制材料性能提供了除控制其化学组成之外的另一有效手段。尤其是当浓度较低的金属量子点胶体通过旋涂工艺在硅/二氧化硅衬底或ITO玻璃基片衬底上形成分布均匀、相对孤立的岛状结构，由于这种金属量子点材料非常高迁移率和电传导能力，这种岛状分布结构将有效降低了电子在导电沟道中阻碍作用，大大提升了这种复合结构导电沟道中电子迁移率，这将为制备金属量子点/有机半导体复合导电沟道场效应管提供了可能。此外，由于非连续岛状金属量子点在复合导电沟道中分布，将间接缩短了晶体管的有效沟道长度，从而很大程度上可以有效提升这种金属量子点/有机半导体材料复合导电沟道薄膜晶体管的输入特性和转移特性，因此，这为通过金属量子点/有机半导体材料复合导电沟道的新型薄膜晶体管制备提供了一种可能和新思路。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提出一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控。
本发明采用以下方案实现：一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤S1：选取一硅/二氧化硅衬底，所述的硅/二氧化硅衬底包括衬底硅以及设置于衬硅表面的二氧化硅膜；
步骤S2：利用旋涂成膜工艺在所述硅/二氧化硅衬底表面制备金属量子点层；
步骤S3：制备有机半导体层，得到金属量子点/有机半导体复合膜层，并将所述的金属量子点/有机半导体复合膜层作为导电沟道；
步骤S4：在步骤S3得到的覆盖有金属量子点/有机半导体复合膜层的硅/二氧化硅衬底上制备金属电极，得到金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的源极、漏极和栅极；
步骤S5：采用有机物封装，得到金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。
进一步的，所述步骤S2具体包括以下步骤：
步骤S21：制备金属量子点溶液：将包括硝酸银以及HAuCl4的含金属离子化合物、亚油酸钠、无水乙醇、亚油酸和去离子水混合搅拌后依次通过水热反应、反复采用去离子水以及无水乙醇高速离心清洗处理，最后分散到环己烷溶液中，得到相应的金属量子点溶液；
步骤S22：制备金属量子点层：将所述硅/二氧化硅衬底采用包含硫酸以及双氧水的溶液高温清洗，并采用旋涂工艺将步骤S21制备的金属量子点溶液旋涂成膜，在硅/二氧化硅衬底的二氧化硅膜表面形成一层金属量子点膜层，得到覆盖金属量子点层的样片。
进一步的，所述步骤S3具体为：将有机半导体前驱体溶液旋涂在覆盖了金属量子点层的硅/二氧化硅衬底上，并采用热处理固化所述的有机半导体前驱体溶液，在硅/二氧化硅衬底的金属量子点层上制备有机半导体层，得到金属量子点/有机半导体复合膜层。
进一步的，所述步骤S4具体为：在具有金属量子点/有机半导体复合膜层的硅/二氧化硅衬底的复合膜层表面以及衬底背面分别采用图形化掩膜覆盖蒸镀工艺形成Cr/Au复合金属电极，分别作为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的源极、漏极和栅极。
进一步的，所述步骤S5具体为：将聚酰胺酸溶液旋涂在具有金属量子点/有机半导体复合膜层以及金属电极的硅/二氧化硅衬底的有机半导体层表面形成膜，并采用阶梯温度热处理方式实现聚酰胺酸的聚酰亚胺化，得到金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。
进一步的，其中金属离子化合物：亚油酸钠：无水乙醇：亚油酸=0.3-1.0:1.0-2.0:5-15:0.5-2.5；混合搅拌后的溶液总体积占水热反应釜的40%-60%；水热反应温度为20℃-200℃；水热处理时间为30min-400min；所述金属量子点溶液中金属量子点浓度为3-10个/cm3。
进一步的，所述硅/二氧化硅衬底面积为1cm×1cm；其中二氧化硅膜作为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的绝缘层，所述二氧化硅膜的厚度为30-300nm；步骤S22中所述旋涂工艺转数为1000-5000rpm。
进一步的，所述有机半导体前驱体溶液包括并五苯、PEDOT/PSS；其中所述将有机半导体前驱体溶液旋涂在覆盖了金属量子点层的硅/二氧化硅衬底上的旋涂工艺转数为1000-3000rpm；所述的热处理温度为80-150℃，所述的热处理时间为0.5-3.0h，所述的有机半导体层厚度为5nm-30nm。
进一步的，所述图形化掩膜覆盖蒸镀工艺为采用图形化的金属掩膜覆盖具有金属量子点/有机半导体复合膜层的硅/二氧化硅衬底的复合膜层表面以及衬底背面，再在其表面进行蒸镀；所述的源极、漏极和栅极面积均为200μm×300μm，所述源极与漏极设置于复合膜层表面，间距为10-50μm，所述的栅极设置于衬底背面。
进一步的，所述阶梯温度热处理方式为120℃ /1 h，180℃ /1 h，250℃/1 h，300℃ /1 h。
与现有技术相比，本发明基于常规的旋涂成膜工艺技术制备出金属量子点/有机半导体材料复合导电沟道，并进一步通过旋涂有机物实现对金属量子点/有机半导体材料复合导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，器件性能灵活可控。所制备的晶体管具有特殊金属量子点/有机半导体材料复合导电沟道层，因此，可充分利用金属量子点/有机半导体复合材料对于薄膜晶体管导电沟道长度的调控效应及其金属量子点的量子尺寸效应，从而有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道晶体管的灵敏度和输出转移特性，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用前景。
附图说明
图1为本发明的硅/二氧化硅衬底结构示意图；
图2为本发明的涂覆了金属量子点后的硅/二氧化硅衬底结构示意图；
图3为本发明的涂覆了金属量子点层和有机半导体层后的硅/二氧化硅衬底结构示意图；
图4为本发明的涂覆了金属量子点层、有机半导体层并镀电极后的硅/二氧化硅衬底结构示意图；
图5为本发明的封装后的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管结构示意图。
图6为本发明的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的工作原理示意图。
[主要组件符号说明]
1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极，8为有机绝缘封装层，9为工作时电流流动方向。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
实施例一。
（1）分别按照比例称取硝酸银或HAuCl4等含金属离子化合物：亚油酸钠：无水乙醇：亚油酸=0.3:1.0:5:0.5，随后将其混合物倒入反应釜中，并加入适量的去离子水，使混合液体积占反应釜总体积的40%，并搅拌混合均匀，在20℃温度条件下热处理30min，随后将反应产物反复去离子水/无水乙醇及其高速离心清洗处理，最终产物分散到环己烷中即可得到相应的金属量子点溶液；
（2）取1cm×1cm大小、氧化层（二氧化硅膜）厚度为30nm的硅/二氧化硅衬底，图1为硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜。将该硅/二氧化硅衬底在浓硫酸/少量双氧水溶液中高温清洗30min，并采用1000rpm转速、60s旋涂时间将金属量子点溶液旋涂到清洗后的硅/二氧化硅衬底上，在氧化层表面形成一层金属量子点层；图2为涂覆了金属量子点后的硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆的金属量子点膜层。
（3）采用1000rpm转速将有机半导体如并五苯或PEDOT/PSS的氯苯溶液旋涂到涂覆了金属量子点的硅/二氧化硅衬底样片上，并在80℃温度条件下热处理0.5h，及在金属量子点上形成一层有机半导体层，图3为涂覆了金属量子点层和有机半导体材料后的硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层。
（4）在制备了金属量子点层、有机半导体绝缘层的硅/二氧化硅衬底样片上采用图形化掩膜覆盖蒸镀工艺形成Cr/Au复合金属电极，分别作为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的源极、漏极和栅极；其中源极、漏极和栅极面积为200μm×300μm，源极与漏极间距为10μm；图4为涂覆了金属量子点层、有机半导体层并镀电极后的硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极。
（5）采用1000rpm转速、60s旋涂时间将聚酰胺酸溶液旋涂到已经制备了金属量子点层、有机半导体层并镀电极后的硅/二氧化硅样片上，并经过相应的热处理聚酰亚胺化，即在金属量子点上形成一层有机绝缘隔封装保护层；图5为封装后的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极，8为有机绝缘封装层；图6为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的工作原理示意图。其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极，8为有机绝缘封装层，9为工作时电流流动方向。
实施例二。
（1）分别按照比例称取硝酸银或HAuCl4等含金属离子化合物：亚油酸钠：无水乙醇：亚油酸=0.7:1.5:10:1.5，随后将其混合物倒入反应釜中，并加入适量的去离子水，使混合液体积占反应釜总体积的50%，并搅拌混合均匀，在140℃温度条件下热处理200min，随后将反应产物反复去离子水/无水乙醇及其高速离心清洗处理，最终产物分散到环己烷中即可得到相应的金属量子点溶液；
（2）取1cm×1cm大小、氧化层厚度为200nm的硅/二氧化硅衬底，图1为硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜。将该硅/二氧化硅衬底在浓硫酸/少量双氧水溶液中高温清洗30min，并采用3000rpm转速、60s旋涂时间将金属量子点溶液旋涂到清洗后的硅/二氧化硅衬底上，在氧化层（二氧化硅膜）表面形成一层金属量子点层；图2为涂覆了金属量子点后的硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆的金属量子点膜层。
（3）采用2000rpm转速将有机半导体如并五苯或PEDOT/PSS的氯苯溶液旋涂到涂覆了金属量子点的硅/二氧化硅衬底样片上，并在100℃温度条件下热处理2.0h，及在金属量子点上形成一层有机半导体层，图3为涂覆了金属量子点层和有机半导体材料后的硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层。
（4）在制备了金属量子点层、有机半导体绝缘层的硅/二氧化硅衬底样片上采用图形化掩膜覆盖蒸镀工艺形成Cr/Au复合金属电极，分别作为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的源极、漏极和栅极；其中源极、漏极和栅极面积为200μm×300μm，源极与漏极间距为30μm；图4为涂覆了金属量子点层、有机半导体层并镀电极后的硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极。
（5）采用2000rpm转速、60s旋涂时间将聚酰胺酸溶液旋涂到已经制备了金属量子点层、有机半导体层并镀电极后的硅/二氧化硅样片上，并经过相应的热处理聚酰亚胺化，即在金属量子点上形成一层有机绝缘隔封装保护层；图5为封装后的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极，8为有机绝缘封装层；图6为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的工作原理示意图。其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极，8为有机绝缘封装层，9为工作时电流流动方向。
实施例三。
（1）分别按照比例称取硝酸银或HAuCl4等含金属离子化合物：亚油酸钠：无水乙醇：亚油酸=1.0: 2.0: 15: 2.5，随后将其混合物倒入反应釜中，并加入适量的去离子水，使混合液体积占反应釜总体积的60%，并搅拌混合均匀，在200℃温度条件下热处理400min，随后将反应产物反复去离子水/无水乙醇及其高速离心清洗处理，最终产物分散到环己烷中即可得到相应的金属量子点溶液；
（2）取1cm×1cm大小、氧化层厚度为300nm的硅/二氧化硅衬底，图1为硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜。将该硅/二氧化硅衬底在浓硫酸/少量双氧水溶液中高温清洗30min，并采用5000rpm转速、60s旋涂时间将金属量子点溶液旋涂到清洗后的硅/二氧化硅衬底上，在氧化层（二氧化硅膜）表面形成一层金属量子点层；图2为涂覆了金属量子点后的硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆的金属量子点膜层。
（3）采用3000rpm转速将有机半导体如并五苯或PEDOT/PSS的氯苯溶液旋涂到涂覆了金属量子点的硅/二氧化硅衬底样片上，并在150℃温度条件下热处理3.0h，及在金属量子点上形成一层有机半导体层，图3为涂覆了金属量子点层和有机半导体材料后的硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层。
（4）在制备了金属量子点层、有机半导体绝缘层的硅/二氧化硅衬底样片上采用图形化掩膜覆盖蒸镀工艺形成Cr/Au复合金属电极，分别作为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的源极、漏极和栅极；其中源极、漏极和栅极面积为200μm×300μm，源极与漏极间距为50μm；图4为涂覆了金属量子点层、有机半导体层并镀电极后的硅/二氧化硅衬底结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极。
（5）采用3000rpm转速、60s旋涂时间将聚酰胺酸溶液旋涂到已经制备了金属量子点层、有机半导体层并镀电极后的硅/二氧化硅样片上，并经过相应的热处理聚酰亚胺化，即在金属量子点上形成一层有机绝缘隔封装保护层；图5为封装后的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管结构示意图，其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极，8为有机绝缘封装层；图6为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的工作原理示意图。其中1为衬底硅，2为硅表面二氧化硅膜，3为涂覆形成的金属量子点膜层，4为涂覆形成的有机半导体层，5为源极电极，6为漏极电极，7为栅极电极，8为有机绝缘封装层，9为工作时电流流动示意图。
综上所述，本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，器件性能灵活可控。所制备的晶体管具有特殊金属量子点/有机半导体材料复合导电沟道层，因此，可充分利用金属量子点/有机半导体复合材料对于薄膜晶体管导电沟道长度的调控效应及其金属量子点的量子尺寸效应，从而有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道晶体管的灵敏度和输出转移特性，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用前景。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (8)

1.一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤S1：选取一硅/二氧化硅衬底，所述的硅/二氧化硅衬底包括衬底硅以及设置于衬底硅表面的二氧化硅膜；
步骤S2：利用旋涂成膜工艺在所述硅/二氧化硅衬底表面制备金属量子点层；
步骤S3：制备有机半导体层，得到金属量子点/有机半导体复合膜层，并将所述的金属量子点/有机半导体复合膜层作为导电沟道；
步骤S4：在步骤S3得到的覆盖有金属量子点/有机半导体复合膜层的硅/二氧化硅衬底上制备金属电极，得到金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的源极、漏极和栅极；
步骤S5：采用有机物封装，得到金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管；
其中，所述步骤S2具体包括以下步骤：
步骤S21：制备金属量子点溶液：将包括硝酸银以及HAuCl4的含金属离子化合物、亚油酸钠、无水乙醇、亚油酸和去离子水混合搅拌后依次通过水热反应、反复采用去离子水以及无水乙醇高速离心清洗处理，最后分散到环己烷溶液中，得到相应的金属量子点溶液；
步骤S22：制备金属量子点层：将所述硅/二氧化硅衬底采用包含硫酸以及双氧水的溶液高温清洗，并采用旋涂工艺将步骤S21制备的金属量子点溶液旋涂成膜，在硅/二氧化硅衬底的二氧化硅膜表面形成一层金属量子点膜层，得到覆盖金属量子点层的样片；
其中，所述步骤S3具体为：将有机半导体前驱体溶液旋涂在覆盖了金属量子点层的硅/二氧化硅衬底上，并采用热处理固化所述的有机半导体前驱体溶液，在硅/二氧化硅衬底的金属量子点层上制备有机半导体层，得到金属量子点/有机半导体复合膜层。
2.根据权利要求1所述的一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤S4具体为：在具有金属量子点/有机半导体复合膜层的硅/二氧化硅衬底的复合膜层表面以及衬底背面分别采用图形化掩膜覆盖蒸镀工艺形成Cr/Au复合金属电极，分别作为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的源极、漏极和栅极。
3.根据权利要求1所述的一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤S5具体为：将聚酰胺酸溶液旋涂在具有金属量子点/有机半导体复合膜层以及金属电极的硅/二氧化硅衬底的有机半导体层表面形成膜，并采用阶梯温度热处理方式实现聚酰胺酸的聚酰亚胺化，得到金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：其中金属离子化合物：亚油酸钠：无水乙醇：亚油酸=0.3-1.0:1.0-2.0:5-15:0.5-2.5；混合搅拌后的溶液总体积占水热反应釜的40%-60%；水热反应温度为20℃-200℃；水热处理时间为30min-400min；所述金属量子点溶液中金属量子点浓度为3-10个/cm3。
5.根据权利要求1所述的一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述硅/二氧化硅衬底面积为1cm×1cm；其中二氧化硅膜作为金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的绝缘层，所述二氧化硅膜的厚度为30-300nm；步骤S22中所述旋涂工艺转数为1000-5000rpm。
6.根据权利要求1所述的一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述有机半导体前驱体溶液包括并五苯、PEDOT/PSS；其中所述将有机半导体前驱体溶液旋涂在覆盖了金属量子点层的硅/二氧化硅衬底上的旋涂工艺转数为1000-3000rpm；所述的热处理温度为80-150℃，所述的热处理时间为0.5-3.0h，所述的有机半导体层厚度为5nm-30nm。
7.根据权利要求2所述的一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述图形化掩膜覆盖蒸镀工艺为采用图形化的金属掩膜覆盖具有金属量子点/有机半导体复合膜层的硅/二氧化硅衬底的复合膜层表面以及衬底背面，再在其表面进行蒸镀；所述的源极、漏极和栅极面积均为200μm×300μm，所述源极与漏极设置于复合膜层表面，间距为10-50μm，所述的栅极设置于衬底背面。
8.根据权利要求3所述的一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述阶梯温度热处理方式为120℃ /1 h，180℃ /1 h，250℃/1 h，300℃ /1 h。
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