JP2009537834A - 漏えい磁場の分布の解析による部品の非破壊検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、被検査部品が励起磁場を受けたときその部品によって発せられる漏えい磁場の分布を解析することによる部品（４）の非破壊検査装置（１）である。
【解決手段】被検査部品の内部に励起磁場を発生させる手段と、磁場の分布を検出し測定する手段とを備える装置に関する。手段一式は、被検査部品（４）の表面の一部位上に固定されるようになっているフレキシブルな被覆の形態の装置を形成するようフレキシブルハウジング（２）内に組み込まれる。本発明は、航空機部品の非破壊検査（ＮＤＩ）に応用されるが、自動車、鉄道、造船、または原子力など部品の完全性の検査が重要であるあらゆる工業部門において用いることができる。
【選択図】図６

Description

本発明は、被検査部品の内部に励起磁場を発生させる手段と、励起磁場に応答して部品から発せられる磁場の分布を測定する手段とを備える、部品が励起磁場を受けた時にこの部品から発せられる漏えい磁場の分布を解析することによる部品の非破壊検査装置に関するものである。一式の手段は、被検査部品の表面のある部位に固定されるようになっている柔軟性を有する被覆の形態の装置を形成するためにフレキシブルハウジング内に組み込まれる。本発明は航空機部品の非破壊検査（ＮＤＩ）に応用されるが、自動車、鉄道、造船、または原子力など部品の完全性の検査が重要であるあらゆる工業部門において用いることができる。

航空機の利用および保守の範囲内では、構造体を構成する部品を損傷させることなく、クラックまたは亀裂によって構造体が損傷しているかどうかを判定することができる検査方法を用いることが必要である。用いる手法は非破壊検査（ＮＤＩ）という名称のもとにまとめられる。当該工業分野はこれらのＮＤＩ手法の性能の向上を要求しているため、ＮＤＩ手法は多数存在し常に進化している。航空輸送および土木工学の分野では、安全上の必要性およびコスト削減政策の双方を満足させるより高性能なＮＤＩ手法が常に求められている。

非強磁性導電部品についてはフーコー（Ｆｏｕｃａｕｌｔ）電流に基づく検査手法が知られている。これらの手法の原理は、被検査部品内にフーコー電流の循環を発生させる励起磁場を利用することに基づくものである。不良、亀裂、または腐食が存在すると、部品内で発生したこれらの電流の循環が変えられる。フーコー電流の分布のこのような変化は、フーコー電流によって発生する部品の表面磁場の分布に作用する。通常、この分布は誘導効果により測定される。したがって磁場の分布から不良に関する情報が抽出される。

また、励起磁場と磁気光学画像処理装置との組み合せに基づいた最近の手法も知られている。磁気材料を含む磁気光学画像処理装置により、部品から発せられる磁場の分布が存在することによる磁気材料の磁化に比例するファラデー回転を測定することができる。

これらの手段は全て、検査装置を使用して飛行機の重要部分の点検を行うにあたり航空機が地上で固定されることを必要とする。そのため、比較的長い検査時間と、有資格作業の立会が必須であり、その結果、比較的高い保守コストが生じる。

本装置の設計者が知る限り、たとえば、航空機構造体などの構造体の状態をその全使用期間にわたり検査することができ、特に飛行中の航空機構造体の良好性の全体的診断を行うことができる高性能な手段は現在のところ存在しない。

本発明は、部品が励起磁場に応答して発する漏えい磁場の構成を局部的に測定することにより、前記部品の全使用期間にわたってその構造の良好性を監視することができるそのようなリアルタイム検査に適合した装置を提供するものである。

そのような装置について解決すべき課題は、
−被検査構造体に接近可能であるか否かに関わらずそれら構造体の表面上に容易に貼付することができるようにされ、きわめて軽量および小型であり、かつその作動に必要な電力が少ない非破壊検査手段を提供すること、
−可能な限り早期に不良の出現を検出することにより予知保全を行うため、被検査構造体の使用期間中これらの構造体上に常時設置するのに適し、その結果、より低コストで修理を行うことができ、構造体について最大の安全性が保証される検査手段を提供すること、
−検査の自動的管理が可能であり、作業者の仕事を最大限に低減して保守コストを低減するために、構造体の良好性について完全な診断を行うことができる検査手段を提供すること、
である。

この目的のため、本発明は部品のリアルタイム非破壊検査装置に関するものである。本発明によれば、前記装置は部品内に励起磁場を発生させる手段を備え、前記発生手段はハウジング内に組み込まれ、前記ハウジングは、前記被検査部品の表面、および前記部品が励起磁場に応答して発する磁場の分布の測定手段を覆うようになっていて、前記測定手段が前記発生手段に重ねられる。

ハウジングは、部品の形状に合わせることにより部品の表面を覆うようになっているフレキシブルハウジングであるのが有利である。

測定手段は、部品内の不良の存在を見つけ出すことが可能な磁場の分布内の異常を判別するのに適した感度を有するのが有利である。

本発明によれば、前記励起磁場の発生手段はマイクロコイル網を備え、前記励起磁場を発生させるために前記マイクロコイルのそれぞれに交流電流が通る。

本発明の別の実施形態では、前記励起磁場の発生手段はマイクロ磁石網を備える。

前記測定手段の一実施例では、同手段は、磁場に感応する液晶膜と、前記液晶膜に重ねられた光電子マイクロセンサ網を備える。各光電子センサは、受信した光放射を電荷に変換するための感光セルを含み、前記セルは電荷を収集するための電荷移動装置に結合される。

前記測定手段の一実施例では、同手段は、前記部品によって発せられる磁場の前記分布を直接測定するための磁気抵抗マイクロセンサ網を備える。

本発明の特定の実施形態によれば、前記網は行列マトリックス状に編成される。

さらに装置は、前記測定手段を記録メモリに接続するインタフェース電子装置を備える。有利には一体型検査装置が作成されるよう、インタフェース電子装置およびメモリがフレキシブルハウジング内に組み込まれる。

有利には、本装置は、被検査部品によって発せられる磁場の分布から不良の寸法、位置、性状など不良に関する情報を自動的に求めるため、マイクロプロセッサなどの演算システムを備える。

本発明の装置の一実施形態によれば、前記演算装置がフレキシブルハウジング内に組み込まれない場合、前記検査装置は、メモリ内に記録された電気信号を、有線、ワイヤレス、無線、赤外線リンクを使用して、前記演算システムに送信するための送信手段を含む。

本発明の装置の別の実施形態によれば、前記演算システムはフレキシブルハウジング内に組み込まれ、前記インタフェースと記録メモリとの間に接続される。

本発明によれば、演算システムは、単数または複数の部品の基準磁場の分布の少なくとも１つのマップを含むメモリと、前記演算システムによって受信された信号を、マイクロセンサによって測定された漏えい磁場の分布を表す信号に変換する演算手段と、基準磁場の分布に対する磁場の前記分布の解析手段とを備える。

解析手段は、測定された磁場の分布と基準磁場の分布との間の比較解析手段を備える。前記比較解析手段は、状態信号Ｓおよび部品内に存在する不良に関する情報を生成するための手段を含むのが有利である。

前記状態信号Ｓおよび前記情報は、前記演算システムに接続された前記記録メモリ内に記録され、次に、有線、ワイヤレス、無線または赤外線リンクを使用してアラーム手段に送信されるのが有利である。

アラーム手段は表示手段ならびに光または音による指示器を含むのが好ましい。

本発明のその他の特徴および長所は添付の図面を参照して行う以下の説明を読むことにより、よりよく理解されよう。

励起磁場を発生させるためのマイクロコイル網と、液晶膜と、光電子マイクロセンサとを含む本発明の一実施形態による検査装置であって、被検査部品の表面を覆い、塗装層で被覆された装置の横断面概略図である。 一実施形態によるマイクロコイルの上面の概略図である。 マイクロコイル網と磁気抵抗ベースの磁気マイクロセンサとを含む本発明の一実施形態による検査装置であって、被検査部品の表面を覆い、塗装層で被覆された装置の横断面概略図である。 磁場なしの場合のＧＭＲ（巨大磁気抵抗）セルの動作原理を示す概略図である。 磁場がある場合のＧＭＲ（巨大磁気抵抗）セルの動作原理を示す概略図である。 検査装置の一実施形態を示す同装置の上面の概略図である。 遠隔地に配置された演算システムに電気信号を送信する作動位置にある図５の検査装置の概略図である。 飛行機の飛行中に記録された信号の送信位置にある、地上にある飛行機の構造体の表面上に配置された検査装置網の概略図である。

ある部品が時々周期的に大きな機械的応力を受けると、ある時間の経過後、疲労亀裂が部品内に発生する。部品が励起磁場を受けると、その亀裂が磁気バリアとなり、部品が励起磁場に応答して発する磁場の分布に作用する。部品によって発せられる磁場のこの分布のマップを作成し適切な分析手段を使用することにより、部品内に存在する不良に関する情報を磁場の分布のマップから抽出することができる。

非強磁性導電性部品の場合、励起磁場により部品内にフーコー電流の循環が生じる。部品内に発生するフーコー電流はこんどは、部品の周囲に放射される漏えい磁場を発生させる。これらの電流の特性は、部品の形状、部品の導電性など部品の特性に緊密に関連している。これらの電流は、構造の不良、亀裂、腐食が存在することにより変化することがある。フーコー電流のこれらの分布の変化は、被検査部品によって発せられる磁場の分布に作用する。部品によって発せられる磁場の分布のマップを高精度で作成することにより、不良および亀裂の位置をつきとめることができる。

磁化方向が異なる磁区構造を有する強磁性部品の場合、励起磁場により各区の磁化の方向が直接変えられ、その結果、部品の磁区構成が変化する。万一、不良、亀裂または腐食が存在すると新規の磁区構成が妨害される。強磁性部品の磁気マップを作成することにより、不良および亀裂の位置をつきとめることができる。

図１から図３には、磁場の分布の解析による部品の非破壊検査装置の２つの実施形態を示した。同装置は、部品内に励起磁場を発生する手段および部品によって発せられる漏えい磁場の分布を求めることができる測定手段を備え、測定手段は発生手段に重ねられている。発生手段は、被検査部品の表面のある部位に固定されるハウジング２内に組み込まれる。

このハウジング２は、部品の形状に合わせて検査装置１を被検査部品の表面上に固定することができる可塑材料で作製されるのが有利である。この固定は接着材で行われる。本装置が破損したときに容易に交換できるよう、選択された接着材により、被検査部品から本装置を抜き取ることができるようになっているのが好ましい。

この装置は、亀裂が発生する可能性のある部品の重要部位に固定するのに適する、限定された寸法で作製されるのが好ましい。本装置は、飛行機上では、たとえば固定部材、パネル組み付け部材、および応力が極度に集中する部位など、重要であるとみなされる部位上に配置することができる。

検査装置は、同検査装置に被覆されるようになる。たとえば塗装層とすることができる表面層８を受け入れるよう成されているのが有利である。

磁場発生手段の実施形態の非限定的例を図１および図２と関連させて説明する。この例では、励起磁場発生手段は、被検査部品４の内部に入ることができる励起磁場を発生させるのに適したマイクロコイル網６を備える。

励起磁場発生手段の別の実施例では、同手段は、たとえばハウジングの外周１０に位置する電子装置により電源が確保されるマイクロ磁石網を備える。

磁場発生手段は測定手段からは切り離されるのが有利であり、その場合、磁場発生手段は、部品４の内部に入ることができる磁場を発生させるのに適したただ１つのマイクロコイルを含む。

本発明の特定の実施形態では、マイクロコイル網は行列のマトリックス状に編成される。各マイクロコイルには交流電流が通る。マイクロコイルはたとえば、マイクロコイルの樹脂型を作製するためのフォトリソグラフィ工程とたとえば銅など金属の電解付着を行う第２工程とを含むマイクロリソグラフィ法により作製される。次に溶媒により樹脂が除去される。本発明の範囲内では、マイクロコイルがその上に作製される基板は、検査装置１が配設される部品の表面の形状に適合するようプラスチック材で作製されたフレキシブル基板であり、異なる形状の部品というニーズに適合する。

図２は、３つの平面長方形コイルの巻線で構成されたマイクロコイル６の個別実施形態を示す。各コイルの寸法は数十μｍ程度であり、マイクロコイルの寸法は数百μｍ程度である。各コイルの寸法は、基板への効果的な固定および熱拡散ができる銅の断面積を有しつつ、コイル内に電流を集中させるのに適合している。これらのマイクロコイルによって得られる局部的磁場は被検査部品内に入ることができる。

図１には、被検査部品の内部でつくられるフーコー電流により生成される、あるいはマイクロコイル網６に重ねられた液晶膜７を備える被検査強磁性部品の磁区により直接生成される磁場の分布の測定手段の一実施形態を示した。液晶は磁場に感応し、場の強さおよび方向に応じて向きを変えることができる。液晶膜は２つのプラスチック担体の間に挿入される。これらの液晶の構造は、部品の内部のフーコー電流により発生する漏えい磁場の方向および強さに応じて変化し、それが液晶の種々の面によって反射される波のスペクトル構成の変化となって現れ、その結果、液晶膜７の表面における色合いの変化をもたらす。このように部品から発せられる磁場の分布は、液晶膜により、液晶の前記面によって選択的に反射される光スペクトルとして再現される。

磁場の変化にともなうこの色合いの変化を検出するために、光電子マイクロセンサ網３をこの液晶膜７の上に重ねる。各光電子マイクロセンサは、液晶膜から発せられる光放射を感光セルで電荷に変換することができ、感光セルは光エネルギを電荷に変換する。各セルは、電荷をなくす機能を有する電荷移動装置に結合される。感光セルにより、光エネルギを表す電気信号が生成される。

膜の表面に入射する光波は各光電子マイクロセンサ３内に組み込まれた光源から供給されるのが好ましい。

本発明の特定の実施形態では、磁場の分布の測定手段は、送受信双方の液晶膜の役割を確保するセンサの役割を果たすマイクロセンサ網のみを含む。マイクロセンサは磁場の分布を表す情報を保存すること、ならびに、周期的な要求がある毎にその情報を送信するか、情報が閾値より高い値を示したとき自動的に情報を送信することができる。

図３には、フーコー電流により、あるいは被検査部品の磁区により発生する磁場の分布を直接測定するための磁気抵抗マイクロセンサ網９を備える測定手段の別の実施形態を示した。磁気抵抗マイクロセンサの作動原理は、印加される磁場の方向の変化にともなう磁気材料の電気抵抗の変化に基づく。磁気抵抗マイクロセンサは、磁場なし電気抵抗に対し電気抵抗の大きな変化を有するＧＭＲ（巨大磁気抵抗）効果マイクロセンサであるのが好ましい。この電気的変化は通常、１６％程度である。

ＧＭＲ効果マイクロセンサの特定の実施形態においては、各ＧＭＲ効果マイクロセンサは、４つのＧＭＲ磁気抵抗のホイートストンブリッジで構成される。ブリッジが平衡状態の時にはブリッジの出力電圧は０である。ブリッジは、不均一な磁場の作用を受けると、平衡状態ではなくなり、磁場の変化量に比例する出力電圧を発生させる。図４Ａおよび図４Ｂはそれぞれ、磁場がない場合、印加された磁場がある場合の、厚さが数ナノメートルの強磁性層１６および非磁性層１７のスタックを含む磁気抵抗を示す。磁場がない場合、非強磁性層１７の両側の強磁性層１６の矢印で示す磁化は相反する。層に直角な方向の電子の通過は困難であるため、高い抵抗値Ｒ_０が生じる。磁化は、印加される磁場の作用を受け、印加される場と平行になる方向に向けられ、この構成はより容易に電子を通すため抵抗値Ｒ_１を減少させる。

磁気抵抗は、フォトリソグラフィ工程と、磁気抵抗ピラー網を得るためのエッチング工程とを含む、強磁性層および非磁気層のスタック内でのマイクロリソグラフィ法により作製される。

図５は、上で説明した実施形態による検査装置の上面概略図である。本発明の特定の実施形態によれば、本装置は、ここでは例としてたとえば、行列マトリックス状に編成された５６個の光電子マイクロセンサ３または磁気抵抗マイクロセンサ９の網を含むほぼ長方形の形状を有する。検査装置は、マイクロセンサ３、９の網を記録メモリ１１に接続するインタフェース電子装置１０をさらに含む。また電子装置１０およびメモリ１１は、有利には一体型装置を実現するためにフレキシブルハウジング２に組み込まれる。

マイクロセンサ３、９によって測定された局所磁場に特徴的な電気信号の形態のデータはインタフェース電子装置１０に送信されるが、この機器はたとえば、信号の出力を増加させＳＮ比を向上させるための増幅器、ならびに受信したアナログ電気信号をデジタル信号に変換するためのデジタル／アナログ変換器を構成する。インタフェース電子装置の出力側の電気信号は電流または電圧とすることができる。

増幅された電気信号は次に記録メモリ１１に送られる。インタフェース電子装置１０は図５のマイクロセンサ行の端部に配設される。別の実施形態では、インタフェース電子装置１０はマイクロセンサ列の端部に配設することができる。

マイクロセンサを行列状に編成することにより磁場の分布のマップを得ることができるので部品の表面において部品の不良の位置をつきとめることが可能になる。

不良の位置を正確に求めるために、マイクロセンサ間のピッチは、検出する最小の不良の寸法よりも小さい値に固定することにより、不良の位置の区別が可能になり、マイクロセンサ網が局部的に損傷した場合でも、網の損傷部位の周囲にあるマイクロセンサにより、監視部位内に発生する可能性がある不良に最も近い部位の監視を行うことができるようにするのが好ましい。

本発明の特定の実施形態では、マイクロセンサ３、９から発信される電気信号のインタフェース電子装置１０への転送モードはインターライン転送モードである。各マイクロセンサラインの上に保存ライン１８が配置される。信号は一時的にこの保存ライン１８内に保存される。次に保存ラインの内容がパラレルモードによりインタフェース電子装置１０に転送される。次に電気信号がシリアルで記録メモリ１１に回収される。

電気信号の転送モードの一変形形態では、電気信号を直接インタフェース電子機器１０に送信するよう、各マイクロセンサが直接アドレスされる。

マイクロセンサによって測定された電気信号を自動的に処理するために、検査装置は、電気信号を部品が発する漏えい磁場を表す信号に変換し磁場の分布を求めるため演算システム１３をさらに備える。演算システムはたとえばマイクロプロセッサシステムである。

図６に示す本発明の好ましい実施形態では、演算システムはフレキシブルハウジング２に組み込まれていないため、装置は、無線または赤外線ワイヤレスリンクを使用することにより記録メモリ１１内に記録された電気信号を演算システム１３に送信するための送信手段１２を含む。これらの送信手段はたとえば、フレキシブルハウジング内に組み込まれ、ある固定された周波数で作動するトランスポンダであるのが好ましく、前記周波数は、部品の漏えい磁場の分布を表す電気信号を送信しても、検査装置１以外の装置による他のデータの送信に干渉しないよう選択される。

メモリ１１内に記録された電気信号を演算システム１３に送信するための送信手段１２は有線リンクであってもよい。

演算システム１３によって受信される電気信号は、磁場と電気信号とを関連づけるようになされた理論モデルが組み込まれている演算手段により、漏えい磁場を表す信号に変換される。これらの演算手段はマップを生成するが、これらマップは振幅のマップおよび磁場のスペクトルのマップとすることができる。部品から発せられる磁場の分布を表すこれらのデータは次に解析手段に送信される。

解析手段は、マイクロセンサ網によって測定された磁場の分布と基準分布との間で振幅についての比較試験を行うための比較解析手段を含む。これらの比較解析手段により部品の漏えい磁場の変化量の分布のマップを作成することができるのが有利である。そのために演算システムは、部品の基準磁場の分布のマップのデータベースが登録されたメモリを含む。これらの基準マップは、検査装置によってカバーされる部位の挙動に対するあらかじめ決められた比較モデルを構成するものである。これらの基準マップは基準部品に関してあらかじめ設定することができる。基準部品とは、たとえばその製造ラインの出口にあって全ての品質認定ステップに合格した部品のように、不良を含まないと判断された部品を意味する。基準部品はモデリングによりあらかじめ決めることもできる。この実施形態では、演算システムは携帯システムであるのが好ましい。比較解析手段が、基準分布とマイクロセンサ網によって測定された磁場の分布との間で振幅についての比較試験を行って、基準磁場と測定された磁場との間で求められた微分値が閾値を超えると、解析手段により状態信号Ｓが生成される。

部品内に存在する不良に関する情報を求めるために、解析手段は、マイクロセンサにより測定された漏えい磁場のスペクトル表示を求めるスペクトル解析手段を含むのが有利である。特にスペクトル解析により不良の性状および寸法を求めることができる。

構造体のリアルタイム検査では、検査装置はたとえば、飛行機が地上にいなくなった時に起動されるようプログラムされ、次に、時間の経過にともないマップを作成するよう、所定の時間中、たとえば５分毎など一定の間隔で測定を行う。このように、検査装置により、時間の経過にともなう被監視部位のマップを得ることができる。

状態信号、ならびに不良の性状、不良の寸法および不良の位置など全ての情報は演算システムから、たとえば情報を表示するための表示画面２２およびオペレータにメンテナンスを知らせるための光および／または音による指示装置２０を含むアラーム手段１４に送信される。

メモリ１２内に記録されている電気信号の演算システムへの送信は、たとえば飛行機のフライトの終了時に自動的に行われるようプログラムすることができる。またこの送信はメンテナンスオペレータが飛行機の点検時に検査装置に問い合わせることにより手動で行うこともできる。

本発明の別の実施形態では、演算システム１３がフレキシブルハウジング２に直接組み込まれ、インタフェース電子装置１０と記録メモリ１１の間に接続される。この実施形態では、演算システム１３はインタフェース電子装置１０から電気信号を直接受信し、状態信号ＳおよびＳ’ならびに不良に関する情報のみを記録メモリ１２に送信する。オペレータは点検時、装置に問い合わせ、有線、ワイヤレス、無線または赤外線リンクを使用して、検査装置のメモリに記録されている状態信号および情報をアラーム手段１４にダウンロードする。

図７は、飛行機１５の構造体の表面上に配設された検査装置１の網の概略図である。飛行機は地上にあり、検査装置１の網は、飛行機のフライトの間に記録された信号を、ここでは表示画面２２および音による指示装置２０を持つたとえば、コンピュータを含むアラーム手段１４に接続された演算システム１３に送信する状態にある。

フレキシブルハウジングに組み込まれた全ての電子構成部品は、ケイ素またはガラスなど硬質基板上でのマイクロ製造技術であってここではプラスチック基板に移植された製造技術を基にして作製される。しかしながら、マイクロ製造プロセス中に用いられる温度はプラスチック基板を破壊する可能性がある。現在提案されている解決方法の１つは、まず、ガラス上に付着させた基板上に構成部品を作製するというものである。硬質基板はたとえばケイ素、アルミナＡｌ_２Ｏ_３製のものである。保護の役割を果たす別のガラス層が可溶性接着材により構成部品上に固定され、次に、レーザアブレーションにより、硬質基板がスタック部分から取り除かれる。次に構成部品がプラスチック基板に押圧され、永久接着材によりこの基板に固定され、ガラス保護部分が取り除かれる。

本装置の一実施例では、検査装置は５０μｍ程度の厚さと、寸法が百μｍ程度、ピッチがたとえばおおむね１０μｍのマイクロセンサを内蔵した一辺が約１０×１０ｃｍの表面を有する薄膜の形状を有する。

本発明は、航空機部品の検査という範囲内で説明したが、たとえば自動車、鉄道、造船または原子力など、加工部品の完全性の検査が重要であるあらゆる工業分野においても用いることができる。

１ 検査装置
２ （フレキシブル）ハウジング
３、９ マイクロセンサ
４ （被検査）部品
６ （光電子）マイクロコイル網
７ 液晶膜
８ 表面層
１０ （インタフェース）電子装置
１１ 記録メモリ
１２ 送信手段
１３ 演算システム
１４ アラーム手段
１５ 飛行機
１６ 強磁性層
１７ 非強磁性層
１８ 保存ライン
２０ 指示装置
２１ 蓄積装置
２２ 表示画面

Claims (28)

1. 励起磁場を発生させる手段を備える導電部品（４）の非破壊検査装置（１）において、前記発生手段が、被検査部品の表面の一部位を覆うことができるフレキシブルハウジング（２）内に組み込まれ、
   前記ハウジングが部品の部位の表面上にある時、前記励起磁場を受ける前記被検査部品から発せられる漏えい磁場の分布を測定する手段を備え、かつ磁場の分布の前記測定手段が前記発生手段に重ねられることを特徴とする装置。
2. 前記ハウジング（２）が、部品（４）の形状に合わせることにより部品の表面の前記部位を覆うようになっているフレキシブルハウジングであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記測定手段が、前記部品の表面における漏えい磁場の分布のマップを生成することができる一式のマイクロセンサを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
4. 検出が求められる最小寸法を有する不良が存在することにより生じる漏えい磁場の部分の変化量を検出することができるようマイクロセンサの寸法および配置が決定されることを特徴とする請求項３に記載の装置。
5. 前記励起磁場の前記発生手段がマイクロコイル網（６）を備え、前記励起磁場を発生させるために前記マイクロコイルのそれぞれに交流電流が通ることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
6. 前記励起磁場の前記発生手段がマイクロ磁石網を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
7. 前記発生手段が、磁場に感応する液晶膜（７）と、前記液晶膜（７）に重ねられた光電子マイクロセンサ網（３）とを備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
8. 各光電子センサ（３）が、受信した光放射を電荷に変換するための感光セルを含み、前記セルが電荷を収集するための電荷移動装置に結合されることを特徴とする請求項７に記載の装置。
9. 前記測定手段が、前記部品によって発せられる漏えい磁場の前記分布を直接測定するための磁気抵抗マイクロセンサ（９）の網を備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
10. 前記網が行列マトリックス状に編成されることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の装置。
11. さらに前記装置が、前記測定手段を記録メモリ（１１）に接続するインタフェース電子装置（１０）を備えることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の装置。
12. 一体型検査装置（１）が作製されるよう前記インタフェース電子装置（１０）および前記メモリ（１１）が前記フレキシブルハウジング（２）内に組み込まれることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
13. 前記インタフェース電子装置（１０）が光電子マイクロセンサまたは磁気抵抗センサの行の端部に配設されることを特徴とする請求項７から１２のいずれか１項に記載の装置。
14. 前記インタフェース電子装置（１０）が光電子マイクロセンサまたは磁気抵抗センサの列の端部に配設されることを特徴とする請求項７から１２のいずれか１項に記載の装置。
15. 前記検査装置（１）がマイクロプロセッサシステムなどの演算システム（１３）を備えることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の装置。
16. 前記演算システム（１３）がフレキシブルハウジング（２）内に組み込まれず、前記検査装置が、記録メモリ（１１）内に記録された振動波を表す電気信号を、有線リンクまたはワイヤレスリンク、無線、赤外線を使用して、前記演算システム（１３）に送信するための送信手段を含むことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
17. 前記演算システム（１３）が前記フレキシブルハウジング（２）内に組み込まれ、前記インタフェース電子装置（１０）と前記記録メモリ（１１）との間に接続されることを特徴とする請求項１５に記載の装置。
18. 演算システム（１３）が、単数または複数の部品の基準磁場の分布についての少なくとも１つのマップを含むメモリと、前記演算システムによって受信された電気信号を漏えい磁場の分布に変換する演算手段と、基準磁場の分布に対しマイクロセンサによって測定された磁場の前記分布を解析する手段とを備えることを特徴とする請求項１から１７のいずれか１項に記載の装置。
19. 基準部品に関して基準磁場の分布の前記少なくとも１つのマップがあらかじめ設定されることを特徴とする請求項１８に記載の検査装置。
20. 基準磁場の分布の前記少なくとも１つのマップがモデリングによりあらかじめ設定されることを特徴とする請求項１８に記載の検査装置。
21. 前記解析手段が、測定された磁場の分布と基準磁場の分布との間の比較解析手段を備えることを特徴とする請求項１８から２０のいずれか１項に記載の検査装置。
22. 前記比較解析手段が、状態信号Ｓおよび部品内に存在する不良に関する情報を生成するための手段を含むことを特徴とする請求項２１に記載の装置。
23. 前記状態信号Ｓおよび前記情報が前記演算システムによりアラーム手段（１４）に送信されることを特徴とする請求項１６、１８から２２のいずれか１項に記載の装置。
24. 前記状態信号Ｓおよび前記情報が、前記演算システム（１３）に接続された前記記録メモリ（１１）内に記録され、次に、有線、ワイヤレス、無線または赤外線リンクを使用してアラーム手段（１４）に送信されることを特徴とする請求項１７から２２のいずれか１項に記載の検査装置。
25. 前記アラーム手段（１４）が表示手段（２２）ならびに光または音による指示器（２０）を含むことを特徴とする請求項２３または２４に記載の検査装置。
26. 前記磁気抵抗マイクロセンサ（９）または光電子マイクロセンサ（３）の寸法が百ミクロン程度であることを特徴とする請求項１から２５のいずれか１項に記載の検査装置。
27. 前記検査装置（１）の厚さが５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から２６のいずれか１項に記載の検査装置。
28. 検査装置（１）の前記フレキシブルハウジング（２）が接着材により被検査部品（４）の表面に固定されることを特徴とする請求項１から２７のいずれか１項に記載の検査装置。

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