JP2009519608A - 光学素子およびその製造方法 - Google Patents
光学素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009519608A JP2009519608A JP2008545500A JP2008545500A JP2009519608A JP 2009519608 A JP2009519608 A JP 2009519608A JP 2008545500 A JP2008545500 A JP 2008545500A JP 2008545500 A JP2008545500 A JP 2008545500A JP 2009519608 A JP2009519608 A JP 2009519608A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- nitride
- layer
- type
- contact layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 73
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 31
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 20
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 193
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 125
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 28
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 23
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910003450 rhodium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UNRNJMFGIMDYKL-UHFFFAOYSA-N aluminum copper oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Cu+2] UNRNJMFGIMDYKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N oxorhodium Chemical compound [Rh]=O SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 338
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 19
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003570 air Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- GSJBKPNSLRKRNR-UHFFFAOYSA-N $l^{2}-stannanylidenetin Chemical compound [Sn].[Sn] GSJBKPNSLRKRNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020647 Co-O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020704 Co—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- -1 gallium nitride (GaN) compound Chemical class 0.000 description 2
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910019080 Mg-H Inorganic materials 0.000 description 1
- YBXMTNGWQWZJHK-UHFFFAOYSA-N [Au].[Ni]=O Chemical compound [Au].[Ni]=O YBXMTNGWQWZJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007420 reactivation Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
光学部材と光学部材の上面および下面の少なくとも一方に積層された接触層を含む光学素子が開示されている。前記接触層は、少なくとも一層の透明導電性酸窒化物（ＴＣＯＮ）層を有する。前記透明導電性酸窒化物（ＴＣＯＮ）は、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびパラジウム（Ｐｄ）の少なくとも一種からなる。
【選択図】図１
【選択図】図１
Description
技術分野
本発明は、光学素子に関し、さらに詳細には、高効率を有する光学素子およびその製造方法に関する。
本発明は、光学素子に関し、さらに詳細には、高効率を有する光学素子およびその製造方法に関する。
背景技術
近年、透明導電性電導性薄膜は、有機および無機材料を使用した光電子分野、ディスプレイ分野およびエネルギー産業分野において様々に利用されている。発光ダイオード（ＬＥＤ）およびレーザーダイオード（ＬＤ）などを含む半導体発光素子分野では、円滑なキャリア注入および電流拡散（ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）の他にも、半導体発光素子活性層で生成された光子の放出を促進するために、電気および光学的特性を同時に有する物質でなければならない。
近年、透明導電性電導性薄膜は、有機および無機材料を使用した光電子分野、ディスプレイ分野およびエネルギー産業分野において様々に利用されている。発光ダイオード（ＬＥＤ）およびレーザーダイオード（ＬＤ）などを含む半導体発光素子分野では、円滑なキャリア注入および電流拡散（ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）の他にも、半導体発光素子活性層で生成された光子の放出を促進するために、電気および光学的特性を同時に有する物質でなければならない。
次世代照明用光源として脚光を浴びている第ＩＩＩ族元素窒化物系発光ダイオード（ＩＩＩ ｎｉｔｒｉｄｅ ＬＥＤ）と関連した国内外の多くの研究機関では、良質の発光素子用透明導電性薄膜を開発するために、盛んに研究が行われている。その結果、周知の酸化インジウムスズ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）をはじめとする様々な不純物が添加された亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの透明導電性物質は、最近、窒化物系ＬＥＤの電極として直接使用されている。
様々な透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の中で最も盛んに研究開発されている物質は、インジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）、スズ酸化物（ＳｎＯ２）、カドミウム酸化物（ＣｄＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、および酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などである。これらは、相対的に小さな仕事関数値と可視光線および紫外線光の波長領域で急激な光透過度の減少という特性を有しているから、窒化物系ＬＥＤの透明電極として利用するときには、問題が生ずる。現在、窒化物系ＬＥＤにおいて部分的に利用されている上記の物質の問題は、以下のとおりである。
第１に、従来の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）または窒化物（ＴＣＮ）は、ｐ型窒化物クラッド層の仕事関数値に比べてはるかに小さな仕事関数値を有しているから、ｐ型オーム接触層として使用する際に、界面にキャリアの流れに対する高いエネルギー障壁が形成されて、円滑な正孔注入が難しくなる。これにより、高い外部量子効率（ＥＱＥ）を有するＬＥＤを実現するのは非常に困難である。
その上、従来のＴＣＯまたはＴＣＮは、ｎ型窒化物クラッド層の表面での電気的特性と柔軟には適合しないため、ｎ型窒化物系ショットキーまたはオーム接触電極構造体として使用する際には、キャリアの流れに対して正孔の制御および注入が難しくなりうる。これにより、効果的な外部光の受光および高い外部量子効率（ＥＱＥ）を有する受光ダイオードおよびＬＥＤを実現するのに多くの難しさがある。
第２に、従来のＴＣＯまたはＴＣＮは、窒化物系ＬＥＤから生成および出射される特定の光に対しては、低い光透過度を示す。詳細には、ＴＣＯまたはＴＣＮは、青色光の波長領域以下の光に対しては、では光透過度が低く、短波長領域の光を発光するＬＥＤには適用し難い。
第３に、従来のＴＣＯまたはＴＣＮは、光ｋ屈折率が約２に近い大きな値を有しているから、ＴＣＯまたはＴＣＮを通して光を空気中に出射するのにも難しさがある。
近年、トランジスタおよび光検出器等の電子素子、並びにＬＥＤおよびレーザーダイオード（ＬＤ）等の光素子は、窒化物系半導体を利用し、幅広く市販されてきた。さらに優れた性能を有する光電子素子を実現するためには、第ＩＩＩ族窒化物系半導体と電極との間の界面特性を改善することのできる接触制御技術が極めて重要である。
窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む窒化物系半導体を利用したＬＥＤは、上部発光ＬＥＤ（ＴＥＬＥＤ）とフリップチップＬＥＤ（ＦＣＬＥＤ）とに分類される。
現在入手可能なＴＥＬＥＤでは、ｐ型窒化物系クラッド層と接触しているｐ型オーム接触層を通して、生成された光が出射する。これに対し、ＴＥＬＥＤに比べて駆動時に発生する熱発散が容易であるため、大面積および大容量のＬＥＤとして製作されているＦＣＬＥＤは、活性層で生成した光を、高反射性p型オーム接触層を利用して、透明なサファイア基板を介して発光させる。
p型窒化物系クラッド層は正孔密度が低いため、第ＩＩＩ族窒化物系半導体を利用するＬＥＤは、p型窒化物係クラッド層において四方に、p型キャリアである正孔を容易に輸送することが難しい。したがって、このようなp型窒化物系クラッド層を利用した高性能の光電子素子を得るためには、優れた電流拡散性を有する高品質のp型オーム接触層が本質的に必要である。
言い換えれば、第ＩＩＩ族窒化物系半導体を利用した高品位次世代ＬＥＤを実現するためには、横方向への電流拡散性と垂直方向への正孔注入が改善され、同時に可視光線および短波長領域の光に対する光学特性（光透過度または光反射度）に優れたp型オーム接触電極構造体が開発されなければならない。
今日最も広く利用されているＴＥＬＥＤ用p型オーム接触層は、p型窒化物系クラッド層の上部に形成された酸化ニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）を含む。電子ビーム蒸発器を用いて、p型窒化物系クラッド層の上部にＮｉ−Ａｕの薄膜層を蒸着し、このＮｉ−Ａｕ薄膜層を酸素（Ｏ２）雰囲気で熱処理し、これにより、１０−３〜１０−４Ωｃｍ２程度の特定の低いオーム接触抵抗値を有する半透明のオーム接触層を形成する。酸化Ｎｉ−Ａｕオーム接触層は、青色光の波長領域である４６０ｎｍ未満では、７５％以下の低い光透過度を有しているから、次世代窒化物系ＬＥＤ用p型オーム接触層には適していない。上記の半透明酸化Ｎｉ−Ａｕオーム接触層の低い光透過度の故に、この層を約５００℃〜６００℃の温度および酸素（Ｏ２）雰囲気下で熱処理する際、p型窒化物系クラッド層をなす窒化ガリウム（ＧａＮ）とオーム接触層をなすニッケル（Ｎｉ）金属との間の接触界面で、p型半導体酸化物である酸化ニッケル（ＮｉＯ）が島状に生成する。さらに、金（Ａｕ）金属が島状に分布している酸化ニッケル（ＮｉＯ）の上部を覆う一方で、間に入り込んでいる。特に、p型窒化物系クラッド層の上部に蒸着されたＮｉ−Ａｕ薄層を酸素（Ｏ２）雰囲気下で熱処理するときに、酸化ニッケル（ＮｉＯ）が形成される。このような酸化ニッケル（ＮｉＯ）は、窒化ガリウム（ＧａＮ）と電極との間に形成されるショットキー障壁の高さおよび幅（ＳＢＨおよびＳＢＷ）を減少させ、したがって、外部電圧を印加すると、この電極を介してキャリアが素子に容易に供給される。酸化Ｎｉ−Ａｕ薄膜層が、優れた電気的特性であるオーム性挙動を示すのは、酸化ニッケル（ＮｉＯ）がＳＢＨおよびＳＢＷを減少させることができ、かつ、金（Ａｕ）成分が横方向への電流拡散性を向上させることができるためである。
優れたＮｉ−Ａｕ薄膜層のオーム性挙動に対するメカニズムの他にも、p型窒化物係クラッド層の上部にニッケル−金薄膜層を蒸着した後に熱処理を行うと、p型窒化物系クラッド層内で実効正孔濃度を制限しているＭｇ−Ｈ金属間化合物を除去することができる。したがって、実効正孔濃度は、マグネシウムドーパント濃度を増加させる再活性化過程を通して、p型窒化物系クラッド層の表面において、１０１８／ｃｍ３を超えるレベルにまで増加させることができ、このようにして、p型窒化物系クラッド層と酸化ニッケルを含有するオーム接触層との間にトンネル輸送が起きる。したがって、p型窒化物系クラッド層は低い接触比抵抗値を伴う優れたオーム性挙動を示す。
しかしながら、酸化Ｎｉ−Ａｕを含む半透明p型オーム接触電極構造体を利用したＴＥＬＥＤは、光透過度減少させる、すなわちＬＥＤ活性層から生成された多量の光を吸収するＡｕ成分を含んでいるため、ＴＥＬＥＤは低いＥＱＥを示し、それ故にＴＥＬＥＤは、今後大面積および大容量の照明用ＬＥＤを提供するには不適当である。
最近では、ある文献［Ｔ．Ｍａｒｇａｌｉｔｈ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．７４．ｐ３９３０（１９９９）］は、このようなＴＥＬＥＤおよびＦＣＬＥＤの問題を解決するために、従来のp型オーム接触層として使用されているＮｉ−Ａｕ構造より優れた光透過度を有するＩＴＯ等の透明導電性酸化物の使用を報告している。文献［Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｖｏｌ．４７．ｐ ８４９（２００３）］は、ＩＴＯオーム接触層を利用したＴＥＬＥＤは、従来のニッケル−金構造を用いたＴＥＬＥＤと比較して、さらに向上した出力を示すことを報告している。
しかしながら、上記のＩＴＯオーム接触層を用いたオーム接触層は、ＬＥＤの出力を増大させることができるが、オーム接触層は、相対的に高い動作電圧を表すという問題点を有している。その原因は、オーム接触層はp型窒化物系半導体の仕事関数値に比べて相対的に小さな値を有しているためである。そのために、p型窒化物系クラッド層とＩＴＯオーム接触層との間の界面に高いショットキー障壁を形成して、キャリア注入が円滑に行かなくなり、これにより、多量の熱が発生し素子寿命が短くなる。
上記のように、p型窒化物系クラッド層の上部にＩＴＯおよびＺｎＯなどのようなＴＣＯを直接蒸着させると、高いＳＢＨおよび厚いＳＢＷが形成され、オーム接触層の品質を損なう。これを解決するために、最近、韓国の光州科学技術院（ＧＩＳＴ）の研究グループは、p型窒化物系クラッド層と第１のＴＣＯとの間に第２のＴＣＯ層を挿入して得られた構造を熱処理することによって得られる、大きさ１００ｎｍ以下の粒子を含む高品質のオーム接触層の試験結果を報告している。このような界面に生成されたナノ粒子は、界面で電場を誘起し、これによってＳＢＨおよびＳＢＷが低減され、かつ、この誘導された電場が、ＴＣＯ電極のショットキー性挙動をオーム性挙動に転換させる。
しかしながら、上記の技術を用いて製造された高透過度かつ高品質のp型オーム接触層およびこれを適用した垂直ＬＥＤは、発光領域が制限され、駆動時の多量の熱発散を引き起こし、そのため、p型オーム接触層は、次世代照明用光源としては不適当である。
発明の開示
本発明の目的は、高効率を有する光学素子を提供することにある。
本発明の目的は、高効率を有する光学素子を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、そのような光学素子の製造方法を提供することにある。
技術的解決方法
本発明の一実施の形態では、光学素子は、光学部材および接触層を含む。前記接触層は、前記光学部材の上面および下面の少なくとも一方に積層された少なくとも一層の透明導電性酸窒化物（ＴＣＯＮ）を含む。前記ＴＣＯＮには、インジウム（Ｉｎ）、スズスズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびパラジウム（Ｐｄ）からなる群から選ばれる少なくとも一種が、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）双方と結合されて含まれる。
本発明の一実施の形態では、光学素子は、光学部材および接触層を含む。前記接触層は、前記光学部材の上面および下面の少なくとも一方に積層された少なくとも一層の透明導電性酸窒化物（ＴＣＯＮ）を含む。前記ＴＣＯＮには、インジウム（Ｉｎ）、スズスズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびパラジウム（Ｐｄ）からなる群から選ばれる少なくとも一種が、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）双方と結合されて含まれる。
前記光学部材は、ｎ型窒化物系クラッド層、p型窒化物系クラッド層、ｎ型およびp型クラッド層の間に介在する活性層を含む。また、前記接触層は、前記ｎ型窒化物系クラッド層上に形成されたｎ型接触層および前記p型窒化物系クラッド層上に形成されたp型接触層の少なくとも一方を含む。
本発明の別の実施の形態による光学素子の製造方法は、光学部材を形成する工程と、前記光学部材の上面および下面の少なくとも一方の上に、少なくとも一層の透明導電性酸窒化物（ＴＣＯＮ）を積層することにより接触層を形成する工程と、を含む。ＴＣＯＮには、インジウム（Ｉｎ）、スズスズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびパラジウム（Ｐｄ）からなる群から選ばれる少なくとも一種が酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）双方と結合して含まれる。
上記製造方法は、接触層が形成された後、光学部材を熱処理する工程をさらに含む。また、熱処理工程は、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、空気、アルゴン（Ａｒ）、およびヘリウム（Ｈｅ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む雰囲気で約１００℃〜約８００℃で約１０秒〜約３時間行う。
有利な効果
本発明によれば、透明導電性酸窒化物（ＴＣＯＮ）を使用して、オーム接触特性を改善することによって、高効率の光学素子を得ることができる。
本発明によれば、透明導電性酸窒化物（ＴＣＯＮ）を使用して、オーム接触特性を改善することによって、高効率の光学素子を得ることができる。
図面の簡単な説明
図１は、本発明の第１の実施の形態による多重p型オーム接触電極構造を有する上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）の断面図である。
図１は、本発明の第１の実施の形態による多重p型オーム接触電極構造を有する上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）の断面図である。
図２は、本発明の第２の実施の形態による多重p型オーム接触電極構造を有する上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）の断面図である。
図３は、本発明の第３の実施の形態による多重p型オーム接触電極構造を有する上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）の断面図である。
図４は、本発明の第４の実施の形態による多重p型オーム接触電極構造を有する上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）の断面図である。
図５〜図８は、図１〜図４に示すp型窒化物系クラッド層上に形成される多重p型オーム接触電極構造の多様な積層構造を示す断面図である。
図９〜図１２は、ｎｍサイズの粒子を導入させた後に、図１〜図４に示すp型窒化物系クラッド層上に粒子形成される多重p型オーム接触層の多様な積層構造を示す断面図である。
図１３は、本発明の第５の実施の形態によるｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層の構造を示す断面図である。
図１４は、本発明の第６の実施の形態によるｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層の構造を示す断面図である。
図１５は、本発明の第７の実施の形態によるｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型オーム接触層の構造を示す断面図である。
図１６は、本発明の第８の実施の形態によるｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型オーム接触層の構造を示す断面図である。
図１７〜図２０は、図１３〜図１６に示すｎ型窒化物系クラッド層上に形成される、透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層およびオーム接触層の多様な積層構造を示す断面図である。
図２１〜図２４は、図１３〜図１６に示すｎ型窒化物系クラッド層上にｎｍサイズの粒子を導入した後に形成される、透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層およびオーム接触層の多様な積層構造を示す断面図である。
図２５は、本発明の第９の実施の形態による、ｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型オーム接触層を含むＬＥＤを示す断面図である。
図２６は、本発明の第１０の実施の形態による、ｎ型窒化物系クラッド層の上部に形成された透明性の高い多重ｎ型オーム接触層を含む第ＩＩＩ族窒化物系ＬＥＤを示す断面図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、添付の図面を参照して、本発明の具体的な実施の形態を説明する。以下の説明で、同じ構造および機能を有する要素は、同一の参照符号を付する。
以下、添付の図面を参照して、本発明の具体的な実施の形態を説明する。以下の説明で、同じ構造および機能を有する要素は、同一の参照符号を付する。
図１は、本発明の第１の実施の形態による多重p型オーム接触電極構造を有する上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）の断面図であり、図２は、本発明の第２の実施の形態による多重p型オーム接触電極構造を有する上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）の断面図である。
詳細に説明すると、図１は、絶縁性成長基板であるサファイア基板１０の上に積層／成長された第ＩＩＩ族窒化物系上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）を示し、図２は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ケイ素（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、または、電気めっきまたはボンディングトランスファー（ｂｏｎｄｉｎｇ ｔｒａｎｓｆｅｒ）法によって形成された銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属若しくは合金を含む導電性基板上に形成された、第ＩＩＩ族窒化物系上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）を示す。
図１および図２に示すように、第ＩＩＩ族窒化物系上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）は、基板１０、低温核生成層２０、窒化物系バッファ層３０、ｎ型窒化物系クラッド層４０、窒化物系活性層５０、p型窒化物系クラッド層６０、多重p型オーム接触層７０を順次積層して含む。参照符号８０および９０は、それぞれp型電極パッドおよびｎ型電極パッドである。ここで、基板１０からp型窒化物系クラッド層６０までが発光構造に該当し、p型窒化物系クラッド層６０の上に積層された構造はp型電極構造に該当する。
基板１０は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ケイ素（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、または電気めっき／ボンディングトランスファー（ｂｏｎｄｉｎｇ ｔｒａｎｓｆｅｒ）法によって形成される銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属若しくは合金からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む。
低温核生成層２０は、７００℃以下の低温で形成された非晶質窒化ガリウム（ＧａＮ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む。低温核生成層２０は省略することができる。窒化物系バッファ層３０からp型窒化物系クラッド層６０までの各層は、第ＩＩＩ族窒化物系化合物の一般式であるＡｌｘＩｎｙＧａｚＮ（ｘ、ｙおよびｚは整数）で表される化合物の一種を基本的に含む。ｎ型窒化物系クラッド層４０およびp型窒化物系クラッド層６０には、ｎ型およびｐ型の該当するドーパントがそれぞれ添加される。
さらに、窒化物系活性層５０は、単層、多重量子井戸（ｍｕｌｔｉ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）構造、多重量子ドット（ｍｕｌｔｉ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ、多重量子ワイヤ（ｍｕｌｔｉ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｉｒｅ）およびまたは多重量子ドット、ワイヤおよび井戸の混合の形態で構成しうる。一例として、窒化ガリウム（ＧａＮ）化合物を使用する場合には、窒化物系バッファ層３０は、ＧａＮを含み、ｎ型窒化物系クラッド層４０には、ＧａＮおよびこれにｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅなどが添加されて含まれ、窒化物系活性層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ ＭＱＷ構造またはＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＭＱＷ構造を含む。加えて、p型窒化物系クラッド層６０には、ＧａＮおよびこれにp型ドーパントとしてＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどが添加されて含まれる。
ｎ型窒化物系クラッド層４０とｎ型電極パッド９０との間には、ｎ型オーム接触層（図示せず）が介在しうる。ｎ型オーム接触層は、様々な構造をとってよい。例えば、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）が積層された構造を有する。
前記ｐ型多重オーム接触層７０は、p型窒化物系クラッド層６０の上に少なくとも一層のＴＣＯＮが蒸着されることにより、形成することができる。ＴＣＯＮは、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびパラジウム（Ｐｄ）からなる群から選ばれた少なくとも一種を含み、これは酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）双方が結合している。
好ましくは、ＴＣＯＮは、電気的特性を調節するために、他の金属成分をドーパントとしてさらに含んでもよい。本発明の実施態様では、元素周期律表上で金属に分類される化学元素がＴＣＯＮにドーパントとして使用できる。ドーパントとしてフッ素（Ｆ）および硫黄（Ｓ）も用い得る。好ましくは、ドーパントは、ＴＣＯＮに対して、０．００１〜２０ｗｔ％で添加される。
p型多重オーム接触層７０は、ＴＣＯＮの他にも、さらに、金属、金属を母体とする合金／固溶体、導電性酸化物、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、および透明導電性窒化物（ＴＣＮ）を含んでもよく、これらは、積層順序とは無関係にp型窒化物系クラッド層６０の上にオーム接触電極を形成するのに有利である。
前記金属は、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）および希土類金属が含まれる。加えて、前記合金／固溶体には、上記の金属を母体とする合金／固溶体が含まれ得る。
上記の導電性酸化物は、酸化ニッケル（Ｎｉ−Ｏ）、酸化ロジウム（Ｒｈ−Ｏ）、酸化ルテニウム（Ｒｕ−Ｏ）、酸化イリジウム（Ｉｒ−Ｏ）、酸化（Ｃｕ−Ｏ）、酸化コバルト（Ｃｏ−Ｏ）、酸化タングステン（Ｗ−Ｏ）、または酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）を含む。
前記ＴＣＯには、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、マグネシウム亜鉛酸化物（ＭｇＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩｎＳｎＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ２）、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、亜鉛スズ酸化物（ＺｎＳｎＯ）、亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）、または上記ＴＣＯに結合した他の酸化物が含まれる。
前記ＴＣＮには、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）または窒化ニオブ（ＮｂＮ）が含まれる。
酸化物および窒化物の電気的特性を向上させるために、酸化物および窒化物にドーパントとして第３の物質を添加することができる。
多重p型オーム接触層７０は、約１ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有することが好ましい。加えて、多重p型オーム接触層７０は、約２０℃〜約１５００℃の温度下で蒸着される。この際、多重p型オーム接触層７０が蒸着される蒸着器内の圧力は、約１０〜１２ｔｏｒｒの範囲である。
多重p型オーム接触層７０を形成した後には、熱処理（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）工程を経ることが好ましい。熱処理は、反応器内の温度を約１００℃〜約８００℃とし、真空またはガス雰囲気下で１０秒〜３時間行う。多重p型オーム接触層７０の熱処理中に、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素および空気のうち、少なくとも一種が反応器内に導入される。
p型電極パッド８０は、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）／金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）／金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）、またはクロム（Ｃｒ）／金（Ａｕ）の積層構造を有している。
第ＩＩＩ族窒化物系発光ダイオードの各層の形成方法は、電子ビーム若しくは熱蒸発、レーザー光源を利用したＰＬＤ（ｐｕｌｓｅｄ ｌａｓｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二重型熱蒸発（ｄｕａｌ ｔｙｐｅ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）スパッタリングなどの物理蒸着法（ＰＶＤ）または、電気めっき、金属有機気体堆積法（ｍｅｔａｌ ｏｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の化学反応を利用する化学蒸着法（ＣＶＤ）を用い得る。
図３は、本発明の第３の実施の形態による多重p型オーム接触電極構造が適用された上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）の断面図であり、図４は、本発明の第４の実施の形態による多重p型オーム接触電極構造が適用された上部発光型発光ダイオードの断面図である。
詳細に説明すると、図３は、絶縁性成長基板であるサファイア基板１０の上に積層／成長された第ＩＩＩ族窒化物系上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）を示し、図４は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、ケイ素（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、または電気めっき／ボンディングトランスファー法によって形成される金属（Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等）または合金を含む導電性を有する基板上に形成された第ＩＩＩ族窒化物系上部発光型発光ダイオード（ＴＥＬＥＤ）を示す。
本発明の第１および第２の実施形態とは異なり、第３および第４の実施形態では、多重p型オーム接触層７０を形成する前に、p型窒化物系クラッド層６０上にトンネル接合層１００を形成した積層構造を提供する。上記のトンネル接合層１００を除くと、第３の実施の形態は、第１の実施の形態に対応し、第４の実施の形態は、第２の実施の形態に対応する。したがって、対応する部分において重複する要素についての詳細説明は省略する。
前記トンネル接合層１００は、第ＩＩＩ〜Ｖ族元素からなるＡｌａＩｎｂＧａｃＮｘＰｙＡｓｚ（ａ、ｂ、ｃ、ｘ、ｙおよびｚは整数）で表される化合物の中から選択される一種を基本として含む。トンネル接合層は、５０ｎｍ以下の厚さを有する単層の形態で準備される。好ましくは、トンネル接合層１００は、二層、三層、または多層で形成される。
または、トンネル接合層１００は、超格子構造を有していてもよい。例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＡｌＩｎＮ／ＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ／ＧａＮ、またはＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓなどの第ＩＩＩ〜Ｖ族元素が薄い積層構造の形態で最大３０対まで繰り返し積層されてもよい。
トンネル接合層１００は、第ＩＩ族元素（Ｍｇ、ＢｅおよびＺｎ）または第ＩＶ族元素（Ｓｉおよび、Ｇｅ）が添加された単結晶、多結晶、または非晶質を含んでもよい。
図３および図４に示すように、第ＩＩＩ族窒化物系ＴＥＬＥＤは、低温核生成層２０、窒化物系バッファ層３０、ｎ型窒化物系クラッド層４０、窒化物系活性層５０、p型窒化物系クラッド層６０、多重p型オーム接触層７０、およびトンネル接合層１００が順次積層された、基板１０を含む。参照符号８０および９０は、p型電極パッドおよびｎ型電極パッドをそれぞれ表している。
ここで、基板１０からp型窒化物系クラッド層６０までが発光構造に該当し、p型窒化物系クラッド層６０の上に積層された構造は多重p型電極構造に該当する。低温核生成層２０、窒化物系バッファ層３０、ｎ型窒化物系クラッド層４０、窒化物系活性層５０、p型窒化物系クラッド層６０、多重p型オーム接触層７０の材質および製造方法は、第１および第２の実施の形態のものと同一である。
図５〜図８は、図１〜図４に示すp型窒化物系クラッド層上に形成される多重p型オーム接触層の多様な積層構造を示す断面図である。
本発明の多重p型オーム接触層７０は、酸素（Ｏ２）と窒素（Ｎ２）とが同時に結合して生成されたＴＣＯＮ層を少なくとも一層含む。好ましくは、多重p型オーム接触層７０は、単層、二層、または多層で準備される。
例えば、図５に示すように、多重p型オーム接触層７０は、ＴＣＯＮを含む単層７０ａとして準備することもできる。さらに、図６〜図８に示すように、積層順序とは無関係に、金属、合金、固溶体、導電性酸化物、ＴＣＯおよびＴＣＮを含む多層７０ａ、７０ｂ、７０ｃおよび７０ｄとして準備することもできる。
図９〜図１２は、ｎｍサイズの粒子を導入した後、図１〜図４に示すp型窒化物系クラッド層上に形成された多重p型オーム接触層の多様な積層構造を示す断面図である。
本発明で適用される多重p型オーム接触層７０をp型窒化物系クラッド層６０上に形成する前に、ｎｍサイズの粒子をｐ型窒化物系クラッド層６０上に形成する。ここで、ナノサイズの粒子は、金属、合金、固溶体、一般導電性酸化物、ＴＣＯ、ＴＣＮ、またはＴＣＯＮを含み、これらはp型窒化物系クラッド層６０と多重p型オーム接触層７０との間の界面でキャリアの電荷輸送を調節するショットキー障壁の高さおよび幅を制御することができる。上記のように多重p型オーム接触層７０は、酸素（Ｏ２）と窒素（Ｎ２）が同時に結合した少なくともＴＣＯＮを一層含む。多重p型オーム接触層７０は、単層、二層または多層の形態で準備することが好ましい。
例えば、図９に示すように、多重p型オーム接触層７０は、ＴＣＯＮを含む単層７０ａとして準備することができる。さらに、図１０〜図１２に示すように、多重p型オーム接触層７０は、積層順序とは無関係に、金属、合金、固溶体、導電性酸化物、ＴＣＯ、またはＴＣＮを含む多層７０ａ、７０ｂ、７０ｃおよび７０ｄの形態で準備することもできる。
具体的には、多重p型オーム接触層７０は、以下を積層して準備することができる。すなわち、ニッケル（Ｎｉ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；ルテニウム（Ｒｕ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；イリジウム（Ｉｒ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；酸化ニッケル（Ｎｉ−Ｏ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；酸化ルテニウム（Ｒｕ−Ｏ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；酸化イリジウム（Ｉｒ−Ｏ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；ニッケル（Ｎｉ）／銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；ルテニウム（Ｒｕ）／銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；イリジウム（Ｉｒ）／銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；酸化ニッケル（Ｎｉ−Ｏ）／銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；酸化ルテニウム（Ｒｕ−Ｏ）／銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；酸化イリジウム（Ｉｒ−Ｏ）／銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）／インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）；インジウムスズ酸窒化物（ＩＴＯＮ）または酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）／酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）である。
図１３は、本発明の第５の実施の形態による、ｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層の構造を示す断面図で、図１４は、本発明の第６の実施の形態による、ｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層の構造を示す断面図である。
詳細には、図１３は、ｎ型窒化物系クラッド層２１０上に直接積層された透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０を示し、図１４は、ｎ型窒化物系クラッド層上に、透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０を形成する前に、トンネル接合層２３０を介在させた透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０を示す。
図１３および図１４に示すように、ｎ型窒化物系クラッド層２１０は、第ＩＩＩ族窒化物系化合物の一般式であるＡｌｘＩｎｙＧａｚＮ（ｘ、ｙおよびｚは整数）から選択された一種を基本的に含む。ｎ型窒化物系クラッド層２１０には、第ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、およびＴｅなどのドーパントが単独でまたは同時にｎ型窒化物系クラッド層２１０に添加される。
透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０は、ｎ型窒化物系クラッド層２１０上に少なくとも一層のＴＣＯＮ層を含む。
前記ＴＣＯＮは、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）双方が結合した、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびパラジウム（Ｐｄ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を主に含む。
好ましくは、ＴＣＯＮは、電気的特性を調節するために、他の金属成分をドーパントとしてさらに含んでもよい。本実施の形態によれば、元素周期律表上において金属に分類される化学元素がＴＣＯＮとして使用できる。フッ素（Ｆ）および硫黄（Ｓ）もドーパントとして使用できる。好ましくは、ドーパントはＴＣＯＮに対して０．００１〜２０ｗｔ％で添加される。
ＴＣＯＮに加えて、上記の透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０は、金属、金属を母体とする合金／固溶体、導電性酸化物、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、および透明導電性窒化物（ＴＣＮ）をさらに含んでもよく、これらは、積層順序とは無関係に、ｎ型窒化物系クラッド層２１０上にショットキー接触界面を形成するのに有利である。
前記金属は白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）または希土類金属を含む。加えて、前記金属を母体とする合金／固溶体には、上記の金属を母体とする合金／固溶体が含まれうる。
前記導電性酸化物には、酸化ニッケル（Ｎｉ−Ｏ）、酸化ロジウム（Ｒｈ−Ｏ）、酸化ルテニウム（Ｒｕ−Ｏ）、酸化イリジウム（Ｉｒ−Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ−Ｏ）、酸化コバルト（Ｃｏ−Ｏ）、酸化タングステン（Ｗ−Ｏ）、または酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）が含まれる。
前記ＴＣＯには、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、マグネシウム亜鉛酸化物（ＭｇＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩｎＳｎＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ２）、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、亜鉛スズ酸化物（ＺｎＳｎＯ）、亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）、または上記ＴＣＯが結合した他の酸化物が含まれる。
前記ＴＣＮには、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、または窒化ニオブ（ＮｂＮ）が含まれる。
上記の酸化物および窒化物に、これらの酸化物及び窒化物の電気的特性を向上させるために、第３の物質をドーパントとして添加することができる。
透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０は、約１ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有することが好ましい。さらに、透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０は、約２０℃〜約１５００℃の温度下で蒸着される。同時に、透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０が蒸着される蒸着器内の圧力は、約１０〜約１２ｔｏｒｒの範囲である。
透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０を形成した後には、熱処理工程を経ることが好ましい。熱処理は、反応器内の温度を約１００℃〜約８００℃とし、真空またはガス雰囲気下で１０秒〜３時間行う。熱処理工程中に、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素および空気の少なくとも一種が反応器内に供給される。
図１４に示す実施の形態において、トンネル接合層２３０は、第ＩＩＩ〜Ｖ族元素からなるＡｌａＩｎｂＧａｃＮｘＰｙＡｓｚ（ａ、ｂ、ｃ、ｘ、ｙおよびｚは整数）で表される化合物の中から選択された一種を基本として含む。トンネル接合層２３０は、５０ｎｍ以下の厚さを有する単層の形態で準備し得る。好ましくは、トンネル接合層２３０は、二層、三層、または多層の形態で準備される。
トンネル接合層２３０は、超格子構造を有していてもよい。例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＡｌＩｎＮ／ＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ／ＧａＮ、またはＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓなどの薄い積層形態で、第ＩＩＩ〜Ｖ族元素を最大３０対まで繰り返し積層することができる。同時に、トンネル接合層２３０の各層は、第ＩＩ族元素（Ｍｇ、ＢｅおよびＺｎ）または第ＩＶ族元素（ＳｉおよびＧｅ）が添加された、単結晶、多結晶、または非晶質の形態で準備することができる。
さらに、各層は、電子ビーム若しくは熱蒸着、レーザー光源を用いたＰＬＤ、二重型熱蒸着若しくはスパッタリングなどの物理蒸着法、または、電気めっき、金属有機気体堆積法等の化学反応を利用する化学蒸着法により形成することができる。
図１５は、本発明の第７の実施の形態によるｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型オーム接触層の構造を示す断面図であり、図１６は、本発明の第８の実施の形態によってｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型オーム接触層の構造を示す断面図である。
詳細に説明すると、図１５は、ｎ型窒化物系クラッド層３６０上に直接積層された透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０を示し、図１６は、ｎ型窒化物系クラッド層上に、透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０を形成する前に、トンネル接合層３８０をその間に介在させた透明性の高い多重ｎ型オーム接触層を示している。
第７の実施の形態は、第５の実施の形態に対応し、第８の実施の形態は、第６の実施の形態に対応する。したがって、同一の要素についての詳細説明は重複するため省略する。
図１５および図１６に示すように、ｎ型窒化物系クラッド層３６０は、第ＩＩＩ族窒化物系化合物の一般式であるＡｌｘＩｎｙＧａｚＮ（ｘ、ｙおよびｚは整数）で表される化合物から選択された一種を基本として含む。第ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、およびＴｅなどのドーパントがｎ型窒化物系クラッド層３６０に単独または同時に添加される。
透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０は、ｎ型窒化物系クラッド層３６０上に少なくとも一層のＴＣＯＮ層を蒸着することで形成される。
前記ＴＣＯＮ成分または前記ＴＣＯＮの電気的特性を調節するために添加されるドーパントは、第５および第６の実施の形態のものと同一である。
一方、上記の透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０は、ＴＣＯＮの他にも、ｎ型窒化物系クラッド層３６０上でオーム性接触電極を形成するのに有利な、金属、金属を母体とする合金／固溶体、導電性酸化物、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、および透明導電性窒化物（ＴＣＮ）を積層順序とは無関係に含んでもよい。金属、金属を母体とする合金／固溶体、導電性酸化物、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、および透明導電性窒化物（ＴＣＮ）の成分は、第５および第６の実施の形態のものと同一である。上記の酸化物および窒化物に、これら酸化物および窒化物の電気的特性を向上させるために、第３の物質をドーパントとして添加することができる。
透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０は、約１ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有することが好ましい。さらに、透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０は、約２０℃〜約１５００℃の温度下で蒸着される。同時に、透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０が蒸着される蒸着器内の圧力は、約１０ｔｏｒｒ〜約１２ｔｏｒｒの範囲である。
透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０を形成した後には、熱処理工程を経ることが好ましい。熱処理は、反応器内の温度を約１００℃〜約８００℃とし、真空またはガス雰囲気下で１０秒〜３時間行う。熱処理工程中に窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素および空気の少なくとも一種が反応器内に供給される。
図１６に示す実施の形態において、トンネル接合層３８０は、第ＩＩＩ〜Ｖ族元素からなるＡｌａＩｎｂＧａｃＮｘＰｙＡｓｚ（ａ、ｂ、ｃ、ｘ、ｙおよびｚは整数）で表される化合物から選択される一種を基本として含む。トンネル接合層３８０は、単層または多層で準備し得る。さらに、トンネル接合層３８０は超格子構造を有していてもよい。
トンネル接合層３８０の各層は、電子ビーム若しくは熱蒸着、レーザー光源を利用したＰＬＤ、二重型熱蒸着若しくはスパッタリングなどの物理蒸着法、または、電気めっき若しくは金属有機気体堆積法等の化学反応を利用する化学蒸着法により形成することができる。
図１７〜図２０は、図１３〜図１６に示すｎ型窒化物系クラッド層上に形成される透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層およびオーム接触層の多様な積層構造を示す断面図である。
図１７〜図２０に示すように、ｎ型窒化物系クラッド層２１０上に形成される透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０は、少なくともＴＣＯＮを一層含む単層２２０ａ、二層２２０ａおよび２２０ｂ、または、多層２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃおよび２２０ｄの形態に準備することができる。図１７〜図２０に示す透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０の機能および構造は、透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０に対しても同様に適用される。
図２１〜図２４は、図１３〜図１６に示すｎ型窒化物系クラッド層上に、ｎｍサイズの粒子を導入した後に、ｎ型窒化物系クラッド層上に形成される透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層およびオーム接触層の多様な積層構造を示す断面図である。
図２１〜図２４を参照すると、ｎ型窒化物系クラッド層２１０上に透明性の高い多重ｎ型窒化物系ショットキー接触層２２０を形成する前に、キャリアの電荷輸送に対する大きな影響を及ぼす界面特性であるショットキー障壁の高さおよび幅を調節できるｎｍサイズの粒子２５０が導入される。ナノサイズの粒子２５０は、金属、合金、固溶体、導電性酸化物、ＴＣＯ、ＴＣＮ、またはＴＣＯＮから含まれ、これらは、ｎ型窒化物系クラッド層２１０と透明性の高い多重ｎ型窒化物系ショットキー接触層２２０との間の界面でキャリアの電荷輸送を調節するショットキー障壁の高さおよび幅を調節できる。そこで、酸素（Ｏ２）と窒素（Ｎ２）双方がナノサイズ粒子２５０に結合し、これにより、ＴＣＯＮ層を少なくとも一層含む、単層２２０ａ、二層２２０ａおよび２２０ｂ、または多層２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃおよび２２０ｄが形成される。図２１〜図２４に示す透明性の高い多重ｎ型ショットキー接触層２２０の機能および構造は、透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０にも同様に適用される。
図２５は、本発明の第９の実施の形態によるｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型オーム接触層を含むＬＥＤを示す断面図であり、図２６は、本発明の第１０の実施の形態によるｎ型窒化物系クラッド層上に形成された透明性の高い多重ｎ型オーム接触層を含む第ＩＩＩ族窒化物系ＬＥＤを示す断面図である。
詳細に説明すると、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ケイ素（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、または電気めっき／ボンディングトランスファー法によって形成される銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）若しくはアルミニウム（Ａｌ）若しくは合金を含む導電性基板上形成した垂直型ＬＥＤの構造を示した断面図である。
図２５および図２６に示すように、ＬＥＤは、結合材層３２０、高反射多重p型オーム接触層３３０、p型窒化物系クラッド層３４０、窒化物系活性層３５０、ｎ型窒化物系クラッド層３６０、透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０が順次形成された導電性基板３１０を含む。参照符号３８０および３７０は、それぞれ、オーム接触層２４０の特性を向上させるために導入されたトンネル接合層およびｎ型電極パッドである。
導電性基板３１０は、ケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、または電気めっき／ボンディングトランスファー法によって形成される、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属または合金からなる群から選ばれる一種を含む。
ｎ型窒化物系クラッド層３６０からp型窒化物系クラッド層３４０までの各層は、第ＩＩＩ族窒化物系化合物の一般式であるＡｌｘＩｎｙＧａｚＮ（ｘ、ｙおよびｚは整数）で表される化合物の中から選択された少なくとも一種を基本として含む。ｎ型窒化物系クラッド層３６０およびp型窒化物系クラッド層３４０には、ドーパントが添加される。また、窒化物系活性層３５０は、単層、多重量子井戸（ＭＱＷ）、多重量子ドット、多重量子ワイヤ、または多重量子ドット、ワイヤおよびＭＱＷの混合構造の形態で構成することができる。
例えば、ｎ型窒化物系クラッド層３６０は、ＧａＮにｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅなどを添加して形成することができる。活性層３５０は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ ＭＱＷ構造またはＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＭＱＷ構造の形態で準備することができ、p型窒化物系クラッド層３４０は、ＧａＮにp型ドーパントとしてＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを添加して形成することができる。
透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０は、ｎ型窒化物系クラッド層３６０上に少なくとも一層のＴＣＯＮ層を蒸着することにより形成される。ＴＣＯＮは、主として金属並びにＴＣＯＮに必ず結合した酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）で構成される。ＴＣＯＮは、電気的特性を調節するためにドーパントが添加されうる。
ＴＣＯＮに加えて、透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０は、金属、金属を母体とする合金／固溶体、導電性酸化物、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、および透明導電性窒化物（ＴＣＮ）をさらに含んでもよく、これらは、積層順序とは無関係にｎ型窒化物系クラッド層３６０上でオーム性接触電極を形成するのに有利である。
ＴＣＯＮの主成分となる金属、ドーパントの成分および比率、並びに金属／合金／固溶体／導電性酸化物／透明導電性酸化物／透明導電性窒化物構造は、第７の実施の形態のものと同様である。
透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０は、約１ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有していることが好ましい。また、透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０は、約２０℃〜約１５００℃の温度下で蒸着される。同時に、透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０が蒸着される蒸着器内の圧力は、約１０ｔｏｒｒ〜１２ｔｏｒｒの範囲内である。
透明性の高い多重ｎ型オーム接触層２４０を形成した後には、熱処理工程を経ることが好ましい。熱処理は、反応器内の温度を約１００℃〜約８００℃とし、真空またはガス雰囲気で１０秒〜３時間行う。熱処理の間には、反応器内に窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素、および空気の少なくとも一種が導入される。
ｎ型電極パッド３７０は、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）／金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）／金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）、またはクロム（Ｃｒ）／金（Ａｕ）などが順次積層された層構造が適用されうる。
ＬＥＤの各層は、の形成方法は、電子ビームまたは熱蒸着、レーザー光源を利用したＰＬＤ、二重型の熱蒸着、スパッタリングなどの物理蒸着法（ＰＶＤ）、または、電気めっき、金属有機気体堆積法等の化学反応を利用する化学蒸着法（ＣＶＤ）により形成される。
（産業上利用可能性）
上記説明したように、本発明の実施の形態による光学素子は、受光素子、発光素子、発光ダイオード、有機電界発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、太陽電池等のような多様な装置に使用されうる。
上記説明したように、本発明の実施の形態による光学素子は、受光素子、発光素子、発光ダイオード、有機電界発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、太陽電池等のような多様な装置に使用されうる。
１０ 基板、
２０ 低温核生成層、
３０ 窒化物系バッファ層、
４０ ｎ型窒化物系クラッド層、
５０ 窒化物系活性層、
６０ ｐ型窒化物系クラッド層、
７０、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ 多重ｐ型窒化物系クラッド層、
８０ ｐ型電極パッド、
９０ ｎ型電極パッド、
１００ トンネル接合層、
２１０ ｎ型窒化物系クラッド層、
２２０、２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、２２０ｄ、 透明性の高い多重ｎ型ショットキー接合層、
２３０ トンネル接合層、
２４０ 透明性の高い多重ｎ型オーム接触層、
２５０ 粒子、
３１０ 導電性基板、
３２０ 接合材層、
３３０ 高反射多重ｐ型オーム接触層、
３４０ ｐ型窒化物系クラッド層、
３５０ 活性層、
３６０ ｎ型窒化物系クラッド層
３８０ トンネル接合層。
２０ 低温核生成層、
３０ 窒化物系バッファ層、
４０ ｎ型窒化物系クラッド層、
５０ 窒化物系活性層、
６０ ｐ型窒化物系クラッド層、
７０、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ 多重ｐ型窒化物系クラッド層、
８０ ｐ型電極パッド、
９０ ｎ型電極パッド、
１００ トンネル接合層、
２１０ ｎ型窒化物系クラッド層、
２２０、２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、２２０ｄ、 透明性の高い多重ｎ型ショットキー接合層、
２３０ トンネル接合層、
２４０ 透明性の高い多重ｎ型オーム接触層、
２５０ 粒子、
３１０ 導電性基板、
３２０ 接合材層、
３３０ 高反射多重ｐ型オーム接触層、
３４０ ｐ型窒化物系クラッド層、
３５０ 活性層、
３６０ ｎ型窒化物系クラッド層
３８０ トンネル接合層。
Claims (20)
- 光学素子であって、
光学部材と、
前記光学部材の上面および下面の少なくとも一方に積層された少なくとも一層の透明導電性酸窒化物（ＴＣＯＮ）層を含む接触層とを含み、
前記ＴＣＯＮには、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびパラジウム（Ｐｄ）からなる群から選ばれる少なくとも一種が酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）双方が結合して含まれることを特徴とする光学素子。 - 前記光学部材は、ｎ型窒化物系クラッド層、p型窒化物系クラッド層、および前記ｎ型窒化物系クラッド層とp型窒化物系クラッド層との間に介在する活性層を含むことを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
- 前記接触層は、前記ｎ型窒化物系クラッド層上に形成されたｎ型接触層および前記p型窒化物系クラッド層上に形成されたp型接触層の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項２に記載の光学素子。
- 前記ＴＣＯＮは、電気的特性を調節するためのドーパントをさらに含み、前記ドーパントは、金属、フッ素（Ｆ）および硫黄（Ｓ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
- 前記ドーパントが、前記ＴＣＯＮに対して約０．００１〜約２０ｗｔ％の比率で添加されていることを特徴とする請求項４に記載の光学素子。
- 前記接触層は、前記ＴＣＯＮに結合される、金属、金属を母体とする合金／固溶体、導電性酸化物、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、および透明導電性窒化物（ＴＣＮ）のうち、少なくとも一種をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
- 前記金属は、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）、および希土類金属からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、
前記導電性酸化物は、酸化ニッケル（Ｎｉ−Ｏ）、酸化ロジウム（Ｒｈ−Ｏ）、酸化ルテニウム（Ｒｕ−Ｏ）、酸化イリジウム（Ｉｒ−Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ−Ｏ）、酸化コバルト（Ｃｏ−Ｏ）、酸化タングステン（Ｗ−Ｏ）、および酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）からなる 群から選ばれる少なくとも一種を含み、
前記ＴＣＯは、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、マグネシウム亜鉛酸化物（ＭｇＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩｎＳｎＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ２）、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、亜鉛スズ酸化物（ＺｎＳｎＯ）、および亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、
前記ＴＣＮは、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、および窒化ニオブ（ＮｂＮ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項６に記載の光学素子。 - 前記接触層に接続されて前記窒化物系クラッド層上に導入されるナノサイズの粒子をさらに含み、前記ナノサイズの粒子は、金属、金属を母体とする合金／固溶体、導電性酸化物、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、および透明導電性窒化物（ＴＣＮ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項７に記載の光学素子。
- 前記光学部材と前記接触層との間に介在し、第ＩＩＩ〜Ｖ族元素からなるＡｌａＩｎｂＧａｃＮｘＰｙＡｓｚ（ａ、ｂ、ｃ、ｘ、ｙおよびｚは整数）で表される化合物から選択される一種を含むトンネル接合層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
- 前記光学部材が、受光素子、発光素子、発光ダイオード、有機電界発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、および太陽電池のうち、何れか一つに使用されることを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
- 光学素子を製造する方法であって、
光学部材を形成する工程と、
前記光学部材の上面および下面の少なくとも一方に、少なくとも一層の透明導電性酸窒化物（ＴＣＯＮ）を積層することにより接触層を形成する工程と、を含み、
前記ＴＣＯＮには、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびパラジウム（Ｐｄ）からなる群から選ばれる少なくとも一種が、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）双方が結合して含まれることを特徴とする光学素子の製造方法。 - 前記光学部材は、ｎ型窒化物系クラッド層、p型窒化物系クラッド層、および前記ｎ型窒化物系クラッド層とp型窒化物系クラッド層との間に介在する活性層を含むことを特徴とする請求項１１に記載の光学素子の製造方法。
- 前記接触層は、前記ｎ型窒化物系クラッド層上に形成されたｎ型接触層および前記p型窒化物系クラッド層上に形成されたp型接触層の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１２に記載の光学素子の製造方法。
- 前記ＴＣＯＮは、電気的特性を調節するためのドーパントをさらに含み、前記ドーパントは、金属、フッ素（Ｆ）および硫黄（Ｓ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１１に記載の光学素子の製造方法。
- 前記ドーパントは、前記ＴＣＯＮに対して、約０．００１〜約２０ｗｔ％の比率で添加されることを特徴とする請求項１４に記載の光学素子の製造方法。
- 前記接触層は、前記ＴＣＯＮ層に結合される、金属、金属を母体とする合金／固溶体、導電性酸化物、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、および透明導電性窒化物（ＴＣＮ）からなる群から選ばれる少なくとも一種をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の光学素子の製造方法。
- 前記金属は、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）、および希土類金属からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、
前記導電性酸化物は、酸化ニッケル（Ｎｉ−Ｏ）、酸化ロジウム（Ｒｈ−Ｏ）、酸化ルテニウム（Ｒｕ−Ｏ）、酸化イリジウム（Ｉｒ−Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ−Ｏ）、酸化コバルト（Ｃｏ−Ｏ）、酸化タングステン（Ｗ−Ｏ）、および酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、
前記ＴＣＯは、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、マグネシウム亜鉛酸化物（ＭｇＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩｎＳｎＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ２）、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、亜鉛スズ酸化物（ＺｎＳｎＯ）、および亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、
前記ＴＣＮは、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、および窒化ニオブ（ＮｂＮ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１６に記載の光学素子の製造方法。 - 前記接触層に接続されて前記窒化物系クラッド層上にナノサイズの粒子が導入され、前記ナノサイズの粒子は、金属、金属を母体とする合金／固溶体、導電性酸化物、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、および透明導電性窒化物（ＴＣＮ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１７に記載の光学素子の製造方法。
- 前記接触層を形成する工程後に、熱処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の光学素子の製造方法。
- 前記熱処理する工程は、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、空気、アルゴン（Ａｒ）、およびヘリウム（Ｈｅ）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む雰囲気下で、約１００℃〜約８００℃の温度下、１０秒〜３時間行うことを特徴とする請求項１９に記載の光学素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2005-0124258 | 2005-12-16 | ||
| KR20050124260A KR100784382B1 (ko) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 광학 소자 및 그 제조 방법 |
| KR10-2005-0124260 | 2005-12-16 | ||
| KR1020050124258A KR100794304B1 (ko) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 광학 소자 및 그 제조 방법 |
| PCT/KR2006/005505 WO2007069871A1 (en) | 2005-12-16 | 2006-12-15 | Optical device and method of fabricating the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009519608A true JP2009519608A (ja) | 2009-05-14 |
| JP5385614B2 JP5385614B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=38163140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008545500A Active JP5385614B2 (ja) | 2005-12-16 | 2006-12-15 | 光学素子およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8487344B2 (ja) |
| EP (1) | EP2005488B1 (ja) |
| JP (1) | JP5385614B2 (ja) |
| WO (1) | WO2007069871A1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012044231A (ja) * | 2011-11-30 | 2012-03-01 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| US8455911B2 (en) | 2010-03-08 | 2013-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
| JP2014086728A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-12 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
| KR20170045669A (ko) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | 삼성전자주식회사 | 도전체, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 소자 |
| JP2018032699A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
| US10134955B2 (en) | 2015-12-26 | 2018-11-20 | Nichia Corporation | Light emitting element and method of manufacturing the same |
| US10249804B2 (en) | 2016-07-19 | 2019-04-02 | Nichia Corporation | Semiconductor device, base, and method for manufacturing same |
| US10586896B2 (en) | 2016-05-11 | 2020-03-10 | Nichia Corporation | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor element |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101459764B1 (ko) * | 2008-01-21 | 2014-11-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물계 발광 소자 |
| EP2280427B1 (en) * | 2008-04-25 | 2013-08-21 | LG Innotek Co., Ltd | Light emitting diode |
| JP2010003804A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| KR100999694B1 (ko) * | 2008-09-01 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| JP2010073820A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 導電接続部付き半導体素子用電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子 |
| KR101603303B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법 |
| EP2184783B1 (en) | 2008-11-07 | 2012-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR20100055750A (ko) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101014013B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101081193B1 (ko) | 2009-10-15 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101072034B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8460959B2 (en) | 2009-11-06 | 2013-06-11 | Ultratech, Inc. | Fast thermal annealing of GaN LEDs |
| US8592309B2 (en) * | 2009-11-06 | 2013-11-26 | Ultratech, Inc. | Laser spike annealing for GaN LEDs |
| US8658451B2 (en) | 2009-11-06 | 2014-02-25 | Ultratech, Inc. | Activating GaN LEDs by laser spike annealing and flash annealing |
| KR101007125B1 (ko) * | 2010-04-13 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| US8569754B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN102104098A (zh) * | 2011-01-14 | 2011-06-22 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件 |
| TWI466343B (zh) * | 2012-01-06 | 2014-12-21 | Phostek Inc | 發光二極體裝置 |
| US20130270514A1 (en) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Adam William Saxler | Low resistance bidirectional junctions in wide bandgap semiconductor materials |
| TWI625868B (zh) | 2014-07-03 | 2018-06-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
| CN104677950B (zh) * | 2015-02-15 | 2018-03-06 | 南京益得冠电子科技有限公司 | 用于半导体甲醛传感器的甲醛敏感材料及半导体甲醛传感器 |
| DE102015112879A1 (de) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| KR102136770B1 (ko) | 2016-05-20 | 2020-07-22 | 루미레즈 엘엘씨 | 발광 디바이스들 내의 층들을 성장시키기 위해 원격 플라즈마 화학 기상 퇴적(rp-cvd) 및 스퍼터링 퇴적을 사용하기 위한 방법들 |
| KR20180086068A (ko) * | 2017-01-20 | 2018-07-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지 |
| US11764333B2 (en) * | 2020-09-29 | 2023-09-19 | Bolb Inc. | P-ohmic contact structure and light emitting device using the same |
| CN115315815A (zh) * | 2021-03-04 | 2022-11-08 | 株式会社东芝 | 透明电极及其制作方法、以及使用透明电极的电子器件 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196633A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Ind Technol Res Inst | 窒化ガリウムを基礎とする１３族−１５族化合物半導体素子および素子用電極 |
| JP2004336021A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜電極、及びその製造方法 |
| JP2005079176A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JP2005117006A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 窒化物の発光装置 |
| JP2005184001A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| JP2005191572A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| JP2005229085A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Samsung Electro Mech Co Ltd | オーミック接触を改善した窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486499B1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
| KR100571818B1 (ko) | 2003-10-08 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100647279B1 (ko) | 2003-11-14 | 2006-11-17 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100590532B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2006-06-15 | 삼성전자주식회사 | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100634503B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100611639B1 (ko) | 2004-07-23 | 2006-08-11 | 광주과학기술원 | 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| US20060125385A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Chun-Chung Lu | Active matrix organic electro-luminescence device array and fabricating process thereof |
| US7265374B2 (en) * | 2005-06-10 | 2007-09-04 | Arima Computer Corporation | Light emitting semiconductor device |
| KR20050081207A (ko) | 2005-07-28 | 2005-08-18 | 장구현 | 터널 정션 배리어층을 사용한 단결정 질화물계 반도체 성장및 이를 이용한 고품위 질화물계 발광소자 제작 |
| KR100720101B1 (ko) | 2005-08-09 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조의 다기능성 오믹층을 사용한 탑에미트형 질화물계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100706796B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 탑에미트형 발광소자 및 그 제조 방법 |
| KR20050097472A (ko) * | 2005-09-15 | 2005-10-07 | 오인모 | 대면적 및 대용량의 고휘도 질화물계 발광소자 |
-
2006
- 2006-12-15 WO PCT/KR2006/005505 patent/WO2007069871A1/en active Application Filing
- 2006-12-15 JP JP2008545500A patent/JP5385614B2/ja active Active
- 2006-12-15 US US12/097,359 patent/US8487344B2/en active Active
- 2006-12-15 EP EP06835223.6A patent/EP2005488B1/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196633A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Ind Technol Res Inst | 窒化ガリウムを基礎とする１３族−１５族化合物半導体素子および素子用電極 |
| JP2004336021A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜電極、及びその製造方法 |
| JP2005079176A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JP2005117006A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 窒化物の発光装置 |
| JP2005184001A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| JP2005191572A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| JP2005229085A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Samsung Electro Mech Co Ltd | オーミック接触を改善した窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8455911B2 (en) | 2010-03-08 | 2013-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
| JP2012044231A (ja) * | 2011-11-30 | 2012-03-01 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2014086728A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-12 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
| KR20170045669A (ko) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | 삼성전자주식회사 | 도전체, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 소자 |
| JP2017079212A (ja) * | 2015-10-19 | 2017-04-27 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 導電体およびその製造方法、ならびにこれを含む素子 |
| KR102452651B1 (ko) * | 2015-10-19 | 2022-10-06 | 삼성전자주식회사 | 도전체, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 소자 |
| US10134955B2 (en) | 2015-12-26 | 2018-11-20 | Nichia Corporation | Light emitting element and method of manufacturing the same |
| US10586896B2 (en) | 2016-05-11 | 2020-03-10 | Nichia Corporation | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor element |
| US11349049B2 (en) | 2016-05-11 | 2022-05-31 | Nichia Corporation | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor element |
| US10249804B2 (en) | 2016-07-19 | 2019-04-02 | Nichia Corporation | Semiconductor device, base, and method for manufacturing same |
| JP2018032699A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5385614B2 (ja) | 2014-01-08 |
| WO2007069871A1 (en) | 2007-06-21 |
| US20080258174A1 (en) | 2008-10-23 |
| EP2005488A1 (en) | 2008-12-24 |
| EP2005488B1 (en) | 2013-07-31 |
| EP2005488A4 (en) | 2011-02-16 |
| US8487344B2 (en) | 2013-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5385614B2 (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
| KR100794304B1 (ko) | 광학 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP5502170B2 (ja) | 窒化物系発光素子及びその製造方法 | |
| JP5244614B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系発光素子 | |
| KR100717276B1 (ko) | 발광 소자용 구조체, 이를 이용한 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100706796B1 (ko) | 질화물계 탑에미트형 발광소자 및 그 제조 방법 | |
| US7872271B2 (en) | Flip-chip light emitting diodes and method of manufacturing thereof | |
| JP5084099B2 (ja) | トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法 | |
| KR20070068549A (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100832102B1 (ko) | 발광소자용 구조체 및 발광소자의 제조 방법 | |
| KR100794305B1 (ko) | 광학 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100784384B1 (ko) | 광학 소자 및 그 제조방법 | |
| KR100787939B1 (ko) | 발광 소자용 구조체 및 이를 이용한 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR20060007948A (ko) | 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20070099076A (ko) | 고성능의 오믹접촉 전극구조체 개발을 통한 그룹 3족질화물계 발광소자 제작 | |
| KR100767398B1 (ko) | 발광 소자용 구조체 및 이를 이용한 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR100784382B1 (ko) | 광학 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100611642B1 (ko) | 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR100601971B1 (ko) | 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR100574105B1 (ko) | 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR100574104B1 (ko) | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20060007945A (ko) | 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR100574103B1 (ko) | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20070099077A (ko) | 선택성 에칭공정을 이용한 고품위 그룹 3족 질화물계오믹접촉 전극구조체 개발을 통한 그룹 3족 질화물계탑에미트형 발광소자 제작 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101104 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111012 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111018 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121106 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121213 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130305 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130422 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130820 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130917 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131004 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5385614 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |