JP2009535014A - 負荷回路供給電圧制御 - Google Patents

Abstract

開示される一実施形態においては、装置は、一以上のメモリデバイスを有する負荷回路と、負荷回路に関する一以上の温度を感知する一以上の温度センサと、負荷回路への供給電圧を制御し、負荷回路が非アクティブ状態にあるとき感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき供給電圧を変化させ、供給電圧が変化する際に負荷回路の一以上のメモリデバイスが一以上の信号を保持する助けをする、供給電圧制御回路と、を含む。他の実施形態も開示される。
【選択図】 図１

Description

ここに記載される実施形態は、概して回路供給電圧制御に関する。

実施形態は例示であって添付図面により限定されない。図面中、同様の参照番号は同様の部材を示す。

一実施形態の、負荷回路供給電圧を制御する回路を有するシステムのブロック図を示す。

一実施形態の、負荷回路供給電圧を制御するフローを示す。

一実施形態の、図１の供給電圧制御回路の例を示す。

一実施形態の、負荷回路供給電圧を制御するフローを示す。

一実施形態の、多数の負荷回路のうちの一以上への供給電圧を制御する回路を有するシステムのブロック図を示す。

一実施形態の、集積回路上の多数の負荷回路のうちの一以上への供給電圧を制御するフローを示す。

一実施形態の、一以上の負荷回路への供給電圧を制御する回路を有するプロセッサを含むシステムの例のブロック図である。

図面は必ずしも原寸に即して示されてはいない。

以下の詳細な説明では、負荷回路供給電圧制御に関する装置、方法、媒体、およびシステムの例示的実施形態を述べる。構造、機能、および／または特徴などのフィーチャを、便宜上、一実施形態に関して記載するが、任意の一以上の記載されたフィーチャにより様々な実施形態を実施することができる。

図１は、一実施形態のシステム１００を示しており、システム１００は、負荷回路１１０および供給電圧制御回路１２０を含み、供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０が非アクティブ状態にあるとき感知された負荷回路１１０の一以上の温度に少なくとも部分的に基づき負荷回路１１０への供給電圧を制御する。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路が非アクティブ状態にある際感知される一以上の温度に少なくとも部分的に基づき負荷回路１１０への供給電圧を変化させうる。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、供給電圧が変化する際、負荷回路１１０の一以上のメモリデバイス１４０により一以上の信号を保持する助けをしてもよい。

一実施形態のシステム１００は、負荷回路１１０の一以上の温度を感知する一以上の温度センサ１３０を有してよい。温度センサ１３０は、任意の適切な方法、および負荷回路１１０に関して任意の適切な位置に配置されて、負荷回路１１０に関する一以上の温度を感知してよい。一実施形態の温度センサ１３０は、負荷回路１１０の一以上の温度を感知するよう配置されてよい。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、一以上の温度センサ１３０からの一以上の信号を受信するよう連結されることで、負荷回路１１０への供給電圧を制御する助けをしてよい。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、非アクティブ状態にある際に負荷回路１１０への供給電圧を制御することで、消費電力および／または熱放散量を減少させてよいし、同時にさらに負荷回路１１０の一以上のメモリデバイス１４０内に一以上の信号を保持する助けをしてよい。一実施形態の負荷回路１１０の電流漏れは、負荷回路１１０の温度が上昇するにつれてより大きな割合で増加するので、一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、このように増加する電流漏れを防止して、これにより高温にある際に負荷回路１１０に比較的低い電圧を供給することで、消費電力および／または熱放散量を減少させる助けをしてよい。一実施形態の一以上のメモリデバイス１４０は、負荷回路１１０の温度が下降すると、一以上の信号を保持するのにより高い供給電圧を持たねばならなくなるので、一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、低温にある際には負荷回路１１０に比較的高い電圧を供給してよい。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０に供給する電圧を制御してよく、負荷回路１１０への供給電圧に少なくとも部分的に基づき、負荷回路１１０を有する集積回路への供給電圧を制御してよい。一実施形態のこのような集積回路は、少なくとも、負荷回路１１０、温度センサ１３０、および供給電圧制御回路１２０を含みうる。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づいて負荷回路１１０の対象保持供給電圧を識別して、識別された対象保持供給電圧に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０への供給電圧を制御してよい。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０への対象供給電圧を制御しうる。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０を有する集積回路への対象供給電圧を制御しうる。

一実施形態のシステム１００は、一以上の電源１０２、および一以上の電源１０２から電力を受け取り、電圧を負荷回路１１０に供給すべく連結される一以上の電圧調節器１５０を有してよい。一実施形態の電源１０２は、バッテリを含みうる。一実施形態の電源１０２は、直流‐交流（ＡＤ-ＤＣ）変換器を含みうる。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０への供給電圧を制御すべく任意の方法で一以上の電圧調節器１５０を制御すべく連結されてよい。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、任意の適切な一以上の制御信号を生成することで一以上の電圧調節器１５０の制御を助けてよい。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０を有する集積回路にあり負荷回路１１０に電圧を供給する電圧調節器を制御してよい。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、任意の適切な非アクティブ状態および／または任意の適切な一以上のアクティブ状態を含む、負荷回路１１０の任意の適切な一以上の動作状態に応じて、負荷回路１１０に関して感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０への供給電圧を制御しうる。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０の動作状態に関わらず、負荷回路１１０に関する一以上の感知温度に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０への供給電圧を制御しうる。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０の動作状態に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０への供給電圧を制御しうる。一実施形態のシステム１００は、負荷回路１１０の動作状態の設定および／または監視を助けるべく動作制御回路１６０を有してよい。一実施形態の動作制御回路１６０は、負荷回路１１０の動作状態を供給電圧制御回路１２０へ識別する一以上の信号を供給電圧制御回路１２０に出力すべく連結されうる。一実施形態の動作制御回路１６０は、例えば負荷回路１１０の動作状態を識別すべく一以上のビットを一以上のレジスタに記憶しうる。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０がアクティブ状態にある際に、負荷回路１１０の一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０に供給される電圧を制御してよい。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、アクティブ状態にある際に、負荷回路１１０に供給する電圧を制御することで、消費電力および／または熱放散量を減少させてよく、同時にさらに負荷回路１１０の一以上のクロック信号の周波数における負荷回路１１０の動作を支援する助けをしてよい。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０への対象有効供給電圧を識別してよく、識別された対象有効供給電圧に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０への供給電圧を制御してよい。

一実施形態のシステム１００は、負荷回路１１０の一以上のクロック信号の周波数を設定および／または監視する助けをする動作制御回路１６０を有してよい。一実施形態の動作制御回路１６０は、負荷回路１１０の一以上のクロック信号の周波数を識別する一以上の信号を供給電圧制御回路１２０に出力すべく連結されてよい。一実施形態の動作制御回路１６０は、例えば負荷回路１１０の一以上のクロック信号の周波数を識別すべく一以上のレジスタに一以上のビットを記憶しうる。

一実施形態のシステム１００は、可変周波数を有する一以上のクロック信号を負荷回路１１０に印加すべく連結される可変クロック源１７０を有しうる。一実施形態の可変クロック源１７０は、負荷回路１１０の動作状態に基づく周波数を有する一以上のクロック信号を出力すべく連結されてよい。一実施形態の動作制御回路１６０は、負荷回路１１０をクロックあるいは起動する一以上のクロック信号の周波数を変化させるようクロック源１７０を制御する助けをすべく連結されてよい。一実施形態の動作制御回路１６０は、故に、負荷回路１１０の消費電力および／または熱放散量の制御を助けうる。一実施形態の動作制御回路１６０は、可変クロック源１７０の制御を助けるべく任意の適切な一以上の制御信号を生成してよい。一実施形態の可変クロック源１７０は、外部クロック源から所定の周波数を持つ一以上のクロック信号を受信するよう連結されてよく、動作制御回路１６０からの一以上の制御信号に応じて任意の適切な周波数の一以上のクロック信号を生成および／または出力する任意の適切な回路を含んでよい。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、図２のフロー２００にあるように負荷回路１１０への供給電圧を制御しうる。

図２のブロック２０２において供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０に関する一以上の温度を感知すべく一以上の温度センサ１３０を利用しうる。ブロック２０４で負荷回路１１０が非アクティブ状態にある場合、ブロック２０６で供給電圧制御回路１２０は、感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０への供給電圧を制御しうる。負荷回路１１０がブロック２０４でアクティブ状態にある場合、ブロック２０８で供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０の一以上のクロック信号の周波数および／または感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０への供給電圧を制御しうる。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、ブロック２０２で負荷回路１１０に関する一以上の温度を監視すべく、およびブロック２０４−２０８で負荷回路１１０への供給電圧の制御を継続すべく、ブロック２０２の動作を繰り返してよい。

供給電圧制御回路１２０は、任意の適切な順序でブロック２０２‐２０８の動作を行ってよく、任意の適切な動作の実行が他の任意の適切な動作の実行と時間的に重なっても重ならなくてもよい。一例として、供給電圧制御回路１２０は、供給電圧制御回路１２０がブロック２０６あるいは２０８において供給電圧制御を行う一以上の動作を行う際に、ブロック２０２において一以上の温度を感知する一以上の動作を行ってよい。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、ブロック２０４で、動作制御回路１６０から、負荷回路１１０の動作状態を識別してよい。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、ブロック２０４において負荷回路１１０の動作状態を積極的に識別する代わりに、負荷回路１１０への供給電圧を制御するのに様々な異なる動作状態を潜在的に含んでよい（account for）。一例として、一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、非アクティブ状態にある際に負荷回路１１０の一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて、および／または感知された一以上の温度に基づいて、負荷回路１１０への供給電圧を制御してよく、負荷回路１１０のごく僅かな周波数を識別してよい。

供給電圧制御回路１２０は、任意の適切な方法で負荷回路１１０への供給電圧を制御すべく任意の適切な回路を含みうる。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、図３に示すように、負荷回路１１０への供給電圧の制御を助けるべく命令３２２を実行する制御ロジック３１０を含みうる。供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０への供給電圧の制御を助けるべく任意の適切な命令を実行するマイクロコントローラなどの任意の適切な制御ロジックを含みうる。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０への供給電圧の制御を助けるべく一以上の値を識別する一以上のルックアップテーブル（ＬＵＴ）３２４を利用しうる。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は負荷回路１１０への供給電圧の制御を助けるべく一以上の値を算出してよい。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、図３に示すように、埋め込み命令３２２および／またはルックアップテーブル（ＬＵＴ）３２４を記憶すべく一以上の媒体３２０を含みうる。媒体３２０は、例えばスタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）などの任意の適切な揮発性メモリ回路、および/または任意の適切なプログラム可能なヒューズ（programmable fuse）あるいはフラッシュメモリ技術などの任意の適切な不揮発性メモリ回路を含む、任意の適切な技術により実施しうる。前述の揮発性メモリ回路は、例えば、供給電圧制御回路１２０を有する集積回路がリセットされると、任意の適切な方法で命令３２２および／またはＬＵＴ３２４によりロードされてよい。前述の不揮発性メモリ回路は、供給電圧制御回路１２０を有する集積回路使用前に、任意の適切な方法で命令３２２および／またはＬＵＴ３２４によりプログラムあるいはロードされてよい。一実施形態の書き換え可能な不揮発性メモリ回路は、集積回路がリセットされると、任意の適切な方法で命令３２２および／またはＬＵＴ３２４によりプログラムあるいはロードされてよい。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、供給電圧制御回路を有する集積回路上の一以上の媒体３２０および／または集積回路の外部媒体の代わりに、および／または、それらに加えて、媒体から命令および／または値を受け取るよう連結されてよい。

一実施形態の制御ロジック３１０は、任意の適切は方法で温度センサ１３０を利用して温度センサに連結されうる。一実施形態の制御ロジック３１０は、任意の適切な方法で温度センサ１３０から信号を受け取るよう連結されうる。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、温度センサ１３０からの一以上のアナログ信号を受け取り、デジタル形式に変換するよう連結される一以上のアナログ‐デジタル変換器（ＡＤＣ）３３０を含みうる。ＡＤＣ３３０は、その代わりに、温度センサ１３０の一部として考慮されてもよい。一実施形態の制御ロジック３１０は、任意の適切な方法で、動作制御回路１６０から信号を受け取るべく連結されうる。制御ロジック３１０は、任意の適切な方法で、一以上の電圧調節器１５０を制御する助けをする信号を出力すべく連結されうる。
対象保持および有効供給電圧の利用

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、図４のフロー４００にあるように負荷回路１１０への供給電圧を制御しうる。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、フロー４００にあるように負荷回路１１０への供給電圧を制御すべく、図３との関連で記載されたように実施することができる。

図４のブロック４０２において、供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０に関する一以上の温度を感知すべく一以上の温度センサ１３０を利用してよい。ブロック４０４において、供給電圧制御回路１２０はブロック４０４において、感知された一以上の温度および／または負荷回路１１０の動作状態に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０への対象保持供給電圧を識別しうる。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０の一以上のメモリデバイス１４０に一以上の信号を保持させるよう助けをし、同時にさらに消費電力および／または熱放散量を減少させる助けをする、負荷回路１１０への対象保持供給電圧を識別しうる。ブロック４０４において一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、感知された一以上の温度および／または負荷回路１１０の動作状態に少なくとも部分的に基づき負荷回路１１０への対象保持供給電圧を識別すべく一以上のルックアップテーブル３２４を利用しうる。ブロック４０４において一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、ルックアップテーブルから対応する対象保持供給電圧値を読み取るインデックスとして温度値を利用してよい。

ブロック４０６において負荷回路１１０が非アクティブ状態にある場合、ブロック４１０で供給電圧制御回路１２０は、ブロック４０４で識別された対象保持供給電圧に少なくとも部分的に基づいて負荷回路１１０の対象供給電圧を識別してよい。ブロック４１０において、一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、ブロック４０４において識別された対象保持供給電圧として負荷回路１１０の対象供給電圧を識別してよい。ブロック４１２において供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０の対象供給電圧を更新してよい。ブロック４１２において一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０を有する集積回路にあり、負荷回路１１０の対象供給電圧を更新すべく負荷回路１１０へ電力を供給する電圧調節器を制御しうる。

ブロック４０６において負荷回路１１０がアクティブ状態にある場合、ブロック４０８で供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０に関する一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて、負荷回路１１０の対象有効供給電圧を識別してよい。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０の一以上のクロック信号の周波数にある負荷回路１１０の動作を支援する助けをすべく、および同時に消費電力および／または熱放散量を減少すべく、負荷回路１１０への対象有効供給電圧を識別してよい。ブロック４０８において一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０の対象有効供給電圧を識別すべく一以上の値を識別すべく、負荷回路１１０の一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づき一以上のルックアップテーブル３２４を利用しうる。ブロック４０８において一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、ルックアップテーブルから対応する対象有効供給電圧値を読むインデックスとして周波数値を利用しうる。

ブロック４１０において供給電圧制御回路１２０は、ブロック４０８で識別された対象有効供給電圧および／またはブロック４０４で識別された対象保持供給電圧に少なくとも
部分的に基づいて負荷回路１１０の対象供給電圧を識別してよい。ブロック４１０において一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、ブロック４０８で識別された対象有効供給電圧として負荷回路１１０の対象供給電圧を識別してよい。ブロック４１０において一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、ブロック４０８で識別された対象有効供給電圧およびブロック４０４で識別された対象保持供給電圧のうち大きい方として、負荷回路１１０の対象供給電圧を識別してよい。ブロック４１２において供給電圧制御回路１２０は負荷回路１１０への対象供給電圧を更新してよい。ブロック４１２において一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０を有する集積回路にあり、負荷回路１１０への対象供給電圧を更新すべく負荷回路１１０へ電圧を供給する電圧調節器を制御してよい。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０に関する一以上の温度を監視し続けるべくブロック４０２の動作を継続してよく、および負荷回路１１０の対象供給電圧の識別および更新を継続すべく、ブロック４０４‐４１２の動作を繰り返してよい。

供給電圧制御回路１２０は、任意の適切な順序でブロック４０２‐４１２の動作を行ってよく、任意の適切な動作の実行が他の任意の適切な動作の実行と時間的に重なっても重ならなくてもよい。一例として、供給電圧制御回路１２０は、供給電圧制御回路１２０がブロック４１２において対象供給電圧を更新する一以上の動作を行う際に、ブロック４０２において一以上の温度を感知する一以上の動作を行ってよい。

ブロック４０６において、一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、動作制御回路１６０から負荷回路１０の動作状態を識別してよい。

一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、ブロック４０６において負荷回路１１０の動作状態を積極的に識別する代わりに、負荷回路１１０への対象供給電圧を識別する様々な異なる動作状態を潜在的に含んでよい（account for）。一例として、一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０の対象保持供給電圧および対象有効供給電圧両方を識別して、非アクティブ状態においては負荷回路１１０の低い、あるいはごく僅かな対象有効供給電圧を識別し、対象保持供給電圧および対象有効供給電圧のうち大きい方として、負荷回路１１０の対象供給電圧を識別してよい。一実施形態の供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０が比較的低いクロック周波数に対してアクティブ状態にある場合、対象保持供給電圧をより大きい方として識別することもできる。

別の実施形態による供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０の動作状態を識別しうる。負荷回路１１０が非アクティブ状態にある場合、供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０への対象保持供給電圧を識別してから、対象保持供給電圧に少なくとも部分的に基づいて負荷回路１１０への対象供給電圧を識別してよい。負荷回路１１０がアクティブ状態にある場合、供給電圧制御回路１２０は、負荷回路１１０への対象有効供給電圧を識別してから、対象有効供給電圧に少なくとも部分的に基づいて負荷回路１１０への対象供給電圧を識別してよい。
多数の負荷回路への供給電圧制御

図５は、一実施形態において、負荷回路５１２および５１４のような多数の負荷回路と、供給電圧制御回路５２０とを含むシステム５００を図示しており、供給電圧制御回路５２０は、非アクティブ状態にある際に多数の負荷回路のうちの一以上に関して感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づいて多数の負荷回路のうち一以上への供給電圧を制御する。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、非アクティブ状態にある際に一以上の負荷回路に関して感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づいて、一以上の負荷回路への供給電圧を変化させることができる。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、供給電圧が変化する際に、一以上の負荷回路の、例えばメモリデバイス５４２、および／またはメモリデバイス５４４などの一以上のメモリデバイスが一以上の信号を保持する助けをすることができる。

一実施形態のシステム５００は、対応する負荷回路に関する一以上の温度を感知する多数の負荷回路のうち一以上について、例えば一以上の温度センサ５３２および一以上の温度センサ５３４などの一以上の温度センサを含みうる。これら温度センサは、任意の適切な方法で、負荷回路に関する一以上の温度を感知する対応する負荷回路に比して任意の適切な位置に実装されてよい。一実施形態においてこれら温度センサは、対応する負荷回路の一以上の温度を感知するよう配置されてよい。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、一以上の負荷回路への供給電圧の制御を助けるべく、一以上の温度センサから一以上の信号を受け取るべく連結されてよい。

一実施形態の供給電圧制御回路５２０は多数の負荷回路のうち一以上への供給電圧を制御してよく、これら負荷回路への供給電圧に少なくとも部分的に基づいて集積回路５０１への供給電圧を制御してよい。一実施形態の集積回路５０１は、図５に示すように、少なくとも多数の負荷回路、一以上の負荷回路に対する温度センサ、および供給電圧制御回路５２０を含みうる。

一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、一以上の負荷回路への対象供給電圧を制御してよい。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、多数の負荷回路を有する集積回路５０１への対象供給電圧を制御しうる。

一実施形態のシステム５００は、一以上の電力源５０２および電圧調節器５５０を含みえ、電圧調節器５５０は、一以上の電力源５０２から電力を受け取り、集積回路５０１に電力を供給するよう連結される。一実施形態の電力源５０２は、バッテリを含みうる。一実施形態の電力源５０２は、交流‐直流（ＡＤ‐ＤＣ）変換器を含みうる。

一実施形態の電圧調節器５５０は、図５に示すように、集積回路に電圧を供給すべく連結される電圧変換回路５８２を含みうる。電圧変換回路５８２は、任意の方法で一以上の電力源５０２から電力を受け取り集積回路５０１に電圧を供給する任意の適切な回路を含みうる。一実施形態の電圧変換回路５８２は、電圧調節器５５０の切り替えられた配電部を形成する任意の適切な回路を含みうる。電圧変換回路５８２の適切な回路は、例えば、インダクタおよび／またはコンデンサなどの適切な電力トランジスタおよび／または受動部品を含みうる。一実施形態の電圧変換回路５８２は、図５に示すように、集積回路５０１の外部にあってよい。

一実施形態の電圧調節器５５０は、図５に示すように、電圧変換回路５８２を制御すべく連結される電圧調節器制御回路５８４を含みうる。電圧調節器制御回路５８４は、任意の適切な方法で集積回路５０１に電圧を供給するよう電圧変換回路５８２を制御する任意の適切な回路を含みうる。一実施形態の電圧調節器制御回路５８４は、集積回路への供給電圧を監視して、監視された供給電圧に少なくとも部分的に基づいて集積回路５０１に電圧を供給すべく電圧変換回路５８２を制御すべく、連結されうる。一実施形態の電圧調節器制御回路５８４は、集積回路５０１への対象供給電圧に等しいあるいはその付近にある供給電圧の供給あるいは維持を助けるように電圧変換回路５８２を制御してよい。一実施形態の電圧調節器制御回路５８４は、電圧変換回路５８２の制御を助ける任意の適切な一以上の制御信号を生成しうる。電圧変換回路５８２が、切り替えられた配電部用の回路を含む一実施形態においては、一実施形態の電圧調節器制御回路５８４は、多数の位相を合わされた（phased）、パルス幅変調制御信号を生成して集積回路５０１への供給電圧を制御してよい。一実施形態の電圧調節器制御回路５８４は、図５に示すように、集積回路５０１上にあってよい。一実施形態の電圧調節器制御回路５８４は集積回路５０１の外部にあってもよい。

一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、集積回路５０１への供給電圧を制御すべく任意の適切な方法で電圧調節器５５０を制御すべく連結されてよい。供給電圧制御回路５２０は、電圧調節器５５０の制御を助ける任意の適切な一以上の制御信号を生成してよい。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、対象供給電圧を、電圧調節器５５０の集積回路５０１に対して供給および維持する電圧に、あるいはその付近の電圧に制御すべく連結されてよい。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、図５に示すように、電圧調節器制御回路５８４を制御すべく連結されてよく、これにより、集積回路５０１への供給電圧を制御すべく、電圧変換回路５８２を制御してよい。

一実施形態のシステム５００は、電圧調節器５５２および５５４などの一以上の電圧調節器を、一以上の負荷回路に電圧を供給すべく連結された形で集積回路５０１上に有してよい。集積回路５０１上の一以上の電圧調節器は、電圧調節器５５０から供給電圧を受け取り、供給電圧を、対応する負荷回路に供給すべく連結されてよい。これら電圧調節器は、例えば線形電圧調節器などを実装する任意の適切な回路を含みうる。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、一以上の負荷回路への供給電圧を制御すべく任意の適切な方法で一以上のこれら電圧調節器を制御すべく連結されてよい。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、このような電圧調節器の一以上の制御を助ける任意の適切な一以上の制御信号を生成しうる。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、対象供給電圧を、これら電圧調節器が対応する負荷回路に対して供給および維持する電圧に、あるいはその付近の電圧に制御すべく連結されてよい。

一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、図１の供給電圧制御回路１２０について説明したのと同様に、一以上の負荷回路への供給電圧を制御しうる。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、負荷回路への供給電圧を、該負荷回路の任意の適切な一以上の動作状態の該負荷回路の一以上の感知された温度に少なくとも部分的に基づいて、制御しうる。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、負荷回路への供給電圧を、該負荷回路の動作状態に少なくとも部分的に基づいて制御しうる。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、負荷回路への供給電圧を、該負荷回路がアクティブ状態にある場合、該負荷回路の一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて制御しうる。

一実施形態のシステム５００は、一以上の負荷回路の動作状態の設定および／または監視を助ける動作制御回路５６０を有してよい。一実施形態のシステム５００は、一以上の負荷回路に可変周波数を持つ一以上のクロック信号を供給する可変クロック源５７０を有してよい。一実施形態のシステム５００は、一以上の負荷回路の一以上のクロック信号の周波数の設定および／または監視を助ける動作制御回路５６０を有してよい。動作制御回路５６０は、図１の動作制御回路１６０について説明したのと同様な機能を行ってよい。可変クロック源５７０は、図１の可変クロック源１７０について説明したのと同様な機能を行ってよい。

一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、別途、集積回路５０１上の多数の負荷回路のうち一以上への供給電圧を制御し、このような負荷回路への供給電圧に基づいて任意の適切な方法で集積回路５０１への供給電圧を制御してよい。

一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、図６のフロー６００にあるように、集積回路５０１上の多数の負荷回路のうちの一以上への供給電圧を制御してよい。

図６のブロック６０２において、供給電圧制御回路５２０は負荷回路のうち一以上への対象供給電圧を識別および更新してよい。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、図４のフロー４００を参照して供給電圧制御回路１２０について説明したのと同様に、負荷回路への対象供給電圧を識別および更新してよい。

ブロック６０４において、供給電圧制御回路５２０は、多数の負荷回路のうち一以上への対象供給電圧に少なくとも部分的に基づいて、集積回路５０１への対象供給電圧を識別および更新してよい。ブロック６０４において一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、多数の負荷回路および／または任意の他の適切な回路への最大対象供給電圧を識別して、識別された最大対象供給電圧に少なくとも部分的に基づいて、集積回路５０１への対象供給電圧を識別および更新してよい。

一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、負荷回路のうち一以上と集積回路５０１とへの対象供給電圧の識別および更新を継続すべく、ブロック６０２‐６０４の動作を繰り返してよい。

供給電圧制御回路５２０は、ブロック６０２‐６０４の動作を任意の適切な順序で行ってよく、任意の適切な動作の実行が他の任意の適切な動作の実行と時間的に重なっても重ならなくてもよい。一例として、供給電圧制御回路１２０は、供給電圧制御回路５２０がブロック６０４において集積回路５０１への対象供給電圧を更新する一以上の動作を行う際に、ブロック６０２において負荷回路への対象供給電圧を識別および／または更新する一以上の動作を行ってよい。

供給電圧制御回路５２０は、任意の適切な方法で一以上の負荷回路への供給電圧を制御する任意の適切な回路を含んでよい。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、図３を参照して説明した供給電圧制御回路１２０と同様に実装されてよい。一実施形態の供給電圧制御回路５２０は、一以上の負荷回路への供給電圧の制御を助ける命令を実行する制御ロジックを含んでよく、一以上の負荷回路への供給電圧の制御を助ける一以上の値を識別する一以上のルックアップテーブル（ＬＵＴ）を利用してよい。一実施形態の制御ロジックは、任意の適切な方法で一以上の負荷回路の温度センサを利用して温度を感知すべく連結されてよい。一実施形態の制御ロジックは、任意の適切な方法で一以上の負荷回路の温度センサを利用して温度を感知するよう連結されてよい。一実施形態の制御ロジックは、任意の適切な方法で動作制御回路５６０から信号を受け取るべく連結されてよい。一実施形態の制御ロジックは、任意の適切な方法で一以上の電圧調節器を制御するのを助けるべく信号を出力すべく連結されてよい。
システムの例

図１の供給電圧制御回路１２０および図５の供給電圧制御回路５２０を利用して、任意の適切な環境下における任意の適切な一以上の負荷回路への供給電圧を制御することができる。

図７は、負荷回路７１２のうち一以上および供給電圧制御回路７１４を有して、負荷回路７１２のうち一以上への供給電圧を制御するプロセッサ７１０を含むシステム７００の例を示す。負荷回路７１２のうち一以上は、キャッシュメモリの少なくとも一部および／または一以上のレジスタなどの任意の適切な一以上のメモリデバイスを含みうる。一実施形態の負荷回路７１２は一以上のプロセッサコア、一以上のキャッシュメモリ用回路、一以上のグラフィック処理回路、および／または一以上のベクトル数学処理回路（vector math processing circuit）を含みうる。供給電圧制御回路７１４は、図１の供給電圧制御回路１２０および図５の供給電圧制御回路５２０と同様な機能を果たしうる。一実施形態のプロセッサ７１０は、例えば図１の温度センサ１３０について記載したのと同様に、一以上の負荷回路７１２用に一以上の温度センサ７１６を含んで、対応する負荷回路に関する一以上の温度を感知しうる。一実施形態の負荷回路７１２、供給電圧制御回路７１４、および温度センサ７１６は、プロセッサ７１０の集積回路上にあってよい。

一実施形態のプロセッサ７１０は、一以上の電源７０２から受電するよう連結されてよい。一実施形態のシステム７００は、任意の適切な方法で一以上の電源７０２から電力を受け取りプロセッサ７１０に電圧を供給するよう連結される電圧変換回路７０４を含んでよい。一実施形態の電源７０２および電圧変換回路７０４は、図５の電源５０２および電圧変換回路５８２について記載したのと同様の機能を果たしうる。

別の実施形態のシステム７００は、多数プロセッサを含み得、それらの一以上は、同様に負荷回路、供給電圧制御回路、および温度センサを含みうる。

一実施形態のシステム７００は、さらに、プロセッサ７１０に連結されるチップセット７２０、チップセット７２０に連結される基礎入力／出力システム（ＢＩＯＳ）メモリ７３０、チップセット７２０に連結される揮発性メモリ７４０、チップセット７２０に連結される不揮発性メモリおよび／または記憶デバイス７５０、チップセット７２０に連結される一以上の入力デバイス７６０、チップセット７２０に連結されるディスプレイ７７０、チップセット７２０に連結される一以上の通信インタフェース７８０、および／またはチップセット７２０に連結される一以上の他の入力／出力（Ｉ／Ｏ）デバイス７９０を含みうる。

一実施形態のチップセット７２０は、プロセッサ７１０、および／またはチップセット７２０と通信する任意の適切なデバイスあるいは部材に対して、任意の適切な通信リンクを提供する任意の適切なインタフェースコントローラを含みうる。

一実施形態のチップセット７２０は、ＢＩＯＳメモリ７３０にインタフェースを提供するファームウェアコントローラを含みうる。ＢＩＯＳメモリ７３０は、システム７００用に任意の適切なシステムおよび／またはビデオＢＩＯＳソフトウェアを記憶するのに使用されうる。ＢＩＯＳメモリ７３０は、適切なフラッシュメモリなどの任意の適切な不揮発性メモリを含みうる。一実施形態のＢＩＯＳメモリ７３０は、その代わりにチップセット７２０に含まれてもよい。

一実施形態のチップセット７２０は、揮発性メモリ７４０のインタフェースとなる一以上のメモリコントローラを含みうる。揮発性メモリ７４０は、例えばシステム７００用にデータおよび／または命令をロードかつ記憶するのに利用されうる。揮発性メモリ７４０は、適切な動的ＲＡＭ（ＤＲＡＭ）などの任意の適切な揮発性メモリを含みうる。

一実施形態のチップセット７２０は、ディスプレイ７７０のインタフェースとなるグラフィックコントローラを含みうる。ディスプレイ７７０は、陰極線管（ＣＲＴ）あるいは液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの任意の適切なディプレイを含みうる。一実施形態のグラフィックコントローラは、チップセット７２０の外部にあってもよい。

一実施形態のチップセット７２０は、不揮発性メモリ、および／または記憶デバイス７５０、入力デバイス７６０、通信インタフェース７８０、および／またはＩ／Ｏデバイス７９０などのインタフェースとなる一以上の入力／出力（Ｉ／Ｏ）コントローラを含みうる。

不揮発性メモリおよび／または記憶デバイス７５０は、例えばデータおよび／または命令を記憶するのに利用されうる。不揮発性メモリおよび／または記憶デバイス７５０は、フラッシュメモリなどの任意の適切な不揮発性メモリを含み得、および／または一以上のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、一以上のコンパクトディスク（ＣＤ）ドライブ、および／または一以上のデジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）ドライブなどの任意の適切な不揮発性記憶デバイスを含みうる。

入力デバイス７６０は、キーボード、マウス、および／または任意の他の適切なカーソル制御デバイスなどの任意の適切な入力デバイスを含みうる。

通信インタフェース７８０は、一以上のネットワークを介して、および／または任意の他の適切なデバイスと通信すべくシステム７００にインタフェースを提供してよい。通信インタフェース７８０は、任意の適切なハードウェアおよび／またはファームウェアを含みうる。一実施形態の通信インタフェース７８０は、例えば、ネットワークアダプタ、無線ネットワークアダプタ、電話モデム、および／または無線モデムを含みうる。無線通信については、一実施形態の通信インタフェース７８０は、一以上のアンテナ７８２を利用しうる。

Ｉ／Ｏデバイス７９０は、例えば音声デバイスなどの任意の適切なＩ／Ｏデバイスを含んで、音声を、対応するデジタル信号に変換する助けとなりえ、および／またはデジタル信号を、対応する音声、カメラ、カメラレコーダ、プリンタ、および／またはスキャナに変換する助けとなりえる。

チップセット７２０に存在するものとして記載してきたが、チップセット７２０の一以上のコントローラをプロセッサ７１０に集積することもでき、これによりプロセッサ７１０は一以上のデバイスあるいは部材と直接通信することができるようになる。一例としては、一実施形態の一以上のメモリコントローラをプロセッサ７１０に集積することもでき、これによりプロセッサ７１０は揮発性メモリ７４０と直接通信することができるようになる。

前述の記載において、例示的実施形態を記載してきた。これら実施形態については、添付請求項の範囲を超えない範囲で様々な変形例および変更例が考えられる。故に、記載および図面は、制限的な意味ではなくて例示的な意味で捉えられるべきである。

Claims (23)

1. 一以上のメモリデバイスを有する負荷回路と、
   前記負荷回路に関する一以上の温度を感知する一以上の温度センサと、
   前記負荷回路への供給電圧を制御する供給電圧制御回路と、を含み、
   前記供給電圧制御回路は、前記負荷回路が非アクティブ状態にあるとき感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき前記供給電圧を変化させ、前記供給電圧が変化する際に前記負荷回路の一以上のメモリデバイスが一以上の信号を保持する助けをする、装置。
2. 前記供給電圧制御回路は、前記負荷回路がアクティブ状態にあるとき、前記負荷回路の一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記負荷回路への供給電圧を制御する、請求項１に記載の装置。
3. 前記供給電圧制御回路は、前記負荷回路の一以上のメモリデバイスが一以上の信号を保持する助けをする第一の対象供給電圧と、前記負荷回路の一以上のクロック信号の周波数における前記負荷回路の動作を支援する助けをする第二の対象供給電圧とに少なくとも部分的に基づいて、前記負荷回路への供給電圧を制御する、請求項１に記載の装置。
4. 前記供給電圧制御回路は、前記負荷回路の対象供給電圧を制御する、請求項１に記載の装置。
5. 前記供給電圧制御回路は、前記負荷回路を有する集積回路の対象供給電圧を制御する、請求項１に記載の装置。
6. 前記供給電圧制御回路は、前記負荷回路への供給電圧を制御するのを助けるべく、感知された一以上の温度に基づき一以上のルックアップテーブルから一以上の値を識別する、請求項１に記載の装置。
7. 前記供給電圧制御回路は、前記負荷回路への供給電圧を制御する命令を実行する、請求項１に記載の装置。
8. 前記負荷回路、温度センサ、および供給電圧制御回路が一集積回路上にある、請求項１に記載の装置。
9. 一以上のさらなる負荷回路と、
   一以上のさらなる負荷回路に関する一以上の温度を感知する一以上のさらなる温度センサと、を含み、
   前記供給電圧制御回路は、非アクティブ状態にあるとき一以上のさらなる負荷回路に関して感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき一以上のさらなる負荷回路への供給電圧を制御する、請求項１に記載の装置。
10. 前記供給電圧制御回路は、一以上のさらなる負荷回路への対象供給電圧を制御する、請求項９に記載の装置。
11. 前記供給電圧制御回路は、一以上のさらなる負荷回路を有する集積回路への対象供給電圧を制御する、請求項９に記載の装置。
12. 一以上のメモリデバイスを有する負荷回路と、
    前記負荷回路に関する一以上の温度を感知する手段と、
    前記負荷回路への供給電圧を制御する手段と、を含み、
    前記制御する手段は、前記負荷回路が非アクティブ状態にあるとき感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき前記供給電圧を変化させ、前記供給電圧が変化する際に前記負荷回路の一以上のメモリデバイスが一以上の信号を保持する助けをする、装置。
13. 前記負荷回路がアクティブ状態にあるとき、前記負荷回路の一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記負荷回路への供給電圧を制御する手段を含む、請求項１２に記載の装置。
14. 一以上のさらなる負荷回路と、
    一以上のさらなる負荷回路に関する一以上の温度を感知する手段と、
    非アクティブ状態にあるとき一以上のさらなる負荷回路に関して感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき一以上のさらなる負荷回路への供給電圧を制御する手段と、を含む、請求項１２に記載の装置。
15. 命令を有する機械読み取り可能な媒体であって、
    前記命令は、制御ロジックにより実行されると前記制御ロジックに、
    一以上のメモリデバイスを有する負荷回路に関する一以上の温度を感知させ、
    前記負荷回路が非アクティブ状態にあるとき感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき前記負荷回路への供給電圧を変化させ、
    前記供給電圧が変化する際に前記負荷回路の一以上のメモリデバイスにより一以上の信号を保持する助けをさせる、機械読み取り可能な媒体。
16. 前記制御ロジックにより実行されると前記制御ロジックに、
    前記負荷回路がアクティブ状態にあるとき、前記負荷回路の一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記負荷回路への供給電圧を制御させる命令を有する、請求項１５に記載の機械読み取り可能な媒体。
17. 前記制御ロジックにより実行されると前記制御ロジックに、
    一以上のさらなる負荷回路に関する一以上の温度を感知させ、
    非アクティブ状態にあるとき一以上のさらなる負荷回路に関して感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき一以上のさらなる負荷回路への供給電圧を制御させる命令を有する、請求項１５に記載の機械読み取り可能な媒体。
18. 一以上のメモリデバイスを有する負荷回路に関する一以上の温度を感知することと、
    前記負荷回路への供給電圧を制御することと、を含み、
    前記制御することは、前記負荷回路が非アクティブ状態にあるとき感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき前記供給電圧を変化させ、前記供給電圧が変化する際に前記負荷回路の一以上のメモリデバイスが一以上の信号を保持する助けをする、方法。
19. 前記負荷回路がアクティブ状態にあるとき、前記負荷回路の一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記負荷回路への供給電圧を制御することを含む、請求項１８に記載の方法。
20. 一以上のさらなる負荷回路に関する一以上の温度を感知することと、
    非アクティブ状態にあるとき一以上のさらなる負荷回路に関して感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき一以上のさらなる負荷回路への供給電圧を制御することと、を含む請求項１８に記載の方法。
21. バッテリと、
    前記バッテリから受電するよう連結されるプロセッサと、を含み、
    前記プロセッサは、
    一以上のメモリデバイスを有する一以上の負荷回路と、
    一以上の負荷回路に関する一以上の温度を感知する一以上の温度センサと、
    一以上の負荷回路への供給電圧を制御する供給電圧制御回路と、を含み、
    前記供給電圧制御回路は、非アクティブ状態にあるとき一以上の負荷回路に関して感知された一以上の温度に少なくとも部分的に基づき供給電圧を変化させ、供給電圧が変化する際に一以上の負荷回路の一以上のメモリデバイスが一以上の信号を保持する助けをする、システム。
22. 前記バッテリから前記プロセッサに電圧を供給する電圧変換回路を前記プロセッサの外部に含み、
    前記供給電圧制御回路は前記電圧変換回路を制御する、請求項２１に記載のシステム。
23. 前記供給電圧制御回路は、前記負荷回路がアクティブ状態にあるとき、前記負荷回路の一以上のクロック信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記負荷回路への供給電圧を制御する、請求項２１に記載のシステム。

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