TWI456790B - 發光二極體裝置 - Google Patents

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TWI456790B
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Jinn Kong Sheu
Wei Chih Lai
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Phostek Inc
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Claims (15)

  1. 一種發光二極體裝置，包含：至少一發光二極體單元，該發光二極體單元包含：一第一發光二極體，其包含n側氮化物半導體層、第一主動層與p側氮化物半導體層；一第二發光二極體，其包含n側氮化物半導體層、第二主動層與p側氮化物半導體層；及一IV族氮化物結構，其富含IV族元素，且包含至少一IV族氮化物層，及複數IV族奈米顆粒位於該IV族氮化物層內，該IV族氮化物結構位於該第一發光二極體與該第二發光二極體之間，作為穿隧接面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該IV族氮化物結構位於該第一發光二極體的p側氮化物半導體層與該第二發光二極體的n側氮化物半導體層之間，作為穿隧接面，藉以將該第一發光二極體與該第二發光二極體疊加在一起。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該IV族奈米顆粒的平均尺寸小於或等於20奈米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該IV族奈米顆粒的分佈密度(distribution density)為1x1010/平方公分至1x1014/平方公分。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該IV族氮化物結構呈空間不連續。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該IV族氮化物結構的厚度小於或等於30奈米。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該IV族奈米顆粒的能隙小於該IV族氮化物層的能隙。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該IV族氮化物結構係為量子點輔助穿隧結構。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，更包含至少一氮化物缺陷層，鄰近於該IV族氮化物結構。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，更包含至少一氮化物缺陷層，位於該IV族氮化物結構中間。
  11. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體裝置，更包含：一P型中間層，位於該IV族氮化物結構與該第一發光二極體之p側氮化物半導體層之間，且該P型中間層的摻雜濃度大於該第一發光二極體之p側氮化物半導體層的摻雜濃度；及一N型中間層，位於該IV族氮化物結構與該第二發光二極體之n側氮化物半導體層之間，且該N型中間層的摻雜濃度大於該第二發光二極體之n側氮化物半導體層的摻雜濃度。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該IV族氮化物結構係為雪崩效應催化結構。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體裝置，其中該發光二極體單元的電性參數具有正溫度因子。
  14. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體裝置，更包含：一第一電極，電性連接該第一發光二極體的n側氮化物半導體層；及一第二電極，電性連接該第二發光二極體的p側氮化物半導體層。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體裝置，其包含複數該發光二極體單元，以陣列型式排列，其中，相鄰的該發光二極體單元可藉由其第一電極或第二電極彼此電性連結，因而形成一串聯序列且/或並聯序列。
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