JP2009522713A - 固体発光体用の加工構造 - Google Patents
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Abstract
Description
i)この方法は、イオン注入により、層表面均一性の減少をもたらす。
ii)この方法は、高価なイオン注入ステップを必要とする。
iii)この方法は、多くの注入ステップを実施しなければ、IV族半導体ナノ粒子と希土類イオンの均一な分布を達成することができない。
iv)この方法は、イオン・インプラント損傷を熱アニールによって低減することと、光学的に活性な希土類を最大にしようと試みることとの間での均衡を必要とする。
v)注入されたイオンが、実用的なインプラント・エネルギーについて、膜内に深く貫入しないため、膜の厚さが制限される。
第1波長の光を放出する発光中心の集合体を含む第1活性層と、
第1活性層に隣接する広バンドギャップまたは誘電体材料を含む第1バッファ層と、
第1活性層と第1誘電体層に電界を印加する一組の電極とを備え、
第1バッファ層がある厚さを有し、それにより電子が、第1バッファ層を通過するときに、第1波長の光を放出するのに十分な励起エネルギーでの衝撃イオン化または衝撃励起によって第1活性層内の発光中心を励起させるのに十分なエネルギーを電界から獲得する。
で与えられる。
であることが示された。
である。
多層膜構造20、31、または61を堆積させるために使用される任意のプロセス技術は、約1nmのスケールで膜組成を変えることが可能でなければならない。好ましい堆積技術は、プラズマ増強化学気相堆積(PECVD)であり、好ましくは、電子サイクロトロン共鳴によって増強される(ECR−PECVD)、または、誘導結合プラズマによって増強される(ICP−PECVD)。あるいは、金属有機化学気相堆積(MOCVD)。要求される能力内の他の堆積技術は、分子ビーム・エピタキシ(MBE)、化学ビーム・エピタキシ(CBE)、原子層エピタキシ(ALE)、およびパルス・レーザ堆積(PLD)(パルス・レーザ・エピタキシ(PLE)とも呼ばれる)である。上述した技法に関する変形である多くの他の薄膜成長プロセスが存在する。これらの技法はいずれも、先の章で述べた構造化膜の堆積に適していてもよい。
Claims (23)
- 発光構造であって、
第1波長の光を放出する発光中心の集合体を含む第1活性層と、
前記第1活性層に隣接する第1誘電体層と、
前記第1活性層と前記第1誘電体層に電界を印加する一組の電極とを備え、
前記第1誘電体層がある厚さを有し、それにより電子が、前記第1誘電体層を通過するときに、前記第1波長の光を放出する励起エネルギーでの衝撃イオン化または衝撃励起によって前記第1活性層内の前記発光中心を励起させるのに十分なエネルギーを前記電界から獲得する発光構造。 - 複数の付加的な第1活性層と、
複数の付加的な第1誘電体層とをさらに備え、第1活性層が前記一組の電極の間で第1誘電体層と交互になった状態の第1スタックを形成する請求項1に記載の発光構造。 - 前記一組の電極は交流電源によって駆動され、前記第1誘電体層のうちの1つは、前記第1スタックの両端に配設されて、前記電界が方向を変えると、前記第1活性層の全ての中の発光中心が励起されることが保証される請求項2に記載の発光構造。
- それぞれが、前記第1波長と異なる第2波長の光を放出する、発光中心の集合体を含む、複数の第2活性層と、
複数の第2誘電体層とをさらに備え、前記複数の第2誘電体層のそれぞれの1つが前記複数の第2活性層のうちの1つに隣接した状態の第2スタックを形成し、
前記第2誘電体層がそれぞれある厚さを有し、それにより電子が、前記第2誘電体層を通過するときに、前記第2波長の光を放出する励起エネルギーでの衝撃イオン化または衝撃励起によって前記第2活性層内の前記発光中心を励起させるのに十分なエネルギーを前記電界から獲得する請求項2に記載の発光構造。 - 前記一組の電極は交流電源によって駆動され、前記第1誘電体層のうちの1つは、前記第1スタックの外側端に配設され、前記第2誘電体層のうちの1つは、前記第2スタックの外側端に配設され、前記第1誘電体層または前記第2誘電体層の一方は、いずれか大きい方が、前記第1スタックと前記第2スタックとの間に配置されて、前記電界が方向を変えると、前記第1活性層と前記第2活性層の全てにおける発光中心が励起されることが保証される請求項4に記載の発光構造。
- 前記第1活性層と異なる第2波長の光を放出する、発光中心の集合体を含む第2活性層と、
前記第2活性層に隣接する第2誘電体層とをさらに備え、
前記第2誘電体層がある厚さを有し、それにより電子が、前記第2誘電体層を通過するときに、前記第2波長の光を放出する励起エネルギーまたは衝撃励起での衝撃イオン化によって前記第2活性層内の前記発光中心を励起させるのに十分なエネルギーを前記電界から獲得する請求項1に記載の発光構造。 - 前記第1波長および前記第2波長は、さらなる波長が有る状態または無い状態で組み合わされて、白色光を形成する請求項4、5、または6に記載の発光構造。
- 前記第1活性層は、半導体ホスト・マトリックス内に分散した半導体ナノ粒子を備え、それぞれのナノ粒子は、前記第1活性層の厚さに実質的に等しい直径を有する請求項1から7のいずれか1項に記載の発光構造。
- 前記半導体ナノ粒子の直径は、前記第1波長に対応する前記半導体ナノ粒子の励起エネルギーに対応する請求項8に記載の発光構造。
- 半導体ホスト・マトリックス内に分散し、それぞれが前記第2活性層の厚さに実質的に等しい直径を有する半導体ナノ粒子を備える第2活性層と、
前記第2活性層に隣接する第2誘電体層とをさらに備え、前記第2誘電体層はある厚さを有し、それにより電子が、前記第2活性層内の前記半導体ナノ粒子を、前記第1波長と異なる第2波長の光を放出する励起エネルギーで励起するのに十分なエネルギーを前記電界から獲得し、
前記第2活性層内の前記半導体ナノ粒子の直径は、前記第2波長に対応する前記第2活性層内の前記半導体ナノ粒子の前記励起エネルギーに対応する請求項9に記載の発光構造。 - 発光構造がさらに
複数の付加的な第1活性層と、
複数の付加的な第1誘電体層とを備え、第1活性層が前記一組の電極の間で第1誘電体層と交互になった状態の第1スタックを形成し、発光構造がさらに
複数の付加的な第2活性層と、
複数の付加的な第2誘電体層とを備え、第2活性層が前記一組の電極の間で第2誘電体層と交互になった状態の第2スタックを形成する請求項10に記載の発光構造。 - 複数の第3活性層であって、それぞれが第3の厚さによって画定されたホスト・マトリックス内に半導体ナノ粒子を有し、前記第3活性層内の前記半導体ナノ粒子はそれぞれ、前記第3の厚さに実質的に等しい直径を有し、前記第3活性層内の前記半導体ナノ粒子の直径は、前記第1および第2の所望の波長と異なる第3波長に対応する前記半導体ナノ粒子の前記励起エネルギーに対応する、第3の活性層と、
前記複数の第3活性層それぞれを分離する複数の第3誘電体バッファ層であって、それぞれがある厚さを有し、それにより電子が、層内部を通過するときに、前記第3波長の光を放出する励起エネルギーで前記第3活性層内の前記半導体ナノ粒子を励起させるのに十分なエネルギーを前記電界から獲得する、第3の誘電体バッファ層とをさらに備える請求項11に記載の発光構造。 - 前記第1活性層は、前記第1活性層内の前記ナノ粒子の前記励起エネルギーに整合する波長で放射するように選択された第1の希土類材料をドープされ、それにより、エネルギーが前記第1希土類材料に移動し、前記第1希土類材料が、前記第1波長の光を放出する請求項8に記載の発光構造。
- 半導体ホスト・マトリックス内に分散した半導体ナノ粒子を備える第2活性層をさらに備え、それぞれのナノ粒子は、前記第2活性層の厚さに実質的に等しい直径を有し、
前記第2活性層は、前記第2活性層内の前記ナノ粒子の前記励起エネルギーに整合する波長で放射するように選択された、前記第1の希土類材料と異なる第2の希土類材料をドープされ、それにより、エネルギーが前記第2希土類材料に移動し、前記第2希土類材料が、前記第2波長の光を放出する請求項13に記載の発光構造。 - 発光構造がさらに
複数の付加的な第1活性層と、
複数の付加的な第1誘電体層とを備え、第1活性層が第1誘電体層と交互になった状態の第1スタックを形成し、発光構造がさらに
複数の付加的な第2活性層と、
複数の付加的な第2誘電体層とを備え、第2活性層が第2誘電体層と交互になった状態の第2スタックを形成する請求項14に記載の発光構造 - 複数の第3活性層であって、それぞれが第3の厚さによって画定されたホスト・マトリックス内に半導体ナノ粒子を有し、前記第3活性層内の前記半導体ナノ粒子はそれぞれ、前記第3の厚さに実質的に等しい直径を有し、前記第3活性層内の前記半導体ナノ粒子の直径は、前記第1および第2の所望の波長と異なる第3波長に対応する前記半導体ナノ粒子の前記励起エネルギーに対応する、第3の活性層と、
前記複数の第3活性層それぞれを分離する複数の第3誘電体バッファ層であって、それぞれがある厚さを有し、それにより電子が、層内部を通過するときに、前記第3波長の光を放出する励起エネルギーで前記第3活性層内の前記半導体ナノ粒子を励起させるのに十分なエネルギーを前記電界から獲得する、第3の誘電体バッファ層とをさらに備える請求項15に記載の発光構造。 - 前記第1の所望の波長は、赤色波長の範囲内にあり、
前記第2の所望の波長は、緑色波長の範囲内にあり、
前記第3の所望の波長は、青色波長の範囲内にあり、
それにより、実質的に白色光が、前記第1、第2、および第3の所望の波長の組み合わせから放出される請求項12または16に記載の発光構造。 - 前記一組の電極は、第1透明電極および第2ベース電極を備え、前記発光構造は、前記第1透明電極を通して光を反射して返すために、前記第2ベース電極と前記第1透明電極との間に反射層をさらに備える請求項17に記載の発光構造。
- 最も長い波長の光を放出する前記複数の活性層は、前記反射層の最も近くに配設され、最も短い波長の光を放出する前記活性層は、前記第1透明電極の最も近くに配設される請求項18に記載の発光構造。
- 前記第1活性層は、二酸化シリコン・マトリックス・ホスト内に第IV族ナノ粒子を含む請求項1から19のいずれか1項に記載の発光構造。
- 前記第1活性層は、窒化シリコン・マトリックス・ホスト内に第IV族ナノ粒子を含む請求項1から19のいずれか1項に記載の発光構造。
- 前記第1活性層は、希土類の酸化物を含む請求項1から7のいずれか1項に記載の発光構造。
- 前記一組の電極は、第1透明電極および第2ベース電極を備え、前記発光構造は、前記第1透明電極を通して光を反射して返すために、前記第2ベース電極と前記第1透明電極との間に反射層をさらに備える請求項1から7のいずれか1項に記載の発光構造。
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